KR20050109132A - 반도체 애싱 장치 - Google Patents

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Abstract

본 발명은 주입구를 통해 반응가스와 플라즈마 소스가 주입되어 애싱 공정이 수행되는 반응 챔버와, 반응 챔버 내로 반응 가스 및 플라즈마 소스를 공급하는 가스 공급부와, 웨이퍼가 안착되는 웨이퍼 척, 및 다수 개의 램프가 구비되어 웨이퍼를 가열시키는 램프 모듈을 포함하는 반도체 애싱 장치에 관한 것으로서, 램프 모듈이 램프와 웨이퍼 사이에 발생된 고온의 복사열 및 반응 가스의 대류열에 의해 웨이퍼가 가열되도록 반응 챔버 천정에 형성된 것을 특징으로 한다. 이에 따르면, 웨이퍼 척에 안착된 웨이퍼의 위치가 비 인위적인 요인에 의해 틀어지더라도 웨이퍼에 전달되는 온도가 균일하게 됨으로써, 웨이퍼 상에 포토레지스트 막의 잔해가 생기는 것이 방지되고, 웨이퍼 애싱 공정의 공정 효율이 높아진다.

Description

반도체 애싱 장치{Semiconductor Ashing Apparatus}
본 발명은 반도체 애싱(Ashing) 장치에 관한 것으로서, 더욱 상세하게는 플라즈마(Plasma)를 이용하여 웨이퍼 상의 포토레지스트(Photoresist) 막을 애싱하기 위해 웨이퍼를 가열하여 포토레지스트 막을 여기시키는 다수 개의 램프가 구비된 램프 모듈을 포함한 반도체 애싱 장치에 관한 것이다.
일반적으로 반도체 장치는 베이스 기판으로 사용하는 웨이퍼 상에 증착, 사진, 식각, 이온 주입, 연마, 세정 등의 단위 공정들을 반복적으로 수행함으로써 제작된다. 여기서, 식각 공정은 습식 식각 및 건식 식각으로 구분되며, 최근 0.15㎛ 이하의 디자인 룰(Design Rule)을 요구하는 미세 패턴을 형성하기 위한 식각은 주로 건식 식각에 의해 수행되고 있다.
또한, 식각 및 이온 주입 공정은 웨이퍼 상에 형성된 피가공막을 선택적으로 식각하거나 웨이퍼 상에 선택적으로 이온을 주입하기 위해서 마스크(Mask)를 필요로 한다. 이 마스크는 웨이퍼 상에 포토레지스트를 도포하여 포토레지스트 막을 형성하는 공정과, 포토레지스트 막을 특정 패턴으로 형성하기 위한 노광 공정, 및 현상 공정 등을 통해 웨이퍼 상에 형성된다. 이러한 식각 및 이온 주입 공정이 완료된 후에는 마스크로 사용된 포토레지스트 막을 제거하는 애싱(Ashing) 공정이 수행된다.
애싱 공정은 플라즈마(Plasma) 상태의 산소 라디칼(Radical)이 공정 챔버에 공급됨으로써, 공정 챔버 내부에 탑재된 웨이퍼 상의 포토레지스트 막과 산소 라디칼이 서로 반응하여 포토레지스트 막을 제거하는 공정으로 일명 피알 스트립(PR Strip) 공정이라고도 한다.
통상의 애싱 공정은 웨이퍼를 공정 챔버에 넣고 적절한 가열 수단을 이용하여 웨이퍼 온도를 높인 상태에서 플라즈마를 형성함으로써 형성된 플라즈마에 의해 수행된다. 이러한 애싱 공정에서의 애싱율은 온도에 비례하기 때문에 고온 상태에서 애싱 공정이 이루어지는 것이 바람직하다.
이러한 애싱 공정을 수행하는 애싱 장치는 웨이퍼를 배치하는 형식에 따라 멀티형(Multi Type)과 싱글형(Single Type)으로 분류할 수 있고, 웨이퍼 상에 형성되는 다층막들의 가공과 더불어 수 차례 반복되어 사용된다. 최근, 애싱 장치는 애싱 공정을 수행하는 설비들이 처리 능력, 공정의 안정성 견지에서 낱장 단위로 공정을 진행하는 싱글형이 주류를 이루고 있다.
