FR2805092A1 - Source laser susceptible d'etre selectionnee sous l'effet d'un mems - Google Patents
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Abstract
La présente invention concerne un dispositif optique (10) à sortie laser susceptible d'être sélectionnée sous l'effet d'un MEMS. Il comprend : une source laser (12) à sortie laser (14); et un commutateur (16) à MEMS couplé optiquement à la source laser (12) pour coupler sélectivement, dans une direction (141, 142) susceptible d'être sélectionnée, la sortie laser (14) de la source laser (12). Elle concerne aussi une source laser susceptible d'être sélectionnée sous l'effet d'un MEMS qui comprend un substrat incluant un premier et un deuxième guide d'ondes optique d'entrée et un guide d'ondes optique de sortie; une première et une deuxième sources laser sur le substrat couplées aux guides d'ondes respectifs d'entrée; et un commutateur à MEMS qui inclut un miroir mobile en réponse à un signal de commande, de manière à diriger optiquement vers le guide d'ondes optique de sortie, c'est-à-dire la sortie de source, un signal optique qui provient de l'un ou l'autre des guides d'ondes selon la position de miroir.
Description
La présente invention concerne de façon générale des micro- actionneurs et, en particulier, l'hybridation d'un composant microactionneur, par exemple un système micro-électro-mécanique, ou MEMS selon les initiales du terme anglo-saxon micro-electro-mechanical-system, et d'un composant discret de communications optiques, par exemple un réseau laser, sur lequel il est monté.
Dans un réseau de communications optiques, tant pour des commu nications<B>à</B> longue distance que pour des applications métropolitaines, la plupart des dérangements des systèmes sont provoqués par des défail lances de sources laser. Actuellement, la seule méthode de réparation du système consiste<B>à</B> remplacer la source défaillante, ce qui ne peut pas être effectué instantanément. Des sources de réserve ou des sources redon dantes sont donc nécessaires s'il faut un changement rapide. Le nombre de lasers utilisés dans des systèmes multiplexés <B>à</B> division de longueurs d'ondes, ou WDM selon les initiales du terme anglo-saxon wavelength division multi- plexed, continuent<B>à</B> augmenter pour des configurations de réseaux. Doubler le nombre des sources lasers pour constituer des lasers de secours en cas de dérangement du système devient donc de plus en plus onéreux.
Une solution possible consisterait<B>à</B> utiliser comme source de réserve un laser accordable en longueur d'onde. En cas de défaillance de la source laser principale,<B>à</B> une longueur d'onde quelconque, c'est la source accor- dable qui serait substituée jusqu'à ce que la source défaillante puisse être remplacée. Le problème principal de cette approche est que la stabilité de longueur d'onde de telles sources accordables disponibles commercialement peut être insuffisante. Les sources accordables actuellement disponibles exigent aussi un dispositif séparé de contrôle et de verrouillage sur une longueur d'onde donnée. L'électronique de ce contrôle et de ce verrouillage est actuellement complexe, onéreuse et très encombrante. Aucun compo sant unique commercialisé actuellement ne satisfait<B>à</B> la fois, pour une telle source laser de secours WDM souhaitable,<B>à</B> cette exigence et<B>à</B> d'autres, c'est-à-dire la performance, les coûts, les dimensions, les pertes de couplage et les pertes thermiques.
<B>Il y</B> a donc lieu de rechercher des alternatives. l'une d'elles consiste<B>à</B> couvrir, par exemple, les quarante canaux d'un réseau donné au moyen de cinq modules de huit lasers intégrés dans un réseau unique. Ceci constitue une solution économique en termes d'espace, d'électronique et de coût.
Cette approche consiste<B>à</B> monter sur une plate-forme commune un réseau laser, un combinateur 8xl, un amplificateur optique semi- conducteur, ou SOA selon les initiales du terme anglo-saxon semiconductor optical amplifier, et une photodiode en utilisant la technologie<B>à</B> pastille<B>à</B> protubérances, ou flip-chip selon le terme anglo-saxon. Mais les pertes et les grandes dimensions associées<B>à</B> un combinateur classique peuvent être prohibitives dans un petit boîtier.
Il existe donc un besoin de réaliser une source laser de secours en employant des éléments discrets disponibles tout en satisfaisant aux exigences de conception liées<B>à</B> la performance, au coût, aux dimensions, et aux pertes de couplage et pertes thermiques.
Selon un premier aspect, la présente invention réalise un dispositif optique laser<B>à</B> sortie susceptible d'être sélectionnée sous l'effet d'un MEMS ou, en d'autres termes,<B>à</B> sélection basée sur un MEMS, caractérisé en ce qu'il comprend<B>:</B> <B>-</B> une source laser<B>à</B> sortie laser<B>;</B> et <B>-</B> un commutateur<B>à</B> MEMS couplé optiquement <B>à</B> la source laser pour coupler sélectivement, dans une direction susceptible d'être sélectionnée, la sortie laser de la source laser.
La source laser peut comprendre un réseau laser et une source de réserve<B>à</B> multiples longueurs d'ondes.
La source laser peut comprendre un réseau laser<B>à</B> multiples longueurs d'ondes qui inclut une série de lasers, chacun d'une longueur d'onde différente.
La source de réserve<B>à</B> multiples longueurs d'ondes peut comprendre un laser accordable.
La source de réserve<B>à</B> multiples longueurs d'ondes peut comprendre une source laser<B>à</B> multiples longueurs d'ondes susceptibles d'être sélectionnées.
La source laser peut comprendre un réseau laser. Le réseau laser peut comprendre un réseau laser<B>à</B> multiples longueurs d'ondes qui inclut une série de lasers, chacun d'une longueur d'onde différente.
Le réseau laser peut comprendre un réseau laser<B>à</B> longueur d'onde unique qui inclut une série de lasers qui sont tous de la même longueur d'onde.
