KR20050098597A - 플라즈마 디스플레이 패널 - Google Patents

Abstract

본 발명은 플라즈마 디스플레이 패널을 개시한다. 본 발명에 따르면, 투명한 제1 기판과; 제1 기판과 대향되게 배치된 제2 기판과; 제1 기판과 제2 기판 사이에 배치되어 발광셀들을 구획하는 것으로, 유전체로 형성된 상측 격벽과; 발광셀을 둘러싸며, 상측 격벽 내에 상하로 이격되게 배치된 상측 방전전극 및 하측 방전전극과; 상측 격벽과 제2 기판 사이에 배치된 하측 격벽과; 하측 격벽에 의해 한정되는 공간 내에 배치된 형광체층과; 발광셀 내의 적어도 일부 영역에 배치된 MgO 막과; 발광셀 내에 채워진 방전 가스;를 구비한다.

Description

플라즈마 디스플레이 패널{Plasma display panel}

본 발명은 가스 방전을 이용하여 화상을 구현하는 플라즈마 디스플레이 패널에 관한 것이다.

플라즈마 디스플레이 패널을 채용한 장치는 대화면을 가지면서도, 고화질, 초박형, 경량화 및, 광시야각(廣視野角)의 우수한 특성을 갖고 있으며, 다른 평판 디스플레이 장치에 비해 제조방법이 간단하고 대형화가 용이하여 차세대 평판 디스플레이 장치로서 각광을 받고 있다.

이러한 플라즈마 디스플레이 패널은 인가되는 방전 전압에 따라 직류(DC)형, 교류(AC)형 및, 혼합형(Hybrid)형으로 분류되고, 방전 구조에 따라 대향 방전형 및 면방전형으로 분류될 수 있는데, 최근에는 교류형 3전극 면방전 구조를 갖는 교류형 플라즈마 디스플레이 패널이 일반적으로 채용되고 있는 추세이다.

도 1에는 통상적인 교류형 3전극 면방전 플라즈마 디스플레이 패널이 도시되어 있다.

도시된 플라즈마 디스플레이 패널(10)에는, 제1 기판(11)과 이와 대향되는 제2 기판(21)이 구비되어 있다.

상기 제1 기판(11)의 하면에는 공통 전극(12)들과 상기 공통 전극(12)과 방전 갭을 이루는 주사 전극(13)들이 형성되어 있으며, 상기 공통 전극(12)들 및 주사 전극(13)들은 제1 유전체층(14)에 의해 매립되어 있다. 상기 제1 유전체층(14)의 하면에는 보호층(15)이 형성되어 있다.

그리고, 상기 제2 기판(21)의 상면에는 어드레스 전극(22)들이 상기 공통 전극(12)들 및 주사 전극(13)들과 교차하게 형성되어 있으며, 상기 어드레스 전극(22)들은 제2 유전체층(23)에 의해 매립되어 있다. 상기 제2 유전체층(23)의 상면에는 격벽(24)들이 소정 간격으로 이격되게 형성됨으로써 방전 공간(25)들이 구획되어 있다. 상기 방전 공간(25)들에는 형광체층(26)이 각각 형성되어 있으며, 상기 방전 공간(25)들에는 방전 가스가 채워져 있다.

상기와 같이 구성된 플라즈마 디스플레이 패널(10)에 있어서, 방전 공간(25)에는 방전에 의해 발생된 플라즈마로부터 자외선이 나오게 된다. 이러한 자외선은 형광체층(26)을 여기시키게 되며, 이렇게 여기된 형광체층(26)으로부터는 가시광선이 발산됨으로써, 화상이 표시되어진다.

그런데, 상기 제1 기판(11)의 하측에 전극들(12)(13)과, 제1 유전체층(14) 및 보호층(15)이 순차적으로 형성된 구조로 인해, 형광체층(26)으로부터 발산된 가시광선이 대략 40% 정도 흡수됨으로써 발광 효율을 높이는데 한계가 있었다. 게다가, 오랜 시간동안 동일한 화상을 표시하고 있는 경우에는, 방전 가스의 하전 입자가 전계에 의하여 형광체층(26)에 이온 스퍼터링(ion sputtering)됨으로써 영구 잔상을 야기하여 수명이 단축되는 문제점이 있었다.

