KR20050065954A

KR20050065954A - Liquid crystal display device and manufacturing for lcd

Info

Publication number: KR20050065954A
Application number: KR1020030097125A
Authority: KR
Inventors: 박광섭
Original assignee: 엘지.필립스 엘시디 주식회사
Priority date: 2003-12-26
Filing date: 2003-12-26
Publication date: 2005-06-30
Also published as: KR101087380B1

Abstract

본 발명은 액정표시장치 상부 기판의 공통 전극과 하부 기판의 공통 버스 라인을 연결하는 은접점부(Ag dotting)에서 보호막이 오픈되는 부분을 확장시킴으로써, 은(Ag) 도팅시 튐 불량이 발생하는 문제를 개선한 액정표시장치를 개시한다. 개시된 본 발명은 액정표시장치에 있어서, 상기 어레이 기판 상에 형성되어 있는 공통 버스 라인의 은접점부 영역의 콘택홀 구조를 통 구조로 식각하여 오픈 함으로써, 상기 은접점부에 배치되는 콘택 패드의 중심부 영역과 가장자리 영역의 단차를 발생시켜 콘택 불량을 개선할 수 있는 것을 특징으로 한다.According to an embodiment of the present invention, a defect occurs during doping of silver by expanding a portion in which a protective film is opened at an Ag dotting connecting a common electrode of an upper substrate of a liquid crystal display to a common bus line of a lower substrate. Disclosed is a liquid crystal display device having improved. Disclosed is a liquid crystal display device comprising: a contact hole structure of a silver contact portion region of a common bus line formed on the array substrate being etched and opened in a cylindrical structure, thereby forming a central portion of a contact pad disposed on the silver contact portion. It is characterized in that the contact failure can be improved by generating a step between the region and the edge region.

여기서 상기 콘택 패드 중심은 상기 은접점부의 중심 오픈 영역을 관통하여 상기 글라스 기판과 접촉되어 있고, 상기 은접점부 상부에 존재하는 게이트 절연막과 보호막은 사각형 통 구조로 식각되어 중심부 영역의 공통 버스 라인 메탈이 외부로 노출된 구조를 하는 것을 특징으로 한다.The contact pad center is in contact with the glass substrate through the center open area of the silver contact part, and the gate insulating film and the protective film on the silver contact part are etched in a rectangular cylindrical structure to form a common bus line metal in the center area. It is characterized by having a structure exposed to the outside.

Description

Liquid crystal display and its manufacturing method {LIQUID CRYSTAL DISPLAY DEVICE AND MANUFACTURING FOR LCD}

본 발명은 액정표시장치에 관한 것으로, 보다 구체적으로는 액정표시장치 상부 기판의 공통 전극과 하부 기판의 공통 버스 라인을 연결하는 은접점부(Ag dotting)의 보호막이 오픈되는 부분을 확장시킴으로써, 은(Ag) 도팅시 튐 불량이 발생하는 문제를 개선한 액정표시장치에 관한 것이다.The present invention relates to a liquid crystal display device, and more particularly, by expanding a portion in which a protective film of an Ag dotting connecting the common electrode of the upper substrate of the liquid crystal display device and the common bus line of the lower substrate is opened, (Ag) The present invention relates to a liquid crystal display device which improves a problem of unevenness during dotting.

최근 들어 급속한 발전을 거듭하고 있는 반도체 산업의 기술 개발에 의하여 액정표시장치는 소형, 경량화 되면서 성능은 더욱 강력해진 제품들이 생산되고 있다. 지금까지 정보 디스플레이 장치에 널리 사용되고 있는 CRT(cathode ray tube)가 성능이나 가격 측면에서 많은 장점을 갖고 있지만, 소형화 또는 휴대성의 측면에서는 많은 단점을 갖고 있었다.Recently, due to the rapid development of technology in the semiconductor industry, liquid crystal display devices are being manufactured with smaller and lighter weight and more powerful products. Cathode ray tube (CRT), which is widely used in information display devices, has many advantages in terms of performance and price, but has many disadvantages in terms of miniaturization or portability.

이에 반하여, 액정표시장치는 소형화, 경량화, 저 전력 소비화 등의 장점을 갖고 있어 CRT의 단점을 극복할 수 있는 대체 수단으로 점차 주목받아 왔고, 현재는 디스플레이 장치를 필요로 하는 거의 모든 정보 처리 기기에 장착되고 있는 실정이다.On the other hand, liquid crystal displays have been attracting attention as an alternative means of overcoming the shortcomings of CRTs because they have advantages such as miniaturization, light weight, and low power consumption. Currently, almost all information processing devices that require display devices are required. The situation is attached to.

