KR20050097000A - Liquid crystal display device and method for fabricating of the same - Google Patents

Liquid crystal display device and method for fabricating of the same Download PDF

Info

Publication number
KR20050097000A
KR20050097000A KR1020040021708A KR20040021708A KR20050097000A KR 20050097000 A KR20050097000 A KR 20050097000A KR 1020040021708 A KR1020040021708 A KR 1020040021708A KR 20040021708 A KR20040021708 A KR 20040021708A KR 20050097000 A KR20050097000 A KR 20050097000A
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
driving circuit
gate
pad
substrate
pattern
Prior art date
Application number
KR1020040021708A
Other languages
Korean (ko)
Inventor
김홍진
Original Assignee
엘지.필립스 엘시디 주식회사
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 엘지.필립스 엘시디 주식회사 filed Critical 엘지.필립스 엘시디 주식회사
Priority to KR1020040021708A priority Critical patent/KR20050097000A/en
Publication of KR20050097000A publication Critical patent/KR20050097000A/en

Links

Classifications

    • DTEXTILES; PAPER
    • D06TREATMENT OF TEXTILES OR THE LIKE; LAUNDERING; FLEXIBLE MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • D06FLAUNDERING, DRYING, IRONING, PRESSING OR FOLDING TEXTILE ARTICLES
    • D06F81/00Ironing boards 
    • D06F81/02Ironing boards  with collapsible underframe
    • D06F81/04Ironing boards  with collapsible underframe with means for adjusting height
    • DTEXTILES; PAPER
    • D06TREATMENT OF TEXTILES OR THE LIKE; LAUNDERING; FLEXIBLE MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • D06FLAUNDERING, DRYING, IRONING, PRESSING OR FOLDING TEXTILE ARTICLES
    • D06F81/00Ironing boards 
    • D06F81/006Ironing boards  with fabric support or garment rack
    • DTEXTILES; PAPER
    • D06TREATMENT OF TEXTILES OR THE LIKE; LAUNDERING; FLEXIBLE MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • D06FLAUNDERING, DRYING, IRONING, PRESSING OR FOLDING TEXTILE ARTICLES
    • D06F81/00Ironing boards 
    • D06F81/10Top board elements
    • DTEXTILES; PAPER
    • D06TREATMENT OF TEXTILES OR THE LIKE; LAUNDERING; FLEXIBLE MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • D06FLAUNDERING, DRYING, IRONING, PRESSING OR FOLDING TEXTILE ARTICLES
    • D06F55/00Clothes-pegs
    • D06F55/02Clothes-pegs with pivoted independent clamping members

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Textile Engineering (AREA)
  • Liquid Crystal (AREA)
  • Devices For Indicating Variable Information By Combining Individual Elements (AREA)

Abstract

본 발명은 액정표시장치에 관한 것으로 특히, COG 방식으로 구동회로가 장착되는 액정표시장치에 관한 것이다.The present invention relates to a liquid crystal display device, and more particularly, to a liquid crystal display device in which a driving circuit is mounted in a COG method.

본 발명은 COG 방식으로 구동회로 칩을 액정표시장치에 장착할 경우, 글라스 기판에 장착되는 구동회로 칩의 기울어짐에 의해, 구동회로 칩(CHIP)의 범프(bump)와 패드(데이터 패드 및 게이트 패드)사이의 접촉저항이 불균등해지는 문제를 방지하기 위한 것을 목적으로 한다.According to the present invention, when a driving circuit chip is mounted on a liquid crystal display device in a COG method, bumps and pads (data pads and gates) of the driving circuit chip (CHIP) may be caused by tilting of the driving circuit chip mounted on the glass substrate. The purpose is to prevent the problem of uneven contact resistance between the pads).

전술한 목적을 달성하기 위한 본 발명의 특징적인 구성은, 상기 구동회로 칩의 네모서리에 대응하는 글라스 영역에 기울어짐 방지패턴을 구성하는 것이다.A characteristic constitution of the present invention for achieving the above object is to form an anti-tilt pattern in the glass region corresponding to the four corners of the drive circuit chip.

상기 기울어짐 방지패턴은, 기판에 장착되는 구동회로 칩의 네모서리를 받쳐주는 역할을 하기 때문에 본딩공정에서, 상기 구동회로 칩의 범프가 PAD부에 안정하게 안착될 수 도록 하여 칩의 범프와 패드 사이의 접촉저항이 균등해 질 수 있도록 하는 장점이 있다. Since the anti-tilt pattern serves to support the four corners of the driving circuit chip mounted on the substrate, in the bonding process, the bumps of the driving circuit chip can be stably seated on the PAD part so that the bumps and the pads of the chip can be secured. There is an advantage that the contact resistance between them can be equalized.

Description

액정표시장치와 그 제조방법{Liquid crystal display device and method for fabricating of the same} Liquid crystal display device and method for fabricating of the same

본 발명은 액정표시장치에 관한 것으로, COG(chip on glass)방식으로 구동회로 칩을 글라스 기판에 직접 장착하는 액정표시장치의 구성 및 그 제조방법에 관한 것이다.BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a liquid crystal display device, and to a configuration of a liquid crystal display device for directly mounting a driving circuit chip on a glass substrate by a chip on glass (COG) method and a manufacturing method thereof.

일반적으로, 액정 표시장치의 구동원리는 액정의 광학적 이방성과 분극성질을 이용한다. 상기 액정은 구조가 가늘고 길기 때문에 분자의 배열에 방향성을 가지고 있으며, 인위적으로 액정에 전기장을 인가하여 분자배열의 방향을 제어할 수 있다. In general, the driving principle of the liquid crystal display device uses the optical anisotropy and polarization of the liquid crystal. Since the liquid crystal is thin and long in structure, the liquid crystal has directivity in the arrangement of molecules, and the direction of the molecular arrangement can be controlled by artificially applying an electric field to the liquid crystal.

따라서, 상기 액정의 분자배열 방향을 임의로 조절하면, 액정의 분자배열이 변하게 되고, 광학적 이방성에 의하여 상기 액정의 분자 배열 방향으로 빛이 굴절하여 화상정보를 표현할 수 있다.Accordingly, when the molecular arrangement direction of the liquid crystal is arbitrarily adjusted, the molecular arrangement of the liquid crystal is changed, and light is refracted in the molecular arrangement direction of the liquid crystal due to optical anisotropy to express image information.

현재에는 전술한 바 있는 박막 트랜지스터와 상기 박막 트랜지스터에 연결된 화소전극이 행렬 방식으로 배열된 능동행렬 액정 표시장치(Active Matrix LCD : AM-LCD)가 해상도 및 동영상 구현능력이 우수하여 가장 주목 받고 있다. Currently, the active matrix liquid crystal display (AM-LCD) in which the above-described thin film transistor and pixel electrodes connected to the thin film transistor are arranged in a matrix manner is attracting the most attention due to its excellent resolution and ability to implement video.

이하, 도면을 참조하여 일반적인 능동행렬 액정 표시장치의 구성을 설명한다.Hereinafter, a configuration of a general active matrix liquid crystal display device will be described with reference to the drawings.

도 1은 일반적인 액정표시장치의 구성을 개략적으로 도시한 분해 사시도이다.1 is an exploded perspective view schematically illustrating a configuration of a general liquid crystal display device.

도 1에 도시한 바와 같이, 액정패널은 제 1 기판(하부기판)(10)과 제 2 기판(상부기판)(20)이 소정 간격 이격하여 합착되고, 상기 제 2 기판(20)과 마주보는 제 1 기판(10)의 일면에는 서로 수직하게 교차하여 화소영역(P)을 정의하는 게이트 배선(12)과 데이터 배선(14)이 구성되고, 상기 두 배선(12,14)의 교차지점에는 박막트랜지스터(T)가 구성된다.As shown in FIG. 1, in the liquid crystal panel, a first substrate (lower substrate) 10 and a second substrate (upper substrate) 20 are bonded to each other at a predetermined interval and face the second substrate 20. A gate line 12 and a data line 14 are formed on one surface of the first substrate 10 to vertically cross each other to define the pixel region P. A thin film is formed at an intersection point of the two lines 12 and 14. The transistor T is configured.

상기 게이트 배선(12)의 일 끝단에는 외부로부터 직접 게이트 신호를 인가받는 게이트 패드(GP)가 구성되고, 상기 데이터 배선(14)의 일 끝단에는 외부로부터 직접 데이터 신호를 인가받는 데이터 패드(DP)가 구성된다.One end of the gate line 12 includes a gate pad GP that receives a gate signal directly from the outside, and one end of the data line 14 includes a data pad DP that receives a data signal directly from the outside. Is composed.

상기 화소영역(P)에는 박막트랜지스터(T)와 접촉하는 투명한 화소 전극(14)이 구성된다.In the pixel region P, a transparent pixel electrode 14 in contact with the thin film transistor T is formed.

