KR20050037674A - 반도체 메모리 카드 - Google Patents

반도체 메모리 카드 Download PDF

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Abstract

용량(capacity)을 용이하게 확장시킬 수 있는 반도체 메모리 카드가 개시된다. 복수의 외부 접촉 단자는 적어도 2개의 변에 구성되어, 복수의 외부장치와 전기적으로 접속되고, 메모리 셀 어레이는 외부장치로부터 입력되는 데이터를 저장하거나 또는 미리 저장된 데이터를 외부장치로 출력하며, 메모리 컨트롤러는 복수의 외부 접촉 단자중 일변에 구성된 제1 외부 접촉 단자를 통해 외부장치로부터 입력되는 데이터를 메모리 셀 어레이로 출력하거나 또는 복수의 외부 접촉 단자중 타변에 구성된 제2 외부 접촉 단자로 출력하고, 제2 외부 접촉 단자로부터 입력되는 데이터를 제1 외부 접촉 단자를 통해 외부장치로 출력한다. 따라서, 복수의 메모리 카드가 호스트와 직렬로 연결되므로, 메모리 용량을 용이하게 확장시킬 수 있다.

Description

반도체 메모리 카드{SEMICONDUCTOR MEMORY CARD}
본 발명은 반도체 메모리 카드에 관한 것으로서, 보다 상세하게는 용량(capacity)을 용이하게 확장시킬 수 있는 반도체 메모리 카드에 관한 것이다.
개인용 컴퓨터, 노트북 컴퓨터, 개인 전자 단말기, 셀룰러 폰, 카메라 및 기타 착탈식 데이터 저장장치가 필요한 전자 장치로부터 배수(multiple) 메가 바이트의 데이터를 저장할 수 있는 비 휘발성 반도체 플래시 이이피롬(EEPROM: Electrically Erasable Programmable ROM) 시스템을 내장하는 소형 카드인 메모리 카드가 널리 보급되어 왔다.
상기한 메모리 카드는 호스트와 전기적으로 접속되어 상기 호스트로부터 데이터를 입력받아 저장하거나 또는 저장된 데이터를 호스트로 출력한다. 이때, 메모리 카드는 한 변에서만 호스트 또는 그 외의 전기장치에 접속할 수 있는 형태를 가진다.
따라서, 사용자는 데이터의 저장 용량을 증가시키기 위해서는 메모리 용량이 큰 메모리 카드를 호스트에 직접 연결하거나 또는 메모리 용량이 작은 복수의 메모리 카드를 호스트에 병렬로 연결한다.
그러나, 대용량의 메모리 카드는 가격이 너무 고가이므로, 메모리 용량을 증가시키기 위해서는 용량이 작은 메모리 카드를 호스트에 병렬로 연결하는 방법이 주로 사용된다.
상기 호스트에 용량이 작은 복수의 메모리 카드를 병렬로 연결하는 방법은 호스트에서 인출된 신호 라인들을 메모리 카드의 개수만큼 분기하고, 분기된 신호 라인들을 복수의 메모리 카드에 연결한다.
따라서, 종래에는 호스트의 신호 라인들을 분기하는 공정이 필요하므로, 번거로울 뿐만 아니라 신호 라인들을 분기하는 공정이 매우 어려워 메모리 용량을 증가시키는 공정이 복잡해지는 문제점이 있다.
따라서, 본 발명은 상기와 같은 문제점을 해결하기 위하여 안출된 것으로, 메모리 용량을 용이하게 확장시킬 수 있는 반도체 메모리 카드를 제공함에 그 목적이 있다.
상기와 같은 목적을 달성하기 위한 본 발명에 따른 복수의 외부 접촉 단자는 적어도 2개의 변에 구성되어, 복수의 외부장치와 전기적으로 접속되고, 메모리 셀 어레이는 외부장치로부터 입력되는 데이터를 저장하거나 또는 미리 저장된 데이터를 외부장치로 출력하며, 메모리 컨트롤러는 복수의 외부 접촉 단자중 일변에 구성된 제1 외부 접촉 단자를 통해 외부장치로부터 입력되는 데이터를 메모리 셀 어레이로 출력하거나 또는 복수의 외부 접촉 단자중 타변에 구성된 제2 외부 접촉 단자로 출력하고, 제2 외부 접촉 단자로부터 입력되는 데이터를 제1 외부 접촉 단자를 통해 외부장치로 출력한다.
