KR20050035638A - Manufacturing method and product of high power type led - Google Patents

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KR20050035638A
KR20050035638A KR1020030071354A KR20030071354A KR20050035638A KR 20050035638 A KR20050035638 A KR 20050035638A KR 1020030071354 A KR1020030071354 A KR 1020030071354A KR 20030071354 A KR20030071354 A KR 20030071354A KR 20050035638 A KR20050035638 A KR 20050035638A
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황현배
김재석
황성연
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바이오닉스(주)
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Abstract

본 발명은 고출력 엘이디패키지 제작방법 및 이를 이용한 고출력 엘이디패키지에 관한 것으로, 보다 상세하게는 종래의 리드프레임과 전도성와이어를 사용하지 않고 열전도층과 전기전도층을 포함한 다층기판을 사용하여 생산공정을 단축시키고, 방열 및 전기적특성을 개선하여 제품의 신뢰성과 생산성을 향상시킬 수 있는 고출력 엘이디패키지 제작방법 및 이를 이용한 고출력 엘이디패키지에 관한 것이다.The present invention relates to a method for manufacturing a high output LED package and a high output LED package using the same, and more specifically, to shorten the production process by using a multi-layer substrate including a thermal conductive layer and an electrically conductive layer without using a conventional lead frame and conductive wire. The present invention relates to a high output LED package manufacturing method and a high output LED package using the same, which can improve product reliability and productivity by improving heat dissipation and electrical characteristics.

본 발명에 의한 고출력 엘이디패키지 제작방법은, 열전도층, 제1절연층, 전기전도층, 제2절연층으로 구성된 다층기판 상에 중심부를 기준으로 일정 간격으로 이격되도록 상기 전기전도층을 패턴형성하는 다층기판형성공정과, 상기 형성된 전기전도층 사이에 열전도성 실리콘 접착제와, 상기 중심부의 전기전도층에 솔더 페이스트를 도포하는 도포공정과, 상기 도포된 열전도성 실리콘 접착제와 솔더 페이스트로 서브마운트를 본딩하는 서브마운트 본딩공정과, 상기 본딩된 서브마운트의 상부에 엘이디칩을 본딩하는 솔더범핑공정과, 원통형상으로 내측면에 일정한 기울기로 반사컵이 형성되고, 상기 다층기판에 접착되어 상기 서브마운트를 보호하는 본체를 장착하는 본체장착공정과, 상기 엘이디칩에 형광체를 도포하고, 상기 본체의 내측에 투명실리콘을 충진하는 투명실리콘 충진공정과, 상기 투명실콘의 상부면에 합성수지재의 렌즈를 접착하는 렌즈접착공정을 포함하는 것을 특징으로 한다.In the method of manufacturing a high output LED package according to the present invention, the conductive layer is patterned so as to be spaced apart at regular intervals from a center on a multi-layer substrate including a heat conductive layer, a first insulating layer, an electrically conductive layer, and a second insulating layer. A multi-layer substrate forming process, a thermally conductive silicone adhesive between the formed electrically conductive layers, a coating process of applying solder paste to the electrically conductive layer at the center portion, and bonding a submount with the applied thermally conductive silicone adhesive and solder paste A submount bonding step, a solder bumping step of bonding an LED chip on the bonded submount, and a reflective cup having a predetermined inclination on an inner side in a cylindrical shape, and being adhered to the multilayer substrate to form the submount. A main body mounting step of mounting a main body to be protected, and a fluorescent substance applied to the LED chip, and a transparent chamber inside the main body. Transparent silicon filling process to fill the cone, characterized in that it comprises a lens bonding process of bonding the lens material is a synthetic resin on the upper surface of the transparent silkon.

Description

고출력 엘이디패키지 제작방법 및 이를 이용한 고출력 엘이디패키지{MANUFACTURING METHOD AND PRODUCT OF HIGH POWER TYPE LED}MANUFACTURING METHOD AND PRODUCT OF HIGH POWER TYPE LED}

본 발명은 고출력 엘이디패키지 제작방법 및 이를 이용한 고출력 엘이디패키지에 관한 것으로, 보다 상세하게는 종래의 리드프레임과 전도성와이어를 사용하지 않고 열전도층과 전기전도층을 포함한 다층기판을 사용하여 생산공정을 단축시키고, 방열 및 전기적특성을 개선하여 제품의 신뢰성과 생산성을 향상시킬 수 있는 고출력 엘이디패키지 제작방법 및 이를 이용한 고출력 엘이디패키지에 관한 것이다.The present invention relates to a method for manufacturing a high output LED package and a high output LED package using the same, and more specifically, to shorten the production process by using a multi-layer substrate including a thermal conductive layer and an electrically conductive layer without using a conventional lead frame and conductive wire. The present invention relates to a high output LED package manufacturing method and a high output LED package using the same, which can improve product reliability and productivity by improving heat dissipation and electrical characteristics.

엘이디칩(LED chip: Light Emitting Diode chip, 이하 "엘이디칩"이라 칭함)는 N형과 P형반도체가 접합된 구조를 갖는 광전변환 반도체소자이다.An LED chip is a photoelectric conversion semiconductor device having a structure in which an N-type and a P-type semiconductor are joined.

상기 엘이디칩은 적색, 녹색, 청색 및 백색으로 발광되며, 250nm ~ 700nm 파장대의 전면발광 또는 측면발광의 고출력 발광소자로 패키지화되어 사용된다.The LED chip emits red, green, blue, and white light, and is packaged and used as a high output light emitting device having a front emission or side emission in the wavelength range of 250 nm to 700 nm.

도8a, 도8b는 종래의 일반적인 고출력 엘이디패키지의 단면도이고, 도9는 종래의 일반적인 고출력 엘이디패키지 제작방법의 순서도이다.8A and 8B are cross-sectional views of a conventional general high power LED package, and FIG. 9 is a flowchart of a conventional general high power LED package manufacturing method.

