KR20050016052A - 플라즈마 디스플레이용 제어 회로에서의 전압 램프 생성디바이스 - Google Patents

플라즈마 디스플레이용 제어 회로에서의 전압 램프 생성디바이스

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KR20050016052A
KR20050016052A KR1020040060184A KR20040060184A KR20050016052A KR 20050016052 A KR20050016052 A KR 20050016052A KR 1020040060184 A KR1020040060184 A KR 1020040060184A KR 20040060184 A KR20040060184 A KR 20040060184A KR 20050016052 A KR20050016052 A KR 20050016052A
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KR
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switches
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panel
switch
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쟝-라팰 브잘
게라르 모리조
필립 마르샹
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톰슨 프라즈마
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Abstract

본 발명은 플라즈마 디스플레이 패널에서 전압 램프를 생성하는 디바이스에 관한 것이다. 플라즈마 디스플레이 패널의 셀의 벽 상에 존재하는 전하를 축적하고(prime) 및/또는 리셋하기 위해, 디스플레이 패널의 셀의 전극 사이에 전압 램프를 인가하는 것이 알려져 있다. 이러한 램프를 생성하는 동작을 수행하는 디바이스는 보통 적어도 하나의 DC 전압원, 인덕터, 선형 모드로 동작하는 스위치 및 다이오드를 포함한다. 스위치로 동작하는 트랜지스터에서 소산되는 에너지는 상대적으로 높다. 이러한 소산을 줄이기 위해, 본 발명은 스위치가 쵸핑 모드(chopping mode)로 동작하는 디바이스를 제안한다.

Description

플라즈마 디스플레이용 제어 회로에서의 전압 램프 생성 디바이스{DEVICE FOR GENERATING A VOLTAGE RAMP IN A CONTROL CIRCUIT FOR A PLASMA DISPLAY}
본 발명은 플라즈마 디스플레이 패널에서 전압 램프를 생성하는 디바이스에 관한 것이다.
이후 PDP로 호칭되는 플라즈마 디스플레이 패널은 평면 디스플레이이다. 이들은 일반적으로 두 개의 평행한 절연판을 포함하며, 이러한 절연판은 각각 하나 이상의 전극 어레이를 포함하며, 그 사이에 가스-충전 공간을 한정한다. 이들 절연판은 서로 결합되어 이들 어레이의 전극 사이에 교차부를 한정한다. 전극의 각 교차부는 장벽 리브(barrier rib)에 의해 부분적으로 경계가 정해지는 가스 공간에 대응하는 기본 셀을 한정하며, 이 셀에서 이 셀이 활성화되는 경우에 전기 방전이 일어난다. 종래에는, 서로 다른 판에 각각 배치된 교차된 전극의 두 어레이가 셀에서의 방전을 어드레싱하는 동작을 수행하며, 평행한 동일평면상의 전극의 두 어레이가 이들 방전을 지속하는 동작을 수행한다. 일반적으로, 동일평면상의 전극 어레이중 하나는 어드레싱 동작과 지속 동작 둘 모두를 수행한다. 그러므로, 패널은 세 개의 전극 어레이를 포함한다. 설명의 나머지 부분에서, PDP의 셀을 어드레싱하는 동작만을 수행하는 전극 어레이는 A로 표기되고, PDP의 셀을 지속시키는 동작만을 하는 전극 어레이는 X로 표기되며, PDP의 셀의 어드레싱 및 지속 동작 둘 모두를 수행하는 전극 어레이는 Y로 표기된다. 동일한 판 상에 배치된 어레이(X 및 Y)와 어레이(A)의 전극은 어레이(X) 및 어레이(Y)의 전극과 직교한다. 이들 어레이는 특히 메모리 효과를 제공하기 위해 유전층으로 덮여 있다. 이러한 유전층 그 자체는 일반적으로 마그네슘을 원료로 하는 보호성 2차-전자 방출층으로 덮여 있다.
어레이(X)의 각 전극은 어레이(Y)의 전극과 함께 그 사이에 일반적으로 패널의 방전 구역 행을 따라서 분포된 연속적인 광 방전 구역을 한정하는 한쌍의 전극을 형성한다. 그러므로, 전극 어레이(X 및 Y)는 방전 구역 행에 전력을 공급하는 반면, 어드레싱 동작만을 수행하는 전극 어레이(A)는 방전 구역 열에 전력을 공급한다. 광 방전 구역은 패널 상에서 2-차원 매트릭스를 형성한다.