상기와 같은 액정표시장치는 TFT 소자와 화소 전극을 형성하는 어레이 기판과 레드, 그린, 블루의 칼라 필터층이 형성되어 있는 칼라 필터 기판이 액정층을 사이에 두고 합작된 구조를 하고 있다.The liquid crystal display device described above has a structure in which an array substrate for forming a TFT element and a pixel electrode and a color filter substrate having red, green, and blue color filter layers are formed with a liquid crystal layer interposed therebetween.

상기와 같이 두 기판이 합착되어 액정 패널이 제조되면, 상기 액정 패널 영역으로 구동 신호와 데이터 신호를 인가하여 화소 전극 상에 전계를 발생시키고, 발생된 전계에 의하여 액정 분자를 트위스트 시켜, 백라이트로부터 진행하는 광의 투과율을 조절한다. When the two substrates are bonded together as described above, a liquid crystal panel is manufactured, an electric field is generated on the pixel electrode by applying a driving signal and a data signal to the liquid crystal panel region, and the liquid crystal molecules are twisted by the generated electric field to proceed from the backlight. The transmittance of light is controlled.

상기 투과율이 조절된 광은 상기 칼라 필터 기판의 칼라 필터층을 진행하면서 화상을 디스플레이 하게 된다.The light whose transmittance is adjusted will display an image while traveling through the color filter layer of the color filter substrate.

도 1은 종래 기술에 따른 액정표시장치 어레이 기판의 구조를 도시한 평면도이다.1 is a plan view showing the structure of a liquid crystal display array substrate according to the prior art.

도 1에 도시된 바와 같이, 글라스 기판(10) 상에 복수개의 게이트 버스 라인(24)과 데이터 버스 라인(25)이 수직으로 교차 배열되어 단위 화소 영역을 한정하고, 상기 단위 화소 영역 상에는 상기 데이터 버스 라인(25)과 평행한 방향으로 화소 전극(23)들이 배치되어 있다.As illustrated in FIG. 1, a plurality of gate bus lines 24 and data bus lines 25 are vertically intersected on a glass substrate 10 to define a unit pixel area, and the data on the unit pixel area. The pixel electrodes 23 are arranged in a direction parallel to the bus line 25.

그리고 상기 복수개의 게이트 버스 라인(24)과 데이터 버스 라인(25)이 수직으로 교차되는 영역에는 스위칭 소자인 박막 트랜지스터가 각각 배치되어 있다.Thin film transistors, which are switching elements, are disposed in regions where the plurality of gate bus lines 24 and the data bus lines 25 vertically cross each other.

또한, 상기 복수개의 게이트 버스 라인(24)과 데이터 버스 라인(25)의 가장자리에는 외부로부터 신호 전송을 위한 게이트 패드들(24a)과 데이터 패드들(25a)이 형성 배치되어 있다.In addition, gate pads 24a and data pads 25a for transmitting signals from the outside are formed at edges of the plurality of gate bus lines 24 and data bus lines 25.

상기 화소 전극(23)들이 배치되어 있는 엑티브 영역 둘레를 따라 상기 칼라 필터 기판(40) 상에 배치되어 있는 공통 전극에 공통 전압을 인가하기 위한 공통 전압 배선(30)이 배치되어 있다.A common voltage line 30 for applying a common voltage to the common electrode disposed on the color filter substrate 40 is disposed around the active region in which the pixel electrodes 23 are disposed.

또한, 상기 게이트 패드(24a) 영역과 엑티브 영역 사이에는 공통 전압이 공통 버스 라인(22)을 따라 인가될 때, 시간 지연 현상을 방지하기 위하여 도전성 배선(31)이 배치되어 있다.In addition, when the common voltage is applied along the common bus line 22 between the gate pad 24a region and the active region, a conductive wiring 31 is disposed to prevent a time delay phenomenon.

따라서 상기 도전성 배선(31)과 전기적으로 콘택되는 복수개의 공통 버스 라인들(22)이 상기 복수개의 게이트 버스 라인(24)과 각각 평행하게 대응되면 배치되어 있는 구조를 하고 있다.Therefore, when the plurality of common bus lines 22 electrically contacting the conductive wiring 31 correspond to the plurality of gate bus lines 24 in parallel, the structure is arranged.

