KR20050023828A - 판재 절개형 프로브 및 이의 제조방법 - Google Patents

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Abstract

도전성 판재를 절개한 후, 절곡시켜 형성되는 판재 절개형 프로브 및 이의 제조방법이 개시되어 있다.
본 발명의 판재 절개형 프로브는, 전도성 재질의 판상의 본체부 및 상기 본체부를 절개 한 후, 서로 교차하도록 소정각도로 절곡하여 형성된 절개부를 구비하여 이루어지고, 본 발명의 판재 절개형 프로브의 제조방법은, 전도성 재질의 판상의 본체부 일측 가장자리면과 타측 가장자리면 소정부에서 내측으로 소정길이 레이저빔을 주사 절개하여 교대로 절개부를 형성하거나 상기 본체부 표면에 디귿자(ㄷ) 형상 및 역 디귿자(ㄷ)자 형상으로 레이저빔을 주사 절개하여 소정간격 이격된 절개부를 교대로 형성하여 소정각도 절곡시켜 이루어진다.
따라서, 고집적화된 반도체소자의 파인피치(Fine pitch) 간격과 다양한 종류의 패드배열 형상에 대응이 용이하고, MEMS공정의 문제점을 해결할 수 있는 효과가 있다.

Description

판재 절개형 프로브 및 이의 제조방법{Board cutting type probe and method thereby}
본 발명은 판재 절개형 프로브 및 이의 제조방법에 관한 것으로써, 보다 상세하게는 소정크기의 도전성 판재를 절개한 후, 소정각도로 절곡시켜 형성되는 판재 절개형 프로브 및 이의 제조방법에 관한 것이다.
통상, 반도체기판 즉, 웨이퍼 상에 산화공정, 확산공정, 이온주입공정, 사진식각공정 및 금속공정 등의 웨이퍼 가공공정에 의해서 256MDRAM 및 1GDRAM 등의 반도체소자를 구현하게 된다.
그리고, 이와 같은 반도체소자 제조공정을 수행한 후, 반도체기판 상에 구현된 각 칩(Chip)에 대해서 프로빙 테스트를 수행함으로써 정상 칩 및 비정상 칩을 선별하게 되고, 선별된 정상 칩만을 패키징(Packaging)하게 된다.
또한, 패키징된 반도체 제품에 대해서도 최악의 온도 및 전압 등의 테스트 조건 하에서 번인(Burn-in)공정을 수행 제거함으로써 열화한 반도체 제품의 출하를 조기에 제거하고 있다.
이와 같은 프로빙 테스트는, 반도체기판 상에 구현된 각 칩의 전극패드에 접촉한 프로브카드의 프로브를 통해서 테스트장치가 소정의 전기신호를 인가한 후, 이에 대응하는 전기신호를 다시 테스트장치가 수신함으로써 반도체기판 상에 구현된 각 칩의 정상 및 비정상 유무를 테스트(Test)하게 된다.
그리고, 이와 같이 완성된 상태에 있는 웨이퍼 즉, 반도체 칩을 테스트하는 프로브카드는, 회로가 구성되 인쇄회로기판과, 인쇄회로기판의 상면 중앙에 설치되는 보강판과 웨이퍼의 전극패드에 접촉되는 프로브를 구비하며, 또한 인쇄회로기판의 회로와 연결되는 니들과 인쇄회로기판의 저면 중앙에 형성되어 프로브를 지지 고정하는 고정판과 프로브를 고정판에 고정하는 절연물로 이루어진다.
이때, 상기 프로브 팁의 소정부는 수평방향에서 하방 즉, 웨이퍼 상에 구현된 각 칩의 전극패드 방향으로 소정각도 절곡되어 있다.
상기와 같이 구성된 프로브카드는 지그에 의해서 상하로 이동하면서 프로브가 전극패드의 중심부에 접촉되도록 하여 반도체 칩의 이상 유무를 검사하게 된다.
그러나, 이와 같은 니들 타입의 프로브는 소정부가 수평방향에서 하방 즉, 전극패드 방향으로 소정각도 절곡됨으로써 고집적화된 반도체소자에 대응이 용이하지 않은 문제점이 있었다.
즉, 상기 프로브카드에 장착되는 프로브는 소정부가 수평방향에서 하방 즉, 전극패드 방향으로 소정각도 절곡되어 있음으로써 프로브카드의 고정판에 프로브를고밀도로 배열 설치가 불가능하여 고집적화된 반도체소자의 전극패드에 대응할 수 없는 문제점이 있었다.