Le dispositif peut comprendre en outre <B>-</B> guide d'ondes pour coupler la sortie laser <B>-</B> un photodétecteur pour vérifier que la puissance de sortie laser est suffisante<B>;</B> et <B>-</B> un coupleur<B>à</B> prise couplé optiquement au guide d'ondes pour dévier vers le photodétecteur une fraction de la sortie laser afin capter la puissance.
Selon un deuxième aspect, l'invention réalise une source laser susceptible d'être sélectionnée sous l'effet drun MEMS, caractérisée en ce quelle comprend<B>:</B> <B>-</B> un substrat incluant un premier guide d'ondes optique d'entrée, un deuxième guide d'ondes optique d'entrée et un guide d'ondes optique de sortie<B>;</B> <B>-</B> une première source laser disposée sur le substrat et couplée au premier guide d'ondes optique d'entrée<B>;</B> <B>-</B> une deuxième source laser disposée sur le substrat et couplée au deuxième guide d'ondes optique d'entrée<B>;</B> et <B>-</B> un commutateur<B>à</B> MEMS qui inclut un miroir mobile en réponse<B>à</B> un signal de commande, de manière<B>à</B> diriger optiquement vers le guide d'ondes optique de sortie, qui constitue la sortie de source laser, un signal optique qui provient, soit du premier guide d'ondes optique d'entrée pour une première position du miroir, soit du deuxième guide d'ondes optique d'entrée pour une deuxième position de miroir,.
Le commutateur<B>à</B> MEMS peut comprendre un actionneur pour faire glisser le miroir dans une tranchée afin qu'il reflète sélectivement vers le guide d'ondes optique de sortie le signal optique présent sur deuxième guide d'ondes optique d'entrée. Le commutateur<B>à</B> MEMS peut comprendre un réseau lxN d'action rieurs pour faire glisser sélectivement le miroir dans une tranchée afin reflète sélectivement vers le guide d'ondes optique de sortie le signal optique présent sur le deuxième guide d'ondes optique d'entrée.
Le substrat peut comprendre une carte mère plane en silicium<B>à</B> circuit optique lumineux dans laquelle <B>-</B> le guide d'ondes optique de sortie est disposé de façon linéaire dans trajet linéaire qui vient du premier guide d'ondes optique d'entrée et <B>-</B> le guide d'ondes optique de sortie est disposé de façon non linéaire<B>à</B> distance du deuxième guide d'ondes optique d'entrée.
On peut prévoir que le miroir inclus dans le commutateur<B>à</B> MEMS peut coulisser entre <B>-</B> la première position qui n'obstrue pas un trajet optique entre le premier guide dondes optique d'entrée et le guide d'ondes optique de sortie, et <B>-</B> une deuxième position qui obstrue le trajet optique entre le premier guide d'ondes optique d'entrée et le guide d'ondes optique de sortie, <B>-</B> afin de rediriger le trajet optique entre le deuxième guide d'ondes optique d'entrée et le guide d'ondes optique de sortie.
Le substrat peut comprendre une carte mère plane en silicium<B>à</B> circuit optique lumineux dans laquelle le deuxième guide d'ondes optique d'entrée est disposé perpendiculairement au guide d'ondes optique de sortie.
Le commutateur<B>à</B> MEMS peut comprendre un actionneur pour faire coulisser le miroir dans une tranchée vers une position dressée, en diagonale,<B>à</B> une intersection optique du deuxième guide d'ondes optique d'entrée et du guide d'ondes optique de sortie, afin de refléter sélective ment vers le guide d'ondes optique de sortie le signal optique présent sur deuxième guide d'ondes optique d'entrée.
Selon un troisième aspect, l'invention réalise une source laser susceptible d'être sélectionnée sous l'effet d'un MEMS, caractérisée en ce qu'elle comprend<B>: -</B> <B>-</B> un substrat qui inclut une série de guides d'ondes optiques d'entrée et un guide d'ondes optique de sortie<B>;</B> <B>-</B> un réseau de lasers disposé sur le substrat et incluant une série de lasers qui sont connectés de façon correspondante<B>à</B> chacun des guides d'ondes optique d'entrée de la série afin d'amener en réponse<B>à</B> un signal de commande un faisceau laser sélectionné activé sur l'un guides d'ondes optique d'entrée de la série<B>;</B> et <B>-</B> un commutateur<B>à</B> MEMS <B>à</B> connexions croisées nxl qui inclut série de miroirs mobiles qui peuvent être activés séparément en réponse au signal de commande afin de refléter optiquement vers le guide d'ondes optique de sortie, qui constitue la sortie de source laser, le faisceau laser s élect ionné couplé <B>à</B> partir de l'un des guides d'ondes d'entrée.
Les buts, particularités et avantages de l'invention exposés ci-dessus, ainsi que dautres, ressortiront directement<B>à</B> l'homme de l'art<B>à</B> partir de la description détaillée, des revendications ainsi que des dessins annexés, qui suivent, ou seront reconnus par la mise en pratique de l'invention décrite ici.
Il faut comprendre que tant la description générale qui précédé que la description détaillée qui suit ne constituent que des exemples l'invention et sont prévues pour fournir une vue d'ensemble, ou cadre, pour compren dre la nature et le caractère de l'invention, tels qu'ils sont revendiqués. Les dessins annexés sont inclus pour permettre de mieux comprendre l'inven tion et sont incorporés dans la présente description en tant partie intégrante. Les dessins illustrent divers modes de réalisation l'invention et servent, avec la description,<B>à</B> expliquer les principes et le fonction nement de l'invention.
