KR20050022326A

KR20050022326A - Inorganic film, a member for pdp using the same and method of manufacturing them

Info

Publication number: KR20050022326A
Application number: KR1020040065800A
Authority: KR
Inventors: 타카기요시히로
Original assignee: 후지 필름 아치 가부시키가이샤
Priority date: 2003-08-27
Filing date: 2004-08-20
Publication date: 2005-03-07
Also published as: TWI260666B; KR100651672B1; JP2005100914A; TW200520004A

Abstract

PURPOSE: An inorganic film, a member for a plasma display panel, and a method for manufacturing the inorganic film and the member for a plasma display panel are provided to obtain a barrier rib having a low dielectricity and a high aspect ratio by using a paste containing two or more types of inorganic powders having different mean particle diameters and softening points. CONSTITUTION: An inorganic film includes a barrier rib having a cross section with an air gap size of 0.1 to 30§, an air gap area ratio of 5 to 75%, an aspect ratio of 1 to 10, and a height of 100 to 800§. A member for the plasma display panel includes the inorganic film. A method for manufacturing the organic film comprises a step of forming, through a sand blast process, a barrier rib pattern on a paste layer containing two or more types of inorganic powders having different mean particle diameters and softening points, and a step of baking the resultant structure.

Description

Inorganic membranes, members for PDPs using the same, and methods for producing them {INORGANIC FILM, A MEMBER FOR PDP USING THE SAME AND METHOD OF MANUFACTURING THEM}

본 발명은, 무기질막, 그것을 사용한 PDP용 부재 및 그들의 제조방법에 관한 것이다. 상세하게는, 플라즈마 디스플레이 패널(PDP)이나 플라즈마 어드레스 액정(PALC) 디스플레이 패널 등의 격벽이나 유전체의 무기질막 또는 그것을 포함하는 부재에 관한 것이다.The present invention relates to an inorganic film, a member for PDP using the same, and a method for producing the same. Specifically, the present invention relates to barrier ribs such as a plasma display panel (PDP) and a plasma address liquid crystal (PALC) display panel, an inorganic film of a dielectric, or a member including the same.

최근, 디스플레이나 회로재료의 분야에서, 무기재료를 고정밀도로 패턴가공하는 기술이 강하게 요청되고 있다. 특히, 디스플레이의 분야에 있어서, 소형·고세밀화가 진행되고 있고, 그것에 따라, 패턴 가공기술도 기술향상이 요망되고 있다.Recently, in the field of display and circuit materials, a technique for pattern processing inorganic materials with high precision has been strongly requested. In particular, in the field of displays, miniaturization and high-definition have been progressed, and accordingly, there is a demand for technological improvement in pattern processing technology.

한편, 유전율 등의 전기적 특성을 제어하기 위해서, 재료를 선정함으로써 유전율을 저하시키는 시도가 이루어지고 있다. 그러나, 더욱 저하시키는 것이 요망되고 있어, 그것을 실현하는 방법의 개발이 희망되고 있었다.On the other hand, in order to control electrical characteristics, such as dielectric constant, the attempt to reduce dielectric constant by selecting a material is made. However, further reduction has been desired, and development of a method of realizing it has been hoped.

또한, 최근, 패널의 대형화나 고성능화가 진행하고 있어, 대면적이고 균일한 동시에 두껍게 막을 형성할 필요가 있었지만, 소성시에 크랙 등의 균열이 발생하는 일이 었어 개량이 요망되고 있었다.In addition, in recent years, panel enlargement and high performance have been progressed, and it has been necessary to form a large and uniform film at the same time and thickly, but cracks such as cracks have occurred during firing, and improvement has been desired.

또한, 발광효율 등의 특성의 고성능화 때문에, 격벽의 높이를 높고 또한 고정밀하고 미세하게 하는 것이 요청되고 있었지만, 고정밀하고 미세함을 유지하면서, 균일하고 또한 균열 등의 고장없이 높은 격벽을 형성하는 것이 요청되고 있었다.In addition, due to the high performance of characteristics such as luminous efficiency, it has been required to increase the height of the partition walls with high precision and fineness. However, it is required to form high partition walls uniformly and without failure such as cracks while maintaining high precision and fineness. there was.

종래, 무기재료 패턴가공을 행할 경우, 무기입자와 유기 바인더로 이루어지는 페이스트를 인쇄한 후, 소성하는 방법이 많이 이용되고 있다. 그러나 스크린 인쇄는 정밀도가 높은 패턴을 형성할 수 없다고 하는 문제가 있었다. 또한, 고애스펙트비의 패턴을 형성할 경우, 다층인쇄를 행할 필요가 있고, 공정이 많아진다고 하는 문제가 있었다.Conventionally, when performing inorganic material pattern processing, the method of baking after printing the paste which consists of inorganic particle and an organic binder is used a lot. However, screen printing has a problem that it cannot form a pattern with high precision. Moreover, when forming a pattern with a high aspect ratio, it is necessary to perform multilayer printing, and there existed a problem that many processes were carried out.

이러한 결점을 해소하기 위해서, 특허문헌 1, 특허문헌 2에는, 샌드블라스트법을 이용한 격벽 형성방법이 개시되어 있다.In order to eliminate such a fault, patent document 1 and patent document 2 disclose the partition formation method using the sandblasting method.

이 방법은, 고애스펙트비의 패턴을 형성할 수 있는 것이나 정밀도가 높은 등의 특징을 갖고 있다. 그러니, 샌드블라스트 공정에 있어서, 유전체 형성층과 격벽 형성층의 샌드블라스트성을 다르게 하여, 샌드블라스트 가공시에 레지스트 패턴의 개구부의 격벽 형성층만을 제거하고, 그 하층인 유전체 형성층을 잔존시키는 것이 바람직하지만, 샌드블라스트성의 차이를 만드는 것이 어려웠다.This method has the characteristics of being able to form a high aspect ratio pattern, high precision, and the like. Therefore, in the sand blasting process, it is preferable that the sand blasting property of the dielectric forming layer and the partition wall forming layer is different so that only the partition wall forming layer of the opening of the resist pattern is removed during sand blasting, and the underlying dielectric forming layer remains. It was difficult to make a blast difference.

또한, 유전체층을 감광성의 드라이필름과 샌드블라스트법을 이용하여 패턴 형성할 때, 격벽 형성층과 감광성 레지스트의 밀착이 약하고, 현상중이나 샌드블라스트중에 벗겨진다고 하는 문제가 있었다.In addition, when the dielectric layer is patterned using the photosensitive dry film and the sand blasting method, there is a problem in that adhesion between the partition forming layer and the photosensitive resist is weak and peels off during development or sand blasting.

또한, 유전체층의 유전율을 낮출 경우, 유리조성으로부터 연화점이 높아져 버리는 문제가 있었다.In addition, when the dielectric constant of the dielectric layer is lowered, there is a problem that the softening point increases due to the glass composition.

또, 소성공정에 있어서, 수축의 장소적 편차가 있거나, 수축이 크기 때문인지, 균열이 일어나기 쉬운 것이나, 샌드블라스트후의 소성시에 있어서, 격벽이 느슨해지기 쉽게 변형해 버린다고 하는 문제가 있었다. 또한, 소성해서 만들어진 격벽의 유전율이 높고, 발열이나 전력소비 등의 문제가 있었다.Moreover, in the baking process, there existed a problem that there exist local deviation of shrinkage, a shrinkage is large, cracks are easy to occur, and a partition is deformed easily at the time of baking after sandblasting. In addition, the dielectric constant of the partition wall formed by baking was high, and there existed a problem, such as heat generation and power consumption.

샌드블라스트성을 손상하지 않고, 감광성의 샌드블라스트용 레지스트와의 밀착성이 좋으며, 소성시에 느슨해짐이나 변형, 균열이 적은, 저유전율의 격벽 형성층에 사용되는 재료가 요청되고 있었다.There is a demand for a material used for a low dielectric constant partition wall layer that has good adhesion with a photosensitive sandblast resist without impairing sandblasting properties and is less loose, deformed and cracked during firing.

특허문헌 3에는, 무기조성물의 도포시에 있어서의 결함이나 샌드블라스트시에 있어서의 패턴의 이지러짐, 또한, 소성시의 균열 등의 문제에 대하여, 2종류의 평균입자사이즈를 갖는 무기입자를 혼합한 리브 페이스트를 사용하고, 스크린 인쇄로 패턴을 형성하는 방법이 기술되어 있다.In Patent Document 3, inorganic particles having two kinds of average particle sizes are mixed with respect to problems such as defects at the time of coating the inorganic composition, patterns at the time of sandblasting, cracks at the time of firing, and the like. A method of forming a pattern by screen printing using one rib paste is described.

그렇지만, 소성후의 고해상도의 미세한 패턴을 형성하는 것은 불가능하고, 또한, 인쇄법을 이용하고 있기 때문에, 균일성 등의 점에서 충분히 만족할만한 것은 아니며, 또 애스펙트비 및 격벽의 높이를 높고 또한 고정밀하고 미세하게 할 수는 없었다. 또한, 화면의 대사이즈화를 하면 높이가 똑같은 격벽을 얻는 것이 곤란했다.However, since it is impossible to form a high-resolution fine pattern after firing and the printing method is used, it is not sufficiently satisfactory in terms of uniformity and the like, and also increases the aspect ratio and the height of the partition wall, and is highly precise and fine. I could not make it. In addition, it was difficult to obtain a bulkhead having the same height when the screen was made large in size.

특허문헌 4에는, 입도분포에 있어서, 2개의 피크를 갖는 유리를 사용한 유전체 페이스트가 기술되어 있지만, 격벽형성에 대해서는 기재되어 있지 않다.Patent Document 4 describes a dielectric paste using glass having two peaks in the particle size distribution, but does not describe partition wall formation.

또, 특허문헌 5∼13 등에는, 형틀을 사용한 격벽 형성법이 기술되어 있다. 그러나, 이들의 방법을 사용해도, 두꺼운 막이고 균열이 없으며, 높이가 균일한 막을 형성하는 것은 어려웠다.Moreover, patent documents 5-13 etc. describe the partition formation method using a mold. However, even with these methods, it was difficult to form a thick film, no cracks, and a uniform height.

[특허문헌 1] 일본 특허공개 평10-144206호 공보[Patent Document 1] Japanese Patent Application Laid-Open No. 10-144206

[특허문헌 2] 일본 특허공개 평10-172424호 공보 [Patent Document 2] Japanese Patent Application Laid-Open No. 10-172424

[특허문헌 3] 일본 특허공개 평11-1343호 공보[Patent Document 3] Japanese Patent Application Laid-Open No. 11-1343

[특허문헌 4] 일본 특허공개2002-15664호 공보[Patent Document 4] Japanese Patent Application Laid-Open No. 2002-15664

[특허문헌 5] 일본 특허공개2003-123637호 공보 [Patent Document 5] Japanese Patent Publication No. 2003-123637

[특허문헌 6] 일본 특허공개2000-185938호 공보[Patent Document 6] Japanese Patent Application Laid-Open No. 2000-185938

[특허문헌 7] 일본 특허공개2001-167698호 공보 [Patent Document 7] Japanese Patent Application Laid-Open No. 2001-167698

[특허문헌 8] 일본 특허공개2002-75175호 공보 [Patent Document 8] Japanese Patent Application Laid-Open No. 2002-75175

[특허문헌 9] 일본 특허공개2002-93313호 공보 [Patent Document 9] Japanese Patent Application Laid-Open No. 2002-93313

[특허문헌 10] 일본 특허공개2002-134005호 공보[Patent Document 10] Japanese Patent Application Laid-Open No. 2002-134005

[특허문헌 11] 일본 특허공개2000-173456호 공보[Patent Document 11] Japanese Patent Application Laid-Open No. 2000-173456

[특허문헌 12] 일본 특허공개2001-58352호 공보 [Patent Document 12] Japanese Patent Application Laid-Open No. 2001-58352

[특허문헌 13] 일본 특허공개2001-1436128호 공보[Patent Document 13] Japanese Unexamined Patent Publication No. 2001-1436128

본 발명의 목적은 소성후의 격벽이나 유전체의 각종 패턴의 선폭이나 막두께의 변화가 거의 없는, 고정밀도이고 미세한 구조를 가진 높이가 높은 고애스펙트비의 격벽을 가진 대사이즈의 무기질막, 무기질막을 포함하는 PDP용 부재, 및 그들 제조방법을 제공하는 것에 있다.An object of the present invention includes a large size inorganic membrane and an inorganic membrane having a high aspect ratio high barrier rib having a high precision and fine structure with little change in the line width or film thickness of various patterns of the barrier ribs and dielectrics after firing. It is to provide a PDP member and a method of manufacturing the same.

또한, 본 발명의 목적은, 저유전율이며, 발열이 억제된 전력절약적인 무기질막, 무기질막을 포함하는 PDP용 부재, 및 그들 제조방법을 제공하는 것에 있다.It is also an object of the present invention to provide a power-saving inorganic film having a low dielectric constant and suppressing heat generation, a member for PDP containing an inorganic film, and a method of manufacturing the same.

본 발명은 이하에 기재된 것이고, 이것에 의해 상기 과제를 해결할 수 있다.This invention is described below, and the said subject can be solved by this.

(1) 단면의 공극 사이즈가 0.1∼30㎛이며, 공극면적율이 5∼75%인, 애스펙트비가 1∼10이며 또한 높이가 100∼800㎛의 격벽을 갖는 것을 특징으로 하는 무기질막.(1) An inorganic membrane having an aspect ratio of 1 to 10 and a height of 100 to 800 µm, having a pore size of 0.1 to 30 µm in cross section, 5 to 75% of void area ratio, and a height of 100 to 800 µm.

(2) 유전율이 3.5∼12인 것을 특징으로 하는 상기 (1)에 기재된 무기질막.(2) The inorganic membrane as described in said (1) whose dielectric constant is 3.5-12.

