KR20050112575A - 유기 전계발광 소자의 제조방법 - Google Patents

유기 전계발광 소자의 제조방법 Download PDF

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KR20050112575A
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Abstract

본 발명은 화소 수축이 없고 발광 휘도 및 수명이 증진된 유기 전계발광 소자의 제조방법을 위하여, 기판을 세정하는 단계와, 상기 기판 상의 잔존 산소를 제거하는 단계 및 상기 기판 상에 유기막을 형성하는 단계를 구비하는 것을 특징으로 하는 유기 전계발광 소자의 제조방법을 제공한다.

Description

유기 전계발광 소자의 제조방법 {Method of manufacturing organic electroluminescence device}
본 발명은 유기 전계발광 소자에 관한 것으로서, 더 상세하게는 화소 수축이 없고 발광 휘도 및 수명이 증진된 유기 전계발광 소자의 제조방법에 관한 것이다.
도 1은 종래의 유기 전계발광 소자의 제조공정 중 배면 패널의 제조공정을 도시한 흐름도이다.
도 1을 참조하면, 종래의 유기 전계발광 소자의 제조공정에 있어서 먼저 배면 기판 상의 이물질 등의 입자를 배제하기 위한 세정공정을 거치게 된다. 그 후 패시브 매트릭스형(PM : passive matrix type) 전계발광 소자의 경우에는 제 1 전극이 구비되며, 액티브 매트릭스형(AM : active matrix type) 전계발광 소자의 경우에는 적어도 하나 이상의 트랜지스터 등과 제 1 전극이 구비된다.
상기 배면 기판 상에 제 1 전극을 구비한 후, 상기 제 1 전극의 표면상에 존재하는 유기물을 제거하고 상기 제 1 전극의 일함수(work function)를 최적화하기 위하여, 상기 제 1 전극 상에 유기막을 증착하기 전 상기 제 1 전극을 UV 혹은 O2 플라즈마 등으로 처리하는 세정 공정을 거치게 된다. 그러나 상기와 같은 단계를 거치게 되면 필연적으로 상기 제 1 전극의 표면에 산소량을 증가시키고 후에 구비될 화소 정의층(PDL : pixel define layer) 내부의 결합 상태를 약화시키게 되어 아웃개스(outgas)를 유발하게 된다. 이와 같은 상기 제 1 전극 표면의 산소량 증가와 아웃개스로 인하여 도 2에 나타난 바와 같은 화소 수축(pixel shrinkage)이 발생하게 되며, 결국 발광면적이 감소하여 발광휘도가 저하되고 유기 전계발광 소자의 수명이 현저하게 단축된다는 문제점이 있다.
본 발명은 상기와 같은 문제점을 포함하여 여러 문제점들을 해결하기 위한 것으로서, 화소 수축이 없고 발광 휘도 및 수명이 증진된 유기 전계발광 소자의 제조방법을 제공하는 것을 목적으로 한다.
상기와 같은 목적 및 그 밖의 여러 목적을 달성하기 위하여, 본 발명은, 기판을 세정하는 단계와, 상기 기판 상의 잔존 산소를 제거하는 단계 및 상기 기판 상에 유기막을 형성하는 단계를 구비하는 것을 특징으로 하는 유기 전계발광 소자의 제조방법을 제공한다.
이러한 본 발명의 다른 특징에 의하면, 상기 기판을 세정하는 단계 이전에 상기 기판 상에 제 1 전극을 형성하는 단계를 더 구비하는 것으로 할 수 있다.
본 발명의 또 다른 특징에 의하면, 상기 유기 전계발광 소자는 배면 발광형 또는 양면 발광형인 것으로 할 수 있다.
본 발명의 또 다른 특징에 의하면, 상기 기판 상의 잔존 산소를 제거하는 단계는 열처리 방법을 이용하는 것으로 할 수 있다.
본 발명의 또 다른 특징에 의하면, 상기 열처리는 진공 오븐, 질소 오븐 또는 핫 플레이트를 이용하는 것으로 할 수 있다.
본 발명의 또 다른 특징에 의하면, 상기 열처리는 150℃ 내지 300℃의 범위에서 행하는 것으로 할 수 있다.
본 발명의 또 다른 특징에 의하면, 상기 열처리는 5분 내지 20분 동안 행하는 것으로 할 수 있다.
