KR20050107813A - 프로그램가능 저항 메모리 장치 - Google Patents
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Abstract
Description
Claims (23)
- 반도체기판과,상기 반도체기판 위에 형성되며 복수의 메모리셀이 배열된 적어도 하나의 셀 어레이와,상기 셀 어레이와 통신하여 데이터 판독 및 기록을 하기 위하여 상기 셀 어레이의 아래에 놓이며 반도체기판상에 형성되는 판독/기록 회로를 포함하고,상기 메모리셀의 각각은 프로그램가능 저항 소자(programmable resistance element)와 액세스 소자(access element)의 스택 구조(stack structure)를 가지며, 상기 프로그램가능 저항 소자는 인가되는 전압의 극성으로 인해 결정되는 고저항 상태와 저저항 상태를 비휘발성 방식으로 저장하고, 상기 액세스 소자는 선택 상태에서 보다 10배 이상으로 높은 일정 전압 범위에서 오프상태인 저항값을 가지는프로그램가능 저항 메모리 장치.
- 제1항에 있어서,상기 프로그램가능 저항 소자는 이온 도체를 샌드위치처럼 싸는 양전극(anode)과 음전극(cathode)을 가지며 금속 이온을 함유한 상기 이온 도체를 포함하는 프로그램가능 저항 메모리 장치.
- 제1항에 있어서,상기 프로그램가능 저항 소자는 중합체를 샌드위치처럼 싸는 양전극과 음전극을 가지며 전도성 입자가 분산된 상기 중합체를 포함하는 프로그램가능 저항 메모리 장치.
- 제1항에 있어서,상기 액세스 소자는 제너 다이오드, PN 접합 다이오드 및 쇼트키 다이오드(Shottky diode)로부터 선택된 다이오드인 프로그램가능 저항 메모리 장치.
- 제4항에 있어서,상기 셀 어레이는서로 병렬로 배치된 복수의 비트선과,일정 피치(pitch)로 상기 각 비트선상에 배치된 메모리셀과,상기 비트선과 교차하는 방향으로 상기 메모리셀의 상단부를 공통으로 연결하도록 각각 형성된 복수의 워드선을 포함하는 프로그램가능 저항 메모리 장치.
- 제5항에 있어서,상기 각 메모리셀의 상기 액세스 소자로서의 기능을 하는 상기 다이오드와 상기 프로그램가능 저항 소자는 상기 다이오드와 상기 프로그램가능 저항 소자의 각 양극을 상기 비트선 및 워드선에 제각기 연결하는 방식으로 스택되는 프로그램가능 저항 메모리 장치.
- 제6항에 있어서,복수의 셀 어레이는 상기 워드선 및 비트선중의 적어도 하나를 인접한 두 셀 어레이와 공유하는 방식으로 스택되는 프로그램가능 저항 메모리 장치.
- 제7항에 있어서,상기 각 셀 어레이의 상기 비트선을 상기 판독/기록 회로로 연결하기 위하여 상기 비트선 방향으로 상기 셀 어레이의 셀 배치 영역을 정의하는 제1 및 제2 경계의 외부에 배치된 제1 및 제2 수직 배선과,상기 각 셀 어레이의 상기 워드선을 상기 판독/기록 회로로 연결하기 위하여 상기 워드선 방향으로 상기 셀 배치 영역을 정의하는 제3 및 제4 경계중의 한 경계의 외부에 배치된 제3 수직 배선을 더 포함하는 프로그램가능 저항 메모리 장치.
- 제8항에 있어서,상기 제1 내지 제3 배선은 상기 셀 어레이를 둘러싸도록 형성된 절연층에 매립된 접촉 플러그(contact plugs)로 형성되는 프로그램가능 저항 메모리 장치.