상기 도8a에 도시된 바와 같이, 종래의 엘이디패키지는 일정한 형태의 본체(81)의 상부면에 애노드 리드(anode lead)와 캐소드 리드(cathod lead)를 형성한 후, 상기 리드프레임(82)상에 엘이디칩(50)을 안착시키고, 구리, 금, 알루미늄등의 전도성 와이어(80)를 사용하여 볼본딩(ball bonding) 또는 와이어본딩(wire bonding) 공정을 통하여 상기 리드프레임(80)과 연결시키고, 상부면을 투명성 실리콘몰딩(11)으로 고형화시켜 제작된다. 또한 도8b에 도시된 바와 같이, 상기 본체를 투명성 실리콘몰딩(11)으로 일체화시켜 제작할 수도 있다.As shown in FIG. 8A, the conventional LED package forms an anode lead and a cathode lead on an upper surface of a main body 81 of a predetermined shape, and then on the lead frame 82. The LED chip 50 is seated on the wire, and is connected to the lead frame 80 through a ball bonding or wire bonding process using a conductive wire 80 such as copper, gold, and aluminum. It is produced by solidifying the upper surface with a transparent silicone molding (11). In addition, as shown in FIG. 8B, the main body may be manufactured by integrating the transparent silicon molding 11.

도9는 종래의 일반적인 고출력 엘이디패키지 제작방법의 순서도로서, 상기 엘이디칩이 형성되도록 일정한 크기로 절단한다(sawing). 그 후 니켈(Ni), 철(Fe), 코발트(Co) 등의 합금소재로 이루어진 금속재의 리드프레임에 접착제를 도포하고 상기 절단된 엘이디칩을 안착시켜 본딩한다(T10). 이 때 상기 리드프레임은 합성수지재로 형성되어 본체를 이루는 패키지에 미리 결합된 것을 사용한다. 그 후 엘이디칩의 상부면에 형성된 전기 인출단자와 리드프레임에 전도성와이어를 사용하여 전기적으로 연결시킨다(T20). 이를 보통 와이어본딩(wire bonding) 또는 볼본딩(ball bonding)이라 하며, 상기 와이어는 제품의 특성에 따라 구리, 납, 금등이 사용된다. 상기 와이어본딩 및 볼본딩은 잘 알려진 것과 같이 와이어클림프가 와이어 끝부분에 볼을 형성하고 엘이디칩의 전기적 인출단자 부위에 볼을 누르면서 접착하고, 클림프를 상승 및 이동시켜 와이어의 또 다른 끝부분을 리드프레임의 패드 부위에 접착 본딩하는 것으로 가장 많이 사용되는 방법이다.Figure 9 is a flow chart of a conventional high output LED package manufacturing method of the prior art, sawing to a certain size to form the LED chip (sawing). Thereafter, an adhesive is applied to a lead frame of a metal material made of an alloy material such as nickel (Ni), iron (Fe), and cobalt (Co), and the bonded LED chip is seated and bonded (T10). At this time, the lead frame is formed of a synthetic resin material is used in advance bonded to the package forming the main body. Thereafter, the lead wires and the lead wires formed on the upper surface of the LED chip are electrically connected using conductive wires (T20). This is commonly referred to as wire bonding or ball bonding, and the wire may be copper, lead, gold, or the like, depending on the characteristics of the product. As the wire bonding and ball bonding are well known, the wire crimp forms a ball at the end of the wire and presses the ball to the electric lead terminal of the LED chip, and the other end of the wire is led by lifting and moving the crimp. It is the most commonly used method by adhesive bonding to the pad portion of the frame.

그 후 상기 엘이디칩의 상부면에 일정한 형광체를 도포하고(T30), 투명실리콘을 몰딩한다. 상기 몰딩은 엘이디칩이 장착된 본체를 일정한 금형틀 내에 삽입하고, 겔화(Gel:반고체상태)시킨 에폭시 몰딩 컴파운드(EMC: Epoxy Molding Compound) 또는 엔지니어링플라스틱(PA: Polyamide)등의 합성수지 몰딩액을 금형틀 내에 주입하고 봉입한다. 또한 상기 투명실리콘의 상부면에 합성수지재로 성형된 렌즈를 장착하여 내부소재의 부식 및 외부 충격으로부터 보호하는 외형의 본체를 만든다(T40).Thereafter, a predetermined phosphor is coated on the upper surface of the LED chip (T30), and transparent silicon is molded. The molding is to insert a main body equipped with an LED chip in a predetermined mold, and a synthetic resin molding solution such as epoxy molding compound (EMC) or engineering plastic (PA: Polyamide) gelled (Gel: semi-solid) Inject into the mold and seal. In addition, by mounting a lens formed of a synthetic resin material on the upper surface of the transparent silicon to make a main body of the appearance to protect from corrosion and external impact of the internal material (T40).

상기 몰드는 트랜스퍼몰드와 캐스팅몰드방식이 있느데, 엘이디패키지의 제작에 있어서는 캐스팅몰드(통상 몰트컵 이라고 함)방식이 주로 사용된다.The mold has a transfer mold and a casting mold method. In the manufacture of an LED package, a casting mold (usually called a malt cup) is mainly used.

그 후 상기 리드프레임과 패키지소자를 분리하는 트리밍공정(trimming)(T50)을 실행하고, 분리된 엘이디패키지의 리드프레임을 일정한 형상을 갖도록 절곡시키는 포밍공정(forming)을 실행한다(T60). 상기 포밍은 보통 걸폼(Gull form) 또는 제이폼(J-form)형상으로 만들어진다.Thereafter, a trimming process (T50) for separating the lead frame and the package element is performed, and a forming process for bending the lead frame of the separated LED package to have a predetermined shape is performed (T60). The forming is usually made in a Gull form or J-form shape.

한편, 상기 엘이디칩을 리드프레임에 안착시키는 공정(T10)을 다이본딩(Die attach)이라고도 하는데, 상기 엘이디칩을 안착시키는 위치, 각도, 평행도 및 충격등이 제품의 신뢰성에 많은 영향을 주며, 또한 리드프레임 제조에 따른 설비 및 금형의 정밀도가 요구되며, 금형의 지속적인 사용에 따른 마모에 대한 정기적인 교체작업에 비용과 시간이 많이 소요되는 문제점이 있다.On the other hand, the step (T10) of mounting the LED chip on the lead frame is also referred to as die bonding (Die attach), the position, angle, parallelism, impact, etc. to seat the LED chip affects the reliability of the product, and also Precision of equipment and molds is required according to leadframe manufacturing, and there is a problem in that cost and time are required for regular replacement work for wear due to continuous use of molds.

