KR20050073147A

KR20050073147A - 광 스위치 및 그 제조방법

Info

Publication number: KR20050073147A
Application number: KR1020040001360A
Authority: KR
Inventors: 이현기; 윤상기
Original assignee: 삼성전기주식회사
Priority date: 2004-01-09
Filing date: 2004-01-09
Publication date: 2005-07-13
Also published as: CN1637457A; JP2005196107A; US20050152639A1

Abstract

본 발명은 광 스위치 및 그 제조방법에 관한 것이다. 본 발명에서, 베이스층은 광 신호를 입력하는 입력단 및 상기 입력단으로부터의 광신호를 선택적으로 수용하여 외부로 전달하는 출력단이 형성된다. 미소거울은 상기 베이스층의 입력단으로부터 입력된 광신호의 전달 경로 상에 상기 광 신호와 교차하는 방향으로 이동가능하도록 위치하며, 입력된 광신호를 선택적으로 다른 경로로 변경시키게 된다. 또한 마이크로 전자-기계 시스템(MEMS) 액츄에이터는 상기 광 신호 전달 경로의 상부층에 형성되고, 상기 미소 거울과 연결되어 상기 미소 거울을 상기 광 신호와 교차하는 방향으로 이동시키게 된다.

Description

광 스위치 및 그 제조방법{Optical Switch and its manufacture}

본 발명은 광 스위치 및 그 제조방법에 관한 것으로, 보다 상세하게는 미소 거울과 액츄에이터를 두께가 다른 2단 구조로 제조하여 광 스위치 제조공정을 보다 용이하게하고 광 경로를 축소하여 집적도를 향상하며 전체적인 광 전달 특성을 향상하도록 한 광 스위치 및 그 제조방법에 관한 것이다.

다채널로 형성된 광 스위치(Matrix Optical Switch, M-OSW)는 광 통신 기술의 핵심 부품으로써, N개의 입력단과 N개의 출력단으로 구성된 매트릭스(Matrix)를 형성하여 특정 입력단으로부터 들어오는 광 신호를 원하는 출력단으로 경로를 변경하여 보내는 기능을 한다. 이와 같은 광 스위치는 종래에는 입력단에서 들어온 광 신호를 중간에 전기적인 신호로 변경하여 신호처리를 한 후, 이를 다시 광 신호로 바꾸어서 출력단으로 보내는 구성을 사용하였다.

그러나, 최근 MEMS(Micro Electro-Mechanical System) 기술을 이용하여 입력단으로부터 들어온 광 신호의 경로를 변경하기 위하여 미소 거울과 마이크로 액츄에이터를 사용하여 광 신호를 전기적인 신호로 변경하지 않고 매트릭스 광 스위치를 구현하는 기법이 개발되었다. 이는 스위칭 속도면에서 종래의 광 스위치보다 좋은 특성을 보이고 있다.

도 1은 상기와 같이 MEMS 기술을 이용한 종래의 매트릭스 광 스위치를 도시한 도면이고, 도 2는 도 1의 광 스위치의 단면도이다.

도 1 및 도 2에서, 종래의 광 스위치는 N 개의 입력단 광섬유(101) 및 N 개의 출력단 광섬유(103)를 포함하고 있으며, N ×N 개의 미소 거울(116)과 액츄에이터가 기판(110) 상의 동일층에 배열되어 있다. 입력단 및 출력단 광섬유(101,103)에서 광의 퍼짐에 의한 광 손실을 방지하기 위하여 광을 평행하게 만들어주는 렌즈(102,104)를 광섬유(101,103)의 전면에 연결하게 된다. 이때 렌즈(102,104)의 직경은 광섬유보다 크게 되며 그에 따라서 광의 직경도 커져서, 광을 반사시켜 경로를 변경시키기 위한 미소 거울(116)의 크기도 커져야 한다.

