DE10200828A1 - Schaltungsanordnung für die Wechselspannungsversorgung eines Plasma-Display-Panels - Google Patents

Schaltungsanordnung für die Wechselspannungsversorgung eines Plasma-Display-Panels

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DE10200828A1
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Abstract

Schaltungsanordnung zur Kommutierung der Wechselspannung eines Plasma-Display-Panels, bei der die Verluste und elektromagnetischen Störungen, die durch den Einfluss der parasitäten Widerstände (Spulen, Zuleitungen, Halbleiterschalter) und die hiermit verbundenen harten Lade- und Entladevorgänge auftreten, nahezu verhindert werden. DOLLAR A Der Schwingkreis für den Ladevorgang der Kapazität (Cp) der Plasmazellen wird mit einer Hilfsladespannung (u1) versorgt, deren Wert oberhalb der halben Eingangsspannung (U0) liegt. Der Schwingkreis für den Entladevorgang wird mit einer Hilfsentladespannung (u2) versorgt, deren Wert unterhalb der halben Eingangsspannung (U0) liegt. Die beiden Hilfsspannungen sind mit einem Gleichspannungswandler verbunden.

Description

  • Die Erfindung betrifft eine Schaltungsanordnung für die Wechselspannungsversorgung eines Plasma-Display-Panels (PDP), insbesondere einen Sustain-Driver. PDPs sind flache Bildschirme oder Fernseher, die mit Hilfe der Plasmatechnologie realisiert werden. Dabei wird zwischen zwei Glasplatten durch kleine Gasentladungen Licht erzeugt. Dafür werden prinzipiell kleine, einzelne Plasmaentladungslampen über horizontal und vertikal angeordnete Elektroden angesteuert. Zum Betrieb der Plasmazellen ist ein erheblicher Elektronikaufwand erforderlich. Den platzmäßig größten Anteil nimmt dabei der sogenannte Sustain-Driver ein, der die Aufgabe hat, die Eigenkapazitäten der Plasmazellen mit trapezförmigen Wechselspannungen zu versorgen. Die Elektroden der Plasmazellen sind hierbei an die Ausgänge von zwei Halbbrücken einer Kommutierungsschaltung angeschlossen. Die beiden Ausgänge der Halbbrücken können die positive Eingangsspannung +U0, die negative Eingangsspannung -U0 oder die Spannung Null (Kurzschluss der Elektrodenklemmen) an die Elektroden der Plasmazellen anlegen. Die beiden Halbbrücken arbeiten mit einer Hilfsspannung, die der Hälfte der Eingangsspannung U0 entspricht. Damit die Zellen zünden, muss an den Elektroden ein schneller Wechsel von der positiven zur negativen Spannung und umgekehrt erfolgen. Hierzu wird abwechselnd der Spannungsausgang eines Halbbrückenwandlers an den positiven Spannungspol gelegt, während der jeweils andere an dem Minuspol anliegt. Sofern die beiden Übergänge unmittelbar aufeinander folgen, ändert sich die Spannung an den Plasmazellen sehr schnell vom negativen zum positiven Wert der Eingangsspannung U0. Dies bewirkt die Zündung der Zellen. Um die bei der direkten Ladung und Entladung der Kapazität der Plasmazelle entstehenden Verluste zu verhindern, wird der Sustain-Driver meist als resonantes Schaltnetzteil aufgebaut, bei dem die Ladung und Entladung der Kapazität der Plasmazelle prinzipiell verlustfrei erfolgt. Bei der Realisierung und Umsetzung dieses resonanten Prinzips wird die Schwingung gedämpft, da die Spulen, Zuleitungen und Halbleiterschalter parasitäre Widerstände darstellen. Dies führt dazu, dass die Spannung an der Plasmazelle nicht vollständig auf die Eingangsspannung bzw. auf Null umspringt. Hierdurch erfolgt ein hartes Zuschalten der Brückentransistoren, wodurch eine verlustbehaftete Nachladung bzw. Restentladung entsteht. Die hiermit verbundenen Ströme fließen bei jedem Umladen, auch dann, wenn die Plasmazellen nicht leuchten sollen. Die verlustbehaftete Nachladung bzw. Restentladung verursacht außerdem Probleme bezüglich der elektromagnetischen Verträglichkeit (EMV). Der Einfluss der parasitären Widerstände macht sich in der Umschwingkurve der Plasmaspannung als charakteristische Stufe bemerkbar. Nachdem der Ladestrom für die Kapazität der Plasmazelle ihren Ausgangswert, also nahezu Null, erreicht hat, tritt die charakteristische Stufe in der Umschwingkurve auf.