한편, 상기 제 1 기판(10)과 마주보는 제 2 기판(20)의 일면에는 격자형상의 블랙매트릭스(22)와, 격자내부의 오픈부 즉, 상기 화소영역(P)에 대응하는 영역에 컬러필터층(28a,28b,28c)이 구성되고, 컬러필터와 블랙매트릭스를 포함하는 제 2 기판(20)의 전면에는 투명한 공통전극(26)이 구성된다.On the other hand, one surface of the second substrate 20 facing the first substrate 10 has a black matrix 22 having a lattice shape, and an open portion inside the lattice, that is, a color corresponding to the pixel area P. The filter layers 28a, 28b, and 28c are formed, and a transparent common electrode 26 is formed on the front surface of the second substrate 20 including the color filter and the black matrix.

상기 제 1 및 제 2 기판(10,20)의 이격된 공간에는 액정층(30)이 구성된다. The liquid crystal layer 30 is formed in spaced spaces between the first and second substrates 10 and 20.

전술한 바와 같이 구성된 액정표시장치는 스위칭 소자로서 박막트랜지스터를 사용한다.The liquid crystal display device constructed as described above uses a thin film transistor as a switching element.

전술한 구성에서, 상기 게이트 패드와 데이터 패드에 신호를 인가하기 위해, 게이트 구동회로와 데이터 구동회로를 구성하게 된다.In the above configuration, the gate driving circuit and the data driving circuit are configured to apply signals to the gate pad and the data pad.

상기 게이트 구동회로와 데이터 구동회로를 구성하는 방법은 다양한 방법으로 진행될 수 있으며, TCP(Tape carrier package)방식과 COF(chip on film)방식과 COG(chip on glass)방식 등을 예로 들 수 있다.The gate driving circuit and the data driving circuit may be configured in various ways, and examples thereof include a tape carrier package (TCP) method, a chip on film (COF) method, and a chip on glass (COG) method.

상기 TCP는 IC Chip을 테이프 필름에 접속하고 수지(Resin)로 밀봉하는 TAB(Tape Automated Bonding)기술을 활용한 Package를 말하며, 상기 TCP의 일측은 앞서 언급한 패드에 연결하고, 타측은 신호를 입력하는 PCB 기판과 연결하는 방식으로 구성한다.The TCP refers to a package utilizing Tape Automated Bonding (TAB) technology in which an IC chip is connected to a tape film and sealed with a resin. One side of the TCP is connected to the aforementioned pad, and the other is a signal input. It is configured by connecting with the PCB board.

상기 COF는 폴리이미드의 기판 상에 범핑된 기본칩을 본딩하는 방식을 말하며, 이러한 기술은 통신기기의 경박단소화 추세와 함께 LCD 구동회로에 대응하기 위해 개발된 새로운 형태의 패키지이다.The COF refers to a method of bonding a basic chip bumped onto a substrate of polyimide, and this technology is a new type of package developed to cope with LCD driving circuits with the trend of thin and short communication devices.

상기 COG는 글라스 기판에 기본 구동회로를 접착하는 하는 방식이며, 많은The COG is a method of bonding the basic driving circuit to the glass substrate,

본딩 방법 중의 하나로써 응용발전된 초박형,경량화로 인해 접속피치의 미세화에 대 응하는 새로운 실장 방식이다. As one of the bonding methods, it is a new mounting method to cope with the miniaturization of the connection pitch due to the ultra-thin and light weight of the developed application.

일반적으로, LCD 제품은 고해상도(Higher Resolution)와 많은 수의 접촉점(Contact Point)을 요구한다. 글라스 판넬과 구동회로 공정의 배열공정은 고해상 (Higher Resolution)을 위한 능력을 요구한다. In general, LCD products require high resolution and a large number of contact points. The arrangement of the glass panel and drive circuit process requires the ability for higher resolution.

이러한 면에서 COG는 고해상도를 요구하는 LCD제품을 만들기 위한 한가지의 본딩 방법이다.In this respect, COG is one bonding method to make LCD products that require high resolution.

이하, 도면을 참조하여 상기 COG 방식으로 칩이 장착된 종래의 액정표시장치의 구성을 설명한다.Hereinafter, a configuration of a conventional liquid crystal display device in which a chip is mounted in the COG method will be described with reference to the drawings.

도 2는 구동 회로가 COG 방식으로 장착된 액정표시장치의 구성을 도시한 단면도이다.2 is a cross-sectional view showing the configuration of a liquid crystal display device in which a driving circuit is mounted in a COG method.

도시한 바와 같이, 액정층(30)을 사이에 두고 제 1 기판(10)과 제 2 기판(20)을 합착하여 제작한 액정패널(D)의 일 끝단 즉 게이트 패드 또는 데이터 패드(D.P)가 형성된 부분에 구동회로 칩(50)이 장착된다.As shown, one end of the liquid crystal panel D formed by bonding the first substrate 10 and the second substrate 20 with the liquid crystal layer 30 therebetween, that is, the gate pad or the data pad DP The driving circuit chip 50 is mounted on the formed portion.

상기 구동회로 칩(50)의 일측 범퍼(52a)는 액정패널(D)의 패드(PD)와 접착되고, 타측 범퍼(52b)는 PCB 기판(미도시)과 연결되고 신호를 입력하는 입력 터미널(60)과 연결되어 상기 PCB 기판(미도시)으로부터 입력된 신호를 입력받는 역할을 하게 된다.One bumper 52a of the driving circuit chip 50 is bonded to the pad PD of the liquid crystal panel D, and the other bumper 52b is connected to a PCB substrate (not shown) and inputs a signal ( 60 is connected to serve to receive a signal input from the PCB substrate (not shown).

도 3은 상기 구동회로 칩의 평면적인 구성을 개략적으로 도시한 평면도이다.3 is a plan view schematically illustrating a planar configuration of the driving circuit chip.

도시한 바와 같이, 전술한 기능을 하는 구동회로 칩(50)은 IC칩을 수지로 패킹한 제 1 부분(I)과, 상기 IC칩(미도시)의 리드 프레임(미도시)에 연결된 범프(72a,72b)로 구성된 제 2 부분(II)으로 구분될 수 있다.As shown, the driving circuit chip 50 having the above-described function includes a first part I in which the IC chip is packed with resin and a bump connected to a lead frame (not shown) of the IC chip (not shown). It may be divided into a second part (II) consisting of 72a, 72b.

상기 제 2 부분(II)에 구성된 다수의 범퍼(72a,72b)는 직접외부로부터 신호를 입력받는 입력(input)기능과, 상기 입력된 신호가 IC칩을 통해 나온 신호를 출력하는 출력(output)기능을 하게 된다. The plurality of bumpers 72a and 72b configured in the second part II have an input function for directly receiving a signal from the outside and an output for outputting a signal from the input signal through an IC chip. It will function.

따라서, 전술한 구동회로 칩(50)이 LCD 기판에 장착될 경우, 상기 입력 기능을 하는 범프(72b)는 외부의 PCB 기판(미도시)과 연결되어 신호를 입력받게 되고. 상기 출력기능을 하는 범프(72a)는 상기 패드(미도시)에 일대일 연결되어 상기 PCB 기판(미도시)으로부터 입력되고 연속하여 상기 패킹된 IC 칩을 통해 흘러나온 신호를 상기 패드(미도시)로 출력하는 기능을 하게 된다.Therefore, when the above-described driving circuit chip 50 is mounted on the LCD substrate, the bump 72b for the input function is connected to an external PCB substrate (not shown) to receive a signal. The bump 72a having the output function is connected one-to-one to the pad (not shown), and is input from the PCB substrate (not shown) and continuously receives a signal flowing through the packed IC chip to the pad (not shown). It will function to print.

전술한 구동회로 칩(50)은 일반적으로 기계적인 장치를 통해, 칩(50)의 범프(72a,72b)와 패드부를 얼라인(align) 한 후, 상기 범프와 패드를 일대일 본딩하는 공정을 거치게 된다.The above-described driving circuit chip 50 generally aligns the bumps 72a and 72b and the pad portion of the chip 50 through a mechanical device, and then performs one-to-one bonding of the bumps and the pads. do.

그러나, 본딩시 기계적인 오차에 의한 본딩불량이 종종 발생하는 경우가 있다.However, bonding failures often occur due to mechanical errors during bonding.

이에 대해, 도 4를 참조하여 설명한다.This will be described with reference to FIG. 4.

도 4는 액정패널의 글라스 기판과 구동회로 칩 본딩시 불량상태를 도시한 단면도이다.4 is a cross-sectional view illustrating a bad state when bonding a glass substrate and a driving circuit chip of a liquid crystal panel.

도시한 바와 같이, 다수의 패드(PD)가 구성된 기판(10)의 상부에 구동회로 칩(50)을 ACF( Anisotropic Conductive Film, 미도시)와 같은 접착수단을 통해 자동화된 방식으로 패드(PD)에 접착하는 공정을 진행하게 된다.As illustrated, the pad PD may be driven in an automated manner through an adhesive means such as an anisotropic conductive film (ACF) on the driving circuit chip 50 on the substrate 10 having the plurality of pads PD. Adhering to the process.