본 발명의 일 목적은 상기의 문제점을 해결하기 위한 것으로, 저전압(低電壓) 구동이 가능하며, 하전 입자의 이온 스퍼터링에 따른 상측 격벽 및 제1 기판의 손상을 방지할 수 있는 플라즈마 디스플레이 패널을 제공하는 데 있다.

본 발명의 다른 목적은, 휘도 및 발광 효율을 향상시킬 수 있으며, 영구 잔상의 발생을 방지할 수 있는 플라즈마 디스플레이 패널을 제공하는데 있다.

상기의 목적을 달성하기 위한 본 발명에 따른 플라즈마 디스플레이 패널은,

투명한 제1 기판과;

상기 제1 기판과 대향되게 배치된 제2 기판과;

상기 제1 기판과 제2 기판 사이에 배치되어 발광셀들을 구획하는 것으로, 유전체로 형성된 상측 격벽과;

상기 발광셀을 둘러싸며, 상기 상측 격벽 내에 상하로 이격되게 배치된 상측 방전전극 및 하측 방전전극과;

상기 상측 격벽과 제2 기판 사이에 배치된 하측 격벽과;

상기 하측 격벽에 의해 한정되는 공간 내에 배치된 형광체층과;

상기 발광셀 내의 적어도 일부 영역에 배치된 MgO 막과;

상기 발광셀 내에 채워진 방전 가스;를 구비하여 된 것을 특징으로 한다.

상기 MgO 막은 상기 상측 격벽의 측면을 덮도록 형성된 제1 MgO 막과, 상기 제1 기판의 하면을 덮도록 형성된 제2 MgO 막을 구비하여 된 것이 바람직하다.

상기 상측 방전전극은 일 방향을 따라 연장되며, 상기 하측 방전전극은 상기 상측 방전전극이 연장된 방향과 교차하는 방향을 따라 연장된 것이 바람직하다.

상기 상측 방전전극 및 하측 방전전극은 일 방향을 따라 나란하게 각각 연장되며, 상기 발광셀들에 배치되며 상기 상측 방전전극 및 하측 방전전극과 교차하는 방향을 따라 연장된 어드레스 전극들이 더 구비된 것이 바람직하다.

상기 어드레스 전극들은 상기 제2기판과 형광체층 사이에 더 구비된 하측 유전체층에 의해 덮여진 것이 바람직하다.

이하 첨부된 도면을 참조하여, 바람직한 실시예에 따른 본 발명을 상세히 설명하기로 한다.

도 2 내지 도 4에는 본 발명의 일 실시예에 따른 플라즈마 디스플레이 패널이 도시되어 있다.

도 2를 참조하면, 본 실시예에 따른 플라즈마 디스플레이 패널(100)에는, 제1 기판(111)과, 상기 제1 기판(111)과 대향되도록 배치된 제2 기판(121)이 구비되어 있다.

상기 제1 기판(111) 및 제2 기판(121)은 유리와 같은 재료로 형성되어 있으며, 특히, 상기 제1 기판(111)은 우수한 광투과성을 가지고 있다. 그리고, 상기 제1 기판(111)과 제2 기판(121) 사이에는 상측 격벽(112)과 하측 격벽(124)이 소정 패턴으로 형성되어 있다.

도시된 바에 따르면, 상기 상측 격벽(112) 및 하측 격벽(124)은, 매트릭스 형태의 폐쇄형 격벽으로 각각 형성되어 있다. 그리고, 상기 상측 격벽(112)의 하면은 상기 하측 격벽(124)의 상면에 대응되어 상기 상측 격벽(112)에 의해 한정된 공간과 상기 하측 격벽(124)에 의해 한정된 공간이 각각 대응되어진다.

그러나, 이에 한정되지 않고, 상기 상측 격벽 및 하측 격벽은 와플, 델타 등과 같은 형태의 폐쇄형 격벽으로 형성될 수 있으며, 스트라이프 형태와 같은 개방형 격벽으로 형성될 수도 있다. 그리고, 폐쇄형 격벽은 본 실시예에서와 같이 횡단면이 사각형으로 되거나, 삼각형, 오각형 등과 같은 다각형, 원형, 타원형 등과 같이 여러 형상으로 형성될 수 있다. 또한, 상기 상측 격벽은 매트릭스 형태로 형성되는 한편, 하측 격벽은 스트라이프 형태로 형성되는 것과 같이 다양한 조합으로 이루어질 수 있다.