또한, 와이어본딩(T20)공정시에는 순간적인 초음파(3000~5000V)를 발생시켜 전도성와이어의 끝부분을 녹여 접착시키는데, 이 때 순간적으로 약 240℃의 열이 발생되는데 이러한 고열은 엘이디칩에 스크래치(scratch) 및 크랙(crack)을 발생시킬 수 있으며, 주변의 본체등의 플라스틱사출물에 열변형 및 와이어의 장력저하 그리고 와이어의 끊김 등의 현상이 발생될 수 있다. 이러한 현상은 제품의 신뢰성과 생산성을 저하시켜 제품의 품질과 가격에 영향을 주는 문제점이 있다.In addition, during the wire bonding (T20) process, instantaneous ultrasonic waves (3000 to 5000V) are generated to melt and bond the ends of the conductive wires. At this time, heat of about 240 ° C. is instantaneously generated, and the high temperature is scratched on the LED chip. (scratch) and cracks (crack) can be generated, and the plastic deformation, such as the main body of the surrounding body may cause a phenomenon such as thermal deformation, wire tension reduction and wire breakage. This phenomenon reduces the reliability and productivity of the product has a problem that affects the quality and price of the product.

또한, 상기 몰딩공정(T40)에서는 금형내에 몰드액을 일정 압력에 의해 강제 주입하게 되는데, 이 때 전도성와이어의 형상이 한방향으로 쏠리는 현상, 몰드액의 미충진 현상, 충진 후 몰드금형 내에서 제품분리가 되지 않아 제품에 물리적인 힘을 가하게 됨으로서 제품의 변형등의 문제점이 발생된다. 그리고 상기 트리밍공정과 포밍공정에서는 각 공정상에서 1회 투입된 제품의 위치가 불안정상태로 작업이 진행되면, 투입수량 만큼 불량품이 생산되며, 상기 각 공정별로 다른 설비와 금형이 필요하고, 상기 금형의 지속적인 사용에 따른 마모에 의한 정기적인 교체작업으로 많은 비용과 시간이 소요되는 문제점이 있다.In addition, in the molding process (T40), the mold liquid is forcibly injected into the mold by a predetermined pressure. At this time, the shape of the conductive wire is oriented in one direction, the unfilled phenomenon of the mold liquid, and the separation of the product in the mold mold after filling. Since it does not become a physical force to the product causes problems such as deformation of the product. In the trimming process and the forming process, when the work of the product injected once in each process is performed in an unstable state, defective products are produced as much as the input quantity, and different equipment and molds are required for each process, and the mold is continuously There is a problem in that it takes a lot of cost and time by regular replacement work by wear due to use.

본 발명은 상기한 제반 문제점을 해결하기 위한 것으로, 본 발명의 목적은 열전도층, 제1절연층, 전기전도층, 제2절연층으로 구성된 다층기판을 사용하여 상기 와이어본딩공정과 포밍공정을 수행하지 않고서도 열 및 전기적특성이 향상되고, 공정에 따른 불량율을 최소화하고 제품의 신뢰성과 생산성을 향상시킬 수 있는 고출력 엘이디패키지 제작방법 및 이를 이용한 고출력 엘이디패키지를 제공하는 것이다.The present invention is to solve the above problems, an object of the present invention is to perform the wire bonding process and the forming process using a multi-layer substrate consisting of a heat conductive layer, a first insulating layer, an electrically conductive layer, a second insulating layer. Without improving the thermal and electrical properties, to minimize the failure rate according to the process and to provide a high output LED package manufacturing method and a high output LED package using the same that can improve the product reliability and productivity.

본 발명에 의한 고출력 엘이디패키지 제작방법은, 열전도층, 제1절연층, 전기전도층, 제2절연층으로 구성된 다층기판 상에 중심부를 기준으로 일정 간격으로 이격되도록 상기 전기전도층을 패턴형성하는 다층기판형성공정과, 상기 형성된 전기전도층 사이에 열전도성 실리콘 접착제와, 상기 중심부의 전기전도층에 솔더 페이스트를 도포하는 도포공정과, 상기 도포된 열전도성 실리콘 접착제와 솔더 페이스트로 서브마운트를 본딩하는 서브마운트 본딩공정과, 상기 본딩된 서브마운트의 상부에 엘이디칩을 본딩하는 솔더범핑공정과, 원통형상으로 내측면에 일정한 기울기로 반사컵이 형성되고, 상기 다층기판에 접착되어 상기 서브마운트를 보호하는 본체를 장착하는 본체장착공정과, 상기 엘이디칩에 형광체를 도포하고, 상기 본체의 내측에 투명실리콘을 충진하는 투명실리콘 충진공정과, 상기 투명실콘의 상부면에 합성수지재의 렌즈를 접착하는 렌즈접착공정을 포함하는 것을 특징으로 한다.In the method of manufacturing a high output LED package according to the present invention, the conductive layer is patterned so as to be spaced apart at regular intervals from a center on a multi-layer substrate including a heat conductive layer, a first insulating layer, an electrically conductive layer, and a second insulating layer. A multi-layer substrate forming process, a thermally conductive silicone adhesive between the formed electrically conductive layers, a coating process of applying solder paste to the electrically conductive layer at the center portion, and bonding a submount with the applied thermally conductive silicone adhesive and solder paste A submount bonding step, a solder bumping step of bonding an LED chip on the bonded submount, and a reflective cup having a predetermined inclination on an inner side in a cylindrical shape, and being adhered to the multilayer substrate to form the submount. A main body mounting step of mounting a main body to be protected, and a fluorescent substance applied to the LED chip, and a transparent chamber inside the main body. Transparent silicon filling process to fill the cone, characterized in that it comprises a lens bonding process of bonding the lens material is a synthetic resin on the upper surface of the transparent silkon.