또한, 상기 니들 타입의 프로브는 최근에 주로 사용되는 볼타입의 전극패드 즉, 상부 표면이 상부로 돌출된 볼타입의 전극패드 상부에서는 프로브가 미끄러지는 등의 원인에 의해서 접촉이 어려운 문제점이 있었다.
그리고, 최근에는 고집적화된 반도체소자의 작은 피치간격에 대응이 용이하도록 포토리소그래피(Photolithography)공정 및 식각공정 등의 반도체 제조공정을 주공정으로 하는 MEMS(Micro Electro Mechanical System) 기술을 이용한 프로브가 개발 사용되고 있다.
그러나, MEMS기술을 이용한 프로브는 반도체소자의 작은 피치간격에 대한 대응력 및 대량 생산성 등과 같은 많은 장점을 가지고 있으나 고가의 반도체 장비의 구매와 클린룸(Clean room)의 운영 등과 같은 원인에 의해서 제조 원가를 상승시키는 단점을 발생시키고 있다.
특히, MEMS기술을 이용한 프로브 역시 니들타입의 프로브와 동일하게 볼타입의 전극패드에 대응이 용이하지 않은 문제점이 있었다.
본 발명의 목적은, 제조비용을 절감할 수 있는 판재 절개형 프로브 및 이의 제조방법을 제공하는 데 있다.
본 발명의 다른 목적은, 반도체소자의 작은 피치간격에 대응이 용이한 판재 절개형 프로브 및 이의 제조방법을 제공하는 데 있다.
본 발명의 또 다른 목적은, MEMS공정에서 발생하는 제반 문제점을 해결할 수 있는 판재 절개형 프로브 및 이의 제조방법을 제공하는 데 있다.
본 발명의 또 다른 목적은, 볼타입의 전극패드와 정확하게 접촉할 수 있는 판재 절개형 프로브 및 이의 제조방법을 제공하는 데 있다.
상기 목적을 달성하기 위한 본 발명에 따른 판재 절개형 프로브는, 사각판상으로 이루어지는 전도성 재질의 본체부; 및 서로 어긋난 위치의 상기 본체부 일측 가장자리면과 타측 가장자리면에서 상기 본체부 내측방향으로 소정길이 각각 절개한 후, 상기 본체부 내측방향으로 서로 교차하도록 소정각도 절곡하여 이루어지는 절개부;를 구비하여 이루어지는 것을 특징으로 한다.
이때, 상기 절개부는 적어도 2개 이상 구비될 수 있으며, 상기 절개부 소정부를 소정각도 절곡시켜 상기 절개부 단부에 접촉부가 더 구비될 수 있다.
그리고, 상기 각 절개부의 폭, 길이, 절곡각도 및 상기 접촉체의 절곡각도는 서로 동일함이 바람직하며, 상기 절개부의 절곡각도는 30° 내지 60°로 이루어질 수 있다.
또한, 상기 본체부는 구리, 텅스텐, 구리합금 및 텅스텐합금 중의 어느 하나의 재질로 이루어질 수 있고, 상기 절개부는 라운딩(Rounding)될 수 있다.
그리고, 본 발명에 따른 다른 판재 절개형 프로브는, 판상으로 이루어지는 전도성 재질의 본체부; 및 상기 본체부 표면을 디귿자(ㄷ) 형상 및 역 디귿자(ㄷ)자 형상으로 소정간격 이격 교대로 절개하여 형성되고, 서로 교차하도록 소정각도 절곡되어 있는 절개부;를 구비하여 이루어지는 것을 특징으로 한다.
여기서, 상기 본체부는 사각판 또는 원판 형상으로 이루어질 수 있고, 상기 절개부는 라운딩될 수 있다.
또한, 본 발명에 따른 판재 절개형 프로브의 제조방법은, 사각판상으로 이루어지는 전도성 재질의 본체부를 준비하는 단계; 서로 어긋난 위치의 상기 본체부 일측 가장자리면과 타측 가장자리면에서 상기 본체부 내측방향으로 레이저빔을 주사하여 소정길이 각각 절개하여 절개부를 형성하는 단계; 및 상기 절개부가 서로 교차하도록 소정각도로 절곡시키는 단계;를 포함하여 이루어지는 것을 특징으로 한다.