상기 상측 격벽(112) 및 하측 격벽(124)은 칼라 구현을 위해 단위 픽셀을 구성하는 적색발광 서브픽셀, 녹색발광 서브픽셀 및, 청색발광 서브픽셀 중에서, 하나의 서브픽셀에 해당하는 발광셀(115)로 각각 구획하며, 구획된 발광셀(115)들 사이에 크로스 토크(cross talk) 등에 의한 오방전이 일어나는 것을 방지한다. 상기 상측 격벽(112) 및 하측 격벽(124)은 별개로 형성되거나, 일체로 형성될 수 있다.

상기 상측 격벽(112) 및 하측 격벽(124)에 의해 구획된 발광셀(115)들 내에는 방전 가스가 채워지는데, 이러한 방전 가스로는 Ne, Xe 등을 포함하는 혼합 가스가 이용될 수 있다.

상기 하측 격벽(124)의 하방에 배치된 제2 기판(121)의 상면에는 어드레스 전극(122)들이 형성되어 있으며, 상기 어드레스 전극(122)들은 하측 유전체층(123)에 의해 덮여져 있다. 상기 어드레스 전극(122)들은 방전이 개시될 발광셀(115)을 선택할 수 있도록 발광셀(115)들에 각각 대응되게 형성되어 있다. 상기 어드레스 전극(122)들은 스트라이프 형태로 형성된 것으로 도시되어 있으나, 이에 반드시 한정되지는 않는다.

상기 하측 유전체층(123)은 방전시 양이온 또는 전자가 어드레스 전극(122)들에 충돌하여 어드레스 전극(122)들을 손상시키는 것을 방지하며, 전하를 유도할 수 있도록 한다. 상기 하측 유전체층(123)은 PbO, B₂O₃, SiO₂ 등과 같은 유전체로 형성될 수 있다.

한편, 상기 상측 격벽(112)은 유전체로 형성되어 있으며, 상기 상측 격벽(112)내에는, 발광셀(115)들에서 방전을 일으키는 상측 방전전극(113) 및 하측 방전전극(114)이 상하로 배치되게 형성되어 있다. 여기서, 상기 상측 방전전극(113)은 제1 기판(111)측에 가까운 상측에 배치되어 있는 것이며, 상기 하측 방전전극(114)은 상기 상측 방전전극(113)보다 하측에 배치되어 있는 것이다. 상기 상측 방전전극(113) 및 하측 방전전극(114)은 알루미늄, 구리 등과 같은 도전성 금속으로 각각 형성될 수 있다. 이에 따라, ITO로 형성된 전극보다 상대적으로 저항이 낮으므로 ITO 전극을 이용하는 종래의 패널에 비하여 방전 응답속도가 빨라질 수 있다.

상기 상측 방전전극(113)들은 어드레스 전극(122)의 형성 방향과 직교하는 방향으로 배열된 발광셀(115)들을 따라 각각 연장 형성되어 있다. 여기서, 하나의 상측 방전전극(113)은 도 4에 도시된 바와 같이, 어드레스 전극(122)의 형성 방향과 직교하는 방향으로 배열된 발광셀(115)마다 4측면을 둘러싸도록, 상기 상측 격벽(112)내에 사다리 형상으로 형성되어 있다. 상기와 같이 각각 사다리 형상으로 형성된 상측 방전전극(113)들은 어드레스 전극(122)의 형성 방향을 따라 소정 간격으로 이격되게 각각 배치되어 있다. 도시된 바에 따르면, 상기 상측 방전전극(113)들에 있어 상호 이격되는 측부들은 이격된 상태로, 어드레스 전극(122)의 형성 방향과 직교하는 방향을 따라 형성된 상측 격벽(112)내에 공히 배치되어 있다. 그러나, 이에 한정되지 않고, 상기 상측 격벽이 2중 격벽으로 형성되어, 격벽마다 측부가 하나씩 배치되어 이격되는 구조로 이루어질 수도 있다.

