KR20050050493A - 실런트 침투 방지막을 포함하는 평판 표시 소자 및 이의제조 방법 - Google Patents
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Abstract
본 발명은 실런트 침투 방지막을 포함하는 평판 표시 소자 및 이의 제조 방법에 관한 것으로, 외주면을 따라 제 1 실런트 침투 방지막이 형성되어 있는 하부 기판, 상기 하부 기판 상에 박막 트랜지스터와 제 1 전극, 제 2 전극 및 발광층을 포함하는 유기 발광 소자를 포함하는 액티브 소자 영역, 및 상기 유기 발광 소자 상부에 위치하는 상부 기판을 포함하며, 외주면을 따라 상기 상부 기판과 하부 기판은 실런트에 의하여 접합되어 봉지되고, 상기 제 1 실런트 침투 방지막은 상기 실런트보다 상기 액티브 소자 영역에 근접한 위치에 형성되는 것인 평판 표시 소자 및 이의 제조 방법을 제공함으로써 평판 표시 소자의 수명 및 신뢰성을 향상시키며 또한 평판 표시 소자의 소형화에 따른 실런트의 선폭 조절 및 미스얼라인 문제를 해결할 수 있다.
Description
[산업상 이용분야]
본 발명은 실런트 침투 방지막을 포함하는 평판 표시 소자 및 이의 제조 방법에 관한 것으로, 더욱 상세하게는 패널 외곽부에 형성되어 평판 표시 소자를 봉지하는 실런트가 평판 표시 소자의 액티브 소자 영역으로 침투되지 못하도록 실런트 침투 방지막을 포함하는 실런트 침투 방지막 및 이의 제조 방법에 관한 것이다.
[종래 기술]
일반적으로 유기 전계 발광 소자는 소자를 구동하기 위한 박막트랜지스터와 양극 및 음극, 정공 주입층, 정공 수송층, 발광층, 전자 수송층, 전자 주입층 등의 여러 층으로 구성되어 있는 유기 발광 소자로 이루어진 화소부와 이러한 화소부를 구동하기 위한 외부 구동 IC를 연결하기 위한 패드부로 나누어진다. 상기 구동부와 패드부는 주로 저항을 최소화하기 위해 불투명한 메탈 물질로 이루어진 배선으로 연결된다.
특히, 유기 전계 발광 소자의 화소부의 경우 수분 및 공기의 침투에 의하여 소자가 손상을 받기 쉬우므로 봉지 공정을 행하여야 한다.
도 1은 종래 기술에 따른 평판 표시 소자의 봉지 구조를 나타내는 단면도이다.
도 1을 참조하면, 하부 절연 기판(110) 상에 소자를 구동하기 위한 박막트랜지스터와 양극 및 음극, 정공 주입층, 정공 수송층, 발광층, 전자 수송층, 전자 주입층 등의 여러 층으로 구성되어 있는 유기 발광 소자로 이루어진 액티브 소자 영역(120)이 구비되어 있다.
이와는 별도로 상부 절연 기판(130)에 봉지 물질을 형성할 수 있도록 봉지부(160)를 구비하고 이 봉지부(160)에 봉질 물질 즉, 실런트를 형성한다.
통상적으로 실런트로는 대부분이 UV 파장의 빛 또는 열에 의하여 경화되는 특성을 가지는 물질을 사용한다.
이렇게 구비된 상, 하부 절연 기판을 서로 접촉하여 봉지함으로써 하부 기판 상에 형성되어 있는 액티브 소자 영역(120)을 외부의 수분과 공기에 대한 침투에 의한 손상을 방지한다.
그러나, 이러한 경우 상기 실런트는 유기 폴리머로서 액상 또는 플라스틱 상태이므로 외부의 압력에 의해 눌려질 때 옆으로 퍼트러질 가능성이 많다. 즉, 상, 하부 기판을 접촉할 때 물리적인 힘이 가해지므로 상부 기판(130)에 형성되어 있는 실런트(150)가 소자 내부로 침투될 수 있다는 문제가 발생한다.
이러한 경우 침투된 실런트(150)에 의하여 내부의 액티브 소자(120)가 손상을 받게된다는 문제점이 있다.
이러한 문제점을 해결하기 위하여, 종래에는 상부 기판에 홈을 형성하여 실런트를 그 홈에 형성하거나 또는 실런트가 형성되지 않도록 기판 상에 격벽을 형성하기도 하나, 이러한 경우에도 실런트가 홈 밖으로 유출되거나 또는 격벽의 얼라인이 정확하지 않은 경우에는 그 격벽과 기판상의 틈 사이로 실런트가 흘러들어 내부 소자에 손상을 미치게 된다는 문제점이 있다.