상기 레이저빔으로 펨토 세컨드 레이저(Femto second laser)를 사용할 수 있고, 상기 절개부의 소정부위를 소정각도 절곡시켜 접촉부를 상기 절개부 단부에 형성하는 단계를 더 수행할 수 있다.
또한, 상기 각 절개부가 서로 교차하도록 소정각도로 절곡시키면서 상기 절개부를 라운딩시키는 단계가 더 수행될 수 있다.
그리고, 본 발명에 따른 다른 판재 절개형 프로브의 제조방법은 전도성 재질의 본체부를 준비하는 단계; 상기 본체부 표면을 레이저빔을 이용하여 디귿자(ㄷ) 형상 및 역 디귿자(ㄷ)자 형상으로 소정간격 이격 교대로 절개하여 절개부를 형성하는 단계; 및 상기 절개부가 서로 교차하도록 소정각도로 절곡하는 단계;를 포함하여 이루어지는 것을 특징으로 한다.
이하, 첨부한 도면을 참조하여 본 발명의 구체적인 실시예를 상세히 설명한다.
도 1a는 본 발명의 제 1 실시예에 따른 판재 절개형 프로브의 사시도이고, 도 1b는 본 발명의 제 2 실시예에 따른 판재 절개형 프로브의 사시도이다.
본 발명의 제 1 실시예에 따른 판재 절개형 프로브는, 도 1a에 도시된 바와 같이 소정의 연성(ductility) 및 탄성력을 구비함과 동시에 전도성을 가진 구리, 텅스텐, 구리합금 및 텅스텐합금 재질로 이루어지고, 수 마이크로미터(㎛)로써 매우 얇은 사각판 형상으로 이루어지는 본체부(10)를 구비한다.
그리고, 상기 본체부(10) 일측 가장자리면에서 본체부(10) 내측방향으로 소정폭 및 길이로 레이저빔을 이용하여 절개한 후, 30° 내지 60°, 바람직하게는 45°절곡하며 라운딩(Rounding)된 제 1 절개부(12)가 구비된다.
또한, 상기 제 1 절개부(12)의 절개지점과 어긋난 위치의 본체부(10) 타측 가장자리면에서 본체부(10) 내측방향으로 소정폭 및 길이로 레이저빔을 이용하여 절개한 후, 소정각도 절곡하며 라운딩된 제 2 절개부(16)가 구비된다.
이때, 상기 제 1 절개부(12) 및 제 2 절개부(16)는 서로 마주보면서 서로 교차하도록 구비되고, 상기 제 1 절개부(12) 및 제 2 절개부(16)의 폭, 길이 및 절곡각도는 동일하다.
또한, 상기 제 1 절개부(12) 및 제 2 절개부(16)의 각 단부를 본체부(10) 상면과 평행하게 절곡시켜 형성된 제 1 접촉부(14) 및 제 2 접촉부(18)가 각각 구비되고, 상기 제 1 접촉부(14) 및 제 2 접촉부(18)의 절곡 각도는 동일하다.
그리고, 본 발명의 제 2 실시예에 따른 판재 절개형 프로브는, 도 1b에 도시된 바와 같이 제 1 접촉부(24)와 제 2 접촉부(28)를 구비한 제 1 절개부(22) 및 제 2 절개부(26) 일측에 제 1 실시예와 동일한 방법에 의해서 형성된 제 3 접촉부(32)를 구비한 제 3 절개부(30)가 별도로 더 구비되는 것에 특징이 있다.
이때, 제 3 접촉부(32)를 구비한 제 3 절개부(30)는 제 1 실시예의 제 1 접촉부(24)와 제 2 접촉부(28)를 구비한 제 1 절개부(22) 및 제 2 절개부(26)와 동일한 제조방법에 의해서 동일한 구조로 제작된다.
도 2a는 본 발명의 제 3 실시예에 따른 판재 절개형 프로브의 사시도이고, 도 2b는 본 발명의 제 4 실시예에 따른 판재 절개형 프로브의 사시도이다.
본 발명의 제 3 실시예에 따른 판재 절개형 프로브는, 도 2a에 도시된 바와 같이 소정의 연성(ductility) 및 탄성력을 구비함과 동시에 전도성을 가진 구리, 텅스텐, 구리합금 및 텅스텐합금 재질로 이루어지고, 수 마이크로미터(㎛)로써 매우 얇은 두께를 가지는 사각판 형상으로 이루어지는 본체부(33)를 구비한다.