따라서, 본 발명은 복수의 메모리 카드를 호스트와 직렬로 연결할 수 있어, 메모리 용량을 용이하게 확장시킬 수 있다.
이하, 본 발명의 바람직한 실시예에 따른 반도체 메모리 카드를 첨부도면을 참조하여 상세히 설명한다.
도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 반도체 메모리 장치가 호스트에 연결된 상태를 나타낸 도면이고, 도 2는 도 1에 도시된 메모리 카드의 외형을 나타낸 도면이며, 도 3은 도 1에 도시된 메모리 카드의 내부 구성을 나타낸 도면이다.
도 1에 도시된 바와 같이, 본 발명의 일 실시예에 따른 반도체 메모리 장치는 호스트(100)에 직렬로 연결되는 제1 내지 제3 메모리 카드(110-1,110-2,110-3), 제1 내지 제3 메모리 카드(110-1,110-2,110-3)의 사이에 각각 구성되어 상기 메모리 카드들을 전기적으로 연결하는 제1 및 제2 슬롯(120-1,120-2)을 포함한다.
상기 제1 메모리 카드(110-1)는 호스트(100)에 직접 전기적으로 연결되고, 제2 메모리 카드(110-2)는 제1 슬롯(120-1)을 통해 제1 메모리 카드(110-1)와 전기적으로 연결된다. 또한, 제3 메모리 카드(110-3)는 제2 슬롯(120-2)을 통해 제2 메모리 카드(110-2)와 전기적으로 연결된다. 따라서, 제2 메모리 카드(110-2)는 제1 슬롯(120-1) 및 제1 메모리 카드(110-1)를 통해 호스트(100)와 직렬 연결되고, 제3 메모리 카드(110-3)는 제2 슬롯(120-2), 제1 슬롯(120-1), 제2 메모리 카드(110-2) 및 제1 메모리 카드(110-1)를 통해 호스트(100)와 직렬 연결된다.
여기서, 제1 메모리 카드(110-1)는 도 2에 도시된 바와 같이, 일단부에 형성되어 호스트(100)와 전기적으로 연결되는 제1 외부 접촉 단자부(200) 및 타단부에 형성되어 제2 메모리 카드(110-2)와 전기적으로 연결되는 제2 외부 접촉 단자부(210)를 포함한다.
상기 제1 외부 접촉 단자부(200)는 제1 내지 제10 외부 접촉 단자(200-1,200-2,...,200-10)를 포함하고, 상기 제2 외부 접촉 단자부(210)는 제11 내지 제20 외부 접촉 단자(210-1,210-2,...,210-10)를 포함한다.
한편, 제2 메모리 카드(110-2) 및 제3 메모리 카드(110-3)도 제1 메모리 카드(110-1)와 동일한 구성을 갖는다. 즉, 제2 및 제3 메모리 카드(110-3)는 일단부 및 타단부에 형성되는 제1 및 제2 외부 접촉 단자부(도시되지 않음)를 갖는다. 이때, 제2 메모리 카드(110-2)의 제1 외부 접촉 단자부는 제1 슬롯(120-1)에 삽입되고, 제2 외부 접촉 단자부는 제2 슬롯(120-2)에 삽입된다. 또한, 제3 메모리 카드(110-3)의 제1 외부 접촉 단자부는 제2 슬롯(120-2)에 삽입되고, 제2 외부 접촉 단자부는 추후에 연결된 다른 슬롯(도시되지 않음)에 삽입된다.
또한, 제1 및 제2 슬롯(120-1,120-2)은 제1 내지 제3 메모리 카드(110-1,110-2,110-3)의 제1 및 제2 외부 접촉 단자부와 전기적으로 접속되는 접촉 단자부를 갖는다.