<B>-</B> La Figure<B>1</B> est une représentation schématique de base d'un dispositif optique<B>à</B> sortie laser susceptible d'être sélectionnée, sous l'effet d'un MEMS, selon la présente invention<B>;</B> <B>-</B> la Figure 2 est une représentation schématique, sous forme réseau, d'un premier mode de réalisation du laser 12 et du commutateur<B>16 à À</B> MEMS de la Figure<B>1,</B> selon la présente invention<B>;</B> <B>-</B> la Figure<B>3</B> est une représentation schématique, sous forme réseau, d'un deuxième mode de réalisation du laser 12 et du commutateur<B>16 à À</B> MEMS de la Figure<B>1,</B> selon la présente invention<B>; -</B> <B>-</B> la Figure 4 est une représentation schématique, sous forme réseau, d'un troisième mode de réalisation du laser 12 et du commutateur<B>16 à À</B> MEMS de la Figure<B>1,</B> selon la présente invention<B>;</B> <B>-</B> la Figure<B>5</B> est une représentation schématique, sous forme de réseau, du troisième mode de réalisation du laser 12 et du commutateur<B>16 à À</B> MEMS de la Figure<B>1,</B> selon la présente invention, en utilisant comme source de réserve 412<B>à</B> la Figure 4 la source 212<B>à</B> longueurs d'ondes susceptibles d'être sélectionnées de la Figure 2, conformément<B>à</B> la présente invention<B>;</B> <B>-</B> la Figure<B>6</B> est une représentation hybridée simplifiée en vue de dessus du mode de réalisation représenté aux Figures<B>3 à 5,</B> conformément<B>à</B> la présente invention<B>;</B> <B>-</B> la Figure<B>7</B> représente un mode de réalisation hybride simplifié de la Figure 2, conformément<B>à</B> la présente invention<B>;</B> <B>-</B> la Figure<B>8</B> représente un mode de réalisation hybride simplifié de la Figure 2, auquel un photodétecteur facultatif<B>820</B> a été ajouté, conformément<B>à</B> la présente invention<B>;</B> <B>-</B> la Figure<B>9</B> représente un mode de réalisation hybride simplifié de la Figure<B>5, ,</B> auquel un photodétecteur facultatif<B>820</B> de la Figure<B>8</B> a été ajouté, conformément<B>à</B> la présente invention<B>;</B> et <B>-</B> la Figure<B>10</B> représente un mode de réalisation hybride simplifié de la Figure 4, en utilisant, comme source de réserve 412 de la Figure 4, laser accordable conformément<B>à</B> la présente invention.
On se réfère maintenant en détails aux modes de réalisation actuelle ment préférés de l'invention dont des exemples sont illustrés dans dessins simplifiés annexés. Chaque fois que possible, les mêmes références numériques sont utilisées dans tous les dessins pour désigner les mêmes éléments ou des éléments similaires. Un exemple de mode de réalisation dispositif optique<B>à</B> sortie laser susceptible d'être sélectionné sous l'effet d'un MEMS, conforme<B>à</B> la présente invention, est représenté<B>à</B> la Figure<B>1</B> et il est désigné généralement partout par la références numériques<B>10.</B>
Au lieu d'utiliser comme approche de réalisation d'une source laser<B>à</B> multiples longueurs d'ondes un combinateur 8xl qui provoque des pertes la présente invention enseigne l'utilisation d'un commutateur<B>à</B> base connexions croisées<B>à</B> MEMS 8xl afin de sélectionner une source laser souhaitée dans une série de sources lasers disponibles. De manière connue dans l'art, un système micro-électro-méca nique MEMS inclut une rangée miroirs mobiles activés par énergie thermique ou électrostatique. Ces miroirs du MEMS sont caractérisés par un comportement effet de sas qui permet des économies d'énergie.
Selon l'invention, le dispositif optique<B>10 à</B> sortie laser susceptible d'être sélectionnée sous l'effet d'un MEMS inclut un premier élément consis tant en une source laser 12<B>à</B> sortie laser 14 représentée de façon générique <B>à</B> la Figure Un deuxième élément consistant en un commutateur<B>16 à</B> MEMS est couplé optiquement <B>à</B> la source laser 12 pour coupler sélective ment la sortie laser 14 de la source laser 12 dans l'une de deux directions 141, 142. Le commutateur<B>16 à</B> MEMS inclut un miroir<B>160</B> qui peut coulisser ou être déplacé d'une autre manière,<B>à</B> partir d'une première position<B>161</B> dans laquelle le miroir<B>160</B> est tracé en traits interrompus pour représenter qu'il est<B>à</B> plat ou dans une autre position non obstruante, par exemple en étant coulissé hors du trajet tout en restant dans une position dressée<B>161',</B> pour constituer un trajet optique linéaire 141 de sortie sans obstruction. Une deuxième position<B>162</B> est tracée en trait plein, et représente le miroir<B>160</B> dans sa direction dressée alignée verticalement, de préférence selon un angle de quarante-cinq degrés ou dans une autre position obstruante, de façon que le miroir<B>160</B> obstrue le trajet optique linéaire afin de réorienter le trajet optique dans une direction perpen diculaire ou une autre direction non linéaire.
Selon le présent mode de réalisation représenté la Figure 2, la source laser 12 de la Figure<B>1</B> est un réseau laser 212 qui peut être, soit un réseau laser<B>à</B> multiples longueurs d'ondes incluant une série de lasers, chacun d'une longueur d'onde différente, c'est-à-dire une source<B>à</B> longueurs d'ondes susceptibles d'être sélectionnées, soit un réseau laser<B>à</B> longueur d'onde unique qui inclut une série de lasers qui sont tous de la même longueur d'onde, c'est-à-dire une cartouche laser permanente, afin de former une source de réserve qui est, soit une source laser sélective en longueur d'onde, soit une source laser permanente redondante, destinée<B>à</B> multiplier la durée de vie de l'ensemble, ce qui peut être désigné par nx, par rapport au cas où un seul laser est présent. De façon correspondante, le commutateur<B>16 à</B> MEMS de la Figure<B>1</B> est un commutateur<B>216 à</B> connexions croisées<B>à</B> MEMS nxl afin d'effectuer un accouplement<B>à</B> connexions croisées avec les n lasers 212 qui sont, soit de la même longueur d'onde, soit de longueurs d'ondes différentes.