이때, 상기 구동회로 칩(50)을 부착할 때, 기계적인 오차로 인해 수직방향(장축방향)으로 구동회로 칩이 기울어지는 경우가 종종 발생한다.At this time, when the driving circuit chip 50 is attached, the driving circuit chip is often inclined in the vertical direction (long axis direction) due to a mechanical error.

이와 같은 경우에는, 상기 구동회로 칩(50)의 범프(72)와 패드(PD)가 부착되었을 때, 부착 면적이 정상적일 때와 다르기 때문에 접촉부분에서의 접촉저항이 달라질 수 있다.In this case, when the bump 72 and the pad PD of the driving circuit chip 50 are attached, the contact resistance at the contact portion may be different because the attachment area is different from that of the normal.

상기 범프(72)와 패드(PD)의 달라진 접촉저항에 의해, 상기 구동회로 칩(50)으로부터 상기 패드로 출력되는 전압 값이 달라지게 되므로, 화소영역은 달라진 신호에 의해 화질이 저하되는 문제가 발생하게 된다. Since the voltage value output from the driving circuit chip 50 to the pad is changed by the changed contact resistance between the bump 72 and the pad PD, the pixel area is deteriorated due to the changed signal. Will occur.

본 발명은 전술한 문제를 해결하기 위한 목적으로 제안된 것으로, 상기 구동회로칩의 기울어짐을 방지하기 위해, 기판 상에 기울어짐 방지패턴을 구성하여 상기 구동회로가 패드와 접촉하는 공정에서 구동회로가 기울어지지 않도록 하는 것을 특징으로 한다. The present invention has been proposed for the purpose of solving the above-described problem, in order to prevent the driving circuit chip from tilting, by forming a tilt prevention pattern on the substrate and the driving circuit in the process of the driving circuit in contact with the pad Characterized in that not to tilt.

본 발명은 문제를 해결하기 위한 목적으로 제안된 것으로, 본 발명에 따른 액정표시장치는 표시 영역과, 표시 영역의 둘레에 위치하고 구동회로 영역을 포함하는 주변영역으로 정의된 제 1 기판과 제 2 기판과; 상기 제 1 기판의 마주보는 일면에 수직하게 교차하여 화소 영역을 정의하는게이트 배선과 데이터 배선과; 상기 게이트 배선과 데이터 배선의 교차지점에 구성된 박막트랜지스터와; 상기 화소 영역에 구성된 화소 전극과; 상기 비표시 영역에 대응하는 게이트 배선의 일 끝단에 구성된 게이트 패드와, 상기 데이터 배선의 일 끝단에 구성된 데이터 패드와; 상기 구동회로 영역에 구성된 다수의 기울어짐 방지패턴과; 상기 구동회로 영역에 장착되고, 상기 기울어짐 방지패턴이 하부에 위치한 구동회로를 포함한다.SUMMARY OF THE INVENTION The present invention has been proposed for the purpose of solving the problem, and the liquid crystal display according to the present invention includes a first substrate and a second substrate defined by a display area and a peripheral area positioned around the display area and including a driving circuit area. and; Gate wiring and data wiring crossing the first substrate so as to vertically intersect one surface of the first substrate to define a pixel region; A thin film transistor configured at an intersection point of the gate line and the data line; A pixel electrode configured in the pixel region; A gate pad configured at one end of the gate line corresponding to the non-display area, and a data pad configured at one end of the data line; A plurality of anti-tilt patterns configured in the driving circuit area; The driving circuit is mounted in the driving circuit region, and the tilt prevention pattern includes a driving circuit disposed below.

상기 기울어짐 방지패턴은 상기 구동회로칩이 패드(게이트 패드와 데이터 패드)와 접촉하는 공정에서 기울어지지 않도록 하는 기능을 가지는 것을 특징으로 한다.The anti-tilt pattern has a function of preventing the driving circuit chip from inclining in a process of contacting a pad (a gate pad and a data pad).

상기 구동회로칩의 하부에 위치한 기울어짐 방지패턴의 높이는 상기 패드(게이트 패드, 데이터 패드)의 노출된 높이와 구동회로칩의 접촉부의 높이를 합한 높이와 동일한 높이인 것을 특징으로 한다.The height of the anti-tilt pattern disposed under the driving circuit chip is the same height as the sum of the height of the exposed height of the pad (gate pad, data pad) and the contact portion of the driving circuit chip.

상기 구동회로칩은 사각형상이며, 상기 기울어짐 방지패턴은 상기 사각형상 구동회로칩의 네모서리 하부에 위치한 것을 특징으로 한다.The driving circuit chip may have a quadrangular shape, and the anti-tilt pattern may be located at a lower corner of the square driving circuit chip.

상기 박막트랜지스터는 상기 게이트 배선과 연결되는 게이트 전극과, 상기 게이트전극의 상부에 위치하는 반도체층과, 상기 반도체층과 접촉하면서 상기 데이터 배선과 연결되는 소스 전극과, 상기 소스 전극과 이격된 드레인 전극을 포함한다.The thin film transistor may include a gate electrode connected to the gate wiring, a semiconductor layer positioned on the gate electrode, a source electrode connected to the data wiring while in contact with the semiconductor layer, and a drain electrode spaced apart from the source electrode. It includes.

상기 화소 전극은 투명한 도전성 재질로 구성된다.The pixel electrode is made of a transparent conductive material.

본 발명의 제 1 특징에 따른 액정표시장치 제조방법은 제 1 기판과 제 2 기판에 표시 영역과, 표시 영역의 둘레에 위치하며 구동회로 영역을 포함하는 비표시 영역을 정의하는 단계와; 상기 제 1 기판의 일면에 수직하게 교차하여 화소 영역을 정의하는 게이트 배선과 데이터 배선을 형성하는 단계와; 상기 게이트 배선과 데이터 배선의 교차지점에 박막트랜지스터를 형성하는 단계와; 상기 화소 영역에 화소 전극을 형성하는 단계와; 상기 비표시 영역에 대응하는 게이트 배선의 일 끝단에 게이트 패드와, 상기 데이터 배선의 일 끝단에 데이터 패드를 형성하는 단계와; 상기 구동회로 영역에 다수의 기울어짐 방지패턴을 형성하는 단계와; 상기 기울어짐 방지패턴이 하부에 위치하는 구동회로를 상기 구동회로 영역에 대응하여 장착하는 단계를 포함한다.A method of manufacturing a liquid crystal display device according to a first aspect of the present invention includes the steps of defining a display area on a first substrate and a second substrate, and a non-display area positioned around the display area and including a driving circuit area; Forming a gate line and a data line crossing the first substrate perpendicularly to one surface of the first substrate to define a pixel area; Forming a thin film transistor at an intersection point of the gate line and the data line; Forming a pixel electrode in the pixel region; Forming a gate pad at one end of the gate line corresponding to the non-display area and a data pad at one end of the data line; Forming a plurality of tilt prevention patterns in the driving circuit region; And mounting a driving circuit in which the anti-tilt pattern is located below the driving circuit region.

상기 기울어짐 방지패턴은 상기 구동회로칩이 상기 패드(게이트 패드 또는 데이터 패드)와 접촉하는 공정에서 기울어지지 않도록 하는 기능을 한다.The anti-tilt pattern serves to prevent the driving circuit chip from being inclined in contact with the pad (gate pad or data pad).

상기 구동회로칩의 하부에 위치한 기울어짐 방지패턴의 높이는, 상기 패드의 높이와 구동회로칩의 접촉부의 높이를 더한 높이와 동일한 것을 특징으로 한다.The height of the anti-tilt pattern disposed under the driving circuit chip is equal to the height of the pad plus the height of the contact portion of the driving circuit chip.

상기 구동회로칩은 사각형상이며, 상기 기울어짐 방지패턴은 상기 사각형상 구동회로칩의 네모서리 하부에 위치한 것을 특징으로 한다.The driving circuit chip may have a quadrangular shape, and the anti-tilt pattern may be located at a lower corner of the square driving circuit chip.

상기 박막트랜지스터는 상기 게이트 배선과 연결되는 게이트 전극과, 상기 게이트 전극의 상부에 위치하는 반도체층과, 상기 반도체층과 접촉하면서 상기 데이터 배선과 연결되는 소스 전극과, 상기 소스 전극과 이격된 드레인 전극을 포함한다.The thin film transistor may include a gate electrode connected to the gate wiring, a semiconductor layer positioned on the gate electrode, a source electrode connected to the data wiring while in contact with the semiconductor layer, and a drain electrode spaced apart from the source electrode. It includes.