상기 공통 전압 배선(31) 상에는 상기 칼라 필터 기판(40) 상의 공통 전극과의 전기적 콘택을 위하여 은접점부(Ag dotting: 20)이 형성되어 있다.A silver contact portion (Ag dotting) 20 is formed on the common voltage line 31 for electrical contact with the common electrode on the color filter substrate 40.

도 2는 종래 기술에 따른 액정표시장치의 Ag 도팅부의 구조를 도시한 도면이다.2 is a diagram illustrating a structure of an Ag doping portion of a liquid crystal display according to the related art.

도 2에 도시된 바와 같이, 액정표시장치의 어레이 기판 가장자리 모서리에는 칼라 필터 기판인 상부 기판 상의 공통 전극과 전기적 연결을 위하여 은접점부를 형성하고 있다.As shown in FIG. 2, a silver contact portion is formed at the edge of the array substrate of the liquid crystal display to electrically connect with the common electrode on the upper substrate which is the color filter substrate.

일반적으로 공통 버스 라인은 게이트 버스 라인 형성시 형성하거나, 소오스/드레인 전극 형성시 형성하는데, 여기서는 글라스 기판 상에 게이트 버스 라인을 형성하는 공정에서 형성한 경우이다.In general, the common bus line is formed when the gate bus line is formed or when the source / drain electrodes are formed. In this case, the common bus line is formed in the process of forming the gate bus line on the glass substrate.

게이트 버스 라인을 형성할 때, 화소 전극이 형성될 엑티브 영역 둘레를 따라 공통 버스 라인을 형성하는데, 상부 기판의 공통 전극과 전기적 접촉을 위하여 은접점부(35)를 형성한다.When forming the gate bus line, a common bus line is formed around the active region where the pixel electrode is to be formed, and the silver contact portion 35 is formed to make electrical contact with the common electrode of the upper substrate.

상기 은접점부(35)는 도시된 바와 같이 사각형 구조를 하고 있고, 중심이 십자 형태로 오픈된 구조를 하고 있다.The silver contact portion 35 has a rectangular structure as shown, and has a structure in which the center is opened in a cross shape.

상기 게이트 버스 라인 형성 공정에서 은접점부(35)를 형성한 다음, 게이트 절연막을 도포하고 채널층 형성한다. 그런 다음 소오스/드레인 전극을 형성하고 보호막을 도포한 다음 콘택홀(50) 형성하는데, 이때 상기 은접점부(35) 상에 존재하는 상기 보호막과 게이트 절연막을 다수개의 사각형 패턴으로 오픈한다.In the gate bus line forming process, the silver contact portion 35 is formed, and then a gate insulating film is coated to form a channel layer. Then, a source / drain electrode is formed, a protective film is coated, and a contact hole 50 is formed. The protective film and the gate insulating film existing on the silver contact portion 35 are opened in a plurality of rectangular patterns.

그런 다음, 투명 금속인 ITO 금속으로 화소 전극을 형성할 때, 상기 은접점부(35) 상에 ITO 콘택 패드(60)를 형성한다.Then, when the pixel electrode is formed of ITO metal, which is a transparent metal, an ITO contact pad 60 is formed on the silver contact portion 35.

도 3은 상기 도 2의 Ag 도팅부의 A-A' 영역의 수직 단면도이다.3 is a vertical cross-sectional view of an A-A 'region of the Ag doping portion of FIG. 2.

도 3에 도시된 바와 같이, 어레이 기판 상의 은접점부(30)는 글라스 기판(100) 상에 공통 버스 라인으로 형성된 은접점부(35)가 형성되어 있고, 상기 은접점부(35) 상부에는 게이트 절연막과 보호막(70)이 형성되어 있다.As shown in FIG. 3, the silver contact portion 30 on the array substrate has a silver contact portion 35 formed as a common bus line on the glass substrate 100, and is formed on the silver contact portion 35. The gate insulating film and the protective film 70 are formed.