또한 본 발명에 의한 고출력 엘이디패키지 제작방법은, 상기 다층기판형성공정이 상기 패턴을 복수개 형성하는 것을 특징으로 한다.In addition, the high output LED package manufacturing method according to the present invention is characterized in that the multilayer substrate forming process forms a plurality of the patterns.

또한 본 발명에 의한 고출력 엘이디패키지 제작방법은, 상기 서브마운트 본딩공정이 상기 서브마운트에 비아홀을 형성하여 본딩하는 것을 특징으로 한다.In addition, the method of manufacturing a high output LED package according to the present invention is characterized in that the submount bonding step bonds the via mount by forming a via hole.

또한 본 발명에 의하 고출력 엘이디패키지 제작방법은, 상기 렌즈접착공정 후에 상기 다층기판의 저면에 히트싱크를 부착하는 히트싱크부착공정을 더 포함하는 것을 특징으로 한다.In addition, the high output LED package manufacturing method according to the present invention is characterized in that it further comprises a heat sink attaching step of attaching a heat sink to the bottom surface of the multilayer substrate after the lens bonding step.

한편, 본 발명에 의한 고출력 엘이디패키지는, 열전도층, 제1절연층, 전기전도층, 제2절연층으로 구성되고 상부면의 임의의 중심점을 기준으로 일정 간격으로 이격되도록 상기 전기전도층이 패턴형성된 다층기판과, 상기 전기전도층과 접착되는 정전기방전회로가 내장된 서브마운트와, 상기 서브마운트와 본딩되는 엘이디칩과, 원통형상으로 내측면에 일정한 기울기로 반사컵이 형성되고 상기 서브마운트를 보호하고 상기 다층기판에 접착되는 본체와, 상기 엘이디칩에 도포된 형광체와, 상기 본체의 내측에 충진되는 투명실리콘과, 상기 투명실리콘의 상부면과 밀착되게 접착되는 합성수지재의 렌즈를 포함하여 구성되는 것을 특징으로 한다.On the other hand, the high-power LED package according to the present invention is composed of a heat conductive layer, a first insulating layer, an electrically conductive layer, a second insulating layer and the conductive layer is patterned so as to be spaced at regular intervals based on an arbitrary center point of the upper surface. The formed multi-layer substrate, a sub-mount incorporating an electrostatic discharge circuit bonded to the conductive layer, an LED chip bonded with the sub-mount, and a reflective cup is formed on the inner side in a cylindrical shape with a predetermined inclination. And a body of a protective resin bonded to the multilayer substrate, a phosphor coated on the LED chip, transparent silicon filled inside the main body, and a lens of a synthetic resin material adhered to the upper surface of the transparent silicon. It is characterized by.

또한 본 발명에 의한 고출력 엘이디패키지는, 상기 다층기판이 상기 패턴이 복수개 형성된 것을 특징으로 한다.In addition, the high output LED package according to the present invention is characterized in that the multilayer substrate is provided with a plurality of patterns.

또한 본 발명에 의한 고출력 엘이디패키지는, 상기 다층기판의 저면에 밀착되게 부착되는 히트싱크를 더 포함하는 것을 특징으로 한다.In addition, the high-output LED package according to the present invention is characterized in that it further comprises a heat sink adhered in close contact with the bottom of the multilayer substrate.

또한 본 발명에 의한 고출력 엘이디패키지는, 상기 전기전도층과 서브마운트는 솔더 페이스트로 본딩되고, 상기 다층기판과 서브마운트는 열전도성 접착성 실리콘으로 접착되고, 상기 서브마운트와 엘이디칩은 솔더범핑되는 것을 특징으로 한다.In addition, the high output LED package according to the present invention, the electrically conductive layer and the submount is bonded with solder paste, the multi-layer substrate and the submount is bonded with a thermally conductive adhesive silicon, the submount and the LED chip is solder bumped It is characterized by.

이하, 첨부된 도면을 참조하여 본 발명의 고출력 엘이디패키지 제작방법 및 이를 이용한 고출력 엘이디패키지를 상세히 설명한다.Hereinafter, a high output LED package manufacturing method and a high output LED package using the same will be described in detail with reference to the accompanying drawings.

도1은 본 발명의 일실시예에 의한 고출력 엘이디패키지의 사시도이고, 도2는 본 발명의 일실시예에 의한 고출력 엘이디패키지의 엘이디칩 부분의 구성설명도이며, 도3은 본 발명의 일실시예에 의한 패턴이 형성된 다층기판의 평면도이고, 도4는 본 발명의 일실시예에 의한 엘이디칩이 장착된 다층기판의 평면도 및 부분단면도이며, 도5는 본 발명의 일실시예에 의한 고출력 엘이디패키지의 평면도 및 부분단면도이고, 도6a은 본 발명의 일실시예에 의한 히트싱크가 장착된 고출력 엘이디패키지의 측면도이며, 도6b는 도6a의 A-A선의 단면도이다.Figure 1 is a perspective view of a high power LED package according to an embodiment of the present invention, Figure 2 is a schematic diagram of the configuration of the LED chip portion of the high power LED package according to an embodiment of the present invention, Figure 3 is an embodiment of the present invention 4 is a plan view of a multi-layer substrate on which a pattern is formed according to an example, FIG. 4 is a plan view and a partial cross-sectional view of a multilayer board on which an LED chip is mounted according to an embodiment of the present invention, and FIG. 5 is a high output LED according to an embodiment of the present invention. 6A is a side view of a high power LED package mounted with a heat sink according to an embodiment of the present invention, and FIG. 6B is a cross-sectional view of the AA line of FIG. 6A.