그리고, 상기 본체부(33)의 상측 중앙면에 절개부가 형성될 수 있도록 디귿자(ㄷ) 형상으로 레이저빔 장치를 이용하여 절개하여 형성된 제 1 절개부(34)가 구비되고, 상기 제 1 절개부(34)와 소정간격 이격된 본체부(33)의 하측 중앙면에 절개부가 형성될 수 있도록 역 디귿자(ㄷ) 형상으로 레이저빔 장치를 이용하여 절개하여 형성된 제 2 절개부(35)가 구비된다.
이때, 상기 제 1 절개부(34) 및 제 2 절개부(35)는 본체부(33) 내측방향으로 30° 내지 60°, 바람직하게는 45°절곡되며 라운딩되어 있으며, 상기 절개부(34, 35)의 폭, 길이 및 절곡각도는 서로 동일하다.
그리고, 상기 제 1 절개부(34)의 단부를 본체부(33) 상면과 평행하게 절곡시켜 형성된 제 1 접촉부(36)가 구비되고, 상기 제 2 절개부(35)의 단부를 본체부(33) 상면과 평행하게 절곡시켜 형성된 제 2 접촉부(38)가 구비된다.
이때, 상기 제 1 접촉부(36) 및 제 2 접촉부(38)의 절곡각도는 서로 동일하다.
그리고, 본 발명의 제 4 실시예에 따른 판재 절개형 프로브는, 도 2b에 도시된 바와 같이 제 1 접촉부(44)와 제 2 접촉부(48)를 구비한 제 1 절개부(42) 및 제 2 절개부(46) 일측에 제 3 실시예와 동일한 방법에 의해서 형성된 제 3 접촉부(52)를 구비한 제 3 절개부(50)가 별도로 더 구비되는 것에 특징이 있다.
이때, 제 3 접촉부(52)를 구비한 제 3 절개부(50)는 제 3 실시예의 제 1 접촉부(44)와 제 2 접촉부(48)를 구비한 제 1 절개부(42) 및 제 2 절개부(46)와 동일한 제조방법에 의해서 동일한 구조로 제작된다.
도 3a는 본 발명의 제 5 실시예에 따른 판재 절개형 프로브의 사시도이고, 도 3b는 본 발명의 제 6 실시예에 따른 판재 절개형 프로브의 사시도이다.
본 발명의 제 5 실시예에 따른 판재 절개형 프로브는, 제 1 접촉부(68)를 구비한 제 1 절개부(66) 및 제 2 접촉부(64)를 구비한 제 2 절개부(62)의 형성방법 및 그 구조는 전술한 제 3 실시예와 동일하나 본체부(60)가 원판형으로 이루어지는 것에 특징이 있다.
따라서, 상기 제 5 실시예의 판재 절개형 프로브는, 본체부(60)가 원판형상으로 이루어짐으로써 원기둥형상 연결부를 구비한 프로브카드의 공간변환기에의 부착이 용이하다.
그리고, 본 발명의 제 6 실시예에 따른 판재 절개형 프로브는, 제 1 접촉부(74)를 구비한 제 1 절개부(72), 제 2 접촉부(78)를 구비한 제 2 절개부(76) 및 제 3 접촉부(82)를 구비한 제 3 절개부(80)의 형성방법 및 그 구조는 전술한 제 4 실시예와 동일하나 본체부(70)가 원판형으로 이루어지는 것에 특징이 있다.
따라서, 상기 제 6 실시예의 판재 절개형 프로브는, 본체부(70)가 원판형상으로 이루어짐으로써 원기둥형상 연결부를 구비한 프로브카드의 공간변환기에의 부착이 용이하다.
또한, 전술한 바와 같은 제 1 실시예 내지 제 6 실시예의 본 발명에 따른 판재 절개형 프로브의 일측 접촉부 단부에서 타측 접촉부 단부까지의 길이는 반도체소자의 테스트 포인트 즉, 패드(Pad)에 수용될 수 있도록 패드 사이즈 보다 작다.
도 4는 본 발명의 제 1 실시예 및 제 2 실시예에 따른 판재 절개형 프로브의 제조방법을 설명하기 위한 공정도이다.