본 발명의 제 2 특징에 따른 액정표시장치는 기판에 표시 영역과, 표시 영역의 둘레에 구동회로 영역을 포함하는 비표시 영역을 정의하는 단계와; 상기 표시영역에 일 방향으로 연장된 게이트 배선과 이에 연결된 게이트 전극과, 상기 비표시 영역에 대응하는 상기 게이트 배선의 일 끝단에 게이트 패드와, 상기 구동회로 영역에 제 1 금속패턴을 형성하는 단계와; 상기 게이트 배선과 게이트 패드와 제 1 금속패턴이 형성된 기판의 전면에 게이트 절연막을 형성하는 단계와; 상기 게이트 전극과 제 1 금속패턴에 대응하는 게이트 절연막 상에 제 1 반도체 패턴과 제 2 반도체 패턴을 형성하는 단계와; 상기 제 1 반도체 패턴과 접촉하는 소스 전극과 드레인 전극과, 상기 소스 전극과 연결되어 상기 게이트 배선과는 수직한 방향으로 연장되고, 상기 비표시 영역에 대응하는 일 끝단에 데이터 패드를 포함하는 데이터 배선과, 상기 제 1 반도체층의 상부에 제 2 금속패턴을 형성하는 단계와; 상기 소스 및 드레인 전극과 데이터 배선과 제 2 금속패턴이 형성된 기판의 전면에 보호막을 형성하고 패턴하여, 상기 드레인 전극을 노출하고, 상기 게이트 패드 및 데이터 패드를 완전히 노출 하는 단계와; 상기 드레인 전극과 접촉하면서 화소 영역에 위치하는 화소 전극과, 상기 게이트 패드와 접촉하는 투명한 게이트 패드 단자와, 상기 데이터 패드와 접촉하는 투명한 데이터 패드 단자를 형성하는 단계를 포함한다.According to a second aspect of the present invention, there is provided a liquid crystal display, comprising: defining a display area on a substrate and a non-display area including a driving circuit area around the display area; Forming a gate wiring connected to the display region in one direction and a gate electrode connected thereto, a gate pad at one end of the gate wiring corresponding to the non-display region, and a first metal pattern in the driving circuit region; ; Forming a gate insulating film on an entire surface of the substrate on which the gate wiring, the gate pad, and the first metal pattern are formed; Forming a first semiconductor pattern and a second semiconductor pattern on the gate insulating layer corresponding to the gate electrode and the first metal pattern; A data line including a source electrode and a drain electrode in contact with the first semiconductor pattern, a data pad connected to the source electrode, extending in a direction perpendicular to the gate line, and at one end corresponding to the non-display area; Forming a second metal pattern on the first semiconductor layer; Forming and patterning a protective film on an entire surface of the substrate on which the source and drain electrodes, the data wiring, and the second metal pattern are formed, exposing the drain electrode and completely exposing the gate pad and the data pad; Forming a pixel electrode in contact with the drain electrode in the pixel region, a transparent gate pad terminal in contact with the gate pad, and a transparent data pad terminal in contact with the data pad.

상기 비표시 영역에 대응하여 상기 게이트 패드와 데이터 패드와 접촉하는 구동회로를 장착하는 단계를 더욱 포함한다.And mounting a driving circuit in contact with the gate pad and the data pad corresponding to the non-display area.

상기 비표시 영역에 형성되고, 상기 제 1 금속패턴과 게이트 절연막과 제 2 반도체 패턴과 제 2 금속 패턴과 보호막이 적층된 구조는, 상기 구동회로의 중심영역 이외의 영역 하부에 위치하여, 상기 구동회로가 기울어지는 것을 방지하는 기울어짐 방지패턴의 기능을 한다.The structure in which the first metal pattern, the gate insulating film, the second semiconductor pattern, the second metal pattern, and the protective film are stacked on the non-display area is located below a region other than the center region of the driving circuit. It functions as an anti-tilt pattern which prevents the furnace from tilting.

이하, 첨부된 도면을 참조하여 본 발명의 바람직한 실시예를 상세히 설명한다.Hereinafter, exemplary embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings.

-- 실시예 --Example

본 발명은 구동회로 칩이 장착될 글라스 기판에 상기 구동회로 칩의 네모서리에 대응하여 기울어짐 방지패턴을 구성하는 것을 특징으로 한다.The present invention is characterized in that a tilt prevention pattern is formed on a glass substrate on which a driving circuit chip is to be mounted, corresponding to the four corners of the driving circuit chip.

이하, 도면을 참조하여 구동회로 칩이 글라스 기판에 장착된 본 발명에 따른 액정패널의 구성을 설명한다.Hereinafter, a configuration of a liquid crystal panel according to the present invention in which a driving circuit chip is mounted on a glass substrate will be described with reference to the drawings.

도 5는 본 발명에 따른 액정패널의 일측을 확대한 확대 평면도이고, 도 6은 도 5의 Ⅱ-Ⅱ를 절단한 단면도이다.5 is an enlarged plan view of an enlarged side of a liquid crystal panel according to the present invention, and FIG. 6 is a cross-sectional view taken along the line II-II of FIG. 5.

도 5와 도 6에 도시한 바와 같이, 액정패널(S)은 액정층(미도시)을 사이에 두고 제 1 기판(S1)과 제 2 기판(S2)을 합착하여 구성하게 되며, 일 측 끝단에 대응하는 제 2 기판(S2)의 일부는 절단된 상태이다.As shown in FIG. 5 and FIG. 6, the liquid crystal panel S is formed by bonding the first substrate S1 and the second substrate S2 with a liquid crystal layer (not shown) interposed therebetween. A part of the second substrate S2 corresponding to is in a cut state.

이와 같은 구성으로, 제 1 기판(S1)의 일 측 끝단에 구성된 패드부(PA)가 노출될 수 있다.In this configuration, the pad part PA configured at one end of the first substrate S1 may be exposed.

도시한 바와 같이, 패드부(PA)에 대응하는 다수의 구동회로 칩(200)을 본딩하여 장착하게 되는데 이때, 특징적인 것은 상기 구동회로칩(200)의 네모서리에 대응하는 부분에 기울어짐 방지패턴(F)을 형성하는 것이다.As shown in the drawing, a plurality of driving circuit chips 200 corresponding to the pad part PA are bonded to each other. At this time, a characteristic of the driving circuit chip 200 may be prevented from tilting at a portion corresponding to the four corners of the driving circuit chip 200. The pattern F is formed.

이때, 상기 기울어짐 방지패턴(F)은 패드부(PA)에 구성된 각 패드(134)보다 높게 구성되기 때문에, 구동회로칩(200)을 본딩(bonding)하는 공정에서 기울어짐 방지패턴(F)에 기울어짐이 발생하기 않기 때문에 구동회로칩의 범프(202)와 상기 패드가 정확히 얼라인(align) 될 수 있다.At this time, since the anti-tilt pattern F is configured to be higher than the pads 134 formed in the pad part PA, the anti-tilt pattern F is bonded in the process of bonding the driving circuit chip 200. Since no inclination occurs in the bumps 202 of the driving circuit chip, the pads may be exactly aligned.

따라서, 정확한 접촉면적을 가지고 상기 구동회로칩의 범프(202)와 패드가 접촉될 수 있게 된다.Therefore, the pad 202 and the bump 202 of the driving circuit chip can be contacted with an accurate contact area.

이때, 상기 기울어짐 방지패턴(F)의 높이는, 상기 구동회로칩이 패드부와 접촉하였을 경우, 상기 측면으로 본이는 패드의 높이와 상기 패드와 접촉하는 구동회로부의 접촉부의 높이를 더한 값과 같아야 한다.In this case, the height of the anti-tilt pattern F is equal to the sum of the height of the pad viewed from the side and the contact portion of the driving circuit part in contact with the pad when the driving circuit chip contacts the pad part. Should be the same.

전술한 구성에서, 상기 기울어짐 방지패턴(F)은 별도의 공정을 추가하여 구성하는 것이 아니라, 기존의 제 1 기판(박막트랜지스터 어레이기판)을 형성하는 공정에서 제작할 수 있다.In the above-described configuration, the anti-tilt pattern F may be manufactured in a process of forming an existing first substrate (thin film transistor array substrate) rather than adding a separate process.

도 7은 상기 범프를 포함하는 본 발명에 따른 액정표시장치용 어레이기판의 일부를 도시한 확대 평면도이다.7 is an enlarged plan view showing a part of an array substrate for a liquid crystal display device according to the present invention including the bumps.

도시한 바와 같이, 박막트랜지스터 어레이기판(S1)은 표시 영역(G1)과 표시영역(G1)주변의 비표시 영역(G2)으로 나눌 수 있고, 표시 영역(G1)에 대응하는 글라스 기판(100) 상에 일 방향으로 연장되고 서로 평행하게 이격된 다수의 게이트 배선(102)을 형성하고, 상기 게이트 배선(102)과 수직한 방향으로 교차하여 서로 평행하게 이격된 다수의 데이터 배선(120)을 형성한다.As illustrated, the thin film transistor array substrate S1 may be divided into a display area G1 and a non-display area G2 around the display area G1, and the glass substrate 100 corresponding to the display area G1. A plurality of gate lines 102 extending in one direction and spaced in parallel to each other are formed thereon, and a plurality of data lines 120 spaced apart from each other in parallel to the gate lines 102 in a direction perpendicular to each other. do.