En se référant<B>à</B> la Figure<B>3,</B> celle-ci est une représentation schéma tique simple de la manière dont la source de réserve 212 de la Figure 2, dans sa version<B>à</B> longueur d'onde susceptible d'être sélectionnée de la présente invention ou dans une version accordable actuellement disponible, peut être utilisée avec une source ou un réseau laser<B>312</B> fonctionnant normalement pour multiplexer le réseau de sorties dans un mulfiplexeur afin de former une sortie multiplexée <B>330 à</B> utiliser pour un réseau. Ici, la source laser 12 susceptible d'être sélectionnée, sous leffet d'un MEMS, de la Figure <B>1</B> inclut le réseau laser<B>à</B> fonctionnement normal comme première source laser<B>312</B> la source de réserve 212 de la Figure 2 comme deuxième source laser 212<B>à</B> substituer dans une longueur d'onde sélectionnée pour toute longueur d'onde qui ne fonctionne plus. Un commutateur<B>316 à</B> MEMS inclut le miroir sélectionné<B>160,</B> qui est mobile en réponse<B>à</B> un signal de commande qui active aussi la longueur d'onde correspondante de la source laser de réserve 212, afin d'être substitué au laser du premier réseau laser <B>312,</B> de la même longueur d'onde, qui ne fonctionne pas. Par conséquent, soit le commutateur<B>à</B> MEMS dirige optiquement dans la première position <B>161</B> le signal optique fonctionnant normalement qui provient du premier réseau de fonctionnement normal, soit ce commutateur entre substitution, dans la deuxième position<B>162</B> de miroir, le signal de la source de réserve 212 vers le multiplexeur<B>320</B> pour constituer la sortie<B>330</B> de source laser multiplexée.
En se référant<B>à</B> la Figure 4, si une source laser accordable actuelle ment disponible est utilisée comme source de réserve 212<B>à</B> la Figure<B>3,</B> la Figure<B>3</B> peut être représentée plus simplement sous la forme de la source accordable 412 couplée perpendiculairement<B>à</B> un commutateur<B>516 à</B> connexions croisées<B>à</B> MEMS lxn.
<B>Si</B> le couplage diagonal du commutateur<B>316 à</B> MEMS entre l'agence ment<B>à</B> matrices perpendiculaires formées par la première et la deuxième sources 212 et<B>312</B> de la Figure<B>3</B> n'est pas pratique, la source de réserve<B>à</B> longueur d'onde susceptible d'être sélectionnée de la Figure 2 peut rempla cer la source de réserve 412 de la Figure 4 et être tel que représenté<B>à</B> la Figure<B>5</B> où le premier commutateur<B>216 à</B> MEMS, qui est nxl et inclut un miroir activé sélectionné<B>162,</B> est maintenant couplé de façon linéaire<B>à</B> un deuxième commutateur<B>516 à</B> MEMS qui est nxl, <B>à</B> miroir activé corres pondant<B>162'.</B>
En se référant<B>à</B> la Figure<B>6,</B> une version hybride simplifiée en vue de dessus de la source laser<B>10</B> de la Figure<B>1,</B> susceptible d'être sélectionnée sous l'effet d'un MEMS et représentée schématiquement aux Figures<B>3 à 5,</B> est représentée disposée de façon générique sur un substrat<B>600.</B> Le substrat<B>600</B> est de préférence constitué d'une carte mère plane en silicium <B>à</B> circuit optique lumineux. Le substrat<B>600</B> inclut un premier guide d'ondes optique d'entrée<B>601,</B> un deuxième guide d'ondes optique d'entrée<B>602,</B> et un guide d'ondes optique de sortie<B>620</B> qui est de préférence en alignement linéaire avec le premier guide d'ondes optique d'entrée<B>601</B> et aligné perpendiculairement au deuxième guide d'ondes optique d'entrée<B>620.</B> Par conséquent, la première source laser<B>312</B> est disposée sur le substrat<B>600</B> en étant couplée au premier guide d'ondes optique d'entrée<B>601</B> afin d'envoyer les signaux optiques 14 du fonctionnement normal. La deuxième source laser 412 est disposée sur le substrat<B>600</B> en étant couplée au deuxième guide d'ondes optique d'entrée<B>602</B> afin d'envoyer le signal optique de réserve 614 dans cas où une source de réserve doit être, activée en substitution par le signal de commande<B>670.</B> Le commutateur<B>16</B> <B>à</B> MEMS inclut le miroir<B>160</B> qui peut, en réponse au signal de commande <B>670,</B> être déplacé<B>à</B> l'intérieur d'une tranchée<B>760</B> ménagée dans le substrat <B>600</B> afin de diriger optiquement vers le guide d'ondes optique de sortie<B>620,</B> pour constituer la sortie 142 de source laser, un signal optique 614 ou 14 qui, soit provient du premier guide dondes optique d'entrée<B>601</B> dans la première position du miroir<B>161,</B> soit provient du deuxième guide d'ondes optique d'entrée<B>602</B> dans une deuxième position de miroir<B>162.</B> Lorsqu'il est dressé en diagonale en alignement dans la deuxième position<B>162, à</B> l'intersection des guides d'ondes d'entrée et de sortie, le miroir<B>160</B> reflète perpendiculairement ou d'une autre façon non linéaire le trajet optique 14 qui provient de la source de réserve 412,<B>à</B> partir du trajet de sortie 141 sans obstruction, de sorte que la longueur d'onde de réserve de la deuxième source 412 peut être substituée<B>à</B> la longueur d'onde de la première source normale<B>312</B> qui ne fonctionne pas. Puisque le commu tateur<B>16 à</B> MEMS n'est activé que si le laser applicable provenant de la source<B>à</B> fonctionnement normal<B>312</B> est défectueux, le trajet de sortie 141 ne sera pas suivi de façon réaliste mais est représenté ici seulement comme une référence qui renvoie<B>à</B> la Figure<B>1.</B> Comme indiqué en référence la Figure<B>1,</B> la première position non obstruée ou ouverte peut être mise en application par un miroir dressé qui coulisse<B>à</B> l'intérieur de la tranche<B>760</B> dans une position non<B>à</B> plat<B>161', à</B> l'écart de l'intersection formée par le point de croisement entre les guides d'ondes d'entrée et de sortie.