본 발명의 제 1 실시예 및 제 2 실시예에 따른 판재 절개형 프로브의 제조방법은, 도 4에 도시된 바와 같이 소정의 연성(ductility) 및 탄성력을 구비함과 동시에 전도성을 가진 구리, 텅스텐, 구리합금 및 텅스텐합금 재질로 이루어지는 본체부(90)을 준비한다. 이때, 상기 본체부(90)은 사각판 형상으로써 수 마이크로미터(㎛)의 매우 얇은 두께를 가진다.
다음으로, 상기 판상의 본체부(90) 일측 가장자리면에서 본체부(90) 내측방향으로 소정폭 및 길이로 절개를 하여 제 1 절개부(92)를 형성하고, 상기 제 1 절개부(92)의 절개지점과 어긋난 위치의 본체부(90) 타측 가장자리면에서 내측방향으로 소정폭 및 길이로 절개를 하여 제 2 절개부(94)를 형성한다.
이때, 상기 제 1 절개부(92) 및 제 2 절개부(94)의 폭(X1, X2) 및 길이(Y1, Y2)는 동일하도록 절개하며, 상기 판상의 본체부(90)의 절개는 레이저빔을 이용하여 이루어진다.
상기 레이저장비를 이용한 본체부(90)의 절개에 대해서 보다 상세히 설명하면, 본체부(90)을 레이저 장비의 가동 테이블 상에 위치시킨 후, 본체부(90)에 레이저빔을 가하여 본체부(90)을 절개함으로써 이루어지며, 상기 레이저빔은 정밀 가공이 가능한 펨토 세컨드 레이저(Femto second laser) 장치를 사용할 수 있으며, 상기 펨토 세컨 레이저 장치에서 발생되는 레이저빔은 10-14 내지 10-16SEC의 펄스(pulse), 바람직하게는 10-15SEC의 펄스(pulse)를 가질 수 있다.
이어서, 상기 제 1 절개부(92)를 30° 내지 60°, 바람직하게는 45°절곡시킨 후, 상기 제 1 절개부(92)의 단부를 본체부(90) 상면과 평행하게 절곡시켜 제 1 접촉부(96)를 형성한다.
마지막으로, 상기 제 2 절개부(94) 역시 제 1 절개부(92)와 동일하게 즉, 30° 내지 60°, 바람직하게는 45°절곡시킨 후, 상기 제 1 절개부(92)의 단부를 본체부(90) 상면과 평행하게 절곡시켜 제 2 접촉부(98)를 형성한다.
이때, 상기 제 1 절개부(92)와 제 2 절개부(94)는 서로 교차하게 된다.
도 5는 본 발명의 제 2 실시예에 따른 판재 절개형 프로브의 제조방법을 설명하기 위한 공정도이다.
본 발명의 제 3 실시예 내지 제 6 실시예에 따른 판재 절개형 프로브의 제조방법은, 도 5에 도시된 바와 같이 소정의 연성(ductility) 및 탄성력을 구비함과 동시에 전도성을 가진 구리, 텅스텐, 구리합금 및 텅스텐합금 재질로 이루어지는 본체부(100)을 준비한다.
이때, 상기 본체부(100)은 사각형상으로써 수 마이크로미터(㎛)로써 매우 얇은 두께를 가지는 판상으로 이루어지며, 다른 실시예로 상기 본체부(100)는 원형으로 이루어질 수도 있다.
다음으로, 상기 본체부(100)의 상측 중앙면을 디귿자(ㄷ) 형상으로 절개하여 제 1 절개부(102)를 형성하고, 상기 제 1 절개부(102)와 소정간격 이격된 위치의 본체부(100)의 하측 중앙면을 역 디귿자(ㄷ) 형상으로 절개하여 제 2 절개부(104)를 형성한다.
이때, 상기 제 1 절개부(102) 및 제 2 절개부(104)의 폭(X3, X4) 및 길이(Y3, Y4)는 동일하도록 절개하며, 상기 본체부(100)의 절개는 전술한 바와 같은 펨토 세컨드 레이저(Femto second laser) 장치를 이용하여 이루어진다.
이어서, 상기 제 1 절개부(102)를 30° 내지 60°, 바람직하게는 45°절곡시킨 후, 상기 제 1 절개부(102)의 단부를 본체부(100) 상면과 평행하게 절곡시켜 제 1 접촉부(106)를 형성한다.
