KR20050018042A - Chemical vapor deposition apparatus whose heater block can be leveled easily - Google Patents

Chemical vapor deposition apparatus whose heater block can be leveled easily

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KR20050018042A
KR20050018042A KR1020030055870A KR20030055870A KR20050018042A KR 20050018042 A KR20050018042 A KR 20050018042A KR 1020030055870 A KR1020030055870 A KR 1020030055870A KR 20030055870 A KR20030055870 A KR 20030055870A KR 20050018042 A KR20050018042 A KR 20050018042A
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김호곤
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삼성전자주식회사
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Abstract

PURPOSE: CVD(chemical vapor deposition) equipment capable of easily leveling a heater block is provided to guarantee uniformity of a semiconductor wafer and improve yield of a semiconductor wafer by quantifying the position of a heater block and by performing a position adjustment process by the quantified value. CONSTITUTION: A reaction chamber(200) is prepared. A shower head(230) injects reaction gas to a wafer, positioned in the reaction chamber. A wafer is placed in a heater block(210) positioned under the shower head in the reaction chamber. A heater block lift mechanism(240) adjusts the vertical position of the heater block in the outside of the reaction chamber. An interval measuring and displaying apparatus(300) that measures and displays the interval between the heater block and the shower head such that the interval is varied by the operation of the heater block lift mechanism is further included in the outside of the reaction chamber.

Description

히터 블록 레벨링이 용이한 화학 기상 증착 설비{Chemical vapor deposition apparatus whose heater block can be leveled easily} Chemical vapor deposition apparatus whose heater block can be leveled easily}

본 발명은 반도체 제조 설비에 관한 것으로, 특히 화학 기상 증착(CVD) 설비와 같이 반응 챔버 내부에 히터 블록을 포함하고 있는 반도체 제조 설비에 관한 것이다. BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to semiconductor manufacturing equipment, and more particularly to semiconductor manufacturing equipment including a heater block inside a reaction chamber, such as a chemical vapor deposition (CVD) equipment.

반도체 제조 설비 중 웨이퍼 가열이 필요한 설비는 반응 챔버 안에 히터 블록을 포함하고 있다. 예컨대 텅스텐 실리사이드(WSix) CVD 설비는 막질 형성을 위한 반응 가스로서 DCS 및 WF6을 이용하고 웨이퍼를 400℃~ 620℃까지 가열하여 WSix 막질을 증착하고 있어, 웨이퍼 가열을 위한 히터 블록이 반드시 필요하다. 히터 블록은 그 위에 웨이퍼가 직접 혹은 간접적으로 접촉하면서 재치되고, 내부에는 열선이 내장되어 있어 전원이 공급되면 줄(Joule) 열을 발생시킨다.Among the semiconductor manufacturing facilities, the wafer heating equipment includes a heater block in the reaction chamber. For example, a tungsten silicide (WSix) CVD facility uses DCS and WF 6 as the reaction gases for film formation, and deposits WSi x film by heating the wafer from 400 ° C. to 620 ° C., thus requiring a heater block for wafer heating. Do. The heater block is mounted while the wafer is directly or indirectly contacted thereon, and a heating wire is built in to generate joule heat when power is supplied.

그런데, 통상적인 CVD 설비를 사용하여 웨이퍼 위에 박막을 형성할 때, CVD 설비의 반응 챔버 내에서 증착 공정을 진행한 웨이퍼의 누적 매수가 증가함에 따라 웨이퍼의 증착 대상면 뿐만 아니라 반응 챔버 내부의 히터 블록 위에도 박막이 증착될 수 있다. 이는 박막 증착 공정 중에 반응 챔버 내에서 반응 가스가 웨이퍼 에지 부분을 통해 히터 블록 가장자리 쪽으로 침투하여 이 부분에서 박막 퇴적층이 형성되는 현상이 발생하기 때문이다. 히터 블록 위에 박막 퇴적층이 형성되면, 웨이퍼가 히터 블록 상에 재치될 때 비스듬하게 놓여지게 되어 웨이퍼의 공정 온도 산포가 나빠진다. 이로 인해 박막의 증착 특성이 불량하게 되어 증착 공정의 재현성을 확보할 수 없게 된다. 이와 같은 현상이 발생되면, 통상적으로 CVD 설비의 가동을 중단시키고 습식 세정 등과 같은 방법으로 히터 블록 위에 증착된 박막 퇴적층, 그리고 반응 챔버 내부의 이물질을 제거하고 다시 설비를 복구시키는 작업을 실시하게 된다. However, when a thin film is formed on a wafer using a conventional CVD facility, as the cumulative number of wafers which have been deposited in the reaction chamber of the CVD facility increases, not only the target surface of the wafer is deposited but also the heater block inside the reaction chamber. A thin film may also be deposited on it. This is because the reaction gas penetrates into the heater block edge through the wafer edge portion in the reaction chamber during the thin film deposition process, whereby a thin film deposition layer is formed. If a thin film deposition layer is formed on the heater block, the wafer is placed obliquely when placed on the heater block, thereby deteriorating the process temperature distribution of the wafer. As a result, the deposition characteristics of the thin film become poor, and thus the reproducibility of the deposition process cannot be secured. When such a phenomenon occurs, the operation of the CVD facility is usually stopped and the thin film deposition layer deposited on the heater block and the foreign matter inside the reaction chamber are removed and the facility is restored again by a method such as a wet cleaning.

