KR20050068225A - 유기전계발광 소자 - Google Patents
유기전계발광 소자 Download PDFInfo
- Publication number
- KR20050068225A KR20050068225A KR1020030099389A KR20030099389A KR20050068225A KR 20050068225 A KR20050068225 A KR 20050068225A KR 1020030099389 A KR1020030099389 A KR 1020030099389A KR 20030099389 A KR20030099389 A KR 20030099389A KR 20050068225 A KR20050068225 A KR 20050068225A
- Authority
- KR
- South Korea
- Prior art keywords
- electrode
- subpixel
- light emitting
- substrate
- region
- Prior art date
Links
- 238000005401 electroluminescence Methods 0.000 title 1
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 72
- 230000000903 blocking effect Effects 0.000 claims abstract description 26
- 238000003780 insertion Methods 0.000 claims abstract description 25
- 230000037431 insertion Effects 0.000 claims abstract description 25
- 239000010409 thin film Substances 0.000 claims abstract description 22
- 238000005192 partition Methods 0.000 claims abstract description 18
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 17
- 239000011159 matrix material Substances 0.000 claims description 11
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims description 8
- 239000011347 resin Substances 0.000 claims description 6
- 229920005989 resin Polymers 0.000 claims description 6
- 230000009977 dual effect Effects 0.000 description 13
- 239000000463 material Substances 0.000 description 7
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 5
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 5
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 4
- 238000005538 encapsulation Methods 0.000 description 3
- 238000002347 injection Methods 0.000 description 3
- 239000007924 injection Substances 0.000 description 3
- 239000004973 liquid crystal related substance Substances 0.000 description 3
- 239000007769 metal material Substances 0.000 description 3
- 125000006850 spacer group Chemical group 0.000 description 3
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910004205 SiNX Inorganic materials 0.000 description 2
- 230000002745 absorbent Effects 0.000 description 2
- 239000002250 absorbent Substances 0.000 description 2
- 239000003990 capacitor Substances 0.000 description 2
- 239000003086 colorant Substances 0.000 description 2
- 229910010272 inorganic material Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000011147 inorganic material Substances 0.000 description 2
- 239000011368 organic material Substances 0.000 description 2
- HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N silicon nitride Chemical compound N12[Si]34N5[Si]62N3[Si]51N64 HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000008021 deposition Effects 0.000 description 1
- 230000005684 electric field Effects 0.000 description 1
- 239000010408 film Substances 0.000 description 1
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 1
- 230000005525 hole transport Effects 0.000 description 1
- 239000011261 inert gas Substances 0.000 description 1
- 238000000059 patterning Methods 0.000 description 1
- 238000000926 separation method Methods 0.000 description 1
- 230000035939 shock Effects 0.000 description 1
- 239000007787 solid Substances 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
- H10K59/10—OLED displays
- H10K59/12—Active-matrix OLED [AMOLED] displays
- H10K59/127—Active-matrix OLED [AMOLED] displays comprising two substrates, e.g. display comprising OLED array and TFT driving circuitry on different substrates
- H10K59/1275—Electrical connections of the two substrates
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05B—ELECTRIC HEATING; ELECTRIC LIGHT SOURCES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; CIRCUIT ARRANGEMENTS FOR ELECTRIC LIGHT SOURCES, IN GENERAL
- H05B33/00—Electroluminescent light sources
- H05B33/12—Light sources with substantially two-dimensional radiating surfaces
- H05B33/22—Light sources with substantially two-dimensional radiating surfaces characterised by the chemical or physical composition or the arrangement of auxiliary dielectric or reflective layers
- H05B33/24—Light sources with substantially two-dimensional radiating surfaces characterised by the chemical or physical composition or the arrangement of auxiliary dielectric or reflective layers of metallic reflective layers
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K50/00—Organic light-emitting devices
- H10K50/80—Constructional details
- H10K50/86—Arrangements for improving contrast, e.g. preventing reflection of ambient light
- H10K50/865—Arrangements for improving contrast, e.g. preventing reflection of ambient light comprising light absorbing layers, e.g. light-blocking layers
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
- H10K59/80—Constructional details
- H10K59/8791—Arrangements for improving contrast, e.g. preventing reflection of ambient light
- H10K59/8792—Arrangements for improving contrast, e.g. preventing reflection of ambient light comprising light absorbing layers, e.g. black layers
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
- H10K59/10—OLED displays
- H10K59/12—Active-matrix OLED [AMOLED] displays
- H10K59/122—Pixel-defining structures or layers, e.g. banks
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Optics & Photonics (AREA)
- Electroluminescent Light Sources (AREA)
Abstract
본 발명에 의한 유기전계발광 소자는, 화면이 구현되는 최소 단위 영역인 서브픽셀이 정의되어 있으며, 서로 일정간격 이격되어 대향되게 배치된 제 1, 2 기판과; 상기 제 1기판 내부면에 서브픽셀 단위로 형성된 박막트랜지스터를 가지는 어레이 소자와; 상기 제 2기판 하부에 위치하는 공통전극으로서의 제 1 전극과, 상기 제 1 전극 하부에 위치하는 유기전계발광층 및 서브픽셀별로 패턴화된 제 2 전극과, 상기 각 서브픽셀 별로 구비된 상기 박막트랜지스터와 상기 제 2전극을 전기적으로 연결시키는 전기적 연결패턴이 포함되는 유기전계발광 소자에 있어서,
상기 제 1전극과 격벽 사이의 영역 및 서브픽셀 내에서 상기 전기적 연결패턴과 접하는 영역에 중첩되는 제 1전극 하부 영역에 형성되는 삽입부와; 상기 삽입부가 형성되는 영역과 중첩되는 제 2기판과 제 1전극 사이의 영역에 형성된 불투명한 빛 차단부가 포함되는 것을 특징으로 한다.