En se référant<B>à</B> la Figure<B>7,</B> cette vue représente une vue simplifiée de l'ensemble hybride de la source de réserve 412 de la Figure<B>6</B> et de la Figure 2. Le commutateur<B>216 à</B> MEMS est réalisé sur le substrat<B>600</B> sous forme de pastille<B>à</B> protubérances qui contient les guides d'ondes optiques <B>(8</B> entrées et<B>1</B> sortie) et les tranchées<B>760 à</B> leurs intersections. Le côté inférieur du commutateur<B>216 à</B> MEMS représenté<B>à</B> plus grande échelle dans un détail<B>700</B> est assemblé comme pastille<B>à</B> protubérances sur le sommet du substrat<B>600</B> où une tranchée interne<B>760</B> du commutateur<B>à</B> MEMS serait placée<B>à</B> une intersection optique du deuxième guide d'ondes optique d'entrée<B>602</B> et du guide d'ondes de sortie<B>620.</B> Le commutateur <B>216</B> MEMS inclut un actionneur<B>750</B> constitué d'une poutre de silicium, qui répond<B>à</B> des variations électrostatiques ou thermiques pour faire coulisser le miroir dans la position dressée<B>162 à</B> l'intérieur de la tranchée<B>760</B> afin de refléter sélectivement vers le guide d'ondes optique de sortie<B>620</B> le signal optique présent sur le deuxième guide d'ondes optique d'entrée<B>602.</B> Des tranchées dans lesquelles le miroir<B>160</B> coulisse sont ménagées dans le guide d'ondes en silice. Les tranchées<B>760</B> sont remplies d'une huile<B>à</B> même indice optique que celui des guides d'ondes<B>602</B> et<B>620</B> en silice. Le miroir du MEMS est coulissé pour entrer dans l'intersection de façon que la lumière soit reflétée vers la sortie,<B>à</B> travers la tranchée, au lieu de traverser simplement, sans obstruction, lorsque le miroir repose<B>à</B> plat. Par conséquent, le commutateur<B>216 à</B> MEMS permet de connecter les guides d'ondes d'entrée et de sortie.
Aucune connexion réelle du commutateur<B>216 à</B> MEMS au laser sélectionné qui se trouve sur une autre microplaquette pour le réseau de réserve 212 n'est nécessaire. Lorsque l'un des huit lasers, par exemple, est sélectionné pour être utilisé, le signal de commande<B>670</B> applique Vénergie au laser sélectionné. La microplaquette ou le réseau laser séparé 212 est placé face aux huit guides d'ondes d'entrée<B>602</B> en silice. Lorsque l'un de ces lasers ou le réseau 212 est initialisé, la lumière qui traverse le petit guide d'ondes d'entrée<B>602</B> est obstruée par le commutateur<B>à</B> MEMS <B>à</B> connexions croisées sous la forme petit miroir dans sa position dressée <B>162,</B> qui est déplacé par un déplacement électrostatique ou thermique en vue d'une réflexion appropriée dans la direction de sortie souhaitée.
Selon l'invention, la source laser<B>10</B> des Figures<B>1</B> et<B>7,</B> susceptible d'être sélectionnée sous l'effet d'un MEMS, peut inclure en outre un photo- détecteur <B>820</B> représenté<B>à</B> la Figure<B>8</B> afin de vérifier que la puissance de la sortie laser 142 est suffisante. Un coupleur 840<B>à</B> prise est couplé optiquement au commutateur<B>216 à</B> MEMS pour dévier vers le photo- détecteur <B>820</B> une fraction de la sortie laser du guide d'ondes<B>620</B> afin de détecter la puissance qui<B>y</B> est contenue.
La Figure<B>9</B> représente une version hybride, conforme aux enseigne ments de la présente invention, de la Figure<B>5 à</B> laquelle est ajouté le photodétecteur facultatif<B>820.</B> De même, la Figure<B>10</B> représente une version hybride de la Figure 4, dans laquelle le laser accordable est utilisé comme source de réserve 412.
Il ressortira clairement<B>à</B> l'homme de l'art que diverses modifications et variantes peuvent être apportées<B>à</B> la présente invention sans s'écarter de l'esprit et du cadre de l'invention. La présente invention doit donc couvrir les modifications et variantes de la présente invention pourvu qu'elles soient incluses<B>à</B> l'intérieur du cadre des revendications et de leurs équivalents.