이러한 작업 중, 히터 블록은 반응 가스를 웨이퍼 위에 분사하기 위해 사용하는 샤워 헤드(shower head)와 일정한 간격을 유지하도록 위치가 조정된다. 히터 블록 위치의 조정은 반응 챔버 외부에 배치된 히터 블록 리트프 메커니즘에 의한다. 예를 들어, 도 1에 도시한 것과 같은 CVD 설비에서, 반응 챔버(10) 하부에 위치한 히터 블록 리프트 메커니즘(20)을 사용하여 반응 챔버(10) 내부의 히터 블록 위치를 조정한다. During this operation, the heater block is positioned to maintain a constant distance from the shower head used to inject the reactant gas onto the wafer. The adjustment of the heater block position is by means of a heater block leaf mechanism disposed outside the reaction chamber. For example, in a CVD facility such as that shown in FIG. 1, the heater block lift mechanism 20 located below the reaction chamber 10 is used to adjust the heater block position inside the reaction chamber 10.

그런데, 히터 블록의 위치를 복구시켜도 증착 공정을 수행해서 얻은 박막의 3차원 지도(3D map)를 보면 한쪽으로 쳐지는 경우가 있다. 이렇게 불균형한 지도는 웨이퍼 표면에 증착되는 박막의 균일한 두께가 균일하지 못함을 의미하므로, 균일한 박막 두께를 얻기 위해서는, 히터 블록과 샤워 헤드 사이의 간격을 재조정하고 히터 블록이 어느 한쪽으로 기울어지지 않고 평평함을 유지하도록 하는 레벨링(leveling) 작업을 실시하여야 한다. However, even if the position of the heater block is restored, the 3D map of the thin film obtained by performing the deposition process may be struck to one side. This unbalanced map means that the uniform thickness of the thin film deposited on the wafer surface is not uniform, so in order to obtain a uniform thin film thickness, the gap between the heater block and the shower head is readjusted and the heater block does not tilt to either side. Leveling work should be carried out to maintain flatness.

도 1에서와 같은 히터 블록 리프트 메커니즘(20)은 반응 챔버(10)와는 서로 분리되어 있으며, 스프링의 장력에 의해 나사(30)와 간격 조정용 너트(40)로 결합되어 있다. 레벨링 작업은 반응 챔버(10)를 진공으로 둔 상태에서 간격 조정용 너트(40)를 돌려 실시하므로, 반응 챔버(10)를 열고 히터 블록을 육안으로 확인하면서 위치를 조정할 수가 없을 뿐더러, 어느 정도로 간격 조정용 너트(40)를 돌려야 어느 정도 위치가 변경되는지에 대한 데이터를 알 방법이 없다. 따라서, 현재는 작업자의 경험을 통해서만 히터 블록의 위치를 레벨링할 수 있고, 이 때문에 작업자마다 레벨링 작업에 대한 편차가 발생되고 있다. The heater block lift mechanism 20 as shown in FIG. 1 is separated from each other from the reaction chamber 10, and is coupled to the screw 30 and the gap adjusting nut 40 by the tension of the spring. Since the leveling operation is performed by turning the gap adjusting nut 40 while the reaction chamber 10 is placed in a vacuum, it is not possible to adjust the position while opening the reaction chamber 10 and visually checking the heater block. There is no way of knowing the data about how much the position changes by turning the nut 40. Therefore, at present, the position of the heater block can be leveled only based on the operator's experience, which causes variations in the leveling work for each operator.

본 발명이 이루고자 하는 기술적 과제는 작업자에 따른 작업 편차없이 히터 블록 레벨링 작업을 용이하게 실시할 수 있도록 하는 CVD 설비를 제공하는 것이다. The technical problem to be achieved by the present invention is to provide a CVD facility that can easily perform the heater block leveling operation without a work deviation according to the operator.