(3) 상기 (1) 또는 (2)에 기재된 무기질막을 포함하는 것을 특징으로 하는 PDP용 부재.(3) A member for PDP, comprising the inorganic film according to (1) or (2) above.

(4) 연화점 및 입자사이즈가 서로 다른 적어도 2종류의 무기분말을 함유하는 페이스트층에, 샌드블라스트법에 의해 격벽 패턴을 형성한 후, 소성하는 것에 의해 상기 (1) 또는 (2)기재의 무기질막 또는 상기 (3)기재의 PDP용 부재를 형성하는 것을 특징으로 하는 무기질막 또는 PDP용 부재의 제조방법.(4) Forming a partition pattern by sandblasting on a paste layer containing at least two kinds of inorganic powders having different softening points and particle sizes, and then firing the inorganic material according to the above (1) or (2). A method for producing an inorganic membrane or a PDP member, comprising forming a membrane or a PDP member according to the above (3).

(5) 연화점 및 입자사이즈가 서로 다른 적어도 2종류의 무기분말을 함유하는 페이스트, 및 형틀을 사용해서 격벽 패턴을 형성한 후, 소성하는 것에 의해 상기 (1) 또는 (2)기재의 무기질막 또는 상기 (3)기재의 PDP용 부재를 형성하는 것을 특징으로 하는 무기질막 또는 PDP용 부재의 제조방법.(5) The inorganic film of the above-mentioned (1) or (2) or by baking by forming a partition pattern using a paste containing at least two kinds of inorganic powders having different softening points and particle sizes and a mold. (3) A method for producing an inorganic film or a PDP member, wherein the PDP member is formed.

본 발명의 무기질막은, 다공성인 동시에 특정한 프로파일의 격벽을 갖는 것을 특징으로 하고, 전자에서는 공극면적율과 공극 사이즈를 특정 범위로 규정함과 아울러 후자에서는 애스펙트비와 높이를 규정한 것이다.The inorganic membrane of the present invention is characterized by being porous and having a specific profile partition. In the former, the pore area ratio and the pore size are defined in a specific range, and in the latter, the aspect ratio and height are defined.

상기 무기질막은 상기 구성으로 함으로써, 격벽의 내수축율이 개선됨과 아울러 유전율이 저감한다고 하는 효과가 있다. 유전율의 저감은, PDP 등의 발열을 억제하고 또한 전력소비를 저감하는 효과가 있다.The inorganic membrane has the effect of improving the shrinkage resistance of the partition wall and reducing the dielectric constant by the above configuration. Reduction of the dielectric constant has the effect of suppressing heat generation such as PDP and reducing power consumption.

또한, 소성시의 수축이 매우 적으므로 막의 두께가 균일하게 유지되어 균열이 일어나기 어려우므로, 대면적이고 또한 두꺼운 막을 용이하게 제작할 수 있다.In addition, since the shrinkage during firing is very small, the thickness of the film is kept uniform and cracking is unlikely to occur, so that a large and thick film can be easily produced.

또한, 본 발명은 무기질막의 원료가 되는 무기분말함유 페이스트를 도포 또는 전사필름으로부터, 기판상에 형성되는 페이스트층의 표면성을 평활하게 할 수 있으므로, 정밀도가 좋은 프로파일이 뛰어난 패턴을 원하는 기판상에 형성할 수 있다.In addition, the present invention can smoothen the surface of the paste layer formed on the substrate from the inorganic powder-containing paste serving as a raw material of the inorganic film or from the transfer film. Can be formed.

본 발명에 있어서, 공극 사이즈 및 공극면적은, 격벽의 단면에 있어서의 구멍의 단면으로부터 구할 수 있다.In the present invention, the void size and the void area can be obtained from the cross section of the hole in the cross section of the partition wall.

공극 사이즈는, 상기 단면의 최장의 지름(2점간의 거리)을 의미하고, 본 발명에서는 0.1∼30㎛이며, 0.3∼15㎛가 더욱 바람직하다.The pore size means the longest diameter (distance between two points) of the cross section. In the present invention, the pore size is 0.1 to 30 µm, more preferably 0.3 to 15 µm.

공극면적은, 구멍의 단면적의 총합을 의미하고, 각각의 단면의 면적은, SEM에 의한 단면사진의 구멍의 부분을 트레싱 페이퍼에 베끼고, 그것을 절취하여 질량을 재는 것으로 구할 수 있다.The pore area means the sum of the cross-sectional areas of the holes, and the area of each cross section can be obtained by copying a portion of the hole of the cross-sectional photograph by SEM, cutting it out by cutting it, and measuring the mass.

구멍의 단면형상은 특별히 제한은 없고, 부정형이며, 원형이라도 개의치 않는다.There is no restriction | limiting in particular in the cross-sectional shape of a hole, It is indefinite and does not mind even a circular shape.

또한, 본 발명에서는, 격벽의 단면적에 대한 공극면적의 비율을 공극면적율이라 정의한다. 여기에서, 공극면적율은 격벽의 단면을 SEM사진에 찍어, 100㎛×100㎛의 크기 3개의 단면으로부터의 측정값의 평균을 구한 것을 말한다. 본 발명에서는 무기질막의 공극면적율은 5∼75%이며, 10∼65%가 더욱 바람직하다.In the present invention, the ratio of the void area to the cross-sectional area of the partition wall is defined as the void area ratio. Here, the pore area ratio means that the cross section of a partition is taken in SEM photograph, and the average of the measured values from three cross sections of size of 100 micrometer x 100 micrometers is calculated | required. In the present invention, the void area ratio of the inorganic membrane is 5 to 75%, more preferably 10 to 65%.

또한, 격벽의 높이는, 격벽을 볼록부로 했을 때, 격벽간의 오목부의 밑바닥에서 볼록부의 정점까지의 거리(h)로 한다. 애스펙트비는, 오목부의 밑바닥의 위치에 있어서의 격벽의 폭(격벽의 길이방향에 대하여 직각방향)을 w로 하면 h/w로 나타내지어는 값이다.In addition, when the partition is made into a convex part, the height of a partition shall be distance h from the bottom of the concave part between partitions to the apex of a convex part. The aspect ratio is a value expressed by h / w when the width (orthogonal to the longitudinal direction of the partition) of the partition at the bottom position of the recess is w.

본 발명에서는, 무기질막의 격벽은 애스펙트비가 1∼10, 바람직하게는 4.5∼8이며 또한 높이가 100∼800㎛, 바람직하게는 150∼700㎛이다. 또, 격벽의 길이방향에 대하여 직각방향의 격벽의 절단면의 형상은 직사각형, 또는 그 높이방향으로 폭이 좁아지도록 변화되는 사다리꼴이 바람직하고, 그 변동은 최상부에서 w에 대하여 90%이하인 것이 바람직하다.In the present invention, the partition wall of the inorganic membrane has an aspect ratio of 1 to 10, preferably 4.5 to 8, and a height of 100 to 800 µm, preferably 150 to 700 µm. Further, the shape of the cut surface of the partition wall perpendicular to the longitudinal direction of the partition wall is preferably a rectangle or a trapezoid that changes so as to narrow in the height direction, and the variation is preferably 90% or less with respect to w at the top.

무기질막의 격벽을 상기 구성으로 함으로써, 무기질막의 사이즈를 대사이즈, 예를 들면, 1㎡이상으로 하여도 수축의 불균형을 3%미만으로 억제하여, 수율좋게 무기질막을 제작할 수 있다고 하는 효과를 갖는다. 결과적으로, 고정밀하고 미세하며 색얼룩이 없으며 또한 대사이즈의 PDP 등을 제작할 수 있다.By setting the barrier rib of the inorganic membrane as described above, even if the size of the inorganic membrane is large, for example, 1 m 2 or more, the shrinkage imbalance can be suppressed to less than 3% and the inorganic membrane can be produced with good yield. As a result, it is possible to produce high-precision, fine, colorless spots, and large sized PDPs.

또한, 격벽간의 오목부의 폭은, 50∼1000㎛가 바람직하고, 100∼800㎛가 더욱 바람직하다.Moreover, 50-1000 micrometers is preferable and, as for the width | variety of the recessed part between partitions, 100-800 micrometers is more preferable.

또한, 본 발명의 무기질막은, 다공성이기 때문에 유전율을 낮게 할 수 있지만, 무기질막의 유전율은 3.5∼12가 바람직하고, 3.5∼11이 더욱 바람직하다. 이것에 의해 PDP 등의 장치의 소비전력을 삭감할 수 있음과 아울러 장수명화가 가능하다.In addition, the inorganic membrane of the present invention can have a low dielectric constant because of its porosity, but the dielectric constant of the inorganic membrane is preferably 3.5 to 12, more preferably 3.5 to 11. As a result, power consumption of devices such as PDPs can be reduced, and life can be extended.

유전율을 제어하는 수단으로서는, 무기질막의 조성을 선정하는 것, 강도를 확보한 후에 공극면적율을 될 수 있는 한 크게 하는 것을 들 수 있다.As means for controlling the dielectric constant, it is possible to select the composition of the inorganic film and to increase the void area ratio as much as possible after securing the strength.

본 발명에 있어서, 무기질막의 다공성을 상기 범위로 제어하는 수단으로서는, 이하의 수단을 들 수 있다.In the present invention, the following means may be mentioned as a means for controlling the porosity of the inorganic membrane in the above range.

무기분말함유 페이스트로서, 입자사이즈(평균입자지름) 및 연화점이 각각 다른 적어도 2종류로 이루어지고, 또한 평균입자지름이 큰 종류가 높은 연화점을 갖는 무기분말을 사용하는 것이며, 바람직하게는 이하의 수단을 들 수 있다. 또, 여기에서, 평균입자지름 및 연화점이 서로 다른 무기분말을 평균입자지름 및 연화점이 작은 쪽부터 순서대로, 무기분말 a, b, c, d, …로 소문자의 알파벳 순으로 기재한다.As the inorganic powder-containing paste, at least two kinds having different particle sizes (average particle diameters) and softening points are used, and inorganic powders having a high softening point having a large average particle diameter are preferably used. Can be mentioned. In this case, the inorganic powders having different average particle diameters and softening points are used in order of the inorganic powders a, b, c, d,... In alphabetical order of lowercase letters.

(1) 무기분말로서, 무기분말 a와 무기분말 b로 이루어지는 혼합물을 사용하는 것.(1) Use of a mixture of inorganic powder a and inorganic powder b as inorganic powder.

(2) 무기분말로서, 평균입자지름 0.2∼2.5㎛의 무기분말 A와 그것보다 평균입자지름이 크고, 또한 평균입자지름 2∼10㎛의 무기분말 B로 이루어지는 혼합물을 사용하는 것.(2) As the inorganic powder, a mixture comprising inorganic powder A having an average particle diameter of 0.2 to 2.5 µm and inorganic powder B having a larger average particle diameter than that and having an average particle diameter of 2 to 10 µm is used.

상기 (1)의 수단에 있어서 무기분말 b의 연화점이 무기분말 a의 연화점보다 50℃이상 높은 것이 바람직하고, 더욱 바람직하게는 100℃이상 높게 되도록 선정한다. 이 높은 쪽의 연화점은 600∼1500℃가 바람직하고, 700∼1400℃가 더욱 바람직하다. 또한, 무기분말 a와 무기분말 b는, 원소조성 및/또는 결정구조가 다르지만, 양자의 평균입자지름의 구체적 크기는, 동종의 문자에 대응시켰을 경우에, 상기 (2)의 범위로 될 필요는 없지만, 그런 것이 바람직하다.In the above means (1), the softening point of the inorganic powder b is preferably 50 ° C or more higher than the softening point of the inorganic powder a, and more preferably 100 ° C or more. 600-1500 degreeC is preferable and, as for this higher softening point, 700-1400 degreeC is more preferable. In addition, although the inorganic powder a and the inorganic powder b differ in elemental composition and / or crystal structure, the specific size of the average particle diameter of both needs to be in the range of said (2) when it corresponds to the same character. There is no such thing, however.

상기 (2)의 수단에 있어서, 무기분말 A와 무기분말 B의 평균입자지름을 상기와 같이 특정하는 것이 중요하다. 즉, 무기분말 A의 평균입자지름은 0.2∼2.5㎛이고, 바람직하게는 0.3∼2.0㎛이며, 무기분말 B의 평균입자지름은 2∼10㎛이고, 바람직하게는 2.5∼9㎛이며, 또한 무기분말 A의 평균입자지름보다 무기분말 B의 평균입자지름 쪽을 크게 할 필요가 있다. 또한, 무기분말 A와 무기분말 B는, 원소조성 및/또는 결정구조는 같아도 좋고, 양자의 연화점의 관계는, 동종의 문자에 대응시켰을 경우에, 상기 (1)의 범위가 될 필요는 없지만, 그런 것이 바람직하다.In the above means (2), it is important to specify the average particle diameter of the inorganic powder A and the inorganic powder B as described above. That is, the average particle diameter of inorganic powder A is 0.2-2.5 micrometers, Preferably it is 0.3-2.0 micrometers, The average particle diameter of inorganic powder B is 2-10 micrometers, Preferably it is 2.5-9 micrometers, and inorganic It is necessary to make the average particle diameter of the inorganic powder B larger than the average particle diameter of the powder A. In addition, the inorganic powder A and the inorganic powder B may have the same elemental composition and / or crystal structure, and the relationship between the softening points of the two does not have to be within the range of (1) above when they correspond to the same letter. Such is preferable.