  • Aus dem Patent US 6,011,355 ist eine Schaltung zum Betreiben eines Plasma-Display- Panels bekannt, die die charakteristische Stufe der Umschwingkurve für die Plasmaspannung abschwächt, diese ist jedoch immer noch vorhanden. In der dortigen Schaltung wird das Umschwingpotential von einem einzelnen Kondensator gebildet.
  • Aufgabe der Erfindung ist es daher, eine Schaltungsanordnung für die Wechselspannungsversorgung eines Plasma-Display-Panels anzugeben, bei der die durch die parasitären Widerstände auftretenden Verluste und elektromagnetischen Störungen nahezu verhindert werden.
  • Die Aufgabe wird erfindungsgemäß dadurch gelöst, dass für den Ladevorgang die in der symmetrischen Kommutierungsschaltung vorhandene Hilfsspannung höher gewählt wird, als beim Stand der Technik, bei dem sie die Hälfte der Eingangsspannung U0 beträgt. Die Erhöhung wird dabei aufgrund von Berechnung, Erfahrung oder Versuchen so gewählt, dass die durch die parasitären Widerstände gedämpfte Schwingung den gewünschten Endwert U0 erreicht. Beim anschließenden Durchschalten des entsprechenden Brückentransistors tritt kein störender Nachladestrom mehr auf. Um beim Entladen der Kapazität der Plasmazelle eine Restentladung zu verhindern, wird bei der erfindungsgemäßen Lösung die Hilfsspannung vermindert. Der Wert der Verminderung wird dabei wiederum so ausgelegt, dass die gedämpfte Schwingung einen Endwert von Null erreicht. Hierdurch wird eine vollständige Entladung der Kapazität der Plasmazelle von U0 auf Null sichergestellt, so dass eine störende Restentladung beim Zuschalten des anderen Brückentransistors entfällt. Bei der erfindungsgemäßen Lösung existiert also nicht mehr eine einzelne Hilfsspannung UH, die der Hälfte der Eingangsspannung U0 entspricht, sondern es existieren für den Ladevorgang eine Hilfsladespannung, die größer ist als die Hälfte der Eingangsspannung U0 und eine Hilfsentladespannung, die kleiner ist als die halbe Eingangsspannung U0.
  • Bei einer Ausführungsform der erfindungsgemäßen Schaltungsanordnung werden die Hilfsladespannung und die Hilfsentladespannung durch einfache DC-Wandler voneinander entkoppelt.
  • In der Praxis werden mehrere Sustain-Driver für PDPs parallel angeordnet. Die für die Generierung und Regelung der Hilfsladespannung und der Hilfsentladespannung erforderlichen DC/DC-Wandler sind dabei nur einmal erforderlich. Die Regelung der beiden Hilfsspannungen erfolgt dabei unabhängig vom Betrieb der PDP-Ansteuerung. Ein Vorteil dieser erfindungsgemäßen Schaltungsanordnung ist, dass nur die mittleren Leistungen übertragen werden. Ein weiterer Vorteil der Erfindung ist, dass eine sehr einfache Schaltung aufgebaut werden kann, die wenig Platz beansprucht und kostengünstig ist. Mit Hilfe dieser aktiven Aufteilung in zwei geteilte Hilfsspannungen können entsprechend der Aufgabe der Erfindung die Verluste und Störungen der elektromagnetischen Verträglichkeit erheblich reduziert werden.
  • Im folgenden wird eine Ausführungsform der Erfindung beschrieben. Dabei zeigt zum Stand der Technik
  • Fig. 1 die Transistorbrücke zur Zellenspannungsgenerierung mit herkömmlicher Kommutierungsschaltung (zur besseren Übersicht ist nur die Kommutierungsschaltung einer Halbbrücke dargestellt);
  • Fig. 2 den Einfluss der parasitären Widerstände auf die Zellenspannung Up der Kapazität Cp der Plasmazelle.