마지막으로, 상기 제 2 절개부(104) 역시 제 1 절개부(102)와 동일하게 즉, 30° 내지 60°, 바람직하게는 45°절곡시킨 후, 상기 제 2 절개부(104)의 단부를 본체부(100) 상면과 평행하게 절곡시켜 제 2 접촉부(108)를 형성한다.
도 6a 및 도 6b는 본 발명에 따른 판재 절개형 프로브가 볼타입의 전극패드와 접촉하는 상태를 설명하기 위한 단면도이고, 도 7a 및 도 7b는 본 발명에 따른 판재 절개형 프로브가 상면이 평탄한 전극패드와 접촉하는 상태를 설명하기 위한 단면도이다.
본 발명에 따른 판재 절개형 프로브는, 도 6a 및 도 7a에 도시된 바와 같이 프로브카드의 공간확장기 등의 테스트장비 구조물(도시되지 않음) 하면에 부착고정되어 상부 표면이 상부로 돌출된 볼타입의 전극패드(120) 또는 상부 표면이 평탄한 전극패드(130) 방향으로 소정의 물리력(F)으로 수직 하강하게 된다.
다음으로, 도 6b 및 도 7b에 도시된 바와 같이 프로브는 하강하여 볼타입 또는 상부 표면이 평탄한 전극패드(120, 130)를 가압함에 따라 프로브의 접촉부(116, 118)는 전극패드(120, 130) 상에서 절개부(112, 114)가 외부로 팽창되어 벌어지며 즉, 접촉부(116, 118)가 소정거리 미끄러지면서 전극패드(120, 130)를 감싸안는 형상으로 전극패드(120, 130)와 접촉하게 된다.
이후, 상기 프로브가 상승하게 되면, 상기 벌어진 절개부(112, 114)는 자체 탄성력에 의해서 원래의 위치로 복원된다.
도 8은 본 발명에 따른 판재 절개형 프로브를 구비한 프로브카드를 설명하기 위한 단면도이다.
본 발명에 따른 판재 절개형 프로브를 구비한 프로브카드는, 도 8에 도시된 바와 같이 다층 내부 회로와 연결된 관통홀(넘버링되지 않음)이 형성된 인쇄회로기판(140)을 구비하고, 상기 인쇄회로기판(140)의 관통홀에 탄성 재질의 복수의 포고핀(Pogo pin : 148)이 삽입되어 하방으로 돌출되어 있다.
이때, 상기 포고핀(148) 내부에는 스프링(Spring) 등의 탄성체가 구비됨으로써 상하로 소정의 유격이 발생하여 상하 간격이 조절될 수 있도록 되어 있다.
그리고, 상기 인쇄회로기판(140)의 관통홀에 삽입 돌출된 포고핀(148)과 다층 내부회로(150)가 구비되는 공간변환기(146) 상의 연결패드(152)가 납땜 등의 방법에 의해서 연결되어 있다.
또한, 상기 포고핀(148)에 의해서 연결된 인쇄회로기판(140)과 공간변환기(146) 상하부에 상부 보강판(142) 및 하부 보강판(144)이 구비되어 볼트(넘버링되지 않음)에 의해서 체결됨으로써 인쇄회로기판(140) 및 공간변환기(146)가 고정되어 있다.
그리고, 상기 공간변환기(146) 하측에 본 발명에 따른 판재 절개형 프로브(160)가 에폭시수지 등과 같은 물질을 이용하여 연결수단(도시되지 않음)에 의해서 연결 구비되어 있다.
이때, 상기 공간변환기(146)는 본 발명에 따른 판재 절개형 프로브(160)가 수직적으로 공간변환기(146)에 부착됨으로써 반도체소자의 작은 피치간격에 대응하기 위하여 극도로 조밀하게 배열 설치된 프로브(160)가 상대적으로 넓게 배열 설치되는 인쇄회로기판(140)과 전기적으로 연결될 수 있도록 하는 기능을 수행한다.
그리고, 상기 프로브(160), 다층 내부회로(150)가 구비된 공간변환기(146), 포고핀(148) 및 인쇄회로기판(140)의 내부회로는 서로 전기적으로 연결되어 있다.
본 발명에 의하면, 프로브카드의 공간변환기에 수직적으로 부착됨으로써 최근에 고집적화된 반도체소자의 파인피치(Fine pitch) 간격에 용이하게 대응할 수 있으며, 다양한 종류의 패드배열 형상에도 대응이 용이한 효과가 있다.