이하, 첨부된 도면들을 참조하여 본 발명의 바람직한 실시예를 상세히 설명하면 다음과 같다.
유기 전계발광 소자의 전체적인 구조를 개괄하자면, 유기 전계발광 소자는 배면 기판의 제 1 면에 구비된 제 1 전극과, 상기 제 1 전극의 상부로 구비된 적어도 발광층을 포함하는 중간층과, 상기 중간층의 상부로 구비되는 상기 제 1 전극과 다른 극성을 갖는 제 2 전극 및 상기 배면 기판과 그 제 1 면에 구비된 상기 구성요소들을 봉지하는 전면 기판으로 구비되어 있다. 이 경우 상기 제 2 전극과 상기 전면 기판 사이의 공간에는 보호막 또는 흡습층 등이 더 구비될 수도 있다.
도 3은 본 발명에 따른 유기 전계발광 소자의 제조공정을 도시한 흐름도이다.
도 3을 참조하면, 먼저 배면 기판 상의 이물질 등의 입자를 배제하기 위한 세정공정을 거치게 된다. 상기 배면 기판은 실리콘 옥사이드(SiO2)를 주성분으로 하는 글라스재의 기판이 사용될 수 있으며, 그 외에도 플라스틱재의 기판이 사용될 수도 있는데, 예컨대 폴리머(polymer)계열의 플렉서블 타입(flexible type)이 적용될 수도 있다.
상기 세정 공정을 거친 후 상기 배면 기판의 상면에는 배면 기판의 평활성과 불순원소의 침투를 차단하기 위하여 버퍼층을 더 구비할 수 있으며, 상기 버퍼층은 실리콘 옥사이드(SiO2) 등으로 형성할 수 있다. 그 후 패시브 매트릭스형 전계발광 소자의 경우에는 제 1 전극이 구비되며, 액티브 매트릭스형 전계발광 소자의 경우에는 적어도 하나의 박막 트랜지스터를 구비한 TFT(Thin Film Transistor)층과 제 1 전극이 구비된다.
상기 제 1 전극은 투명 소재의 전도성 물질로 형성할 수 있는데, ITO(Indium Tin Oxide)로 형성할 수 있고, 포토 리소그래피법에 의해 소정의 패턴이 되도록 형성할 수 있다. 상기 제 1 전극의 패턴은 수동 구동형의 경우에는 서로 소정 간격 떨어진 스트라이프 상의 라인들로 형성될 수 있고, 능동 구동형의 경우에는 화소에 대응되는 형태로 형성될 수 있다. 능동 구동형의 경우에는 또한, 상술한 바와 같이 상기 제 1 전극과 배면 기판의 사이에 적어도 하나의 박막 트랜지스터를 구비한 TFT층이 더 구비되고, 상기 제 1 전극은 상기 TFT층에 전기적으로 연결된다.
이렇게 ITO로 구비된 제 1 전극은 도시되지 않은 외부 제 1 전극단자에 연결되어 애노드(anode)전극으로서 작용될 수 있다.
상기 배면 기판 상에 제 1 전극을 구비한 후, 상기 제 1 전극의 표면상에 존재하는 유기물을 제거하고 상기 제 1 전극의 일함수를 최적화하기 위하여, 상기 제 1 전극 상에 유기막을 증착하기 전 상기 제 1 전극을 UV 혹은 O2 플라즈마 등으로 처리하는 세정 공정을 거치게 된다. 상기와 같은 세정 공정을 거치게 되면 상술한 바와 같이 상기 세정 공정에 의해 필연적으로 상기 제 1 전극의 표면에 존재하는 산소량이 증가하게 되고 후에 구비될 화소 정의층(PDL : pixel define layer) 내부의 결합 상태를 약화시키게 되어 아웃개스를 유발하게 되며, 이와 같은 상기 제 1 전극 표면의 산소량 증가와 아웃개스로 인하여 도 2에 나타난 바와 같은 화소 수축이 발생하게 된다.