인접한 방전 구역, 즉 적어도 서로 다른 컬러를 방출하는 인접한 방전 구역은 일반적으로 장벽 리브에 의해 경계가 정해진다. 광 방전 구역의 벽은 일반적으로 광 방전으로부터의 자외선 방사에 민감한 형광체로 부분적으로 코팅되어 있다. 인접한 방전 구역에는 서로 다른 원색을 방출하는 형광체가 제공되어서, 세 인접한 구역을 조합하면 이미지 요소 즉 픽셀을 형성하게 된다.
플라즈마 패널이 동작 중일 때, 이미지를 디스플레이하기 위해, 연속적인 디스플레이 또는 서브-디스플레이 동작이 방전 구역 매트릭스를 사용하여 실행된다. 각 서브-디스플레이 동작은 일반적으로 다음의 단계를 포함한다:
- 먼저, 활성화될 방전 구역에서 교차하는 어레이(A 및 Y)의 전극 사이에 적어도 하나의 전압 펄스를 인가함으로써 이러한 구역 각각에서 유전층 상에 전하를 변경하는 것이 목적인, 선택적 어드레스 단계와;
- 그 후, 미리 활성화된 방전 구역에서만 연속적인 광 방전이 일어나도록 어레이(X 및 Y)의 전극 사이에 연속적인 전압 펄스가 인가되는 기간인 비-선택적 지속 단계.
서브-디스플레이 동작 이후, 방전 구역은 특히 이들 구역이 이 서브-디스플레이 동작 동안에 활성화되었는지의 여부에 따라 매우 다른 내부 전압 상태에 있을 수 있으며; 이들 구역에 대응하는 형광체의 성질, 이들 방전 구역의 크기 특성의 불가피한 변동, 및 이들 구역의 벽의 표면 조성의 변동과 같은 다른 인자가 이러한 내부 전압 상태의 분산에 기여하며, 이러한 인자는 패널 제조 공정에서 발생된다.
방전 구역의 내부 전압 상태가 균일하게 되도록 어드레싱되기 위해, 대부분의 어드레스 단계에 앞서서 이들 구역을 리셋하는 단계가 오며, 이러한 리셋 단계의 목적은, 동일한 내부 전압 상태로 어드레싱될 모든 방전 구역을 이들이 앞선 서브-디스플레이 동작 동안에 활성화되었는지의 여부에 상관없이 본질적으로 리셋하는 것이며; 이러한 리셋 단계는 종래에는 이들 전하가 소거되는 "소거" 동작으로도 호칭되는 전하 조정 동작이 그 다음에 오는 전하 축적 동작을 포함하며, 이러한 소거 동작 이후에는, 이상적으로 각 방전 구역 내의 내부 전압은 상기 구역에 대한 점화 임계값에 근접하게 된다.
방전 구역의 어드레스 또는 지속 전극의 각 쌍에 대해, 이들 전극 사이에 인가된 외부 전압과 이들 전극을 덮는 재료를 분리하는 가스 공간에서의 내부 전압을 관련시킬 수 있다. 내부 전압은, 일반적으로 전극을 덮는 절연 재료의 표면상에서 및 방전 구역에서의 이들 유전체와 가스 사이의 경계면 상에서 발생하는 표면 전하로 인해서 외부 전압과는 서로 다르다.
이들 표면 전하는 한편으로는 방전 구역을 한정하는 재료의 유전 성질로 인한 용량성 효과로부터 초래되고, 다른 한편으로는 이들 방전 구역에서의 가스 내에서 앞선 방전에 의해 발생한 "메모리" 전하로 불리는 전하의 축적으로부터 초래된다.
이들 축적 및 소거 동작은 일반적으로 PDP의 어레이(Y)의 전극에 전압 램프를 인가함으로써 실행되며, 이때 PDP의 어레이(X 또는 A)의 전극 상의 전위는 일정하게 유지된다. 좀더 상세하게는, PDP의 셀 상의 전하 축적은 어레이(Y)의 전극에 상승 전압 램프를 인가함으로써 얻어지며, 이전하의 조정은 PDP의 어레이(Y)의 전극에 다시 하강 전압 램프를 인가함으로써 얻어진다.
