KR20050096529A - 전자방출 표시장치용 애노드 기판, 이를 이용한 전자방출표시장치 및 전자방출표시장치용 애노드 기판의 제조방법 - Google Patents

전자방출 표시장치용 애노드 기판, 이를 이용한 전자방출표시장치 및 전자방출표시장치용 애노드 기판의 제조방법 Download PDF

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Abstract

본 발명은 블랙매트릭스의 비저항을 형광층의 비저항 보다 크게 하여 집속효과를 향상시킨 전자방출 표시장치용 애노드 기판, 이를 이용한 전자방출 표시장치 및 전자방출 표시장치용 애노드 기판의 제조방법에 관한 것으로, 투명 기판과, 상기 투명 기판 상에 형성되어 다수의 개구부를 갖는 블랙매트릭스와, 상기 블랙매트릭스의 개구부 내에 형성된 형광층과, 형광층에 접속된 애노드 전극을 구비하되, 블랙매트릭스의 비저항은 형광층의 비저항 보다 큰 전자방출 표시장치용 애노드 기판을 제공한다.

Description

전자방출 표시장치용 애노드 기판, 이를 이용한 전자방출 표시장치 및 전자방출표시장치용 애노드 기판의 제조방법 {ANODE PLATE FOR ELECTRON EMISSION DISPLAY, ELECTRON EMISSION DISPLAY USING THE SAME, AND METHOD FOR MANUFACTURING ANODE PLATE FOR ELECTRON EMISSION DISPLAY}
본 발명은 전자방출 표시장치용 애노드 기판, 이를 이용한 전자방출 표시장치 및 전자방출 표시장치용 애노드 기판의 제조방법에 관한 것으로, 보다 구체적으로는, 블랙매트릭스의 비저항을 형광층의 비저항 보다 크게 하여 집속효과를 향상시킨 전자방출 표시장치용 애노드 기판에 관한 것이다.
전자방출 표시장치(Electron Emission device)는 전자를 방출시키는 전자방출부와 방출된 전자를 형광층에 충돌시켜 이를 발광시킴으로써 영상이 구현되도록 하는 화상부로 구성되어 있다. 전자방출 표시장치는 전계방출 표시장치를 포함하는 개념이다. 전계 방출 표시장치(FED; field emission display)를 설명하면, 전계방출 표시장치는 캐소드 기판과 애노드 기판으로 구성되고, 캐소드 기판은 캐소드 전극과 에미터를 구비하여 인가되는 전압에 의해 에미터로부터 전자를 방출시키고, 방출된 전자를 애노드 전극에 마련된 형광층에 충돌시켜 이를 발광시킴으로써 영상을 구현하는 표시장치로서, 캐소드 전극과 게이트 전극 및 애노드 전극을 구비한 3극관 구조가 널리 사용되고 있다. 전자방출표시장치의 애노드 기판에는 일반적으로 블랙매트릭스가 구비되어 있다. 블랙매트릭스는 화소 영역 각각의 사이에 형성됨으로써 단위화소에 인접한 다른 화소에 전자가 충돌하는 상황을 방지하는 역할을 수행한다. 종래 기술에 의한 블랙매트릭스를 구비하는 애노드 기판은 한국공개특허공보 제2002-41954호, 제2002-7174호 등에 상세히 개시되어 있다.
이러한 종래 기술의 문헌들을 참조하면, 애노드 기판의 블랙 매트릭스는 애노드 전극 상에 형성된 도전성 물질로 되어 있다. 그러나, 이와 같은 블랙매트릭스는 단순히 전자빔의 차단역할을 수행하여 인접화소에 충돌하는 전자들을 막아서 색퍼짐 현상을 다소 완화시켜줄 뿐 전자빔의 집속에는 큰 도움이 되지 못하는 문제점이 있다.