  • Dabei zeigt zur Erfindung
  • Fig. 3 die Transistorbrücke zur Zellenspannungsgenerierung mit Kommutierungsschaltung über getrennte Hilfslade- und Hilfsentladespannung (zur besseren Übersicht ist nur die Kommutierungsschaltung einer Halbbrücke dargestellt);
  • Fig. 4 ein Diagramm mit dem Ladevorgang der Kapazität Cp der Plasmazelle mit Kompensation des Einflusses der parasitären Widerstände;
  • Fig. 5 ein Diagramm mit dem Entladevorgang der Kapazität Cp der Plasmazelle mit Kompensation des Einflusses der parasitären Widerstände.
  • Die in Fig. 1 dargestellte Transistorbrücke mit herkömmlicher Kommutierungsschaltung besteht im wesentlichen aus zwei Halbbrücken. An ihre Ausgänge sind die Elektroden der Plasmazellen angeschlossen. Je nach Ansteuerung der Transistoren T1, T2, T3 und T4 liegt an den Ausgängen der beiden Halbbrücken die positive Eingangsspannung Up = +U0, die negative Eingangsspannung Up = -U0 oder die Spannung Null Up = 0 (Kurzschluss der Elektrodenklemmen) an. Damit die Plasmazellen zünden, muss ein schneller Wechsel von der positiven zur negativen Spannung und umgekehrt erfolgen. Hierzu wird abwechselnd der Spannungsausgang eines Halbbrückenwandlers an den positiven Spannungspol gelegt, während der jeweils andere an dem negativen Spannungspol anliegt. Sofern die beiden Übergänge unmittelbar aufeinander folgen, ändert sich die Spannung an den Plasmazellen sehr schnell vom negativen zum positiven Wert der Eingangsspannung U0. Dies bewirkt die Zündung der Plasmazellen sofern zusätzlich eine Adressierung erfolgt ist. Der Zündstrom zur Lichterzeugung fließt dann über die diagonalen Transistoren T1 und T4 oder T2 und T3 der Brückenschaltung. Jede Halbbrücke weist einen Schwingkreis auf, wobei in den Fig. 1 und 3 nur eine Halbbrücke betrachtet wird. Der einzelne Schwingkreis besteht aus der Kapazität Cp der Plasmazelle und der Induktivität L1 für den Ladevorgang und L2 für den Entladevorgang. Der Ladevorgang wird mittels des Hilfstransistors T11, der in Reihe geschaltet ist mit der Induktivität L1 eingeleitet und der Entladevorgang mit dem Hilfstransistor T12, der in Reihe mit der Induktivität L2 angeordnet ist. Die zwischen den Hilfstransistoren (T11, T12) und den Induktivitäten angeordneten Dioden D1 und D2 sorgen dafür, dass jeweils nur ein Lade- oder Entladestrom in einer Halbschwingung auftritt. Bei einer symmetrischen Anordnung und Ansteuerung der Kommutierungsschaltung stellt sich an der Kapazität Cs näherungsweise als Hilfsspannung Uh die halbe Eingangsspannung U0 ein, das heißt, Uh = U0/2. Die Kapazität Cs ist dabei so groß gewählt, dass sich innerhalb einer Schaltungsperiode keine Änderung der Kondensatorspannung an der Kapazität Cs ergibt, das heißt Cs >> Cp. Wird nun die leere Kapazität Cp der Plasmazellen über den als Schalter eingesetzten Hilfstransistor T11 an die mit der Hilfsspannung Uh geladene Kapazität Cs gelegt, entsteht ein Schwingungsvorgang, der zeitlich auf eine Sinusschwingung des Ladestromes I1 begrenzt ist. Die Beendigung nach einer halben Periode erfolgt durch die Diode D1 in dem Schaltkreis, die nur die positive Welle zulässt. Gleichzeitig baut sich mit der Sinusschwingung des Ladestroms I1 an der Kapazität Cp der Plasmazelle eine kosinusförmige Zellenspannung Up auf, die von Null beginnend an auf nahezu den doppelten Wert der Hilfsspannung Uh an der Kapazität Cs ansteigt, welches ungefähr der Eingangsspannung U0 entspricht. Aufgrund der parasitären Widerstände bedingt durch die Spulen, Zuleitungen und Halbleiterschaltung ist die Spannung Up jedoch gedämpft und erreicht beim Ladevorgang den Wert der Eingangsspannung U0 nicht.
  • Das Entladen der Kapazität Cp der Plasmazelle mit Hilfe des Schwingkreises bestehend aus der Kapazität Cp und der Induktivität L2 erfolgt auch nur annähernd verlustfrei aufgrund der parasitären Widerstände. In diesem Fall wird der Schwingungsvorgang mit dem Einschalten des Hilfstransistores T12 eingeleitet.