따라서, 제1 메모리 카드(110-1)의 제2 외부 접촉 단자부(210)와 제2 메모리 카드(110-2)의 제1 외부 접촉 단자부가 제1 슬롯(120-1)에 삽입됨에 따라 제1 메모리 카드(110-1)와 제2 메모리 카드(110-2)가 전기적으로 연결된다. 또한, 제2 메모리 카드(110-2)의 제2 외부 접촉 단자부와 제3 메모리 카드(110-3)의 제1 외부 접촉 단자부가 제2 슬롯(120-2)에 삽입됨에 따라 제2 메모리 카드(110-2)와 제3 메모리 카드(110-3)가 전기적으로 연결된다.
상기와 같은 외관을 갖는 제1 내지 제3 메모리 카드(110-1,110-2,110-3)는 도 3과 같은 내부 구성을 갖는다.
도 3에 도시된 바와 같이, 제1 메모리 카드(110-1)는 호스트(100)로부터 수신된 데이터를 저장하거나 또는 저장된 데이터를 선택적으로 출력하는 제1 메모리 셀 어레이(300-1), 제1 외부 접촉 단자부(200)를 통해 입력되는 데이터를 제1 메모리 셀 어레이(300-1)로 출력하거나 또는 제2 외부 접촉 단자부(210)로 출력하고, 제2 외부 접촉 단자부(210)를 통해 입력되는 데이터를 제1 외부 접촉 단자부(200)로 출력하는 제1 메모리 컨트롤러(310-1)를 포함한다.
또한, 제2 메모리 카드(110-2)는 제1 메모리 카드(110-1)로부터 입력된 데이터를 저장하거나 또는 저장된 데이터를 선택적으로 출력하는 제2 메모리 셀 어레이(300-2), 제1 메모리 카드(110-1)로부터 입력되는 데이터를 제2 메모리 셀 어레이(300-2)로 출력하거나 또는 제3 메모리 카드(110-3)로 출력하고, 제3 메모리 카드(110-3)로부터 입력되는 데이터를 제1 메모리 카드(110-1)로 출력하는 제2 메모리 컨트롤러(310-2)를 포함한다.
또한, 제3 메모리 카드(110-3)는 제2 메모리 카드(110-2)로부터 입력되는 데이터를 저장하거나 또는 저장된 데이터를 선택적으로 출력하는 제3 메모리 셀 어레이(300-3), 제2 메모리 카드(110-2)로부터 입력되는 데이터를 제3 메모리 셀 어레이(300-3)로 출력하고, 제3 메모리 셀 어레이(300-3)에 저장된 데이터를 제2 메모리 카드(110-2)로 출력하는 제3 메모리 컨트롤러(310-3)를 포함한다.
여기서, 호스트(100)로부터 제1 메모리 카드(110-1)로 전송되는 데이터는 제1 메모리 셀 어레이(300-1)에 저장되는 메모리 데이터뿐만 아니라 제1 내지 제3 메모리 카드(110-1,110-2,110-3)를 제어하기 위한 제어신호를 포함한다.
이와 같이 구성되는 본 발명의 일 실시예에 따른 반도체 메모리 장치의 동작을 설명하면 다음과 같다.
호스트(100)는 메모리 데이터 및 제어신호를 직접 연결된 제1 메모리 카드(110-1)로 전송한다. 이때, 제어신호는 메모리 데이터를 제1 내지 제3 메모리 카드(110-1,110-2,110-3) 중 어느 메모리 카드에 저장할지의 저장 비트정보를 포함하고, 저장 비트정보는 호스트(100)에 연결된 메모리 카드의 개수와 동일한 비트수를 가진다.
제1 메모리 카드(110-1)는 호스트(100)로부터 수신된 메모리 데이터를 제1 메모리 셀 어레이(300-1)에 저장하거나 또는 제2 메모리 카드(110-2)로 출력한다.