상기 보호막 상에 콘택홀을 형성할 때, 상기 은접점부(35) 상에 존재하는 게이트 절연막과 보호막(70)을 오픈 시키고, 상기 화소 전극을 형성할 때, ITO 금속으로된 콘택 패드(60)가 상기 게이트 절연막과 보호막(70)이 오픈된 영역을 통하여 콘택되어 있다.When forming a contact hole on the passivation layer, the gate insulating layer and the passivation layer 70 existing on the silver contact portion 35 are opened, and when forming the pixel electrode, a contact pad 60 made of ITO metal. The gate insulating film and the protective film 70 are in contact with each other through an open area.

상기 콘택 패드(60) 상에는 은을 도팅하고, 상기 도팅된 은은 상부 기판 상에 형성되어 있는 ITO 공통 전극과 전기적으로 연결되어 있다.Silver is doped on the contact pad 60, and the doped silver is electrically connected to an ITO common electrode formed on the upper substrate.

따라서, 상기 공통 버스 라인 상에 형성되어 있는 은접점부(35)는 콘택 패드(60)와 은 도팅(Ag dotting)에 의하여 상부 기판(200)의 공통 전극(150)과 전기적으로 도통하게 된다.Therefore, the silver contact portion 35 formed on the common bus line is electrically connected to the common electrode 150 of the upper substrate 200 by the contact pad 60 and the silver dotting.

그러나, 상기와 같은 구조를 종래의 은접점부는 글라스 기판 상에 은접점부가 형성되고, 상기 은접점부 상에 형성되어 있는 게이트 절연막과 보호막을 사이에두고 ITO 금속으로된 콘택 패드가 형성되기 때문에 은 도팅 영역(도 3의 C영역)의 작은 단차에 의하여 도팅된 은이 튀어 접촉 불량을 야기하는 문제가 있다. However, since the silver contact portion is formed on the glass substrate in the conventional silver contact portion as described above, a contact pad made of ITO metal is formed between the gate insulating film and the protective film formed on the silver contact portion. There is a problem that the doped silver springs up due to a small step in the dotting region (region C in FIG. 3), causing contact failure.

즉, 상기 도 3에 도시된 바와 같이 콘택 패드와 은접점부가 연결된 부분과, 중심의 십자 영역의 부분을 보면, 상기 은접점부의 십자 형태 중심부에 게이트 절연막과 보호막이 존재하여 두 부분의 높이차이가 거의 존재하지 않아 도팅되는 은이 튀어 콘택 불량을 야기한다.That is, as shown in FIG. 3, when the contact pad and the silver contact part are connected to each other, and the portion of the center cross region, the gate insulating film and the protective film exist at the cross-shaped center of the silver contact part, and thus the height difference between the two parts is increased. It is rarely present and the doped silver springs up, causing contact failure.

본 발명은, 액정표시장치의 어레이 기판 상에 형성되는 은접점부 상에 형성된 보호막의 패턴을 전면 오픈한 통구조로 형성함으로써, 도팅되는 은이 은접점부 중심에 고정되어 상부 기판의 공통 전극과의 전기적 콘택을 향상시킬 수 있는 액정표시장치 및 그 제조방법을 제공함에 그 목적이 있다.According to the present invention, a pattern of a protective film formed on a silver contact portion formed on an array substrate of a liquid crystal display device is formed in a tubular structure in which the front surface is opened, whereby the doped silver is fixed to the center of the silver contact portion and is connected to the common electrode of the upper substrate. It is an object of the present invention to provide a liquid crystal display device and a method of manufacturing the same that can improve electrical contact.

상기한 목적을 달성하기 위한, 본 발명에 따른 액정표시장치는,In order to achieve the above object, the liquid crystal display device according to the present invention,

액정표시장치에 있어서,In the liquid crystal display device,

상기 어레이 기판 상에 형성되어 있는 공통 버스 라인의 은접점부 영역의 콘택홀 구조를 통 구조로 식각하여 오픈 함으로써, 상기 은접점부에 배치되는 콘택 패드의 중심부 영역과 가장자리 영역의 단차를 발생시켜 콘택 불량을 개선할 수 있는 것을 특징으로 한다.The contact hole structure of the silver contact portion region of the common bus line formed on the array substrate is etched and opened in a tubular structure, thereby generating a step between the center region and the edge region of the contact pad disposed on the silver contact portion to generate a contact. The defect can be improved.