상기 상측 방전전극(113)들과 수직한 하측 방향으로 소정 간격으로 이격된 하측 방전전극(114)들은 전술한 상측 방전전극(113)과 대칭을 이루도록 동일한 형상으로 나란하게 형성될 수 있다. 따라서, 상기 하측 방전전극(114)들은 어드레스 전극(122)의 형성 방향과 직교하는 방향으로 배열된 발광셀(115)들을 따라 각각 연장 형성되어 있으며, 하나의 하측 방전전극(114)은 어드레스 전극(122)의 형성 방향과 직교하는 방향으로 배열된 발광셀(115)마다 4측면을 둘러싸도록, 상기 상측 격벽(112)내에 사다리 형상으로 형성되어 있다. 그리고, 상기 하측 방전전극(114)들은 어드레스 전극(122)의 형성 방향을 따라 소정 간격으로 이격되게 각각 배치되어 있으며, 상기 하측 방전전극(114)들에 있어 이격되는 측부들은 이격된 상태로 어드레스 전극(122)의 형성 방향과 직교하는 방향을 따라 형성된 상측 격벽(112)내에 공히 배치되어 있다.

상기 상측 방전전극(113)과 하측 방전전극(114)은 상하로 대칭을 이루도록 형성된 것으로 도시되어 있으나, 이에 한정되지 않고 비대칭으로 형성될 수도 있다. 또한, 상기 상측 방전전극 및 하측 방전전극은 발광셀마다 4측면 모두를 둘러싸도록 사다리 형상과 같은 폐쇄형으로 형성되어 있으나, 이에 반드시 한정되지는 않는다.

상기와 같이 상측 격벽(112)내에 수직한 방향으로 소정 간격으로 이격되며 나란하게 형성된 상측 방전전극(113) 및 하측 방전전극(114)중에서 하나는 공통 전극에, 다른 하나는 주사 전극에 해당되어, 상기 상측 방전전극(113)과 하측 방전전극(114) 사이에 교번하여 인가되는 유지방전 전압에 의하여 하전 입자가 상하 방향으로 이동하여 유지 방전을 일으키게 된다.

여기서, 상기 상측 방전전극(113)은 공통 전극으로, 하측 방전전극(114)은 주사 전극으로 각각 작용하거나, 이와 반대로 상기 상측 방전전극(113)이 주사 전극으로, 하측 방전전극(114)이 공통 전극으로 각각 작용할 수 있다. 다만, 상기 하측 방전전극(114)이 주사 전극으로 작용하는 경우가 상기 하측 방전전극(114)과 어드레스 전극(122) 사이에 인가되는 어드레스 전압을 낮추어 이들 사이의 어드레스 방전이 보다 원활하게 수행될 수 있으므로 보다 바람직하다할 것이다.

상기와 같이 어드레스 방전을 일으키는 어드레스 전극(122)은, 상기 어드레스 방전이 종료된 이후에는, 상측 방전전극(113)측과 하측 방전전극(114)측에 각각 전하들을 축적시킴으로써, 상측 방전전극(113)과 하측 방전전극(114) 사이에서 유지방전이 더 용이하게 될 수 있게 한다. 이에 따라, 유지방전이 개시되는 전압이 낮아질 수 있다. 그러나, 상기 어드레스 전극은 생략될 수 있는데, 이 경우에는 상측 방전전극과 하측 방전전극 사이가 교차하도록 배치되어야 발광셀이 선택되어 방전이 수행될 수 있을 것이다.

한편, 상기 상측 방전전극(113)들 및 하측 방전전극(114)들을 매립하는 상측 격벽(112)은 유전체로 형성되어 있으므로, 상측 방전전극(113)과 하측 방전전극(114) 사이에 직접 통전되는 것이 방지되고, 방전시 하전 입자가 상측 방전전극(113) 및 하측 방전전극(114)에 직접 충돌하여 이들을 손상되는 것이 방지되며, 하전 입자를 유도하여 벽전하를 축적하기가 용이해질 수 있다. 상기 상측 격벽(112)을 형성하는 유전체로는 PbO, B₂O₃, SiO₂ 등이 이용될 수 있다.

상기한 바와 같이 발광셀(115)마다 상측에는 4측면을 각각 둘러싸며 소정의 방전 갭으로 이격된 상측 방전전극(113)과 하측 방전전극(114)이 배치되며, 상기 발광셀(115)의 하측에는 어드레스 전극(122)이 배치되어진다. 이에 따라, 방전이 일어나는 방전 면적이 발광셀(115)의 둘레 방향으로 확대될 수 있어, 발광 효율이 향상될 수 있다.