본 발명은 위에서 설명한 바와 같은 문제점을 해결하기 위하여 안출된 것으로서, 본 발명의 목적은 평판 표시 소자의 소형화, 고밀도화에 따라 정밀한 실런트 선폭 조절 및 미스얼라인 발생이 적고 실런트가 소자 내부의 침투되는 것을 방지할 수 있는 평판 표시 소자 및 이의 제조 방법을 제공하는 것이다.
본 발명은 상기한 목적을 달성하기 위하여, 본 발명은
제 1 실런트 침투 방지막이 형성되어 있는 하부 기판,
상기 하부 기판 상에 박막 트랜지스터와 제 1 전극, 제 2 전극 및 발광층을 포함하는 유기 발광 소자를 포함하는 액티브 소자 영역, 및
상기 유기 발광 소자 상부에 위치하는 상부 기판을 포함하며,
상기 상부 기판과 하부 기판은 실런트에 의하여 접합되어 봉지되고, 상기 실런트 침투 방지막은 상기 실런트보다 상기 유기 발광 소자에 근접한 위치에 형성되는 것인 평판 표시 소자를 제공한다.
또한, 본 발명은
하부 기판 상부에 습식 코팅, 건식 코팅, 기상 증착법, 잉크젯법 및 레이저 전사법으로 이루어진 군에서 선택되는 하나의 방법을 사용하여 제 1 실런트 침투 방지막을 패턴하여 하부 기판 외주면을 따라 형성하는 단계,
상기 제 1 실런트 침투 방지막 형성 후 상기 제 1 실런트 침투 방지막과 일정 거리 이격되어 상기 하부 기판 상에 상기 외곽부 안쪽으로 박막트랜지스터와 제 1 전극, 발광층 및 제 2 전극을 포함하는 유기 발광 소자를 포함하는 액티브 소자 영역을 형성하는 단계, 및
실런트가 형성되어 있는 상부 기판과 하부 기판을 접합하여 봉지하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 평판 표시 소자의 제조 방법을 제공한다.
이하, 본 발명을 첨부한 도면을 참조하여 더욱 상세히 설명한다.
도 2는 도 2의 Ⅰ-Ⅰ 선을 따라 절단된 단면도로서, 본 발명의 실시예에 따라 평판 표시 소자의 외곽부에 실런트 및 실런트 침투 방지막이 형성되어 있는 것을 나타내는 평면도이다.
도 2를 참조하면, 본 발명의 실시예에 따른 평판 표시 소자의 박막트랜지스터(도시하지 않음)와 유기 발광 소자를 포함하는 액티브 소자 영역(120) 이외의 패널 외주면을 따라 액티브 소자 영역(120)과 근접한 영역에는 실런트 침투 방지막(140)이 형성되어 있고, 그 외부로 실런트(150)가 형성되어 있다. 따라서, 액티브 소자 영역(120)이 형성되어 있는 하부 기판과 평판 표시 소자의 밀봉을 위한 상부 기판의 접착 및 봉지를 실런트를 사용하여 접착시 접착 압력에 의해 실런트가 액티브 소자 영역(120)으로 침투되는 것을 방지할 수 있다.
상기 액티브 소자 영역(120)은 반도체층과 게이트 전극, 소스/드레인 전극을 구비하는 박막트랜지스터(도시하지 않음)와 상기 박막 트랜지스터의 소스/드레인 전극과 연결되는 제 1 전극, 제 2 전극 및 상기 제 1 전극과 제 2 전극 사이에 위치하는 발광층을 포함한다. 상기 제 1 전극과 제 2 전극 사이에는 발광층 이외에 유기막으로 정공 주입층, 정공 수송층, 정공 억제층, 전자 전달층 및 전자 수송층 중 1 이상의 층을 더욱 포함할 수 있다.
또한, 상기 전극은 전면발광구조와 배면발광구조의 평판 표시 소자를 구현하기 위하여 제 1 전극 또는 제 2 전극 중 하나의 전극은 반사막을 구비하고 있으며, 다른 하나의 전극은 투명 전극 등으로 구성된다.