  • Nach Beendingung des Schwingvorganges wird entweder der obere oder der untere Transistor der Halbbrücke (T1, T2) zugeschaltet. Da die Zellenspannung Up an der Kapazität Cp der Plasmazelle aufgrund der gedämpften Schwingung nicht den Wert der Eingangsspannung U0 erreicht hat, fließt beim Zuschalten der Halbbrücke T1 der Nachladestrom Ip. Der Sprung von der beim Ladevorgang maximal erreichbaren Spannung von Up auf U0 zum Einschaltpunkt von T1 ist in der Fig. 2 dargestellt. Die normierte Darstellung des Einflusses der parasitären Widerstände beim Ladevorgang in Fig. 2 ist die Zellenspannung Up betreffend auf die Eingangsspannung U0 bezogen und den Ladestrom I1 betreffend auf die Eingangsspannung U0 geteilt durch die Impedanz Z0 bezogen, wobei Z0 gebildet wird durch


  • Die in Fig. 2 als Sprung in der Spannungskurve dargestellte Nachladung tritt beim Entladevorgang als Restentladung auf. Dabei erreicht die Zellenspannung Up nur annähernd den Wert Null. Der Sprung auf Null erfolgt beim Zuschalten des Transistors T2. Die hiermit verbundenen Ströme fließen bei jedem Umschwingvorgang, auch dann, wenn die Plasmazellen nicht leuchten sollen. Die Nachladung bzw. Restentladung verursacht zusätzliche Verluste und Probleme mit der elektromagnetischen Verträglichkeit (EMV).
  • Die in Fig. 3 dargestellte erfindungsgemäße Schaltungsanordnung unterscheidet sich von der herkömmlichen durch einen zusätzlichen DC/DC-Wandler und getrennten Hilfsspannungen U1 für den Ladevorgang und U2 für den Entladevorgang. Die beiden Hilfsladespannungen U1 und U2 liegen an dem Hilfsladekondensator mit der Kapazität Csa und dem Hilfsentladekondensator mit der Kapazität Csb an. Die Kapazitäten der Hilfskondensatoren sind deutlich größer als die Kapazität der Plasmazelle, so dass die an ihnen anliegende Spannung innerhalb der Wiederholfrequenz der erzeugten Wechselspannung nahezu konstant ist. In der dargestellten Ausführungsform besteht der DC/DC-Wandler aus einem Hochsetzsteller für den Ladevorgang und einem Tiefsetzsteller für den Entladevorgang.
  • Der Hochsetzsteller setzt sich zusammen aus einer Diode DA, einer Induktivität LA und einem Transistor TA, wobei der Transistor TA mit Source an Masse anliegt und mit Drain einen Verbindungspunkt mit der Induktivität LA und der Anode der Diode DA aufweist. Die Diode DA ist mit ihrem anderen Ende mit dem Transistor T11 und die Induktivität LA mit ihrem anderen Ende mit dem Transistor T12 verbunden.
  • Der Tiefsetzsteller setzt sich zusammen aus einer Diode DB, einer Induktivität LB und einem Transistor TB, wobei Source des Transistors TB, die Kathode der Diode DB und das eine Ende der Induktivität LB einen gemeinsamen Verbindungspunkt aufweisen. Die Anode der Diode DB ist mit Masse verbunden, das andere Ende der Induktivität LB mit dem Hilfstransistor T12 und Drain des Transistors TB mit der positiven Eingangsspannung U0.
  • Der Hilfsladekondensator mit der Kapazität Csa ist einerseits mit dem Verbindungspunkt 1 kontaktiert, an dem auch die Kathode der Diode DA und Source des Transistors T11 anliegen. Das andere Ende des Hilfsladekondensators mit der Kapazität Csa ist wie das eine Ende des Hilfsentladekondensators mit der Kapazität Csb mit Masse verbunden. Das andere Ende des Hilfsentladekondensators mit der Kapazität Csb ist mit dem Verbindungspunkt 2 kontaktiert, mit dem jeweils ein Ende der Induktivität LA und der Induktivität LB sowie Source des Transistors T12 ebenfalls verbunden sind.