한편, 상기 방전전극들(113)(114) 및 어드레스 전극(122)이 배치된 발광셀(115)에는, 상기 방전전극들(113)(114)에 의한 유지방전시 발생된 자외선에 의해 여기되어 가시광선이 발산하는 형광체층(125)이 하측 격벽(124)에 의해 한정되는 공간 내에 배치되어 있다.

상기 형광체층(125)은 도 2 및 도 3에 도시된 바와 같이, 하측 유전체층(123)의 상면과 하측 격벽(124)의 측면에 걸쳐 형성되어 있다.

상기 형광체층(125)은 방전시 생긴 자외선에 의해 여기되어 적,녹,청색의 가시광선을 각각 발산하는 형광체를 포함한다. 예컨대, 적색발광 서브픽셀에 해당되는 발광셀에 형성된 형광체층은 Y(V,P)O₄:Eu 등과 같은 형광체를 포함하며, 녹색발광 서브픽셀에 해당되는 발광셀에 형성된 형광체층은 Zn₂SiO₄:Mn, YBO₃ :Tb 등과 같은 형광체를 포함하며, 청색발광 서브픽셀에 해당되는 발광셀에 형성된 형광체층은 BAM:Eu 등과 같은 형광체를 포함한다.

상기 형광체층(125)은 하측 격벽(124)에 의해 한정되는 공간에 형성되어 있으므로, 유지방전이 일어나는 상측 격벽(112)측의 주된 영역과 현격히 이격되어 있다. 따라서, 하전 입자에 의하여 형광체층(125)이 이온 스퍼터링되는 것이 방지될 수 있어 수명 특성이 향상되며, 동일한 화상을 오랜 시간동안 구현하더라도 영구 잔상이 발생되는 현상이 획기적으로 줄어들 수 있다.

한편, 상기 발광셀(115) 내의 적어도 일부 영역에는 MgO 막(116)이 배치되어 있는데, 상기 MgO 막(116)은 발광셀(115) 내의 측부 영역에 배치된 제1 MgO 막(117)과, 발광셀(115) 내의 상부 영역에 배치된 제2 MgO 막(118)을 포함한다.

보다 상술하면, 상기 제1 MgO 막(117)은 상측 격벽(112)에 있어 노출된 측면의 전체 영역에 걸쳐 상기 상측 격벽(112)의 측면을 덮도록 소정 두께로 형성되어 있다. 이와 같이 제1 MgO 막(117)이 형성됨에 따라, 방전시 발생된 하전 입자가 상측 격벽(112)에 직접적으로 충돌하는 것이 제1 MgO 막(117)에 의해 차단될 수 있어, 하전 입자의 이온 스퍼터링에 의한 상측 격벽(112)의 손상이 방지될 수 있다. 이와 더불어, 상기와 같이 제1 MgO 막(117)에 하전 입자가 직접적으로 충돌함에 따라, 상기 제1 MgO 막(117)으로부터 방전에 기여하는 2차 전자가 방출될 수 있어, 저전압 구동이 가능하게 되며, 발광효율이 높아질 수 있다.

그리고, 상기 제2 MgO 막(118)은 제1 기판(111)에 있어 하면의 전체 영역에 걸쳐 상기 제1 기판(111)의 하면을 덮도록 소정 두께로 형성되어 있다. 이와 같이 제2 MgO 막(118)이 형성됨에 따라, 유지방전이 일어나는 주된 방전 영역과 근접해 있는 제1 기판(111)에 하전 입자가 직접적으로 충돌하는 것이 제2 MgO 막(118)에 의해 차단될 수 있어, 하전 입자의 이온 스퍼터링에 의한 제 1기판(111)의 손상이 방지될 수 있다. 이와 더불어, 하전 입자와의 충돌로 인해, 제2 MgO 막(118)으로부터 2차 전자가 방출될 수 있어 저전압 구동이 가능하게 되며, 발광효율이 높아질 수 있다.

상기 제2 MgO 막(118)은 도시된 바와 같이, 제1 기판(111)에 있어 하면의 전체 영역에 걸쳐 형성되는 것이 바람직할 것이다. 그러나, 이에 한정되지 않고, 제1 기판에 있어 발광셀의 상부 영역에 대응되는 하부 영역에만 국부적으로 형성될 수도 있다.