즉, 제1 메모리 컨트롤러(310-1)는 제1 외부 접촉 단자부(200)를 통해 호스트(100)로부터 메모리 데이터 및 제어신호를 수신하고, 수신된 제어신호에 의해 메모리 데이터를 제1 메모리 셀 어레이(300-1)에 저장할지 또는 제2 메모리 카드(110-2)로 출력할지를 판단한다. 이때, 제1 메모리 컨트롤러(310-1)는 제어신호 내의 저장 비트정보가 '1'인 경우, 제1 메모리 셀 어레이(300-1)에 메모리 데이터를 저장하는 것으로 판단하고, 저장 비트정보가 '0'인 경우 메모리 데이터를 제2 메모리 카드(310-2)로 출력하는 것으로 판단한다.
이어, 제1 메모리 컨트롤러(310-1)는 저장 비트정보가 '1'이면 수신된 메모리 데이터를 제1 메모리 셀 어레이(300-1)로 출력하고, 저장 비트정보가 '0'이면 제2 외부 접촉 단자부(210)를 통해 제2 메모리 카드(110-2)로 출력한다.
이때, 제1 메모리 컨트롤러(310-1)는 메모리 데이터와 함께 제어신호도 제2 메모리 카드(110-2)로 출력한다.
제2 메모리 카드(110-2)는 제1 메모리 카드(110-1)로부터 입력되는 제어신호내의 저장 비트정보에 의해 메모리 데이터를 제2 메모리 셀 어레이(300-2)에 저장하거나 또는 제3 메모리 카드(110-3)로 출력한다. 여기서, 제2 메모리 컨트롤러(310-2)의 동작은 제1 메모리 컨트롤러(310-1)와 동일하므로 이에 대한 상세한 설명은 생략하기로 한다.
또한, 제3 메모리 카드(110-3)는 제2 메모리 카드(110-2)로부터 입력되는 제어신호에 의해 메모리 데이터를 제3 메모리 셀 어레이(300-3)에 저장한다.
한편, 제1 내지 제3 메모리 카드(110-1,110-2,110-3)의 제1 내지 제3 메모리 셀 어레이(300-1,300-2,300-3)에 저장된 메모리 데이터는 호스트(100)로부터 수신되는 요청신호 즉, 제어신호에 의해 호스트(100)로 출력된다.
이처럼, 제1 내지 제3 메모리 카드(110-1,110-2,110-3)는 각각 제1 외부 접촉 단자부 및 제2 외부 접촉 단자부를 가지고, 사이사이에 위치하는 소정의 슬롯들에 의해 제1 내지 제3 메모리 카드(110-1,110-2,110-3)는 서로 전기적으로 연결된다.
또한, 제1 내지 제3 메모리 카드(110-1,110-2,110-3)의 제1 내지 제3 메모리 컨트롤러(300-1,300-2,300-3)는 제1 외부 접촉 단자부(또는 제2 외부 접촉 단자부)로부터 수신된 신호를 제2 외부 접촉 단자부(또는 제1 외부 접촉 단자부)로 출력한다.
따라서, 호스트(100)는 상기한 구성을 가지는 메모리 카드들을 복수개의 슬롯들에 의해 전기적으로 연결함에 의해, 메모리 용량을 확장시킬 수 있다.
상술한 본 발명의 일 실시예에 따른 반도체 메모리 장치 즉, 메모리 카드는 두변에 외부 접촉단자가 구성되는 경우를 예로 들어 설명하였으나, 3변 또는 4변에 외부 접촉단자가 구성될 수 있다.
도 4는 본 발명의 다른 실시예에 따른 반도체 메모리 장치를 나타낸 도면이고, 도 5는 도 4에 도시된 메모리 카드의 외형을 나타낸 도면이며, 도 6은 도 4에 도시된 메모리 카드의 내부 구성을 나타낸 도면이다.