또한, 상기 실런트는 친수성 물질이고, 상기 실런트 침투 방지막은 소수성 물질로 구성되며, 상기 소수성 물질과 상기 친수성 물질 사이의 접촉각의 차이는 30 °이상이어야 실런트와 실런트 침투 방지막과의 표면 장력의 차이에 따라 실런트가 내부로 침투되는 것을 방지할 수 있다.
상기 소수성 물질로는 폴리에틸렌, 폴리프로필렌, 폴리스티렌, 완전 불소 치환된 불소계 고분자 및 부분 불소 치환된 불소계 고분자로 이루어진 군에서 선택되는 1종의 물질이고, 상기 실런트는 광 경화성 또는 열 경화성 에폭시 수지인 것이 바람직하다.
도 3a는 도 2의 Ⅰ-Ⅰ 선을 따라 절단된 단면도로서, 본 발명의 제 1 실시예에 따라 평판 표시 소자를 봉지하기 위하여 실런트 및 실런트 침투 방지막이 형성되어 있는 것을 나타내는 단면도이다.
도 3a를 참조하면, 본 발명의 제 1 실시예에서는 하부 기판(110) 상부에 액티브 소자 영역(120)과 상기 액티브 소자 영역(120)과 일정 거리 이격되어 외주면을 따라 제 1 실런트 침투 방지막(140)이 패터닝되어 형성되어 있다.
한편, 평판 표시 소자를 봉지하기 위한 상부 기판(130)과 상기 하부 기판(110)은 평판 표시 소자의 외주면을 따라 형성되어 상기 하부 기판(120)의 내부에 위치하는 액티브 소자를 외부의 환경으로부터 보호한다.
이때, 상기 제 1 실런트 침투 방지막(140)을 구성하는 물질이 소수성 물질이고, 상기 실런트(150)는 친수성 물질이므로 표면 장력등의 표면 계면 특성에 따라 상,하부 기판의 접착시 물리적인 압력에 의하여 실런트가 액티브 소자 영역(120)으로 침투되는 것을 방지할 수 있다.
또한, 상기 제 1 실런트 침투 방지막(140)은 상, 하부 기판의 접착시 상기 상부 기판(130)과는 접촉되지 않아야만 실런트가 외부 압력에 의하여 눌리는 힘에 의하여 액티브 소자 영역(120)으로 약간 침투되는 흡수할 수 있다. 만약, 상기 제 1 실런트 침투 방지막(140)이 상부 기판(130)과 접촉하는 경우에는 실런트가 외부 압력에 의하여 눌려 옆으로 팽창되는 힘에 의하여 상기 제 1 실런트 침투 방지막이 손상될 수 있으므로 상기 제 1 실런트 침투 방지막(140)은 상기 상부 기판(130)과 접촉하지 않는 것이 바람직하다.
도 3b는 도 2의 Ⅰ-Ⅰ 선을 따라 절단된 단면도로서, 본 발명의 제 2 실시예에 따라 평판 표시 소자를 봉지하기 위하여 실런트 및 실런트 침투 방지막이 형성되어 있는 것을 나타내는 단면도이다.
도 3b를 참조하면, 본 발명의 제 2 실시예에서는 하부 기판(110) 뿐만 아니라 상부 기판(130) 상에도 제 2 실런트 침투 방지막(140')을 형성하고 있다.
이때 상기 제 2 실런트 침투 방지막(140') 역시 평판 표시 소자의 외주면을 따라 하부 기판(110)의 제 1 실런트 침투 방지막(140)이 형성되어 있는 부분과 일치하도록 형성되며, 이때에도 상기 실런트(150)가 첩착시 물리적 힘에 의하여 옆으로 약간 팽창될 수 있으므로 이를 수용하기 위하여 제 1 실런트 침투 방지막(140)과 제 2 실런트 침투 방지막(140')은 서로 접촉하지 말아야 한다.
도 4는 도 2의 Ⅰ-Ⅰ 선을 따라 절단된 단면도로서, 본 발명의 제 3 실시예에 따라 평판 표시 소자를 봉지하기 위하여 실런트 및 실런트 침투 방지막이 형성되어 있는 것을 나타내는 단면도이다.
도 4를 참조하면, 본 발명의 제 3 실시예에서는 제 1 실런트 침투 방지막(140)이 하부 기판(110) 상에 형성되어 있는 액티브 소자 영역(120)이 드러나지 않도록 전체적으로 모두 덮음으로써 실런트(150)가 내부로 침투되는 것을 방지할 수 있다. 이때에는 상기 제 1 실런트 침투 방지막(150)이 초박막으로 형성되어 액티브 소자 영역(120)의 상부에 형성된 상기 제 1 실런트 침투 방지막(150)이 액티브 소자의 한 부분을 작용할 수 있다.