  • Die von dem Hilfsentladekondensator mit der Kapazität Csb aufgenommene Energie wird bei einer vorteilhaften Ausgestaltung der Erfindung über einen Gleichspannungswandler in den Hilfsladekondensator mit der Kapazität Csa transportiert. Dies bedeutet, dass innerhalb eines Spannungswechsels von Up = U0 auf Null und wieder auf Up = U0 die in der Kapazität der Plasmazellen Cp gespeicherte Energie zunächst in Kondensator mit der Kapazität Csb übertragen wird, von dort mit Hilfe des Gleichspannungswandlers in die Kapazität Csa und anschließend wieder in die Kapazität Cp. In diesem Ausführungsbeispiel wird der Gleichspannungswandler als Hochsetzsteller ausgeführt, der aus den Elementen Transistor TA, Spule LA und Diode DA besteht. Dieser Hochsetzsteller kann die Kommutierungsenergie durch kontinuierlichen Leistungsfluß und dadurch mit geringem Strom übertragen. Er stabilisiert gleichzeitig die Hilfsspannung U1 auf den gewünschten Wert über einen geeigneten Regelkreis, der nicht näher dargestellt ist.
  • Die bei der resonanten Kommutierung aufgrund parasitärer Widerstände entstehenden Verluste werden mit Hilfe des Tiefsetzstellers aus der Hauptversorgungsspannung entnommen. Der Tiefsetzsteller, der aus den Elementen Transistor TB, Spule LB und Diode DB besteht, kann die Leistung zur Kompensation der Verluste durch kontinuierlichen Leistungsfluß und damit mit geringem Strom übertragen. Er stabilisiert dabei die Hilfsspannung U2 über einen geeigneten Regelkreis, der ebenfalls nicht näher dargestellt ist.
  • Fig. 4 ist ein Diagramm, das den Ladevorgang der Kapazität Cp der Plasmazelle mit Kompensation des Einflusses der parasitären Widerstände darstellt. Die Darstellung ist normiert, wobei die Zellenspannung up(t) auf die Eingangsspannung U0 bezogen wird und der Ladestrom i1(t) auf die Eingangsspannung U0 geteilt durch die Impedanz Z0. Die Impedanz Z0 wird dabei gebildet durch


  • Die Hilfsladespannung u1 ist ebenfalls auf die Eingangsspannung U0 bezogen. Da sie erfindungsgemäß oberhalb der Hälfte der Eingangsspannung U0 liegt, hat sie in der normierten Darstellung einen Wert, der größer ist als 0,5. Im dargestellten Ausführungsbeispiel ist sie 10% höher, hat also den Wert 0,55. Die Hilfsladespannung u1 ist während des Ladevorganges konstant. Der Ladestrom i1(t) ist durch die parasitären Widerstände gedämpft und erreicht wie gewünscht den normierten Wert 1. Die Zellenspannung Up erreicht mit dem Ende der halben Periode der Sinusschwingung den gewünschten Endwert, der der Eingangsspannung U0 entspricht und hier in der normierten Darstellung durch 1 beschrieben wird. Wird nun der Transistor T1 hinzugeschaltet, findet kein sprunghafter Anstieg der Zellenspannung Up mehr statt.
  • Fig. 5 ist ein Diagramm, das den Entladevorgang der Kapazität Cp der Plasmazelle mit Kompensation des Einflusses der parasitären Widerstände darstellt. Die Darstellung ist ebenfalls normiert, wobei die Zellenspannung up(t) auf die Eingangsspannung U0 bezogen wird und die Entladestrom i2(t) auf die Eingangsspannung U0 geteilt durch die Impedanz Z0. Die Impedanz Z0 wird dabei wie zur Fig. 4 beschrieben gebildet. Die Hilfsentladespannung u2 ist ebenfalls auf die Eingangsspannung U0 bezogen. Da sie erfindungsgemäß unterhalb der Hälfte der Eingangsspannung liegt, hat sie in der normierten Darstellung einen Wert, der kleiner ist als 0,5. Im dargestellten Ausführungsbeispiel soll sie 45% der Eingangsspannung U0 betragen, hat also den Wert 0,45. Die Hilfsentladespannung u2 ist während des Entladevorgangs konstant. Der Entladestrom i2(t) führt eine Halbperiode einer Sinusschwingung aus, wobei er mit 0 beginnt, auf das Maximum 1 ansteigt und wieder auf 0 zurückgeht, wobei die Zellenspannung up(t) zu diesem Zeitpunkt ebenfalls den Wert 0 erreicht. An der Kapazität Cp der Plasmazelle liegt also nach Beendigung des Entladevorgangs keine Restspannung mehr an.