상기 기술적 과제를 달성하기 위한 본 발명에 따른 CVD 설비는, 반응 챔버, 상기 반응 챔버 내에 위치하고 반응 가스를 웨이퍼 상에 분사시켜 주는 샤워 헤드, 상기 반응 챔버 내에서 상기 샤워 헤드의 아래에 위치하고 웨이퍼가 재치되는 히터 블록, 및 상기 반응 챔버 외부에서 상기 히터 블록의 수직적 위치를 조정하는 히터 블록 리트프 메커니즘을 포함한다. 상기 히터 블록 리프트 메커니즘의 작동에 따라 변경되는 상기 히터 블록과 상기 샤워 헤드 사이의 간격을 실시간으로 측정하여 표시하는 간격 측정 및 표시 장치가 상기 반응 챔버 외부에 더 구비되어 있다. A CVD apparatus according to the present invention for achieving the above technical problem, the reaction chamber, a shower head located in the reaction chamber and injecting the reaction gas on the wafer, placed under the shower head in the reaction chamber and the wafer is placed And a heater block leaf mechanism for adjusting a vertical position of the heater block outside the reaction chamber. An interval measuring and display device for measuring and displaying in real time the distance between the heater block and the shower head which is changed according to the operation of the heater block lift mechanism is further provided outside the reaction chamber.

상기 기술적 과제를 달성하기 위한 본 발명에 따른 다른 CVD 설비는, 반응 챔버, 상기 반응 챔버 내에 위치하고 반응 가스를 웨이퍼 상에 분사시켜 주는 샤워 헤드, 상기 반응 챔버 내에서 상기 샤워 헤드의 아래에 위치하고 웨이퍼가 재치되는 히터 블록, 및 상기 반응 챔버 외부에서 상기 히터 블록의 수직적 위치를 조정하는 히터 블록 리트프 메커니즘을 포함한다. 상기 히터 블록 리프트 메커니즘은 플레이트, 일단이 상기 플레이트와 상기 반응 챔버를 관통하여 상기 히터 블록에 연결되고 타단은 모터에 연결된 리드 스크류, 상기 플레이트와 상기 반응 챔버를 관통하여 상기 히터 블록에 연결되고 상기 플레이트 하면의 간격 조정용 너트와 체결된 나사를 포함하며, 상기 간격 조정용 너트를 조절함에 따라 변경되는 상기 반응 챔버와 상기 플레이트 사이의 간격을 실시간으로 측정하여 표시하는 간격 측정 및 표시 장치를 상기 반응 챔버 외부에 더 구비한다. Another CVD apparatus according to the present invention for achieving the above technical problem, the reaction chamber, a shower head which is located in the reaction chamber and injects the reaction gas on the wafer, the wafer is located below the shower head in the reaction chamber And a heater block leaf mechanism for adjusting the vertical position of the heater block outside the reaction chamber. The heater block lift mechanism is a plate, one end of which is connected to the heater block through the plate and the reaction chamber and the other end is connected to the heater block, the other end is connected to the heater block through the plate and the reaction chamber and the plate A space measuring and display device including a screw fastened to a gap adjusting nut of a lower surface and measuring and displaying a gap between the reaction chamber and the plate, which is changed according to the adjustment of the gap adjusting nut, in real time. It is further provided.

기타 실시예의 구체적 사항들은 상세한 설명 및 도면들에 포함되어 있다. Specific details of other embodiments are included in the detailed description and drawings.

이하, 첨부한 도면을 참조하여 본 발명의 바람직한 실시예들을 상세히 설명한다. 도면에서 동일한 참조부호는 동일한 요소를 지칭한다. 그러나, 본 발명의 실시예들은 여러 가지 다른 형태로 변형될 수 있으며, 본 발명의 범위가 아래에서 기술하는 실시예들에 한정되는 것으로 해석되어서는 안된다. 본 발명은 첨부된 청구범위에 의해 정의되는 본 발명의 사상 및 범주 내에 포함될 수 있는 대안, 변형 및 등가를 포함한다. 또한, 후속하는 본 발명의 상세한 설명에서 다수의 특정 세부는 본 발명의 완전한 이해를 돕기 위해 제공된 것이다. 그러나, 당 분야에서 숙련된 자라면 이들 특정 세부가 없이도 본 발명이 실시될 수 있음을 명백히 알 것이다. Hereinafter, exemplary embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings. Like reference numerals in the drawings refer to like elements. However, embodiments of the present invention may be modified in many different forms, and the scope of the present invention should not be construed as being limited to the embodiments described below. The invention includes alternatives, modifications and equivalents that may be included within the spirit and scope of the invention as defined by the appended claims. In addition, in the following detailed description of the invention, numerous specific details are provided to aid in a thorough understanding of the present invention. However, it will be apparent to one skilled in the art that the present invention may be practiced without these specific details.

(제1 실시예) (First embodiment)

도 2는 본 발명의 제1 실시예에 따른 CVD 설비의 요부 구성을 설명하기 위한 도면이다. FIG. 2 is a diagram for explaining a main configuration of a CVD apparatus according to the first embodiment of the present invention.