따라서 본 발명에서는 상기 제 1 전극을 UV 혹은 O2 플라즈마 등으로 처리하는 세정 공정을 거친 후 상기 제 1 전극 및 배면 기판 상의 잔존 산소를 제거하는 단계를 거치도록 한다. 본 발명에 있어서 상기 잔존 산소를 제거하는 방법은 열처리 방법을 이용할 수 있으나 반드시 이에 한정되는 것은 아니다. 상기 잔존 산소를 제거하는 방법으로 열처리 방법을 이용할 경우에는 진공 오븐(vacuum oven), 질소 오븐(N2 oven) 또는 핫 플레이트(hot plate) 등을 이용하여 행할 수 있다. 또한 상기 제 1 전극을 UV 혹은 O2 플라즈마 등으로 처리하는 세정 공정 이전의 단계에서도 각 단계에서의 배면 기판 상의 잔존 산소를 제거하기 위해 상기 잔존 산소를 제거하는 단계를 거치도록 할 수 있음은 물론이다.
상기 단계를 거친 후 상기 제 1 전극의 상부에 유기막으로 구비되는 중간층을 증착 등의 방법을 통해 형성한다. 중간층은 상기 제 1 전극과 후에 구비될 제 2 전극의 전기적 구동에 의해 발광하는 발광층을 갖는다. 상기 중간층의 종류에 따라서 전계발광 소자가 유기 전계발광 소자 또는 무기 전계발광 소자로 구분되는 바, 본 발명은 유기 전계발광 소자에 대한 것이다.
유기 전계발광 소자의 경우에는 저분자 유기물 또는 고분자 유기물을 사용할 수 있다.
상기 중간층이 저분자 유기물로 형성된 저분자 유기층의 경우에는 상기 발광층을 중심으로 제 1 전극의 방향으로 홀 수송층 및 홀 주입층 등으로 구비된 제 1 중간층과, 제 2 전극의 방향으로 전자 수송층 및 전자 주입층 등으로 구비된 제 2 중간층의 구조를 가질 수 있다. 물론 이들 홀 주입층, 홀 수송층, 전자 수송층 또는 전자 주입층 등은 이 밖에도 다양한 복합 구조로 적층되어 형성될 수 있고, 이 외에도 다른 기능을 하는 층들이 형성될 수 있다.
또한 사용 가능한 유기 재료도 구리 프탈로시아닌(CuPc : copper phthalocyanine), N,N-디(나프탈렌-1-일)-N,N´-디페닐-벤지딘 (N,N-Di(naphthalene-1-yl)-N,N´-diphenyl-benzidine : NPB), 트리스-8-하이드록시퀴놀린 알루미늄(tris-8-hydroxyquinoline aluminum)(Alq3) 등을 비롯해 다양하게 적용 가능하다. 상기 중간층은 풀 칼라 유기 전계발광 소자일 경우 상기 발광층을 각 화소의 칼러에 대응되도록 다양한 패턴으로 형성 가능하다. 이러한 저분자 유기층은 진공 중에서 유기물을 가열하여 증착하는 방식으로 형성될 수 있는데, 그 중 발광층의 형성은 각 화소에 대응되도록 소정 패턴의 슬릿(slit)이 구비된 마스크를 개재하여 각 칼라별로 순차로 증착하여 형성할 수 있다.
한편, 고분자 유기물로 형성된 고분자 유기층의 경우에는 발광층을 중심으로 제 1 전극의 방향으로 제 1 중간층으로서, 홀 수송층(Hole Transport Layer : HTP)만이 구비될 수 있고, 제 2 중간층은 생략 가능하다. 상기 고분자 홀 수송층은 폴리에틸렌 디히드록시티오펜(PEDOT : poly-(2,4)-ethylene-dihydroxy thiophene)이나, 폴리아닐린(PANI : polyaniline) 등을 사용하여 잉크젯 프린팅이나 스핀 코팅의 방법에 의해 상기 배면 기판의 제 1 전극 상부에 형성되며, 상기 고분자 유기 발광층은 PPV, Soluble PPV's, Cyano-PPV, 폴리플루오렌(Polyfluorene) 등을 사용할 수 있으며, 잉크젯 프린팅이나 스핀 코팅 또는 레이저를 이용한 열전사방식 등의 통상의 방법으로 컬러 패턴을 형성할 수 있다. 물론, 이러한 고분자 유기층의 경우에도 상기 제 1 및 제 2 중간층의 구조는 반드시 상술한 구조에 한정되는 것은 아니고, 필요에 따라 다양한 층으로서 구성할 수 있다.