  • Als Schalter für die erfindungsgemäße Schaltungsanordnung können beispielsweise MOSFETs (Metal Oxide Semiconductor-Field-Effect Transistors) oder IGBTs (Insulated Gate Bipolar Transistors) verwendet werden.

Claims (29)

1. Schaltungsanordnung für die Wechselspannungsversorgung eines Plasma-Display- Panels, die zumindest eine Transistorbrücke (T1, T2, T3, T4), eine Eingangsspannung (U0), eine Kapazität (Cp) der Plasmazelle und einen Ladestromkreis aufweist, wobei der Ladestromkreis mit einer Hilfsladespannung (u1) versorgt ist, dadurch gekennzeichnet, dass ein Gleichspannungswandler parallel zur Hilfsladespannung (u1) angeordnet ist.
2. Schaltungsanordnung nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, dass der Gleichspannungswandler ein Hochsetzsteller ist.
3. Schaltungsanordnung nach Anspruch 1 oder 2, dadurch gekennzeichnet, dass der Hochsetzsteller aus einem Transistor (TA), einer Diode (DA) und einer Induktivität (LA) besteht.
4. Schaltungsanordnung nach einem der vorangehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, dass die drei Anschlüsse eines Hochsetzstellers an der positiven Seite der Kapazität Csb), an Masse und an die positive Seite der Kapazität (Csa) angeschlossen sind.
5. Schaltungsanordnung nach einem der Ansprüche 1 bis 4, dadurch gekennzeichnet, dass die Hilfsladespannung (u1) einen Wert hat, der oberhalb der Hälfte des Wertes der Eingangsspannung (U0) liegt.
6. Schaltungsanordnung nach einem der Ansprüche 1 bis 5, dadurch gekennzeichnet, dass der Ladestromkreis zumindest aus einer Reihenschaltung eines Hilfstransistors (T11), einer ersten Diode (D1) und einer ersten Spule (L1) besteht.
7. Schaltungsanordnung nach einem der Ansprüche 1 bis 6, dadurch gekennzeichnet, dass die Hilfsladespannung (u1) an einem Hilfsladekondensator (Csa) anliegt.
8. Schaltungsanordnung nach einem der Ansprüche 1 bis 7, dadurch gekennzeichnet, dass die Kapazität (Csa) des Hilfsladekondensators sehr viel größer ist, als die Kapazität (Cp) der Plasmazelle ist.
9. Schaltungsanordnung nach einem der vorangehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, dass die Hilfsladespannung (u1) von einem Gleichspannungswandler aus einer Hilfsentladespannung (u2) erzeugt wird.
10. Schaltungsanordnung nach Anspruch 3, dadurch gekennzeichnet, dass der Transistor (TA) mit Source einen ersten gemeinsamen Verbindungspunkt mit der Kapazität (Csa) der Hilfsladespannung und dem Masseanschluss der Eingangsspannung (U0) aufweist und mit Drain einen zweiten gemeinsamen Verbindungspunkt mit der Spule (LA) und der Anode der Diode (DA) aufweist.
11. Schaltungsanordnung nach Anspruch 3 oder 10, dadurch gekennzeichnet, dass die Diode (DA) mit ihrer Kathode einen gemeinsamen Verbindungspunkt mit dem Transistor (T11) des Ladeschwingkreises und der positiven Seite der Kapazität Csa aufweist.
12. Schaltungsanordnung nach einem der Ansprüche 3, 10 oder 11, dadurch gekennzeichnet, dass die Spule (LA) mit ihrem anderen Ende zumindest mit dem Transistor (T12) eines Entladeschwingkreises verbunden ist.
13. Schaltungsanordnung nach einem der vorangehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, dass der Wert der Hilfsladespannung (u1) mehr als 50% des Wertes der Eingangsspannung (U0) beträgt.
14. Schaltungsanordnung für die Wechselspannungsversorgung eines Plasma-Display- Panels, die zumindest eine Transistorbrücke (T1, T2, T3, T4), eine Eingangsspannung (U0), eine Kapazität (Cp) der Plasmazelle und einen Entladestromkreis aufweist, wobei der Entladestromkreis eine Hilfsentladespannung (u2) speist, dadurch gekennzeichnet, dass zusätzlich ein Gleichspannungswandler parallel zur Hilfsentladespannung (u2) angeordnet ist.