한편, 전자방출 표시장치에서 색퍼짐으로 인하여 화상의 질이 저하되는 문제점을 극복하기 위한 노력은 지속적으로 행하여 지고 있지만 아직도 획기적인 성과를 보지 못하고 있는 실정이다.
상술한 문제점을 해결하기 위해 안출된 것으로, 본 발명의 목적은 전자빔의 집속을 보다 용이하게 할 수 있도록 하는 블랙매트릭스를 구비하는 전자방출 표시장치용 애노드 기판 및 이를 이용한 전자방출표시장치를 제공하는 것이다.
본 발명의 다른 목적은 제조공정이 단순하고 제조비용이 저렴하면서 집속효과가 우수한 전자방출 표시장치용 애노드 기판의 제조방법을 제공하는 것이다.
본 발명의 또 다른 목적은 전자방출표시장치의 콘트라스트와 색균일도를 향상시키기 위한 것이다.
본 발명의 또 다른 목적은 전자방출 표시장치의 애노드 기판에서 전자빔의 집속을 향상시킬 수 있도록 형광층과 블랙매트릭스 사이의 비저항을 최적화시키는 것이다.
상술한 문제점을 해결하기 위한 기술적 수단으로서, 본 발명의 제1 측면은 투명 기판; 상기 투명 기판 상에 형성되어 다수의 개구부를 갖는 블랙매트릭스; 상기 블랙매트릭스의 개구부 내에 형성된 형광층; 및 상기 형광층에 접속된 애노드 전극을 구비하되, 상기 블랙매트릭스의 비저항은 상기 형광층의 비저항 보다 큰 전자방출 표시장치용 애노드 기판을 제공한다.
바람직하게는, 형광층 상에는 전도성 박막층이 더 구비되고. 전도성 박막층은 알루미늄, 니켈, 코발트, 동, 철, 금, 은, 로듐, 팔라듐, 백금 ,아연, 산화인듐주석, 산화인듐아연 및 산화주석 중 적어도 하나로 구성될 수 있다.
바람직하게는, 블랙매트릭스의 비저항은 102 내지 105 Ωcm 이다.
바람직하게는, 형광층 내부에는 전도성 물질이 더 첨가되어 있고, 전도성 물질은 알루미늄, 니켈, 코발트, 동, 철, 금, 은, 로듐, 팔라듐, 백금 ,아연, 산화인듐주석, 산화인듐아연 및 산화주석 중 적어도 하나의 원소의 입자들로 구성될 수 있다.
본 발명의 제2 측면은 제1 기판 상에 소정의 간격을 두고 다수의 스트라이프 형상으로 패턴된 애노드 전극, 상기 애노드 전극과 접속된 형광층, 및 블랙 매트릭스를 구비하는 애노드 기판; 상기 애노드 기판에 대향되어 소정의 간격을 가지고 배치되고, 제2 기판 상에 전기적으로 절연되어 매트릭스 형태로 배치되어 단위 화소들을 정의하는 캐소드 전극과 게이트 전극, 상기 단위화소들의 각 캐소드 전극 에 접속하며 형성된 전자 에미터를 구비하는 캐소드 기판; 및 상기 애노드 기판과 상기 캐소드 기판을 지지하는 지지수단을 구비하되, 상기 블랙 매트릭스의 비저항은 상기 형광층의 비저항보다 큰 전자방출 표시장치를 제공한다.
본 발명의 제3 측면은 투명 기판 상에 애노드 전극을 형성하는 단계; 상기 애노드 전극의 일부를 노출하는 다수의 개구부를 갖도록 블랙매트릭스를 형성하는 단계; 상기 노출된 애노드 전극 상에 형광층을 형성하는 단계를 구비하되, 상기 블랙매트릭스의 비저항은 상기 형광층의 비저항 보다 큰 전자방출 표시장치용 애노드 기판의 제조방법을 제공한다.