도 2를 참조하면, 본 발명의 실시예에 따른 CVD 설비는 웨이퍼(W) 위에 화학 기상 반응으로 박막을 증착할 반응 챔버(100)를 구비한다. CVD 공정중에 반응 챔버(100) 내부는 진공 펌프(도시 생략)에 의하여 진공으로 유지된다. 반응 챔버(100) 내에는 히터 블록(110)이 설치되어 있고, 웨이퍼(W)는 히터 블록(110) 상에 재치된다. Referring to FIG. 2, a CVD apparatus according to an embodiment of the present invention includes a reaction chamber 100 for depositing a thin film by chemical vapor reaction on a wafer W. Referring to FIG. During the CVD process, the interior of the reaction chamber 100 is maintained in vacuum by a vacuum pump (not shown). The heater block 110 is provided in the reaction chamber 100, and the wafer W is placed on the heater block 110.

반응 챔버(100) 내부의 상측에는 공급관(120)을 통하여 외부로부터 공급되는 반응 가스를 반응 챔버(100) 내부로 웨이퍼(W) 상에 공급하기 위한 샤워 헤드(130)가 설치되어 있다. Above the inside of the reaction chamber 100, a shower head 130 for supplying a reaction gas supplied from the outside through the supply pipe 120 to the inside of the reaction chamber 100 on the wafer W is installed.

반응 챔버(100) 외부에는 히터 블록(110)의 수직적 위치를 조정하는 히터 블록 리트프 메커니즘(140)이 구비되어 있다. Outside the reaction chamber 100 is provided with a heater block leaf mechanism 140 for adjusting the vertical position of the heater block 110.

그리고, 히터 블록 리프트 메커니즘(140)의 작동에 따라 변경되는 히터 블록(110)과 샤워 헤드(130) 사이의 간격을 실시간으로 측정하여 표시하는 간격 측정 및 표시 장치(150)가 반응 챔버(110) 외부에 더 구비되어 있다. In addition, the interval measuring and display device 150 for measuring and displaying in real time the distance between the heater block 110 and the shower head 130 changed according to the operation of the heater block lift mechanism 140, the reaction chamber 110. It is further provided on the outside.

작업자는 히터 블록 리프트 메커니즘(140)을 작동시키면서 히터 블록(110)과 샤워 헤드(130) 사이의 간격을 조정하는 동안, 이를 실시간으로 측정하여 표시하는 간격 측정 및 표시 장치(150)를 보면서 레벨링 작업을 용이하게 실시할 수 있다. While the operator operates the heater block lift mechanism 140 and adjusts the gap between the heater block 110 and the shower head 130, the worker performs leveling while watching the interval measuring and display device 150 that measures and displays it in real time. Can be easily performed.

(제2 실시예)(2nd Example)

도 3은 본 발명의 제2 실시예에 따른 CVD 설비의 요부 구성을 설명하기 위한 도면이다.3 is a view for explaining the main configuration of the CVD facility according to the second embodiment of the present invention.

상기 제1 실시예에서는 히터 블록과 샤워 헤드 사이의 간격을 직접적으로 측정하여 표시하는 방식을 설명하였으나, 본 제2 실시예에서는 반응 챔버와 히터 블록 리프트 메커니즘의 플레이트 사이의 간격을 측정하여 샤워 헤드와 히터 블록 사이의 간격을 간접적으로 측정하는 방식을 설명한다. In the first embodiment, a method of directly measuring and displaying the distance between the heater block and the shower head has been described. In the second embodiment, the distance between the reaction chamber and the plate of the heater block lift mechanism is measured to measure the distance between the shower head and the shower head. A method of indirectly measuring the distance between the heater blocks will be described.

도 3을 참조하면, 웨이퍼(W’) 위에 화학 기상 반응으로 박막을 증착할 반응 챔버(200)를 구비한다. CVD 공정중에 반응 챔버(200) 내부는 진공 펌프(도시 생략)에 의하여 진공으로 유지된다. 반응 챔버(200) 내에는 히터 블록(210)이 설치되어 있고, 웨이퍼(W’)는 히터 블록(210) 상에 재치된다. Referring to FIG. 3, a reaction chamber 200 for depositing a thin film by chemical vapor reaction on a wafer W ′ is provided. During the CVD process, the interior of the reaction chamber 200 is maintained in vacuum by a vacuum pump (not shown). The heater block 210 is installed in the reaction chamber 200, and the wafer W ′ is mounted on the heater block 210.