이때, 상기 게이트 배선(102)과 데이터 배선(120)이 교차하여 정의되는 영역을 화소 영역(P)이라 하며, 상기 화소 영역(P)의 일측 즉, 두 배선(102,120)의 교차지점에는 게이트 전극(104)과 액티브층(112)과 소스전극(116)과 드레인 전극(118)으로 구성된 박막트랜지스터(T)를 구성한다.In this case, an area defined by the intersection of the gate line 102 and the data line 120 is referred to as a pixel area P, and a gate electrode is formed at one side of the pixel area P, that is, at an intersection point of the two wires 102 and 120. A thin film transistor T composed of the 104, the active layer 112, the source electrode 116, and the drain electrode 118 is formed.

상기 화소 영역(P)에는 상기 드레인 전극(118)과 접촉하는 투명한 화소 전극(130)이 구성된다.The pixel region P includes a transparent pixel electrode 130 in contact with the drain electrode 118.

상기 게이트 전극(118)은 상기 게이트 배선(102)과 연결되도록 하고, 상기 소스 전극(116)은 상기 데이터 배선(120)과 연결되도록 구성한다. The gate electrode 118 is connected to the gate wiring 102, and the source electrode 116 is configured to be connected to the data wiring 120.

상기 비 표시 영역(G2)에는, 상기 게이트 배선(102)의 일 끝단에 구성되고 외부로부터 게이트 신호를 입력받는 게이트 패드(106)가 구성되고, 상기 게이트 패드(106)가 구성된 영역과 평행하지 않은 타측의 비표시 영역(G2)에는 상기 데이터 배선(120)의 일 끝단에 구성되고 외부로부터 데이터 신호를 입력받는 데이터 패드(122)가 구성된다.In the non-display area G2, a gate pad 106 configured at one end of the gate line 102 and receiving a gate signal from the outside is configured, and the gate pad 106 is not parallel to an area in which the gate pad 106 is configured. A data pad 122 configured at one end of the data line 120 and receiving a data signal from the outside is formed in the non-display area G2 on the other side.

상기 데이터 패드(122)와 게이트 패드(106)와 접촉하는 투명한 데이터 패드 단자(134)와 투명한 게이트 패드 단자(132)를 더욱 구성한다.The transparent data pad terminal 134 and the transparent gate pad terminal 132 contacting the data pad 122 and the gate pad 106 are further configured.

전술한 구성에서, 상기 데이터 패드 및 게이트 패드(122,106)의 이격된 영역에 대응하여 앞서 언급한 기울어짐 방지패턴(F)을 다수개(미도시) 구성한다.In the above-described configuration, a plurality (not shown) of the aforementioned anti-tilt patterns F are formed to correspond to the spaced areas of the data pads and the gate pads 122 and 106.

상기 기울어짐 방지 패턴(F)은 구동회로 칩(미도시)이 장착되는 영역에 상기 구동회로칩의 네모서리에 대응하여 형성한다.The anti-tilt pattern F is formed to correspond to the corners of the driving circuit chip in a region where the driving circuit chip (not shown) is mounted.

이하, 전술한 바와 같이 구성된 본 발명에 따른 액정표시장치용 어레이기판의 제조공정을 설명한다.Hereinafter, a manufacturing process of an array substrate for a liquid crystal display device according to the present invention configured as described above will be described.

도 8a 내지 도 8e와 도 9a 내지 도 9e와 도 10a 내지 도 10e와 도 11a 내지 도 11e는 도 7의 Ⅲ-Ⅲ,Ⅳ-Ⅳ,Ⅴ-Ⅴ,Ⅵ-Ⅵ을 따라 절단하여, 본 발명의 공정순서에 따라 도시한 공정 단면도이다.8A to 8E, 9A to 9E, 10A to 10E, and 11A to 11E are cut along the lines III-III, IV-IV, V-V, VI-VI of FIG. It is process sectional drawing shown according to a process sequence.

도 8a 내지 도 8e는 화소 영역을 나타낸 공정순서도이고, 도 9a 내지 도 9e는 게이트 패드부를 나타낸 공정 순서도이고, 도 10a 내지 도 10e는 데이터 패드부를 나타낸 공정 순서도이고, 도 11a 내지 도 11e는 기울어짐 방지패턴 영역을 나타낸 공정 단면도이다. 8A to 8E are process flowcharts showing pixel regions, FIGS. 9A to 9E are process flowcharts showing gate pad portions, FIGS. 10A to 10E are process flowcharts showing data pad portions, and FIGS. 11A to 11E are inclined. It is process sectional drawing which shows the prevention pattern area | region.

도 8a와 도 9a와 도 10a와 도 11a에 도시한 바와 같이, 투명한 절연 기판(100)상에 표시영역과 표시 영역(G1)의 주변으로 비표시 영역(G2)을 정의한다.As shown in FIGS. 8A, 9A, 10A, and 11A, the non-display area G2 is defined on the transparent insulating substrate 100 around the display area and the display area G1.

상기 표시 영역(G1)괴 비표시 영역(G2)이 정의된 기판(100)의 전면에 알루미늄(Al), 알루미늄합금(예를 들면, AlNd), 크롬(Cr), 텅스텐(W), 몰리브덴(Mo), 티타늄(Ti), 구리(Cu)등을 포함하는 도전성 금속 그룹중 하나 이상의 금속을 선택하여, 기판(100)의 전면에 제 1 금속층(미도시)을 형성한 후 제 1 마스크 공정으로 패턴하여, 일 끝단에 게이트 패드(106)를 포함하며 일 방향으로 연장되고 서로 평행하게 구성된 다수의 게이트 배선(102)과, 상기 게이트 배선(102)에 연결된 게이트 전극(104)을 형성한다.Aluminum (Al), aluminum alloy (for example, AlNd), chromium (Cr), tungsten (W), and molybdenum (eg, Al) on the entire surface of the substrate 100 in which the display area G1 non-display area G2 is defined Select one or more metals from the group of conductive metals including Mo), titanium (Ti), copper (Cu), and the like to form a first metal layer (not shown) on the entire surface of the substrate 100, followed by a first mask process. By patterning, a plurality of gate lines 102 including gate pads 106 at one end and extending in one direction and configured to be parallel to each other, and a gate electrode 104 connected to the gate lines 102 are formed.

동시에, 상기 비표시 영역(G2)에 대응하여, 구동회로 칩(미도시)이 장착될 영역에 대응하여 게이트 구동회로칩(미도시)의 네모서리에 대응하는 부분에 각각 제 1 금속패턴(108)을 형성한다.At the same time, each of the first metal patterns 108 may correspond to the corners of the gate driving circuit chip (not shown) corresponding to the region in which the driving circuit chip (not shown) is mounted, corresponding to the non-display area G2. ).

이때, 상기 게이트 배선(102)을 형성할 때는 신호 지연(signal delay)을 방지하기 위해 저항이 낮은 금속을 사용하게 되는데, 이러한 금속으로 상기 알루미늄(Al) 또는 구리(Cu)를 예로 들 수 있다.In this case, when the gate wiring 102 is formed, a metal having a low resistance is used to prevent a signal delay. Examples of the metal include aluminum (Al) or copper (Cu).

알루미늄(Al)이나 구리(Cu)를 사용할 경우에는, 상부 또는 상.하부에 화학적으로 내식성이 강하거나 유리기판과 부착력이 좋은 별도의 버퍼 금속층을 더욱 구성함으로써, 약액에 쉽게 부식되는 알루미늄이나 유리기판과 부착력이 좋지 않은 구리의 단점을 보완하도록 구성하기도 한다.When aluminum (Al) or copper (Cu) is used, an aluminum or glass substrate that is easily corroded to chemical liquids is formed by forming a separate buffer metal layer having high chemical resistance to corrosion or adhesion to the glass substrate at the upper or upper and lower portions thereof. It can also be configured to compensate for the disadvantages of copper with poor adhesion.

상기 게이트 배선 및 게이트 전극(102,104)과 제 1 금속패턴(108)이 형성된 기판(100)의 전면에 게이트 절연막과(110)을 형성한다.A gate insulating layer 110 is formed on the entire surface of the substrate 100 on which the gate wirings, the gate electrodes 102 and 104, and the first metal pattern 108 are formed.

상기 게이트 절연막(110)은 질화 실리콘(SiNX)과 산화 실리콘(SiOX)을 포함하는 무기절연물질 그룹 중 선택된 하나를 증착하여 형성한다.The gate insulating layer 110 is formed by depositing one selected from the group of inorganic insulating materials including silicon nitride (SiN X ) and silicon oxide (SiO X ).