바람직하게는, 블랙매트릭스는 흑색안료를 함유한 비도전성 감광성 페이스트를 도포하고 노광, 현상하여 패턴을 형성하거나, 불투과성 유전체를 진공증착법 또는 스퍼터링 방법으로 1 내지 20 ㎛ 정도 증착, 패터닝하여 형성할 수 있다.
바람직하게는, 형광층 상에 전도성 금속 박막층을 형성하는 단계를 더 포함한다
이하, 본 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자가 본 발명의 기술적 사상을 용이하게 실시할 수 있을 정도로 상세히 설명하기 위하여, 본 발명의 바람직한 실시예들을 첨부된 도면들을 참조하여 설명한다.
(전자방출 표시장치용 애노드 기판)
이하, 첨부한 도면들을 참조하여 본 발명의 바람직한 실시예에 따른 전자방출 표시장치용 애노드 기판을 상세히 설명한다. 도 1은 본 발명의 바람직한 실시예들에 따른 전자방출 표시장치용 애노드 기판의 일부 단면도이다.
애노드 기판(1)은 투명 기판(4) 상에 형성되어 다수의 개구부를 갖는 블랙매트릭스(20)과, 개구부 내 애노드 전극(12) 위에 형성된 R,G,B 형광체들로 이루어진 형광층(18)을 구비한다. 애노드 전극(12)은 투명 기판(4)과 형광층(18) 사이에 형성된 것으로 도시하고 있지만 반드시 이에 한정되지 않고 형광층(18)과 접속되어 있으면 형광층(18) 상부에 배치될 수도 있다.
본 발명에 따르면, 투명 기판(4)상에 형성된 블랙매트릭스(20)의 비저항이 형광체의 비저항 보다 크도록 구성된다. 바람직하게는, 블랙매트릭스의 비저항은 102 내지 105 Ωcm 정도로 구성할 수 있다. 이와 같은 범위의 비저항을 갖는 블랙매트릭스 물질은 편리하게 입수가능하여 양산에 실제 적용하는 것이 간편한 장점이 있고, 일정 이상의 집속효과를 확보할 수 있는 장점이 있다. 산화아연주석(Indium Tin Oxide;ITO)층이 형광층 상부에 형성되면 ITO의 비저항은 대략 10-3 Ωcm이고, 블랙매트릭스의 비저항이 102 내지 105 Ωcm 정도이면, 블랙매트릭스의 비저항은 형광층의 비저항 보다 105 내지 108배 크게 구성할 수 있다.
한편, "비저항"이라 함은 물질 고유의 전기저항을 나타내는 값으로, 비전기 저항의 약칭이며 고유저항이라고도 한다. 또한, 비저항(ρ)은 전기전도율의 역수이다. MKSA단위는 Ωcm이다. 수식으로 비저항을 나타내면, 단면적 S, 길이 l인 저항 R은 R=(l/S)ρ 로 된다.
종래 기술에 의한 경우, 블랙매트릭스의 비저항은 현저히 적은 값을 가지고 있었다. 예를 들어, 산화아연주석층을 형성하고 그 상에 크롬막으로 패턴을 형성하고 흑색화를 통해서 블랙매트릭스를 제조하는 경우 비저항은 10-3 Ωcm 이하가 된다.
그러나, 본 발명자들은 블랙매트릭스의 비저항이 형광체의 비저항 보다 클수록 전자빔의 집속효과가 색재현성 등이 우수해 지는 현상을 발견하였다. 따라서, 블랙매트릭스의 비저항을 가능한 크게 하고 형광체의 비저항을 적게 함으로써 이와 같은 조건을 만족할 수 있게 된다. 다만, 블랙매트릭스로 채용가능한 물질의 종류에 대한 제한으로 소정치 이상의 비저항을 갖도록 하는 것이 용이하지 않을 수 있다. 선택적으로 또는 함께, 형광체의 비저항을 줄이는 방식을 채택할 수도 있다.