반응 챔버(200) 내부의 상측에는 공급관(220)을 통하여 외부로부터 공급되는 반응 가스를 반응 챔버(200) 내부로 웨이퍼(W’) 상에 공급하기 위한 샤워 헤드(230)가 설치되어 있다. Above the inside of the reaction chamber 200, a shower head 230 for supplying a reaction gas supplied from the outside through the supply pipe 220 to the reaction chamber 200 on the wafer W 'is installed.

반응 챔버(200) 외부에는 히터 블록(210)의 수직적 위치를 조정하는 히터 블록 리트프 메커니즘(240)이 구비되어 있다. 히터 블록 리프트 메커니즘(240)은 플레이트(250)를 포함한다. 히터 블록(210)의 수직적 위치를 매크로(macro)하게 조정하는 리드 스크류(270)가 그 일단이 플레이트(250)와 반응 챔버(200)를 관통하여 히터 블록(210)에 연결되어 있고 타단은 모터(260)에 연결되어 있다. 플레이트(250)와 반응 챔버(200)를 관통하여 히터 블록(210)에 연결된 나사(280)는 플레이트(250) 하면의 간격 조정용 너트(290)와 체결되어서, 간격 조정용 너트(290)를 조절함에 따라 히터 블록(210)의 수직적 위치를 마이크로(micro)하게 조정하는 데 사용된다. Outside the reaction chamber 200 is provided with a heater block leaf mechanism 240 for adjusting the vertical position of the heater block 210. The heater block lift mechanism 240 includes a plate 250. A lead screw 270 for macro-adjusting the vertical position of the heater block 210 is connected to the heater block 210 through one end thereof through the plate 250 and the reaction chamber 200 and the other end of the motor. 260 is connected. The screw 280 connected to the heater block 210 through the plate 250 and the reaction chamber 200 is fastened to the gap adjusting nut 290 on the bottom surface of the plate 250 to adjust the gap adjusting nut 290. Accordingly used to micro adjust the vertical position of the heater block 210.

간격 조정용 너트(290)를 조절함에 따라 변경되는 반응 챔버(200)와 플레이트(250) 사이의 간격은 반응 챔버(200) 외부에 구비된 간격 측정 및 표시 장치(300)가 실시간으로 측정하여 표시한다. 도시한 것과 같이, 나사(280)와 간격 조정용 너트(290)가 리드 스크류(270)을 중심으로 대칭적으로 두 쌍이 구비되는 경우에, 간격 측정 및 표시 장치(300)도 대칭적으로 두 쌍을 설치하는 것이 좋다. The gap between the reaction chamber 200 and the plate 250, which is changed by adjusting the gap adjusting nut 290, is measured and displayed in real time by the gap measurement and display device 300 provided outside the reaction chamber 200. . As shown, in the case where the screw 280 and the gap adjusting nut 290 are provided symmetrically with respect to the lead screw 270, the gap measuring and display device 300 also symmetrically pairs the pair. It is good to install.

간격 측정 및 표시 장치(300)는 도 4에 도시한 것과 같은 디지털 게이지인 것이 바람직하다. 디지털 게이지(300’)의 프로브 팁(probe tip)(302)은 반응 챔버(200) 하단과 닿게 한다. 프로브 팁(302)의 모양은 특별히 정해진 것은 아니다. 디지털 게이지(300’)의 다른 한쪽(303)은 플레이트(250) 상에 설치한다. 이 프로브 팁(302)은 반응 챔버(200)와 플레이트(250) 사이의 거리에 따라 달라지고, 그 정도는 움직임을 감지할 수 있는 게이지 본체(304)에서 수치화하여 보여 준다. 간격 조정용 너트(290)를 풀면 플레이트(250)가 하방으로 이동한다. 따라서, 프로브 팁(302)이 반응 챔버(200)와 점차 멀어진다. 이 경우, 움직임을 감지할 수 있는 수치가 커진다. 이는 곧, 플레이트(250)와 연동하여 하방으로 이동한 히터 블록(210)과 반응 챔버(200) 안에 고정 설치되어 있는 샤워 헤드(230) 사이의 간격이 커진 것을 의미한다. 반대로, 간격 조정용 너트(290)를 조이면 플레이트(250)가 상방으로 이동한다. 따라서, 프로브 팁(302)이 반응 챔버(200)에 의해 눌린다. 이 경우, 움직임을 감지할 수 있는 수치가 작아진다. 이는 곧, 플레이트(250)와 연동하여 상방으로 이동한 히터 블록(210)과 반응 챔버(200) 안에 고정 설치되어 있는 샤워 헤드(230) 사이의 간격이 작아진 것을 의미한다.Preferably, the gap measurement and display device 300 is a digital gauge as shown in FIG. The probe tip 302 of the digital gauge 300 ′ contacts the bottom of the reaction chamber 200. The shape of the probe tip 302 is not particularly defined. The other side 303 of the digital gauge 300 ′ is mounted on the plate 250. The probe tip 302 depends on the distance between the reaction chamber 200 and the plate 250, and the extent is numerically shown in the gauge body 304 capable of detecting movement. When the gap adjusting nut 290 is loosened, the plate 250 moves downward. Thus, the probe tip 302 is gradually away from the reaction chamber 200. In this case, the number that can detect the movement increases. This means that the distance between the heater block 210 moved downward in association with the plate 250 and the shower head 230 fixed in the reaction chamber 200 is increased. On the contrary, when the gap adjusting nut 290 is tightened, the plate 250 moves upward. Thus, the probe tip 302 is pressed by the reaction chamber 200. In this case, the number that can detect the movement is small. This means that the distance between the heater block 210 moved upward in association with the plate 250 and the shower head 230 fixed in the reaction chamber 200 is reduced.