본 발명의 바람직한 실시예의 고출력 엘이디패키지는 상기 도1 내지 도6b에 도시된 바와 같이, 엘이디칩(50)과 서브마운트(40)가 장착되는 다층기판(30)과, 상기 다층기판(30)에 장착되는 본체(20)와, 상기 본체(20) 내측에 장착된 엘이디칩(50)과 서브마운트(40)를 보호하고 고정하는 투명실리콘(11) 및 렌즈(10)를 포함하여 구성된다.The high output LED package of the preferred embodiment of the present invention, as shown in Figures 1 to 6B, the multi-layer substrate 30, the LED chip 50 and the submount 40 is mounted, and the multi-layer substrate 30 It includes a main body 20 to be mounted, the transparent silicon 11 and the lens 10 for protecting and fixing the LED chip 50 and the submount 40 mounted inside the main body 20.

상기 다층기판(30)은 도2에 도시된 바와 같이 열전도층(32), 제1절연층(33), 전기전도층(34), 제2절연층(35)으로 형성된다. 이 때 상기 열전도층(32)은 열전도성이 좋은 알루미늄으로 형성하고, 상기 제1절연층(33)은 유리-에폭시로 형성하며, 상기 전기전도층(34)은 구리로 형성하는 것이 바람직하다. 그리고 상기 제2절연층(35)은 일반적인 절연코팅으로 형성하는 것이 바람직하다.As shown in FIG. 2, the multilayer substrate 30 is formed of a thermal conductive layer 32, a first insulating layer 33, an electrically conductive layer 34, and a second insulating layer 35. In this case, it is preferable that the thermal conductive layer 32 is formed of aluminum having good thermal conductivity, the first insulating layer 33 is formed of glass-epoxy, and the electrical conductive layer 34 is formed of copper. The second insulating layer 35 is preferably formed of a general insulating coating.

상기 다층기판(30)은 엘이디패키지를 1단 5열 내지 5단 10열로 다층기판상에 패턴을 형성하여 제작하는 것이 바람직하다. 다시 말해 다층기판(30)과 복수개의 고정편(61)으로 연결되도록 열전도층(32)과 제1절연층(33)을 원형으로 형성하고, 그 위의 전기전도층(34)은 상기 원형의 중심점을 기준으로 양측으로 서브마운트 연결패드(64)가 형성되고 제2절연층(35)을 사이에 두고 외측으로는 전원과 연결되는 전원선 연결패드(66)가 형성되며, 제2절연층(35)은 원형의 중앙부인 서브마운트 안착부(65)와 상기 전원선 연결패드(66)가 절연되도록 형성되며, 상기 전원선 연결패드(66)와 외부의 전원선을 용이하게 고정시킬 수 있도록 배선고정부(31)가 관통되어 형성된다. 또한 상기 다층기판(30)의 가장자리 부분에는 일정한 거리로 관통구멍을 형성하여 제작공정 시 기판의 이동(feeding)과 고정(clamping)등이 용이하도록 형성한다. 이 때 상기 서브마운트 연결패드(64)는 상기 서브마운트 안착부(65)에 일측은 애노드패드(anode pad)를 형성하며, 타측은 캐소드패드(cathode pad)를 형성한다.The multi-layer substrate 30 is preferably produced by forming a pattern on the multi-layer substrate in 1 column 5 to 5 column 10 columns of LED package. In other words, the thermal conductive layer 32 and the first insulating layer 33 are formed in a circle so as to be connected to the multilayer board 30 and the plurality of fixing pieces 61, and the conductive layer 34 thereon is formed in the circular shape. Submount connection pads 64 are formed at both sides with respect to the center point, and a power line connection pad 66 is formed to be connected to a power source to the outside with the second insulating layer 35 interposed therebetween, and the second insulating layer ( 35 is formed so that the submount seating portion 65, which is a circular center portion, and the power line connecting pad 66 are insulated from each other, and the wires can be easily fixed to the power line connecting pad 66 and an external power line. The fixing part 31 is formed through. In addition, through-holes are formed in the edge portion of the multilayer substrate 30 at a predetermined distance so as to facilitate feeding and clamping of the substrate during the manufacturing process. At this time, the submount connection pad 64 forms an anode pad on one side of the submount seating portion 65 and a cathode pad on the other side thereof.

상기 서브마운트(submount;40)는 실리콘(Si) 또는 세라믹계열의 소재를 사용하여 사각형 또는 다각형 형상을 하는 것이 바람직하며, 서브마운트(40) 내에는 상기 서브마운트 연결패드(64)와 상기 엘이디칩(50)과 전기적으로 연결되도록 회로패턴과 정전기 방전(ESD; Electrostatic Discharge) 다이오드 및 바리스터의 회로가 형성되는 것이 바람직하다. 한편, 상기 서브마운트(40)에는 복수개의 엘이디칩(50)이 장착될 수 있으며, 상기 다층기판(30)의 서브마운트 안착부(65)와는 열전도성 접착용 실리콘(46)에 의한 접착되며, 상기 서브마운트 연결패드(64)와는 솔더 페이스트(45)에 의해 접착된다.The submount 40 may have a rectangular or polygonal shape using silicon (Si) or a ceramic-based material. The submount 40 may include the submount connection pad 64 and the LED chip. It is preferable that a circuit pattern, a circuit of an electrostatic discharge (ESD) diode, and a varistor are formed to be electrically connected to 50. Meanwhile, a plurality of LED chips 50 may be mounted on the submount 40, and the submount seating portions 65 of the multilayer board 30 may be bonded to each other by the thermally conductive adhesive silicon 46. The submount connection pad 64 is adhered by solder paste 45.

상기 엘이디칩(LED chip;50)은 상기 서브마운트(40)의 상부면과 솔더 범퍼(55)에 의해 솔더펌핑되며, 상기 엘이디칩(50)은 공지의 칩을 한 개 또는 복수개 사용한다.The LED chip 50 is solder pumped by the upper surface of the submount 40 and the solder bumper 55, and the LED chip 50 uses one or more known chips.

상기 본체(20)는 상기 다층기판(30)에 형성된 본체 고정구(63)에 안착되고, 다층기판(30)과는 밀폐력과 접착성을 향상시키기 위해 실리콘(21)등의 접착제에 의해 고정되는데 내측면에는 종래의 엘이디패키지와 동일하게 일정 각도 경사진 반사컵(12)이 형성되어 있다.The main body 20 is seated on the main body fixture 63 formed on the multi-layer substrate 30, and is fixed to the multi-layer substrate 30 by an adhesive such as silicone 21 to improve sealing force and adhesion. The reflective cup 12 is inclined at a predetermined angle in the same way as the conventional LED package.

