KR20050057955A - 미세 패턴 선폭 측정 방법 및 그 시스템 - Google Patents

미세 패턴 선폭 측정 방법 및 그 시스템 Download PDF

Info

Publication number
KR20050057955A
KR20050057955A KR1020030090187A KR20030090187A KR20050057955A KR 20050057955 A KR20050057955 A KR 20050057955A KR 1020030090187 A KR1020030090187 A KR 1020030090187A KR 20030090187 A KR20030090187 A KR 20030090187A KR 20050057955 A KR20050057955 A KR 20050057955A
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
pattern
inspection target
signal profile
secondary electron
electron microscope
Prior art date
Application number
KR1020030090187A
Other languages
English (en)
Other versions
KR100543467B1 (ko
Inventor
강민섭
이상길
김광식
정경호
김성중
Original Assignee
삼성전자주식회사
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 삼성전자주식회사 filed Critical 삼성전자주식회사
Priority to KR1020030090187A priority Critical patent/KR100543467B1/ko
Priority to JP2004354536A priority patent/JP4945078B2/ja
Priority to US11/008,477 priority patent/US7091485B2/en
Publication of KR20050057955A publication Critical patent/KR20050057955A/ko
Application granted granted Critical
Publication of KR100543467B1 publication Critical patent/KR100543467B1/ko
Priority to US11/426,713 priority patent/US7468512B2/en
Priority to US12/274,471 priority patent/US7923684B2/en

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L22/00—Testing or measuring during manufacture or treatment; Reliability measurements, i.e. testing of parts without further processing to modify the parts as such; Structural arrangements therefor
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
    • H01J37/26—Electron or ion microscopes; Electron or ion diffraction tubes
    • H01J37/28—Electron or ion microscopes; Electron or ion diffraction tubes with scanning beams
    • G—PHYSICS
    • G06—COMPUTING; CALCULATING OR COUNTING
    • G06V—IMAGE OR VIDEO RECOGNITION OR UNDERSTANDING
    • G06V20/00—Scenes; Scene-specific elements
    • G06V20/60—Type of objects
    • G06V20/69—Microscopic objects, e.g. biological cells or cellular parts
    • G06V20/695—Preprocessing, e.g. image segmentation
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J2237/00—Discharge tubes exposing object to beam, e.g. for analysis treatment, etching, imaging
    • H01J2237/26—Electron or ion microscopes
    • H01J2237/28—Scanning microscopes
    • H01J2237/2813—Scanning microscopes characterised by the application
    • H01J2237/2814—Measurement of surface topography
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J2237/00—Discharge tubes exposing object to beam, e.g. for analysis treatment, etching, imaging
    • H01J2237/26—Electron or ion microscopes
    • H01J2237/28—Scanning microscopes
    • H01J2237/2813—Scanning microscopes characterised by the application
    • H01J2237/2817—Pattern inspection

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Multimedia (AREA)
  • Biomedical Technology (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Analytical Chemistry (AREA)
  • Molecular Biology (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Health & Medical Sciences (AREA)
  • Theoretical Computer Science (AREA)
  • Life Sciences & Earth Sciences (AREA)
  • General Health & Medical Sciences (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Length-Measuring Devices Using Wave Or Particle Radiation (AREA)
  • Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
  • Testing Or Measuring Of Semiconductors Or The Like (AREA)

Abstract

여기에 개시되는 미세 패턴의 선폭 측정 방법은 미리 준비된 기준 패턴의 주사전자현미경 화상 및 그에 대한 2차 전자 신호 프로파일을 대응하는 검사 대상 패턴의 주사전자현미경 화상 및 그에 대한 2차 전자 신호 프로파일과 각각 비교하여 검사 대상 패턴의 불량 또는 양호 여부를 판단하고 양호 패턴으로 판단된 검사 대상 패턴에 대하여 선폭을 측정한다. 주사전자현미경 화상들 비교 결과 불량으로 판단되면 2차 전자 신호 프로파일들을 비교하여 최종적으로 패턴의 불량여부를 판단한다.