이하, 본 발명의 구성을 갖는 평판 표시 소자의 제조 방법을 설명한다.
도 5a 내지 도 5e는 본 발명의 제 1 실시예 및 제 2 실시예의 평판 표시 소자를 제조하기 위한 제조 공정을 나타내는 도면들이다.
먼저, 본 발명의 제 1 실시예의 구조에 의한 공정을 살펴보면, 도 5a에 도시된 바와 같이, 하부 기판(110) 상에 제 1 실런트 침투 방지막(140)을 구성하는 소수성 물질을 기판 전면에 걸쳐 증착한 후 마스크를 사용하여 제 1 실런트 침투 방지막(140)을 하부 기판의 외주면을 따라 패턴하여 형성한다.
상기 증착 방법으로는 습식 코팅, 건식 코팅, 기상 증착법 등을 사용할 수 있으며, 또 다른 실시예로는 마스크를 사용하지 않고 잉크젯법 또는 레이저 전사법을 사용하여 바로 제 1 실런트 침투 방지막(140)을 패턴하여 형성한다.
도 5b를 참조하면, 상기 제 1 실런트 침투 방지막(140)이 형성된 하부 기판(110)의 내측으로 반도체층과 게이트 전극, 소스/드레인 전극을 구비하는 박막트랜지스터(도시하지 않음)와 상기 박막 트랜지스터의 소스/드레인 전극과 연결되는 제 1 전극, 제 2 전극 및 상기 제 1 전극과 제 2 전극 사이에 위치하는 발광층을 포함하는 액티브 소자 영역(120)을 형성한다.
한편, 상기 제 1 실런트 침투 방지막(140)을 형성하는 단계와 액티브 소자 영역(120)의 형성단계는 서로 바뀌어서 진행될 수 있다.
즉, 먼저 액티브 소자 영역(120)을 형성한 후 제 1 실런트 침투 방지막(140)을 형성할 수 있다.
이와는 별도로 도 5c에 도시한 바와 같이, 봉지를 위한 상부 기판(130) 상에 기판의 외주면을 따라 봉지부(도시하지 않음)에 친수성 물질인 실런트(150)를 형성한다.
상기 실런트(150)가 형성되어 있는 상부 기판(130)과 제 1 실런트 침투 방지막(140)이 형성되어 있는 하부 기판(110)을 접착하고 광 또는 열에 의하여 실런트(150)를 경화시킨다. 따라서, 상기 실런트(150)는 광 경화성 또는 열 경화성 에폭시 수지인 것이 바람직하다.
이때, 도 5d에 도시된 바와 같이, 상, 하부 기판을 접착할 때 물리적 힘에 의하여 실런트가 내부로 침투하게 되나 상기 제 1 실런트 침투 방지막(140)과의 계면 특성의 차이에 의하여 실런트가 내부에 완전히 침투되지 않고, 상기 제 1 실런트 침투 방지막(140)과 상부 기판(130) 사이의 공간 상부에만 위치된다.
따라서, 상기 제 1 실런트 침투 방지막(140)은 상, 하부 기판 접착시 상부 기판(130)과 접착하지 않는 것이 바람직하다.
또한, 상기 실런트(150)는 상기 제 1 실런트 침투 방지막(140)의 외부에 형성되어야 한다.
한편, 본 발명의 제 2 실시예에서는 도 5e에 도시된 바와 같이, 상기 상부 기판(130)에 실런트(150) 이외에도 제 2 실런트 침투 방지막(140')을 더욱 형성한다. 상기 제 2 실런트 침투 방지막(140')은 하부 기판의 제 1 실런트 침투 방지막과 일치하는 부분에 형성한다.
그리고 나서, 실시예 1과 동일한 방법으로 하부 기판(110)과 상부 기판(130)을 접착하고 실런트(150)를 경화시킴으로써 평판 표시 소자를 봉지한다.
상기 소수성 물질로는 폴리에틸렌, 폴리프로필렌, 폴리스티렌, 완전 불소 치환된 불소계 고분자 및 부분 불소 치환된 불소계 고분자로 이루어진 군에서 선택되는 1종의 물질이고, 상기 소수성 물질과 상기 친수성 물질 사이의 접촉각의 차이는 30 °이상인 것이 바람직하다.