여기서 상기 콘택 패드 중심은 상기 은접점부의 중심 오픈 영역을 관통하여 상기 글라스 기판과 접촉되어 있고, 상기 은접점부 상부에 존재하는 게이트 절연막과 보호막은 사각형 통 구조로 식각되어 중심부 영역의 공통 버스 라인 메탈이 외부로 노출된 구조를 하는 것을 특징으로 한다. The contact pad center is in contact with the glass substrate through the center open area of the silver contact part, and the gate insulating film and the protective film on the silver contact part are etched in a rectangular cylindrical structure to form a common bus line metal in the center area. It is characterized by having a structure exposed to the outside.

또한, 본 발명에 따른 액정표시장치 제조방법은,In addition, the liquid crystal display device manufacturing method according to the present invention,

글라스 기판 상에 금소막을 증착하고 식각하여 게이트 버스 라인, 공통 버스 라인을 형성하는 단계;Depositing and etching a gold film on the glass substrate to form a gate bus line and a common bus line;

상기 게이트 버스 라인이 형성된 기판 상에 게이트 절연막을 도포하고, 계속해서 비정질 실리콘등을 도포한 다음, 식각하여 박막 트랜지스터가 형성된 영역에 채널층을 형성하는 단계;Applying a gate insulating film on the substrate on which the gate bus line is formed, subsequently applying amorphous silicon, etc., and then etching to form a channel layer in a region where the thin film transistor is formed;

상기 채널층이 형성된 기판 상에 소오스/드레인 금속막을 증착하고 식각하여 소오스/드레인 전극 및 데이터 버스 라인을 형성하는 단계;Depositing and etching source / drain metal layers on the substrate on which the channel layer is formed to form source / drain electrodes and data bus lines;

상기 소오스/드레인 전극이 형성된 기판 상에 보호막을 도포하고, 식각하여 상기 드레인 전극 상부의 보호막을 식각하고, 동시에 상기 공통 버스 라인의 은접점부 영역을 사각형 통 구조의 콘택홀을 형성하는 단계; 및Applying a protective film on the substrate on which the source / drain electrode is formed and etching to etch the protective film on the drain electrode, and simultaneously forming contact holes having a rectangular cylindrical structure in the silver contact area of the common bus line; And

상기 콘택홀이 형성된 기판 상에 ITO 금속막을 증착한 다음, 식각하여 화소 전극 및 패드 영역과 은접점부 영역에 콘택 패드를 형성하는 단계;를 포함하는 것을 특징으로 한다.And depositing an ITO metal film on the substrate on which the contact hole is formed, and then etching to form contact pads on the pixel electrode, the pad region, and the silver contact region.

여기서 상기 은접점부의 콘택 패드는 중심부 영역의 단차가 상기 은접점부의 가장자리 둘레의 단차보다 상대적으로 낮게 형성되고, 상기 은접점부의 콘택 패드의 중심부는 글라스 기판과 접촉하며, 상기 은접점부의 콘택 패드의 중심부는 글라스 기판과 접촉하는 것을 특징으로 한다.Here, the contact pad of the silver contact portion is formed in the step of the center region is relatively lower than the step around the edge of the silver contact portion, the center of the contact pad of the silver contact portion is in contact with the glass substrate, the contact pad of the silver contact portion The central portion is in contact with the glass substrate.

본 발명에 의하면, 액정표시장치의 어레이 기판 상에 형성되는 은접점부 상에 형성된 보호막의 패턴을 전면 오픈한 통구조로 형성함으로써, 도팅되는 은이 은접점부 중심에 고정되어 상부 기판의 공통 전극과의 전기적 콘택을 향상시킬 수 있다.According to the present invention, the pattern of the protective film formed on the silver contact portion formed on the array substrate of the liquid crystal display device is formed in a cylindrical structure with the entire surface open, whereby the doped silver is fixed to the center of the silver contact portion, Can improve the electrical contact.

이하, 첨부한 도면에 의거하여 본 발명의 바람직한 실시 예를 자세히 설명하도록 한다.Hereinafter, preferred embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings.

도 4 본 발명에 따른 액정표시장치의 Ag 도팅부의 구조를 도시한 도면이다.4 is a view showing the structure of the Ag doping portion of the liquid crystal display according to the present invention.

도 4에 도시된 바와 같이, 액정표시장치의 어레이 기판 가장자리 모서리에 배치되어 있는 공통 버스 라인 상에는 칼라 필터 기판인 상부 기판 상의 공통 전극과 전기적 연결을 위하여 은접점부(330)가 형성되어 있다.As shown in FIG. 4, a silver contact portion 330 is formed on the common bus line disposed at the edge of the array substrate edge of the liquid crystal display to electrically connect with the common electrode on the upper substrate which is the color filter substrate.