또한 상기 본체(20)의 내측에는 종래와 동일하게 투명실리콘(11)이 몰딩되고, 투명실리콘(11)의 상부에는 합성수지재의 렌즈(10)가 밀착되게 접착된다.In addition, the transparent silicon 11 is molded inside the main body 20 as in the related art, and the lens 10 of the synthetic resin material is adhered to the upper portion of the transparent silicon 11 in close contact.

한편, 도6a 및 도6b와 같이 다층기판(30)의 저면에 히트싱크(70)를 장착하여 구성할 수도 있다. 상기 히트싱크(70)는 표면적을 최대로 하기 위해 중심축에 대하여 방사상으로 방열판을 복수개 형성시키기는 것이 바람직하며, 상기 다층기판(30)과는 히트싱크(70)는 히트싱크 고정구(62)를 통해 나사 결합방식으로 체결하는 것이 바람직하다.6A and 6B, the heat sink 70 may be mounted on the bottom of the multilayer board 30. In order to maximize the surface area of the heat sink 70, a plurality of heat sinks may be formed radially with respect to a central axis. The heat sink 70 may be a heat sink fixture 62 with the multilayer substrate 30. It is preferable to fasten through the screw coupling method.

도7은 본 발명에 의한 고출력 엘이디패키지 제작방법의 순서도이다.Figure 7 is a flow chart of a high power LED package manufacturing method according to the present invention.

상기 도1 내지 도7을 참조하여 본 발명의 제작방법 및 효과를 설명하면, 먼저 적절한 크기의 다층기판(30)에 도3과 같은 패턴을 형성한다. 상기 패턴은 공지된 에칭 및 프링팅기법을 사용하는 것이 바람직하다.1 to 7, the manufacturing method and effect of the present invention will be described. First, a pattern as shown in FIG. 3 is formed on the multilayer board 30 having an appropriate size. It is preferable that the pattern uses a known etching and printing technique.

그 후 형성된 패턴의 서브마운트 안착부(65)에 형성된 서브마운트 연결패드(64)인 애노드패드와 캐소드패드에 서브마운트(40)와 본딩시키기 위해 솔더 페이스트를 도포하고, 중심부에는 서브마운트(40)와 다층기판(30)을 접착시키기 위해 열전도성 접착용 실리콘(46)을 도포한다(S10). 또한 상기 서브마운트 연결패드(64)와의 본딩은 서브마운트(40)에 비아홀(Via Hole)을 형성하여 본딩할 수도 있다(S20).Subsequently, a solder paste is applied to bond the submount 40 to the anode pad and the cathode pad, which are the submount connection pads 64 formed on the submount seating portion 65 of the formed pattern, and the submount 40 at the center thereof. In order to bond the multi-layer substrate 30 and the thermal conductive adhesive silicone 46 is applied (S10). In addition, bonding with the submount connection pad 64 may be bonded by forming a via hole in the submount 40 (S20).

상기와 같이 본딩된 서브마운트(40)는 캐소드 및 애노드전극이 동일 평면상에 존재하므로 기존의 제작방식과는 반대로 엘이디칩(50)을 뒤집어서 엘이디칩(50)의 전극면이 아래방향으로 하여 실장한다. 이러한 방법은 일반적으로 플립칩본딩이라하며, 상기 서브마운트(40)의 상면에 엘이디칩을 본딩하기 위해서 금 솔더나 기타 전도성접착용 재료를 이용하여 서브마운트(40)의 공급전원이 엘이디칩(50)으로 인가될 수 있도록 도팅(Dotting) 또는 솔더범퍼(Solder Bump)를 한다(S30).The bonded submount 40 has the cathode and the anode electrode on the same plane, so the LED chip 50 is reversed and the electrode surface of the LED chip 50 is mounted downward as opposed to the conventional manufacturing method. do. This method is generally referred to as flip chip bonding. In order to bond the LED chip to the upper surface of the submount 40, the power supply of the submount 40 is connected to the LED chip 50 using gold solder or other conductive adhesive material. Dotting or solder bumper (Solder Bump) to be applied to (S30).

그리고, 도5에 도시된 바와 같이 본체(20)가 장착되는 다층기판(30)의 상부면에 열전도성 접착용 실리콘(21)을 도포하고 본체(20)를 다층기판(30)의 본체 고정구(63)에 안착시켜 본체(20)를 장착하여 외부와 밀폐되도록 하여 각 부분의 산화 및 변색을 방지하게 된다(S40). 이 때 상기 본체(20)의 내측면에 형성된 반사컵(12)에는 엘이디칩(50)에서 발광되는 발광빛의 각도를 제어하고, 빛의 산란으로 인한 손실량을 최소로 하기 위해 은(Ag) 코팅을 하는 것이 바람직하다.As shown in FIG. 5, the thermal conductive adhesive silicone 21 is coated on the upper surface of the multilayer board 30 on which the main body 20 is mounted, and the main body fixture 20 of the multilayer board 30 is applied to the main body 20. 63 to be mounted on the main body 20 to be sealed to the outside to prevent oxidation and discoloration of each part (S40). At this time, the reflection cup 12 formed on the inner surface of the main body 20 is coated with silver (Ag) to control the angle of the emitted light emitted from the LED chip 50 and to minimize the amount of loss due to light scattering It is preferable to

그 후 종래의 공정과 동일하게 엘이디칩(50)의 상부면에 다양한 색상을 발현하는 형광체를 도포하고, 그 상부의 본체(20) 내측에는 투명실리콘(11)을 주입하여 몰딩한다(S50). 몰딩된 투명실리콘(11)의 상부면에는 합성수지재의 렌즈(10)를 밀착되게 접착시키고(S60), 다층기판(30)에 형성된 고정편(61)을 트리밍하여 고출력 엘이디패키지를 분리하여 완성한다(S70).Thereafter, the phosphors expressing various colors are applied to the upper surface of the LED chip 50 in the same manner as in the conventional process, and the transparent silicon 11 is injected into the upper body of the upper portion 20 to mold them (S50). The upper surface of the molded transparent silicon 11 is adhered in close contact with the lens 10 of the synthetic resin material (S60), trimming the fixing piece 61 formed on the multilayer board 30 is completed by separating the high power LED package ( S70).