이와 같은 본 발명에 의하면, 각 서브픽셀 내의 화질 불량 발생 영역에 대해 불투명한 빛 차단부를 형성함으로써, 화질 불량 문제를 극복할 수 있다는 장점이 있다.
Description
본 발명은 유기전계발광 소자에 관한 것으로, 특히 듀얼 패널 타입의 유기전계발광 소자에 관한 것이다.
새로운 평판 디스플레이(FPD : Flat Panel Display) 중 하나인 유기전계발광 소자는 자체 발광형이기 때문에 액정표시장치에 비해 시야각, 콘트라스트 등이 우수하며 백라이트가 필요 없어 경량 박형이 가능하고, 소비전력 측면에서도 유리하다.
또한, 직류 저전압 구동이 가능하고 응답속도가 빠르며 전부 고체이기 때문에 외부충격에 강하고 사용온도범위도 넓으며 특히 제조비용 측면에서도 저렴한 장점을 가지고 있다.
특히, 상기 유기전계발광 소자의 제조공정에는, 액정표시장치나 PDP(Plasma Display Panel)와 달리 증착(deposition) 및 인캡슐레이션(encapsulation) 장비가 전부라고 할 수 있기 때문에, 공정이 매우 단순하다.
종래에는 이러한 유기전계발광 소자의 구동방식으로 별도의 스위칭 소자를 구비하지 않는 패시브 매트릭스형(passive matrix)이 주로 이용됐었다.
그러나, 상기 패시브 매트릭스 방식에서는 주사선(scan line)과 신호선(signal line)이 교차하면서 매트릭스 형태로 소자를 구성하므로, 각각의 픽셀을 구동하기 위하여 주사선을 시간에 따라 순차적으로 구동하므로, 요구되는 평균 휘도를 나타내기 위해서는 평균 휘도에 라인수를 곱한 것 만큼의 순간 휘도를 내야만 한다.
그러나, 액티브 매트릭스 방식에서는, 픽셀(pixel)을 온/오프(on/off)하는 스위칭 소자인 박막트랜지스터(Thin Film Transistor)가 서브픽셀(sub pixel)별로 위치하고, 이 박막트랜지스터와 연결된 제 1 전극은 서브픽셀 단위로 온/오프되고, 이 제 1 전극과 대향하는 제 2 전극은 공통전극이 된다.
그리고, 상기 액티브 매트릭스 방식에서는 픽셀에 인가된 전압이 스토리지 캐패시터(CST)에 충전되어 있어, 그 다음 프레임(frame) 신호가 인가될 때까지 전원을 인가해 주도록 함으로써, 주사선 수에 관계없이 한 화면동안 계속해서 구동한다.
따라서, 액티브 매트릭스 방식에 의하면 낮은 전류를 인가하더라도 동일한 휘도를 나타내므로 저소비전력, 고정세, 대형화가 가능한 장점을 가진다.
도 1은 종래의 하부발광방식 유기전계발광 소자에 대한 개략적인 단면도이다.
단, 이는 적, 녹, 청 서브픽셀로 구성되는 하나의 픽셀 영역을 중심으로 도시되었다.
도시된 바와 같이, 제 1, 2 기판(10, 30)이 서로 대향되게 배치되어 있고, 제 1, 2 기판(10, 30)의 가장자리부는 씰패턴(40 ; seal pattern)에 의해 봉지되어 있는 구조에 있어서, 제 1 기판(10)의 투명 기판(1) 상부에는 서브픽셀별로 박막트랜지스터(T)가 형성되어 있고, 박막트랜지스터(T)와 연결되어 제 1 전극(12)이 형성되어 있고, 박막트랜지스터(T) 및 제 1 전극(12) 상부에는 박막트랜지스터(T)와 연결되어 제 1 전극(12)과 대응되게 배치되는 적(Red), 녹(Green), 청(Blue) 컬러를 띠는 발광물질을 포함하는 유기전계발광층(14)이 형성되어 있고, 유기전계발광층(14) 상부에는 제 2 전극(16)이 형성되어 있다.
상기 제 1, 2 전극(12, 16)은 유기전계발광층(14)에 전계를 인가해주는 역할을 한다.
그리고, 전술한 씰패턴(40)에 의해서 제 2 전극(16)과 제 2 기판(30) 사이는 일정간격 이격되어 있으며, 제 2 기판(30)의 내부면에는 외부로의 수분을 차단하는 흡습제(미도시) 및 흡습제와 제 2 기판(30)간의 접착을 위한 반투성 테이프(미도시)가 포함된다.
한 예로, 하부발광방식 구조에서 상기 제 1 전극(12)을 양극으로, 제 2 전극(16)을 음극으로 구성할 경우 제 1 전극(12)은 투명도전성 물질에서 선택되고, 제 2 전극(16)은 일함수가 낮은 금속물질에서 선택되며, 이런 조건 하에서 상기 유기전계발광층(14)은 제 1 전극(12)과 접하는 층에서부터 정공주입층(14a ; hole injection layer), 정공수송층(14b ; hole transporting layer), 발광층(14c ; emission layer), 전자수송층(14d ; electron transporting layer) 순서대로 적층된 구조를 이룬다.