이하 첨부 도면을 참조하여 종래 기술에 따른 반도체 애싱 장치에 대해 설명하고자 한다.
도 1은 종래 기술에 따른 반도체 애싱 장치를 개략적으로 나타낸 구성도이다.
도 1을 참조하면, 종래 기술에 따른 반도체 애싱 장치(101)는 싱글형으로서, 반응 가스 및 플라즈마 소스가 주입되는 주입구(108)와 배기 가스가 배출되는 배출구(107)가 형성된 반응 챔버(103)와, 반응 챔버(103) 내로 반응 가스 및 플라즈마 소스를 공급하는 가스 공급부(102)와, 웨이퍼(106)가 안착되는 웨이퍼 척(104), 및 웨이퍼 척(104) 하부에 위치하고 다수 개의 램프(109)가 구비되어 웨이퍼(106)를 가열시키는 램프 모듈(105)을 포함한다.
이러한 구성을 갖는 반도체 애싱 장치(101)를 이용한 애싱 공정은 먼저, 상면에 포토레지스트 막이 형성된 웨이퍼를 소정의 온도로 가열된 웨이퍼 척(104)에 안착시킨다. 여기서, 반응 챔버(103)는 배출구(107)와 연결된 진공 펌프(도시 되지 않음)에 의해 내부의 배기 가스가 배출됨으로써, 소정의 압력 값을 갖는 진공 상태가 유지된다.
이 후, 웨이퍼 척(104)은 램프 모듈(105)의 다수 개의 램프(109)에 의해 애싱 공정 온도까지 가열되고, 이에 웨이퍼(106)는 웨이퍼 척(104)으로부터 전달되는 전도열에 의해 애싱 공정이 이루어지는 고온의 애싱 공정 온도까지 가열된다. 여기서, 웨이퍼(106)의 온도는 웨이퍼 척(104)에 부착된 열전대 (Thermocouple)(도시 되지 않음)에 의해 웨이퍼 척(104)의 온도가 측정됨으로써 측정된다.
이 후, 웨이퍼 척(104)을 통해 예측되는 웨이퍼(106)의 온도가 애싱 공정 온도에 도달될 시, 가스 공급부(102)로부터 반응 가스 및 플라즈마 소스가 공급된다. 그리고, 공급된 반응 가스 및 플라즈마 소스는 주입구(108)를 통해 반응 챔버(103) 내로 주입되며, 이에 따라 반응 챔버(103) 내에는 플라즈마 가스가 발생된다. 이에, 플라즈마 가스와 웨이퍼(106) 상의 포토레지스트 막이 서로 반응하여 포토레지스트 막이 애싱된다.
전술한 바와 같이 종래 기술에 따른 반도체 애싱 장치(101)는 램프 모듈(105)이 웨이퍼 척(104) 하부에 위치함으로써 램프 모듈(105) 내의 다수 개의 램프(109)가 웨이퍼 척(104)을 가열시키고, 그 가열된 웨이퍼 척(104)으로부터 발생된 전도열을 통해 웨이퍼(106)를 가열시키는 구조이다.
그러므로, 종래 기술에 따른 반도체 애싱 장치(101)는 반응 챔버(103) 내로 반응 가스 및 플라즈마 소스 주입 시 또는 배출구(107)와 연결된 진공 펌프(도시 되지 않음)의 동작에 따른 진동 등의 비인위적인 요인으로 인해 웨이퍼(106)의 일부가 웨이퍼 척(104) 상면으로부터 벗어나게 되면, 웨이퍼 척(104)으로부터의 고온의 열을 웨이퍼(106)로 균일하게 전달시키지 못할 수 있다.