또한, 미소 거울(116)을 움직이기 위한 액츄에이터는 기판(110) 위에 고정부(115) 및 구동부(114)를 통해 형성되며, 미소 거울(116)과 동일한 구조물 층으로 동시에 제작된다. 따라서 액츄에이터의 두께는 미소 거울과 동일하게 된다. 이때 미소 거울, 액츄에이터, 빛의 경로(107)가 동일한 높이의 평면 상에 형성되어 있기 때문에, 액츄에이터와 액츄에이터 사이에서 빛의 경로가 확보되어야 하며, 그에 따라서 광 스위치의 크기를 줄이는데 어려움이 있어왔다. 또한 광의 전달 경로를 줄일 수 없게 되어 광 손실을 감소시키는데 어려움이 있었으며, 채널수를 증가시켜 집적도를 향상하는 것도 전체적인 크기의 제한 때문에 불가능하였다.

이와 더불어, 제조공정 측면에서 액츄에이터와 미소 거울 사이에 공정 중에 나타나는 식각 특성과 요구되는 수준이 서로 달라서 문제점이 발생하게 된다. 즉, 액츄에이터는 미소 거울에 비해 촘촘하고 복잡한 형상으로 가공되어야 하고, 이에 따라 액츄에이터 형성부분의 구조물들 간의 식각되어야 할 폭과 넓이와 미소 거울 형성부분에서 식각될 영역의 폭과 넓이가 크게 차이가 나게 된다. 특히 액츄에이터가 빗살들이 서로 마주보고 있는 콤(comb)형 액츄에이터인 경우 콤 부분과 미소 거울 부분의 식각폭과 넓이에 큰 차이가 나타난다.

이와 같은 경우, 액츄에이터 형성부분은 미소 거울에 비해 식각될 폭이 좁아 식각 공정 중 식각 반응 가스의 주입과 확산이 어려워 미소 거울보다 단위 시간당 깊이 방향으로의 식각율이 낮게 나타나는 특성이 있고, 미소 거울의 경우 식각될 폭이 넓어 반응 가스의 주입과 확산이 빠르고 쉽게 진행되어 동일 공정상에서 액츄에이터 형성 부분보다 높은 식각율을 나타낸다. 이러한 이유 때문에 동일 층 상에 액츄에이터와 미소 거울을 형성하기 위해서는 식각율이 낮은 액츄에이터에 공정 조건을 맞추어 식각율이 높은 공정 조건으로 식각 공정을 진행한다. 그런데, 식각율이 높게하여 식각 공정을 진행하면 미소 거울의 측벽 표면의 거칠기가 식각율에 비례하여 커지는 현상과 에칭가스에 노출되는 시간이 길어지는 이유로 인해 미소 거울 측벽의 손상 문제가 크게 발생한다. 또한, 식각율이 낮은 특성을 보이는 액츄에이터의 식각 공정을 위해 장시간의 식각 공정과 높은 식각율에 견디기 위해 식각 마스크(mask)의 두께 및 경도가 커져야 하는 문제가 발생하게 된다.

에칭 마스크의 두께 및 경도가 커야만 높은 식각율과 장시간의 공정 조건 하에서도 에칭되지 않는 부분이 그대로 유지될 수 있어 형상이 제대로 형성되기 때문이다. 그러나, 에칭 마스크의 두께를 크게 하고 경도를 높이기 위해서는 에칭 마스크 선택에 제한을 가하고, 에칭 패턴 형성의 정밀도를 저하시키는 요인이 된다.

따라서, 상기와 같은 구조 및 공정 상에서의 여러 문제들을 해결하고자 하는 연구가 당 기술분야에서 계속되어 왔다.

본 발명은 상기와 같은 문제점을 해결하기 위한 것으로, 광 스위치의 액츄에이터와 미소 거울을 다른 층 상에 형성하도록 하여 광 스위치의 크기를 소형화시킬 수 있고 채널수를 증대시킬 수 있으며, 광 경로를 축소하여 광전송에 따른 손실을 줄일 수 있는 광 스위치를 제공하는 것을 목적으로 한다.

또한, 본 발명은 광 스위치의 제조공정에 있어서 액츄에이터와 미소 거울을 다른 층상에 별도로 형성하도록 하여 광 스위치의 제조공정을 보다 용이하게 하고 제조된 구조물의 특성을 향상시키도록 하는 광 스위치 제조방법을 제공하는 것을 목적으로 한다.