지금까지는 간격 조정용 너트를 조이는 정도가 작업자의 경험에 의해 이루어졌으나, 본 발명에서와 같이, 움직임을 감지할 수 있는 근접 센서 또는 게이지와 같은 간격 측정 및 표시 장치(300)를 설치함으로써, 반응 챔버(200)와 플레이트(250) 사이의 간격, 곧 히터 블록(210)과 샤워 헤드(230) 사이의 간격이 수치로 나타나기 때문에 간격을 눈으로 보면서 미세한 조정을 할 수가 있다. 따라서, 레벨링 작업을 좀 더 정확하게 할 수 있게 된다. 간격이 수치로 정량화되어 표시되기 때문에 작업자에 따른 작업 편차를 줄일 수 있다. Until now, the degree of tightening the gap adjusting nut has been achieved by the operator's experience, but as in the present invention, by installing the gap measuring and display device 300 such as a proximity sensor or a gauge that can detect movement, the reaction chamber ( Since the interval between the 200 and the plate 250, that is, the interval between the heater block 210 and the shower head 230, is represented by a numerical value, fine adjustment can be made by visually looking at the interval. Therefore, the leveling operation can be more accurately performed. Intervals are quantified and displayed to reduce operator deviations.

그리고, 간격 조정용 너트(290)의 조정에 따라 그때 그때 변화하는 간격은 실시간으로 간격 측정 및 표시 장치(300)에 의해 바로 바로 표시가 된다. 따라서, 작업자는 현재 상태를 기준으로 시계 또는 반시계 방향으로 얼마 만큼의 수치로 돌리면 되는지를 알 수가 있다. Then, according to the adjustment of the gap adjusting nut 290, the gap changing at that time is immediately displayed by the gap measurement and display device 300 in real time. Therefore, the operator can know how much value to turn clockwise or counterclockwise based on the current state.

도 4에 소개한 디지털 게이지(300’) 대신에, 간격 측정 및 표시 장치(300)로서 아날로그 게이지를 사용할 수도 있다. 또는, 움직임을 감지할 수 있는 근접 센서와 그 측정 결과의 표시를 위한 디스플레이 유닛(display unit)으로 구성할 수도 있다. Instead of the digital gauge 300 ′ shown in FIG. 4, an analog gauge may be used as the gap measurement and display device 300. Alternatively, the present invention may be configured of a proximity sensor capable of detecting a movement and a display unit for displaying the measurement result.

도 3에서 간격 측정 및 표시 장치(300)는 반응 챔버(200)와 플레이트(250) 사이에 구비된 것으로 도시하였다. 그러나, 간격 측정 및 표시 장치(300)는 어느 위치에 설치되어도 무방하다. 다만, 반응 챔버(200)와 플레이트(250) 사이의 간격만 측정할 수 있으면 된다. 한편, 간격 측정 및 표시 장치(300)는 외부의 전원 없이 단독으로 사용할 수 있는 것일 수 있다. In FIG. 3, the gap measurement and display device 300 is provided between the reaction chamber 200 and the plate 250. However, the gap measurement and display device 300 may be installed at any position. However, only the interval between the reaction chamber 200 and the plate 250 may be measured. Meanwhile, the gap measurement and display device 300 may be used alone without an external power source.

또한, 간격 조정용 너트(290)를 원격지에서 조정할 수 있도록 간격 조정용 너트(290)에 모터(310)와 인코더(320)(encoder)를 더 연결할 수 있다. In addition, the motor 310 and the encoder 320 may be further connected to the gap adjusting nut 290 so as to remotely adjust the gap adjusting nut 290.