또한 상기 트리밍은 다층기판(30)의 가장자리 부분에 형성된 관통구멍을 기준으로 다층기판(30)을 고정하며, 금형의 상하 운동에 의한 트리밍 공정으로 제품의 불량을 최소화할 수 있게 된다.In addition, the trimming fixes the multilayer board 30 on the basis of the through-holes formed at the edges of the multilayer board 30, and minimizes defects of the product by trimming by vertical movement of the mold.

또한, 방열효과를 극대화하기 위하여 다층기판(30)의 저면에 방사형 방열판(히트싱크)(70)을 조립하여 동작시 발생되는 열적 스트레스를 최소화한다.In addition, in order to maximize the heat dissipation effect, the radial heat sink (heat sink) 70 is assembled on the bottom of the multilayer board 30 to minimize thermal stress generated during operation.

앞에서 설명되고, 도면에 도시된 본 발명의 일 실시예는 본 발명의 기술적사상을 한정하는 것으로 해석되어서는 안 된다. 본 발명의 보호범위는 청구범위에 기재된 사항에 의하여만 제한되고, 본 발명의 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자는 본 발명의 기술적 사상을 다양한 형태로 개량 변경하는 것이 가능하다. 따라서 이러한 개량 및 변경은 통상의 지식을 가진 자에게 자명한 것인 한 본 발명의 보호범위에 속하게 될 것이다.An embodiment of the present invention described above and illustrated in the drawings should not be construed as limiting the technical spirit of the present invention. The protection scope of the present invention is limited only by the matters described in the claims, and those skilled in the art can change and change the technical idea of the present invention in various forms. Therefore, such improvements and modifications will fall within the protection scope of the present invention, as will be apparent to those skilled in the art.

상술한 바와 같이 본 발명에 따르면, 열전도층, 제1절연층, 전기전도층, 제2절연층으로 구성된 다층기판을 사용하여 제작하므로 종래의 리드프레임 생산공정 및 와이어본딩공정에 따른 불량과 와이어본딩에 필요한 자재와 시간의 낭비를 제거하여 생산성을 향상시키는 효과가 있다.As described above, according to the present invention, since it is manufactured using a multi-layer substrate composed of a thermal conductive layer, a first insulating layer, an electrical conductive layer, and a second insulating layer, defects and wire bondings according to the conventional lead frame production process and wire bonding process are performed. It is effective in improving productivity by eliminating waste of material and time required for the process.

또한 상기 와이어본딩공정과 리드프레임을 절곡하는 포밍공정을 수행하지 않으므로 공정의 수행시간과 비용을 절감시킬 뿐만 아니라 구조적으로 열 및 전기적특성을 향상시켜 제품의 신뢰성과 생산성을 향상시킬 수 있다.In addition, since the wire bonding process and the forming process of bending the lead frame are not performed, not only the execution time and cost of the process may be reduced, but also the structural and thermal and electrical characteristics may be improved to improve product reliability and productivity.

도1은 본 발명의 일실시예에 의한 고출력 엘이디패키지의 사시도,1 is a perspective view of a high power LED package according to an embodiment of the present invention,

도2는 본 발명의 일실시예에 의한 고출력 엘이디패키지의 엘이디칩 부분의 구성설명도,2 is a diagram illustrating the configuration of an LED chip of a high power LED package according to an embodiment of the present invention;

도3은 본 발명의 일실시예에 의한 패턴이 형성된 다층기판의 평면도,3 is a plan view of a multi-layer substrate having a pattern according to an embodiment of the present invention;

도4는 본 발명의 일실시예에 의한 엘이디칩이 장착된 다층기판의 평면도 및 부분단면도,4 is a plan view and a partial cross-sectional view of a multilayer board equipped with an LED chip according to an embodiment of the present invention;

도5는 본 발명의 일실시예에 의한 고출력 엘이디패키지의 평면도 및 부분단면도,5 is a plan view and a partial cross-sectional view of a high power LED package according to an embodiment of the present invention;

도6a은 본 발명의 일실시예에 의한 히트싱크가 장착된 고출력 엘이디패키지의 측면도,Figure 6a is a side view of a high power LED package equipped with a heat sink according to an embodiment of the present invention,

도6b는 도6a의 A-A선의 단면도,6B is a cross-sectional view taken along the line A-A of FIG. 6A;

도7은 본 발명에 의한 고출력 엘이디패키지 제작방법의 순서도,7 is a flow chart of a high output LED package manufacturing method according to the present invention,

도8a, 도8b는 종래의 일반적인 고출력 엘이디패키지의 단면도,8A and 8B are cross-sectional views of a conventional general high power LED package,

도9는 종래의 일반적인 고출력 엘이디패키지 제작방법의 순서도.9 is a flow chart of a conventional general high output LED package manufacturing method.