상기와 같은 목적을 달성하기 위한 구성수단으로서, 본 발명은 광 신호를 입력하는 입력단 및 상기 입력단으로부터의 광신호를 선택적으로 수용하여 외부로 전달하는 출력단이 형성되는 베이스층; 상기 베이스층의 입력단으로부터 입력된 광신호의 전달 경로 상에 상기 광 신호와 교차하는 방향으로 이동가능하도록 위치하며, 입력된 광신호를 선택적으로 다른 경로로 변경시키는 미소 거울; 및 상기 광 신호 전달 경로의 상부층에 형성되고, 상기 미소 거울과 연결되어 상기 미소 거울을 상기 광 신호와 교차하는 방향으로 이동시키는 마이크로 전자-기계 시스템(MEMS) 액츄에이터; 을 포함하는 광 스위치를 제공한다.

바람직하게는, 상기 베이스층에는 광 신호 전달경로와 간섭하지 않는 높이의 지지구조물이 형성되고, 상기 지지구조물의 상부에 상기 액츄에이터가 안착되는 것을 특징으로 한다.

또한 바람직하게는, 상기 입력단 및 출력단은 균일한 간격을 이루며 배열되는 N 개의 광 섬유를 각각 포함하고, 상기 미소 거울 및 MEMS 액츄에이터는 상기 입력단 및 출력단에 대응하도록 N X N 개가 매트릭스를 이루도록 배열되는 것을 특징으로 한다.

또한 바람직하게는, 상기 미소 거울은 상기 광 신호 전달 경로 상에서 전달되는 광 신호를 소정 각도로 반사시키는 초기위치를 갖고, 상기 MEMS 액츄에이터의 작동에 의해 액츄에이터를 향해 당겨지는 방향으로 이동하는 것을 특징으로 한다.

또한 바람직하게는, 상기 MEMS 액츄에이터는 콤(comb) 액츄에이터인 것을 특징으로 한다.

또한 본 발명은 광 신호를 입력하는 N 개의 광섬유로 배열되는 입력단 및 상기 입력단으로부터의 광신호를 선택적으로 수용하여 외부로 전달하는 N 개의 광섬유가 배열되는 출력단이 형성되는 베이스층; 상기 입력단 광섬유와 상기 출력단 광섬유들로부터 뻗어있는 광 신호 전달경로가 교차하는 지점 상에 위치하며, 상기 입력단으로부터 입력된 광신호를 선택적으로 다른 경로로 변경시키도록 광 신호와 교차하는 방향으로 이동가능하도록 위치하는 N X N 개의 미소 거울; 및 상기 광 신호 전달경로의 상부층에 형성되고, 상기 미소 거울과 연결되어 상기 미소 거울을 상기 광 신호와 교차하는 방향으로 이동시키는 N X N 개의 마이크로 전자-기계 시스템(MEMS) 액츄에이터가 형성되는 구동층;을 포함하는 광 스위치를 제공한다.

바람직하게는, 상기 베이스층에는 광 신호 전달경로와 간섭하지 않는 높이의 지지구조물이 형성되고, 상기 지지구조물의 상부에 상기 구동층이 안착되는 것을 특징으로 한다.

또한 본 발명은 글래스 웨이퍼를 식각하여 지지구조물을 형성하는 단계; Si층으로 형성된 Si 웨이퍼를 마련하는 단계; 상기 Si 웨이퍼에 미소 거울을 형성하도록 식각하는 단계; 상기 Si 웨이퍼의 미소 거울이 상기 글래스 웨이퍼의 지지구조물 사이에 위치하도록 상기 Si 웨이퍼를 상기 글래스 웨이퍼의 상부에 접합하는 단계; 상기 Si 웨이퍼를 식각하여 MEMS 액츄에이터를 형성하는 단계; 및 상기 글래스 웨이퍼의 지지구조물 사이로 광 신호가 전달되도록 입력단 및 출력단 광섬유를 배열하는 단계;를 포함하는 광 스위치 제조방법을 제공한다.

바람직하게는, 상기 지지구조물은 광 신호 전달경로와 간섭하지 않는 높이로 형성되는 것을 특징으로 한다.