일반적으로 공통 버스 라인은 게이트 버스 라인 형성시 형성하거나, 소오스/드레인 전극 형성시 형성하는데, 여기서는 글라스 기판 상에 게이트 버스 라인을 형성할 때, 동시에 상기 공통 버스 라인을 형성한다.In general, the common bus line is formed when the gate bus line is formed or when the source / drain electrodes are formed. Here, when the gate bus line is formed on the glass substrate, the common bus line is simultaneously formed.

상기 게이트 버스 라인을 형성할 때, 화소 전극이 형성될 엑티브 영역 둘레를 따라 공통 버스 라인을 형성하는데, 상부 기판의 공통 전극과 전기적 접촉을 위하여 은접점부(330)를 형성한다.When forming the gate bus line, a common bus line is formed around the active region where the pixel electrode is to be formed, and the silver contact portion 330 is formed to make electrical contact with the common electrode of the upper substrate.

따라서, 어레이 기판의 엑티브 영역 사각 모서리에 각각 상기 은접점부(330)가 형성되어 있다.Accordingly, the silver contact portions 330 are formed at square corners of the active region of the array substrate.

상기 은접점부(330)는 도시된 바와 같이, 상기 공통 버스 라인을 형성할 때, 중심 영역을 십자 형태로 오픈하여 형성한다. 그래서 상기 공통 버스 라인을 형성할 때 형성된 은접점부(330)의 중심 영역은 금속이 식각되어 글라스 표면이 노출되어 있다. As shown in the drawing, the silver contact portion 330 is formed by opening a center area in a cross shape when forming the common bus line. Therefore, the center surface of the silver contact portion 330 formed when the common bus line is formed is metal etched to expose the glass surface.

상기와 같이 글라스 기판 상에 게이트 버스 라인과 공통 버스 라인이 형성되면 게이트 절연막과 비정질 실리콘등을 도포한 다음, 식각하여 TFT 영역의 채널층을 형성한다.When the gate bus line and the common bus line are formed on the glass substrate as described above, the gate insulating film and the amorphous silicon are coated, and then etched to form the channel layer of the TFT region.

이때, 상기 TFT 영역을 제외한 모든 영역에서는 채널층이 제거되어 게이트 절연막만 존재하게 된다.At this time, in all regions except the TFT region, the channel layer is removed so that only the gate insulating layer exists.

상기 채널층이 형성되면 소오스/드레인 금속막을 증착하고 식각하여 TFT의 소오스/드레인 전극, 데이터 버스 라인을 형성한다.When the channel layer is formed, a source / drain metal layer is deposited and etched to form source / drain electrodes and data bus lines of the TFT.

상기 TFT가 완성되면 기판의 전영역 상에 보호막을 도포한 다음, 콘택홀 공정을 진행하는데, 이때 TFT의 드레인 전극 영역, 게이트 패드, 데이터 패드 및 상기 은접점부(330)의 보호막과 게이트 절연막을 식각하여 콘택홀(350)을 형성한다.When the TFT is completed, a protective film is coated on the entire area of the substrate, and then a contact hole process is performed. At this time, the drain electrode region, the gate pad, the data pad of the TFT, and the protective film and the gate insulating film of the silver contact portion 330 are removed. Etching is performed to form the contact hole 350.

이때, 종래 기술에서와 달리 본 발명에서는 상기 은접점부(330) 상부에 존재하는 게이트 절연막과 보호막(350)을 사각형의 통 구조로 식각하여, 상기 은접점부(350)의 대부분의 영역을 오픈 시킨다.At this time, unlike the prior art in the present invention by etching the gate insulating film and the protective film 350 on the upper portion of the silver contact portion 330 in a rectangular cylindrical structure, most of the area of the silver contact portion 350 is opened. Let's do it.

상기 콘택홀 공정이 진행되면 계속해서 기판의 전영역 상에 ITO 금속막을 증착하고 식각하여 화소 전극, 패드 영역 및 은접점부(330) 영역에 콘택 패드(360)를 형성한다.When the contact hole process is performed, the ITO metal layer is continuously deposited and etched on the entire area of the substrate to form the contact pads 360 in the pixel electrode, the pad region, and the silver contact portion 330.