도 8b와 도 9b와 도 10b와 도 11b에 도시한 바와 같이, 상기 게이트 전극(104)대응하는 게이트 절연막(110)의 상부에 액티브층(active layer,112)과 오믹 콘택층(ohmic contact layer,114)을 형성하고, 상기 비표시영역(G2)에 형성한 섬형상의 금속패턴(108)에 대응하는 게이트 절연막(110)의 상부에는 상기 액티브층(112)과 오믹 콘택층(114)과 동일물질인 반도체 패턴(116)을 형성한다.8B, 9B, 10B, and 11B, an active layer 112 and an ohmic contact layer are formed on the gate insulating layer 110 corresponding to the gate electrode 104. 114 is formed on the gate insulating film 110 corresponding to the island-shaped metal pattern 108 formed in the non-display area G2, and is the same as the active layer 112 and the ohmic contact layer 114. The semiconductor pattern 116 is formed of a material.

이때, 상기 액티브층(112)은 비정질 실리콘(a-Si:H)을 증착하여 형성하고, 상기 오믹 콘택층(114)은 n+또는 p+ 불순물 이온이 포함된 비정질 실리콘을 증착하여 형성한다.In this case, the active layer 112 is formed by depositing amorphous silicon (a-Si: H), and the ohmic contact layer 114 is formed by depositing amorphous silicon containing n + or p + impurity ions.

도 8c와 도 9c와 도 10c와 도 11c에 도시한 바와 같이, 상기 액티브층(112)과 오믹 콘택층(114)과 상기 반도체층(118)을 형성한 기판(100)의 전면에 알루미늄(Al)과 알루미늄합금(AlNd)과 크롬(Cr), 텅스텐(W), 몰리브덴(Mo), 몰리텅스텐(MoW), 구리(Cu)등을 포함하는 도전성 금속그룹 중 선택된 하나 또는 그 이상의 금속을 증착하고 패턴하여, 상기 오믹 콘택층(114)과 접촉하면서 서로 이격된 소스 전극(116)과 드레인 전극(118)과, 상기 소스 전극(116)과 연결되고 상기 비표시 영역(G2)에 대응하는 일 끝단에 데이터 패드(122)가 구성된 데이터 배선(120)을 형성한다. As shown in FIGS. 8C, 9C, 10C, and 11C, aluminum (Al) is formed on the entire surface of the substrate 100 on which the active layer 112, the ohmic contact layer 114, and the semiconductor layer 118 are formed. ) And one or more metals selected from a group of conductive metals including aluminum alloys (AlNd), chromium (Cr), tungsten (W), molybdenum (Mo), molybdenum tungsten (MoW), copper (Cu), etc. Patterned, one end of the source electrode 116 and the drain electrode 118 spaced apart from each other while contacting the ohmic contact layer 114, and connected to the source electrode 116 and corresponding to the non-display area G2. The data line 120 having the data pads 122 is formed in the gate.

동시에, 상기 비표시 영역(G2)에 구성된 반도체층(116)의 상부에 섬형상의 제 2 금속패턴(124)을 형성한다.At the same time, an island-shaped second metal pattern 124 is formed on the semiconductor layer 116 formed in the non-display area G2.

도8d와 도 9d에 도 10d와 도 11d에 도시한 바와 같이, 상기 소스 및 드레인 전극(116,118)등이 형성된 기판(100)의 전면에 질화 실리콘(SiNX)과 산화 실리콘(SiO2)을 포함하는 무기절연물질 그룹 중 선택된 하나를 증착하고 패턴하여, 상기 드레인 전극(118)의 일부를 노출하는 드레인 콘택홀(128)이 형성된 보호막(126)을 형성한다.8D and 9D, as shown in FIGS. 10D and 11D, silicon nitride (SiN X ) and silicon oxide (SiO 2 ) are included on the entire surface of the substrate 100 on which the source and drain electrodes 116 and 118 are formed. One of the group of inorganic insulating materials is deposited and patterned to form a passivation layer 126 having a drain contact hole 128 exposing a portion of the drain electrode 118.

이때, 상기 보호막(126)을 패턴하는 공정에서 상기 비표시 영역(G2)에 대응하는 게이트 패드(106)와 데이터 패드(122)를 완전히 노출하는 공정을 진행한다.In this case, in the process of patterning the passivation layer 126, a process of completely exposing the gate pad 106 and the data pad 122 corresponding to the non-display area G2 is performed.

단, 비표시 영역(G2)의 상기 제 1 금속패턴(108)과, 반도체층(116)과, 제 2 금속패턴(124)이 형성된 상부에는 상기 보호막(126)을 남겨둔다.However, the passivation layer 126 is left over the first metal pattern 108, the semiconductor layer 116, and the second metal pattern 124 in the non-display area G2.

도 8e와 도 9e와 도 10e와 도11e에 도시한 바와 같이, 상기 보호막(126)이 형성된 기판(100)의 전면에 인듐-틴-옥사이드(ITO)와 인듐-징크-옥사이드(IZO)를 포함하는 투명한 도전성 금속 그룹 중 선택된 하나를 증착하고 패턴하여, 상기 드레인 전극(118)과 접촉하면서 화소 영역(P)에 위치하는 투명한 화소 전극(130)을 형성하고, 상기 게이트 패드(106)와 접촉하는 투명한 게이트 패드 단자(132)를 형성하고, 상기 데이터 패드(122)와 접촉하는 투명한 데이터 패드 단자(134)를 형성한다.As shown in FIGS. 8E, 9E, 10E and 11E, indium tin oxide (ITO) and indium zinc oxide (IZO) are included on the entire surface of the substrate 100 on which the passivation layer 126 is formed. Depositing and patterning one selected from a group of transparent conductive metals to form a transparent pixel electrode 130 positioned in the pixel region P while in contact with the drain electrode 118 and contacting the gate pad 106. A transparent gate pad terminal 132 is formed, and a transparent data pad terminal 134 in contact with the data pad 122 is formed.

전술한 공정에서, 상기 비표시 영역에 대응하여 적층된 제 1 금속패턴과 게이트 절연막과 반도체층과 제 2 금속패턴과 보호막은 앞서 언급한 기울어짐 방지 패턴(F)으로서의 기능을 하게 된다.In the above-described process, the first metal pattern, the gate insulating film, the semiconductor layer, the second metal pattern, and the protective film stacked corresponding to the non-display area function as the aforementioned anti-tilt pattern F.

전술한 바와 같은 공정을 통해 본 발명에 따른 구동회로 칩 기울어짐 방지패턴을 포함하는 액정표시장치용 어레이기판을 제작할 수 있다. Through the above-described process, an array substrate for a liquid crystal display device including the driving circuit chip anti-tilt pattern according to the present invention can be manufactured.

전술한 바와 같이, 본 발명에 따른 액정표시장치는 구동회로 칩을 기판에 직접 부착하는 구성에 있어서, 상기 구동회로 칩이 부착되는 영역에 대응하여 상기 구동회로 칩의 네모서리에 대응하는 부분에 기울어짐 방지패턴을 구성하는 것을 특징으로 하며, 이와 같이 하면 상기 구동회로칩을 패널에 접착하는 공정에 있어서 기계적인 오차로 인해 구동회로 칩이 기울어 진다 하여도 상기 기울어짐 방지패턴에 의해 바로 잡아질 수 있다.As described above, the liquid crystal display device according to the present invention has a configuration in which the driving circuit chip is directly attached to the substrate, and inclined to a portion corresponding to the four corners of the driving circuit chip in correspondence to the region where the driving circuit chip is attached. Characterized in that the load prevention pattern, in this case, even if the driving circuit chip is inclined due to a mechanical error in the process of bonding the drive circuit chip to the panel can be caught directly by the tilt prevention pattern. have.

따라서, 상기 구동회로 칩의 범프와 액정패널의 패드는 일정한 접촉면적을 가지고 부착될 수 있으므로, 접촉저항이 균일하게 되어 액정패널의 화질이 안정화되는 효과가 있다.Therefore, the bumps of the driving circuit chip and the pads of the liquid crystal panel may be attached with a constant contact area, so that the contact resistance becomes uniform, thereby stabilizing the image quality of the liquid crystal panel.

도 1은 일반적인 액정표시장치의 구성을 도시한 도면이고,1 is a diagram showing the configuration of a general liquid crystal display device;

도 2는 COG 방식으로 구동회로가 장착된 종래에 따른 액정표시장치의 구성을 개략적으로 도시한 단면도이고,2 is a cross-sectional view schematically showing the configuration of a liquid crystal display according to the related art in which a driving circuit is mounted in a COG method.