현재, 플라즈마 패널에서는, 전압 램프는 DC 전압원과 선형 모드로 동작하는 전력 트랜지스터를 사용한 회로에 의해 생성된다. 그러므로, 선형 모드에서의 이러한 트랜지스터의 동작은 CV2F 유형의 법칙을 따르는 에너지 손실을 초래하며, 여기서 C는 설정될 셀 그룹의 전체 커패시턴스를 나타내고, 이 커패시턴스는 두 다른 어레이(A 및 X)에 대한 전극 어레이(Y)의 커패시턴스이며, V는 대략 400 내지 600V인 도달하게 될 최대 전하 전압이며, F는 초당 셀의 충전 및 방전 수치이다. 현재 도달되는 대응하는 전력은 대략 10W이다. 디바이스의 에너지 효율을 개선할 뿐만 아니라 이러한 에너지를 소비하는 트랜지스터의 온도 상승을 감소시키며, 그에 따라 이들 트랜지스터의 크기 및 이러한 에너지를 소산시키는 동작을 하는 히트 싱크(heat sink)의 크기를 줄이기 위해 이러한 에너지 손실을 상당히 감소시키는 것은 상당히 가치 있는 일이다.
이들 손실을 감소시키기 위해, 인덕터를 사용하여 플라즈마 패널의 커패시턴스의 공진(resonance)을 생성하는 것이 알려져 있다. 이러한 디바이스는 LG전자사의 이름으로 출원된 국제특허출원 WO02/058041에 개시되어 있다. 이 디바이스에서, 에너지 손실은 RPi2 유형의 법칙을 따르며, 여기서 RP는 이 디바이스의 잔류 저항이며, 상기 잔류 저항은 상당한 비용이 드는 약한 저항성 소자를 선택함으로써 감소될 수 있다. 이 디바이스는 또한 다음의 단점을 가지고 있다:
- 생성된 전압의 파형이 선형적으로 변하는 전압 램프가 아니라 사인파의 일부분 형태이며, 이러한 파형은 공진을 생성하는데 사용되는 인덕터의 값에 의해 한정되고;
- 패널의 전체 커패시턴스는 대략 80nF 내지 100nF이므로, 인덕터의 값은 그에 따라 축적 및 소거 램프에 필요한 상승 및 하강 시간에 부합하기 위해 상대적으로 높게 되어야 하고;
- 생산시에, 주어진 패널에 대한 경사도는 인덕터의 값을 기계적으로 조정함으로써만 최적화될 수 있고, 이것은 인덕터의 값이 상당히 높기 때문에 어려운 공정이고;
- 마지막으로, 이 디바이스는 셀의 어드레싱 및 지속 동작에 사용되는 전압원외에 추가적인 전압원을 필요로 한다.
본 발명은 작은 에너지 손실을 생성하고, 전술한 결점을 완전히 또는 부분적으로 제거하는, 플라즈마 패널에서의 전압 램프 생성 디바이스를 제안한다.
본 발명은 복수의 셀을 포함하는 플라즈마 디스플레이 패널에서의 전압 램프 생성 디바이스로서, 상기 전압 램프는 상기 셀의 벽 상의 전하를 축적 및/또는 리셋하기 위해 플라즈마 디스플레이 패널의 셀의 전극에 인가되며, 상기 디바이스는 DC 전압원, 인덕터, 스위치 및 다이오드를 포함하되, 상기 전압 램프를 생성하기 위해 상기 스위치가 쵸핑 모드(chopping mode)에서 동작하는 것을 특징으로 하는, 플라즈마 디스플레이 패널에서의 전압 램프 생성 디바이스에 관한 것이다.