이때, 상기 발광층(14c)은 서브픽셀별로 적, 녹, 청 컬러를 구현하는 발광물질이 차례대로 배치된 구조를 가진다.
이와 같은 종래의 하부발광방식 유기전계발광 소자는, 어레이 소자 및 유기전계발광 다이오드가 형성된 제 1기판(10)과 별도의 인캡슐레이션용 제 2기판(30)의 합착을 통해 소자를 제작하였다.
이 경우, 어레이 소자의 수율과 유기전계발광 다이오드의 수율의 곱이 유기전계발광 소자의 수율을 결정하기 때문에, 기존의 유기전계발광 소자 구조에서는 후반 공정에 해당되는 유기전계발광 다이오드 공정에 의해 전체 공정 수율이 크게 제한되는 문제점이 있었다.
예를 들어, 어레이 소자가 양호하게 형성되었다 하더라도, 1000Å 정도의 박막을 사용하는 유기전계발광층의 형성시 이물이나 기타 다른 요소에 의해 불량이 발생하게 되면, 유기전계발광 소자는 불량 등급으로 판정된다.
이로 인하여, 양품의 어레이 소자를 제조하는데 소요되었던 제반 경비 및 재료비 손실이 초래되고, 생산수율이 저하되는 문제점이 있었다.
그리고, 하부발광방식은 인캡슐레이션에 의한 안정성 및 공정이 자유도가 높은 반면 개구율의 제한이 있어 고해상도 제품에 적용하기 어려운 문제점이 있다.
본 발명은 듀얼 패널 타입의 유기전계발광 소자에 있어서, 화질 불량 발생 영역에 불투명한 빛 차단부를 형성하여 화질 불량을 극복하는 유기전계발광 소자를 제공함에 그 목적이 있다.
상기 목적을 달성하기 위하여 본 발명에 의한 유기전계발광 소자는, 화면이 구현되는 최소 단위 영역인 서브픽셀이 정의되어 있으며, 서로 일정간격 이격되어 대향되게 배치된 제 1, 2 기판과; 상기 제 1기판 내부면에 서브픽셀 단위로 형성된 박막트랜지스터를 가지는 어레이 소자와; 상기 제 2기판 하부에 위치하는 공통전극으로서의 제 1 전극과, 상기 제 1 전극 하부에 위치하는 유기전계발광층 및 서브픽셀별로 패턴화된 제 2 전극과, 상기 각 서브픽셀 별로 구비된 상기 박막트랜지스터와 상기 제 2전극을 전기적으로 연결시키는 전기적 연결패턴이 포함되는 유기전계발광 소자에 있어서,
상기 제 1전극과 격벽 사이의 영역 및 서브픽셀 내에서 상기 전기적 연결패턴과 접하는 영역에 중첩되는 제 1전극 하부 영역에 형성되는 삽입부와; 상기 삽입부가 형성되는 영역과 중첩되는 제 2기판과 제 1전극 사이의 영역에 형성된 불투명한 빛 차단부가 포함되는 것을 특징으로 한다.
여기서,상기 빛 차단부는 콘택 저항이 작은 저 저항의 금속으로 형성되고, 상기 빛 차단부를 형성하는 금속은 불투명 금속임을 특징으로 한다.
또한, 상기 삽입부는 불투명한 수지 블랙매트릭스로 형성됨을 특징으로 한다.
이와 같은 본 발명에 의하면, 각 서브픽셀 내의 화질 불량 발생 영역에 대해 불투명한 빛 차단부를 형성함으로써, 화질 불량 문제를 극복할 수 있다는 장점이 있다.
본 발명의 설명에 앞서 듀얼 패널 타입의 유기전계발광 소자에 대해 설명하도록 한다.
도 2는 듀얼 패널 타입의 유기전계발광 소자의 개략적인 단면도이며, 설명의 편의상 하나의 픽셀 영역을 중심으로 도시하였다.
도 2를 참조하면, 제 1, 2 기판(110, 130)이 서로 대향되게 배치되어 있으며, 상기 제 1, 2 기판은 씰패턴(160)에 의해 합착된다.
여기서, 상기 제 1 기판(110)의 투명 기판(100) 상부에는 어레이 소자(112)가 형성되어 있다.
또한, 상기 제 2 기판(130)의 투명 기판(101) 내부면에는 유기전계발광 다이오드 소자가 형성되어 있으며, 상기 유기전계발광 다이오드 소자에는, 공통전극으로 이용되는 제 1 전극(140)과, 제 1 전극(142) 하부에서 서브픽셀별 경계부에 위치하는 격벽(142 ; second electrode separator)과, 격벽(142)내 영역에서 유기전계발광층(144), 제 2 전극(146)이 차례대로 서브픽셀 단위로 분리된 패턴으로 형성되어 있다.
상기 격벽(142)은 제 2 전극(146)을 서브픽셀별로 패턴화하기 위한 구조물에 해당되므로, 제 2 전극(146)에서 제 1 전극(140) 쪽으로 상광하협(上廣下狹) 구조를 가지는 것이 바람직하다.
그리고, 상기 제 1, 2 기판(110, 130)의 가장자리부에는 제 1, 2 기판(110, 130) 간에 일정한 셀갭을 유지하며, 두 기판을 합착시키기 위해 씰패턴(160)이 위치한다.
또한, 상기 제 1 기판(110)의 어레이 소자(112)는 스위칭 소자인 박막트랜지스터(112a)와, 박막트랜지스터(112a)와 연결된 제 2 전극 연결패턴(112b)가 포함되어 구성된다.