따라서, 상기 은접점부(330) 상에는 ITO 금속으로된 콘택 패드(360)가 형성되는데, 상기 은접점부(330)의 중심 영역의 십자형 패턴 영역이 오픈 되므로, 상기 콘택 패드(360)는 하부의 글라스 기판과 접촉하게 된다.Accordingly, a contact pad 360 made of ITO metal is formed on the silver contact portion 330. Since the cross pattern region of the center area of the silver contact portion 330 is opened, the contact pad 360 is formed at a lower portion of the contact pad 360. In contact with the glass substrate.

그러므로 상기 콘택 패드(360)가 상기 은접점부(330)의 중심 영역인 십자 패턴에서는 단차가 낮고, 상기 은접점부(330)의 다른 영역에서는 단차가 상대적으로 높게 형성되어 Ag 도팅시 상기 은접점부(330) 외측으로 튐이 발생하지 않는 이점이 있다.Therefore, the step pad is low in the cross pattern where the contact pad 360 is the center area of the silver contact part 330, and the step is relatively high in the other area of the silver contact part 330. There is an advantage that no shock occurs outside the portion 330.

도 5는 상기 도 4의 Ag 도팅부의 B-B'의 수직 단면도이다.5 is a vertical cross-sectional view taken along line B-B 'of the Ag doping portion of FIG. 4.

도 5에 도시된 바와 같이, 글라스 기판 상에 은접점부(330)가 형성되어 있고, 중심의 십자 패턴 영역에서는 글라스 기판(300)가 오픈되어 있는 구조를 하고 있다.As shown in FIG. 5, the silver contact portion 330 is formed on the glass substrate, and the glass substrate 300 is open in the center cross pattern region.

상기 은접점부(330) 상부에 존재하는 게이트 절연막과 보호막(도시되지 않음)을 사각형 통 구조로 식각하였기 때문에, 상기 은접점부(330) 둘레에만 게이트 절연막과 보호막이 존재한다.Since the gate insulating film and the protective film (not shown) on the silver contact portion 330 are etched in a rectangular cylindrical structure, the gate insulating film and the protective film exist only around the silver contact portion 330.

상기 은접점부(330) 상에 형성된 콘택 패드(360)는 상기 은접점부(330) 가장자리 영역인 게이트 절연막과 보호막이 식각되지 않는 영역에서는 단차가 높게 형성되어 있고, 상기 은접점부(330)의 중심부 영역에서는 글라스 기판(300)에 상기 콘택 패드(360)가 접촉되도록 낮은 단차를 가지고 있다.The contact pad 360 formed on the silver contact portion 330 has a high step height in the region where the gate insulating layer and the protection layer, which are edge regions of the silver contact portion 330, are not etched, and the silver contact portion 330 is formed. In the central region of the glass substrate 300, the contact pad 360 has a low level so as to contact the glass substrate 300.

따라서, 상기 은접점부(330) 상에 Ag가 도팅되면 종래와 달리 은접점부(330)의 가장자리 둘레의 높은 단차(D 영역)로 인하여 상기 은접점부(330) 외측으로 Ag가 튀어 나가 상부 기판(400)의 공통 전극(450)과의 콘택 불량이 발생하지 않는 이점이 있다.Therefore, when Ag is doped on the silver contact portion 330, Ag jumps out of the silver contact portion 330 outside due to a high step D region around the edge of the silver contact portion 330, unlike in the related art. There is an advantage in that a poor contact with the common electrode 450 of the substrate 400 does not occur.

그러므로 본 발명에서는 은접점부(330) 상부에 존재하는 게이트 절연막과 보호막을 통구조로 식각한 콘택홀을 형성함으로써, 도팅되는 Ag 금속이 상기 은접점부(330) 영역 이외의 영역으로 튀어나가는 문제를 해결하였다.Therefore, in the present invention, by forming a contact hole etched through the gate insulating film and the protective film in the upper portion of the silver contact portion 330 in a tubular structure, the doped Ag metal jumps to a region other than the silver contact portion 330 region Solved.

따라서, 상기 은접점부(330)에 도팅되는 Ag 도팅에 의하여 상기 상부 기판(400) 상에 형성된 공통 전극(450)과의 전기적 콘택 불량을 개선할 수 있게된다.As a result, the Ag doting of the silver contact portion 330 may improve electrical contact failure with the common electrode 450 formed on the upper substrate 400.