일특정 실시예에 따라, 상기 디바이스는 네 개의 스위치를 포함하며, 각 스위치에는 병렬로 하나의 다이오드가 제공된다. 이때, 상기 디바이스는:
- 양의 단자 및 음의 단자를 포함하는 전압원과;
- DC 전압원의 양의 단자와 음의 단자 사이에 직렬로 연결된 제 1 및 제 2 스위치로서, 제 1 및 제 2 다이오드가 상기 제 1 및 제 2 스위치에 병렬로 각자 연결되며, 상기 제 1 다이오드의 음극은 상기 DC 전압원의 양의 단자에 연결되며, 상기 제 2 다이오드의 양극은 상기 DC 전압원의 음의 단자에 연결되는, 제 1 및 제 2 스위치와;
- 패널의 셀의 커패시턴스와 공진 회로를 형성하기 위해, 상기 제 1 및 제 2 스위치 사이에 위치한 지점에 연결되는 제 1 말단을 구비하는 인덕터와;
- 패널의 상기 셀의 전극 사이에 직렬로 연결된 제 3 및 제 4 스위치로서, 제 3 및 제 4 다이오드가 상기 제 3 및 제 4 스위치에 병렬로 각자 연결되고, 상기 제 3 다이오드의 음극은 상기 패널의 상기 셀의 한 전극에 연결되고, 상기 제 4 다이오드의 양극은 상기 패널의 상기 셀의 또 다른 전극 및 상기 DC 전압원의 음의 단자에 연결되는, 제 3 및 제 4 스위치와;
- 상기 패널의 셀의 전극 상에 프로그램 가능한 전압 램프를 생성하기 위해 쵸핑 모드에서 스위치를 온 및 오프시키기 위한 제어 회로를 포함한다.
다른 특성 및 장점은 다음의 상세한 설명을 읽음으로써 분명해질 것이며, 이러한 설명은 첨부된 도면을 참조하여 제공된다.
본 발명에 따라, 디바이스의 스위치는 전압 램프를 생성하기 위해 쵸핑 모드에서 동작한다. 생성된 전압 램프는 상승 및 하강일 수 있으며, 이러한 상승 및 하강은 선형 또는 비선형일 수 있다.
도 1은 본 발명에 따른 디바이스를 예시한다. 이 디바이스는 전압(VS)을 전달하는 DC 전압원(G), 네 개의 스위치(M1, M2, M3 및 M4), 네 개의 다이오드(D1, D2, D3 및 D4) 및 인덕터를 포함한다. CP는 패널의 용량성 부하를 나타낸다.
스위치(M1 및 M2)는 DC 전압원(G)의 양의 단자와 음의 단자 사이에 직렬로 연결된다. 본 예에서, 전압원(G)의 음의 단자는 반드시 그럴필요는 없지만 접지에 연결된다. 스위치는 MOS 전력 트랜지스터이다. 트랜지스터(M1)의 드레인은 전압원(G)의 양의 단자에 연결되며, 그 소스는 트랜지스터(M2)의 드레인에 연결되며, 트랜지스터(M2)의 소스는 전압원(G)의 음의 단자에 연결된다. 게다가, 다이오드(D1)는 트랜지스터(M1)와 병렬로 연결되며, 그 음극은 전압원(G)의 양의 단자에 연결되며, 다이오드(D2)는 트랜지스터(M2)와 병렬로 연결되며, 그 양극은 전압원(G)의 음의 단자에 연결된다.
스위치(M3 및 M4)는 플라즈마 패널의 어레이(Y)의 전극과 전압원(G)의 음의 단자 사이에 직렬로 연결된다. 스위치(M3)를 형성하는 트랜지스터의 드레인은 어레이(Y)의 전극에 연결되며, 그 소스는 스위치(M4)를 형성하는 트랜지스터의 드레인에 연결된다. 트랜지스터(M4)의 소스는 전압원(G)의 음의 단자에 연결된다. 다이오드(D3)는 트랜지스터(M3)와 병렬로 연결되며, 그 음극은 트랜지스터(M3)의 드레인에 연결되며, 다이오드(D4)는 트랜지스터(M4)와 병렬로 탑재되고, 그 양극은 전압원(G)의 음의 단자에 연결된다. 인덕터(L)는 스위치(M1 및 M2)의 중간지점과 스위치(M3 및 M4)의 중간지점 사이에서 연결된다.
제어 회로(미도시)는 스위치(M1 내지 M4)를 온 또는 오프시키기 위해 제공된다.
이 디바이스의 동작이 이제 도 2를 참조하여 기술될 것이다. 도 2는 그 상단부에서 도 1의 디바이스가 전달하는 전압 곡선의 예를 도시하며, 그 하단부에서 이 곡선의 각 부분에 대한 이 디바이스의 스위치의 상태를 나타내는 표를 도시하고 있다.