상기 적어도 발광층을 포함하는 중간층의 상부로는 제 2 전극이 구비되는데, 상기 제 2 전극은 반사형 전극이 될 수 있으며, 알루미늄/칼슘 등으로 형성되고, 도시되지 않은 외부 제 2 전극단자에 연결되어 캐소드(cathode)전극으로서 작용될 수 있다.
상기 제 2 전극은 수동 구동형의 경우에는 상기 제 1 전극의 패턴에 직교하는 스트라이프 상의 라인으로 형성될 수 있고, 능동 구동형의 경우에는 화소에 대응되는 형태로 형성될 수 있다. 능동 구동형의 경우에는 화상이 구현되는 액티브 영역 전체에 걸쳐 형성될 수 있다.
상기와 같은 제 1 전극과 제 2 전극은 그 극성이 서로 반대가 되어도 무방하다.
상기와 같이 배면 기판 상에 구비되어 배면 패널을 완성한 후, 상기 배면 패널을 전면 패널로 봉지하게 된다. 상기 전면 패널은 전면 기판으로 이루어지는데, 상기 전면 기판은 내부에 흡습제가 구비된 메탈 캡으로 구비될 수 있으며, 또는 밀봉용 수지재를 도포하여 내부로 수분 침투가 차단될 수 있도록 한다. 물론 상기와 같은 전면 기판을 사용하지 않고 그 밖의 다양한 밀봉 부재를 사용할 수도 있다.
전면 패널과 배면 패널이 완성되면 이에 접착제를 도포하고 양 패널을 합착시킨 후 상기 접착제를 경화시킨다. 상기 접착제로는 자외선 경화 실런트, 써멀 타입 실런트(thermal type sealant) 또는 글라스 프릿 등을 사용할 수 있으며, 상기 실런트에 자외선을 조사하거나 소정의 열을 가하여 경화시킴으로서 봉지가 완료된다.
한편 상기와 같은 공정을 거쳐 하나의 패널만을 만드는 것이 아니라 하나의 기판을 사용하여 복수개의 표시부를 형성한 후 상기 마더 기판을 절단(scribing)하여 복수개의 패널들을 1회의 공정으로 만들 수도 있다. 따라서 상기 절단 후 각 패널의 단부를 다듬는 면취 공정 및 상기 공정 후의 세정단계를 거치게 되며, 그 후 각각의 패널들을 에이징(aging)하고 검사하는 단계를 거쳐 최종적으로 패널이 완성되게 된다.
이상 설명한 바와 같은 본 발명의 바람직한 실시예에 따른 유기 전계발광 소자는 발광층으로부터 발광되는 빛이 배면 기판의 방향으로 발광되는 배면 발광형이나, 반드시 이에 한정되는 것은 아니고 전면 발광형 또는 양면 발광형인 경우에도 그대로 적용될 수 있다.
상술한 바와 같이 유기 전계발광 소자를 제작함에 있어서 상기 제 1 전극을 UV 혹은 O2 플라즈마 등으로 처리하는 세정 공정을 거친 후 상기 제 1 전극 및 배면 기판 상의 잔존 산소를 제거하는 단계를 거치도록 함으로써, 화소 수축이 없고 발광 휘도 및 수명이 증진된 유기 전계발광 소자를 제작할 수 있다.
도 4는 상기 공정에 의해 제조된 유기 전계발광 소자의 사진으로서, 기존 공정에 의해 제조된 유기 전계발광 소자를 나타낸 도 2와 비교하였을 시, 화소 수축이 없을 뿐만 아니라 발광휘도가 현저하게 증진된 것을 알 수 있다. 이를 통해 궁극적으로 유기 전계발광 소자의 수명을 현저하게 늘릴 수 있다.
한편, 상기 제 1 전극의 표면상에 존재하는 유기물을 제거하고 상기 제 1 전극의 일함수를 최적화하기 위하여 상기 제 1 전극 상에 유기막을 증착하기 전 상기 제 1 전극을 UV 혹은 O2 플라즈마 등으로 처리하는 세정 공정을 거치게 되는 것인 바, 특히 상기 제 1 전극이 투명한 ITO 등으로 구비될 경우에는 상기 ITO 등으로 구비되는 제 1 전극의 일함수를 최적화하기 위해 상기 공정이 상대적으로 중요하다. 따라서 제 1 전극이 투명한 ITO 등으로 구비되는 배면 발광형 또는 양면 발광형 유기 전계발광 소자의 경우에 본 발명에 따른 제조방법의 효과가 현저하다.