도 6a 내지 도 6d는 본 발명의 제 3 실시예의 평판 표시 소자를 제조하기 위한 제조 공정을 나타내는 도면들이다.
도 6a를 참조하면, 먼저, 하부 기판(110) 상에 반도체층과 게이트 전극, 소스/드레인 전극을 구비하는 박막트랜지스터(도시하지 않음)와 상기 박막 트랜지스터의 소스/드레인 전극과 연결되는 제 1 전극, 제 2 전극 및 상기 제 1 전극과 제 2 전극 사이에 위치하는 발광층을 포함하는 액티브 소자 영역(120)을 형성한다.
그리고 나서, 도 6b에 도시된 바와 같이, 제 1 실런트 침투 방지막(140)을 형성하는 소수성 물질을 기판 전면에 걸쳐 적층한다.
상기 소수성 물질로는 폴리에틸렌, 폴리프로필렌, 폴리스티렌, 완전 불소 치환된 불소계 고분자 및 부분 불소 치환된 불소계 고분자로 이루어진 군에서 선택되는 1종의 물질을 사용한다.
상기 적층 방법으로는 습식 코팅, 건식 코팅, 기상 증착법 등의 통상의 증착 방법을 사용한다.
그리고 나서, 도 6c에 도시된 바와 같이, 후속 공정에서 상부 기판(130)에 형성된 실런트(150)와 하부 기판 접촉하여 경화될 수 있도록 실런트(150)가 접촉되는 부분에 대하여 제 1 실런트 침투 방지막을 부분 박리하여 제거한다.
도 6d에 도시된 바와 같이, 실시예 1과 동일한 방법으로 준비된 상부 기판(130)과 하부 기판(110)을 접촉하여 실런트(150)를 경화하여 평판 표시 소자를 봉지하는 공정이 완료된다.
제 3 실시예에 방법에 따르면 앞서 살펴본 바와 같이, 제 2 실런트 침투 방지막(140)이 액티브 소자 영역(120) 전체를 덮게 되고, 이에 따라 침투 방지막 자체가 액티브 소자의 한 부분으로 기능하게 된다.
본 발명에서 사용될 수 있는 평판 표시 소자로는 유기 전계 발광 소자가 바람직하다.
이상과 같이 본 발명에서와 같이, 실런트 침투 방지막을 형성함으로써 보다 정교하고 견고한 봉지 방법 및 구조를 제공하여 평판 표시 소자의 수명 및 신뢰성을 향상시키며 또한 평판 표시 소자의 소형화에 따른 실런트의 선폭 조절 및 미스얼라인 문제를 해결할 수 있다.
도 1은 종래 기술에 따른 평판 표시 소자의 봉지 구조를 나타내는 단면도이다.
도 2는 본 발명의 실시예에 따라 평판 표시 소자의 외곽부에 실런트 및 실런트 침투 방지막이 형성되어 있는 것을 나타내는 평면도이다.
도 3a는 도 2의 Ⅰ-Ⅰ 선을 따라 절단된 단면도로서, 본 발명의 제 1 실시예에 따라 평판 표시 소자를 봉지하기 위하여 실런트 및 실런트 침투 방지막이 형성되어 있는 것을 나타내는 단면도이다.
도 3b는 도 2의 Ⅰ-Ⅰ 선을 따라 절단된 단면도로서, 본 발명의 제 2 실시예에 따라 평판 표시 소자를 봉지하기 위하여 실런트 및 실런트 침투 방지막이 형성되어 있는 것을 나타내는 단면도이다.
도 4는 도 2의 Ⅰ-Ⅰ 선을 따라 절단된 단면도로서, 본 발명의 제 3 실시예에 따라 평판 표시 소자를 봉지하기 위하여 실런트 및 실런트 침투 방지막이 형성되어 있는 것을 나타내는 단면도이다.
도 5a 내지 도 5e는 본 발명의 제 1 실시예 및 제 2 실시예의 평판 표시 소자를 제조하기 위한 제조 공정을 나타내는 도면들이다.
도 6a 내지 도 6d는 본 발명의 제 3 실시예의 평판 표시 소자를 제조하기 위한 제조 공정을 나타내는 도면들이다.