15. Schaltungsanordnung nach Anspruch 14, dadurch gekennzeichnet, dass der Gleichspannungswandler ein Tiefsetzsteller ist.
16. Schaltungsanordnung nach Anspruch 14 oder 15, dadurch gekennzeichnet, dass der Tiefsetzsteller aus einem Transistor (TB), einer Diode (DB) und einer Induktivität (LB) besteht.
17. Schaltungsanordnung nach einem der Ansprüche 14 bis 16, dadurch gekennzeichnet, dass die drei Anschlüsse eines Tiefsetzstellers an die positive Seite der Eingangsspannung (U0), an Masse und an die positive Seite der Kapazität Csb angeschlossen sind.
18. Schaltungsanordnung nach einem der Ansprüche 14 bis 17, dadurch gekennzeichnet, dass die Hilfsentladespannung (u2) einen Wert hat, der unterhalb der Hälfte des Wertes der Eingangsspannung (U0) liegt.
19. Schaltungsanordnung nach einem der Ansprüche 14 bis 18, dadurch gekennzeichnet, dass der Entladestromkreis zumindest aus einer Reihenschaltung eines Hilfstransistors (T12), einer zweiten Diode (D2) und einer zweiten Spule (L2) besteht.
20. Schaltungsanordnung nach einem der Ansprüche 14 bis 19, dadurch gekennzeichnet, dass die Hilfsentladespannung (u2) an einem Hilfsentladekondensator (Csb) anliegt.
21. Schaltungsanordnung nach einem der Ansprüche 14 bis 20, dadurch gekennzeichnet, dass die Kapazität (Csb) des Hilfsentladekondensators sehr viel größer ist, als die Kapazität (Cp) der Plasmazelle ist.
22. Schaltungsanordnung nach einem der Ansprüche 14 bis 21, dadurch gekennzeichnet, dass die Hilfsentladespannung (u2) von der Entladung der Kapazität (Cp) erzeugt und von einem Gleichspannungswandler stabilisiert wird.
23. Schaltungsanordnung nach Anspruch 22, dadurch gekennzeichnet, dass der Gleichspannungswandler die durch die Kommutierung bedingten Verluste ausgleicht und die erforderliche Leistung der Eingangsspannung Uo entnimmt.
24. Schaltungsanordnung nach Anspruch 16, dadurch gekennzeichnet, dass der Transistor (TB) mit Drain einen ersten gemeinsamen Verbindungspunkt mit der positiven Seite der Eingangsspannung (U0) aufweist und mit Source einen gemeinsamen Verbindungspunkt mit der Spule (LB) und der Anode der Diode (DB) aufweist.
25. Schaltungsanordnung nach Anspruch 16 oder 23, dadurch gekennzeichnet, dass die Spule (LA) mit dem Transistor (T12) des Entladeschwingkreises verbunden ist.
26. Schaltungsanordnung nach einem der Ansprüche 16, 23 oder 25, dadurch gekennzeichnet, dass die Spule (LA) mit ihrem anderen Ende zumindest mit dem Transistor (T11) eines Ladeschwingkreises verbunden ist.
27. Schaltungsanordnung nach einem der Ansprüche 14 bis 26, dadurch gekennzeichnet, dass der Wert der Hilfsentladespannung (u2) weniger als 50% des Wertes der Eingangsspannung (U0) beträgt.
28. Schaltungsanordnung nach einem der Ansprüche 1 bis 27, dadurch gekennzeichnet, dass die Hilfsspannungen (u1) und (u2) und die zugehörigen Gleichspannungswandler für mehrere unabhängige Brückenschaltungen, die eine gemeinsame Eingangsspannung (Uo) verwenden, genutzt werden.
29. Plasma-Display-Panel mit einer Schaltungsanordnung für die Wechselspannungsversorgung des Plasma-Display-Panels, die zumindest eine Transistorbrücke (T1, T2, T3, T4), eine Eingangsspannung (U0), eine Kapazität (Cp) der Plasmazelle und einen Ladestromkreis aufweist, wobei der Ladestromkreis mit einer Hilfsladespannung (u1) versorgt ist, dadurch gekennzeichnet, dass ein Gleichspannungswandler parallel zur Hilfsladespannung (u1) angeordnet ist.
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