본 발명에 따른 제조방법의 효과의 현저성을 확인하기 위해 본 발명에 따른 공정 및 기존 공정에 따라 전계 발광소자들을 제작하여 비교하였는 바, 다음 표와 같은 결과가 나타났다.
표면 처리 열처리 (250℃ annealing) O/C (%) 화소 수축여부
無 無 24 無
UV-O3 5분 無 63 有
UV-O3 15분 無 77 有
UV-O3 15분 有 34 無
상기 표 1에서 표면 처리라 함은 제 1 전극을 형성한 후 상기 제 1 전극 및 배면 기판의 표면을 자외선과 오존수로 상기 표에 기재된 시간 동안 세정한 것을 의미하며, 열처리라 함은 250℃에서 5분 동안 핫 플레이트를 이용하여 상기 제 1 전극 및 배면 기판의 표면의 산소를 제거한 것을 의미한다. 그리고 상기 표 1의 O/C (%)는 상기 처리 후 상기 제 1 전극 등의 표면의 성분을 분석한 결과로서 탄소 원자의 개수 당 산소 원자의 개수의 비율을 퍼센트로 나타낸 것이다.
상기 표 1에 나타난 바와 같이 표면 처리 및 열처리를 모두 하지 않았을 경우에는 탄소 원자 개수 당 산소 원자 개수의 비율이 24%에 그쳤으며 화소 수축이 발생하지 않았으나, 표면 처리를 한 후 열처리를 하지 않은 경우에는 탄소 원자 개수 당 산소 원자 개수의 비율이 63%와 77%의 비율로 나타났으며, 그 결과 모두 화소 수축이 발생하였다. 그러나 표면 처리를 한 후 열처리를 한 경우에는 탄소 원자 개수 당 산소 원자 개수의 비율이 34%로 감소하였으며, 그 결과 화소 수축이 발생하지 않았다. 이는 표면 처리의 결과로 제 1 전극 등의 표면에 산소 원자들이 다량 남아있게 되고 이것들이 화소 수축을 유발하며, 표면 처리 후 열처리를 통해 상기 제 1 전극 등의 표면의 산소 원자들을 제거하여 상기 화소 수축을 방지할 수 있음을 보여준다.
한편, 본 발명의 제조방법에 따른 유기 전계발광 소자는 화소 수축은 없으나 휘도의 저하 또는 구동 전압의 변화 등이 있을 수 있기에 테스트 셀을 제작하여 실험한 결과, 시간의 경과에 따라 다음 표와 같은 결과가 나왔다. 본 테스트 셀은 개구율 32.7%의 배면 발광형 유기 전계발광 소자로 제작되었으며, 자외선 및 오존수를 이용하여 표면 처리를 한 후 핫 플레이트를 이용하여 250℃에서 10분간 열처리를 행하였다.
시간 0 시간 24 시간 72 시간 140 시간 240 시간
휘도 500 cd/㎡ 417 cd/㎡ 367 cd/㎡ 339 cd/㎡ 316 cd/㎡
구동 전압 5.09 V 5.20 V 5.35 V 5.35 V 5.51 V
화소 수축 無 無 無 無 無
상기 표 2의 24 시간, 72 시간, 140 시간 및 240 시간일 때의 화소의 각 사진이 도 5 내지 도 8에 나타나 있다. 상기 도 5 내지 도 8에 나타난 바와 같이 화소 수축은 시간의 경과에도 불구하고 전혀 나타나지 않았다. 특히 테스트 셀에서 일반적으로 기준이 되는 240 시간이 경과한 이후에도 화소 수축이 전혀 없었다. 그리고 상기 표 2에서 볼 수 있는 바와 같이 240 시간이 경과한 이후에도 휘도 역시 초기 휘도의 60% 이상의 수준을 유지하고 있으며 구동 전압의 상승 폭 역시 0.5 V 미만인 것으로 나타났다.
한편 상기 열처리에 있어서 열처리 온도를 150℃ 미만으로 할 경우 상기 제 1 전극 등의 표면에 존재하는 산소 등을 효율적으로 제거할 수 없기에 화소 수축현상을 방지하기 어려우므로 상기 열처리 온도는 150℃ 이상이 되도록 하는 것이 좋다. 그러나 상기 열처리 온도가 300℃를 상회하게 되면 화소 정의층(PDL)의 유기 물질의 탄화문제가 발생하기에 300℃를 상회하지 않는 것이 좋다. 따라서 상기 열처리 온도는 150℃ 이상 300℃ 이하가 되도록 하는 것이 좋다.