또한 바람직하게는, 상기 입력단 및 출력단 광섬유는 균일한 간격을 이루며 배열되는 N 개씩 배열되며, 상기 미소 거울 및 MEMS 액츄에이터는 상기 입력단 및 출력단에 대응하도록 N X N 개가 매트릭스를 이루도록 배열되는 것을 특징으로 한다.

이하 본 발명의 바람직한 실시예에 대하여 첨부된 도면에 따라서 보다 상세히 설명한다. 도 3은 본 발명에 의한 광 스위치의 평면도이고, 도 4는 본 발명에 의한 광 스위치의 단면도이다.

본 발명에 의한 광 스위치는 광 신호 전달 경로상에 광 신호와 교차하는 방향으로 위치하는 미소 거울을 이동시키는 액츄에이터를 광 신호 전달경로가 형성된 층과 다른 층상에 위치시키도록 하여 집적도를 높이도록 구성하였다.

도 3에서, 베이스층(10)에는 광 신호의 입력단(3)과 광 신호 출력단(6)이 형성된다. 광 신호 입력단(3)은 N개의 광 섬유(1)가 일정간격으로 배열되어 있으며, 광 섬유(1)의 전단에는 광 신호의 확산을 방지하는 렌즈(2)가 연결된다. 또한 출력단(6)은 입력단의 광 섬유 개수와 동일한 개수(N개)의 광 섬유(5)가 배열되며, 마찬가지로 입력단으로부터 전달되는 광 신호를 집중하여 전달받을 수 있도록 광 섬유 전단면에 렌즈(4)가 형성된다. 상기 출력단(6)은 입력단(3)으로부터의 광 신호를 선택적으로 수용하여 외부로 전달하게 된다.

상기 입력단 및 출력단을 구성하는 광 섬유는 광학 섬유라고도 하며, 합성수지를 재료로하는 것도 있으나, 주로 투명도가 좋은 유리로 형성된다. 광 섬유는 중앙의 코어(core)부분을 주변에서 클래딩(cladding) 부분이 감싸고 있는 이중의 원기둥 형상이다. 광 섬유의 외부에는 충격으로부터 보호하기 위한 합성수지 피복이 입혀진다. 광 섬유의 코어부분의 굴절율은 클래딩 부분의 굴절율보다 높으며, 이러한 구조에 의해 광 신호가 코어부분에 집중되어 손실없이 진행할 수 있게 된다.

상기 베이스층(10)에는 입력단(3)으로부터 입력된 광신호가 진행할 수 있는 광 신호 전달경로(20)가 형성된다. 광 신호 전달경로(20)는 광 신호가 아무런 장애물 없이 진행할 수 있는 공간이 형성됨을 의미하며, 이들 경로 상에는 광 신호와 교차하는 방향으로 이동가능하도록 위치하는 미소 거울(16)이 배열된다.

미소 거울(16)은 입력된 광 신호를 반사시켜 출력단(6)으로 경로를 변경시키게 되고, 광 신호와 접촉하게 되는 일단은 자유단이 되며, 그 상부측의 타단은 구동을 위한 액츄에이터와 연결된다.

본 발명에서 미소거울(16)의 구동을 위한 액츄에이터(11)는 마이크로 전자 기계 시스템(Micro Electro Mechanical System, 이하 "MEMS") 액츄에이터가 사용된다.

상기 MEMS 액츄에이터는 초소형의 구동수단으로, 실리콘 웨이퍼에 식각을 통해 구동구조를 형성하고 이에 전압을 인가하여 미세 구동을 하게 된다. 상기 미소거울(16)은 통상적으로 MEMS 액츄에이터와 일체로 형성된다.

MEMS 액츄에이터(11)는 광 신호 전달경로(20)의 상부층에 배열되는 구동층(40)에 형성된다. 구동층(40)은 도 4에 도시한 바와 같이 광 신호 전달경로(20)의 상부에 위치하게 되며, 미소 거울(16)은 광 신호 전달경로(20)에서부터 구동층(40)까지 형성된다. 미소거울(16)의 상부는 구동층(40)에 형성된 액츄에이터의 구동부(14)와 연결된다. 상기 구동층(40)에는 액츄에이터(11)를 형성하기 위하여 구동부(14)와 구동부를 고정하는 고정부(15)를 형성하게 된다.