Description

미세 패턴 선폭 측정 방법 및 그 시스템{METHOD AND SYSTEM FOR MEASURING CRITICAL DIMENSION OF FINE PATTERN}
본 발명은 미세 패턴의 선폭 측정 방법 및 그 시스템에 관한 것으로서, 더욱 상세하게는 주사전자현미경을 이용한 미세 패턴의 선폭 측정 방법 및 그 시스템에 관한 것이다.
주사전자현미경(SEM)은 전자빔(electron beam)을 시료에 주사하고 반사되는 2차 전자를 검출하여 그 개수에 비례한 밝기의 화소로서 화상을 표시해 주는 외관 관찰 장치로서 외관검사, 미세 패턴의 선폭, 미소 치수를 측정하는데 사용되고 있다.
특히 반도체 제조 공정의 경우, 주사전자현미경을 사용하여 미세 패턴의 선폭을 측정함으로써 공정을 평가하고 있다. 통상적인 방법에 따른 미세 선폭 측정 방법은 화상을 이용하여 검사 대상 패턴과 기준 패턴 사이의 유사성을 판단한다(패턴 매칭). 즉, 미리 준비된 기준 패턴의 주사전자현미경 화상(SEM image)과 실제 검사 대상 패턴의 주사전자현미경 화상을 픽셀 단위로 비교한다. 비교 결과 양호한 패턴이라고 판단될 경우에 한해서 선폭을 측정한다. 즉, 주사전자현미경 화상들을 비교한 결과 양호한 패턴이 아니라고 판단되면 측정을 하지 않는다.
하지만 통상적인 패턴 매칭 방법에 따르면 공정상 허용될 수 있는 패턴임에도 불구하고 주사전자현미경 화상 비교에서 양호한 패턴이 아니라고 판단될 수 있다. 따라서 이 경우, 정상적으로 선폭 측정이 진행되어야 함에도 불구하고 선폭 측정이 중단되는 문제가 발생한다.
따라서 본 발명은 신뢰성 있는 패턴 매칭을 통한 미세 선폭 측정 방법 및 그 시스템을 제공하는 것을 목적으로 한다.
상기 목적을 달성하기 위한 본 발명의 일 실시예에 따른 미세 패턴 측정 방법은 2차 전자 신호 프로파일을 사용하여 패턴 매칭을 하는 것을 일 특징으로 한다. 검사 대상 패턴에 대한 2차 전자 신호 프로파일 및 미리 준비된 기준 패턴에 대한 2차 전자 프로파일을 비교하여 검사 대상 패턴의 양호, 불량을 판단한다.
2차 전자 신호 프로파일은 주사전자현미경 화상으로부터 구한다. 2차 전자 신호 프로파일을 이용한 패턴 매칭 방법은 허용 가능한 범위 내에서 발생하는 패턴의 변이들에 대해서 양호한 패턴으로 판단한다.
예컨대, 2차 전자 신호 프로파일은 주사전자현미경 화상의 양 측정점을 이은 직선을 따라 측정된 2차 전자 신호에 의해 구해질 수 있다. 콘택홀 형태의 패턴일 경우, 양 측정점을 콘택홀의 중심을 기준으로 회전하면서 다수에 걸쳐 측정해서 그 평균값으로 정할 수 있다. 한편, 직선 형태의 패턴, 즉, 라인 패턴일 경우, 양 측정점을 라인을 따라 움직여서 다수에 걸쳐 측정해서 그 평균값으로 정할 수 있다.
2차 전자 신호 프로파일을 이용한 패턴 매칭 방법은 예컨대, 2차 전자 신호의 프로파일들의 피크 높이(Hp), 피크 사이의 거리(Dp), 또는 피크의 경사 거리(Sp), 경사 수평 거리(Ds)를 비교하여 판단한다.
상기 목적을 달성하기 위한 본 발명의 다른 특징에 따르면, 검사 대상 패턴 및 기준 패턴에 대한 2차 전자 신호 프로파일들 비교와 검사 대상 패턴 및 기준 패턴에 대한 화상들의 픽셀 단위로 비교를 통해서 패턴을 매칭하는 것을 다른 특징으로 한다.
2차 전자 신호 프로파일 비교에 의한 패턴 매칭 방법 및 화상의 픽셀 단위 비교에 의한 패턴 매칭 방법 중 먼지 진행되는 패턴 매칭 방법 결과 불량 패턴으로 판단될 경우 나머지 패턴 매칭 방법을 진행하지 것이 바람직하다.
구체적으로 상기 목적을 달성하기 위한 본 발명의 일 실시예에 따른 미세 패턴 측정 방법은 검사 대상 패턴의 주사전자현미경 화상을 구하고, 상기 검사 대상 패턴의 주사전자현미경 화상으로부터 2차 전자 신호 프로파일을 구하고, 미리 준비된 기준 패턴의 2차 전자 신호 프로파일과 상기 검사 대상 패턴의 2차 전자 신호 프로파일을 비교하여 검사 대상 패턴의 불량 여부를 판단하고, 불량이 아닌 것으로 판단된 양호한 검사 대상 패턴의 선폭을 측정하는 것을 포함한다.
상기 목적을 달성하기 위한 본 발명의 다른 실시예에 따른 미세 패턴 측정 방법은 시료를 상기 주사전자현미경의 스테이지 상에 로딩하고, 시료 상의 검사 대상 패턴으로 이동하여 주사전자현미경 화상 및 상기 검사 대상 패턴의 주사전자현미경 화상으로부터 2차 전자 신호 프로파일을 구하고, 상기 검사 대상 패턴의 주사전자현미경 화상 및 그것의 2차 전자 신호 프로파일을 미리 준비된 기준 패턴의 주사전자현미경 화상 및 그것의 2차 전자 신호 프로파일과 각각 비교하여 검사 대상 패턴의 불량 여부를 판단하고, 불량이 아닌 것으로 판단된 양호한 검사 대상 패턴의 선폭을 측정하는 것을 포함한다.
상기 목적을 달성하기 위한 본 발명의 일 실시예에 따른 선폭 측정 시스템은 검사 대상 패턴에 대한 주사전자현미경 화상을 형성하기 위한 화상 형성 수단과, 상기 검사 대상 패턴의 주사전자현미경 화상으로부터 2차 전자 신호 프로파일을 형성하기 위한 2차 전자 신호 프로파일 형성 수단과, 미리 설정된 기준 패턴에 대한 화상 및 2차 전자 신호 프로파일을 저장하기 위한 저장 수단과, 주사전자현미경 화상 및 2차 전자 신호 프로파일을 비교하여 검사 대상 패턴의 양호 및 불량을 판단하기 위한 패턴 매칭 수단과, 양호한 패턴으로 판단된 검사 대상 패턴의 선폭을 측정하기 위한 측정 수단을 구비한다.
상기 목적을 달성하기 위한 본 발명은 컴퓨터에 검사 대상 패턴에 대한 주사전자현미경 화상을 형성하기 위한 기능과, 상기 검사 대상 패턴의 주사전자현미경 화상으로부터 2차 전자 신호 프로파일을 형성하기 위한 기능과, 미리 설정된 기준 패턴에 대한 화상 및 2차 전자 신호 프로파일을 저장하기 위한 기능과, 주사전자현미경 화상 및 2차 전자 신호 프로파일을 비교하여 검사 대상 패턴의 양호 및 불량을 판단하기 위한 기능과, 양호한 패턴으로 판단된 검사 대상 패턴의 선폭을 측정하기 위한 기능을 실현시키기 위한 프로그램을 기록한 컴퓨터로 읽을 수 있는 기록 매체를 제공한다.