Claims (1)
- EVENDICATIONS <B>1.</B> Dispositif optique<B>(10) à</B> sortie laser susceptible d'être sélectionnée sous l'effet d'un MEMS, caractérisé en ce qu'il comprend <B>-</B> une source laser (12)<B>à</B> sortie laser (14)<B>;</B> et <B>-</B> un commutateur<B>(16) à</B> MEMS couplé optiquement <B>à</B> la source laser (12) pour coupler sélectivement, dans une direction (141, 142) susceptible d'être sélectionnée, la sortie laser (14) de la source laser (12). 2. Dispositif<B>(10)</B> selon la revendication<B>1,</B> caractérisé en ce que la source laser (12) comprend un réseau laser<B>(312)</B> et une source de réserve (212)<B>à</B> multiples longueurs d'ondes. <B>3.</B> Dispositif<B>(10)</B> selon la revendication 2, caractérisé en ce que la source laser (12) comprend un réseau laser<B>(312) à</B> multiples longueurs d'ondes qui inclut série de lasers, chacun d'une longueur d'onde différente. 4. Dispositif<B>(10)</B> selon la revendication 2, caractérisé en ce que la source de réserve (212)<B>à</B> multiples longueurs d'ondes comprend un laser accordable. <B>5.</B> Dispositif<B>(10)</B> selon la revendication 2, caractérisé en ce que la source de réserve (212)<B>à</B> multiples longueurs d'ondes comprend une source laser<B>à</B> multiples longueurs d'ondes susceptibles d'être sélectionnées. <B>6.</B> Dispositif<B>(10)</B> selon la revendication<B>1</B> caractérisé en ce que la source laser (12) comprend un réseau laser (212). <B>7.</B> Dispositif<B>(10)</B> selon la revendication<B>1,</B> caractérisé en ce que le réseau laser (212) comprend un réseau laser<B>à</B> multiples longueurs d'ondes qui inclut une série de lasers, chacun d'une longueur d'onde différente. <B>8.</B> Dispositif<B>(10)</B> selon la revendication<B>1,</B> caractérisé en ce que le réseau laser comprend un réseau laser (212)<B>à</B> longueur d'onde unique qui inclut une série de lasers qui sont tous de la même longueur d'onde. <B>9.</B> Dispositif<B>(10)</B> selon la revendication<B>1,</B> qui comprend en outre un guide d'ondes<B>(620)</B> pour coupler la sortie laser<B>;</B> un photodétecteur <B>(820)</B> pour vérifier que la puissance de sortie (142) du laser est suffisante<B>;</B> et un coupleur (840)<B>à</B> prise couplé optiquement au guide d'ondes<B>(620)</B> pour dévier vers le photodétecteur <B>(820)</B> une fraction de la sortie laser afin de capter la puissance. <B>10.</B> Source laser (412) susceptible d'être sélectionnée sous leffet d'un MEMS <B>(516),</B> caractérisée en ce quelle comprend<B>:</B> <B>-</B> un substrat<B>(600)</B> incluant un premier guide d'ondes optique<B>(601)</B> d'entrée, un deuxième guide d'ondes optique<B>(602)</B> d'entrée et un guide d'ondes optique<B>(620)</B> de sortie<B>;</B> <B>-</B> une première source laser<B>(312)</B> disposée sur le substrat<B>(600)</B> et couplée au premier guide d'ondes optique<B>(601)</B> d'entrée<B>;</B> <B>-</B> une deuxième source laser (412) disposée sur le substrat<B>(600)</B> et couplée au deuxième guide d'ondes optique<B>(602)</B> d'entrée<B>;</B> et <B>-</B> un commutateur<B>(516) à</B> MEMS qui inclut un miroir (l62# mobile en réponse<B>à</B> un signal de commande, de manière<B>à</B> diriger optiquement vers le guide d'ondes optique<B>(620)</B> de sortie, qui constitue la sortie (142) de source laser, un signal optique qui provient, soit du premier guide d'ondes optique<B>(601)</B> d'entrée pour une première position du miroir <B>(1621,</B> soit du deuxième guide d'ondes optique<B>(602)</B> d'entrée pour une deuxième position de miroir (l62#. <B>Il.</B> Source laser (412) selon la revendication<B>10,</B> caractérisée en ce que le commutateur<B>(516)</B> MEMS comprend un actionneur<B>(750)</B> pour faire glisser le miroir (l62# dans une tranchée<B>(760)</B> afin qu'il reflète sélecti vement vers le guide d'ondes optique<B>(620)</B> de sortie le signal optique présent sur le deuxième guide d'ondes optique<B>(602)</B> d'entrée. 12. Source laser (412) selon la revendication<B>10,</B> caractérisée en ce que le commutateur<B>(516) à</B> MEMS comprend un réseau IxN d'actionneurs pour faire glisser sélectivement le miroir<B>(1621</B> dans une tranchée<B>(760)</B> afin qu'il reflète sélectivement vers le guide d'ondes optique<B>(620)</B> de sortie le signal optique présent sur le deuxième guide d'ondes optique<B>(602)</B> d'entrée. <B>13.</B> Source laser (412) selon la revendication<B>10,</B> caractérisée en ce que le substrat<B>(600)</B> comprend une carte mère plane eri silicium<B>à</B> circuit optique lumineux dans laquelle le guide d'ondes optique<B>(620)</B> de sortie est disposé de façon linéaire dans un trajet linéaire qui vient du premier guide d'ondes optique<B>(601)</B> d'entrée et le guide d'ondes optique<B>(620)</B> de sortie est disposé de façon non linéaire<B>à</B> distance du deuxième guide d'ondes optique<B>(602)</B> d'entrée. 14. Source laser (412) selon la revendication<B>10,</B> caractérisée en ce que le miroir (Iffl inclus dans le commutateur<B>(516) à</B> MEMS peut coulisser entre la première position qui n'obstrue pas un trajet optique entre le pre mier guide d'ondes optique<B>(601)</B> d'entrée et le guide d'ondes optique<B>(620)</B> de sortie, et une deuxième position qui obstrue le trajet optique entre le premier guide d'ondes optique<B>(601)</B> d'entrée et le guide d'ondes optique <B>(620)</B> de sortie, afin de rediriger le trajet optique entre le deuxième guide d'ondes optique<B>(602)</B> d'entrée et le guide d'ondes optique<B>(620)</B> de sortie. <B>15.</B> Source laser (412) selon la revendication<B>10,</B> caractérisée en ce que le substrat<B>(600)</B> comprend une carte mère plane en silicium<B>à</B> circuit optique lumineux dans laquelle le deuxième guide d'ondes optique<B>(602)</B> d'entrée est disposé perpendiculairement au guide d'ondes optique<B>(620)</B> de sortie. <B>16.</B> Source laser (412) selon la revendication<B>15,</B> caractérisée en ce que le commutateur<B>(516) à</B> MEMS comprend un actionneur<B>(750)</B> pour faire coulisser le miroir (162') dans une tranchée<B>(760)</B> vers une position dressée, en diagonale,<B>à</B> une intersection optique du deuxième guide d'ondes optique<B>(602)</B> d'entrée et du guide d'ondes optique<B>(620)</B> de sortie, afin de refléter sélectivement vers le guide d'ondes optique<B>(620)</B> de sortie le signal optique présent sur le deuxième guide d'ondes optique<B>(602)</B> d'entrée. <B>17.</B> Source laser (412) susceptible d'être sélectionnée sous l'effet d'un MEMS <B>(516),</B> caractérisée en ce qu'elle comprend<B>:</B> <B>-</B> un substrat<B>(600)</B> qui inclut une série de guides d'ondes optiques d'entrée et un guide d'ondes optique<B>(620)</B> de sortie<B>;</B> <B>-</B> un réseau (412) de lasers disposé sur le substrat<B>(600)</B> et incluant une série de lasers qui sont connectés de façon correspondante<B>à</B> chacun des guides d'ondes optique d'entrée de la série afin d'amener en réponse<B>à</B> un signal de commande un faisceau laser sélectionné activé sur l'un des guides d'ondes optique d'entrée de la série<B>;</B> et <B>-</B> un commutateur<B>(516) à</B> MEMS <B>à</B> connexions croisées nxI qui inclut une série de miroirs (162# mobiles qui peuvent être activés séparément en réponse au signal de commande afin de refléter optiquement vers le guide d'ondes optique<B>(620)</B> de sortie, qui constitue la sortie (142) de source laser, le faisceau laser sélectionné couplé<B>à</B> partir de l'un<B>(602)</B> des guides d'ondes d'entrée.