- 제4항에 있어서,상기 판독/기록 회로는,상기 메모리셀중의 선택된 하나의 메모리셀에 그것의 다이오드가 상기 액세스 소자 순방향 바이어스로서의 기능을 하도록 하는 제1 기록 전압을 인가함으로써 그것의 프로그램가능 저항 소자를 저저항 상태로 설정하고, 상기 메모리셀중의 선택된 하나의 메모리셀에 그것의 다이오드가 상기 액세스 소자 항복(access element breakdown)으로의 기능을 하도록 하는 상기 제1 기록 전압과 반대되는 극성을 가진 제2 기록 전압을 인가함으로써 그것의 프로그램가능 저항 소자를 고저항 상태로 설정하도록 구성되는 프로그램가능 저항 메모리 장치.
- 제10항에 있어서,상기 판독/기록 회로는,상기 메모리셀중의 선택된 하나의 메모리셀에 그것의 다이오드가 상기 액세스 소자 순방향 바이어스로서의 기능을 하도록 하는 상기 제1 기록 전압보다 낮은 판독 전압을 인가함으로써 그것의 프로그램가능 저항 소자의 데이터 상태를 검출하도록 구성되는 프로그램가능 저항 메모리 장치.
- 제6항에 있어서,상기 판독/기록 회로는,선택된 비트선 및 선택된 워드선을 통하여 상기 메모리셀중의 선택된 하나의 메모리셀에 그것의 다이오드가 상기 액세스 소자 순방향 바이어스로서의 기능을 하도록 하는 제1 기록 전압을 인가함으로써 그것의 프로그램가능 저항 소자를 저저항 상태로 설정하고, 상기 메모리셀중의 선택된 하나의 메모리셀에 그것의 다이오드가 상기 액세스 소자 항복으로서의 기능을 하도록 하는 상기 제1 기록 전압과 반대되는 극성을 가진 제2 기록 전압을 인가함으로써 그것의 프로그램가능 저항 소자를 고저항 상태로 설정하도록 구성되는 프로그램가능 저항 메모리 장치.
- 제12항에 있어서,상기 판독/기록 회로는,선택된 비트선 및 선택된 워드선을 통하여 상기 메모리셀중의 선택된 하나의 메모리셀에 그것의 다이오드가 상기 액세스 소자 순방향 바이어스로서의 기능을 하도록 하는 상기 제1 기록 전압보다 낮은 판독 전압을 인가함으로써 그것의 프로그램가능 저항 소자의 데이터 상태를 검출하도록 구성되는 프로그램가능 저항 메모리 장치.
- 제13항에 있어서,상기 판독/기록 회로는,비선택 상태에서 상기 비트선과 워드선간에 상기 메모리셀의 상기 다이오드를 역 바이어스를 가진 고임피던스 오프상태로 유지시키도록 하는 홀드 전압(hold voltage)을 인가하도록 구성되는 프로그램가능 저항 메모리 장치.
- 제7항에 있어서,상기 복수의 셀 어레이의 각각에서 이웃하는 두 메모리셀은 하나는 고 저항 상태이고 다른 하나는 저저항 상태인 상보적 데이터(complementary data)를 저장하기 위한 쌍 셀(a pair cell)을 구성하고,상기 쌍 셀의 상기 상보적 데이터는 하나의 데이터 비트로서 비트선쌍에 판독 출력되는 프로그램가능 저항 메모리 장치.
- 제15항에 있어서,상기 쌍 셀을 구성하는 두 메모리셀은, 그것들의 다이오드의 양극을 상기 워드선중의 한 워드선에 공통으로 연결하고 그것들의 프로그램가능 저항 소자의 양극을 비트선쌍에 연결하는 방식으로 상기 복수의 셀 어레이의 각각에서 서로 수평으로 이웃하는 프로그램가능 저항 메모리 장치.
- 제16항에 있어서,상기 쌍 셀은, 상기 상보적 데이터가 판독 출력되는 상기 비트선쌍들 사이에 또다른 비트선이 배치되는 조건에서 선택되는 프로그램가능 저항 메모리 장치.