이하 첨부한 도면들을 참조하여 본 발명의 실시예들을 상세히 설명하기로 한다. 그러나, 본 발명은 여기서 설명되어지는 실시예들에 한정되지 않고 다른 형태로 구체화될 수도 있다. 오히려, 여기서 소개되는 실시예들은 개시된 내용이 철저하고 완전해질 수 있도록 그리고 당업자에게 본 발명의 사상이 충분히 전달될 수 있도록 하기 위해 제공되어지는 것이다.
본 발명은 주사전자현미경을 이용한 미세 패턴 측정 방법 및 그 시스템에 관한 것으로서, 특히 반도체 제조 공정에서 미세 패턴의 선폭 측정에 유용하게 적용될 수 있다. 본 발명의 패턴의 선폭 측정 방법은 미리 결정된 기준 패턴과 검사 대상 패턴을 매칭하여 양호한 패턴으로 판단된 검사 대상 패턴에 대해서 그 선폭을 측정한다. 본 발명에 따르면, 기준 패턴과 검사 대상 패턴을 매칭하는 방법으로 화상을 이용한 패턴 매칭 방법과 2차 전자 신호 프로파일을 이용한 패턴 매칭 방법을 사용한다. 2차 전자 신호 프로파일을 이용한 패턴 매칭 방법은 화상을 이용한 매칭 방법보다 상대적으로 정확하다.
도 1은 본 발명에 따른 주사전자현미경을 이용한 미세 선폭 측정 시스템을 개략적으로 도시한다. 전자빔(100)이 전자빔 소오스로부터 방출되어 압축 렌즈(condenser lens)(106), 편향 코일(108), 대물 렌즈(objective lens)(110)의 작용에 의해서 스테이지(102) 상에 놓여진 시료(104)에 주사된다. 이때, 시료에 주사된 전자빔에 의해서 2차 전자가 시료(104)로부터 방출된다. 시료(104)로부터 방출된 2차 전자가 검출기(112)에 의해서 검출되어 전기 신호로 변환된다. 변환된 전기 신호는 아날로그/디지털(A/D) 변환기(114)에 의해서 디지털 신호로 변환되어 화상 처리기(116)에 의해서 처리되어 표시부(120)의 화면에 나타난다. 컴퓨터(118)가 이와 같은 모든 동작을 제어한다.
화상 처리기(116)는 주사전자현미경 화상 형성부(122), 2차 전자 프로파일 형성부(124), 패턴 매칭부(126), 선폭 측정부(128)를 포함한다. 주사전자현미경 화상 형성부(124)는 아날로그/디지털 변환기(114)로부터 받은 디지털 신호를 처리하여 주사전자현미경 화상을 형성한다. 예컨대, 주사전자현미경 화상 형성부(124)는 형성된 화상을 저장하는 저장 수단으로서 메모리를 포함할 것이다. 주사전자현미경 화상을 구성하는 각 픽셀의 밝기는 주사전자현미경 화상은 시료(104)로부터 방출되는 2차 전자의 강도에 의존하며, 방출되는 2차 전자가 많을 수록 픽셀은 밝게된다. 주사전자현미경 화상은 평면적으로 배열된(2차원적으로 배열된) 픽셀들로 이루어진다.
2차 전자 신호 프로파일 형성부(124)는 검사 대상 패턴의 특정 방향(선폭 측정 방향)을 따라 방출되는 2차 전자 강도를 표시하는 2차 전자 신호 프로파일을 형성한다. 예컨대, 2차 전자 신호 프로파일 형성부(124)는 형성된 2차 전자 신호 프로파일을 저장하기 위한 저장 수단으로 메모리를 포함할 것이다.
패턴 매칭부(126)는 검사 대상 패턴과 미리 준비된 기준 패턴의 유사성을 확인한다. 기준 패턴에 대한 정보, 즉 기준 패턴에 대한 주사전자현미경 화상에 대한 정보 및 그에 대한 2차 전자 신호 프로파일에 대한 정보는 별도의 메모리(119)에 저장되어 컴퓨터(118)에 의해 읽혀지거나 아니면 컴퓨터(118) 내부의 메모리(119')에 저장되어 있다. 또는 화상 처리기(116) 내부의 메모리(미도시)에 저장되어 있을 수 있다. 패턴 매칭부(126)는 주사전자현미경 화상 비교 및 2차 전신호 프로파일 비교를 통해서 기준 패턴과 검사 대상 패턴의 유사성 정도, 즉, 측정하고자 하는 검사 대상 패턴의 불량, 양호 여부를 판단한다. 패턴 매칭부(126)에서 판단한 결과 검사 대상 패턴이 양호한 것으로 판단되면 선폭 측정부(128)에서 검사 대상 패턴의 선폭을 측정한다.
이하에서는 도 2 내지 도 5를 참조하여 특히 패턴 매칭부(126)에서 이루어지는 본 발명에 따른 패턴 매칭 방법을 설명하기로 한다.
도 2 및 도 3은 각각 표시부(120)에 나타나는 양호한 패턴, 허용 가능한 범위내의 변이 패턴에 대한 주사전자현미경 화상과 2그에 대한 차 전자 신호 프로파일을 보여준다. 도면들에서 선분(MP)은 선폭 측정 방향을 가리킨다. 검사 대상 패턴의 에지부근에서 방출되는 2차 전자의 개수는 많으며, 방출되는 2차 전자의 개수(강도)가 많을 수록(높을 수록) 주사전자현미경 화상을 구성하는 픽셀은 밝게 표시되기 때문에, 도 2 및 2의 패턴은 콘택홀임을 알 수 있다.
한편 도 4 및 도 5는 각각 라인 패턴 및 허용 가능한 범위내의 변이 라인 패턴에 대한 주사전자현미경 화상에 대한 모식도 및 2차 전자 신호 프로파일을 보여준다.
주사전자현미경 화상의 바닥에 표시된 2차 전자 신호 프로파일(또는 파형)은 화상의 선분(MP)을 따라 취득된 2차 전자 신호의 강도를 타나낸다. 선분(MP) 상에 선폭 측정을 위한 두 측정점들이 위치한다.
잡음(noise) 성분을 제거하기 위해서(S/N 비를 개선하기 위해서) 2차 전자 신호 프로파일에 대한 신호 처리를 진행하고 양호한 특성의 2차 전자 신호 프로파일을 취득할 수 있다.
S/N 비를 향상시키기 위해서 예컨대, 산술 평균, 이동 평균 등을 적용할 수 있다. 산술 평균에 있어서, 2차 주사현미경 화상으로부터 다수 개의 2차 전자 신호 프로파일을 취득하고 이를 평균하여 양호한 2차 전자 신호 프로파일을 얻을 수 있다.
예컨대, 콘택홀 형태의 패턴일 경우, 선폭 측정을 위한 양 측정점을 콘택홀의 중심을 기준으로 회전(선분 MP가 콘택홀의 중심을 기준으로 회전)시키면서 다수에 걸쳐 측정해서 그 평균값으로 정할 수 있다. 한편, 라인 패턴일 경우, 양 측정점을 라인을 따라 이동(선분 MP가 라인 패턴을 따라 상하로 이동)시켜 다수에 걸쳐 측정해서 그 평균값으로 정할 수 있다.