이와 같은 본 발명의 실시예들에 다르면, 반응 챔버와 히터 블록 리프트 메커니즘의 플레이트 사이의 간격을 측정하여 샤워 헤드와 히터 블록 사이의 간격을 간접적으로 측정하는 간격 측정 및 표시 장치 또는 샤워 헤드와 히터 블록 사이의 간격을 직접 측정하여 표시하는 간격 측정 및 표시 장치를 설치함으로써 히터 블록 레벨링에 소요되는 시간을 크게 단축시킬 수 있음은 물론 간격을 정밀하게 조정할 수 있다. 뿐만 아니라, 작업자간에 측정 및 조절 편차를 크게 감소시키는 다양한 효과를 갖는다. According to such embodiments of the present invention, an interval measuring and displaying device or shower head and heater block indirectly measuring the distance between the shower head and the heater block by measuring the gap between the reaction chamber and the plate of the heater block lift mechanism. By providing an interval measuring and display device that directly measures and displays the distance between the heaters, the time required for leveling the heater block can be greatly shortened, and the interval can be precisely adjusted. In addition, it has various effects that greatly reduce the measurement and adjustment deviations between operators.

이상, 본 발명을 바람직한 실시예들을 들어 상세하게 설명하였으나, 본 발명은 상기 실시예들에 한정되지 않으며, 본 발명의 기술적 사상 내에서 당 분야에서 통상의 지식을 가진 자에 의하여 여러 가지 많은 변형이 가능함은 명백하다.As mentioned above, the present invention has been described in detail with reference to preferred embodiments, but the present invention is not limited to the above embodiments, and various modifications may be made by those skilled in the art within the technical idea of the present invention. It is obvious.

상술한 바와 같이 본 발명에 따르면, 히터 블록의 위치를 수치화해서 볼 수 있고, 수치화된 값으로 위치 조정 작업을 함으로써 짧은 시간 내에 간격을 용이하게 측정할 수 있고 측정 정밀도도 향상되어 레벨링 작업 시간이 단축된다. 기존에는 경험에 의한 작업이어서 편차가 많았는데, 본 발명에 따르면 수치화된 작업을 할 수 있어 작업자에 따른 측정 편차가 최소로 된다. 따라서, 설비 생산성도 향상시킬 수 있다. 용이한 레벨링 작업을 통해 반도체 웨이퍼의 균일성을 확보함과 아울러 반도체 웨이퍼의 수율을 향상시키는 효과를 가지고 있다. As described above, according to the present invention, the position of the heater block can be viewed numerically, and by adjusting the position with the numerical value, the interval can be easily measured within a short time, and the measurement accuracy is also improved, thereby reducing the leveling work time. do. In the past, there were many deviations because of the experience, according to the present invention can be a numerical work, the measurement deviation according to the operator is minimized. Therefore, facility productivity can also be improved. Through easy leveling, the uniformity of the semiconductor wafer is ensured and the yield of the semiconductor wafer is improved.

도 1은 종래 화학 기상 증착(CVD) 설비의 히터 블록 리프트 메커니즘을 촬영한 사진이다.1 is a photograph of a heater block lift mechanism of a conventional chemical vapor deposition (CVD) facility.

도 2는 본 발명의 제1 실시예에 따른 CVD 설비의 요부 구성을 설명하기 위한 도면이다.FIG. 2 is a diagram for explaining a main configuration of a CVD apparatus according to the first embodiment of the present invention.

도 3은 본 발명의 제2 실시예에 따른 CVD 설비의 요부 구성을 설명하기 위한 도면이다.3 is a view for explaining the main configuration of the CVD facility according to the second embodiment of the present invention.

도 4는 도 3의 설비에 포함된 간격 측정 및 표시 장치의 예로서, 디지털 게이지를 도시한 도면이다. 4 is a diagram illustrating a digital gauge as an example of an interval measuring and display device included in the facility of FIG. 3.

<도면의 주요 부분에 대한 부호의 설명><Explanation of symbols for the main parts of the drawings>

100, 200…반응 챔버110, 210…히터 블록100, 200... Reaction chambers 110, 210... Heater block

130, 230…샤워 헤드140, 240…히터 블록 리트프 메커니즘130, 230... Shower head 140, 240. Heater block leaflet mechanism

150, 300…간격 측정 및 표시 장치250…플레이트150, 300... Interval measuring and display device 250... plate

270…리드 스크류280…나사270... Lead screw 280... screw

290…간격 조정용 너트300’…디지털 게이지290... Nut 300 'for gap adjustment. Digital gauge

Claims (8)