또한, 본 발명에 사용하는 무기분말은, 그 입자사이즈 분포곡선이 적어도 2개의 극대 피크를 갖는 것이 바람직하다. 이 무기분말로서는, 예를 들면, 무기분말 a 또는 b 및 그들의 혼합물, 무기분말 A 또는 B 및 그들의 혼합물을 들 수 있다. 이 입자사이즈 분포곡선은, 레이저 회절산란법에 의해, 횡축에 입자지름을 종축에 빈도(체적)를 취해서 플롯한 것이다. 또, 본 발명에 있어서 평균입자지름이란 상기 빈도의 누적체적의 총합을 100%로 했을 때에 누적체적이 50%로 되는 입자지름(D50)을 말한다(단, 입자사이즈 분포곡선에 있어서, 반드시 극대 피크를 갖지 않아도 좋지만, D50 부근에 극대 피크를 갖고 있는 것이 바람직하다).Moreover, it is preferable that the particle size distribution curve of the inorganic powder used for this invention has at least 2 maximum peak. As this inorganic powder, inorganic powder a or b and its mixture, inorganic powder A or B, and their mixture are mentioned, for example. This particle size distribution curve is plotted by taking the particle diameter on the horizontal axis and the frequency (volume) on the vertical axis by the laser diffraction scattering method. In addition, in this invention, an average particle diameter means the particle diameter (D50) which becomes 50% of a cumulative volume when the total of the cumulative volumes of the said frequency is 100% (However, in a particle size distribution curve, a maximum peak is always required. It is not necessary to have, but it is preferable to have a maximum peak near D50).

무기분말이 적어도 2개의 극대 피크를 갖도록 하기 위해서는, 그 극대 피크를 부여하는 분말성분의 배합비율을, 각각의 분말 전체의 평균입자지름이 본 발명 범위로 되도록 조정하면 좋다.In order for the inorganic powder to have at least two maximum peaks, the blending ratio of the powder component giving the maximum peak may be adjusted so that the average particle diameter of each of the powders falls within the scope of the present invention.

따라서, 이 경우, 극대 피크를 부여하는 분말성분의 입자사이즈 분포곡선은, 여러가지 선정될 수 있다.Therefore, in this case, the particle size distribution curve of the powder component giving the maximum peak can be variously selected.

또, 본 발명에 있어서 입자사이즈 분포곡선의 누적체적의 총합을 100%로 했을 때의 누적체적이 10%가 되는 입자지름(D10)은, 무기분말 a 또는 무기분말 A에서는 0.1∼2.0㎛가 바람직하고, 무기분말 b 또는 무기분말 B에서는 1.0∼8.0㎛이 바람직하다.In the present invention, the particle diameter D10 of which the cumulative volume becomes 10% when the total cumulative volume of the particle size distribution curve is 100% is preferably 0.1 to 2.0 µm in the inorganic powder a or the inorganic powder A. In the inorganic powder b or the inorganic powder B, 1.0 to 8.0 mu m is preferable.

또한, 본 발명에 있어서 입자사이즈 분포곡선의 누적체적의 총합을 100%로 했을 때의 누적체적이 90%가 되는 입자지름(D90)은, 무기분말 a 또는 무기분말 A에서는 2.5∼8.0㎛가 바람직하고, 무기분말 b 또는 무기분말 B에서는 5∼15㎛가 바람직하다.In the present invention, the particle diameter (D90) of which the cumulative volume becomes 90% when the total cumulative volume of the particle size distribution curve is 100% is preferably 2.5 to 8.0 µm in the inorganic powder a or the inorganic powder A. In addition, in inorganic powder b or inorganic powder B, 5-15 micrometers is preferable.

상기와 같이 무기분말을 특정하면 무기분말함유 페이스트층에 있어서 무기분말 b 또는 무기분말 B의 간극에 무기분말 a 또는 무기분말 A가 충전되는 구조로 되고, 또한 소성했을 때에 사이즈와 연화점의 차이의 기여에 의해 상기와 같은 공극은 생성되는 것이라 생각된다.When the inorganic powder is specified as described above, the inorganic powder a or inorganic powder B is filled in the gap between the inorganic powder b or the inorganic powder B in the inorganic powder-containing paste layer, and contributes to the difference between the size and the softening point when fired. It is thought that such a void is produced | generated by.

또, 상기 사이즈나 연화점을 특정함과 아울러 공극면적율을 조정하기 위해서 기여하는 요소로서는, 무기분말함유 페이스트의 조성, 예를 들면, 바인더, 용제, 가소제 등을 적당히 선정하는 것, 소성 조건을 선정하는 것 등을 들 수 있다.In addition, as an element contributing to specifying the size and softening point and adjusting the void area ratio, the composition of the inorganic powder-containing paste, for example, appropriately selecting a binder, a solvent, a plasticizer, and the like, and a firing condition are selected. And the like.

또한, 무기분말함유 페이스트(이하, 단지 페이스트라고도 한다)는, 상기 특정의 분말성분 이외의 무기성분을 함유해도 좋다. 상기 무기성분으로서, 예를 들면, 사이즈, 연화점이 다른 무기분말 등을 사용할 수 있다. 예를 들면, 평균입자지름 50㎚이하의 콜로이달 실리카 등을 사용할 수도 있다.The inorganic powder-containing paste (hereinafter also referred to simply as paste) may contain an inorganic component other than the specific powder component. As the inorganic component, for example, inorganic powders having different sizes and softening points can be used. For example, colloidal silica having an average particle diameter of 50 nm or less may be used.

본 발명에 사용할 수 있는 전사필름은, 페이스트층과 가요성 가지지체 사이에 이형성층을 갖는 것이 바람직하다.It is preferable that the transfer film which can be used for this invention has a mold release layer between a paste layer and a flexible support body.

이형성층은, 페이스트층을 유리 등의 기판상에 용이하고 또한 정확하게 전사할 수 있게 형성된다.The release layer is formed so that the paste layer can be easily and accurately transferred onto a substrate such as glass.

이형성층으로서는, 이형제를 기판상에 형성한 것을 들 수 있고, 이형제로서는, 실리콘계 화합물(예를 들면, 고점도 실리콘 화합물, 저점도 실리콘 화합물, 변성 실리콘 화합물), 불소계 화합물, 식물유지계 화합물(예를 들면, 식물성의 인지방체(레시틴)를 주성분으로 한 것), 왁스 등을 들 수 있다.Examples of the release layer include those in which a release agent is formed on a substrate, and examples of the release agent include a silicone-based compound (for example, a high viscosity silicone compound, a low viscosity silicone compound, and a modified silicone compound), a fluorine compound, and a plant-containing compound (examples). Examples thereof include vegetable phospholipids (lecithin) as main components), waxes, and the like.

전사필름은, 이형성층과 페이스트층이 함께 기판상에 전사되어도 좋고, 이형성층은 가요성 가지지체상에 머물고 페이스트층만이 전사되도록 해도 좋다. 따라서, 전사필름을 사용하여 기판상에 페이스트층을 전사해서 얻어지는 전사층은, 이형성층을 갖고 있어도 좋다.In the transfer film, the release layer and the paste layer may be transferred onto the substrate together, and the release layer may remain on the flexible base member so that only the paste layer may be transferred. Therefore, the transfer layer obtained by transferring a paste layer on a board | substrate using a transfer film may have a mold release layer.

또한, 전사필름을 사용하면 페이스트층의 표면을 평활하게 할 수 있고, 그 중심선 평균 표면조도(Ra)는, 0.5㎛이하인 것이 바람직하고, 0.3㎛이하인 것이 더욱 바람직하다.In addition, when the transfer film is used, the surface of the paste layer can be smoothed, and the centerline average surface roughness Ra is preferably 0.5 µm or less, and more preferably 0.3 µm or less.

본 발명에 있어서의 무기질막 또는 PDP용 부재의 제조방법의 하나는, 기판에 직접 도포하거나, 상기 전사필름으로부터 기판상에 전사하거나 해서 형성한 페이스트층 위에 감광성 조성물을 설치하고, 노광, 현상 처리한 후, 샌드블라스트법에 의해 페이스트층에 격벽 패턴을 형성하고, 이어서 소성하는 것을 들 수 있다.One of the methods for producing an inorganic film or a member for PDP in the present invention is to provide a photosensitive composition on a paste layer formed by coating the substrate directly or transferring it from the transfer film onto the substrate. Subsequently, a partition pattern is formed in a paste layer by the sandblasting method, and what is then baked is mentioned.

또한, 페이스트, 및 형틀을 사용해서 격벽 패턴을 형성한 후, 소성하는 것에 의해 무기질막 또는 PDP용 부재를 제조할 수도 있다.In addition, an inorganic film or a member for PDP can also be produced by forming a partition pattern using a paste and a mold, and then firing the same.

격벽 형성법으로서는, 구체적으로는, 페이스트를 형틀에 넣어서 격벽 패턴을 기판에 전사하고, 소성하는 방법, 기판 및 페이스트를 형틀에 넣어서 격벽 패턴을 형틀 내에서 제작하고, 형틀 내에서 소성하는 방법, 기판에 도포나 전사필름으로부터의 전사에 의해 형성한 페이스트층에, 형틀을 사용해서 격벽 패턴을 형성하는 방법 등을 들 수 있다.As a partition formation method, specifically, the method of transferring a partition pattern to a board | substrate by putting a paste in a mold, and baking, The method of manufacturing a partition pattern in a mold by baking a board | substrate and paste, and baking in a mold, a board | substrate The method of forming a partition pattern in a paste layer formed by application | coating and the transfer from a transfer film using a mold, etc. are mentioned.

이하, 본 발명의 구성요소별로 상술한다.Hereinafter, each component of the present invention will be described in detail.

A. 페이스트A. Paste

기판 등에 도포되는 페이스트, 또는 전사필름 제작을 위해 가요성 가지지체에 도포되는 페이스트는, 적어도 무기분말을 함유하고, 또한 수지 및 용제를 성분으로 한다. 페이스트는, 상기 성분 이외에 공지의 각종 첨가제, 예를 들면, 가소제, 보존제, 계면활성제 등을 함유할 수 있다.The paste applied to a substrate or the like, or the paste applied to the flexible base member for the production of a transfer film, contains at least an inorganic powder, and further contains a resin and a solvent as components. The paste may contain various known additives, for example, a plasticizer, a preservative, a surfactant, and the like in addition to the above components.

단, 페이스트는, 무기분말성분의 배합율을 높인 조성이며, 그 이점을 유효하게 발휘시키기 위해서는 유기성분은 될 수 있는 한 적은 쪽이 바람직하다.However, a paste is a composition which increased the compounding ratio of an inorganic powder component, and in order to exhibit the advantage effectively, as little as possible of an organic component is preferable.

A-a. 무기분말A-a. Inorganic powder

무기분말로서는 특별히 제한되는 것은 아니지만, 소성된 무기질막에 주로 불투명성을 부여하는 기능을 갖는 무기물질, 예를 들면, 알루미나, 산화티타늄, 지르코니아, 코디어라이트 등의 금속산화물, 금속 등, 소성된 무기질막에 주로 투명성을 부여하는 기능을 갖는 무기물질, 예를 들면, 유리, 바람직하게는 저융점 유리 등을 들 수 있다.Although it does not restrict | limit especially as an inorganic powder, Inorganic substance which has a function which mainly gives opacity to a calcined inorganic film, for example, metal oxides, such as alumina, titanium oxide, zirconia, cordierite, a calcined mineral, etc. Inorganic substances having a function of mainly giving transparency to the film, for example, glass, preferably low melting glass, and the like can be mentioned.

저융점 유리분말이란, 연화점이 390∼990℃인 것을 의미하고, 선 열팽창계수가 (45∼100)×10^-7K^-1, 또한 (50∼90)×10^-7K^-1의 것이 바람직하다.Low-melting glass powder means that the softening point is 390 to 990 ° C., and the coefficient of linear thermal expansion is (45 to 100) × 10 ⁻⁷ K ⁻¹ , and more preferably (50 to 90) × 10 ⁻⁷ K ⁻¹ . Do.

저융점 유리분말의 조성으로서는, 산화규소는 3∼80질량%의 범위로 배합하는 것이 바람직하고, 보다 바람직하게는 10∼70질량%이다. 3질량%미만의 경우는 유리층의 치밀성, 강도나 안정성이 저하되고, 또 열팽창계수가 소정 값으로부터 벗어나, 유리기판과의 미스매치가 일어나기 쉽다. 또 70질량%이하로 함으로써, 열연화점이 낮아져 유리기판에의 소성이 가능하게 되는 등의 이점이 있다.As a composition of a low melting glass powder, it is preferable to mix | blend a silicon oxide in the range of 3-80 mass%, More preferably, it is 10-70 mass%. In the case of less than 3% by mass, the compactness, strength and stability of the glass layer are lowered, and the coefficient of thermal expansion deviates from a predetermined value, and mismatch with the glass substrate is likely to occur. Moreover, when it is 70 mass% or less, there exists an advantage that a thermal softening point becomes low and baking to a glass substrate is attained.

저융점 유리분말의 조성으로서, 산화비스무트, 산화납, 산화아연, 산화알루미늄, 산화리튬, 산화나트륨, 산화칼륨 중 적어도 1종류를 5∼60질량% 함유하는 것, 혹은 산화붕소, 산화비스무트 혹은 산화납을 합계로 8∼60질량% 함유하고, 또한, 산화리튬, 산화나트륨, 산화칼륨 중 적어도 1종류를 0∼15질량% 함유하는 유리입자를 사용한 유리가 융점이 낮고 바람직하다.As the composition of the low melting glass powder, it contains 5 to 60% by mass of at least one of bismuth oxide, lead oxide, zinc oxide, aluminum oxide, lithium oxide, sodium oxide and potassium oxide, or boron oxide, bismuth oxide or oxidation Glass using 8 to 60 mass% of lead in total and 0 to 15 mass% of at least one of lithium oxide, sodium oxide and potassium oxide is preferably low in melting point.