따라서, 열전대(도시 되지 않음)를 통해 측정된 웨이퍼 척(104)의 온도가 애싱 공정 온도로 측정되더라도, 웨이퍼(106) 상에서는 상대적으로 온도가 낮은 부위가 생길 수 있고, 이에 온도가 낮은 부위에 형성된 포토레지스트 막이 애싱 공정이 제대로 이루어지지 않게 되어 불량이 발생되고, 반도체 제조 공정비의 손실이 초래된다.
따라서, 본 발명은 상면에 포토레지스트 막이 형성된 웨이퍼의 일부가 비인위적인 요인에 의해 웨이퍼 척 상면으로부터 이탈되더라도 웨이퍼를 균일하게 가열시키고, 이에 웨이퍼 상의 모든 부위가 동시에 애싱 공정 온도로 도달하게 됨과 동시에 유지됨으로써 모든 부위 상에 형성된 포토레지스트 막을 완전히 애싱할 수 있는 반도체 애싱 장치를 제공함에 있다.
이와 같은 목적을 달성하기 위한 본 발명에 따른 반도체 애싱 장치는 주입구를 통해 반응가스와 플라즈마 소스가 주입되어 애싱 공정이 수행되는 반응 챔버와, 반응 챔버 외부에 형성되고 주입구와 연결되어 반응 챔버 내로 반응 가스 및 플라즈마 소스를 공급하는 가스 공급부와, 반응 챔버 내부에 형성되고 웨이퍼가 안착되는 웨이퍼 척, 및 다수 개의 램프가 구비되어 상면에 포토레지스트 막이 형성된 웨이퍼를 가열시키는 램프 모듈을 포함하는 반도체 애싱 장치에 있어서, 램프 모듈이 램프의 빛에 의해 발생되는 복사열 및 반응 가스의 대류열에 의해 웨이퍼가 가열되도록 상기 반응 챔버 천정에 형성된 것을 특징으로 한다.
본 발명에 따른 반도체 애싱 장치에 있어서, 램프 모듈은 중앙에 상기 주입구와 연결된 주입통로가 형성된 것이 바람직하다.
이하, 첨부 도면을 참조하여 본 발명의 실시 예를 보다 상세하게 설명하고자 한다.
도 2는 본 발명에 따른 반도체 애싱 장치를 개략적으로 나타낸 단면도이다.
도 2를 참조하면, 본 발명에 따른 반도체 애싱 장치(1)는 애싱 공정이 이루어지는 반응 챔버(3)와, 반응 챔버(3) 내로 반응 가스와 플라즈마 소스를 공급하는 가스 공급부(2)와, 웨이퍼(6)가 안착되는 웨이퍼 척(4), 및 웨이퍼(6)를 고온으로 가열시키는 다수 개의 램프(9)를 갖는 램프 모듈(5)을 포함한다.
반응 챔버(3)는 천정(3a) 중앙에 반응 가스와 플라즈마 소스가 주입되는 주입구(8)가 형성되어 있고, 바닥면(3b) 일측에 배기가스를 배출시키는 배출구(7)가 형성된다. 또한, 반응 챔버(3)는 배출구(7)와 연결된 진공 펌프(도시 되지 않음)에 의해 진공 상태로 유지된다. 여기서, 반응 가스는 산소(O2)와 질소(N2)이고, 플라즈마 소스는 마이크로 웨이브(Microwave)이다. 따라서, 반응 챔버(3) 내에 생성되는 플라즈마는 O2+N2 플라즈마가 된다.
가스 공급부(2)는 반응 챔버(3) 상부에 형성되고 주입구(8)와 연결되어, 반응 챔버(3) 내로 반응 가스와 플라즈마 소스를 공급하는 부분으로서, 가스 공급부(2) 내에는 반응 가스를 공급하는 공급라인과, 플라즈마 소스를 공급하는 공급라인이 각각 형성된다.