MEMS 액츄에이터(11)의 고정부(15)에는 전압이 인가되는 단자(도시하지 않음)가 형성되고, 상기 단자는 액츄에이터에 전압을 인가하여 액츄에이터가 구동할 수 있도록 한다. MEMS 액츄에이터는 바람직하게는 콤(comb)형 액츄에이터가 된다.

상기 미소거울(16) 및 액츄에이터(11)는 상기 입력단(3) 및 출력단(6)에 배열되는 광 섬유(1,5)의 개수에 대응하도록 N X N 개가 배열된다. 즉, N 행과 N 열의 매트릭스(matrix)를 이루게 된다.

상기 베이스층(10)에는 도 4에서와 같이 상방으로 돌출되는 지지구조물(32)이 형성되고, 지지구조물(32) 사이로 광 경로가 형성된다. 지지구조물(32)의 상부에는 미소거울(16) 및 액츄에이터(11)를 구성하는 구동부(14) 및 고정부(15)가 형성되는 구동층(40)이 위치하게 된다.

도 3에서, 미소거울(16)은 최초에는 광 신호 전달경로 상에서 광 신호를 반사시키도록 배열되어 있다. 그후 액츄에이터의 작동에 의해 미소거울이 당겨져서 광 신호 전달경로가 형성되도록 배열된다. 액츄에이터는 콤(comb)형 액츄에이터가 될 수 있으며, 전원이 인가되면 도 3의 화살표방향으로 미소거울이 당겨지도록 형성된다.

본 발명의 광 스위치는 종래와 달리 액츄에이터가 광 신호 전달경로와 동일평면 상에 있지 않고 다른 층 상에 형성되도록 하는 것을 특징으로 한다. 따라서, 미소거울(16)이 베이스층(10) 상부면에서부터 구동층(40)까지 두층에 걸쳐서 형성된다.

본 발명의 광 스위치는 베이스층(10)에 액츄에이터를 형성하지 않게 됨으로 인하여 광 경로 사이에서 액츄에이터의 형성공간을 생략할 수 있는 장점이 있게 된다. 즉, 종래와 달리 광 경로들 간의 간격이 줄어들 수 있게 되는 것이다. 이는 액츄에이터를 베이스층의 상부 구동층에 별도로 형성하는 것에 의해 가능하게 된다. 이에 따라 동일한 채널의 광 스위치에서, 본 발명의 구조에 의한 광 스위치는 보다 작은 크기를 갖도록 설계할 수 있다. 또한 반대로 동일한 크기의 광 스위치에서 보다 많은 채널수를 갖도록 설계할 수도 있게 된다.

또한 본 발명의 구조에 의하면, 광 신호의 전달경로를 짧게 할 수도 있다. 즉, 종래와 동일한 채널수를 배열한다고 가정하면, 베이스층에 형성되는 광 경로들 간의 간격이 줄어들게 되고, 이에 의해 입력단에서 출력단으로 전달되는 광 신호의 경로가 종래보다 줄어들게 된다. 이러한 구성으로 인해 광 신호의 전달중의 손실을 방지할 수 있게 되는 장점을 제공한다.

또한, 종래의 경우 구동 액츄에이터가 광 신호 전달경로와 같은 층 상에 형성됨으로써 각각의 채널 별로 독립적인 전기신호의 인가가 필수적이었으나, 본 발명에 의하면 액츄에이터가 광 신호 전달경로의 상부에 형성되고, 그에 전압을 인가하는 단자 역시 광 섬유의 상부에 위치하게 되어, 각 채널의 단자 및 그에 연결되는 각 패턴들의 설계의 자유도가 높아지는 장점을 제공한다.

도 5의 (a) 내지 (h)는 본 발명에 의한 광 스위치의 제조공정을 각 단계별로 도시한 도면이다. 이하에서 각 단계별로 설명하기로 한다.