저융점 유리분말의 조성의 바람직한 예로서는, (1)산화납, 산화붕소, 산화규소계(PbO-B₂O₃-SiO₂계)의 혼합물, (2)산화아연, 산화붕소, 산화규소계(ZnO-B ₂O₃-SiO₂계)의 혼합물, (3)산화납, 산화붕소, 산화규소, 산화알루미늄계(PbO-B₂O₃-SiO ₂-Al₂O₃계)의 혼합물, (4)산화납, 산화아연, 산화붕소, 산화규소계(PbO-ZnO-B₂O₃-SiO ₂계)의 혼합물 등을 예시할 수 있다.Preferred examples of the composition of the low melting glass powder include (1) a mixture of lead oxide, boron oxide, and silicon oxide (PbO-B ₂ O ₃ -SiO ₂ based), (2) zinc oxide, boron oxide, and silicon oxide ( ZnO-B ₂ O ₃ -SiO _{2 type} ), (3) lead oxide, boron oxide, silicon oxide, aluminum oxide type (PbO-B ₂ O ₃ -SiO ₂ -Al ₂ O _{3 type} ), ( 4) a mixture of lead oxide, zinc oxide, boron oxide, and silicon oxide (PbO-ZnO-B ₂ O ₃ -SiO ₂ ) may be exemplified.

특히, 상기 (1)∼(4)에 있어서 납성분을 제거한 혼합물, 소위, 비납유리는, 환경보전상 바람직할 뿐만 아니라, 무기질막의 유전율을 저하시키는데도 유효해서, PDP용 부재에 응용했을 경우 전력절약성이 뛰어나고, 또한, 알루미나 등의 금속산화물 분말과의 혼련성도 좋아져 무기질막 균일성을 개량할 수 있다.In particular, the mixture obtained by removing the lead component in the above (1) to (4), so-called lead-free glass, is not only preferable for environmental preservation, but also effective for lowering the dielectric constant of the inorganic film. It is excellent in saving efficiency, and also the kneading property with metal oxide powders, such as alumina, is also improved, and an inorganic film uniformity can be improved.

또한, 비납유리로서는, 상기 성분 외에 BaO, MgO, Na₂O, K₂O, Li₂O, Al ₂O₃, TiO₂, ZrO₂, Nb₂O₅, Bi₂O₃ 등으로부터 선택되는 1종이상을 함유할 수 있고, 또한 소정의 원소를 배합할 수 있다.In addition, as the lead-free glass, in addition to the above components, 1 selected from BaO, MgO, Na ₂ O, K ₂ O, Li ₂ O, Al ₂ O ₃ , TiO ₂ , ZrO ₂ , Nb ₂ O ₅ , Bi ₂ O _3, and the like. It can contain a paper form and can mix | blend a predetermined element further.

비납유리로서는, 적어도 ZnO, B₂O₃, SiO₂, BaO 및 Bi₂O₃ 중 적어도 1종이상을 함유하는 것이 바람직하다. 이 조성으로서는, 몰비로 ZnO/B₂O₃/SiO₂/BaO/Bi ₂O₃/ 기타=20∼70/0∼80/0∼45/0∼50/0∼15/0∼15가 바람직하고, 25∼65/0∼75/0∼40/0∼45/0∼13/0∼13이 더욱 바람직하다.As the non-lead glass preferably contains at least ZnO, B ₂ O _3, SiO _2, BaO, and Bi ₂ O ₃ of at least one. As the composition, ZnO / B ₂ O ₃ / SiO ₂ / BaO / Bi ₂ O ₃ / others = 20 to 70/0 to 80/0 to 45/0 to 50/0 to 15/0 to 15 in molar ratio is preferable. 25-65 / 0-75 / 0-40 / 0-45 / 0-13 / 0-13 are more preferable.

페이스트에 특정의 무기분말성분 이외의 여러가지 금속산화물을 첨가함으로써 패턴에 착색할 수 있다. 예를 들면, 페이스트에 흑색의 금속산화물을 1∼10질량% 함유시킴으로써 흑색의 패턴을 형성할 수 있다. 이 목적으로 사용하는 흑색 혹은 그 밖의 착색한 산화물로서 Cr, Fe, Co, Mn, Cu의 산화물 중, 적어도 1종, 바람직하게는 3종이상을 함유시킴으로써 흑색화가 가능하게 된다. 특히, Fe와 Mn의 산화물을 각각 0.5질량%이상 함유시키는 것에 의해 더욱 흑색의 패턴을 형성할 수 있다.A pattern can be colored by adding various metal oxides other than a specific inorganic powder component to a paste. For example, a black pattern can be formed by containing 1-10 mass% of black metal oxides in a paste. As black or other colored oxide used for this purpose, blackening is attained by containing at least 1 type, preferably 3 or more types of oxides of Cr, Fe, Co, Mn, and Cu. In particular, the black pattern can be further formed by containing 0.5% by mass or more of the oxides of Fe and Mn.

또한, 흑색 이외에, 적색, 청색, 녹색 등으로 발색하는 무기안료를 첨가한 페이스트를 사용함으로써, 각 색의 격벽이나 컬러필터 등, 착색된 패턴의 무기질막을 형성할 수 있다.Moreover, by using the paste which added the inorganic pigment which develops red, blue, green etc. other than black, the inorganic film of colored pattern, such as a partition and a color filter of each color, can be formed.

A-b. 수지A-b. Suzy

페이스트에 함유되는 수지로서는, 특별히 제한되는 것은 아니지만, 셀룰로오스 화합물이나 아크릴 화합물을 사용할 수 있다.Although it does not restrict | limit especially as resin contained in a paste, A cellulose compound or an acryl compound can be used.

(셀룰로오스 화합물)(Cellulose compound)

페이스트에 사용하는 셀룰로오스 화합물은, 셀룰로오스 및 그 유도체를 포함한다. 셀룰로오스 화합물은, 에틸셀룰로오스, 메틸셀룰로오스, 에틸프로필셀룰로오스, 니트로셀룰로오스, 셀룰로오스아세테이트, 셀룰로오스프로피오네이트, 셀룰로오스아세테이트부틸레이트, 셀룰로오스부틸레이트 등의 셀룰로오스계 수지이다.The cellulose compound used for a paste contains cellulose and its derivative. The cellulose compound is a cellulose resin such as ethyl cellulose, methyl cellulose, ethyl propyl cellulose, nitro cellulose, cellulose acetate, cellulose propionate, cellulose acetate butyrate and cellulose butyrate.

셀룰로오스 유도체의 치환기의 치환율은, 셀룰로오스 수산기의 0∼90%, 바람직하게는 10∼80%이다. 예를 들면 에틸셀룰로오스에서는, 10∼70%의 치환율의 것이 적합하다. 이들의 바인더는, 단일종의 폴리머를 사용해도 좋고, 또한 서로 혼화하는 폴리머끼리라면 상기한 것 외의 셀룰로오스 유도체 또는 비셀룰로오스계 폴리머와 혼합해서 사용해도 좋다. 혼합비율은, 혼화할 수 있고, 또한 바인더로서의 기능이 유지되는 한 임의이다.The substitution rate of the substituent of a cellulose derivative is 0 to 90% of the cellulose hydroxyl group, Preferably it is 10 to 80%. For example, in ethyl cellulose, the thing of the substitution rate of 10 to 70% is suitable. These binders may use a single kind of polymer, or may be mixed with other cellulose derivatives or non-cellulosic polymers as long as the polymers are mixed with each other. The mixing ratio is arbitrary as long as it can be mixed and the function as a binder is maintained.

분자량(Mw)은, 1만∼40만의 것을, 저분자 단독, 고분자 단독, 2종이상의 평균분자량의 것을 조합시켜서 사용할 수 있다.The molecular weight (Mw) can be used by combining 10,000 to 400,000 ones having a low molecular weight alone, a polymer alone, or two or more kinds of average molecular weights.

바인더로서 사용하는 셀룰로오스 유도체는, 상기 이외에 수용성기로 치환된 셀룰로오스 유도체를 부차적 성분으로서 첨가하여도 좋고, 이 수지는 수용성기 이외에 저급 알킬기 또는 저급 아실기를 치환기로서 함유하고 있어도 좋다. 치환기의 수용성기는, 히드록시알킬기(탄소수 1∼3) 및 카르복시메틸기이다.The cellulose derivative used as a binder may add the cellulose derivative substituted by the water-soluble group as a secondary component other than the above, and this resin may contain the lower alkyl group or the lower acyl group as a substituent other than a water-soluble group. The water-soluble group of a substituent is a hydroxyalkyl group (C1-C3) and a carboxymethyl group.

이들 히드록시알킬셀룰로오스의 히드록시알킬기의 치환율은, 글루코오스 1단위당 1.3∼7.0당량이며, 바람직하게는 1.5∼5.0당량이다. 치환율은, 글루코오스 1단위당 3.0을 넘을 경우는, 히드록시알킬 치환한 그 히드록시알킬기에 더욱 치환이 행하여지는 것을 의미한다. 치환율이 1.3당량 이하에서는 용해성, 혼화성이 불충분하게 되고, 7.0당량을 넘으면 치환도를 올리기 어렵고, 제조비용이 높아진다. 특히 바람직한 수용성기 치환셀룰로오스 유도체는, 히드록시프로필셀룰로오스, 히드록시메틸셀룰로오스, 히드록시에틸셀룰로오스, 카르복시메틸셀룰로오스, 카르복시에틸셀룰로오스, 히드록시프로필메틸셀룰로오스, 히드록시메틸프탈산셀룰로오스, 히드록시프로필메틸셀룰로오스프탈레이트, 히드록시프로필메틸셀룰로오스아세테이트프탈레이트, 황산셀룰로오스이다.The substitution rate of the hydroxyalkyl group of these hydroxyalkyl celluloses is 1.3-7.0 equivalents per unit of glucose, Preferably it is 1.5-5.0 equivalents. When the substitution rate exceeds 3.0 per glucose unit, it means that the hydroxyalkyl group substituted with hydroxyalkyl is further substituted. If the substitution rate is 1.3 equivalent or less, the solubility and miscibility become insufficient. If the substitution rate exceeds 7.0 equivalent, the substitution degree is difficult to increase, and the manufacturing cost is high. Especially preferable water-soluble group substituted cellulose derivatives are hydroxypropyl cellulose, hydroxymethyl cellulose, hydroxyethyl cellulose, carboxymethyl cellulose, carboxyethyl cellulose, hydroxypropyl methyl cellulose, hydroxymethyl phthalate cellulose and hydroxypropyl methyl cellulose phthalate. , Hydroxypropyl methyl cellulose acetate phthalate and cellulose sulfate.

메틸셀룰로오스는, 알칼리셀룰로오스와 염화메틸 또는 디메틸황산으로부터 통상법에 의해 합성된다. 또한 에틸렌옥사이드와 통상법에 의해 반응시킴으로써 히드록시에틸메틸셀룰로오스가 얻어진다. 에틸셀룰로오스는, 알칼리셀룰로오스를 가압하에서 염화에틸과 반응시켜서 얻을 수 있다. 그 외의 알킬셀룰로오스도 같은 방법으로 합성할 수 있다. 히드록시에틸셀룰로오스는, 셀룰로오스와 에틸렌옥사이드로부터 통상법에 의해 합성된다. 카르복시메틸셀룰로오스는, 가성알칼리의 존재 하에서 셀룰로오스와 모노크롤초산을 통상법에 의해 반응시켜서 얻을 수 있다. 또한, 황산셀룰로오스는 셀룰로오스와 디메틸포름아미드를 정법에 의해 반응시켜서 얻을 수 있다. 그 밖의 셀룰로오스 유도체도 같은 공지의 방법으로 합성할 수 있다. 또한, 시판도 되고 있다.Methyl cellulose is synthesize | combined from an alkali cellulose and methyl chloride or dimethyl sulfate by a conventional method. In addition, hydroxyethyl methyl cellulose is obtained by reacting ethylene oxide with a conventional method. Ethyl cellulose can be obtained by reacting alkali cellulose with ethyl chloride under pressure. Other alkyl cellulose can also be synthesized by the same method. Hydroxyethyl cellulose is synthesize | combined from a cellulose and ethylene oxide by a conventional method. Carboxymethyl cellulose can be obtained by making cellulose and a monoacetic acid react by a conventional method in presence of caustic alkali. In addition, cellulose sulfate can be obtained by making cellulose and dimethylformamide react by a regular method. Other cellulose derivatives can also be synthesized by the same known method. It is also commercially available.

(아크릴 화합물)(Acrylic compound)

아크릴 화합물로서는, 하기 일반식(1)로 나타내어지는 (메타)아크릴레이트 화합물(R¹이 수소원자인 경우의 아크릴레이트 화합물 및 R¹이 메틸기인 경우의 메타크릴레이트 화합물의 총칭)의 단독중합체(1a), 하기 일반식(1)로 나타내어지는 (메타)아크릴레이트 화합물의 2종이상의 공중합체(1b), 및 하기 일반식(1)로 나타내어지는 (메타)아크릴레이트 화합물과 다른 공중합성 단량체의 공중합체(1c)가 포함된다.As an acryl compound, the homopolymer of the (meth) acrylate compound represented by the following general formula (1) (the generic name of the acrylate compound when R <^1> is a hydrogen atom and the methacrylate compound when R <^1> is a methyl group) ( 1a), two or more types of copolymers (1b) of (meth) acrylate compounds represented by the following general formula (1), and (meth) acrylate compounds represented by the following general formula (1) and other copolymerizable monomers Copolymer 1c is included.

HH ₂₂ C=C(RC = C (R ^1One )COORCOOR ²² (1) (One)

[식중, R¹은 수소원자 또는 메틸기를 나타내고, R²는 1가의 유기기를 나타낸다. 유기기로서는, 알킬기, 시클로알킬기, 히드록시알킬기, 알콕시기, 아릴옥시 기, 폴리알킬렌글리콜의 하프에스테르잔기, 폴리알킬렌글리콜모노에테르의 에스테르잔기 등을 들 수 있다.][Wherein, R ¹ represents a hydrogen atom or a methyl group, and R ² represents a monovalent organic group. Examples of the organic group include an alkyl group, a cycloalkyl group, a hydroxyalkyl group, an alkoxy group, an aryloxy group, a half ester residue of polyalkylene glycol, and an ester residue of polyalkylene glycol monoether.]