또한, 상기 제 1 기판(110)의 제 2 전극 연결패턴(112b)과, 상기 제 2 기판(130)의 제 2 전극(146)을 전기적으로 연결시키기 위한 전기적 연결패턴(148)이 서브픽셀 단위로 제 2 전극 연결패턴(112b)과 제 2 전극(146)이 서로 대응되는 위치에 형성된다.
여기서, 상기 제 2 전극 연결패턴(112b)은 박막트랜지스터(112a)를 이루는 소스 전극(미도시) 또는 드레인 전극(미도시) 중 어느 한 전극에 해당되거나 또는 별도의 전도성 물질로 이루어질 수 있으며, 상기 박막트랜지스터(112a)는 유기전계발광 다이오드(E)와 연결되는 구동용 박막트랜지스터에 해당된다.
상기 제 1, 2 전극(140, 146)과, 제 1, 2 전극(140, 146) 사이에 개재된 유기전계발광층(144)은 유기전계발광 다이오드(E)를 구성한다.
상기 유기전계발광층(144)의 다층구조는 양극 및 음극의 배치구조에 따라 정해지는 것으로, 한 예로, 제 1 전극(140)을 양극, 제 2 전극(146)을 음극으로 구성하는 경우에는, 제 1 전극(140)과 접하는 층에서부터 정공주입층(hole injection layer), 정공수송층(hole transporting layer), 발광층(emission layer), 전자수송층(electron transporting layer), 전자주입층(electron injection layer)이 차례대로 위치하는 다층 구조를 갖는다.
그리고, 상기 제 2 전극(146)과 제 2 전극 연결패턴(112b) 사이 구간에는 제 2 전극(146)과 박막트랜지스터(112a)를 연결시키는 전기적 연결패턴(148)이 형성되어 있다.
상기 전기적 연결패턴(148)는 일반적인 액정표시장치용 스페이서와 달리, 셀갭 유지 기능 뿐 아니라 두 기판을 전기적으로 연결시키는 것을 목적으로 하는 것으로, 두 기판 간의 사이 구간에서 기둥형상으로 일정 높이를 가지는 특성을 갖는다.
이 때, 상기 전기적 연결패턴(148)은 컬럼 스페이서 상에 도전성 금속막을 형성하여 상기 두 기판을 전기적으로 연결하는 역할 및 기존의 스페이서 역할을 하게 된다.
상기 전기적 연결패턴(148)은 전도성 물질에서 선택되며, 바람직하기로는 연성을 띠고, 비저항값이 낮은 금속물질에서 선택되는 것이 바람직하다. 이러한 전기적 연결패턴(148)은 제 1 기판(110)의 어레이 소자(112) 공정에서 형성할 수 있다.
상기와 같은 듀얼 패널 타입의 유기전계발광 소자는, 유기전계발광층(144)에서 발광된 빛을 제 2 기판(130) 쪽으로 발광시키는 상부발광방식이며, 이에 따라, 상기 제 1 전극(140)은 투광성을 가지는 도전성 물질에서 선택된다.
그리고, 상기 제 2 전극(146)은 발광 방향의 후면에 위치하는 전극이기 때문에, 불투명 금속물질에서 선택되는 것이 바람직하다.
또한, 상기 제 1, 2 기판(110, 130)간의 이격공간(I)은 불활성 기체 분위기를 이루는 것이 바람직하다.
도면으로 제시하지 않았지만, 상기 어레이 소자(112)는 주사선과, 주사선과 교차하며, 서로 일정간격 이격되는 신호선 및 전력 공급선과, 주사선과 신호선이 교차하는 지점에 위치하는 스위칭 박막트랜지스터 그리고, 스토리지 캐패시터를 더욱 포함한다.
이와 같은 듀얼 패널 타입의 유기전계발광 소자는, 어레이 소자와 유기전계발광 다이오드 소자를 서로 다른 기판 상에 구성하기 때문에, 기존의 어레이 소자와 유기전계발광 다이오드 소자를 동일 기판 상에 형성하는 경우와 비교할 때, 어레이 소자의 수율에 유기전계발광 다이오드 소자가 영향을 받지 않아 각 소자의 생산관리 측면에서도 양호한 특성을 나타낼 수 있다.
또한, 전술한 조건 하에서 상부발광방식으로 화면을 구현하게 되면, 개구율을 염두하지 않고 박막트랜지스터를 설계할 수 있어 어레이 공정효율을 높일 수 있고, 고개구율/고해상도 제품을 제공할 수 있으며, 듀얼 패널(dual panel) 타입으로 유기전계발광 다이오드 소자를 형성하기 때문에, 기존의 상부발광방식보다 외기를 효과적으로 차단할 수 있어 제품의 안정성을 높일 수 있다.
또한, 종래의 하부발광방식 제품에서 발생되었던 박막트랜지스터 설계에 대해서도 유기전계발광 다이오드 소자와 별도의 기판에 구성함에 따라, 박막트랜지스터 배치에 대한 자유도를 충분히 얻을 수 있고, 유기전계발광 다이오드 소자의 제 1 전극을 투명 기판 상에 형성하기 때문에, 기존의 어레이 소자 상부에 제 1 전극을 형성하는 구조와 비교해볼 때, 제 1 전극에 대한 자유도를 높일 수 있는 장점을 가지게 된다.