블랙매트릭스의 비저항을 가능한 크게 하고 형광체의 비저항을 적게 하기 위한 조건을 만족시키기 위한 방안으로서, 블랙매트릭스에 채용할 수 있는 물질은 비저항이 형광층 보다 큰 물질이면서 가시광선을 불투과하는 물질이면 특별히 한정하지 않고 다양한 종류가 가능하다. 예컨대, DUPONT사의 Black Fodel이 있다. 바람직하게는, 흑색안료를 함유한 비도전성 감광성 페이스트를 도포하고 노광, 현상하여 패턴을 형성할 수도 있고, 불투과성 유전체를 진공증착법 또는 스퍼터링 등의 방법으로 1 내지 20 ㎛ 정도 증착하고 패터닝하여 사용할 수 있다.
한편, 형광체는 적색, 녹색, 청색의 형광체를 통상의 리소그라피 공정을 이용하여 예컨대 10 ㎛ 로 형성하고, 공지의 형광체를 이용할 수 있다. 형광체의 비저항을 더 감소시키기 위한 방안으로서, 형광체의 표면의 일정 영역에 가시광선을 투과할 수 있을 정도의 두께, 예를 들어 수백 Å,로 알루미늄, 니켈, 코발트, 동, 철, 금, 은, 로듐, 팔라듐, 백금, 아연 또는 이들의 하나 이상의 조합으로 이루어진 물질을 패터닝하여 형성할 수 있으며, 산화인듐주석, 산화인듐아연 및 산화주석 같은 투명도전성 물질을 수백 Å 내지 수㎛ 정도로 증착하여 형성할 수 있다. 바람직하게는 산화인듐주석층을 형성한다.
한편, 형광체 상에 다른 투명도전층을 형성하는 경우 캐소드 기판으로 부터 방출된 전자빔은 형광체 물질 보다 표면의 전도성 물질에 의해 집속 효과를 나타낸다. 따라서, 증착된 투명도전층의 두께가 일정치 이상인 경우, "형광체의 비저항"이라 함은 형광체 표면에 증착된 투명도전층의 비저항의 의미로 파악할 수 있을 것이다.
형광체의 비저항을 감소시키는 다른 방안으로서는, 형광체 물질, 예컨대 도료,에 전술한 금속들 중 적어도 하나의 원소의 입자들을 함유시키고 이러한 도전성 물질이 함유된 형광체 물질을 준비하고 슬러리법에 의해 전체 기판 상부에 도포하고 소성하여 예컨대 10 ㎛ 로 형광층을 형성한다.
(전자방출 표시장치)
이하, 도 2를 참조하여 본 발명의 바람직한 실시예에 따른 전자방출 표시장치를 설명한다. 도 2는 본 발명의 바람직한 실시예에 따른 전자방출 표시장치의 일부 단면도이다.
도 2의 전자방출 표시장치는 애노드 기판(1)과 캐소드 기판(2)과 이들을 서로 지지하는 스페이서(26)를 포함한다. 캐소드 기판(1)과 애노드 기판(2)은 통상적인 방식, 예컨대 스페이스(26)에 의해 200 ㎛ 내지 수 mm 정도로 지지되어 이격되고 실질적으로 평행하게 배치된다.
캐소드 기판(2)은 예컨대 스트라이트 형상의 캐소드 전극(6)이 임의의 간격을 두고 캐소드 기판(2)의 일방향을 따라 복수로 형성된다. 캐소드 전극(6)은 예컨대 산화아연주석과 같은 투명한 전도성 물질로 이루어질 수 있고, 캐소드 전극(6) 위에는 절연층(14)이 소정의 두께(예를 들어 0.1 내지 수십 ㎛)로 형성하고 에미터(16)가 형성되기 위한 개구부들을 갖는다. 절연층(14) 상에는 게이트 전극(10)이 예를 들어 수천 Å의 두께로 형성된다.