웨이퍼 척(4)은 알루미늄 재질로 반응 챔버(3) 내부에 형성되고, 웨이퍼 척(4) 상면에는 웨이퍼(6)가 안착된다. 여기서, 웨이퍼(6) 상면에는 포토레지스트 막이 형성되어 있고, 웨이퍼 척(4) 상면에는 웨이퍼(6)의 뒷면이 안착된다. 또한, 웨이퍼 척(4)에는 온도를 측정하기 위한 열전대(도시 되지 않음)가 부착된다.
램프 모듈(5)은 다수 개의 램프(9)와, 그로부터 발산되는 빛을 통과시키는 쿼츠 재질의 플레이트(5b)와, 상면에 플레이트(5b)가 위치하여 플레이트(5b)와 함께 다수 개의 램프(9)를 봉합하는 본체(5a)로 이루어진다. 여기서, 본체(5a)는 바닥면이 반응 챔버(3) 천정(3a)에 고정되고, 플레이트(5b)는 본체(5a) 상면에 결합된다.
그리고, 램프 모듈(5) 중앙에는 주입구(8)와 연결되고 주입구(8)를 원주로 하는 주입 통로(10)가 형성되고, 주입 통로(10)는 가스 공급부(2)를 통해 공급되는 반응 가스 및 플라즈마 소스가 주입구(8)를 통과한 후 반응 챔버(3) 내로 주입되도록 본체(5a) 바닥면에서 플레이트(5b) 상면까지 형성된다.
이와 같은 구성을 가진 본 발명에 따른 반도체 애싱 장치(1)를 이용한 애싱공정은 먼저, 고온으로 가열된 웨이퍼 척(4) 상에 웨이퍼(6)가 안착되고, 안착된 웨이퍼(6)는 고온의 웨이퍼 척(4)으로부터 전달되는 전도열 및 다수 개의 램프(9)로부터 전달되는 복사열에 의해 가열된다. 여기서, 반응챔버(3) 내부는 진공 펌프(도시 되지 않음)에 의해 배기가스가 배출구(7)를 통해 배출됨으로써 진공 상태로 되어 있고, 웨이퍼 척(4)은 다수 개의 램프(9)로부터 발산된 빛이 플레이트(5b)를 통과하여 조사됨으로 인해 고온으로 가열된 상태이다. 또한, 웨이퍼 척(4)에는 열전대(도시 되지 않음)가 부착되고, 이를 통해 웨이퍼 척(4)의 온도 측정이 이루어진다.
다음으로, 측정된 웨이퍼 척(4)의 온도가 애싱 공정 온도에 도달될 시 가스 공급부(2)로부터 O2 와 N2 가스 및 마이크로웨이브(Microwave)가 공급되고, 공급된 O2와 N2 가스 및 마이크로웨이브는 주입구(8)를 지나 주입 통로(10)를 통해 반응 챔버(3) 내로 주입된다. 여기서, 애싱 공정 온도는 275℃인 고온이 바람직하고, 이 때 웨이퍼(6) 상의 포토레지스트 막은 고온의 열에 의해 여기된 상태로 된다. 따라서, 반응 챔버(3) 내에는 주입된 O2 와 N2 가스 및 마이크로웨이브에 의해 O2+N2 플라즈마가 발생되고, O2+N2 플라즈마에 포함된 중성의 O2 라디칼(Radical)이 웨이퍼(6) 상에 형성된 포토레지스트 막과 반응함으로써 포토레지스트 막이 애싱된다.
이러한 애싱 공정이 이루어지는 동안, 다수 개의 램프(9)에서 발산된 빛은 플레이트(5b)를 통과하여 플레이트(5b)와 웨이퍼(6) 사이의 반응 가스를 가열시키고, 가열된 반응 가스는 반응 챔버(3) 내의 온도차로 인해 대류되며, 이로 인해 대류열이 발생된다. 따라서, 발생된 대류열에 의해 웨이퍼(6)는 애싱 공정이 이루어지는 동안 고온의 애싱 공정 온도를 유지하게 된다.