- 제15항에 있어서,상기 쌍 셀을 구성하는 두 메모리셀은, 그것들의 다이오드의 양극을 상기 두 셀 어레이가 공유하는 상기 워드선중의 한 워드선에 공통으로 연결하고, 그것들의 프로그램가능 저항 소자의 양극을 상기 두 셀 어레이에 배치된 비트선에 각각 연결하는 방식으로 상기 복수의 셀 어레이에서 이웃하는 두 셀 어레이들중에 수직으로 이웃하는 프로그램가능 저항 메모리 장치.
- 제8항에 있어서,상기 판독/기록 회로는,판독 데이터가 전송되는 복수의 데이터선과, 기록 펄스 신호를 상기 비트선으로 전송하기 위한 복수의 기록 펄스 신호선을 가진 글로벌 버스 영역으로서, 상기 데이터선과 상기 기록 펄스 신호선은 상기 비트선의 방향으로 상기 셀 배치 영역의 중심 부분을 교차하도록 배치되는, 상기 글로벌 버스 영역과,이웃하는 두 셀 어레이의 각 비트선이 연결되는 상기 셀 배치 영역의 제1 및 제2 경계를 따라 각각 배치된 제1 및 제2 비트선 선택회로와,상기 제1 및 제2 비트선 선택회로에 의해 각각 선택된 비트선의 데이터를 감지하기 위한 것으로 상기 제1, 제2 비트선 선택회로와 상기 글로벌 버스 영역 사이에 각각 배치되는 제1 및 제2 감지 증폭기 어레이와,상기 이웃하는 두 셀 어레이의 공유 워드선이 연결되는 상기 셀 배치 영역의 상기 제3 및 제4 경계를 따라 배치된 워드선 선택회로와,상기 기록 펄스 신호선에 공급되는 상기 기록 펄스 신호를 발생하기 위하여 상기 셀 배치 영역의 상기 제3 및 제4 경계를 따라 배치된 기록 회로를 포함하는 프로그램가능 저항 메모리 장치.
- 제19항에 있어서,상기 공유 워드선은 상기 워드선 선택 회로에 의해 선택되는 일정 범위동안에 동시에 활성화되며, 상기 이웃하는 두 셀 어레이의 각 비트선은 상기 제1 및 제2 비트선 선택 회로에 의해 각각 선택되는 각 일정 범위동안에 동시에 선택됨으로써, 상기 이웃하는 두 셀 어레이에서 상기 복수의 메모리셀의 각각에 동시에 접근하는 프로그램가능 저항 메모리 장치.
- 제20항에 있어서,상기 제1 및 제2 감지 증폭기 어레이는 상기 이웃하는 두 셀 어레이에서 동시에 선택되는 상기 복수의 메모리셀의 각각의 데이터를 동시에 감지하기 위한 감지 증폭기를 가지며, 감지된 데이터는 상기 글로벌 버스 영역에서 상기 데이터선으로 동시에 전송되는 프로그램가능 저항 메모리 장치.
- 제20항에 있어서,상기 기록 회로는 기록 펄스 신호를 동시에 출력하도록 구성되며, 상기 출력 기록 펄스 신호는 상기 이웃하는 두 셀 어레이에서 동시에 선택된 상기 복수의 비트선의 각각으로, 상기 글로벌 버스 영역에서 상기 기록 펄스 신호선으로 전송되는 프로그램가능 저항 메모리 장치.
- 제19항에 있어서,상기 각 셀 어레이에서 이웃하는 두 메모리셀은 하나는 고저항 상태이고, 다른 하나는 저저항 상태인 상보적 데이터를 저장하기 위한 쌍 셀을 구성하며,상기 제1 및 제2 감지 증폭기 어레이의 각각은 그안에 배치된 차동형 전류 감지 증폭기를 구비하며, 상기 전류 감지 증폭기의 각각은 상기 상보적 데이터로 인한 전류차를 감지하기 위해 상기 쌍 셀에 연결된 비트선쌍에 연결되는 프로그램가능 저항 메모리 장치.
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Chen et al. | Patents Relevant to Cross-Point Memory Array |
Legal Events
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E701 | Decision to grant or registration of patent right | ||
GRNT | Written decision to grant | ||
G170 | Re-publication after modification of scope of protection [patent] | ||
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