도 3은 구동회로 칩의 구성을 개략적으로 도시한 평면도이고,3 is a plan view schematically illustrating a configuration of a driving circuit chip;

도 4는 기판에 구동회로 칩이 장착되는 형상을 도시한 단면도이고,4 is a cross-sectional view illustrating a shape in which a driving circuit chip is mounted on a substrate;

도 5는 COG 방식으로 구동회로가 장착된 본 발명에 따른 액정표시장치의 구성을 개략적으로 도시한 단면도이고,5 is a cross-sectional view schematically showing the configuration of a liquid crystal display device according to the present invention in which a driving circuit is mounted in a COG method.

도 6은 도 5의 Ⅱ-Ⅱ를 따라 절단한 단면도이고,6 is a cross-sectional view taken along the line II-II of FIG. 5,

도 7은 본 발명에 따른 액정표시장치용 어레이기판의 일부를 확대한 확대 평면도이고,7 is an enlarged plan view illustrating an enlarged portion of an array substrate for a liquid crystal display device according to the present invention;

도 8a 내지 도 8e와 도 9a 내지 도 9e와 도 10a 내지 도 10e와 도 11a 내지 도 11e는 도 7의 Ⅲ-Ⅲ,Ⅳ-Ⅳ,Ⅴ-Ⅴ,Ⅵ-Ⅵ을 따라 절단하여, 본 발명의 공정순서로 도시한 공정 단면도이다. 8A to 8E, 9A to 9E, 10A to 10E, and 11A to 11E are cut along the lines III-III, IV-IV, V-V, VI-VI of FIG. It is process sectional drawing shown in process sequence.

<도면의 주요부분에 대한 부호의 간단한 설명><Brief description of symbols for the main parts of the drawings>

S : 액정패널 S1 : 제 1 기판(어레이 기판)S: liquid crystal panel S1: first substrate (array substrate)

S2 : 제 2 기판 (컬러필터 기판) 200 : 구동회로 칩S2: second substrate (color filter substrate) 200: drive circuit chip

F : 기울어짐 방지패턴 F: Tilt prevention pattern

Claims (16)

표시 영역과, 표시 영역의 둘레에 위치하고 구동회로 영역을 포함하는 주변영역으로 정의된 제 1 기판과 제 2 기판과;A first substrate and a second substrate defined by a display area and a peripheral area positioned around the display area and including a driving circuit area; 상기 제 1 기판의 마주보는 일면에 수직하게 교차하여 화소 영역을 정의하는게이트 배선과 데이터 배선과;Gate wiring and data wiring crossing the first substrate so as to vertically intersect one surface of the first substrate to define a pixel region; 상기 게이트 배선과 데이터 배선의 교차지점에 구성된 박막트랜지스터와;A thin film transistor configured at an intersection point of the gate line and the data line; 상기 화소 영역에 구성된 화소 전극과;A pixel electrode configured in the pixel region; 상기 비표시 영역에 대응하는 게이트 배선의 일 끝단에 구성된 게이트 패드와, 상기 데이터 배선의 일 끝단에 구성된 데이터 패드와;A gate pad configured at one end of the gate line corresponding to the non-display area, and a data pad configured at one end of the data line; 상기 구동회로 영역에 구성된 다수의 기울어짐 방지패턴과;A plurality of anti-tilt patterns configured in the driving circuit area; 상기 구동회로 영역에 장착되고, 상기 기울어짐 방지패턴이 하부에 위치한 구동회로A driving circuit mounted in the driving circuit region and having the anti-tilt pattern below 를 포함하는 액정표시장치.Liquid crystal display comprising a. 제 1 항에 있어서,The method of claim 1, 상기 기울어짐 방지패턴은 상기 구동회로칩이 패드(게이트 패드와 데이터 패드)와 접촉하는 공정에서 기울어지지 않도록 하는 기능을 가지는 액정표시장치.And the anti-tilt pattern has a function of preventing the driving circuit chip from being inclined in contact with pads (gate pads and data pads). 제 1 항에 있어서,The method of claim 1, 상기 구동회로칩의 하부에 위치한 기울어짐 방지패턴의 높이는 상기 패드(게이트 패드, 데이터 패드)의 노출된 높이와 구동회로칩의 접촉부의 높이를 합한 높이와 동일한 높이인 것을 특징으로 하는 액정표시장치.And the height of the anti-tilt pattern disposed under the driving circuit chip is equal to the height of the sum of the exposed height of the pad (gate pad and data pad) and the height of the contact portion of the driving circuit chip. 제 1 항에 있어서,The method of claim 1, 상기 구동회로칩은 사각형상이며, 상기 기울어짐 방지패턴은 상기 사각형상 구동회로칩의 네모서리 하부에 위치한 것을 특징으로 하는 액정표시장치.The driving circuit chip has a quadrangular shape, and the anti-tilt pattern is located under the four corners of the square driving circuit chip. 제 1 항에 있어서,The method of claim 1, 상기 박막트랜지스터는 상기 게이트 배선과 연결되는 게이트 전극과, 상기 게이트전극의 상부에 위치하는 반도체층과, 상기 반도체층과 접촉하면서 상기 데이터 배선과 연결되는 소스 전극과, 상기 소스 전극과 이격된 드레인 전극을 포함하는 액정표시장치.The thin film transistor may include a gate electrode connected to the gate wiring, a semiconductor layer positioned on the gate electrode, a source electrode connected to the data wiring while in contact with the semiconductor layer, and a drain electrode spaced apart from the source electrode. Liquid crystal display comprising a. 제 1 항에 있어서,The method of claim 1, 상기 화소 전극은 투명한 도전성 재질로 구성된 액정표시장치.The pixel electrode is made of a transparent conductive material. 제 1 기판과 제 2 기판에 표시 영역과, 표시 영역의 둘레에 위치하며 구동회로 영역을 포함하는 비표시 영역을 정의하는 단계와;Defining a display area on the first substrate and the second substrate and a non-display area positioned around the display area and including a driving circuit area; 상기 제 1 기판의 일면에 수직하게 교차하여 화소 영역을 정의하는 게이트 배선과 데이터 배선을 형성하는 단계와;Forming a gate line and a data line crossing the first substrate perpendicularly to one surface of the first substrate to define a pixel area; 상기 게이트 배선과 데이터 배선의 교차지점에 박막트랜지스터를 형성하는 단계와;Forming a thin film transistor at an intersection point of the gate line and the data line; 상기 화소 영역에 화소 전극을 형성하는 단계와;Forming a pixel electrode in the pixel region; 상기 비표시 영역에 대응하는 게이트 배선의 일 끝단에 게이트 패드와, 상기 데이터 배선의 일 끝단에 데이터 패드를 형성하는 단계와;Forming a gate pad at one end of the gate line corresponding to the non-display area and a data pad at one end of the data line; 상기 구동회로 영역에 다수의 기울어짐 방지패턴을 형성하는 단계와;Forming a plurality of tilt prevention patterns in the driving circuit region; 상기 기울어짐 방지패턴이 하부에 위치하는 구동회로를 상기 구동회로 영역에 대응하여 장착하는 단계Mounting a driving circuit in which the inclination prevention pattern is located in correspondence with the driving circuit region; 를 포함하는 액정표시장치 제조방법.Liquid crystal display device manufacturing method comprising a. 제 7 항에 있어서,The method of claim 7, wherein 상기 기울어짐 방지패턴은 상기 구동회로칩이 상기 패드(게이트 패드 또는 데이터 패드)와 접촉하는 공정에서 기울어지지 않도록 하는 기능을 하는 액정표시장치 제조방법.And the anti-tilt pattern prevents the driving circuit chip from being inclined in contact with the pad (gate pad or data pad). 제 7 항에 있어서,The method of claim 7, wherein 상기 구동회로칩의 하부에 위치한 기울어짐 방지패턴의 높이는, 상기 패드의 높이와 구동회로칩의 접촉부의 높이를 더한 높이와 동일한 것을 특징으로 하는 액정표시장치 제조방법.And the height of the anti-tilt pattern disposed under the driving circuit chip is equal to the height of the pad plus the height of the contact portion of the driving circuit chip. 제 7 항에 있어서,The method of claim 7, wherein 상기 구동회로칩은 사각형상이며, 상기 기울어짐 방지패턴은 상기 사각형상 구동회로칩의 네모서리 하부에 위치한 것을 특징으로 하는 액정표시장치 제조방법.The driving circuit chip has a quadrangular shape, and the anti-tilt pattern is located in the lower corner of the rectangular driving circuit chip manufacturing method of a liquid crystal display device. 제 7 항에 있어서,The method of claim 7, wherein 상기 박막트랜지스터는 상기 게이트 배선과 연결되는 게이트 전극과, 상기 게이트 전극의 상부에 위치하는 반도체층과, 상기 반도체층과 접촉하면서 상기 데이터 배선과 연결되는 소스 전극과, 상기 소스 전극과 이격된 드레인 전극을 포함하는 액정표시장치 제조방법.The thin film transistor may include a gate electrode connected to the gate wiring, a semiconductor layer positioned on the gate electrode, a source electrode connected to the data wiring while in contact with the semiconductor layer, and a drain electrode spaced apart from the source electrode. Liquid crystal display device manufacturing method comprising a. 기판에 표시 영역과, 표시 영역의 둘레에 구동회로 영역을 포함하는 비표시 영역을 정의하는 단계와;Defining a display area on the substrate and a non-display area including a driving circuit area around the display area; 상기 표시영역에 일 방향으로 연장된 게이트 배선과 이에 연결된 게이트 전극과, 상기 비표시 영역에 대응하는 상기 게이트 배선의 일 끝단에 게이트 패드와, 상기 구동회로 영역에 제 1 금속패턴을 형성하는 단계와;Forming a gate wiring connected to the display region in one direction and a gate electrode connected thereto, a gate pad at one end of the gate wiring corresponding to the non-display region, and a first metal pattern in the driving circuit region; ; 상기 게이트 배선과 게이트 패드와 제 1 금속패턴이 형성된 기판의 전면에 게이트 절연막을 형성하는 단계와;Forming a gate insulating film on an entire surface of the substrate on which the gate wiring, the gate pad, and the first metal pattern are formed; 상기 게이트 전극과 제 1 금속패턴에 대응하는 게이트 절연막 상에 제 1 반도체 패턴과 제 2 반도체 패턴을 형성하는 단계와;Forming a first semiconductor pattern and a second semiconductor pattern on the gate insulating layer corresponding to the gate electrode and the first metal pattern; 상기 제 1 반도체 패턴과 접촉하는 소스 전극과 드레인 전극과, 상기 소스 전극과 연결되어 상기 게이트 배선과는 수직한 방향으로 연장되고, 상기 비표시 영역에 대응하는 일 끝단에 데이터 패드를 포함하는 데이터 배선과, 상기 제 1 반도체층의 상부에 제 2 금속패턴을 형성하는 단계와;A data line including a source electrode and a drain electrode in contact with the first semiconductor pattern, a data pad connected to the source electrode, extending in a direction perpendicular to the gate line, and at one end corresponding to the non-display area; Forming a second metal pattern on the first semiconductor layer; 상기 소스 및 드레인 전극과 데이터 배선과 제 2 금속패턴이 형성된 기판의 전면에 보호막을 형성하고 패턴하여, 상기 드레인 전극을 노출하고, 상기 게이트 패드 및 데이터 패드를 완전히 노출 하는 단계와;Forming and patterning a protective film on an entire surface of the substrate on which the source and drain electrodes, the data wiring, and the second metal pattern are formed, exposing the drain electrode and completely exposing the gate pad and the data pad; 상기 드레인 전극과 접촉하면서 화소 영역에 위치하는 화소 전극과, 상기 게이트 패드와 접촉하는 투명한 게이트 패드 단자와, 상기 데이터 패드와 접촉하는 투명한 데이터 패드 단자를 형성하는 단계를Forming a pixel electrode in a pixel region in contact with the drain electrode, a transparent gate pad terminal in contact with the gate pad, and a transparent data pad terminal in contact with the data pad; 포함하는 액정표시장치용 어레이기판 제조방법.Array substrate manufacturing method for a liquid crystal display comprising a. 제 12 항에 있어서,The method of claim 12, 상기 비표시 영역에 대응하여 상기 게이트 패드와 데이터 패드와 접촉하는 구동회로를 장착하는 단계를 더욱 포함하는 액정표시장치용 어레이기판 제조방법.And mounting a driving circuit in contact with the gate pad and the data pad corresponding to the non-display area. 제 13 항에 있어서,The method of claim 13, 상기 비표시 영역에 형성되고, 상기 제 1 금속패턴과 게이트 절연막과 제 2 반도체 패턴과 제 2 금속 패턴과 보호막이 적층된 구조는, 상기 구동회로의 중심영역 이외의 영역 하부에 위치하여, 상기 구동회로가 기울어지는 것을 방지하는 기울어짐 방지패턴의 기능을 하는 액정표시장치용 어레이기판 제조방법.The structure in which the first metal pattern, the gate insulating film, the second semiconductor pattern, the second metal pattern, and the protective film are stacked on the non-display area is located below a region other than the center region of the driving circuit. A method of manufacturing an array substrate for a liquid crystal display device, which functions as an anti-tilt pattern which prevents the furnace from tilting. 제 13 항에 있어서,The method of claim 13, 상기 화소 전극과 게이트 패드 단자와 데이터 패드 단자는 인듐-틴-옥사이드(ITO)와 인듐-징크-옥사이드(IZO)를 포함하는 투명한 도전성 금속 그룹 중 선택된 하나로 형성된 액정표시장치용 어레이기판 제조방법.The pixel electrode, the gate pad terminal, and the data pad terminal are formed of one selected from a group of transparent conductive metals including indium tin oxide (ITO) and indium zinc oxide (IZO). 제 12 항에 있어서,The method of claim 12, 상기 제 1 반도체 패턴과 제 2 반도체 패턴은 순수 비정질 실리콘(a-Si:H)층과 불순물 비정질 실리콘(n+a-Si:H)층이 적층된 액정표시장치용 어레이기판 제조방법.The first semiconductor pattern and the second semiconductor pattern is a method of manufacturing an array substrate for a liquid crystal display device in which a pure amorphous silicon (a-Si: H) layer and an impurity amorphous silicon (n + a-Si: H) layer is stacked.
KR1020040021708A 2004-03-30 2004-03-30 Liquid crystal display device and method for fabricating of the same KR20050097000A (en)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020040021708A KR20050097000A (en) 2004-03-30 2004-03-30 Liquid crystal display device and method for fabricating of the same