이와 같이 본 발명에 따른 반도체 애싱 장치(1)는 웨이퍼 척(4)으로부터 전달되는 전도열과 더불어 다수 개의 램프(9)로부터 전달되는 복사열 및 대류열에 의해 웨이퍼(6)를 가열시키는 구조이다. 그러므로, 웨이퍼(6)가 반응 챔버(3) 내부로 주입되는 반응 가스 및 플라즈마 소스의 주입 시 또는 진공 펌프(도시 되지 않음)의 가동에 의한 진동 등의 비인위적인 요인에 의해 웨이퍼 척(4) 상면을 벗어나게 되더라도, 웨이퍼(6) 상의 모든 부위는 복사열 및 대류열에 의해 균일하게 가열된다.
따라서, 본 발명에 따른 반도체 애싱 장치(1)는 웨이퍼(6) 상에서 애싱 공정 온도에 못 미치는 부위를 발생시키지 않고 균일하게 가열시킴으로써, 열전대(도시 되지 않음)를 통해 측정된 웨이퍼 척(4)의 온도가 애싱 공정 온도로 측정되어 애싱 공정이 진행되더라도 웨이퍼(6) 상의 모든 부위가 애싱 공정 온도에 도달된 상태이기에 모든 부위 상에 형성되어 있는 포토레지스트 막을 잔해없이 완전히 제거시킨다.
이상에서와 같이 본 발명에 따른 반도체 애싱 장치는 램프를 통해 발생되는 복사열 및 대류열에 의해 웨이퍼 상의 모든 부위를 균일하게 가열시키고, 이에 따라 웨이퍼는 웨이퍼 척 상으로부터 웨이퍼의 일부 이탈로 인한 온도차가 발생되지 않는다.
따라서, 본 발명에 따른 반도체 애싱 장치는 웨이퍼 척의 온도가 애싱 공정 온도로 측정될 시 웨이퍼 상의 모든 부위도 애싱 공정 온도로 도달되어 모든 부위 상에 형성된 포토레지스트 막을 완전히 제거시킨다.
그러므로, 본 발명에 따른 반도체 애싱 장치는 애싱 공정에 따른 불량율을 줄이고, 이에 따른 반도체 제조 공정비의 손실을 줄인다.
도 1은 종래 기술에 따른 반도체 애싱 장치를 개략적으로 나타낸 구성도.
도 2는 본 발명에 따른 반도체 애싱 장치를 개략적으로 나타낸 구성도.
<도면의 주요 부분에 대한 부호의 설명>
1, 101: 반도체 애싱 장치 2, 102: 가스 공급부
3, 103: 반응 챔버 4, 104: 웨이퍼 척
5, 105: 램프 모듈 5a: 본체
5b: 플레이트 6, 106: 웨이퍼
7, 107: 배출구 8, 108: 주입구
9, 109: 램프 10: 주입 통로

Claims (2)

  1. 주입구를 통해 반응가스와 플라즈마 소스가 주입되어 애싱 공정이 수행되는 반응 챔버;
    상기 반응 챔버 외부에 형성되고 상기 주입구와 연결되어 상기 반응 챔버 내로 상기 반응 가스 및 상기 플라즈마 소스를 공급하는 가스 공급부;
    상기 반응 챔버 내부에 형성되고 상기 웨이퍼가 안착되는 웨이퍼 척; 및
    다수 개의 램프가 구비되어 상면에 포토레지스트 막이 형성된 웨이퍼를 가열시키는 램프 모듈을 포함하는 반도체 애싱 장치에 있어서,
    상기 램프 모듈은 램프의 빛에 의해 발생되는 복사열 및 상기 반응 가스의 대류열에 의해 상기 웨이퍼가 가열되도록 상기 반응 챔버 천정에 형성된 것을 특징으로 하는 반도체 애싱 장치.
  2. 제 1항에 있어서, 상기 램프 모듈은 중앙에 상기 주입구와 연결된 주입통로가 형성된 것을 특징으로 하는 반도체 애싱 장치.
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KR100856552B1 (ko) * 2007-06-21 2008-09-04 (주)아이씨디 플라즈마 처리 장치

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Publication number Priority date Publication date Assignee Title
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