도 3은 도 2의 특정 부분(A)에 대한 확대 단면도로서, 이는 도 2에 도시된 제 2기판 상의 한 서브픽셀 영역에 대한 확대 단면도이다.
도 3을 참조하면, 상기 제 2기판의 투명기판(101) 하부에 제 1전극(140)이 형성되기 전 소정 영역에 대해 불투명한 빛 차단부(300)가 형성되어 있다.
상기 빛 차단부(300)는 서브픽셀의 내부 영역에는 형성되지 않으며, 격벽(142)이 형성될 영역과 중첩되는 영역에 형성되는 것으로, 이는 각 서브픽셀에서 발광되는 빛을 분리하는 역할을 하는 역할을 한다.
또한, 상기 빛 차단부(300)가 형성된 제 2기판의 투명기판(101) 하부에는 제 1전극(140)이 형성된다.
여기서, 상기 제 1전극(140) 하부에 유기전계발광층(144)이 형성되기 전 소정의 영역에 대해 빛을 투과하는 재질의 삽입부(310)가 소정 영역 형성된다.
상기 삽입부(310)는 전기적 연결패턴(148)이 형성될 영역과 중첩되는 서브픽셀 내부의 영역 및 각각의 서브픽셀을 구분하는 격벽(142)이 형성될 영역과 중첩되는 영역에 형성된다.
이 때, 상기 삽입부(310)는 질화 실리콘(SiNx) 등의 무기물 또는 유기물로 형성되며, 상기 서브픽셀 내부에 형성하는 이유는 제 1기판과 제 2기판을 합착할 때, 상기 전기적 연결패턴(148)에 의한 압력으로 제 1전극과 제 2전극이 서로 단락되는 것을 방지하기 위함이다.
이와 같이 상기 삽입(310)부가 소정 영역에 형성되면, 앞서 도 2를 통해 설명한 바와 같이 서브픽셀별 경계부에 위치하는 격벽(142)이 형성되고, 상기 격벽(142)내 영역에서 유기전계발광층(144), 제 2 전극(146)이 차례대로 서브픽셀 단위로 분리된 패턴으로 형성된다.
이러한 상기 구조의 듀얼 패널 타입 유기전계발광 소자의 경우 상기 제 1기판(110) 및 제 2기판(130)이 합착될 때, 상기 전기적 연결패턴(148)에 의해 가해지는 압력이 각 서브픽셀 마다 상이하기 때문에, 상기 전기적 연결패턴(148)의 상부 영역에 형성된 상기 삽입부(310)는 각 서브픽셀 마다 그 두께가 차이가 나게 되고, 그에 따라 화질 불량이 초래된다는 문제점이 있다.
본 발명은 상기와 같은 문제점을 극복하기 위해 창출된 것으로 이하 도면을 참조하여 보다 상세히 설명하도록 한다.
도 4는 본 발명에 의한 유기전계발광 소자의 개략적인 단면도로서, 설명의 편의상 하나의 픽셀 영역을 중심으로 도시하였다.
단, 본 발명에 의한 유기전계발광 소자는, 도 2에 도시된 듀얼 패널 타입의 유기전계발광 소자와 동일한 구성요소에 대해서는 동일한 도면부호를 사용하며, 그에 대한 설명은 생략하기로 한다.
도 4를 참조하면, 본 발명에 의한 유기전계발광 소자는, 각 서브픽셀 내의 화질 불량 발생 영역에 대해서 이를 극복하기 위하여 상기 서브픽셀 내의 영역에 불투명한 빛 차단부(400)를 형성하거나, 또는 상기 삽입부(410)를 불투명한 수지 블랙매트릭스로 형성하는 것을 특징으로 한다.
이하 도 5 내지 도 6을 통해 본 발명의 유기전계발광 소자의 구조를 보다 상세히 설명하도록 한다.
도 5는 도 4의 특정 부분(B)의 일 실시예에 대한 확대 단면도로서, 이는 도 4에 도시된 제 2기판 상의 한 서브픽셀 영역에 대한 확대 단면도이다.
도 5를 참조하면, 상기 제 2기판의 투명기판(101) 하부에 제 1전극(140)이 형성되기 전 소정 영역에 대해 불투명한 빛 차단부(400)가 형성되어 있다.
본 발명의 경우 상기 빛 차단부(400)가 격벽(142)이 형성될 영역과 중첩되는 영역에 형성될 뿐 아니라, 서브픽셀의 내부 영역에도 형성됨을 그 특징으로 한다.
이 때, 상기 서브픽셀의 내부 영역은 전기적 연결패턴(148)과 중첩되는 영역에 해당하는 것이며, 이는 상기 전기적 연결패턴(148)에 의해 가해지는 압력으로 삽입부(310)의 두께가 각 서브픽셀마다 상이함에 따른 화질 불량 문제를 극복하기 위함이다.
즉, 상기 빛 차단부(400)를 상기 서브픽셀 내부의 영역에 형성함으로써, 상기 삽입부(310)의 두께 차이에 의해 발생하는 각 서브픽셀마다의 화질 불량문제를 극복할 수 있게 되는 것이다.
또한, 본 발명의 경우 상기 빛 차단부(400)는 제 1전극(140)으로 사용되는 ITO전극과 비교할 때 콘택 저항이 작은 금속으로 형성하는 것을 그 특징으로 한다.
또한, 상기 빛 차단부(400)가 형성된 제 2기판의 투명기판(101) 하부에는 제 1전극(140)이 형성된다.