도 4에 도시된 바와 같이, 본 발명의 다른 실시예에 따른 반도체 메모리 장치는 제1 변에서 호스트(400)에 직접 연결된 제1 메모리 카드(410-1), 제1 메모리 카드(410-1)의 제2 변에 접속된 제1 슬롯(420-1)에 의해 제1 메모리 카드(410-1)와 전기적으로 연결되는 제2 메모리 카드(410-2), 제1 메모리 카드(410-1)의 제3 변에 접속된 제2 슬롯(420-2)에 의해 제1 메모리 카드(410-1)와 전기적으로 연결되는 제3 메모리 카드(410-3), 제1 메모리 카드(410-1)의 제4 변에 접속된 제3 슬롯(420-3)에 의해 제1 메모리 카드(410-1)와 전기적으로 연결되는 제4 메모리 카드(410-4)를 포함한다.
여기서, 제1 메모리 카드(410-1)는 도 5에 도시된 바와 같이, 제1 변에 형성되는 제1 외부 접촉 단자부(500), 제2 변에 형성되는 제2 외부 접촉 단자부(510), 제3 변에 형성되는 제3 외부 접촉 단자부(520) 및 제4 변에 형성되는 제4 외부 접촉 단자부(530)를 포함한다.
도 6에 도시된 바와 같이, 제1 메모리 카드(410-1)는 호스트(400)로부터 수신된 데이터를 저장하는 메모리 셀 어레이(600), 제1 외부 접촉 단자부(500)를 통해 호스트(400)로부터 수신된 데이터를 메모리 셀 어레이(600)에 저장하거나 또는 제2 내지 제4 외부 접촉 단자부(510,520,530)를 통해 제2 내지 제4 메모리 카드(410-2,410-3,410-4)로 출력하고, 제2 내지 제4 외부 접촉 단자부(510,520,530)를 통해 제2 내지 제4 메모리 카드(410-2,410-3,410-4)로부터 입력되는 데이터를 제1 외부 접촉 단자부(500)를 통해 호스트(400)로 전송하는 메모리 컨트롤러(610)를 포함한다.
한편, 제2 내지 제4 메모리 카드(410-2,410-3,410-4)는 상기의 제1 메모리 카드(410-1)와 동일한 내부 구성을 가지고, 제2 내지 제4 메모리 카드(410-2,410-3,410-4)는 제1 메모리 카드(410-1)와 접속된 변을 제외한 변에서 동일한 구성을 갖는 다른 메모리 카드와 접속될 수 있다.
이와 같이 구성되는 본 발명의 다른 실시예에 따른 반도체 메모리 장치의 동작을 설명하면 다음과 같다.
먼저, 제1 메모리 카드(410-1)는 호스트(400)로부터 데이터를 수신하고, 수신된 데이터를 내부의 메모리 셀 어레이(600)에 저장하거나 또는 제2 내지 제4 변에 전기적으로 연결되어 있는 제2 내지 제4 메모리 카드(410-2,410-3,410-4)로 출력한다.
즉, 제1 메모리 카드(410-1)의 메모리 컨트롤러(610)는 제1 외부 접촉 단자부(500)를 통해 입력되는 데이터를 메모리 셀 어레이(600)에 저장할지 또는 제2 내지 제4 메모리 카드(410-2,410-3,410-4)로 출력할지를 판단한다. 이어, 판단 결과에 따라 제1 메모리 카드(410-1)의 메모리 컨트롤러(610)는 데이터를 메모리 셀 어레이(600)에 저장하거나 또는 제2 내지 제4 외부 접촉 단자부(510,520,530)를 통해 제2 내지 제4 메모리 카드(410-2,410-3,410-4)로 출력한다.
이때, 제2 내지 제4 메모리 카드(410-2,410-3,410-4)는 제1 메모리 카드(410-1)를 통해 입력되는 데이터를 내부에 저장하거나 또는 추후에 접속되는 다른 메모리 카드로 출력한다.
한편, 제1 메모리 카드(410-1)의 메모리 컨트롤러(610)는 제2 내지 제4 외부 접촉 단자부(510,520,530)를 통해 제2 내지 제4 메모리 카드(410-2,410-3,410-4)로부터 입력되는 데이터를 제1 외부 접촉 단자부(500)를 통해 호스트(400)로 출력한다.
상기에서 설명한 바와 같이, 본 발명에 따른 반도체 메모리 장치는 적어도 2변에 외부 접촉 단자부를 가지고, 상기 외부 접촉 단자부에 의해 호스트에 직렬로 연결되는 복수의 메모리 카드를 포함한다.