이 때, 상기 게이트 전극(10)은 캐소드 전극(6)과 마찬가지로 스트라이프 패턴을 유지하여 임의의 간격을 두고 캐소드 전극(6)에 대해 직교 상태로 배치될 수 있다. 한편, 전자 방출 표시 장치에 있어서는 캐소드 전극(6)과 게이트 전극(10)이 상호 교차되는 부위의 영역이 픽셀 영역으로 대응된다.
캐소드 전극(6) 상에 형성되는 에미터(16)는 그라파이트(graphite), 다이아몬드(diamond), DLC(diamond like carbon), C60(Fulleren) 또는 탄소 나노튜브(CNT; Carbon nanotube)와 같은 탄소계 물질 중 어느 하나로 선택되어 이루어짐이 바람직하며, 본 실시예에서는 특히 탄소 나노튜브를 적용하고 있다. 또한, 도 2에서는 단위 화소당 2개의 에미터(16)가 대응되도록 도시되어 있으나 단위화소 당 1개 이상의 에미터가 대응될 수 있음은 당업자에게는 자명하다.
본 전자 발광 표시장치는 외부로부터 캐소드 전극(6), 게이트 전극(10) 및 애노드 전극(12)으로 소정의 전압(예: 캐소드 전극으로는 0V, 상기 게이트 전극으로는 80V, 상기 애노드 전극으로는 3kV)을 인가받게 되면, 캐소드 전극(6)과 게이트 전극(10) 사이로 전계가 형성되어 에미터(16)로부터 전자들을 방출하고, 이 방출된 전자들은 전자빔화하여 형광층(18)으로 유도되어 형광층(18)에 충돌하며 빛을 발생하게 된다.
(전자방출표시장치용 애노드 기판 제조방법)
다음으로, 도 3a 내지 도 3c를 참조하여 본 발명의 바람직한 실시예에 따른 전자방출표시장치용 애노드 기판의 제조방법의 일예를 상세히 설명한다.
도면들을 참조하면, 투명 기판(4) 상에 애노드 전극(12)을 기판 전체 또는 주기적으로 일정간격을 갖는 스트라이프 형상으로 형성한다.
다음으로, 애노드 전극(12) 상에 블랙매트릭스(20)를 형성하여 화소의 표시영역에 해당하는 개구부들을 형성한다. 이 때 블랙매트릭스 물질의 비저항은 전술한 바와 같이 형광체 물질의 비저항 보다 더 큰 것을 채용한다. 블랙매트릭스(20)은 흑색 안료를 함유한 비도전성 감광성 페이스트를 도포하고 노광, 현상하여 패턴을 형성하거나, 불투과성 유전체를 진공증착법 또는 스퍼터링 방법으로 1 내지 20 ㎛ 정도 증착, 패터닝하여 형성할 수 있다.
다음으로, 블랙매트릭스 패턴(20)이 형성되어 있지 않은 개구부들 내부에 R,G,B 형광체를 도포하여 형광층(18)을 형성한다. 필요에 따라서는 전술한 바와 같이 형광층(18) 상부에 추가적으로 투명성 도전층(미도시)을 더 형성할 수 있다.
(비교예)
블랙매트릭스의 물질에 따른 휘도와 색재현성 등을 비교하기 위해 실험을 실시하였다. 시편의 제작방법을 살펴보면, 유리 기판 상에 약 1300Å 정도의 ITO층을 형성하고 그 상부에 블랙 매트릭스 패턴을 형성하되 비교실험을 위해서 전도성 물질과 비전도성 물질을 구분한다. 비전도성 물질로는 DUPONT사의 Black Fodel재료를 이용하여 2㎛의 두께로 형성하고, 전도성 물질로는 Ag을 2㎛의 두께로 형성하여 소성과정을 거쳐서 형성하였다. 다음으로 형광체 도료를 준비하고 슬러리법에 의해 전체 기판 상부에 도포하고 소성하여 형광층을 블랙매트릭스가 존재하지 않은 영역(개구부)에 잔류하도록 약 10㎛의 두께로 형성하였다. 다음으로, 비전도성 블랙매트릭스가 형성된 시편의 형광층 표면에 ITO층을 약 3000Å 정도로 형성하여 형광층 표면에 잔류시켜 애노드 기판을 준비하였다.