단독중합체(1a) 및 공중합체(1b)를 생성하기 위해서 사용하는 상기 일반식(1)로 나타내어지는 (메타)아크릴레이트 화합물의 구체예로서는, 메틸(메타)아크릴레이트, 에틸(메타)아크릴레이트, 프로필(메타)아크릴레이트, 이소프로필(메타)아크릴레이트, 부틸(메타)아크릴레이트, 이소부틸(메타)아크릴레이트、 t-부틸(메타)아크릴레이트, 펜틸(메타)아크릴레이트, 아밀(메타)아크릴레이트, 이소아밀(메타)아크릴레이트, 헥실(메타)아크릴레이트, 헵틸(메타)아크릴레이트, 옥틸(메타)아크릴레이트, 이소옥틸(메타)아크릴레이트, 에틸헥실(메타)아크릴레이트, 노닐(메타)아크릴레이트, 데실(메타)아크릴레이트, 이소데실(메타)아크릴레이트, 운데실(메타)아크릴레이트, 도데실(메타)아크릴레이트, 라우릴(메타)아크릴레이트, 스테아릴(메타)아크릴레이트, 이소스테아릴(메타)아크릴레이트 등의 알킬(메타)아크릴레이트; 히드록시에틸(메타)아크릴레이트, 2-히드록시프로필(메타)아크릴레이트, 4-히드록시부틸(메타)아크릴레이트, 3-히드록시프로필(메타)아크릴레이트, 2-히드록시부틸(메타)아크릴레이트, 3-히드록시부틸(메타)아크릴레이트 등의 히드록시알킬(메타)아크릴레이트; 페녹시에틸(메타)아크릴레이트, 2-히드록시-3-페녹시프로필(메타)아크릴레이트 등의 페녹시알킬(메타)아크릴레이트; 2-메톡시에틸(메타)아크릴레이트, 2-에톡시에틸(메타)아크릴레이트, 2-프로폭시에틸(메타)아크릴레이트, 2-부톡시에틸(메타)아크릴레이트, 2-메톡시부틸(메타)아크릴레이트 등의 알콕시알킬(메타)아크릴레이트; 폴리에틸렌글리콜모노(메타)아크릴레이트, 에톡시디에틸렌글리콜(메타)아크릴레이트, 메톡시폴리에틸렌글리콜(메타)아크릴레이트, 페녹시폴리에틸렌글리콜(메타)아크릴레이트, 노닐페녹시폴리에틸렌글리콜(메타)아크릴레이트, 폴리프로필렌글리콜모노(메타)아크릴레이트, 메톡시폴리프로필렌글리콜(메타)아크릴레이트, 에톡시폴리프로필렌글리콜(메타)아크릴레이트, 노닐페녹시폴리프로필렌글리콜(메타)아크릴레이트 등의 폴리알킬렌글리콜(메타)아크릴레이트; 시클로헥실(메타)아크릴레이트, 4-부틸시클로헥실(메타)아크릴레이트, 디시클로펜타닐(메타)아크릴레이트, 디시클로펜테닐(메타)아크릴레이트, 디시클로펜타디에닐(메타)아크릴레이트, 보르닐(메타)아크릴레이트, 이소보르닐(메타)아크릴레이트, 트리시클로데카닐(메타)아크릴레이트 등의 시클로알킬(메타)아크릴레이트; 벤질(메타)아크릴레이트, 테트라히드로푸르푸릴(메타)아크릴레이트 등을 들 수 있다. 이들 중, 상기 일반식(1) 중, R²로 나타내어지는 기가 알킬기 또는 옥시알킬렌기를 함유하는 기인 것이 바람직하고, 특히 바람직한 (메타)아크릴레이트 화합물로서, 메틸(메타)아크릴레이트, 부틸(메타)아크릴레이트, 에틸헥실(메타)아크릴레이트, 라우릴(메타)아크릴레이트, 이소데실(메타)아크릴레이트 및 2-에톡시에틸(메타)아크릴레이트를 들 수 있다.As a specific example of the (meth) acrylate compound represented by the said General formula (1) used to produce homopolymer (1a) and a copolymer (1b), methyl (meth) acrylate, ethyl (meth) acrylate, Propyl (meth) acrylate, isopropyl (meth) acrylate, butyl (meth) acrylate, isobutyl (meth) acrylate, t-butyl (meth) acrylate, pentyl (meth) acrylate, amyl (meth) Acrylate, isoamyl (meth) acrylate, hexyl (meth) acrylate, heptyl (meth) acrylate, octyl (meth) acrylate, isooctyl (meth) acrylate, ethylhexyl (meth) acrylate, nonyl ( Meth) acrylate, decyl (meth) acrylate, isodecyl (meth) acrylate, undecyl (meth) acrylate, dodecyl (meth) acrylate, lauryl (meth) acrylate, stearyl (meth) acrylic Late, isos Alkyl (meth) acrylates, such as tearyl (meth) acrylate; Hydroxyethyl (meth) acrylate, 2-hydroxypropyl (meth) acrylate, 4-hydroxybutyl (meth) acrylate, 3-hydroxypropyl (meth) acrylate, 2-hydroxybutyl (meth) Hydroxyalkyl (meth) acrylates such as acrylate and 3-hydroxybutyl (meth) acrylate; Phenoxyalkyl (meth) acrylates such as phenoxyethyl (meth) acrylate and 2-hydroxy-3-phenoxypropyl (meth) acrylate; 2-methoxyethyl (meth) acrylate, 2-ethoxyethyl (meth) acrylate, 2-propoxyethyl (meth) acrylate, 2-butoxyethyl (meth) acrylate, 2-methoxybutyl ( Alkoxyalkyl (meth) acrylates such as meth) acrylate; Polyethylene glycol mono (meth) acrylate, ethoxydiethylene glycol (meth) acrylate, methoxy polyethylene glycol (meth) acrylate, phenoxy polyethylene glycol (meth) acrylate, nonylphenoxy polyethylene glycol (meth) acrylate, Polyalkylene glycols such as polypropylene glycol mono (meth) acrylate, methoxy polypropylene glycol (meth) acrylate, ethoxy polypropylene glycol (meth) acrylate, and nonylphenoxy polypropylene glycol (meth) acrylate ( Meta) acrylate; Cyclohexyl (meth) acrylate, 4-butylcyclohexyl (meth) acrylate, dicyclopentanyl (meth) acrylate, dicyclopentenyl (meth) acrylate, dicyclopentadienyl (meth) acrylate, bor Cycloalkyl (meth) acrylates such as niel (meth) acrylate, isobornyl (meth) acrylate, and tricyclodecanyl (meth) acrylate; Benzyl (meth) acrylate, tetrahydrofurfuryl (meth) acrylate, and the like. Among these, in the above general formula (1), the group represented by R ² is preferably a group containing an alkyl group or an oxyalkylene group, and as a particularly preferable (meth) acrylate compound, methyl (meth) acrylate and butyl (meth) ) Acrylate, ethylhexyl (meth) acrylate, lauryl (meth) acrylate, isodecyl (meth) acrylate, and 2-ethoxyethyl (meth) acrylate.

공중합체(1c)를 생성하기 위해서 사용하는 (메타)아크릴레이트 화합물과의 공중합에 제공되는 다른 공중합성 단량체로서는, 상기 (메타)아크릴레이트 화합물과 공중합 가능한 화합물이면 특별히 제한은 없고, 예를 들면 (메타)아크릴산, 비닐안식향산, 말레인산, 비닐프탈산 등의 불포화 카르복실산류; 비닐벤질메틸에테르, 비닐글리시딜에테르, 스티렌, α-메틸스티렌, 부타디엔, 이소프렌 등의 비닐기함유 라디컬 중합성 화합물을 들 수 있다. 공중합체(1c)에 있어서, 상기 일반식(1)로 나타내어지는 (메타)아크릴레이트 화합물 유래의 공중합성분은, 통상 40질량%이상, 바람직하게는 50질량%이상이다.There is no restriction | limiting in particular if it is a compound copolymerizable with the said (meth) acrylate compound as another copolymerizable monomer provided for copolymerization with the (meth) acrylate compound used in order to produce copolymer (1c), For example, Unsaturated carboxylic acids such as meta) acrylic acid, vinyl benzoic acid, maleic acid and vinyl phthalic acid; And vinyl group-containing radically polymerizable compounds such as vinyl benzyl methyl ether, vinyl glycidyl ether, styrene, α-methyl styrene, butadiene and isoprene. In copolymer (1c), the copolymerization component derived from the (meth) acrylate compound represented by the said General formula (1) is 40 mass% or more normally, Preferably it is 50 mass% or more.

단독중합체(1a), 공중합체 (1b) 또는 (1c)인 아크릴 화합물의 분자량으로서는, GPC에 의한 폴리스티렌 환산의 질량평균 분자량으로서 1,000∼300,000인 것이 바람직하고, 또한 바람직하게는 2,000∼200,000이다.As molecular weight of the acryl compound which is homopolymer (1a), copolymer (1b), or (1c), it is preferable that it is 1,000-300,000 as mass mean molecular weight of polystyrene conversion by GPC, More preferably, it is 2,000-200,000.

페이스트에 있어서의 수지의 함유비율로서는, 저융점 유리분말성분 100질량부에 대하여, 1∼20질량부인 것이 바람직하고, 더욱 바람직하게는 15∼18질량부이다. 수지의 비율이 지나치게 적은 경우에는, 저융점 유리분말성분을 확실하게 결착유지할 수 없고, 한편, 이 비율이 지나치게 많은 경우에는, 소성공정에 긴 시간을 필요로 하거나, 형성되는 소결체(무기질막)가 충분한 강도나 막두께를 갖는 것으로 되지 않거나 한다.As content rate of resin in a paste, it is preferable that it is 1-20 mass parts with respect to 100 mass parts of low melting-point glass powder components, More preferably, it is 15-18 mass parts. If the ratio of the resin is too small, the low melting point glass powder component cannot be reliably bound. On the other hand, if the ratio is too large, the sintered compact (inorganic membrane) that requires a long time for the sintering process or is formed It does not have to have sufficient strength or film thickness.

A-c. 용제 및 가소제 A-c. Solvents and Plasticizers

본 발명에 사용하는 페이스트를 구성하는 용제로서는, 무기분말과의 친화성, 수지의 용해성이 양호하고, 페이스트에 적당한 점성을 부여할 수 있음과 아울러, 건조됨으로써 용이하게 증발 제거할 수 있는 것임이 바람직하다. 또한, 특히 바람직한 용제로서, 표준비점(1기압에 있어서의 비점)이 60∼300℃인 케톤류, 알콜류 및 에스테르류 등을 들 수 있다.As the solvent constituting the paste for use in the present invention, it is preferable that the affinity with the inorganic powder and the solubility of the resin can be good, the paste can be provided with suitable viscosity, and can be easily evaporated and removed by drying. Do. Moreover, as a especially preferable solvent, ketones, alcohols, esters, etc. whose standard boiling point (boiling point in 1 atmosphere) are 60-300 degreeC are mentioned.

이러한 용제의 구체예로서는, 디에틸케톤, 메틸부틸케톤, 디프로필케톤, 헵타논, 옥타논, 시클로헥사논, N-메틸피롤리돈 등의 케톤류; 메탄올, 에탄올, 프로판올, 이소프로판올, 부탄올류, n-펜타놀, 4-메틸-2-펜타놀, 시클로헥사놀, 7-부로모-헵타놀, 옥타놀, 디아세톤알콜, 글리세린, 벤질알콜, 테레빈유, 터피네올 등의 알콜류; 에틸렌글리콜모노메틸에테르, 에틸렌글리콜모노에틸에테르, 에틸렌글리콜 모노부틸에테르, 프로필렌글리콜모노메틸에테르, 프로필렌글리콜모노에틸에테르, 디에틸렌글리콜모노에틸에테르, 디에틸렌글리콜모노부틸에테르 등의 에테르계 알콜류; 초산-n-부틸, 초산아밀 등의 포화지방족 모노카르복실산 알킬에스테르류; 유산에틸, 유산-n-부틸 등의 유산에스테르류; 메틸셀로솔부아세테이트, 에틸셀로솔부아세테이트, 프로필렌글리콜모노메틸에테르아세테이트, 에틸-3-에톡시프로피오네이트, 디에틸렌글리콜모노에틸에테르아세테이트, 디에틸렌글리콜모노부틸에테르아세테이트 등의 에테르계 에스테르류 등을 예시할 수 있고, 이들 중, 터피네올, N-메틸피롤리돈, 메틸부틸케톤, 시클로헥사논, 디아세톤알콜, 에틸렌글리콜모노부틸에테르, 프로필렌글리콜모노메틸에테르, 유산에틸, 에틸-3-에톡시프로피오네이트 등이 바람직하다. 이들 용제는, 단독으로 또는 2종이상을 조합시켜서 사용할 수 있다.As a specific example of such a solvent, Ketones, such as diethyl ketone, methyl butyl ketone, dipropyl ketone, heptanone, an octanone, cyclohexanone, and N-methylpyrrolidone; Methanol, ethanol, propanol, isopropanol, butanol, n-pentanol, 4-methyl-2-pentanol, cyclohexanol, 7-buromo-heptanol, octanol, diacetone alcohol, glycerin, benzyl alcohol, terebin Alcohols such as oil and terpineol; Ether alcohols such as ethylene glycol monomethyl ether, ethylene glycol monoethyl ether, ethylene glycol monobutyl ether, propylene glycol monomethyl ether, propylene glycol monoethyl ether, diethylene glycol monoethyl ether and diethylene glycol monobutyl ether; Saturated aliphatic monocarboxylic acid alkyl esters such as n-butyl acetate and amyl acetate; Lactic acid esters such as ethyl lactate and lactic acid-n-butyl; Ether esters such as methyl cellosol acetate, ethyl cellosol acetate, propylene glycol monomethyl ether acetate, ethyl-3-ethoxy propionate, diethylene glycol monoethyl ether acetate, diethylene glycol monobutyl ether acetate And the like; terpineol, N-methylpyrrolidone, methylbutyl ketone, cyclohexanone, diacetone alcohol, ethylene glycol monobutyl ether, propylene glycol monomethyl ether, ethyl lactate, ethyl- 3-ethoxypropionate and the like are preferable. These solvents can be used individually or in combination of 2 or more types.