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020040021708A KR20050097000A (en) 2004-03-30 2004-03-30 Liquid crystal display device and method for fabricating of the same

Publications (1)

Publication Number Publication Date
KR20050097000A true KR20050097000A (en) 2005-10-07

Family

ID=37276873

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020040021708A KR20050097000A (en) 2004-03-30 2004-03-30 Liquid crystal display device and method for fabricating of the same

Country Status (1)

Country Link
KR (1) KR20050097000A (en)

Cited By (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR101380228B1 (en) * 2008-07-15 2014-04-03 엘지디스플레이 주식회사 Array substrate for Chip on glass type liquid crystal display device
CN107300792A (en) * 2017-07-24 2017-10-27 武汉华星光电技术有限公司 Surface mount method
KR20190018296A (en) * 2017-08-14 2019-02-22 엘지디스플레이 주식회사 Display device, driving circuit device and method for driving the display device
US11700758B2 (en) 2019-07-22 2023-07-11 Samsung Display Co., Ltd. Display device and method for manufacturing the same

Cited By (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR101380228B1 (en) * 2008-07-15 2014-04-03 엘지디스플레이 주식회사 Array substrate for Chip on glass type liquid crystal display device
CN107300792A (en) * 2017-07-24 2017-10-27 武汉华星光电技术有限公司 Surface mount method
KR20190018296A (en) * 2017-08-14 2019-02-22 엘지디스플레이 주식회사 Display device, driving circuit device and method for driving the display device
US11700758B2 (en) 2019-07-22 2023-07-11 Samsung Display Co., Ltd. Display device and method for manufacturing the same

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US6771348B2 (en) Displaying substrate and liquid crystal display device having the same
US7522225B2 (en) Chip-on-glass array substrate of liquid crystal display device and method of fabricating the same
US7352427B2 (en) Display device
US6922226B2 (en) Liquid crystal display device implementing improved electrical lines and the fabricating method
US20070182905A1 (en) Liquid Crystal Display
US20030112382A1 (en) Liquid crystal display device
US6839120B2 (en) Reflective or transflective liquid crystal display device and method for manufacturing the same
KR20080059836A (en) Cof and lcd with the same
US6791634B2 (en) Display device having connecting pads crossing a spare line
US6760090B2 (en) Liquid crystal display device having solder resist structure and method of making the same
KR20050097000A (en) Liquid crystal display device and method for fabricating of the same
US20070063280A1 (en) Thin film transistor array substrate
KR20020012795A (en) Array substrate for Liquid crystal display and method for fabricating thereof
JPH0643473A (en) Liquid crystal display device
KR100816335B1 (en) Thin film transistor array panel and a method for attaching the integrated circuit for the same
KR100529567B1 (en) Drive integrated circuits and display devices including them
KR100453362B1 (en) Apparatus for thin film transistor liquid crystal display
KR100694577B1 (en) Array substrate for Liquid crystal display and method for fabricating thereof
KR100724744B1 (en) Liquid Crystal Display Device and Method of Fabricating the Same
KR20030057147A (en) In-Plane switching mode LCD
JPH05113773A (en) Liquid crystal display device
KR20030057148A (en) In-Plane switching mode LCD
KR20050059646A (en) Liquid crystal display

Legal Events

Date Code Title Description
WITN Withdrawal due to no request for examination