그러므로, 본 발명의 메모리 카드는 일변을 통해 입력되는 데이터를 내부에 저장하거나 또는 타변을 통해 다른 메모리 카드로 출력한다.
따라서, 본 발명은 용량이 작은 메모리 카드를 호스트와 직렬로 연결할 수 있으므로, 데이터를 저장할 수 있는 메모리 용량을 용이하게 확장시킬 수 있는 효과가 있다.
본 발명은 실시예를 참조하여 설명하였지만, 해당 기술 분야의 숙련된 당업자는 하기의 특허 청구의 범위에 기재된 본 발명의 사상 및 영역으로부터 벗어나지 않는 범위 내에서 본 발명을 다양하게 수정 및 변경시킬 수 있음을 이해할 수 있을 것이다.
도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 반도체 메모리 장치가 호스트에 연결된 상태를 나타낸 도면이다.
도 2는 도 1에 도시된 메모리 카드의 외형을 나타낸 도면이다.
도 3은 도 1에 도시된 메모리 카드의 내부 구성을 나타낸 도면이다.
도 4는 본 발명의 다른 실시예에 따른 반도체 메모리 장치를 나타낸 도면이다.
도 5는 도 4에 도시된 메모리 카드의 외형을 나타낸 도면이다.
도 6은 도 4에 도시된 메모리 카드의 내부 구성을 나타낸 도면이다.
* 도면의 주요부분에 대한 부호의 설명 *
100 : 호스트
110-1,110-2,110-3 : 제1 내지 제3 메모리 카드
120-1,120-2 : 제1 및 제2 슬롯
200 : 제1 외부 접촉 단자부
210 : 제2 외부 접촉 단자부
300-1,300-2,300-3 : 제1 내지 제3 메모리 셀 어레이
310-1,310-2,310-3 : 제1 내지 제3 메모리 컨트롤러

Claims (4)

  1. 복수개의 변을 갖는 반도체 메모리 카드에 있어서,
    상기 복수개의 변 중 적어도 2개의 변에 구성되어, 복수의 외부장치와 전기적으로 접속되는 복수의 외부 접촉 단자;
    상기 외부장치로부터 입력되는 데이터를 저장하거나 또는 미리 저장된 데이터를 상기 외부장치로 출력하는 메모리 셀 어레이; 및
    상기 복수의 외부 접촉 단자중 일변에 구성된 제1 외부 접촉 단자를 통해 상기 외부장치로부터 입력되는 데이터를 상기 메모리 셀 어레이로 출력하거나 또는 상기 복수의 외부 접촉 단자중 타변에 구성된 제2 외부 접촉 단자로 출력하고, 상기 제2 외부 접촉 단자로부터 입력되는 데이터를 상기 제1 외부 접촉 단자를 통해 상기 외부장치로 출력하는 메모리 컨트롤러를 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 메모리 카드.
  2. 제1항에 있어서, 상기 데이터는 상기 메모리 셀 어레이에 저장되는 메모리 데이터 및 제어신호를 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 메모리 카드.
  3. 제2항에 있어서, 상기 제어신호는 메모리 데이터의 저장 여부를 판단하기 위한 저장 비트정보를 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 메모리 카드.
  4. 제3항에 있어서, 상기 메모리 컨트롤러는 상기 저장 비트정보에 의해 상기 제1 외부 접촉 단자로부터 입력되는 메모리 데이터를 상기 메모리 셀 어레이에 저장할지 또는 상기 제2 외부 접촉 단자로 출력할지를 판단하는 것을 특징으로 하는 반도체 메모리 카드.
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* Cited by examiner, † Cited by third party
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KR100794865B1 (ko) * 2006-04-28 2008-01-14 킹맥스 디지탈 인코포레이티드 멀티-메모리 카드 팩키지 구조 및 이의 제조 방법
US8055844B2 (en) 2007-12-24 2011-11-08 Samsung Electronics Co., Ltd. Memory card and memory storage device using the same

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