위와 같은 방식으로 시편을 준비한 후, 양 시편의 각 물질들의 비저항을 측정한 결과, 전도성 블랙매트릭스 물질의 경우 10-6Ωcm정도로 측정되었고, 비전도성 블랙매트릭스 물질의 경우 1.43 X 102Ωcm 정도로 측정되었다. 한편, 형광층 표면에 형성된 ITO층의 비저항은 8.1 X 10-4Ωcm정도로 측정되었다.
다음으로, 이와 같이 제조된 애노드 기판을 동일한 캐소드 기판과 패키징하고 발광특성을 측정하였다. 표 1은 비전도성 블랙매트릭스와 전도성 블랙매트릭스를 각각 채용한 애노드 기판을 이용하여 발광특성을 측정한 결과이다.
비전도성 블랙매트릭스 전도성 블랙매트릭스
Ia (㎂) 27.3 36.5
휘도(cd/m2) 20.9 7.5
색재현율(NTSC대비) (%) 32.2 21.8
전도성 블랙매트릭스를 채용한 애노드 기판의 경우 애노드 전류(Ia)가 높은 반면, 휘도는 현저히 낮았으며, 색재현성(NTSC대비)도 낮았다.
도 4는 전도성 블랙매트릭스(BM(A))와 비전도성 블랙매트릭스(BM(B))의 색재현성을 실험한 결과를 도시한 색좌표 그래프이다. x, y 축은 색자극치를 의미한다.
도 4와 표 1을 참조하면, 비전도성 블랙매트릭스(BM(B))를 채용한 경우가 전도성 블랙매트릭스(BM(A))를 채용한 경우에 비해서 우수한 색재현성을 나타내었다. 이는 비전도성 블랙매트릭스의 경우 블랙 매트릭스에 충돌하는 전자들을 줄이고, 형광체로 더 집속할 수 있음을 나타내고 있는 것으로 보인다.
본 발명의 기술 사상은 상기 바람직한 실시예에 따라 구체적으로 기술되었으나, 상기한 실시예는 그 설명을 위한 것이며, 그 제한을 위한 것이 아님을 주지하여야 한다. 또한, 본 발명의 기술 분야에서 통상의 전문가라면 본 발명의 기술 사상의 범위 내에서 다양한 실시예가 가능함을 이해할 수 있을 것이다.
상술한 바와 같이, 본 발명의 애노드 기판에 의하면, 캐소드 기판의 전자 에미터로부터 방출된 전자빔의 집속을 보다 용이하게 하고 색재현성을 향상시킬 수 있고, 제조 공정이 단순하고 제조비용이 저렴하면서 집속효과가 우수한 전자방출 표시장치용 애노드 기판을 제공할 수 있게 된다.
또한, 본 발명의 전자방출 표시장치에 의하면, 콘트라스트와 색균일도를 향상시킬 수 있는 효과가 있다.
도 1은 본 발명의 바람직한 실시예에 따른 전자방출 표시장치의 애노드 기판의 일부 단면도이다.
도 2는 본 발명의 바람직한 실시예에 따른 전자방출 표시장치의 일부 단면도이다.
도 3a 내지 도 3c는 본 발명의 바람직한 실시예에 따른 전자방출 표시장치용 애노드 기판의 제조방법의 일예를 설명하기 위한 도면들이다.
도 4는 전도성 블랙매트릭스와 비전도성 블랙매트릭스의 색재현성을 실험한 결과를 도시한 색좌표 그래프이다.

Claims (12)

  1. 투명 기판;
    상기 투명 기판 상에 형성되어 다수의 개구부를 갖는 블랙매트릭스;
    상기 블랙매트릭스의 개구부 내에 형성된 형광층; 및
    상기 형광층에 접속된 애노드 전극을 구비하되,
    상기 블랙매트릭스의 비저항은 상기 형광층의 비저항 보다 큰 것을 특징으로 하는 전자방출 표시장치용 애노드 기판.