또한, 무기질막의 유연성을 높이거나, 자기접착성을 부여하기 위해서 가소제를 첨가할 수 있다. 가소제로서는, 부틸벤질프탈레이트, 디옥틸프탈레이트, 디카프릴프탈레이트, 디부틸프탈레이트 등 단독 혹은 혼합해서 사용할 수 있다.In addition, a plasticizer may be added to increase the flexibility of the inorganic membrane or to impart self adhesiveness. As a plasticizer, it can be used individually or in mixture, such as butyl benzyl phthalate, dioctyl phthalate, the dicapryl phthalate, and dibutyl phthalate.

본 발명에 사용하는 페이스트(층형성 전)에 있어서의 용제의 함유비율로서는, 페이스트의 점도를 바람직한 범위로 유지하는 관점에서, 무기분말 100질량부에 대하여 5∼50질량부인 것이 바람직하고, 더욱 바람직하게는 8.0∼40질량부이다. 또한, 가소제의 비율은, 무기분말 100질량부에 대하여 0∼20질량부인 것이 바람직하다.As a content rate of the solvent in the paste (before layer formation) used for this invention, it is preferable that it is 5-50 mass parts with respect to 100 mass parts of inorganic powder from a viewpoint of maintaining the viscosity of a paste in a preferable range. Preferably it is 8.0-40 mass parts. Moreover, it is preferable that the ratio of a plasticizer is 0-20 mass parts with respect to 100 mass parts of inorganic powders.

A-d. 페이스트의 조제 A-d. Preparation of paste

본 발명에 사용하는 페이스트로는, 상기 필수성분 외에, 분산제, 레벨링제, 점착성 부여제, 표면장력 조정제, 안정제, 소포제 등의 각종 첨가제가 임의 성분으로서 함유되어 있어도 좋다. 바람직한 페이스트(층형성 전)의 일례를 게시하면, 무기분말 100질량부에 대하여, 수지 1∼20질량부, 용제 10∼50질량부, 가소제 2∼10질량부를 함유하는 페이스트를 들 수 있다. 본 발명에 사용하는 페이스트는, 상기 성분을, 롤 혼련기, 믹서, 호모믹서, 샌드밀 등의 혼련·분산기를 사용해서 혼련함으로써 조제할 수 있다. 상기한 바와 같이 해서 조제되는 본 발명에 사용하는 페이스트는, 층의 형성에 적합한 유동성을 갖는 페이스트이다.As a paste used for this invention, in addition to the said essential component, various additives, such as a dispersing agent, a leveling agent, a tackifier, a surface tension regulator, a stabilizer, an antifoamer, may be contained as an arbitrary component. If an example of a preferable paste (before layer formation) is posted, the paste containing 1-20 mass parts of resins, 10-50 mass parts of solvents, and 2-10 mass parts of plasticizers with respect to 100 mass parts of inorganic powders is mentioned. The paste used for this invention can be prepared by kneading the said component using kneading | dispersing machines, such as a roll kneader, a mixer, a homomixer, and a sand mill. The paste used for this invention prepared as mentioned above is a paste which has the fluidity suitable for formation of a layer.

B. 전사필름의 제작 B. Production of Transfer Film

전사필름에 사용하는 가요성 가지지체는, 페이스트를 도포에 의해 담지시키는 것이다. 이 도설된 페이스트층은, 경시적으로 보존되어, 사용시에 유리기판 등의 기판에 전사됨과 아울러 가요성 가지지체는 박리된다.The flexible support body used for a transfer film is what carries a paste by application | coating. This pasted paste layer is preserved over time, is transferred to a substrate such as a glass substrate during use, and the flexible base member is peeled off.

이러한 가요성 가지지체로서는, 상기 기능이 발휘되는 것이라면, 그 소재, 형태 등은 특별히 제한되는 것이 아니다. 가요성 가지지체의 소재로서는, 통상, 수지필름이 사용되고, 예를 들면, 폴리에스테르계(예를 들면, 폴리에틸렌테레프탈레이트, 폴리에틸렌나프탈레이트 등), 폴리올레핀계(예를 들면, 폴리에틸렌, 폴리프로필렌 등), 포리아미드계(예를 들면, 나일론, 아라미드 등), 폴리이미드계, 폴리술폰계, 셀룰로오스계 등을 들 수 있고, 사용 목적에 따라서 그 종류, 물성(예를 들면, 영율, 열팽창율, 표면조도 등), 두께 등이 적당히 선정된다.As such a flexible support, as long as the above function is exhibited, the material, form, and the like are not particularly limited. As a raw material of the flexible branch body, a resin film is usually used, for example, polyester-based (for example, polyethylene terephthalate, polyethylene naphthalate, etc.), polyolefin-based (for example, polyethylene, polypropylene, etc.) And polyamides (e.g., nylon, aramid, etc.), polyimides, polysulfones, celluloses, and the like, depending on the purpose of use, and the type and physical properties (e.g., Young's modulus, thermal expansion rate, surface). Roughness, etc.), thickness, etc. are selected suitably.

또, 가요성 가지지체에는, 수지성분 이외에 다른 소재, 예를 들면, 무기분말, 이형제 등을 함유시킬 수 있다. 또한, 가요성 가지지체의 페이스트가 형성되는 측의 면을 물리적 및/또는 화학적으로 처리해도 좋다. 예를 들면, 톱코트처리(상기 이형성층을 형성하는 것, 예를 들면, 왁스코트, 실리콘코트 등의 수지코트 등), 금속증착처리, 스퍼터처리, 도금처리, 먼지제거처리, 알칼리처리, 열처리, 코로나방전처리, 플라즈마처리 등을 들 수 있다.In addition to the resin component, the flexible branch member may contain other materials such as inorganic powders, mold release agents, and the like. In addition, you may physically and / or chemically process the surface on the side where the paste of the flexible branch is formed. For example, top coat treatment (forming the release layer, for example, resin coat such as wax coat, silicone coat, etc.), metal deposition treatment, sputtering treatment, plating treatment, dust removal treatment, alkali treatment, heat treatment , Corona discharge treatment, plasma treatment, and the like.

가요성 가지지체상에의 도포에 제공되는 페이스트의 점도로서는, 0.1∼300㎩·sec인 것이 바람직하다. 도포기로서는, 롤코터, 블레이드코터, 커튼코터, 와이어코터 등을 들 수 있고, 이것에 의해 가요성 가지지체상에 페이스트층을 도포할 수 있고, 페이스트층을 롤상으로 권취한 상태로 보존하고, 공급할 수 있다. 가요성 가지지체의 두께로서는, 예를 들면 10∼100㎛를 들 수 있다. 전사필름을 구성하는 페이스트층은, 본 발명에 사용하는 페이스트를 가요성 가지지체상에 도포하고, 도막을 건조해서 용제의 일부 또는 전부를 제거하는 것에 의해 형성할 수 있다. 본 발명에 사용하는 페이스트를 가요성 가지지체상에 도포하는 방법으로서는, 막두께의 균일성이 뛰어난 막두께가 큰(예를 들면 20㎛이상) 도막을 효율적으로 형성할 수 있는 것이 바람직하다.As a viscosity of the paste provided for application | coating on a flexible support body, it is preferable that it is 0.1-300 Pa.sec. As a coater, a roll coater, a blade coater, a curtain coater, a wire coater, etc. are mentioned, By this, a paste layer can be apply | coated on a flexible support body, The paste layer is preserve | saved in the rolled state, Can supply As thickness of a flexible branch body, 10-100 micrometers is mentioned, for example. The paste layer which comprises a transfer film can be formed by apply | coating the paste used for this invention on a flexible support body, drying a coating film, and removing a part or all of a solvent. As a method of apply | coating the paste used for this invention on a flexible support body, it is preferable that the coating film with a large film thickness (for example, 20 micrometers or more) excellent in the uniformity of film thickness can be formed efficiently.

또, 본 발명에 사용하는 페이스트가 도포되는 가요성 가지지체의 표면에는 이형성층을 갖고 있는 것이 바람직하다. 이것에 의해, 기판상에의 페이스트층의 전사공정에 있어서, 가요성 가지지체의 박리조작을 용이하게 행할 수 있다. 또한, 전사필름에는, 페이스트층의 표면에 보호필름층이 형성되어도 좋다. 이러한 보호필름층으로서는, 폴리에틸렌테레프탈레이트필름, 폴리에틸렌필름, 폴리비닐알콜계필름등을 들 수 있다.Moreover, it is preferable to have a mold release layer on the surface of the flexible branch body to which the paste used for this invention is apply | coated. Thereby, in the transfer process of the paste layer on a board | substrate, peeling operation of a flexible branch body can be performed easily. In the transfer film, a protective film layer may be formed on the surface of the paste layer. Examples of such protective film layers include polyethylene terephthalate films, polyethylene films, and polyvinyl alcohol films.

본 발명에 사용하는 페이스트는, 상기한 바와 같이, 전사필름을 제조할 때에 사용해도 좋고, 스크린 인쇄법 등에 의해 상기 페이스트를 유리기판 등의 표면에 직접 도포하고, 도막을 건조함으로써 격벽 패턴의 페이스트층을 형성하는 방법에도 사용할 수 있고, 또 공지의 도포장치에 의해 페이스트층을 형성하고, 샌드블라스트법에 의해 패턴형성을 해도 좋다. 여기에, 스크린 인쇄법 등에 의한 기판에의 도포공정에 제공되는 페이스트의 점도로서는, 0.1∼300㎩·sec인 것이 바람직하다.The paste used in the present invention may be used when producing a transfer film as described above, and the paste layer of the partition pattern is applied by directly applying the paste onto the surface of a glass substrate or the like by a screen printing method or the like, and drying the coating film. It can also be used for a method of forming a metal, and a paste layer may be formed by a well-known coating apparatus, and pattern formation may be performed by the sandblasting method. Here, as a viscosity of the paste provided in the application | coating process to the board | substrate by a screen printing method etc., it is preferable that it is 0.1-300 Pa.sec.

C. PDP용 부재의 제조방법 C. Method of Manufacturing PDP Member

본 발명의 PDP용 부재의 제조방법은, 전사필름으로부터 유리판과 같은 기판상에 페이스트층을 형성하고, 상기 페이스트층의 표면에 감광성 드라이필름을 라미네이트하고, 상기 감광성 드라이필름상에 패턴노광, 현상을 차례로 행하여 형성한 레지스트 패턴을 사용하여, 샌드블라스트법에 의해 상기 기판상에 패턴을 형성하고, 이어서 소성해서 형성하는 방법이 바람직하다.In the method for manufacturing a member for a PDP of the present invention, a paste layer is formed on a substrate such as a glass plate from a transfer film, a photosensitive dry film is laminated on the surface of the paste layer, and pattern exposure and development are performed on the photosensitive dry film. Using the resist pattern formed in order, the pattern is formed on the said board | substrate by the sandblasting method, and then the method of baking and forming is preferable.

이 페이스트층의 표면에 라미네이트되는 감광성 드라이필름은, PET필름과 같은 가지지체상에 감광성 수지조성물층(레지스트층이라고도 함)이 형성되어 이루어지는 것이며, 포지티브형의 레지스트 재료이거나 네가티브형의 레지스트 재료라도 좋지만, 네가티브형 쪽이 바람직하다. 포지티브형에서는, 특히 알칼리 가용성 페놀 수지와 나프토퀴논디아지드의 혼합물로 이루어지는 포지티브형 레지스트가 바람직하다. 그중에서도 크레졸노블락수지와 o-나프토퀴논디아지드술폰산 유도체로 이루어지는 것이 바람직하다. 네가티브형으로서는, 알리시클릭 환을 갖는 쇄상 폴리머 등의 환화 고무와 방향족 비스아지드 화합물 등의 비스아지드 화합물이 조합된 환화 고무 비스아지드계 레지스트, 메타크레졸노블락수지에 1-아지드피렌이 조합된 노블락수지-아지드계 레지스트, 아크릴계 모노머와 광중합 개시제가 조합된 아크릴계 레지스트액 등을 들 수 있다. 이들은, 시판품으로서 입수할 수 있다.The photosensitive dry film laminated on the surface of the paste layer is formed by forming a photosensitive resin composition layer (also referred to as a resist layer) on a base such as a PET film, and may be a positive resist material or a negative resist material. Negative type is preferable. In positive type, the positive type resist which consists especially of mixture of alkali-soluble phenol resin and naphthoquinone diazide is preferable. Among them, it is preferable that it consists of cresol noblock resin and o-naphthoquinone diazide sulfonic-acid derivative. As the negative type, 1-azidepyrene is used in cyclized rubber bisazide-based resists and metacresol noblock resins in which cyclized rubbers such as chain polymers having alicyclic rings and bisazide compounds such as aromatic bisazide compounds are combined. And a combined acrylic resin solution in which a combined noblock resin-azide resist and an acrylic monomer and a photopolymerization initiator are combined. These can be obtained as a commercial item.

페이스트층이 형성되는 기판이란, 유리 등의 단체의 기판, 또는 상기 기판에 유전체층, 전극, 회로 등 중 적어도 1이상을 구비한 것 등을 말하고, 페이스트층이 형성되는 기판면은 기판의 표면이나 이면이어도 좋다.The substrate on which the paste layer is formed refers to a single substrate such as glass or a substrate having at least one or more of a dielectric layer, an electrode, a circuit, and the like. The substrate surface on which the paste layer is formed is the front surface or the back surface of the substrate. It may be.