여기서, 상기 제 1전극(140) 하부에 유기전계발광층(144)이 형성되기 전 소정의 영역에 대해 빛을 투과하는 재질의 삽입부(310)가 소정 영역 형성된다.
상기 삽입부(310)는 전기적 연결패턴(148)이 형성될 영역과 중첩되는 서브픽셀 내부의 영역 및 각각의 서브픽셀을 구분하는 격벽(142)이 형성될 영역과 중첩되는 영역에 형성된다.
즉, 상기 삽입부(310)는 상기 제 1전극(142)과 격벽(142) 사이의 영역 및 서브픽셀 내에서 상기 전기적 연결패턴(148)과 접하는 영역에 중첩되는 제 1전극(140) 하부 영역에 형성되는 되는 것이다.
이 때, 상기 삽입부(310)는 질화 실리콘(SiNx) 등의 무기물 또는 유기물로 형성되며, 상기 서브픽셀 내부에 형성하는 이유는 제 1기판과 제 2기판을 합착할 때, 상기 전기적 연결패턴(148)에 의한 압력으로 제 1전극과 제 2전극이 서로 단락되는 것을 방지하기 위함이다.
이와 같이 상기 삽입부(310)가 소정 영역에 형성되면, 서브픽셀별 경계부에 위치하는 격벽(142)이 형성되고, 상기 격벽(142)내 영역에서 유기전계발광층(144), 제 2 전극(146)이 차례대로 서브픽셀 단위로 분리된 패턴으로 형성된다.
이와 같은 구조의 듀얼 패널 타입 유기전계발광 소자의 경우 상기 제 1기판(110) 및 제 2기판(130)이 합착될 때, 상기 전기적 연결패턴(148)에 의해 가해지는 압력이 각 서브픽셀 마다 상이하기 때문에, 상기 전기적 연결패턴(148)의 상부 영역에 형성된 상기 삽입부(310)는 각 서브픽셀 마다 그 두께가 차이가 나게 되나, 그에 따른 화질 불량 문제는 상기 서브픽셀 영역 내에 형성된 빛 차단부(400)에 의해 극복된다.
즉, 상기 삽입부(310)가 형성되는 영역과 중첩되는 제 2기판의 유리기판(101)과 제 1전극(140) 사이의 영역에 형성된 상기 불투명한 빛 차단부(400) 때문에 상기 삽입부(310)의 두께 차이로 발생되는 화질 불량이 극복되는 것이다.
도 6은 도 4의 특정 부분(B)의 다른 실시예에 대한 확대 단면도로서, 이는 도 4에 도시된 제 2기판 상의 한 서브픽셀 영역에 대한 확대 단면도이다.
도 6을 참조하면, 상기 제 2기판의 투명기판(101) 하부에 제 1전극(140)이 형성되기 전 소정 영역에 대해 불투명한 빛 차단부(300)가 형성되어 있다.
이 때, 상기 빛 차단부(300)는 서브픽셀의 내부 영역에는 형성되지 않으며, 격벽(142)이 형성될 영역과 중첩되는 영역에 형성될 수 있으나, 도 5를 통해 설명한 바와 같이 서브픽셀의 영역 내부에도 형성될 수 있다.
또한, 상기 빛 차단부(300)가 형성된 제 2기판의 투명기판(101) 하부에는 제 1전극(140)이 형성된다.
여기서, 도 6에 도시된 본 발명의 실시예는 상기 제 1전극(140) 하부에 유기전계발광층(144)이 형성되기 전 소정의 영역에 대해 빛이 투과되지 않는 수지(Resin) 블랙매트릭스(Black Matrix, BM)로 형성된 삽입부(410)가 형성되어 있음을 그 특징으로 한다.
상기 삽입부(410)는 전기적 연결패턴(148)이 형성될 영역과 중첩되는 서브픽셀 내부의 영역 및 각각의 서브픽셀을 구분하는 격벽이 형성될 영역과 중첩되는 영역에 형성된다.
즉, 상기 삽입부(410)는 상기 제 1전극(142)과 격벽(142) 사이의 영역 및 서브픽셀 내에서 상기 전기적 연결패턴(148)과 접하는 영역에 중첩되는 제 1전극(140) 하부 영역에 형성되는 되는 것이다.
이 때, 상기 삽입부(410)는 불투명한 재질 즉, 하나의 예로써 상기 수지 BM으로 형성될 수 있으며, 상기 삽입부(410)가 서브픽셀 내부에 형성하는 이유는 제 1기판과 제 2기판을 합착할 때, 상기 전기적 연결패턴(148)에 의한 압력으로 제 1전극과 제 2전극이 서로 단락되는 것을 방지하기 위함이다.
이와 같이 상기 삽입부(410)가 소정 영역에 형성되면, 앞서 도 2를 통해 설명한 바와 같이 서브픽셀별 경계부에 위치하는 격벽(142)이 형성되고, 상기 격벽(142)내 영역에서 유기전계발광층(144), 제 2 전극(146)이 차례대로 서브픽셀 단위로 분리된 패턴으로 형성된다.
이러한 상기 구조의 듀얼 패널 타입 유기전계발광 소자의 경우 상기 제 1기판(110) 및 제 2기판(130)이 합착될 때, 상기 전기적 연결패턴(148)에 의해 가해지는 압력이 각 서브픽셀 마다 상이하기 때문에, 상기 전기적 연결패턴(148)의 상부 영역에 형성된 상기 삽입부(410)는 각 서브픽셀 마다 그 두께가 차이가 나게 되고, 그에 따라 화질 불량이 초래될 수 있으나, 본 발명의 실시예의 경우 상기 삽입부(410)가 불투명 재질로 형성되어 있으므로, 상기 화질 불량 문제를 극복할 수 있게 된다.