  2. 제1 항에 있어서,
    상기 형광층 상에는 전도성 박막층이 더 구비된 것을 특징으로 하는 전자방출 표시장치용 애노드 기판.
  3. 제2 항에 있어서,
    상기 전도성 박막층은 알루미늄, 니켈, 코발트, 동, 철, 금, 은, 로듐, 팔라듐, 백금 ,아연, 산화인듐주석, 산화인듐아연 및 산화주석 중 적어도 하나로 구성된 것을 특징으로 하는 전자방출 표시장치용 애노드 기판.
  4. 제1 항에 있어서,
    상기 블랙매트릭스의 비저항은 102 내지 105 Ωcm 인 것을 특징으로 하는 전자방출 표시장치용 애노드 기판.
  5. 제1 항에 있어서,
    상기 형광층 내부에는 전도성 투명물질이 더 첨가되어 있는 것을 특징으로 하는 전자방출 표시장치용 애노드 기판.
  6. 제5 항에 있어서,
    상기 전도성 투명물질은 알루미늄, 니켈, 코발트, 동, 철, 금, 은, 로듐, 팔라듐, 백금 ,아연, 산화인듐주석, 산화인듐아연 및 산화주석 중 적어도 하나의 원소의 입자들로 구성된 것을 특징으로 하는 전자방출 표시장치용 애노드 기판.
  7. 제1 기판 상에 소정의 간격을 두고 다수의 스트라이프 형상으로 구성된 애노드 전극, 상기 애노드 전극에 접속되고 소정의 패턴을 가지는 형광층, 및 블랙 매트릭스를 구비하는 애노드 기판;
    상기 애노드 기판에 대향되어 소정의 간격을 가지고 배치되고, 제2 기판 상에 전기적으로 절연되어 매트릭스 형태로 배치되어 단위 화소들을 정의하는 캐소드 전극과 게이트 전극, 상기 단위화소들의 각 캐소드 전극 상에 형성된 전자 에미터를 구비하는 캐소드 기판; 및
    상기 애노드 기판과 상기 캐소드 기판을 지지하는 지지수단을 구비하되,
    상기 블랙 매트릭스의 비저항은 상기 형광층의 비저항보다 큰 것을 특징으로 하는 전자방출 표시장치.
  8. 제7 항에 있어서,
    상기 형광층 상에는 전도성 박막층이 더 구비된 것을 특징으로 하는 전자방출 표시장치.
  9. 제8 항에 있어서,
    상기 형광층 내부에는 전도성 투명물질이 더 첨가되어 있는 것을 특징으로 하는 전자방출 표시장치.
  10. 투명 기판 상에 애노드 전극을 형성하는 단계;
    상기 애노드 전극의 일부를 노출하는 다수의 개구부를 갖도록 블랙매트릭스를 형성하는 단계;
    상기 노출된 애노드 전극 상에 형광층을 형성하는 단계를 구비하되,
    상기 블랙매트릭스의 비저항은 상기 형광층의 비저항 보다 큰 것을 특징으로 하는 전자방출 표시장치용 애노드 기판의 제조방법.
  11. 제10 항에 있어서,
    상기 블랙매트릭스는 흑색안료를 함유한 비도전성 감광성 페이스트를 도포하고 노광, 현상하여 패턴을 형성하거나, 불투과성 유전체를 진공증착법 또는 스퍼터링 방법으로 1 내지 20 ㎛ 정도 증착, 패터닝하여 형성하는 것을 특징으로 하는 전자방출 표시장치용 애노드 기판의 제조방법.
  12. 제10 항에 있어서,
    상기 형광층 상에 전도성 박막층을 형성하는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 전자방출 표시장치용 애노드 기판의 제조방법.
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