한편, 상기 발광셀(115)내에서 형광체층(125)으로부터 발산된 가시광선은 제1 기판(111)을 통해 투과하게 되는데, 상기 제1 기판(111)의 하면에는 제2 MgO 막(118)이 형성되어 있으므로, 가시광선은 제2 MgO 막(118)을 경유하게 된다. 이와 같이, 상기 제2 MgO 막(118)은 가시광선의 투과율에 영향을 미치게 되므로, 상기 제2 MgO 막(118)의 두께가 적절히 설정될 필요가 있는데, 상기 제2 MgO 막(118)의 두께는 제1 기판(111)을 통과하는 가시광선의 투과율이 적어도 종래 패널의 투과율보다 높아질 수 있도록, 예컨대 투과율이 60% 이상으로 설정되는 것이 바람직할 것이다.

상기와 같이 구성된 본 실시예에 따른 플라즈마 디스플레이 패널(100)의 작동을 개략적으로 설명하면 다음과 같다.

먼저, 어드레스 전극(122)과 주사 전극의 작용을 하는 하측 방전전극(114) 사이에 어드레스 전압이 인가됨으로써 어드레스 방전이 일어나고, 상기 어드레스 방전의 결과로 유지방전이 일어날 발광셀(115)이 선택되어진다. 어드레스 방전이 실행된 이후에, 선택된 발광셀(115)에 배치된 상측 방전전극(113)과 하측 방전전극(114) 사이에 교번하여 유지방전 전압이 인가되면, 상측 방전전극(113)과 하측 방전전극(114) 사이에 유지방전이 일어나고, 상기 유지방전에 의하여 여기된 방전 가스로의 에너지 준위가 낮아지면서 자외선이 방출된다. 이러한 자외선은 발광셀(115) 내에 형성된 형광체층(125)을 여기시키게 되며, 여기된 형광체층(125)으로부터 가시광선이 발산되어 화상을 구현하게 된다.

한편, 상기 상측 방전전극(113)과 하측 방전전극(114) 사이에 일어나는 유지방전은 발광셀(115)의 상측에 집중되어 이루어지며, 상기 발광셀(115)을 한정하는 모든 측면에서 수직 방향으로 일어나게 된다. 그리고, 상기와 같이 발광셀(115)의 모든 측면으로부터 일어나는 유지방전은 점차적으로 발광셀(115)의 중앙측으로 확산되어진다.

따라서, 방전 면적이 도 1에 도시된 종래 패널에 비하여 상대적으로 넓어지게 되며, 유지방전이 일어나는 영역의 부피가 증가되어, 종래에 잘 사용되지 않았던 발광셀 내의 공간 전하도 발광에 기여하게 된다. 이에 따라, 방전시 플라즈마가 형성되는 양이 증가될 수 있어 저전압(低電壓) 구동이 가능하게 된다. 게다가, 높은 혼합비의 Xe 가스를 포함하는 방전 가스가 사용되더라도 저전압 구동이 가능하게 됨으로써 발광 효율이 향상될 수 있다.

상술한 바와 같이, 본 발명에 따른 플라즈마 디스플레이 패널은 다음과 같은 효과를 가진다.

첫째, 발광셀의 모든 측면에 걸쳐 방전이 일어나므로, 방전 면적이 크게 확대될 수 있어, 저전압 구동이 가능해질 수 있다. 아울러, 높은 혼합비의 Xe 가스를 방전 가스에 포함하여 사용하게 되더라도 저전압 구동이 가능하게 되며 발광 효율이 향상될 수 있다.

둘째, 발광셀 내에 상측 격벽의 측면과 제1 기판의 하면에 MgO 막을 형성함으로써, 상측 격벽 및 제1 기판이 보호될 수 있는 한편, 많은 2차 전자가 방출될 수 있어, 저전압 구동이 가능해지며, 발광 효율이 높아질 수 있다.

셋째, 발광셀의 하부 영역에 배치된 형광체층은 유지 방전이 일어나는 주된 영역과 현격히 이격됨에 따라, 하전 입자에 의하여 형광체가 이온 스퍼터링되는 것이 방지될 수 있어 충분한 수명이 확보될 수 있다.