먼저, 광 스위치의 베이스층(10)이 되는 글래스 웨이퍼를 마련한다. 웨이퍼는 글래스 재질로써 액츄에이터의 배열이 용이하도록 투명한 것이 바람직하다. 이러한 글래스 웨이퍼(10)의 상부면에 식각(에칭,etching) 마스크로 사용되는 패턴을 형성한다. 패턴은 건상 필름 레지스트(dry flim resist) 등으로 형성할 수 있다. (도 1(a))

이와 같이 형성되는 패턴(31)에 따라 지지구조물(32)을 형성하도록 식각한다. 지지구조물(32)은 구동층(40)을 지지하도록 형성되는 것으로, 지지구조물(32) 사이에서 광 신호 전달경로가 형성된다. (도 5(b)) 이때 지지구조물(32)은 베이스층에 형성되는 광 신호 전달경로와 간섭하지 않는 충분한 높이로 형성되는 것이 바람직하다.

이와 같이 지지구조물(32)이 형성된 베이스층(10)을 형성한 후, 별도의 Si 웨이퍼(40)를 마련한다.(도 5(c)) Si 웨이퍼(40)에 미소거울을 형성하기 위해 식각패턴(41)을 형성하며, 이를 식각하여 소정면적을 갖는 미소거울(16)을 형성한다. (도 5(d))

상기와 같이 미소거울(16)이 형성된 Si 웨이퍼(40)를 뒤집어서 상기 글래스 웨이퍼(10)의 지지구조물(32) 상부면에 접합한다. (도 5(e))

이때 미소거울(16)이 상기 지지구조물의 사이에 형성되는 광 신호 전달경로(20) 상에 위치하게 된다. 또한 접합된 Si 웨이퍼(40)가 미리 정해진 두께가 되도록 폴리싱(polishing)하여 가공한다. (도 5(f))

가공된 Si 웨이퍼(40)에 MEMS 액츄에이터를 형성하기 위하여 상부면에 식각패턴(51)을 형성한다. 그후 이를 식각하여 액츄에이터를 구성하는 구동부(14) 및 고정부(15)를 형성하고, 및 미소거울(16)이 액츄에이터의 구동부(14)와 연결되도록 형성하게 된다. (도 5(g),(h))

또한 이 단계에서는 액츄에이터에 전압을 인가하기 위한 단자들 및 기타 다른 패턴들을 형성하게 된다. 이때 상기 액츄에이터는 콤(comb)형 액츄에이터인 것이 바람직하다.

이와 같이 베이스층을 이루는 글래스 웨이퍼와 그 상부에 배열되는 구동층을 이루는 Si 웨이퍼를 제조한 후, 글래스 웨이퍼의 지지구조물 사이로 광 신호가 전달되도록 입력단 및 출력단 광섬유를 배열한다. 입력단 및 출력단을 이루는 광 섬유는 채널수(N) 만큼 각각 배열되며, 이에 따라서 상기 구동층을 이루는 Si 웨이퍼(40)에 형성되는 액츄에이터 및 미소거울을 N X N 개가 되도록 형성한다.

본 발명의 광 스위치 제조방법에 의하면, 광 신호 전달경로가 형성되는 베이스층과 베이스층 상부에 위치하는 구동층을 별도로 형성하게 된다. 이에 의해 종래의 경우 동일층 상에서 동시에 미소거울과 액츄에이터를 형성함에 따른 식각 특성의 차이에 따른 문제가 발생하지 않게 된다. 즉, 동일 층 상에 액츄에이터와 미소 거울을 형성하기 위해서는 식각율이 낮은 액츄에이터에 공정 조건을 맞추어 식각율이 높은 공정 조건으로 식각 공정을 진행해야 하고 이에 따라 미소 거울의 표면 거칠기가 식각율에 비례하여 커지고, 에칭가스에 노출되는 시간이 길어지는 이유로 인해 미소 거울 측벽의 손상 문제가 크게 발생한다. 또한, 식각율이 낮은 특성을 보이는 액츄에이터의 식각 공정을 위해 장시간의 식각 공정과 높은 식각율에 견디기 위해 식각 마스크(mask)의 두께 및 경도가 커져야 하는 문제가 발생하게 된다.

