KR20050062830A - 밀리미터파 대역 증폭 장치 및 정합 회로 - Google Patents
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- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03F—AMPLIFIERS
- H03F3/00—Amplifiers with only discharge tubes or only semiconductor devices as amplifying elements
- H03F3/60—Amplifiers in which coupling networks have distributed constants, e.g. with waveguide resonators
- H03F3/602—Combinations of several amplifiers
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Microwave Amplifiers (AREA)
Abstract
Description
Claims (15)
- 직렬 연결된 제 1 마이크로스트립 라인, 캐패시터, 제 2 마이크로스트립 라인; 및상기 캐패시터 및 상기 제 2 마이크로스트립 라인 사이에 접속된 개방 스터브를 포함하는 입력 정합 회로.
- 제 1 항에 있어서,상기 제 2 마이크로스트립 라인은 T-접합 마이크로스트립 라인인 것을 특징으로 하는 입력 정합 회로.
- 제 2 항에 있어서,상기 T-접합 마이크로스트립 라인의 연결되지 아니한 나머지 한 단자에 게이트 바이어스 회로가 연결된 것을 특징으로 하는 입력 정합 회로.
- 제 1 항에 있어서,상기 캐패시터 및 상기 제 2 마이크로스트립 라인 사이에 직렬 연결된 제 3 마이크로스트립 라인을 추가적으로 포함하는 것을 특징으로 하는 입력 정합 회로.
- 제 1 증폭기의 출력단에 연결된 출력 정합 회로;상기 출력 정합 회로에 직렬로 접속된 DC 차단 캐패시터; 및상기 DC 차단 캐패시터 및 제 2 증폭기 입력단에 접속되며, 마이크로스트립 라인, 개방 스터브 및 캐패시터를 포함하는 입력 정합 회로를 포함하는 단간 정합 회로.
- 제 5 항에 있어서,상기 출력 정합 회로는 마이크로스트립 라인으로 구성된 것을 특징으로 하는 단간 정합 회로.
- 제 5 항에 있어서,상기 출력 정합 회로는마이크로스트립 라인; 및상기 마이크로스트립 라인 및 상기 DC 차단 캐패시터 사이에 접속된 개방 스터브로 구성된 것을 특징으로 하는 단간 정합 회로.
- 제 6 또는 7 항에 있어서,상기 마이크로스트립 라인은 T-접합 마이크로스트립 라인인 것을 특징으로 하는 단간 정합 회로.
- 제 8 항에 있어서,상기 T-접합 마이크로스트립 라인의 연결되지 아니한 나머지 한 단자는 드레인 바이어스 회로에 연결된 것을 특징으로 하는 단간 정합 회로.
- 제 5 항에 있어서,상기 입력 정합 회로는 제 1 내지 5 항 중에서 어느 한 항에 의한 입력 정합 회로인 것을 특징으로 하는 단간 정합 회로.
- 증폭기;상기 증폭기의 입력단에 연결되며, 마이크로스트립 라인, 개방 스터브 및 캐패시터를 포함하는 입력 정합 회로;상기 증폭기의 출력단에 연결된 출력 정합 회로; 및상기 증폭기의 출력 정합 회로에 직렬로 접속된 DC 차단 캐패시터를 포함하는 증폭 장치.
- 제 11 항에 있어서,상기 입력 정합 회로는 제 1 내지 5 항 중에서 어느 한 항에 의한 입력 정합 회로인 것을 특징으로 하는 증폭 장치.
- 제 11 항에 있어서,상기 증폭기는 HEMT인 것을 특징으로 하는 증폭 장치.
- 제 11 항에 있어서,상기 증폭기에 병렬 연결된 부궤환 회로를 추가적으로 포함하는 것을 특징으로 하는 증폭 장치.
- 제 1 내지 4 증폭기;상기 제 1 내지 2 증폭기에 각각 병렬 연결된 제 1 내지 2 부궤환 회로;상기 제 1 내지 4 증폭기의 입력단에 각각 접속된 제 1 내지 4 입력 정합 회로;상기 제 1 내지 4 증폭기의 출력단에 각각 접속된 제 1 내지 4 출력 정합 회로;상기 제 1 내지 4 입력 정합 회로의 T-접합 마이크로스트립 라인에 각각 접속된 제 1 내지 4 게이트 바이어스 회로;상기 제 1 내지 4 출력 정합 회로의 T-접합 마이크로스트립 라인에 각각 접속된 제 1 내지 4 드레인 바이어스 회로;상기 제 1 입력 정합 회로에 접속된 제 1 DC 차단 캐패시터;상기 제 1 출력 정합 회로 및 상기 제 2 입력 정합 회로에 접속된 제 2 DC 차단 캐패시터;상기 제 2 출력 정합 회로 및 상기 제 3 입력 정합 회로에 접속된 제 3 DC 차단 캐패시터;상기 제 3 출력 정합 회로 및 상기 제 4 입력 정합 회로에 접속된 제 4 DC 차단 캐패시터; 및상기 제 4 출력 정합 회로에 접속된 제 4 DC 차단 캐패시터를 포함하되,상기 제 1 내지 4 입력 정합 회로 중 적어도 하나는 제 1 내지 5 항 중 어느 한 항에 의한 입력 정합 회로인 것을 특징으로 하는 증폭 장치.
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Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR100941088B1 (ko) * | 2007-12-11 | 2010-02-10 | 한국과학기술원 | 근단 혼선을 이용한 반도체 장치, 반도체 장치의 제조방법, 반도체 장치의 구동 방법 및 통신 시스템 |
US8294521B2 (en) | 2009-08-14 | 2012-10-23 | Electronics And Telecommunications Research Institute | Power amplifier having depletion mode high electron mobility transistor |
-
2003
- 2003-12-18 KR KR1020030093143A patent/KR100541966B1/ko active IP Right Grant
Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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KR100941088B1 (ko) * | 2007-12-11 | 2010-02-10 | 한국과학기술원 | 근단 혼선을 이용한 반도체 장치, 반도체 장치의 제조방법, 반도체 장치의 구동 방법 및 통신 시스템 |
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KR100541966B1 (ko) | 2006-01-10 |
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