도 2의 상단부에 있는 곡선은 도 1의 디바이스의 몇몇 동작 단계를 예시한다. 이 곡선은 도 1의 디바이스를 통해 얻을 수 있는 여러 전압 파형을 기술하기 위해 예로서 주어져 있다. 실제 동작 조건 하에서, 이 단계들은 이 도면에서 지시된 대로 서로 따르지 않는다. 이러한 연속 곡선의 용도는 단지 이 디바이스가 상승 및 하강 전압 램프와 상승 및 하강 전압 에지를 생성할 수 있음을 도시하고자 하는 것이다.
이들 단계는 1 내지 9로 표시되어 있다. 각 단계 동안에, 상기 디바이스의 스위치들은 오프-상태 또는 온-상태 또는 쵸핑 모드 중 어느 한 상태에 있으며, 이 쵸핑 모드에서 이들 스위치는 쵸핑 주파수(f)로 온-상태와 오프-상태 사이에 교대로 놓인다.
도 2의 하단부에 있는 표는 각 동작 단계에서의 상기 디바이스의 스위치의 상태를 도시한다. 표의 각 열은 그 숫자로서 식별되는 디바이스의 동작을 지칭하며, 표의 각 행은 스위치를 지칭한다.
표에서, 온-상태에 있는 스위치는 "on"으로 표기되어 있고, 오프-상태에 있는 스위치는 "off"로 표기되어 있으며, 쵸핑 모드에서 동작하는 스위치는 "쵸핑 모드"로 표기되어 있다.
단계 1 동안에, 디바이스가 전달하는 전압 신호는 DC 전압(VS) 상에 중첩되는 상승 전압 램프이다. 이 단계 동안에, 스위치(M1)는 온-상태에 있으며, 스위치(M2 및 M3)는 오프-상태에 있고, 스위치(M4)는 쵸핑 모드에서 동작한다. 인덕터(L)는 스위치(M4)가 도통(온-상태)할 경우 충전되고, 이것이 오프되는 경우 다이오드(D3)를 통해 커패시턴스(CP)로 방전한다. 이 단계 동안에, 이 디바이스가 전달하는 전압(VP)은 400V에 달한다. 이 전압은 추가적인 전압 생성기 없이도 인덕터(L)가 존재하는 덕분에 얻어질 수 있다. 이러한 양의 전압 램프는 특히 플라즈마 패널의 셀의 축적 단계 동안에 사용된다.
이러한 상승 전압 램프를 얻는 또 다른 방법은 램프의 시작시에 더 양호한 선형성(linearity)을 얻기 위해 스위치(M1)가 쵸핑 모드에서 동작하게 하는 것이다. 이 동작 모드에서, 스위치(M1)의 동작은 스위치(M4)의 동작과 동기화된다. 인덕터(L)는 M1과 M4가 온 상태인 경우 충전되며, 이들이 오프 상태인 경우 다이오드(D2 및 D3)를 통해 커패시터(CP) 내로 방전한다. 스위치(M1 및 M4)가 오프/온될 때마다, CP의 단자 양단의 전압은 dVP만큼 증가한다.
단계 2 동안, 생성된 전압은 VP에서 VS로 강하하는 하강 에지이다. 이 에지는 스위치(M3)를 온시키고, 스위치(M1, M2 및 M4)를 오프시킴으로써 얻어진다. 트랜지스터(M3)는 인덕터(L)가 커패시턴스(CP)와 공진하게 하기 위해 온-상태로 유지된다. 에너지는 커패시턴스(CP)로부터 전압원(G)으로 다이오드(D1)를 통해 전송된다.
단계 3 동안에, 생성된 전압은, VS로부터 더 낮은 전압, 예컨대 전압원(G)의 음의 단자가 접지에 연결되는 경우에는 0V로 강하하는 하강 램프이다. 이 단계 동안에, 스위치(M2와 M3)는 쵸핑 모드에서 동작하고, 스위치(M1과 M4)는 오프 상태이다. 스위치(M2 및 M3)는 동기적으로 제어되며, 동시에 동일한 상태에 있다. 이들 스위치가 온 위치에 있을 때, 커패시턴스(CP)의 단자 양단의 전압은 낮아지며, 에너지가 커패시턴스(CP)로부터 인덕터(L)로 전송되며, 이들이 오프 위치에 있을 때, L에 저장된 에너지는 전압원(G)으로 다이오드(D1 및 D4)를 통해 전송된다.