그러나, 본 발명의 경우 미소거울이 구동층에 먼저 형성되고, 이를 뒤집어서 베이스층에 배열한 후, 액츄에이터를 형성하게 된다. 즉, 액츄에이터와 미소거울의 형성공정이 분리되어 이루어지며, 이에 따라서 미소거울이 액츄에이터 형성에 따른 식각 조건에 영향을 받지 않게 된다. 이에 의해 표면 손상 등의 문제를 방지할 수 있게 된다.

종래는 미소거울과 액츄에이터가 동시에 동일층 상에 형성되기 때문에 미소거울의 두께와 액츄에이터의 두께가 동일하게 되어야 미소거울이 이동할 수 있게 되는데, 본 발명에 의하면 미소거울의 두께(수직 높이)가 액츄에이터의 두께와 다르게 형성될 수 있고, 더욱 바람직하게는 액츄에이터 두께를 충분히 얇은 두께로 형성할 수 있게 되어 가공 시간이 줄어들게 되며, 구동 효율이 높아지고, 식각시 마스크패턴의 두께를 얇게 할 수 있는 장점이 있게 된다.

이상과 같이 본 발명에 의하면 광 스위치의 액츄에이터와 미소 거울을 베이스층과 다른 층 상에 형성하도록 하여 광 스위치의 크기를 소형화시킬 수 있고 채널수를 증대시킬 수 있으며, 광 경로를 축소하여 광전송에 따른 손실을 줄일 수 있는 효과를 제공한다.

또한, 본 발명은 광 스위치의 제조공정에 있어서 액츄에이터와 미소 거울을 베이스층과 다른 층상에 형성하고, 액츄에이터와 미소거울의 제조공정이 별도로 이루어질 수 있도록 하여 광 스위치의 제조공정을 보다 용이하게 하고 제조된 구조물의 특성을 향상시키는 효과를 얻을 수 있다.

본 발명은 특정한 실시예에 관련하여 도시하고 설명하였지만, 이하의 특허청구범위에 의해 마련되는 본 발명의 정신이나 분야를 벗어나지 않는 한도 내에서 본 발명이 다양하게 개조 및 변화될 수 있다는 것을 당업계에서 통상의 지식을 가진 자는 용이하게 알 수 있음을 밝혀두고자 한다.

도 1은 상기와 같이 MEMS 기술을 이용한 종래의 매트릭스 광 스위치를 도시한 도면이다.

도 2는 도 1의 광 스위치의 단면도이다.

도 3은 본 발명에 의한 광 스위치의 평면도이다.

도 4는 본 발명에 의한 광 스위치의 단면도이다.

도 5의 (a) 내지 (h)는 본 발명에 의한 광 스위치의 제조방법을 각 단계별로 도시한 도면이다.

* 도면의 주요부분에 대한 부호의 설명 *

10: 베이스층 11: 액츄에이터

14: 구동부 15: 고정부

16: 미소거울 20: 광신호 전달경로

32: 지지구조물 31,41,51: 마스크패턴

40: 구동층

Claims

광 신호를 입력하는 입력단 및 상기 입력단으로부터의 광신호를 선택적으로 수용하여 외부로 전달하는 출력단이 형성되는 베이스층;

상기 베이스층의 입력단으로부터 입력된 광신호의 전달 경로 상에 상기 광 신호와 교차하는 방향으로 이동가능하도록 위치하며, 입력된 광신호를 선택적으로 다른 경로로 변경시키는 미소 거울; 및