본 발명의 PDP용 부재의 제조방법에 있어서는, 전극을 구비하는 기판면에 유전체층용 페이스트층을 형성하고, 그 위에 격벽용 페이스트층을 형성한 후, 상기 레지스트 재료를 그 격벽용 페이스트층상에 형성하는 것이 바람직하다.In the manufacturing method of the PDP member of this invention, a dielectric layer paste layer is formed in the board | substrate surface provided with an electrode, a partition paste layer is formed on it, and the said resist material is formed on the partition paste layer. It is preferable.

유전체층용 페이스트층은, 바인더로서 격벽용 페이스트층의 것보다 고분자의 것을 사용함으로써, 샌드블라스트에 의한 유전체층에의 침식을 방지할 수 있음과 아울러 전극을 보호하고, 또한 똑같은 높이로 애스펙트비가 특정한 격벽을 용이하게 얻을 수 있다.The dielectric paste layer is made of a polymer that is higher than that of the barrier paste layer as a binder, thereby preventing erosion into the dielectric layer due to sand blast, protecting the electrode, and forming a partition having a specific aspect ratio with the same height. It can be obtained easily.

여기에서, 사용하는 유전체층용 페이스트층은, 소성후, 격벽용 페이스트와 일체화하는 것이 바람직하고, 각각의 물성은 같아도 달라도 좋지만, 같게 하는 것이, 수율, 얻어지는 격벽의 성능의 관점에서 바람직하다.Here, the dielectric layer paste layer to be used is preferably integrated with the partition paste after firing, and although the physical properties thereof may be the same or different, it is preferable from the viewpoint of yield and performance of the partition to be obtained.

소성후의 유전체층은, 통상, 5∼50㎛정도의 두께가 바람직하다.As for the dielectric layer after baking, thickness of about 5-50 micrometers is preferable normally.

또, 소망에 의해 격벽용 페이스트층을 금 등의 박막전극이 노출된 기판면에 유전체층을 형성하지 않고 직접 형성할 수도 있다.If desired, the barrier paste layer may be formed directly without forming a dielectric layer on the substrate surface on which a thin film electrode such as gold is exposed.

PDP용 부재는, 격벽패턴의 오목부에 형광체층을 형성하는 것에 의해 PDP배면판을 제작할 수 있다.The member for PDP can produce a PDP back plate by forming a phosphor layer in the recessed part of a partition pattern.

페이스트층에 감광성 드라이필름을 라미네이트한 후, 감광성 드라이필름상에 노광장치를 사용해서 패턴노광을 행한다. 상기 페이스트층의 형성, 및 상기 라미네이트는, 열롤러를 사용할 수 있다. 페이스트층의 전사는, 전사필름의 페이스트층과 기판을 밀착시켜서 열롤러를 통과시키고, 그 후, 가지지체를 박리한다. 감광성 드라이필름의 라미네이트는, 그 페이스트층상에 감광성 드라이필름을 밀착시켜, 상기 와 마찬가지로 열롤러를 통과시키고, 그 후, 감광성 드라이필름의 가지지체를 박리하는 것을 들 수 있다. 이 감광성 드라이필름의 가지지체의 박리는 노광공정 전에도 후에 있어서도 행할 수 있다.After the photosensitive dry film is laminated on the paste layer, pattern exposure is performed on the photosensitive dry film using an exposure apparatus. The heat roller can be used for formation of the said paste layer and the said laminate. In the transfer of the paste layer, the paste layer of the transfer film and the substrate are brought into close contact with each other to allow the heat roller to pass through, and then the branch member is peeled off. The laminate of the photosensitive dry film is made to adhere the photosensitive dry film on the paste layer, pass the heat roller in the same manner as above, and then peel off the base member of the photosensitive dry film. Peeling of the support body of this photosensitive dry film can be performed also before and after an exposure process.

노광공정은 통상의 포토리소그래피로 행하여지도록, 포토마스크를 사용해서 마스크 노광하는 방법이 일반적이다. 사용하는 마스크는, 레지스트층의 감광성 유기성분의 종류에 따라, 네가티브형 혹은 포지티브형 중 어느쪽을 선정한다. 또한, 포토마스크를 사용하지 않고, 적색이나 청색의 가시광 레이저광, Ar이온 레이저, UV이온 레이저 등으로 직접 묘화하는 방법을 사용해도 좋다.The method of mask exposure using a photomask is common so that an exposure process may be performed by normal photolithography. The mask used selects either a negative type or a positive type according to the kind of photosensitive organic component of a resist layer. Moreover, you may use the method of drawing directly with a red or blue visible light laser light, Ar ion laser, UV ion laser, etc., without using a photomask.

노광장치로서는, 스테퍼 노광기, 프록시미티 노광기 등을 사용할 수 있다. 또한, 대면적의 노광을 행할 경우는, 유리기판 등의 기판을 반송하면서 노광을 행함으로써, 작은 노광면적의 노광기로, 큰 면적을 노광할 수 있다.As an exposure apparatus, a stepper exposure machine, a proximity exposure machine, etc. can be used. In the case of exposing a large area, exposure is carried out while transporting a substrate such as a glass substrate, whereby a large area can be exposed by an exposure machine having a small exposure area.

이 때 사용되는 활성광원은, 예를 들면, 가시광선, 근자외선, 자외선, 전자선, X선, 레이저광 등을 들 수 있지만, 이들 중에서 자외선이 바람직하고, 그 광원으로서는 예를 들면 저압수은등, 고압수은등, 초고압수은등, 할로겐램프, 살균등 등을 사용할 수 있다. 이들 중에서도 초고압수은등이 바람직하다. 노광조건은 도포두께에 따라 다르지만, 1∼100㎽/㎠ 출력의 초고압수은등을 사용해서 0.1∼30분간노광을 행한다.Examples of the active light source used at this time include visible light, near ultraviolet light, ultraviolet light, electron beam, X-ray, laser light, and the like. Among these, ultraviolet light is preferable, and as the light source, for example, low pressure mercury lamp and high pressure Mercury lamps, ultra-high pressure mercury lamps, halogen lamps, germicidal lamps and the like can be used. Among these, ultrahigh pressure mercury lamps are preferable. Although the exposure conditions vary depending on the coating thickness, exposure is performed for 0.1 to 30 minutes using an ultra-high pressure mercury lamp with an output of 1 to 100 Pa / cm 2.

노광후, 레지스트층의 감광부분과 비감광부분의 현상액에 대한 용해도차를 이용하여 현상을 행하지만, 이 경우, 침지법이나 스프레이법, 브러시법으로 행할 수 있다. 사용하는 현상액은, 물현상이 가능하지만, 레지스트층중의 유기성분이 용해가능한 유기용매도 사용할 수 있다. 레지스트층중에 카르복실기 등의 산성기를 가지는 화합물이 존재할 경우, 물보다 알칼리 수용액으로 현상하는 쪽이 바람직할 경우도 있다. 알칼리 수용액으로서 수산화나트륨이나 탄산나트륨, 수산화칼슘 수용액 등과 같은 금속 알칼리 수용액을 사용할 수 있지만, 유기 알칼리 수용액을 사용한 쪽이 소성시에 알칼리 성분을 제거하기 쉬우므로 바람직하다. 또한, 수지에 따라서는 물로 현상하는 것도 가능하다.After exposure, development is carried out using the difference in solubility of the photosensitive portion and the non-photosensitive portion of the resist layer in the developing solution. Although the developing solution used can develop water, the organic solvent in which the organic component in a resist layer is soluble can also be used. When there exists a compound which has acidic groups, such as a carboxyl group, in a resist layer, developing in aqueous alkali solution may be more preferable than water. As the aqueous alkali solution, a metal alkali aqueous solution such as sodium hydroxide, sodium carbonate, calcium hydroxide aqueous solution or the like can be used, but an organic alkali aqueous solution is preferred because it is easy to remove the alkali component during firing. Moreover, depending on resin, it is also possible to develop with water.

유기 알칼리로서는, 일반적인 아민 화합물을 사용할 수 있다. 구체적으로는, 테트라메틸암모늄히드록사이드, 트리메틸벤질암모늄히드록사이드, 모노에탄올아민, 디에탄올아민 등을 들 수 있다. 알칼리 수용액의 농도는 통상 0.01∼10질량%, 보다 바람직하게는 0.1∼5질량%이다. 알칼리 농도가 지나치게 낮으면 가용부가 제거되지 않고, 알칼리 농도가 지나치게 높으면, 패턴부를 박리시키고, 또 비가용부를 부식시킬 우려가 있어 바람직하지 못하다. 또한, 현상시의 현상온도는, 20∼40℃에서 행하는 것이 공정 관리상 바람직하다.As the organic alkali, a general amine compound can be used. Specifically, tetramethylammonium hydroxide, trimethylbenzyl ammonium hydroxide, monoethanolamine, diethanolamine, etc. are mentioned. The density | concentration of aqueous alkali solution is 0.01-10 mass% normally, More preferably, it is 0.1-5 mass%. If the alkali concentration is too low, the soluble part is not removed. If the alkali concentration is too high, the pattern part may be peeled off and the insoluble part may be corroded, which is not preferable. In addition, it is preferable on the process management that the developing temperature at the time of image development is performed at 20-40 degreeC.

다음에, 레지스트층에 형성된 패턴에 따라서 페이스트층을 제거하는 공정으로 이행한다. 이 공정은 샌드블라스트법이 바람직하다. 샌드블라스트법은, 압축기체와 혼합된 연마제 미립자를 고속으로 분사해서 물리적으로 페이스트층에 에칭을 실시하는 가공방법이다.Next, the process proceeds to the step of removing the paste layer in accordance with the pattern formed in the resist layer. The sandblasting method is preferable for this step. The sand blasting method is a processing method in which abrasive fine particles mixed with a compressor body are sprayed at high speed to physically etch the paste layer.

또, 페이스트층의 에칭에는, 일본 특허공개2000-16412호 공보에 기재된 고압 스프레이 현상을 이용할 수도 있다.Moreover, the high pressure spray image development of Unexamined-Japanese-Patent No. 2000-16412 can also be used for the etching of a paste layer.

페이스트층의 에칭의 후, 페이스트층상의 레지스트 패턴을 제거하는 공정을 설치해도 좋고, 그대로 소성공정으로 이행하여도 좋다. 이 레지스트 패턴을 제거하는 공정에서는, 박리액에 침지하거나, 스프레이 도포해서 제거할 수 있다.After the etching of the paste layer, a step of removing the resist pattern on the paste layer may be provided, or the process may be carried out as it is. In the process of removing this resist pattern, it can be immersed in peeling liquid or spray-coated and removed.

다음에 소성로에서 소성을 행한다. 소성 분위기나, 온도는 페이스트층이나 기판의 종류에 따라 다르지만, 공기중, 질소, 수소 등의 분위기중에서 소성한다. 소성로로서는, 배치식의 소성로나 벨트식의 연속형 소성로를 사용할 수 있다. 소성 온도는 400∼600℃에서 행한다. 소성 시간은 10∼60분간이다. 소성 온도는, 낮은 쪽이 에너지 경제적으로 바람직하지만, 유기성분을 제거하기 위해서와, 유리의 소결을 재촉하기 위해서는, 400℃의 온도가 필요하다. 또한, 600℃이상으로 높게 할 필요는 없다. 또한, 이상의 노광, 현상, 소성의 각 공정중에, 건조, 예비반응의 목적으로, 50∼300℃ 가열공정을 도입해도 좋다.Next, baking is performed in a kiln. The firing atmosphere and the temperature vary depending on the type of the paste layer and the substrate, but are fired in an atmosphere such as air, nitrogen, or hydrogen. As a kiln, a batch type kiln and a belt type continuous kiln can be used. Firing temperature is performed at 400-600 degreeC. The firing time is 10 to 60 minutes. The lower the calcination temperature is, the more energy-efficient it is, but a temperature of 400 ° C. is required in order to remove organic components and to promote sintering of the glass. In addition, it is not necessary to make it higher than 600 degreeC. In addition, you may introduce a 50-300 degreeC heating process in the above exposure, image development, and baking process for the purpose of drying and a preliminary reaction.

본 발명의 PDP용 부재의 제조방법으로서는, 감광성 드라이필름을 사용하는 방법 이외에, 전사필름 또는 도포 등을 사용해서 형성한 페이스트층을, 감광성 드라이필름을 사용하지 않고 형누름법에 의해 패턴을 기판상에 형성하는 방법을 사용해서 제조하는 방법을 사용할 수 있다. 이 형누름법은, 형틀을 페이스트층에 대고 직접적으로 페이스트층에 패턴을 형성하는 방법을 들 수 있다. 사용할 수 있는 형틀로서는, 볼록형상 패턴에 대응하는 부분이 오목형상이며, 오목형상 패턴에 대응하는 부분이 볼록형상의 형틀(회전형, 평형 등)을 들 수 있고, 이 형틀을 페이스트층에 소정 깊이까지 꽉 눌러서 페이스트층을 형틀에 따라서 소성변형시켜서, 패턴을 형성하는 방법이다.As a manufacturing method of the PDP member of this invention, in addition to the method of using a photosensitive dry film, the paste layer formed using the transfer film or application | coating etc. is patterned on a board | substrate by the mold pressing method without using a photosensitive dry film. The method of manufacturing using the method of forming in the said can be used. This mold pressing method is a method in which a pattern is directly formed on a paste layer by placing a mold on the paste layer. As a template which can be used, a part corresponding to a convex pattern is concave, and a part corresponding to the concave pattern is a convex mold (rotation type, equilibrium, etc.), and the mold is placed in the paste layer to a predetermined depth. By pressing firmly, the paste layer is plastically deformed according to the mold, thereby forming a pattern.