이동 평균에 있어서, 2차 전자 신호 프로파일에 대한 이동 평균을 이용하여 그 프로파일을 평탄화하여 프로파일을 개선한다. 예컨대, n번째 픽셀이 신호를 S(n)이라고 할때, N개의 픽셀을 이동평균할 경우, 노이즈가 개선된 n번째 픽셀 신호 S'(n)은 다음 수식 1로 주어진다.
, 단, L = (N-1)/2
---------------- 수식 (1)
도 2 및 도 3 그리고 도 4 및 도 5에서, 주사전자현미경 화상은 다소 틀리지만, 그에 대한 2차 전자 신호 프로파일은 실질적으로 동일함을 알 수 있다. 따라서 본 발명의 일 특징에 따르면, 패턴 매칭을 위해서, 주사전자현미경 화상뿐만 아니라 2차 전자 신호 프로파일도 사용한다.
먼저 주사전자현미경 화상 비교를 통한 패턴 매칭에 대해서 설명한다. 주사전자현미경 화상 비교는 검사 대상 패턴에 대한 주사전자현미경 화상을 구성하는 픽셀과 이에 대응하는 미리 준비된 기준 패턴의 주사전자현미경 화상을 구성하는 픽셀을 비교하고 그 결과를 스코어(score)로서 나타낸다. 결과 스코어가 미리 설정된 소정 값(threshold) 이상일 때 검사 대상 패턴을 양호한 패턴으로 결정하고 그렇지 않을 경우 불량 패턴으로 결정한다. 검사 대상 패턴과 기준 패턴 사이의 유사성을 대별하는 스코어는 두 주사전자현미경 화상을 구성하는 픽셀 사이의 정규화 상관을 이용하여 아래 수식 2로부터 계산된 상관계수(r)로부터 구해진다.
----------------- 수식 (2)
위 수식 1에서 Pij 는 검사 대상 패턴의 화상 상의 픽셀 (i, j)에서의 농도치(즉, 2차 전자 강도)를, Mij 는 기준 패턴의 화상 상의 픽셀 (i, j)에서의 농도치이다.
상기 수식(2)로부터 얻어진 상관계수를 r이라 할 때, 스코어(s)는 아래 수식 3으로 주어진다.
s = 1000r2 ----- (수식 3)
스코어가 1000이면 검사 대상 패턴과 기준 패턴이 완전히 일치하는 것을 의미한다. 스코어가 높을 수록 두 패턴 사이의 유사성은 높다. 검사 대상 패턴은, 매칭 결과 스코어가 소정값(threshold) 이상일 경우 양호한 패턴으로 그 보다 작을 경우 불량 패턴으로 판단된다.
다음 2차 전자 신호 프로파일을 이용한 패턴 매칭 방법을 도 6을 참조하여 설명하기로 한다. 도 6은 콘택홀 패턴의 단면과 및 콘택홀 패턴 단면에 대한 2차 전자 신호 프로파일을 개략적으로 도시한다. 잘 알려진 바와 같이, 2차 전자 신호 프로파일은 검사 대상 패턴의 경사진 에지 근방에서 피크(peak)를 나타낸다. 즉, 패턴의 에지 부분에서 2차 전자의 신호 강도가 강하게 나타난다.
예컨대, 본 발명에 따르면, 2차 전자 신호 프로파일을 이용한 패턴 매칭은 두 패턴들에 대한 2차 전자 신호의 프로파일들의 피크 높이(Hp), 피크 사이의 거리(Dp), 또는 피크의 경사 거리(Sp), 경사 수평 거리(Ds)를 고려한다. 여기서, 피크 높이(Hp)는 2차 전자 신호 프로파일에서 최고점(검사 대상 패턴의 상부 에지에 대응) 및 최저점(검사 대상 패턴의 바닥 에지에 대응) 사이의 수직 거리를 의미하고, 피크의 경사 거리피크의 경사 거리(Sp)는 2차 전자 프로파일에서 최고점 및 최저점을 잇는 선분의 거리를 의미한다. 한편 경사 수평 거리경사 수평 거리(Ds)는 2차 전자 신호 프로파일에서 최고점 및 최저점 사이의 수평 거리를 의미한다.
피크 높이(Hp)가 높을 수록 콘택홀의 깊이가 높다는 것을 나타내며, 반대로 피크 높이(Hp)가 낮을 수록 콘택홀의 깊이가 얕다는 것을 나타낸다. 또한 경사 거리(Sp)가 크다는 것은 콘택홀의 높이가 높다는 것을 나타낸다. 한편, 경사 수평 거리(Ds)가 크다는 것은 콘택홀의 기울기가 완만하다는 것을 의미한다.
본 발명에 따르면, 기준 패턴의 피크 높이 및 검사 대상 패턴의 피크 높이를 비교하여 검사 대상 패턴의 불량, 양호 여부를 판단하며, 그 결과를 스코어로 나타낼 수 있다. 기준 패턴의 피크 높이를 R_Hp, 검사 대상 패턴의 피크 높이를 S_Hp 라 할 때, 스코어 s 는 다음 수식 (4)로 주어질 수 있다.
s = {(R_Hp - S_Hp)/R_Hp } * 100 ---- 수식 (4)
스코어가 소정 값(Tv)(0<Tv<100)보다 작을 경우 검사 대상 패턴은 양호한 것으로 판단된다. 소정 값이 작을 수록 보다 정확한 패턴 매칭이 이루어짐은 당연할 것이며, 적절한 값이 선택되어질 수 있다.
이와 유사하게, 기준 패턴의 경사 거리 및 검사 대상 패턴의 경사 거리, 기준 패턴의 피크 거리 및 검사 대상 패턴의 피크 거리를 비교하여 패턴 매칭을 진행할 수 있다.
또한 기준 패턴의 경사 수평 거리 및 검사 대상 패턴의 경사 수평 거리를 비교하여 검사 대상 패턴의 양호, 불량 여부를 판단할 수 있다.
상술한 주사전자현미경 화상을 이용한 패턴 매칭 방법에 따르면, 도 3 및 도 5의 변이 패턴은 불량 패턴으로 판단될 수 있다. 하지만, 이들 두 화상에 대한 2차 전자 프로파일은 아주 유사하기 때문에, 상술한 2차 전자 프로파일을 이용한 패턴 매칭 방법에 따르면, 도 3 및 도 5의 변이 패턴은 양호한 것으로 패턴으로 판단된다. 한편, 도 2 및 도 4의 양호한 패턴은 상술한 두 가지 패턴 매칭 방법들 모두에서 양호한 패턴으로 판단된다.
도 7은 도 1의 시스템을 이용한 본 발명의 일 실시예에 따른 미세 패턴의 선폭 측정 방법을 설명하기 위한 모식적 흐름도이다. 여기서는 반도체 제조 공정에서 형성되는 미세 패턴의 선폭을 측정하는 방법을 도 1 및 도 7을 참조하여 일 예로서 설명하기로 한다.
먼저, 검사 대상 패턴을 구비한 시료가 주사전자현미경의 스테이지(102) 상에 로딩되고 자동 정렬 동작에 의해서 웨이퍼가 스테이지(102) 상에 제자리를 잡는다(단계 S701).
자동 정렬 및 자동 위치 찾기(auto-addressing))에 의해서, 스테이지(102) 또는 전자빔(100)이 이동하여 주사전자현미경의 관측 필드(observation field)가 웨이퍼 상에 형성된 검사 대상 패턴으로 이동하도록 한다(단계 S703). 이와 같은 자동 정렬 및 자동 위치 찾기 동작은 컴퓨터(118)에 의해서 제어된다.