보다 상세히 설명하면, 프로브카드의 공간변환기에 수직적으로 부착됨으로써 프로브와 프로브 사이의 간격을 극도로 조밀하게 부착이 가능하여 고집적화된 반도체소자의 파인피치 간격에 대응이 용이하다.
특히나, 최근의 반도체소자의 전극패드 배열 형상이 라인(Line) 형태의 LOC(Lead on center)와 LOTE(Lead On Two End)를 벗어나 에리어 어레이(Area array) 등과 같이 다양한 형상으로 변형되는 추세에 용이하게 대응할 수 있는 효과가 있다.
게다가, 본 발명에 따른 프로브는 MEMS공정의 제조설비 유지 비용의 상승 등과 같은 MEMS공정의 제반 문제점을 해결할 수 있는 효과가 있다.
이상에서는 본 발명은 기재된 구체예에 대해서만 상세히 설명하였지만 본 발명의 기술사상 범위 내에서 다양한 변형 및 수정이 가능함은 당업자에게 있어서 명백한 것이며, 이러한 변형 및 수정이 첨부된 특허청구범위에 속함은 당연한 것이다.
도 1a는 본 발명의 제 1 실시예에 따른 판재 절개형 프로브의 사시도이고, 도 1b는 본 발명의 제 2 실시예에 따른 판재 절개형 프로브의 사시도이다.
도 2a는 본 발명의 제 3 실시예에 따른 판재 절개형 프로브의 사시도이고, 도 2b는 본 발명의 제 4 실시예에 따른 판재 절개형 프로브의 사시도이다.
도 3a는 본 발명의 제 5 실시예에 따른 판재 절개형 프로브의 사시도이고, 도 3b는 본 발명의 제 6 실시예에 따른 판재 절개형 프로브의 사시도이다.
도 4는 본 발명의 제 1 실시예 및 제 2 실시예에 따른 판재 절개형 프로브의 제조방법을 설명하기 위한 공정도이다.
도 5는 본 발명의 제 3 실시예 내지 제 6 실시예에 따른 판재 절개형 프로브의 제조방법을 설명하기 위한 공정도이다.
도 6a 및 도 6b는 본 발명에 따른 판재 절개형 프로브가 볼타입의 전극패드와 접촉하는 상태를 설명하기 위한 단면도이다.
도 7a 및 도 7b는 본 발명에 따른 판재 절개형 프로브가 상면이 평탄한 전극패드와 접촉하는 상태를 설명하기 위한 단면도이다.
도 8은 본 발명에 따른 판재 절개형 프로브를 구비한 프로브카드를 설명하기 위한 단면도이다.
<도면의 주요부분에 대한 부호의 설명>
본체부:10,20,33,40,60,70,90,100
절개부:12,16,22,26,30,34,35,42,46,50,62,66,72,76,80,92,94,102,104
접촉부:14,18,24,28,32,36,3844,48,5264,68,74,78,82,96,98,106,108

Claims (23)

  1. 사각판상으로 이루어지는 전도성 재질의 본체부; 및
    서로 어긋난 위치의 상기 본체부 일측 가장자리면과 타측 가장자리면에서 상기 본체부 내측방향으로 소정길이 각각 절개한 후, 상기 본체부 내측방향으로 서로 교차하도록 소정각도 절곡하여 이루어지는 절개부;
    를 구비하여 이루어지는 것을 특징으로 하는 판재 절개형 프로브.
  2. 제 1 항에 있어서, 상기 절개부는 적어도 2개 이상 구비되는 것을 특징으로 하는 판재 절개형 프로브.
  3. 제 2 항에 있어서, 상기 절개부 소정부를 소정각도 절곡시켜 상기 절개부 단부에 접촉부가 더 구비되는 것을 특징으로 하는 판재 절개형 프로브.
  4. 제 3 항에 있어서, 상기 각 절개부의 폭, 길이, 절곡각도 및 상기 접촉체의 절곡각도는 서로 동일한 것을 특징으로 하는 판재 절개형 프로브.
  5. 제 4 항에 있어서, 상기 절개부의 절곡각도는 30° 내지 60°로 이루어지는 것을 특징으로 하는 판재 절개형 프로브.
  6. 제 1 항에 있어서, 상기 본체부는 구리, 텅스텐, 구리합금 및 텅스텐합금 중의 어느 하나의 재질로 이루어지는 것을 특징으로 하는 판재 절개형 프로브.