본 발명에 의한 유기전계발광 소자에 의하면, 각 서브픽셀 내의 화질 불량 발생 영역에 대해 불투명한 빛 차단부를 형성함으로써, 화질 불량 문제를 극복할 수 있다는 장점이 있다.
도 1은 종래의 하부발광방식 유기전계발광 소자에 대한 개략적인 단면도.
도 2는 듀얼 패널 타입의 유기전계발광 소자의 개략적인 단면도.
도 3은 도 2의 특정 부분(A)에 대한 확대 단면도.
도 4는 본 발명에 의한 유기전계발광 소자의 개략적인 단면도.
도 5는 도 4의 특정 부분(B)의 일 실시예에 대한 확대 단면도.
도 6은 도 4의 특정 부분(B)의 다른 실시예에 대한 확대 단면도.
<도면의 주요 부분에 대한 부호의 설명>
400 : 빛 차단부 410 : 삽입부
Claims (4)
- 화면이 구현되는 최소 단위 영역인 서브픽셀이 정의되어 있으며, 서로 일정간격 이격되어 대향되게 배치된 제 1, 2 기판과; 상기 제 1기판 내부면에 서브픽셀 단위로 형성된 박막트랜지스터를 가지는 어레이 소자와; 상기 제 2기판 하부에 위치하는 공통전극으로서의 제 1 전극과, 상기 제 1 전극 하부에 위치하는 유기전계발광층 및 서브픽셀별로 패턴화된 제 2 전극과, 상기 각 서브픽셀 별로 구비된 상기 박막트랜지스터와 상기 제 2전극을 전기적으로 연결시키는 전기적 연결패턴이 포함되는 유기전계발광 소자에 있어서,상기 제 1전극과 격벽 사이의 영역 및 서브픽셀 내에서 상기 전기적 연결패턴과 접하는 영역에 중첩되는 제 1전극 하부 영역에 형성되는 삽입부와,상기 삽입부가 형성되는 영역과 중첩되는 제 2기판과 제 1전극 사이의 영역에 형성된 불투명한 빛 차단부가 포함되는 것을 특징으로 하는 유기전계발광 소자.
- 제 1항에 있어서,상기 빛 차단부는 콘택 저항이 작은 저 저항의 금속으로 형성됨을 특징으로 하는 유기전계발광 소자.
- 제 2항에 있어서,상기 빛 차단부를 형성하는 금속은 불투명 금속임을 특징으로 하는 유기전계발광 소자.
- 제 1항에 있어서,상기 삽입부는 불투명한 수지 블랙매트릭스로 형성됨을 특징으로 하는 유기전계발광 소자.
Priority Applications (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1020030099389A KR100581100B1 (ko) | 2003-12-29 | 2003-12-29 | 유기전계발광 소자 |
| US11/019,611 US7745992B2 (en) | 2003-12-29 | 2004-12-23 | Organic electroluminescence device having electrode separator and light shielding pattern |
| CNB2004101027900A CN100438121C (zh) | 2003-12-29 | 2004-12-28 | 有机电致发光器件 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1020030099389A KR100581100B1 (ko) | 2003-12-29 | 2003-12-29 | 유기전계발광 소자 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| KR20050068225A true KR20050068225A (ko) | 2005-07-05 |
| KR100581100B1 KR100581100B1 (ko) | 2006-05-16 |
Family
ID=34698700
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| KR1020030099389A KR100581100B1 (ko) | 2003-12-29 | 2003-12-29 | 유기전계발광 소자 |
Country Status (3)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US7745992B2 (ko) |
| KR (1) | KR100581100B1 (ko) |
| CN (1) | CN100438121C (ko) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR20170001577U (ko) | 2015-10-27 | 2017-05-10 | 동우 화인켐 주식회사 | 백플레인 및 이를 포함하는 유기발광소자 |
Families Citing this family (15)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100642491B1 (ko) * | 2003-12-26 | 2006-11-02 | 엘지.필립스 엘시디 주식회사 | 유기전계발광 소자 |
| KR100652352B1 (ko) * | 2004-05-10 | 2006-12-01 | 엘지.필립스 엘시디 주식회사 | 유기전계발광 소자 및 그 제조방법 |
| KR100724483B1 (ko) * | 2004-12-29 | 2007-06-04 | 엘지.필립스 엘시디 주식회사 | 유기전계발광표시장치 및 그 제조방법 |
| JP2006318776A (ja) * | 2005-05-13 | 2006-11-24 | Fuji Photo Film Co Ltd | 有機エレクトロルミネッセンス表示装置 |
| TWI303535B (en) * | 2006-04-07 | 2008-11-21 | Chi Mei El Corp | Organic light emitting device and method of fabricating the same |
| TWI307978B (en) * | 2006-04-28 | 2009-03-21 | Au Optronics Corp | Cascade organic electroluminescent device |
| US8035881B2 (en) * | 2007-03-05 | 2011-10-11 | Gentex Corporation | Multi-zone mirrors |
| US9274394B2 (en) | 2007-03-05 | 2016-03-01 | Gentex Corporation | Multi-zone mirrors |
| US8649083B2 (en) | 2007-03-05 | 2014-02-11 | Gentex Corporation | Multi-zone mirrors |
| US8022621B2 (en) * | 2008-07-31 | 2011-09-20 | Lg Display Co., Ltd. | Organic light emitting display device |
| KR101394936B1 (ko) * | 2009-11-06 | 2014-05-14 | 엘지디스플레이 주식회사 | 광차단층을 갖는 평판 표시 장치 |
| TW201303659A (zh) * | 2011-07-07 | 2013-01-16 | Wintek Corp | 觸控顯示面板 |