전자빔(100)이 전자빔 소오스로부터 방출되어 압축 렌즈(106), 편향 코일(108), 대물 렌즈(110)의 작용에 의해서 스테이지(102) 상에 놓여진 웨이퍼(104)에, 웨이퍼 상의 검사 대상 패턴 부위에 주사된다. 이때, 검사 대상 패턴으로부터 방출된 2차 전자가 검출기(112)에 의해서 검출되어 전기 신호로 변환된다. 변환된 전기 신호는 아날로그/디지털 변환기(114)에 의해서 디지털 신호로 변환되어 화상 처리기(116)의 SEM 화상 형성부(122)에 의해서 검사 대상 패턴에 대한 화상이 형성된다(단계 S705). 이 같은 SEM 화상은 표시부(120) 화면 상에 나타날 수 있다. SEM 화상 형성에 있어서, 초점조절, 배율 등은 자동적으로 조절될 수 있다.
이어서, 2차 전자 프로파일 형성부(124)는 전술한 바와 같이 SEM 화상을 이용하여 2차 전자 신호 프로파일을 취득한다(단계 S707). 이 같은 2차 전자 신호 프로파일은 표시부(120) 화면 사에 표시될 수 있다. 바람직하게는 단계 S705에서 취득된 SEM 화상에 겹쳐서 형성될 수 있다(도 2 내지 도 5 참조).
패턴 매칭부(126)는 컴퓨터(118)가 읽어들인 미리 준비된 기준 패턴의 SEM 화상에 대한 2차 전자 신호 프로파일과 2차 전자 신호 프로파일 형성부(124)에서 취득된 검사 대상 패턴의 SEM 화상에 대한 2차 전자 신호 프로파일을 사용하여 패턴 매칭을 진행한다(단계 S709). 패턴 매칭 방법은 상술한 바와 같다.
패턴 매칭 결과 양호한 패턴으로 판단되면(즉, 허용 가능한 공정 변이 범위내의 변이된 패턴에 속하면) 선폭 측정부(128)에서 검사 대상 패턴의 선폭을 측정한다(단계 S711). 한편 매칭 결과 불량 패턴으로 판단되면, 즉 공정이 허용하는 변이를 벗어나는 패턴으로 판단되면, 선폭 측정 작업이 중단된다(단계 S713). 이 경우 패턴 형성 공정에 큰 오류가 있기 때문에 적절한 조치가 수반되어야 할 것이다.
도 8은 본 발명의 다른 실시예에 따른 선폭 측정 방법을 개략적으로 도시하는 모식적 흐름도이다. 앞서 도 7을 참조하여 설명한 방법의 단계 S701 내지 단계 S707을 진행한다(도 8의 단계 S801 내지 단계 S809).
다음 패턴 매칭부(126)에서 검사 대상 패턴의 SEM 화상과 기준 패턴의 SEM 화상을 비교하여 패턴 매칭을 진행한다(단계 S809).
SEM 화상 비교 결과 양호한 패턴이라고 판단되면 측정부(128)에서 검사 대상 패턴의 선폭을 측정한다(단계 S811). 반면 SEM 화상 비교 결과 불량이라고 판단되면(허용 가능한 범위내의 변이 패턴임에도 불구하고), 패턴 매칭부(126)에서는 다시 패턴 매칭을 수행하여 패턴 매칭의 신뢰성을 향상시킨다. 이때, 검사 대상 패턴의 2차 전자 프로파일 및 기준 패턴의 2차 전자 프로파일을 비교하여 패턴 매칭을 진행한다. 2차 전자 프로파일 비교 결과 양호한 패턴으로 판단되면 측정부(128)에서 검사 대상 패턴의 선폭을 측정하고(단계 S815), 불량 패턴으로 판단되면 작업을 중단한다(단계 S817). 이 경우 패턴 형성 공정에 큰 오류가 있기 때문에 적절한 조치가 수반되어야 할 것이다.
이하에서는 측정부(128)에서 진행되는 선폭 측정 방법에 대해서 설명을 하기로 한다. 패턴 매칭에 사용된 2차 전자 신호 프로파일을 사용하여 검사 대상 패턴의 선폭을 측정한다. 바람직하게는 상술한 산술 평균, 이동 평균 등의 방법을 사용하여 2차 전자 신호 프로파일에 대한 S/N 비를 향상시킨다.
양호한 프로파일의 2차 전자 신호를 얻은 후 검사 대상 패턴의 선폭을 측정한다. 선폭을 측정하기 위해서 2차 전자 신호 프로파일 상에서 두 측정점들을 결정한 후 이들 두 측정점들 사이의 거리를 측정한다. 두 측정점들을 결정하는 방법으로서, 잘 알려진 임계치법(threshold), 피크 검출, 함수 모델링 등을 이용한다.
이상의 상세한 설명은 본 발명을 예시하고 설명하는 것이다. 또한 전술한 내용은 본 발명의 바람직한 실시 형태를 나타내고 설명하는 것에 불과하며, 전술한 바와 같이 본 발명은 다양한 다른 조합, 변경 및 환경에서 사용할 수 있으며, 본 명세서에 개시된 발명의 개념의 범위, 전술한 개시 내용과 균등한 범위 및/또는 당업계의 기술 또는 지식의 범위 내에서 변경 또는 수정이 가능하다. 전술한 실시예들은 본 발명을 실시하는데 있어 최선의 상태를 설명하기 위한 것이며, 본 발명과 같은 다른 발명을 이용하는데 당업계에 알려진 다른 상태로의 실시, 그리고 발명의 구체적인 적용 분야 및 용도에서 요구되는 다양한 변경도 가능하다. 따라서, 이상의 발명의 상세한 설명은 개시된 실시 상태로 본 발명을 제한하려는 의도가 아니다. 또한 첨부된 청구범위는 다른 실시 상태도 포함하는 것으로 해석되어야 한다.
이상에서 설명한 본 발명에 따르면 2차 전자 신호 프로파일을 사용하여 최종적으로 검사 대상 패턴의 양호 및 불량 여부를 판단한다. 따라서, 공정 중단을 야기하는 허용 가능한 범위 내의 변이 패턴을 불량 패턴으로 판단하지 않고 양호한 것으로 판단할 수 있어 신뢰성 있는 선폭 측정을 제공할 수 있다.
도 1은 본 발명에 따른 미세 패턴 선폭 측정 시스템을 개략적으로 도시한다.
도 2 및 도 3은 콘택홀 유형의 검사 대상 패턴에 대한 주사전자현미경 화상 및 그 일 단면에 대한 2차 전자 신호 프로파일을 도시한다.
도 4 및 도 5는 라인 유형의 검사 대상 패턴에 대한 주사전자현미경 화상 및 그 일 단면에 대한 2차 전자 신호 프로파일을 모식적으로 도시한다.
도 6은 콘택홀 패턴에 대한 단면도 및 그에 대한 2차 전자 신호 프로파일을 개략적으로 도시한다.
도 7은 일 실시예에 따른 미세 패턴 선폭 측정 방법을 설명하기 위한 모식적 흐름도이다.
도 8은 본 발명의 다른 실시예에 따른 미세 패턴 선폭 측정 방법을 설명하기 위한 모식적 흐름도이다.