  7. 제 1 항에 있어서, 상기 절개부는 라운딩(Rounding)되어 있는 것을 특징으로 하는 판재 절개형 프로브.
  8. 판상의 전도성 재질의 본체부; 및
    상기 본체부 표면을 디귿자(ㄷ) 형상 및 역 디귿자(ㄷ)자 형상으로 소정간격 이격 교대로 절개하여 형성되고, 서로 교차하도록 소정각도 절곡되어 있는 절개부;
    를 구비하여 이루어지는 것을 특징으로 하는 판재 절개형 프로브.
  9. 제 8 항에 있어서, 상기 절개부는 적어도 2개 이상 구비되는 것을 특징으로 하는 판재 절개형 프로브.
  10. 제 9 항에 있어서, 상기 절개부 소정부를 소정각도 절곡시켜 형성된 접촉부가 상기 절개부 단부에 더 구비되는 것을 특징으로 하는 판재 절개형 프로브.
  11. 제 10 항에 있어서, 상기 각 절개부의 폭, 길이, 절곡각도 및 상기 접촉체의 절곡각도는 서로 동일한 것을 특징으로 하는 판재 절개형 프로브.
  12. 제 11 항에 있어서, 상기 절개부의 절곡각도는 30° 내지 60°로 이루어지는 것을 특징으로 하는 판재 절개형 프로브.
  13. 제 8 항에 있어서, 상기 본체부는 구리, 텅스텐, 구리합금 및 텅스텐합금 중의 어느 하나의 재질로 이루어지는 것을 특징으로 하는 판재 절개형 프로브.
  14. 제 8 항에 있어서, 상기 본체부는 사각판 또는 원판 형상으로 이루어지는 것을 특징으로 하는 판재 절개형 프로브.
  15. 제 8 항에 있어서, 상기 절개부는 라운딩되어 있는 것을 특징으로 하는 판재 절개형 프로브.
  16. 사각판상으로 이루어지는 전도성 재질의 본체부를 준비하는 단계;
    서로 어긋난 위치의 상기 본체부 일측 가장자리면과 타측 가장자리면에서 상기 본체부 내측방향으로 레이저빔을 주사하여 소정길이 각각 절개하여 절개부를 형성하는 단계; 및
    상기 절개부가 서로 교차하도록 소정각도로 절곡시키는 단계;
    를 포함하여 이루어지는 것을 특징으로 하는 판재 절개형 프로브의 제조방법.
  17. 제 16 항에 있어서, 상기 레이저빔으로 펨토 세컨드 레이저(Femto second laser)를 사용하는 것을 특징으로 하는 판재 절개형 프로브의 제조방법.
  18. 제 16 항에 있어서, 상기 절개부의 소정부위를 소정각도 절곡시켜 접촉부를 상기 절개부 단부에 형성하는 단계를 더 수행하는 것을 특징으로 하는 판재 절개형 프로브의 제조방법.
  19. 제 16 항에 있어서, 상기 각 절개부가 서로 교차하도록 소정각도로 절곡시키면서 상기 절개부를 라운딩시키는 단계가 더 수행되는 것을 특징으로 하는 판재 절개형 프로브의 제조방법.
  20. 전도성 재질의 본체부를 준비하는 단계;
    상기 본체부 표면을 레이저빔을 이용하여 디귿자(ㄷ) 형상 및 역 디귿자(ㄷ)자 형상으로 소정간격 이격 교대로 절개하여 절개부를 형성하는 단계; 및
    상기 절개부가 서로 교차하도록 소정각도로 절곡하는 단계;
    를 포함하여 이루어지는 것을 특징으로 하는 판재 절개형 프로브의 제조방법.
  21. 제 20 항에 있어서, 상기 레이저빔으로 펨토 세컨드 레이저(Femto second laser)를 사용하는 것을 특징으로 하는 판재 절개형 프로브의 제조방법.
  22. 제 20 항에 있어서, 상기 절개부의 소정부위를 소정각도 절곡시켜 상기 절개부의 단부에 접촉부를 형성하는 단계를 더 수행하는 것을 특징으로 하는 판재 절개형 프로브의 제조방법.
  23. 제 20 항에 있어서, 상기 절개부가 서로 교차하도록 소정각도로 절곡시키면서 상기 절개부를 라운딩시키는 단계가 더 수행되는 것을 특징으로 하는 판재 절개형 프로브의 제조방법.
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* Cited by examiner, † Cited by third party
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