| CN103545345B (zh) * | 2013-11-11 | 2016-09-21 | 京东方科技集团股份有限公司 | 一种显示面板及其制备方法、显示装置 |
| JP2015128003A (ja) | 2013-12-27 | 2015-07-09 | ソニー株式会社 | 表示装置および電子機器 |
| CN105870134B (zh) * | 2016-05-06 | 2018-10-19 | 京东方科技集团股份有限公司 | 单侧发光光源及其制作方法、显示装置 |
Family Cites Families (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100426964B1 (ko) | 2002-03-20 | 2004-04-13 | 엘지.필립스 엘시디 주식회사 | 유기전계발광 소자 및 그의 제조방법 |
| KR100435054B1 (ko) * | 2002-05-03 | 2004-06-07 | 엘지.필립스 엘시디 주식회사 | 유기전계 발광소자와 그 제조방법 |
| JP4001066B2 (ja) * | 2002-07-18 | 2007-10-31 | セイコーエプソン株式会社 | 電気光学装置、配線基板及び電子機器 |
-
2003
- 2003-12-29 KR KR1020030099389A patent/KR100581100B1/ko active IP Right Grant
-
2004
- 2004-12-23 US US11/019,611 patent/US7745992B2/en active Active
- 2004-12-28 CN CNB2004101027900A patent/CN100438121C/zh active Active
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR20170001577U (ko) | 2015-10-27 | 2017-05-10 | 동우 화인켐 주식회사 | 백플레인 및 이를 포함하는 유기발광소자 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| KR100581100B1 (ko) | 2006-05-16 |
| US20050140287A1 (en) | 2005-06-30 |
| CN100438121C (zh) | 2008-11-26 |
| US7745992B2 (en) | 2010-06-29 |
| CN1638579A (zh) | 2005-07-13 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| KR100642491B1 (ko) | 유기전계발광 소자 | |
| KR100670543B1 (ko) | 유기전계발광 소자 | |
| KR100642490B1 (ko) | 유기전계발광 소자 및 그 제조방법 | |
| KR100460210B1 (ko) | 듀얼패널타입 유기전계발광 소자 및 그의 제조방법 | |
| KR100426964B1 (ko) | 유기전계발광 소자 및 그의 제조방법 | |
| KR100473591B1 (ko) | 듀얼패널타입 유기전계발광 소자 및 그의 제조방법 | |
| KR100652352B1 (ko) | 유기전계발광 소자 및 그 제조방법 | |
| KR20030069707A (ko) | 유기전계발광 소자 및 그의 제조방법 | |
| US7759860B2 (en) | Dual panel-type organic electroluminescent display device and method of fabricating the same | |
| KR100581100B1 (ko) | 유기전계발광 소자 | |
| KR100904523B1 (ko) | 액티브 매트릭스형 유기전계발광 소자용 박막트랜지스터 | |
| JP2006114910A (ja) | 有機電界発光素子およびその製造方法 | |
| KR20030084234A (ko) | 듀얼패널타입 유기전계발광 소자 및 그의 제조방법 | |
| KR100474001B1 (ko) | 듀얼패널타입 유기전계발광 소자 및 그의 제조방법 | |
| KR100581099B1 (ko) | 유기전계발광 소자 및 그 제조방법 | |
| KR101050290B1 (ko) | 유기전계발광 소자 및 그 제조방법 | |
| KR20050068455A (ko) | 유기전계발광 소자 및 그 제조방법 | |
| KR100474000B1 (ko) | 듀얼패널타입 유기전계발광 소자 및 그의 제조방법 | |
| KR100616706B1 (ko) | 유기전계발광 소자 및 그 제조방법 | |
| KR101070534B1 (ko) | 유기전계발광 소자 및 그 제조방법 | |
| KR20050104100A (ko) | 유기전계발광 소자 및 그 제조방법 | |
| KR100629612B1 (ko) | 유기전계발광 소자 및 그 제조방법 | |
| KR100593101B1 (ko) | 유기전계발광 소자 | |
| KR100726943B1 (ko) | 유기 전계발광 표시장치 및 그 제조방법 | |
| KR20050058590A (ko) | 유기전계발광 소자 및 그 제조방법 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A201 | Request for examination | ||
| E902 | Notification of reason for refusal | ||
| E701 | Decision to grant or registration of patent right | ||
| GRNT | Written decision to grant | ||
| FPAY | Annual fee payment |
Payment date: 20120330 Year of fee payment: 7 |
|
| FPAY | Annual fee payment |
Payment date: 20130329 Year of fee payment: 8 |
|
| FPAY | Annual fee payment |
Payment date: 20150429 Year of fee payment: 10 |
|
| FPAY | Annual fee payment |
Payment date: 20160428 Year of fee payment: 11 |
|
| FPAY | Annual fee payment |
Payment date: 20170413 Year of fee payment: 12 |
|
| FPAY | Annual fee payment |
Payment date: 20180416 Year of fee payment: 13 |
|
| FPAY | Annual fee payment |
Payment date: 20190417 Year of fee payment: 14 |