반응 챔버;Reaction chamber; 상기 반응 챔버 내에 위치하고 반응 가스를 웨이퍼 상에 분사시켜 주는 샤워 헤드;A shower head positioned in the reaction chamber and spraying a reaction gas onto a wafer; 상기 반응 챔버 내에서 상기 샤워 헤드의 아래에 위치하고 웨이퍼가 재치되는 히터 블록; 및A heater block positioned below the shower head in the reaction chamber and in which a wafer is placed; And 상기 반응 챔버 외부에서 상기 히터 블록의 수직적 위치를 조정하는 히터 블록 리트프 메커니즘을 포함하고, A heater block lift mechanism for adjusting the vertical position of the heater block outside the reaction chamber, 상기 히터 블록 리프트 메커니즘의 작동에 따라 변경되는 상기 히터 블록과 상기 샤워 헤드 사이의 간격을 실시간으로 측정하여 표시하는 간격 측정 및 표시 장치를 상기 반응 챔버 외부에 더 구비한 것을 특징으로 하는 반도체 소자 제조용 화학 기상 증착 설비. And a gap measurement and display device outside the reaction chamber for measuring and displaying in real time the distance between the heater block and the shower head changed according to the operation of the heater block lift mechanism. Vapor deposition equipment. 제1항에 있어서, 상기 간격 측정 및 표시 장치는 아날로그 게이지, 디지털 게이지, 또는 근접 센서와 디스플레이 유닛인 것을 특징으로 하는 화학 기상 증착 설비. The chemical vapor deposition apparatus according to claim 1, wherein the interval measuring and displaying device is an analog gauge, a digital gauge, or a proximity sensor and a display unit. 제1항에 있어서, 상기 간격 측정 및 표시 장치는 외부의 전원 없이 단독으로 사용할 수 있는 것을 특징으로 하는 화학 기상 증착 설비.The chemical vapor deposition apparatus according to claim 1, wherein the interval measuring and display device can be used alone without an external power source. 반응 챔버;Reaction chamber; 상기 반응 챔버 내에 위치하고 반응 가스를 웨이퍼 상에 분사시켜 주는 샤워 헤드;A shower head positioned in the reaction chamber and spraying a reaction gas onto a wafer; 상기 반응 챔버 내에서 상기 샤워 헤드의 아래에 위치하고 웨이퍼가 재치되는 히터 블록; 및A heater block positioned below the shower head in the reaction chamber and in which a wafer is placed; And 상기 반응 챔버 외부에서 상기 히터 블록의 수직적 위치를 조정하는 히터 블록 리트프 메커니즘을 포함하고, A heater block lift mechanism for adjusting the vertical position of the heater block outside the reaction chamber, 상기 히터 블록 리프트 메커니즘은 플레이트, 일단이 상기 플레이트와 상기 반응 챔버를 관통하여 상기 히터 블록에 연결되고 타단은 모터에 연결된 리드 스크류, 상기 플레이트와 상기 반응 챔버를 관통하여 상기 히터 블록에 연결되고 상기 플레이트 하면의 간격 조정용 너트와 체결된 나사를 포함하며,The heater block lift mechanism is a plate, one end of which is connected to the heater block through the plate and the reaction chamber and the other end is connected to the heater block, the other end is connected to the heater block through the plate and the reaction chamber and the plate It includes a screw fastened to the gap adjusting nut of the lower surface, 상기 간격 조정용 너트를 조절함에 따라 변경되는 상기 반응 챔버와 상기 플레이트 사이의 간격을 실시간으로 측정하여 표시하는 간격 측정 및 표시 장치를 상기 반응 챔버 외부에 더 구비한 것을 특징으로 하는 반도체 소자 제조용 화학 기상 증착 설비.Chemical vapor deposition for manufacturing a semiconductor device, characterized in that it further comprises an interval measuring and display device outside the reaction chamber to measure and display in real time the distance between the reaction chamber and the plate changed by adjusting the gap adjusting nut. equipment. 제4항에 있어서, 상기 간격 측정 및 표시 장치는 아날로그 게이지, 디지털 게이지, 또는 근접 센서와 디스플레이 유닛인 것을 특징으로 하는 화학 기상 증착 설비.5. The chemical vapor deposition apparatus as claimed in claim 4, wherein the gap measuring and display device is an analog gauge, a digital gauge, or a proximity sensor and a display unit. 제4항에 있어서, 상기 간격 측정 및 표시 장치는 외부의 전원 없이 단독으로 사용할 수 있는 것을 특징으로 하는 화학 기상 증착 설비.The chemical vapor deposition apparatus according to claim 4, wherein the interval measuring and display device can be used alone without an external power source. 제4항에 있어서, 상기 간격 측정 및 표시 장치는 상기 반응 챔버와 상기 플레이트 사이에 구비된 것을 특징으로 하는 화학 기상 증착 설비.The chemical vapor deposition apparatus according to claim 4, wherein the gap measuring and display device is provided between the reaction chamber and the plate. 제4항에 있어서, 상기 간격 조정용 너트를 원격지에서 조정할 수 있도록 상기 간격 조정용 너트에 연결된 모터와 인코더를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 화학 기상 증착 설비. The chemical vapor deposition apparatus according to claim 4, further comprising a motor and an encoder connected to the gap adjusting nut so as to remotely adjust the gap adjusting nut.
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