또한 상기 열처리에 있어서 열처리 시간을 5분 미만으로 할 경우 상기 제 1 전극 등의 표면에 존재하는 산소 등을 효율적으로 제거할 수 없기에 화소 수축현상을 방지하기 어려우므로 상기 열처리 시간은 5분 이상이 되도록 하는 것이 좋다. 그러나 상기 열처리 시간이 20분을 상회하게 되면 누적열에 의한 화소 정의층(PDL)의 탄화문제가 발생하기에 20분을 상회하지 않는 것이 좋다. 따라서 상기 열처리 시간은 5분 이상 20분 이하가 되도록 하는 것이 좋다.
상기한 바와 같이 이루어진 본 발명의 유기 전계발광 소자의 제조방법에 따르면, 다음과 같은 효과를 얻을 수 있다.
첫째, 제 1 전극 등의 표면에 존재하는 산소 등을 제거함으로써, 화소 수축현상을 방지할 수 있다.
둘째, 제 1 전극 등의 표면에 존재하는 산소 등을 제거함으로써, 발광 휘도 저하현상을 방지할 수 있다.
셋째, 화소 수축 현상 및 발광 휘도 저하현상을 방지함으로써, 궁극적으로 유기 전계발광 소자의 수명의 향상을 도모할 수 있다.
본 발명은 도면에 도시된 실시예를 참고로 설명되었으나 이는 예시적인 것에 불과하며, 당해 기술 분야에서 통상의 지식을 가진 자라면 이로부터 다양한 변형 및 균등한 다른 실시예가 가능하다는 점을 이해할 것이다. 따라서, 본 발명의 진정한 기술적 보호 범위는 첨부된 특허청구범위의 기술적 사상에 의하여 정해져야 할 것이다.
도 1은 종래의 유기 전계발광 소자의 제조공정 중 배면 패널의 제조공정을 도시하는 흐름도.
도 2는 상기 공정에 따라 제조한 유기 전계발광 소자에 있어서 화소 수축(pixel shrinkage)이 발생한 것을 보여주는 사진.
도 3은 본 발명에 따른 유기 전계발광 소자의 제조공정을 도시하는 흐름도.
도 4는 상기 공정에 따라 제조된 유기 전계발광 소자에 있어서 화소 수축이 발생하지 않는 것을 보여주는 사진.
도 5 내지 도 8은 상기 공정에 따라 제조된 유기 전계발광 소자에 있어서 시간의 경과에 따라 화소 수축이 발생하지 않는 것을 보여주는 사진.

Claims (7)

  1. 기판을 세정하는 단계;
    상기 기판 상의 잔존 산소를 제거하는 단계; 및
    상기 기판 상에 유기막을 형성하는 단계;를 구비하는 것을 특징으로 하는 유기 전계발광 소자의 제조방법.
  2. 제 1항에 있어서,
    상기 기판을 세정하는 단계 이전에 상기 기판 상에 제 1 전극을 형성하는 단계를 더 구비하는 것을 특징으로 하는 유기 전계발광 소자의 제조방법.
  3. 제 1항에 있어서,
    상기 유기 전계발광 소자는 배면 발광형 또는 양면 발광형인 것을 특징으로 하는 유기 전계발광 소자의 제조방법.
  4. 제 1항에 있어서,
    상기 기판 상의 잔존 산소를 제거하는 단계는 열처리 방법을 이용하는 것을 특징으로 하는 유기 전계발광 소자의 제조방법.
  5. 제 4항에 있어서,
    상기 열처리는 진공 오븐, 질소 오븐 또는 핫 플레이트를 이용하는 것을 특징으로 하는 유기 전계발광 소자의 제조방법.
  6. 제 4항 또는 제 5항에 있어서,
    상기 열처리는 150℃ 내지 300℃의 범위에서 행하는 것을 특징으로 하는 유기 전계발광 소자의 제조방법.
  7. 제 4항 또는 제 5항에 있어서,
    상기 열처리는 5분 내지 20분 동안 행하는 것을 특징으로 하는 유기 전계발광 소자의 제조방법.
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