< 도면의 주요 부분에 대한 부호의 설명 ><Description of Symbols for Main Parts of Drawings>

10: 렌즈 11: 투명실리콘10: lens 11: transparent silicone

12: 반사컵 20: 본체12: reflection cup 20: main body

30: 다층기판 31: 배선고정부30: multilayer board 31: wiring fixing

32: 열전도층 33: 제1절연층32: heat conductive layer 33: first insulating layer

34: 전기전도층 35: 제2절연층34: conductive layer 35: second insulating layer

40: 서브마운트(submount) 45: 솔더 페이스트(solder paste)40: submount 45: solder paste

46: 열전도성 접착용 실리콘 50: 엘이디칩(LED chip)46: silicon for thermal conductive bonding 50: LED chip

55: 솔더 범프(solder bump) 61: 고정편55: solder bump 61: fixing piece

62: 히트싱크 고정구 63: 본체 고정구62: heat sink fixture 63: body fixture

64: 서브마운트 연결패드 65: 서브마운트 안착부64: submount connection pad 65: submount seat

66: 전원선 연결패드 70: 히트싱크66: power line connection pad 70: heat sink

Claims (8)

열전도층, 제1절연층, 전기전도층, 제2절연층으로 구성된 다층기판 상에 중심부를 기준으로 일정 간격으로 이격되도록 상기 전기전도층을 패턴형성하는 다층기판형성공정과,Forming a multi-layer substrate on the multi-layer substrate including a heat conductive layer, a first insulating layer, an electrically conductive layer, and a second insulating layer so as to be spaced at regular intervals from the center thereof; 상기 형성된 전기전도층 사이에 열전도성 실리콘 접착제와, 상기 중심부의 전기전도층에 솔더 페이스트를 도포하는 도포공정과,An application process for applying a solder paste to the electrically conductive layer at the center and a thermally conductive silicone adhesive between the formed electrically conductive layers; 상기 도포된 열전도성 실리콘 접착제와 솔더 페이스트로 서브마운트를 본딩하는 서브마운트 본딩공정과,A submount bonding process of bonding the submount with the applied thermally conductive silicone adhesive and solder paste; 상기 본딩된 서브마운트의 상부에 엘이디칩을 본딩하는 솔더범핑공정과,A solder bumping process of bonding an LED chip on the bonded submount; 원통형상으로 내측면에 일정한 기울기로 반사컵이 형성되고, 상기 다층기판에 접착되어 상기 서브마운트를 보호하는 본체를 장착하는 본체장착공정과,A main body mounting process in which a reflective cup is formed in a cylindrical shape with a predetermined inclination on the inner side, and the main body is attached to the multilayer board to protect the submount; 상기 엘이디칩에 형광체를 도포하고, 상기 본체의 내측에 투명실리콘을 충진하는 투명실리콘 충진공정과,A transparent silicon filling process of coating a phosphor on the LED chip and filling transparent silicon inside the main body; 상기 투명실콘의 상부면에 합성수지재의 렌즈를 접착하는 렌즈접착공정을 포함하는 것을 특징으로 하는 고출력 엘이디패키지 제작방법.And a lens bonding process for adhering the lens of the synthetic resin material to the upper surface of the transparent silicon cone. 제1항에 있어서,The method of claim 1, 상기 다층기판형성공정은, 상기 패턴을 복수개 형성하는 것을 특징으로 하는 고출력 엘이디패키지 제작방법.The multi-layer substrate forming process, a plurality of the output pattern LED package manufacturing method characterized in that to form a plurality. 제1항에 있어서,The method of claim 1, 상기 서브마운트 본딩공정은, 상기 서브마운트에 비아홀을 형성하여 본딩하는 것을 특징으로 하는 고출력 엘이디패키지 제작방법.The submount bonding process is a high output LED package manufacturing method, characterized in that by forming a via hole in the submount bonding. 제1항 내지 제3항 중 어느 하나의 항에 있어서,The method according to any one of claims 1 to 3, 상기 렌즈접착공정 후에 상기 다층기판의 저면에 히트싱크를 부착하는 히트싱크부착공정을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 고출력 엘이디패키지 제작방법.And a heat sink attaching step of attaching a heat sink to the bottom surface of the multilayer board after the lens bonding step. 열전도층, 제1절연층, 전기전도층, 제2절연층으로 구성되고 상부면의 임의의 중심점을 기준으로 일정 간격으로 이격되도록 상기 전기전도층이 패턴형성된 다층기판과, 상기 전기전도층과 접착되는 정전기방전회로가 내장된 서브마운트와, 상기 서브마운트와 본딩되는 엘이디칩과, 원통형상으로 내측면에 일정한 기울기로 반사컵이 형성되고 상기 서브마운트를 보호하고 상기 다층기판에 접착되는 본체와, 상기 엘이디칩에 도포된 형광체와, 상기 본체의 내측에 충진되는 투명실리콘과, 상기 투명실리콘의 상부면과 밀착되게 접착되는 합성수지재의 렌즈를 포함하여 구성되는 것을 특징으로 하는 고출력 엘이디패키지.A multi-layer substrate composed of a thermally conductive layer, a first insulating layer, an electrically conductive layer, and a second insulating layer, wherein the electrically conductive layer is patterned so as to be spaced at regular intervals based on an arbitrary center point of the upper surface; A sub-mount having a built-in electrostatic discharge circuit, an LED chip bonded with the sub-mount, a reflection cup formed at a predetermined slope on an inner side in a cylindrical shape, protecting the sub-mount, and being bonded to the multilayer board; A high power LED package, characterized in that it comprises a phosphor coated on the LED chip, a transparent silicon filled in the inside of the main body, and a lens of a synthetic resin material in close contact with the upper surface of the transparent silicon. 제5항에 있어서,The method of claim 5, 상기 다층기판은, 상기 패턴이 복수개 형성된 것을 특징으로 하는 고출력 엘이디패키지.The multi-layer substrate, the high output LED package, characterized in that a plurality of patterns formed. 제5항에 있어서,The method of claim 5, 상기 다층기판의 저면에 밀착되게 부착되는 히트싱크를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 고출력 엘이디패키지.The high power LED package further comprises a heat sink adhered in close contact with the bottom of the multi-layer substrate. 제5항 내지 제7항 중 어느 하나의 항에 있어서,The method according to any one of claims 5 to 7, 상기 전기전도층과 서브마운트는 솔더 페이스트로 본딩되고, 상기 다층기판과 서브마운트는 열전도성 접착성 실리콘으로 접착되고, 상기 서브마운트와 엘이디칩은 솔더범핑되는 것을 특징으로 하는 고출력 엘이디패키지.The electrically conductive layer and the submount is bonded with solder paste, the multi-layer substrate and the submount is bonded with thermally conductive adhesive silicon, the submount and the LED chip is a high output LED package, characterized in that the solder bump.
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