Claims (17)
- 외주면을 따라 제 1 실런트 침투 방지막이 형성되어 있는 하부 기판;상기 하부 기판 상에 박막 트랜지스터와 제 1 전극, 제 2 전극 및 발광층을 포함하는 유기 발광 소자를 포함하는 액티브 소자 영역; 및상기 유기 발광 소자 상부에 위치하는 상부 기판을 포함하며,외주면을 따라 상기 상부 기판과 하부 기판은 실런트에 의하여 접합되어 봉지되고, 상기 제 1 실런트 침투 방지막은 상기 실런트보다 상기 액티브 소자 영역에 근접한 위치에 형성되는 것인 평판 표시 소자.
- 제 1항에 있어서,상기 제 1 실런트 침투 방지막은 상부 기판과는 접촉되지 않는 평판 표시 소자.
- 제 1항에 있어서,상기 제 1 실런트 방지막과 일치하는 부분에 제 2 실런트 침투 방지막이 상부 기판에도 형성되어 있으며 상기 하부 기판의 상기 제 1 실런트 침투 방지막과는 접촉되지 않는 평판 표시 소자.
- 제 1항 또는 제 3항에 있어서,상기 실런트는 친수성 물질이고, 상기 제 1 및 제 2 실런트 침투 방지막은 소수성 물질인 평판 표시 소자.
- 제 4항에 있어서,상기 소수성 물질로는 폴리에틸렌, 폴리프로필렌, 폴리스티렌, 완전 불소 치환된 불소계 고분자 및 부분 불소 치환된 불소계 고분자로 이루어진 군에서 선택되는 1종의 물질인 평판 표시 소자.
- 제 4항에 있어서,상기 소수성 물질과 상기 친수성 물질 사이의 접촉각의 차이는 30 °이상인 평판 표시 소자.
- 제 4항에 있어서,상기 실런트는 광 경화성 또는 열 경화성 에폭시 수지인 평판 표시 소자.
- 제 1항에 있어서,상기 제 1 실런트 침투 방지막은 상기 액티브 소자 영역과 일정 거리 이격되어 형성되어 있는 평판 표시 소자.
- 제 1항에 있어서,상기 제 1 실런트 침투 방지막은 상기 액티브 소자 영역을 완전히 덮도록 형성되어 있는 평판 표시 소자.
- 하부 기판 상부에 습식 코팅, 건식 코팅, 기상 증착법, 잉크젯법 및 레이저 전사법으로 이루어진 군에서 선택되는 하나의 방법을 사용하여 제 1 실런트 침투 방지막을 패턴하여 하부 기판의 외주면을 따라 형성하는 단계;상기 제 1 실런트 침투 방지막 형성 후 상기 제 1 실런트 침투 방지막과 일정 거리 이격되어 상기 하부 기판 상에 상기 외곽부 안쪽으로 박막트랜지스터와 제 1 전극, 발광층 및 제 2 전극을 포함하는 유기 발광 소자를 포함하는 액티브 소자 영역을 형성하는 단계; 및실런트가 형성되어 있는 상부 기판과 하부 기판을 접합하여 봉지하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 평판 표시 소자의 제조 방법.
- 제 10항에 있어서,상기 실런트는 상기 제 1 실런트 침투 방지막의 외부에 형성되는 것인 평판 표시 소자의 제조 방법.
- 제 10항에 있어서,상기 상부 기판 상에 하부 기판의 제 1 실런트 침투 방지막과 일치하는 부분에 제 2 실런트 침투 방지막을 형성하는 단계를 더욱 포함하는 평판 표시 소자의 제조 방법.
- 제 10항에 있어서,상기 제 1 실런트 침투 방지막을 형성하는 단계는 상기 액티브 소자 영역이 형성된 이후에 시행되며 상기 제 1 실런트 침투 방지막은 상기 액티브 소자 영역을 완전히 덮도록 형성되는 것인 평판 표시 소자의 제조 방법.
- 제 10 또는 제 12항에 있어서,상기 실런트는 친수성 물질이고, 상기 제 1 및 제 2 실런트 침투 방지막은 소수성 물질인 평판 표시 소자.
- 제 14항에 있어서,상기 소수성 물질로는 폴리에틸렌, 폴리프로필렌, 폴리스티렌, 완전 불소 치환된 불소계 고분자 및 부분 불소 치환된 불소계 고분자로 이루어진 군에서 선택되는 1종의 물질인 평판 표시 소자.
- 제 14항에 있어서,상기 소수성 물질과 상기 친수성 물질 사이의 접촉각의 차이는 30 °이상인 평판 표시 소자.
- 제 14항에 있어서,상기 실런트는 광 경화성 또는 열 경화성 에폭시 수지인 평판 표시 소자.
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