이상에서 자세히 설명된 바와 같이, 본 발명은 액정표시장치의 어레이 기판 상에 형성되는 은접점부 상에 형성된 보호막의 패턴을 전면 오픈한 통구조로 형성함으로써, 도팅되는 은이 은접점부 중심에 고정되어 상부 기판의 공통 전극과의 전기적 콘택을 향상시킬 수 있는 효과가 있다.As described in detail above, the present invention forms the pattern of the protective film formed on the silver contact portion formed on the array substrate of the liquid crystal display device in a tubular structure in which the front surface is opened, whereby the doped silver is fixed to the center of the silver contact portion. The electrical contact with the common electrode of the upper substrate can be improved.

본 발명은 상기한 실시 예에 한정되지 않고, 이하 청구 범위에서 청구하는 본 발명의 요지를 벗어남이 없이 당해 발명이 속하는 분야에서 통상의 지식을 가진 자라면 누구든지 다양한 변경 실시가 가능할 것이다.The present invention is not limited to the above-described embodiments, and various changes can be made by those skilled in the art without departing from the gist of the present invention as claimed in the following claims.

도 1은 종래 기술에 따른 액정표시장치 어레이 기판의 구조를 도시한 평면도.1 is a plan view showing the structure of a liquid crystal display array substrate according to the prior art.

도 2는 종래 기술에 따른 액정표시장치의 Ag 도팅부의 구조를 도시한 도면.2 is a diagram illustrating a structure of an Ag doping portion of a liquid crystal display according to the related art.

도 3은 상기 도 2의 Ag 도팅부의 A-A' 영역의 수직 단면도.3 is a vertical cross-sectional view of an A-A 'region of the Ag doping portion of FIG.

도 4 본 발명에 따른 액정표시장치의 Ag 도팅부의 구조를 도시한 도면.4 is a view showing the structure of the Ag doping portion of the liquid crystal display according to the present invention.

도 5는 상기 도 4의 Ag 도팅부의 B-B'의 수직 단면도.FIG. 5 is a vertical cross-sectional view of B-B ′ of the Ag doping portion of FIG. 4. FIG.

*도면의 주요 부분에 대한 부호의 설명** Description of the symbols for the main parts of the drawings

10: 어레이 기판 20: 은접점부10: array substrate 20: silver contact portion

31: 도전선 배선 30: 공통 전압 라인31: conductive line wiring 30: common voltage line

24: 게이트 버스 라인 25: 데이터 버스 라인24: gate bus line 25: data bus line

22: 공통 버스 라인 50: 콘택홀22: common bus line 50: contact hole

35: 은접점부 60: 콘택 패드35: silver contact portion 60: contact pad

Claims

In the liquid crystal display device,

The contact hole structure of the silver contact portion region of the common bus line formed on the array substrate is etched and opened in a tubular structure, thereby generating a step between the center region and the edge region of the contact pad disposed on the silver contact portion to generate a contact. A liquid crystal display device, which can improve a defect.

The method of claim 1,

And the center of the contact pad is in contact with the glass substrate through a central open area of the silver contact portion.

The method of claim 1,

And the gate insulating film and the protective film on the silver contact portion are etched in a rectangular cylindrical structure so that the common bus line metal in the central region is exposed to the outside.

Depositing and etching a gold film on the glass substrate to form a gate bus line and a common bus line;

Applying a gate insulating film on the substrate on which the gate bus line is formed, subsequently applying amorphous silicon, etc., and then etching to form a channel layer in a region where the thin film transistor is formed;

Depositing and etching source / drain metal layers on the substrate on which the channel layer is formed to form source / drain electrodes and data bus lines;

Applying a protective film on the substrate on which the source / drain electrode is formed and etching to etch the protective film on the drain electrode, and simultaneously forming contact holes having a rectangular cylindrical structure in the silver contact area of the common bus line; And

And depositing an ITO metal film on the substrate on which the contact hole is formed, and then etching to form contact pads in the pixel electrode, the pad region, and the silver contact region. 2.

The method of claim 4, wherein

And wherein the step of the center portion of the contact pad of the silver contact portion is formed to be relatively lower than the step around the edge of the silver contact portion.

The method of claim 4, wherein

The center of the contact pad of the silver contact portion is in contact with a glass substrate.

The method of claim 4, wherein