다른 형누름법으로서는, 패턴의 볼록부에 대응한 구멍을 갖는 암형을 페이스트층에 대고 그 볼록부만을 받아 들이고, 이어서 암형에 받아들인 페이스트층을 기판상에 상기 구멍에 대응한 수형이나 액압이나 기압으로 밀어내는 것에 의해 패턴을 형성하는 방법을 들 수 있다.As another mold pressing method, a female mold having a hole corresponding to the convex portion of the pattern is applied to the paste layer, and only the convex portion is accepted. The method of forming a pattern by pushing out is mentioned.

이들 형틀의 표면 및/또는 페이스트층 표면에는 상기 이형성층에 사용한 것 같은 이형제가 실시되어 있는 것이 바람직하다. 또한, 본 발명은, 예를 들면, 일본 특허공개 평10-326562호 공보, 일본 특허공개2002-93313호 공보에 기재된 방법을 채용할 수 있다.It is preferable that the mold release agent like what was used for the said mold release layer is given to the surface of these molds, and / or the paste layer surface. In addition, the present invention can employ the methods described in JP-A-10-326562 and JP-A-2002-93313, for example.

이 경우의 페이스트층은, 상기 형틀 성형이 가능하도록 그 페이스트층의 조성(특히 용제, 가소제 등의 종류, 양)이 선정되어, 그 가소성이 적정하게 조정된다.In this case, the composition of the paste layer (particularly, the kind and amount of a solvent, a plasticizer, etc.) of the paste layer is selected so that the mold molding can be performed, and the plasticity thereof is appropriately adjusted.

(실시예)(Example)

이하에, 본 발명에 대해서 실시예를 사용하여 구체적으로 설명한다. 단, 본 발명은 이것에 한정은 되지 않는다. 또, 「부」는 「질량부」를 의미한다.EMBODIMENT OF THE INVENTION Below, this invention is demonstrated concretely using an Example. However, this invention is not limited to this. In addition, "part" means a "mass part."

실시예 1∼8, 비교예 1∼6Examples 1-8, Comparative Examples 1-6

1) 도포용 페이스트의 조제1) Preparation of application paste

도포용 페이스트 1의 조제Preparation of Coating Paste 1

평균입자지름이 1.2㎛의 무기분말 가(A)(표 1에 기재) 70부와 평균입자지름이 7㎛의 무기분말 나(알루미나, 연화점:1200℃) 30부로 이루어지는 무기분말성분을, 터피네올과 디에틸렌글리콜모노부틸에테르아세테이트의 혼합용제에 2부의 수지(에틸셀룰로오스)를 용해한 용액에 분산, 그 후, 가소제로서, 디부틸프탈레이트를 첨가하고, 혼련하여, 도포용 페이스트 1을 얻었다. 또, 무기분말 가의 종류는 조성성분의 비율을 설정해서 소정의 연화점을 얻었다.An inorganic powder component consisting of 70 parts of inorganic powder (A) (shown in Table 1) having an average particle diameter of 1.2 μm and 30 parts of an inorganic powder having an average particle diameter of 7 μm (alumina, softening point: 1200 ° C.) is terpine. It disperse | distributed to the solution which melt | dissolved 2 parts of resin (ethylcellulose) in the mixed solvent of all and diethylene glycol monobutyl ether acetate, and then, as a plasticizer, dibutyl phthalate was added and kneaded, and the coating paste 1 was obtained. In addition, the kind of inorganic powder addition set the ratio of a composition component, and obtained the predetermined softening point.

도포용 페이스트 2∼5의 조제 Preparation of Coating Pastes 2-5

도포용 페이스트 1에 있어서, 표 2에 기재한 바와 같이 무기분말 성분을 변경한 이외는 마찬가지로 하여 도포용 페이스트 2∼5를 얻었다.In the coating paste 1, the coating pastes 2-5 were similarly obtained except having changed the inorganic powder component as shown in Table 2.

2) 페이스트층의 형성 2) Formation of Paste Layer

상기 도포용 페이스트 1∼5를 유리기판(1m×1m)상에 막두께를 변경해서 블레이드코터로 도포하고, 실시예 1∼7, 비교예 1∼7의 샘플을 제작했다.The coating pastes 1 to 5 were applied on a glass substrate (1m × 1m) by changing the film thickness with a blade coater to prepare samples of Examples 1 to 7 and Comparative Examples 1 to 7.

3) 감광성 드라이필름의 라미네이트 3) Laminate of Photosensitive Dry Film

이어서, 페이스트층상에, 보호막을 갖는 네가티브형 드라이필름 레지스트(니폰고세이카가쿠고교(주) 제품, NCP225, 25㎛)를 100℃의 열롤로 라미네이트했다.Next, on the paste layer, the negative dry film resist (Nip225 manufactured by Nippon Kosei Chemical Co., Ltd. product, NCP225, 25 micrometers) which has a protective film was laminated by the hot roll at 100 degreeC.

4) 패턴의 형성4) formation of patterns

레지스트층상에, 선폭 220㎛, 스페이스 80㎛의 라인 앤드 스페이스의 패턴 마스크를 위치를 맞춰서 배치하고, 자외선 조사(364㎚, 강도 20㎽/㎠, 조사량 120mJ/㎠)하고, 노광한 후 포토레지스트층상의 보호막을 박리하고, 액체온도 30℃의 탄산나트륨 1질량% 수용액을 사용해 스프레이 현상했다. 라인 패턴 마스크에 따른 레지스트 패턴이 얻어졌다.On the resist layer, a pattern mask of line and space having a line width of 220 m and a space of 80 m is arranged at a position, and is irradiated with ultraviolet rays (364 nm, intensity 20 mW / cm 2, irradiation amount 120 mJ / cm 2), and then exposed to a photoresist layer. The protective film was peeled off and spray-developed using a 1 mass% aqueous solution of sodium carbonate at a liquid temperature of 30 ° C. The resist pattern according to the line pattern mask was obtained.

이어서, 이 레지스트 패턴을 마스크로 하고, 샌드블라스트 가공장치를 사용하여, 레지스트 패턴 개구부의 페이스트층을 샌드블라스트 처리했다.Subsequently, using this resist pattern as a mask, the paste layer of the resist pattern opening part was sandblasted using the sandblast processing apparatus.

그 후, 패턴 처리된 페이스트층을 갖는 기판을 소성로 내에 배치하고, 로내의 온도를 상온으로부터 5℃/분의 승온속도로 570℃까지 승온하고, 570℃의 온도분위기에서 30분간에 걸쳐 소성처리함으로써, 유리기판 표면에 백색이고 불투명한 격벽 소성패턴을 형성했다.Thereafter, the substrate having the patterned paste layer was placed in a firing furnace, and the temperature in the furnace was raised from room temperature to 570 ° C at a temperature increase rate of 5 ° C / min, and calcined for 30 minutes in a temperature atmosphere of 570 ° C. On the surface of the glass substrate, a white and opaque partition plastic pattern was formed.

형성된 격벽 패턴의 애스펙트비, 격벽 높이, 다공성, 내수축율, 균열, 면내균일성, 유전율, 해상성에 대해서 평가하고, 결과를 표 2에 나타내었다.The aspect ratio, partition height, porosity, shrinkage ratio, crack, in-plane uniformity, dielectric constant, and resolution of the formed partition pattern were evaluated, and the results are shown in Table 2.

다공성 : 공극면적율을 구했다.Porosity: The pore area ratio was obtained.

내수축율(%) : (100×소성후 막두께/소성전 막두께)로 구했다.Shrinkage resistance (%): It was calculated | required as (100 * film thickness after baking / film thickness before baking).

균열 : 눈으로 보고 상세하게 관찰했다. 관찰하여 없으면 "무"로, 관찰되면 "유"로 했다.Crack: Observed in detail by eye. If there was no observation, it was "no" and if it was observed, it was "Yoo".

면내균일성 : 1m×1m의 기판에 형성한 격벽 높이의 편차를 이하와 같이 해서 구했다. 기판의 임의의 장소 20점의 높이의 평균치로부터의 변동량을 편차로서 구했다.In-plane uniformity: The deviation of the partition height formed on the 1 m x 1 m board | substrate was calculated | required as follows. The variation | variation amount from the average value of the height of 20 points of arbitrary places of a board | substrate was calculated | required as a deviation.

유전율 : 요코가와덴키제 유전율 측정기(1㎒)로 측정했다.Dielectric constant: It measured with the dielectric constant measuring instrument (1 MHz) made from Yokogawa Denki.

해상성 : 노광량을 변경해서 선폭을 교체하고, 소성후의 패턴의 한계해상력을 조사했다. 이 해상력은 소성후의 격벽의 폭(w)이다.Resolution: The line width was changed by changing the exposure dose, and the marginal resolution of the pattern after firing was examined. This resolution is the width w of the partition after firing.

형성된 격벽 소성패턴을 눈으로 관측한 바, 기판으로부터의 박리 등은 확인되지 않았다.Observation of the formed partition wall firing pattern visually revealed no peeling from the substrate.

또한 전자현미경으로 격벽의 단면을 관찰한 결과, 실시예에서는, 0.5∼10㎛의 무수한 공극이 확인되어, 다공성인 것이 확인되었다. 한편, 비교예 1∼6에서는, 이 공극 사이즈는 0.1미만이었다.In addition, as a result of observing the cross section of the partition wall with an electron microscope, in Example, a myriad of voids of 0.5 to 10 탆 were confirmed, and it was confirmed that it was porous. On the other hand, in Comparative Examples 1-6, this void size was less than 0.1.

상기 표로부터, 본 발명의 실시예는, 비교예에 비하여 적당한 공극을 갖고, 소성시의 수축이 적고, 두꺼운 막으로 되어도 균열이 생기지 않으며, 면내균일성도 양호한 것을 알 수 있다.From the above table, it can be seen that the Examples of the present invention have suitable voids as compared with the Comparative Examples, have less shrinkage during firing, no cracking even when formed into a thick film, and good in-plane uniformity.

또한, 본 발명의 실시예는, 적당한 공극을 가짐으로써 낮은 유전율을 달성할 수 있었다. 또한, 소성후의 선폭변화도 적고, 높은 해상성을 얻을 수 있는 것을 알았다.In addition, the embodiment of the present invention was able to achieve a low dielectric constant by having a suitable gap. In addition, it was found that the line width change after firing was small and high resolution was obtained.

실시예 9∼19Examples 9-19

실시예 5에서 사용한 무기분말 가 대신에, 표 3에 기재한 조성성분으로 이루어지는 무기 유리분말 D에서 M을 사용한 것 외는 실시예 5와 같은 조건으로 도포용 페이스트 및 격벽 소성패턴을 제작하고, 마찬가지로 평가했다. 결과를 표 4에 나타낸다.Instead of the inorganic powder used in Example 5, except that M was used in the inorganic glass powder D which consists of the composition components shown in Table 3, the application | coating paste and the partition calcining pattern were produced on the conditions similar to Example 5, and evaluated similarly did. The results are shown in Table 4.

상기 실시예 9∼19에 있어서, 실시예 1∼8에 비하여 유전율이 더욱 저하되는 것을 알수 있다. 이것에 의해, PDP의 패널의 발열을 억제할 수 있다. 또한, 본 실시예 9∼19의 무기분말을 사용함으로써 혼련하기 쉬워지기 때문인지, 도포성능이 향상되고, 면내균일성이 향상되었다. 실시예 9∼19의 공극 사이즈는 0.5∼25㎛이었다.It can be seen that in Examples 9 to 19, the dielectric constant is further lowered as compared with Examples 1 to 8. Thereby, heat generation of the panel of a PDP can be suppressed. Moreover, application | coating performance improved and in-plane uniformity improved whether it became easy to knead | mix by using the inorganic powder of Examples 9-19. The pore size of Examples 9-19 was 0.5-25 micrometers.

본 발명은, 평균입자지름 및 연화점이 서로 다른 2종 이상의 무기분말을 함유하는 페이스트를 사용함으로써, 저유전율이고 높이가 높고 또한 고애스펙트비의 격벽을 가진 대사이즈의 무기질막 및 그것을 갖는 PDP용 부재를 얻을 수 있다.The present invention uses a paste containing two or more kinds of inorganic powders having different average particle diameters and softening points, whereby a large-size inorganic membrane having a low dielectric constant, high height and high aspect ratio partition wall, and a member for PDP having the same Can be obtained.

또한, 본 발명은, 소성후도 선폭이나 막두께의 변화의 적은, 고정밀도이고 전력절약적인 격벽을 가진 대화면 PDP 등의 정밀전자장치를 제공할 수 있다.In addition, the present invention can provide a precision electronic device such as a large screen PDP having a high precision and power-saving partition with little change in line width or film thickness after firing.

Claims

An inorganic membrane having an aspect ratio of 1 to 10 and a height of 100 to 800 µm, having a pore size of 0.1 to 30 µm in cross section, 5 to 75% of void area ratio, and a height of 100 to 800 µm.

The inorganic membrane according to claim 1, wherein the dielectric constant is 3.5 to 12.

A member for PDP comprising the inorganic membrane according to claim 1.

Forming the partition pattern by the sandblasting method to the paste layer containing two or more types of inorganic powders from which a softening point and particle size differ from each other, and baking it forms the inorganic membrane of Claim 1 or 2 characterized by the above-mentioned. Method for producing inorganic membrane.

An inorganic film according to claim 1 or 2 is formed by forming a barrier rib pattern using a paste containing two or more kinds of inorganic powders having different softening points and particle sizes and a mold, followed by firing. Manufacturing method.

A PDP member according to claim 3 is formed by forming a barrier rib pattern by sandblasting on a paste layer containing two or more kinds of inorganic powders having different softening points and particle sizes, and then firing the same. Method of manufacturing the member.

A paste containing two or more kinds of inorganic powders having different softening points and particle sizes and a mold is formed, and then fired to form the PDP member according to claim 3, wherein the member for PDP is formed. Manufacturing method.