Claims (16)

  1. 검사 대상 패턴의 주사전자현미경 화상을 구하고;
    상기 검사 대상 패턴의 주사전자현미경 화상으로부터 2차 전자 신호 프로파일을 구하고;
    미리 준비된 기준 패턴의 2차 전자 신호 프로파일과 상기 검사 대상 패턴의 2차 전자 신호 프로파일을 비교하여 검사 대상 패턴의 불량 여부를 판단하고;
    불량이 아닌 것으로 판단된 양호 검사 대상 패턴의 선폭을 측정하는 것을 포함하는 것을 특징으로 하는 패턴의 선폭 측정 방법.
  2. 제 1 항에 있어서,
    상기 검사 대상 패턴의 불량 여부를 판단하는 것은, 상기 검사 대상 패턴의 주사전자현미경 화상과 상기 미리 준비된 기준 패턴의 주사전자현미경 화상을 비교하는 것을 더 포함하되,
    상기 2차 전자 신호 프로파일들 비교 및 주사전자현미경 화상들 비교 중 먼저 진행된 것의 비교 결과가 피 검사 패턴이 불량이 아닌 것으로 판단되면 나머지 비교는 진행하지 않는 것을 특징으로 하는 패턴의 선폭 측정 방법.
  3. 제 2 항에 있어서,
    상기 주사전자현미경 화상들 비교가 패턴의 불량으로 판명될 경우 상기 2차 전자 신호 프로파일들 비교를 진행하는 것을 특징으로 하는 패턴의 선폭 측정 방법.
  4. 제 2 항 또는 제 3 항에 있어서,
    상기 주사전자현미경 화상과 상기 2차 전자 신호 프로파일이 동일 화면에 표시되는 것을 특징으로 하는 패턴의 선폭 측정 방법.
  5. 제 1 항에 있어서,
    상기 검사 대상 패턴의 선폭 측정은 상기 검사 대상 패턴의 2차 전자 신호 프로파일을 사용하여 측정하는 것을 특징으로 하는 선폭 측정 방법.
  6. 제 4 항에 있어서,
    상기 검사 대상 패턴의 선폭 측정은 상기 검사 대상 패턴의 2차 전자 신호 프로파일을 사용하여 측정하는 것을 특징으로 하는 패턴의 선폭 측정 방법.
  7. 제 4 항에 있어서,
    미리 준비된 기준 패턴의 2차 전자 신호 프로파일과 상기 검사 대상 패턴의 2차 전자 신호 프로파일을 비교하여 검사 대상 패턴의 불량 여부를 판단하는 것은,
    2차 전자 신호의 프로파일들의 피크 높이(Hp), 피크 사이의 거리(Dp), 또는 피크의 경사 거리(Sp), 경사 수평 거리(Ds)를 비교하여 판단하는 것을 특징으로 하는 패턴의 선폭 측정 방법.
  8. 제 6항에 있어서,
    미리 준비된 기준 패턴의 2차 전자 신호 프로파일과 상기 검사 대상 패턴의 2차 전자 신호 프로파일을 비교하여 검사 대상 패턴의 불량 여부를 판단하는 것은,
    2차 전자 신호의 프로파일들의 피크 높이(Hp), 피크 사이의 거리(Dp), 또는 피크의 경사 거리(Sp), 경사 수평 거리(Ds)를 비교하여 판단하는 것을 특징으로 하는 패턴의 선폭 측정 방법.
  9. 시료를 상기 주사전자현미경의 스테이지 상에 로딩하고;
    시료 상의 검사 대상 패턴으로 이동하여 주사전자현미경 화상 및 상기 검사 대상 패턴의 주사전자현미경 화상으로부터 2차 전자 신호 프로파일을 구하고;
    상기 검사 대상 패턴의 주사전자현미경 화상 및 그것의 2차 전자 신호 프로파일을 미리 준비된 기준 패턴의 주사전자현미경 화상 및 그것의 2차 전자 신호 프로파일과 각각 비교하여 검사 대상 패턴의 불량 여부를 판단하고;
    불량이 아닌 것으로 판단된 양호한 검사 대상 패턴의 선폭을 측정하는 것을 포함하는 것을 특징으로 하는 패턴의 선폭 측정 방법.
  10. 제 9 항에 있어서,
    검사 대상 패턴의 불량 여부를 판단함에 있어서,
    먼저 상기 검사 대상 패턴의 주사전자현미경 화상 및 미리 준비된 기준 패턴의 주사전자현미경 화상을 비교하여 검사 대상 패턴이 불량으로 확인되면, 상기 검사 대상 패턴의 2차 전자 신호 프로파일 및 미리 준비된 기준 패턴의 2차 전자 신호 프로파일을 비교하여 최종적인 불량 여부를 판단하는 것을 특징으로 하는 패턴의 선폭 측정 방법.
  11. 제 9 항 또는 제 10 항에 있어서,
    상기 검사 대상 패턴의 선폭 측정은 상기 검사 대상 패턴의 2차 전자 신호 프로파일을 사용하여 측정하는 것을 특징으로 하는 패턴의 선폭 측정 방법.
  12. 제 11 항에 있어서,
    상기 주사전자현미경 화상과 상기 2차 전자 신호 프로파일이 동일 화면에 표시되는 것을 특징으로 하는 패턴의 선폭 측정 방법.
  13. 제 11항에 있어서,
    미리 준비된 기준 패턴의 2차 전자 신호 프로파일과 상기 검사 대상 패턴의 2차 전자 신호 프로파일을 비교하여 검사 대상 패턴의 불량 여부를 판단하는 것은,
    2차 전자 신호의 프로파일들의 피크 높이(Hp), 피크 사이의 거리(Dp), 또는 피크의 경사 거리(Sp), 경사 수평 거리(Ds)를 비교하여 판단하는 것을 특징으로 하는 패턴의 선폭 측정 방법.
  14. 검사 대상 패턴에 대한 주사전자현미경 화상을 형성하기 위한 화상 형성 수단;
    상기 검사 대상 패턴의 주사전자현미경 화상으로부터 2차 전자 신호 프로파일을 형성하기 위한 2차 전자 신호 프로파일 형성 수단;
    미리 설정된 기준 패턴에 대한 화상 및 2차 전자 신호 프로파일을 저장하기 위한 저장 수단;
    주사전자현미경 화상 및 2차 전자 신호 프로파일을 비교하여 검사 대상 패턴의 양호 및 불량을 판단하기 위한 패턴 매칭 수단;
    양호한 패턴으로 판단된 검사 대상 패턴의 선폭을 측정하기 위한 측정 수단을 구비하는 것을 특징으로 하는 선폭 측정 시스템.
  15. 제 14항에 있어서,
    주사전자현미경 화상 및 2차 전자 신호 프로파일을 비교하여 검사 대상 패턴의 양호 및 불량을 판단하기 위한 패턴 매칭 수단은,
    2차 전자 신호의 프로파일들의 피크 높이(Hp), 피크 사이의 거리(Dp), 또는 피크의 경사 거리(Sp), 경사 수평 거리(Ds)를 비교하여 판단하는 것을 특징으로 하는 패턴의 선폭 측정 시스템.
  16. 컴퓨터에 검사 대상 패턴에 대한 주사전자현미경 화상을 형성하기 위한 기능과;
    상기 검사 대상 패턴의 주사전자현미경 화상으로부터 2차 전자 신호 프로파일을 형성하기 위한 기능과;
    미리 설정된 기준 패턴에 대한 화상 및 2차 전자 신호 프로파일을 저장하기 위한 기능과;
    주사전자현미경 화상 및 2차 전자 신호 프로파일을 비교하여 검사 대상 패턴의 양호 및 불량을 판단하기 위한 기능과;
    양호한 패턴으로 판단된 검사 대상 패턴의 선폭을 측정하기 위한 기능을 실현시키기 위한 프로그램을 기록한 컴퓨터로 읽을 수 있는 기록 매체.
KR1020030090187A 2003-12-11 2003-12-11 미세 패턴 선폭 측정 방법 및 그 시스템 KR100543467B1 (ko)