단계 4 동안에, 생성된 전압은 공진 모드에서 상승 에지이며, 전압(V)에서 전압(VS)으로 진행한다. 이 단계 동안에, 스위치(M1)는 온 위치에 있으며, 다른 스위치들은 오프 위치에 있다. 인덕터(L)는 전압원(VS), 커패시턴스(CP), 및 다이오드(D3)와 함께 공진 회로를 형성한다. 스위치(M1)는 커패시턴스(CP)의 단자 양단의 전압이 원하는 값, 이 경우 여기서 값(VS)에 도달하기 위해 필요로 하는 시간 동안에 온 위치로 유지된다. 이러한 상태는, 예컨대 인덕터(L)를 커패시턴스(CP)로 완전히 방전한 후에 얻어 진다.
단계 5는 디바이스의 모든 스위치가 오프 위치에 있는 휴지 단계(rest phase)에 대응한다. 이 단계 동안에 어떠한 에너지도 전달되지 않는다. 전압(VS)은 커패시턴스(CP)에서 유지된다.
단계 6 동안에, 생성된 전압은 VS에서 0V로 강하하는 하강 에지이다. 이 단계 동안에, 스위치(M2 및 M3)는 온-상태에 있고, 스위치(M1 및 M4)는 오프-상태에 있다. 에너지는 커패시턴스(CP)로부터 인덕터(L)로 전달된다.
단계 7은 단계 5와 동일하며 디바이스의 모든 스위치가 오프 위치에 있는 휴지 단계에 대응한다. 이 단계 동안에, 인덕터(L)에 저장된 에너지는 다이오드(D1 및 D4)를 통해 전압원(G)에 전달된다. 커패시턴스(CP)의 단자 양단의 전압은 0으로 유지된다.
단계 8은 생성된 전압이 0에서 VS로 진행하는 상승 전압 램프인 단계이다. 이 단계 동안에, 스위치(M1 및 M4)는 쵸핑 모드에서 동작하며, 다른 스위치는 오프-상태에 있다. M1 및 M4가 도통인 동안, 인덕터(L)는 전압(VS) 이하의 에너지로 충전되며, 그 후, M1 및 M4가 오프된 후, 인덕터는 상기 에너지를 다이오드(D2 및 D3)를 통해서 커패시턴스(CP)로 전달한다.
마지막으로, 단계 9는 단계 7과 동일한 휴지 단계이다. 커패시턴스(CP)의 단자 양단에서 단계 8의 종료시에 얻게되는 전압은 커패시턴스(CP)의 단자 양단에서 유지된다.
실제로, 스위치의 쵸핑 주파수는 100kHz와 500kHz 사이에 있다. 각 쵸핑 주기에서, 커패시턴스(CP)의 단자 양단의 전압은 양(dV)만큼 변한다. 램프의 경사도는 쵸핑 주파수와 쵸핑 모드에서의 스위치의 도통 시간을 변경시킴으로써 조정된다.
본 발명의 디바이스는 많은 장점, 특히 다음과 같은 장점을 갖는다:
- 쵸핑 모드에서 트랜지스터를 사용하기 때문에 이들 트랜지스터에서 손실이 낮음;
- 인덕터의 허용오차에 의존하지 않고도, 스위치의 쵸핑 듀티 주기와 주파수를 변경함으로써 램프의 경사도를 조정할 수 있는 가능성; 이때, 이 경사도는 또한 패널의 전압 또는 전류 정보를 아날로그 또는 디지털 기준 램프와 비교하는 제어 루프에 의해 제어됨;
- 예컨대 셀의 마그네슘 층의 변화를 보상하기 위해, 플라즈마 패널의 수명에 걸쳐서 램프의 경사도를 적응시킬 수 있는 가능성;
- 추가적인 DC 전압원이 필요치 않음, 즉 사용된 전압원이 이미 셀을 지속시키기 위해 플라즈마 패널에 존재함;
- 여러 개의 경사도 값을 저장하기 위한 룩-업 표를 제공하고, 이 표를 판독하여 램프의 경사도를 자동으로 조정하기 위해 상기 룩-업 표를 제공하는 가능성.
상술한 바와 같이, 본 발명은 플라즈마 패널에서의 전압 램프 생성 디바이스에서 작은 에너지 손실을 생성하는 등의 효과가 있다.