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Cited By (13)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2003040802A2 (fr) * | 2001-11-06 | 2003-05-15 | Keyotee | Appareil de projection d'images |
US6754243B2 (en) | 2000-08-09 | 2004-06-22 | Jds Uniphase Corporation | Tunable distributed feedback laser |
US6771855B2 (en) | 2000-10-30 | 2004-08-03 | Santur Corporation | Laser and fiber coupling control |
US6781734B2 (en) | 2001-03-30 | 2004-08-24 | Santur Corporation | Modulator alignment for laser |
US6791694B2 (en) | 2001-01-16 | 2004-09-14 | Santur Corporation | Tunable optical device using a scanning MEMS mirror |
US6795453B2 (en) | 2000-10-30 | 2004-09-21 | Santur Corporation | Laser thermal tuning |
US6813300B2 (en) | 2001-03-30 | 2004-11-02 | Santur Corporation | Alignment of an on chip modulator |
US6816529B2 (en) | 2001-03-30 | 2004-11-09 | Santur Corporation | High speed modulation of arrayed lasers |
US6879442B2 (en) | 2001-08-08 | 2005-04-12 | Santur Corporation | Method and system for selecting an output of a VCSEL array |
US6910780B2 (en) | 2002-04-01 | 2005-06-28 | Santur Corporation | Laser and laser signal combiner |
US6914916B2 (en) | 2000-10-30 | 2005-07-05 | Santur Corporation | Tunable controlled laser array |
US6922278B2 (en) | 2001-03-30 | 2005-07-26 | Santur Corporation | Switched laser array modulation with integral electroabsorption modulator |
US8000368B2 (en) | 2006-07-26 | 2011-08-16 | Santur Corporation | Modulated semiconductor DFB laser array with a MEMS-based RF switch |
Families Citing this family (18)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US7831151B2 (en) * | 2001-06-29 | 2010-11-09 | John Trezza | Redundant optical device array |
US20030039275A1 (en) * | 2001-08-08 | 2003-02-27 | Bardia Pezeshki | Method and system for selecting an output of a DBR array |
US7072031B2 (en) * | 2002-03-27 | 2006-07-04 | Nortel Networks, Ltd. | Alignment laser for use in cross-connects |
US6980572B2 (en) * | 2002-05-28 | 2005-12-27 | The Regents Of The University Of California | Wavelength selectable light source |
CA2434625A1 (fr) * | 2002-09-10 | 2004-03-10 | Sumitomo Electric Industries, Ltd. | Commutateur optique |
US20040086218A1 (en) * | 2002-10-31 | 2004-05-06 | Asia Pacific Microsystems, Inc. | Apparatus and method for optical signal processing system |
US7321710B2 (en) * | 2003-02-07 | 2008-01-22 | William Andrew Clarkson | Apparatus for providing optical radiation |
US7170913B2 (en) * | 2003-06-19 | 2007-01-30 | Multiwave Photonics, Sa | Laser source with configurable output beam characteristics |
US7573928B1 (en) | 2003-09-05 | 2009-08-11 | Santur Corporation | Semiconductor distributed feedback (DFB) laser array with integrated attenuator |
KR20050073147A (ko) * | 2004-01-09 | 2005-07-13 | 삼성전기주식회사 | 광 스위치 및 그 제조방법 |
JP2006300981A (ja) * | 2005-04-15 | 2006-11-02 | Seiko Epson Corp | 光走査装置、光走査装置の制御方法及び画像表示装置 |
US20080253419A1 (en) * | 2005-07-11 | 2008-10-16 | Ellex Medical Pty, Ltd. | Diode Pumped Laser |
KR100810312B1 (ko) * | 2006-02-07 | 2008-03-04 | 삼성전자주식회사 | 다중 채널 방식의 양방향 광 송수신기 |
US7778503B2 (en) * | 2006-03-31 | 2010-08-17 | Nokia Corporation | Electronic device having optical data connection of movable housing parts |
CN100411392C (zh) * | 2006-10-27 | 2008-08-13 | 华为技术有限公司 | 一种对光电集成设备进行保护的方法和系统 |
ITUD20090015A1 (it) * | 2009-01-27 | 2010-07-28 | Global Procurement S R L | Impianto fotovoltaico ad inseguimento, e relativo procedimento di movimentazione |
US9625810B2 (en) | 2011-03-16 | 2017-04-18 | Kla-Tencor Corporation | Source multiplexing illumination for mask inspection |
US8670671B2 (en) * | 2012-01-30 | 2014-03-11 | Oracle International Corporation | Energy-efficient optical source |
Citations (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US4634239A (en) * | 1984-08-03 | 1987-01-06 | Gte Laboratories Incorporated | Multiple port optical fiber switch |
EP0410619A2 (fr) * | 1989-07-25 | 1991-01-30 | AT&T Corp. | Dispositif de commutation de radiation avec un élément de déflexion mobile |
US5572543A (en) * | 1992-04-09 | 1996-11-05 | Deutsch Aerospace Ag | Laser system with a micro-mechanically moved mirror |
US5612968A (en) * | 1995-04-20 | 1997-03-18 | Bell Communications Research, Inc. | Redundant multi-wavelength laser arrays |