본 발명은 첨부된 도면에 도시된 일 실시예를 참고로 설명되었으나 이는 예시적인 것에 불과하며, 당해 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자라면 이로부터 다양한 변형 및 균등한 타 실시예가 가능하다는 점을 이해할 수 있을 것이다. 따라서, 본 발명의 진정한 보호 범위는 첨부된 청구 범위에 의해서만 정해져야 할 것이다.

도 1은 종래의 일 예에 따른 플라즈마 디스플레이 패널에 대한 부분 분리 사시도.

도 2는 본 발명의 일 실시예에 따른 플라즈마 디스플레이 패널에 대한 부분 분리 사시도.

도 3은 도 2의 Ⅲ-Ⅲ을 따라 절취한 단면도.

도 4는 도 3의 Ⅳ-Ⅳ을 따라 절취한 단면도.

〈도면의 주요 부호에 대한 간단한 설명〉

111..제1 기판 112..상측 격벽

113..상측 방전전극 114..하측 방전전극

115..발광셀 117..제1 MgO 막

118..제2 MgO 막 121..제2 기판

122..어드레스 전극 123..하측 유전체층

124..하측 격벽 125..형광체층

Claims (9)

1. 투명한 제1 기판과;

   상기 제1 기판과 대향되게 배치된 제2 기판과;

   상기 제1 기판과 제2 기판 사이에 배치되어 발광셀들을 구획하는 것으로, 유전체로 형성된 상측 격벽과;

   상기 발광셀을 둘러싸며, 상기 상측 격벽 내에 상하로 이격되게 배치된 상측 방전전극 및 하측 방전전극과;

   상기 상측 격벽과 제2 기판 사이에 배치된 하측 격벽과;

   상기 하측 격벽에 의해 한정되는 공간 내에 배치된 형광체층과;

   상기 발광셀 내의 적어도 일부 영역에 배치된 MgO 막과;

   상기 발광셀 내에 채워진 방전 가스;를 구비하여 된 것을 특징으로 하는 플라즈마 디스플레이 패널.
2. 제1항에 있어서,

   상기 MgO 막은 상기 상측 격벽의 측면을 덮도록 형성된 제1 MgO 막과, 상기 제1 기판의 하면을 덮도록 형성된 제2 MgO 막을 구비하여 된 것을 특징으로 하는 플라즈마 디스플레이 패널.
3. 제2항에 있어서,

   상기 제2 MgO 막은 상기 제1 기판에 있어 상기 발광셀의 상부 영역에 대응되는 하부 영역에만 국부적으로 형성된 것을 특징으로 하는 플라즈마 디스플레이 패널.
4. 제2항 또는 제3항에 있어서,

   상기 제2 MgO 막의 두께는 상기 제1 기판을 통과하는 가시광선의 투과율이 60% 이상이 되도록 설정된 것을 특징으로 하는 플라즈마 디스플레이 패널.
5. 제1항에 있어서,

   상기 상측 방전전극은 일 방향을 따라 연장되며, 상기 하측 방전전극은 상기 상측 방전전극이 연장된 방향과 교차하는 방향을 따라 연장된 것을 특징으로 하는 플라즈마 디스플레이 패널.
6. 제1항에 있어서,

   상기 상측 방전전극 및 하측 방전전극은 일 방향을 따라 나란하게 각각 연장되며, 상기 발광셀들에 배치되며 상기 상측 방전전극 및 하측 방전전극과 교차하는 방향을 따라 연장된 어드레스 전극들이 더 구비된 것을 특징으로 하는 플라즈마 디스플레이 패널.
7. 제6항에 있어서,

   상기 어드레스 전극들은 상기 제2기판과 형광체층 사이에 더 구비된 하측 유전체층에 의해 덮여진 것을 특징으로 하는 플라즈마 디스플레이 패널.
8. 제5항에 있어서,

   상기 상측 방전전극은 공통 전극으로, 상기 하측 방전전극은 주사 전극으로 작용하는 것을 특징으로 하는 플라즈마 디스플레이 패널.
9. 제 1항에 있어서,

   상기 상측 격벽은 매트릭스형, 와플형, 델타형 등과 같은 폐쇄형 발광셀들로 구획하는 것을 특징으로 하는 플라즈마 디스플레이 패널.