도 1은 본 발명에 따른 상승 에지 또는 하강 에지를 갖는 램프를 생성하는 디바이스를 도시한 도면.
도 2는 도 1의 디바이스의 여러 동작 단계를 예시한 전압 곡선을 도시한 도면.
<도면 주요 부분에 대한 부호의 설명>
D1 내지 D4: 다이오드 G: DC 전압원
M1 내지 M4: 스위치 L: 인덕터

Claims (5)

  1. 복수의 셀을 포함하는 플라즈마 디스플레이 패널에서 전압 램프를 생성하는 디바이스로서, 상기 전압 램프는 상기 셀의 벽 상의 전하를 축적(prime) 및/또는 리셋하기 위해 플라즈마 디스플레이 패널의 셀의 전극에 인가되며, 상기 디바이스는 DC 전압원, 인덕터, 스위치 및 다이오드를 포함하는, 전압 램프 생성 디바이스에 있어서,
    상기 전압 램프를 생성하기 위해 상기 스위치중 적어도 하나는 쵸핑 모드(chopping mode)에서 동작하는 것을 특징으로 하는, 전압 램프 생성 디바이스.
  2. 제 1항에 있어서, - 양의 단자 및 음의 단자를 포함하고, 양의 DC 전압(VS)을 생성하는 DC 전압원(G)과;
    - 상기 DC 전압원의 양의 단자와 음의 단자 사이에 직렬로 연결된 제 1 및 제 2 스위치(M1, M2)로서, 제 1 및 제 2 다이오드(D1, D2)가 상기 제 1 및 제 2 스위치(M1, M2)에 병렬로 각자 연결되며, 상기 제 1 다이오드(D1)의 음극은 상기 DC 전압원의 양의 단자에 연결되며, 상기 제 2 다이오드(D2)의 양극은 상기 DC 전압원의 음의 단자에 연결되는, 제 1 및 제 2 스위치(M1, M2)와;
    - 상기 패널의 셀의 용량성 부하(CP)와 공진 회로를 형성하기 위해, 상기 제 1 및 제 2 스위치(M1, M2) 사이에 위치한 지점에 연결되는 제 1 말단을 구비하는 인덕터(L)와;
    - 플라즈마 디스플레이 패널의 셀의 상기 전극 사이에 직렬로 연결된 제 3 및 제 4 스위치(M3, M4)로서, 제 3 및 제 4 다이오드(D3, D4)가 상기 제 3 및 제 4 스위치(M3, M4)에 병렬로 각자 연결되고, 상기 제 3 다이오드(D3)의 음극은 상기 패널의 상기 셀의 한 전극에 연결되고, 상기 제 4 다이오드(D4)의 양극은 상기 패널의 상기 셀의 또 다른 전극 및 상기 DC 전압원의 음의 단자에 연결되는, 제 3 및 제 4 스위치(M3, M4)와;
    - 상기 패널의 셀의 전극 상에 프로그램 가능한 전압 램프를 생성하기 위해 쵸핑 모드에서 스위치를 온 및 오프시키기 위한 제어 회로를 포함하는 것을,
    특징으로 하는, 전압 램프 생성 디바이스.
  3. 제 2항에 있어서, 상승 전압 램프를 생성하기 위해, 상기 제 4 스위치(M4)는 쵸핑 모드에서 동작하는 반면, 상기 제 1 스위치(M1)는 온-상태에 놓이며, 상기 제 2 및 제 3 스위치(M2, M3)는 오프-상태에 놓이는 것을 특징으로 하는, 전압 램프 생성 디바이스.
  4. 제 2항에 있어서, 상승 전압 램프를 생성하기 위해, 상기 제 1 및 제 4 스위치(M1, M4)는 쵸핑 모드에서 동기적으로 동작하는 반면, 상기 제 2 및 제 3 스위치(M2, M3)는 오프-상태에 놓이는 것을 특징으로 하는, 전압 램프 생성 디바이스.
  5. 제 2항 내지 제 4항 중 어느 한 항에 있어서, 하강 전압 램프를 생성하기 위해, 상기 제 2 및 제 3 스위치(M2, M3)는 쵸핑 모드에서 동기적으로 동작하는 반면, 상기 제 1 및 제 4 스위치(M1, M4)는 오프-상태에 놓이는 것을 특징으로 하는, 전압 램프 생성 디바이스.
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