Priority Applications (5)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020030090187A KR100543467B1 (ko) 2003-12-11 2003-12-11 미세 패턴 선폭 측정 방법 및 그 시스템
JP2004354536A JP4945078B2 (ja) 2003-12-11 2004-12-07 微細パターン線幅測定方法およびそのシステム
US11/008,477 US7091485B2 (en) 2003-12-11 2004-12-09 Methods and systems for measuring critical dimensions of fine patterns using scanning electron microscope pictures and secondary electron signal profiles
US11/426,713 US7468512B2 (en) 2003-12-11 2006-06-27 Computer program products for measuring critical dimensions of fine patterns using scanning electron microscope pictures and secondary electron signal profiles
US12/274,471 US7923684B2 (en) 2003-12-11 2008-11-20 Methods, systems and computer program products for measuring critical dimensions of fine patterns using scanning electron microscope pictures and secondary electron signal profiles

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020030090187A KR100543467B1 (ko) 2003-12-11 2003-12-11 미세 패턴 선폭 측정 방법 및 그 시스템

Publications (2)

Publication Number Publication Date
KR20050057955A true KR20050057955A (ko) 2005-06-16
KR100543467B1 KR100543467B1 (ko) 2006-01-20

Family

ID=34651374

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020030090187A KR100543467B1 (ko) 2003-12-11 2003-12-11 미세 패턴 선폭 측정 방법 및 그 시스템

Country Status (3)

Country Link
US (3) US7091485B2 (ko)
JP (1) JP4945078B2 (ko)
KR (1) KR100543467B1 (ko)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR101325951B1 (ko) * 2013-06-19 2013-11-07 한국기계연구원 측정시편의 미세패턴 내부 프로파일 형성장치 및 형성방법