US5903687A (en) * | 1997-05-02 | 1999-05-11 | Neos Technologies, Inc. | M input port by N output port optical switching system |
US5960132A (en) * | 1997-09-09 | 1999-09-28 | At&T Corp. | Fiber-optic free-space micromachined matrix switches |
Family Cites Families (8)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH0629915B2 (ja) | 1987-01-29 | 1994-04-20 | インタ−ナショナル・ビジネス・マシ−ンズ・コ−ポレ−ション | 光通信用信号源パッケ−ジ |
JP3322712B2 (ja) | 1993-01-14 | 2002-09-09 | 松下電器産業株式会社 | 光チューナの起動方法及び光チューナ |
US5937117A (en) | 1996-12-27 | 1999-08-10 | Nippon Telegraph And Telephone Corporation | Optical cross-connect system |
US5923462A (en) * | 1997-03-28 | 1999-07-13 | Lucent Technologies Inc. | Dynamic gain control system for optical amplifier and method thereof |
US5870518A (en) | 1997-08-21 | 1999-02-09 | Mcdonnell Douglas Corporation | Microactuator for precisely aligning an optical fiber and an associated fabrication method |
US6404942B1 (en) * | 1998-10-23 | 2002-06-11 | Corning Incorporated | Fluid-encapsulated MEMS optical switch |
US6396976B1 (en) * | 1999-04-15 | 2002-05-28 | Solus Micro Technologies, Inc. | 2D optical switch |
WO2000079311A2 (fr) * | 1999-06-17 | 2000-12-28 | Abushagur Mustafa A G | Commutateur optique |
-
2000
- 2000-02-10 FR FR0001649A patent/FR2805092A1/fr active Pending
-
2001
- 2001-02-07 US US09/778,683 patent/US6693926B2/en not_active Expired - Fee Related
Patent Citations (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US4634239A (en) * | 1984-08-03 | 1987-01-06 | Gte Laboratories Incorporated | Multiple port optical fiber switch |
EP0410619A2 (fr) * | 1989-07-25 | 1991-01-30 | AT&T Corp. | Dispositif de commutation de radiation avec un élément de déflexion mobile |
US5572543A (en) * | 1992-04-09 | 1996-11-05 | Deutsch Aerospace Ag | Laser system with a micro-mechanically moved mirror |
US5612968A (en) * | 1995-04-20 | 1997-03-18 | Bell Communications Research, Inc. | Redundant multi-wavelength laser arrays |
US5903687A (en) * | 1997-05-02 | 1999-05-11 | Neos Technologies, Inc. | M input port by N output port optical switching system |
US5960132A (en) * | 1997-09-09 | 1999-09-28 | At&T Corp. | Fiber-optic free-space micromachined matrix switches |
Cited By (16)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US6754243B2 (en) | 2000-08-09 | 2004-06-22 | Jds Uniphase Corporation | Tunable distributed feedback laser |
US6914916B2 (en) | 2000-10-30 | 2005-07-05 | Santur Corporation | Tunable controlled laser array |
US7382950B2 (en) | 2000-10-30 | 2008-06-03 | Santur Corporation | Laser and fiber coupling control |
US6771855B2 (en) | 2000-10-30 | 2004-08-03 | Santur Corporation | Laser and fiber coupling control |
US7345802B2 (en) | 2000-10-30 | 2008-03-18 | Santur Corporation | Laser and fiber coupling control |
US6795453B2 (en) | 2000-10-30 | 2004-09-21 | Santur Corporation | Laser thermal tuning |
US6791694B2 (en) | 2001-01-16 | 2004-09-14 | Santur Corporation | Tunable optical device using a scanning MEMS mirror |
US6816529B2 (en) | 2001-03-30 | 2004-11-09 | Santur Corporation | High speed modulation of arrayed lasers |
US6813300B2 (en) | 2001-03-30 | 2004-11-02 | Santur Corporation | Alignment of an on chip modulator |
US6922278B2 (en) | 2001-03-30 | 2005-07-26 | Santur Corporation | Switched laser array modulation with integral electroabsorption modulator |
US6781734B2 (en) | 2001-03-30 | 2004-08-24 | Santur Corporation | Modulator alignment for laser |
US6879442B2 (en) | 2001-08-08 | 2005-04-12 | Santur Corporation | Method and system for selecting an output of a VCSEL array |
WO2003040802A2 (fr) * | 2001-11-06 | 2003-05-15 | Keyotee | Appareil de projection d'images |
WO2003040802A3 (fr) * | 2001-11-06 | 2003-11-20 | Keyotee | Appareil de projection d'images |
US6910780B2 (en) | 2002-04-01 | 2005-06-28 | Santur Corporation | Laser and laser signal combiner |
US8000368B2 (en) | 2006-07-26 | 2011-08-16 | Santur Corporation | Modulated semiconductor DFB laser array with a MEMS-based RF switch |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
US6693926B2 (en) | 2004-02-17 |
US20010050928A1 (en) | 2001-12-13 |
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