상기 광 신호 전달 경로의 상부층에 형성되고, 상기 미소 거울과 연결되어 상기 미소 거울을 상기 광 신호와 교차하는 방향으로 이동시키는 마이크로 전자-기계 시스템(MEMS) 액츄에이터; 을 포함하는 광 스위치.
제 1항에 있어서, 상기 베이스층에는 광 신호 전달경로와 간섭하지 않는 높이의 지지구조물이 형성되고, 상기 지지구조물의 상부에 상기 액츄에이터가 안착되는 것을 특징으로 하는 광 스위치.
제 1항에 있어서, 상기 입력단 및 출력단은 균일한 간격을 이루며 배열되는 N 개의 광 섬유를 각각 포함하고, 상기 미소 거울 및 MEMS 액츄에이터는 상기 입력단 및 출력단에 대응하도록 N X N 개가 매트릭스를 이루도록 배열되는 것을 특징으로 하는 광 스위치.
제 1항에 있어서, 상기 미소 거울은 상기 광 신호 전달 경로 상에서 전달되는 광 신호를 소정 각도로 반사시키는 초기위치를 갖고, 상기 MEMS 액츄에이터의 작동에 의해 액츄에이터를 향해 당겨지는 방향으로 이동하는 것을 특징으로 하는 광 스위치.
제 1항에 있어서, 상기 MEMS 액츄에이터는 콤(comb) 액츄에이터인 것을 특징으로 하는 광 스위치.
광 신호를 입력하는 N 개의 광섬유로 배열되는 입력단 및 상기 입력단으로부터의 광신호를 선택적으로 수용하여 외부로 전달하는 N 개의 광섬유가 배열되는 출력단이 형성되는 베이스층;

상기 입력단 광섬유와 상기 출력단 광섬유들로부터 뻗어있는 광 신호 전달경로가 교차하는 지점 상에 위치하며, 상기 입력단으로부터 입력된 광신호를 선택적으로 다른 경로로 변경시키도록 광 신호와 교차하는 방향으로 이동가능하도록 위치하는 N X N 개의 미소 거울; 및

상기 광 신호 전달경로의 상부층에 형성되고, 상기 미소 거울과 연결되어 상기 미소 거울을 상기 광 신호와 교차하는 방향으로 이동시키는 N X N 개의 마이크로 전자-기계 시스템(MEMS) 액츄에이터가 형성되는 구동층;을 포함하는 광 스위치.
제 6항에 있어서, 상기 베이스층에는 광 신호 전달경로와 간섭하지 않는 높이의 지지구조물이 형성되고, 상기 지지구조물의 상부에 상기 구동층이 안착되는 것을 특징으로 하는 광 스위치.
제 6항에 있어서, 상기 미소 거울은 상기 광 신호 전달 경로 상에서 전달되는 광 신호를 소정 각도로 반사시키는 초기위치를 갖고, 상기 MEMS 액츄에이터의 작동에 의해 액츄에이터를 향해 당겨지는 방향으로 이동하는 것을 특징으로 하는 광 스위치.
제 6항에 있어서, 상기 MEMS 액츄에이터는 콤(comb) 액츄에이터인 것을 특징으로 하는 광 스위치.
글래스 웨이퍼를 식각하여 지지구조물을 형성하는 단계;

Si층으로 형성된 Si 웨이퍼를 마련하는 단계;

상기 Si 웨이퍼에 미소 거울을 형성하도록 식각하는 단계;

상기 Si 웨이퍼의 미소 거울이 상기 글래스 웨이퍼의 지지구조물 사이에 위치하도록 상기 Si 웨이퍼를 상기 글래스 웨이퍼의 상부에 접합하는 단계;

상기 Si 웨이퍼를 식각하여 MEMS 액츄에이터를 형성하는 단계;

상기 글래스 웨이퍼의 지지구조물 사이로 광 신호가 전달되도록 입력단 및 출력단 광섬유를 배열하는 단계;를 포함하는 광 스위치 제조방법.
제 10항에 있어서, 상기 지지구조물은 광 신호 전달경로와 간섭하지 않는 높이로 형성되는 것을 특징으로 하는 광 스위치 제조방법.
제 10항에 있어서, 상기 입력단 및 출력단 광섬유는 균일한 간격을 이루며 배열되는 N 개씩 배열되며, 상기 미소 거울 및 MEMS 액츄에이터는 상기 입력단 및 출력단에 대응하도록 N X N 개가 매트릭스를 이루도록 배열되는 것을 특징으로 하는 광 스위치 제조방법.
제 10항에 있어서, 상기 MEMS 액츄에이터는 콤(comb) 액츄에이터인 것을 특징으로 하는 광 스위치 제조방법.