Families Citing this family (11)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6538249B1 (en) * 1999-07-09 2003-03-25 Hitachi, Ltd. Image-formation apparatus using charged particle beams under various focus conditions
JP4585822B2 (ja) * 2004-09-22 2010-11-24 株式会社日立ハイテクノロジーズ 寸法計測方法及びその装置
KR100819094B1 (ko) * 2006-10-26 2008-04-02 삼성전자주식회사 반도체 메모리 디바이스 제조를 위한 글로벌 매칭 방법
JP4981410B2 (ja) * 2006-10-31 2012-07-18 株式会社日立ハイテクノロジーズ 走査型電子顕微鏡、走査型電子顕微鏡を用いたパターンの複合検査方法、および走査型電子顕微鏡の制御装置
WO2008096211A2 (en) * 2007-02-08 2008-08-14 Freescale Semiconductor, Inc. Measurement of critical dimensions of semiconductor wafers
US8855401B2 (en) 2010-10-29 2014-10-07 International Business Machines Corporation Methods and systems involving measuring complex dimensions of silicon devices
US8502146B2 (en) * 2011-10-03 2013-08-06 Kla-Tencor Corporation Methods and apparatus for classification of defects using surface height attributes
JP6018803B2 (ja) * 2012-05-31 2016-11-02 株式会社日立ハイテクノロジーズ 計測方法、画像処理装置、及び荷電粒子線装置
WO2016002341A1 (ja) * 2014-06-30 2016-01-07 株式会社 日立ハイテクノロジーズ パターン測定方法、及びパターン測定装置
US9754360B2 (en) 2014-12-22 2017-09-05 The Research Foundation For The State University Of New York Determination of spatial distribution of charged particle beams
DE102018211099B4 (de) * 2018-07-05 2020-06-18 Carl Zeiss Smt Gmbh Verfahren und Vorrichtung zum Bewerten eines statistisch verteilten Messwertes beim Untersuchen eines Elements eines Photolithographieprozesses

Family Cites Families (18)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5006795A (en) * 1985-06-24 1991-04-09 Nippon Telephone and Telegraph Public Corporation Charged beam radiation apparatus
US5866904A (en) * 1990-10-12 1999-02-02 Hitachi, Ltd. Scanning electron microscope and method for dimension measuring by using the same
JPH06347246A (ja) * 1993-06-07 1994-12-20 Hitachi Ltd 測長機能を備えた走査電子顕微鏡
JP3317030B2 (ja) * 1994-06-27 2002-08-19 ヤマハ株式会社 寸法測定装置
US6259960B1 (en) * 1996-11-01 2001-07-10 Joel Ltd. Part-inspecting system
JP2870521B2 (ja) * 1997-05-09 1999-03-17 株式会社日立製作所 電子線を用いた測長方法及び測長装置
JP4002655B2 (ja) * 1998-01-06 2007-11-07 株式会社日立製作所 パターン検査方法およびその装置
JP3961657B2 (ja) * 1998-03-03 2007-08-22 株式会社東芝 パターン寸法測定方法
JP2000243338A (ja) * 1999-02-22 2000-09-08 Hitachi Ltd 透過電子顕微鏡装置および透過電子検査装置並びに検査方法
JP4163344B2 (ja) * 1999-03-05 2008-10-08 株式会社東芝 基板検査方法および基板検査システム
US6538249B1 (en) 1999-07-09 2003-03-25 Hitachi, Ltd. Image-formation apparatus using charged particle beams under various focus conditions
JP3524853B2 (ja) * 1999-08-26 2004-05-10 株式会社ナノジオメトリ研究所 パターン検査装置、パターン検査方法および記録媒体
US6583413B1 (en) 1999-09-01 2003-06-24 Hitachi, Ltd. Method of inspecting a circuit pattern and inspecting instrument
JP2002124555A (ja) * 2000-10-17 2002-04-26 Hitachi Ltd Ｓｅｍ式欠陥レビュー装置およびその方法並びに検査システム
US6855929B2 (en) * 2000-12-01 2005-02-15 Ebara Corporation Apparatus for inspection with electron beam, method for operating same, and method for manufacturing semiconductor device using former
JP2002261136A (ja) * 2001-02-28 2002-09-13 Hitachi Ltd 異物検査方法
JP3973372B2 (ja) 2001-03-23 2007-09-12 株式会社日立製作所 荷電粒子線を用いた基板検査装置および基板検査方法
JP3841024B2 (ja) * 2002-06-13 2006-11-01 株式会社日立製作所 立体形状測定装置及びエッチングの条件出し方法

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR101325951B1 (ko) * 2013-06-19 2013-11-07 한국기계연구원 측정시편의 미세패턴 내부 프로파일 형성장치 및 형성방법

Also Published As

Publication number Publication date
JP4945078B2 (ja) 2012-06-06
US20050127292A1 (en) 2005-06-16
JP2005174929A (ja) 2005-06-30
US7468512B2 (en) 2008-12-23
US20060231753A1 (en) 2006-10-19
US20090077696A1 (en) 2009-03-19
US7091485B2 (en) 2006-08-15
KR100543467B1 (ko) 2006-01-20
US7923684B2 (en) 2011-04-12

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US7230243B2 (en) Method and apparatus for measuring three-dimensional shape of specimen by using SEM
US10720307B2 (en) Electron microscope device and inclined hole measurement method using same
US9075026B2 (en) Defect inspection device and defect inspection method
US7468512B2 (en) Computer program products for measuring critical dimensions of fine patterns using scanning electron microscope pictures and secondary electron signal profiles
US9811897B2 (en) Defect observation method and defect observation device
US7154605B2 (en) Method for characterizing defects on semiconductor wafers
KR100775437B1 (ko) 패턴검사장치및그방법
US6879392B2 (en) Method and apparatus for inspecting defects
US7764826B2 (en) Method and apparatus of reviewing defects on a semiconductor device
US8611638B2 (en) Pattern inspection method and pattern inspection apparatus
JP2000323538A5 (ko)
US9521372B2 (en) Pattern measuring apparatus, pattern measuring method, and computer-readable recording medium on which a pattern measuring program is recorded
US6157451A (en) Sample CD measurement system
TWI407127B (zh) 以帶電粒子顯微鏡影像辨識導電柱塞短路的方法與裝置
JP4230880B2 (ja) 欠陥検査方法
JP2003028811A (ja) 欠陥検出方法
US20040247172A1 (en) Pattern measuring apparatus, pattern measuring method, and manufacturing method of semiconductor device
JP3788586B2 (ja) パターン検査装置および方法
US5570298A (en) Dot pattern-examining apparatus
JP2002014062A (ja) パターン検査方法およびその装置
JP3043530B2 (ja) ドットパターン検査装置
JP2002176084A (ja) 半導体基板検査装置および半導体基板検査方法
JPH05168053A (ja) 画像表示管のリンギング検査方法および装置

Legal Events

Date Code Title Description
A201 Request for examination
E701 Decision to grant or registration of patent right
GRNT Written decision to grant
FPAY Annual fee payment

Payment date: 20130102

Year of fee payment: 8

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20140103

Year of fee payment: 9

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20141231

Year of fee payment: 10

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20160104

Year of fee payment: 11

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20170102

Year of fee payment: 12