KR20050004820A - 이트륨 치환 바륨 티오알루미네이트 인광물질 - Google Patents

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KR20050004820A
KR20050004820A KR10-2004-7014922A KR20047014922A KR20050004820A KR 20050004820 A KR20050004820 A KR 20050004820A KR 20047014922 A KR20047014922 A KR 20047014922A KR 20050004820 A KR20050004820 A KR 20050004820A
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yttrium
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나쿠아압둘엠
청단대언
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이화이어 테크놀로지 인코포레이티드
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Abstract

본 발명은 전계발광 디바이스를 위한 박막 인광물질에 관한 것으로, 상기 인광물질은 원소주기율표의 IIA족과 IIB족 원소들로부터 선택된 적어도 하나의 양이온을 갖는 티오알루미네이트, 티오갈레이트 및 티오인데이트로 이루어진 군에서 선택되고, 상기 인광물질은 희토류 금속으로 활성화되고 상기 티오알루미네이트, 티오갈레이트 및 티오인데이트의 알루미늄, 갈륨 또는 인듐의 한 부분에 대해 부분 치환물로서 IIIB족 원소를 함유한다.

Description

이트륨 치환 바륨 티오알루미네이트 인광물질{Yttrium Substituted Barium Thioaluminate Phosphor Materials}
후막 유전구조(dielectric structures)는 미국특허 5,432,015에 예시된 것처럼 박막전계발광(TFEL)디스플레이와 비교해서 감소된 작동전압 뿐만 아니라 유전파괴(dielectric breakdown)에 우수한 저항을 제공한다. 후막 유전구조는 그것이 세라믹 기판(substrate) 상에 용착(deposited)될 때 일반적으로 유리 기판 위에 제조되는 TFEL 디바이스보다 더 높은 처리온도에도 견디어낸다. 이러한 증가된 고온 허용범위는 인광물질 막들(phosphor films)의 루미노시티(luminosity)를 개선하기 위해 보다 높은 온도에서 인광물질 막들의 어닐링(annealing)을 촉진한다. 이러한 장점들과 청색방출(blue-emitting) 인광물질에서의 최근의 향상으로, 디스플레이들은 전통적인 음극선관(CRT) 디스플레이의 기술 퍼포먼스(techniBal performance)를 성취하기 위해 필요한 루미노시티와 색좌표(colour coordinates)에 접근하였다. 그럼에도 불구하고, 청색 인광물질 퍼포먼스는 디스플레이 디자인을 단순화하고, 작동전압을 낮춰 디스플레이 의존성을 개선하고, 디스플레이를 위한 보다 높은 색온도 스페시피케이션(사양: specifiBation)를 향한 경향으로 페이스를 유지하기 위해 필요하다.
세륨-활성 스트론튬 설파이드 인광물질은 전통적으로 전계발광 디스플레이에서 청색에 대해서 사용되었고 망간-활성 아연 설파이드는 적색과 녹색에 대해서 사용되었다. 이들 인광물질로부터의 광학방사(optiBal emission)는 적색, 녹색 및 청색 서브픽셀(sub-pixels)을 위한 필요한 색좌표를 얻기 위해 적절한 크로마틱 필터(chromatic filter)를 통과해야하고, 결과적으로 루미넌스와 에너지 효율의 손실을 초래한다. 망간-활성 아연 설파이드 인광물질은 입력 전력 1와트 당 10 루멘까지의 광학 에너지 변환효율에 상대적으로 높은 전기를 갖는다. 세륨-활성 스트론튬 설파이드 인광물질은 청색 방사(blue emission)에 상대적으로 높은 1 루멘/와트의 에너지 변환효율을 갖는다. 그러나, 이들 인광물질들에 대한 분광방사(spectral emission)는 녹색에서 적색으로 컬러 스펙트럼을 스팬(spanning)하는 아연설파이드-베이스 인광물질에 대한 분광방사 및 청색에서 녹색으로 스팬하는 스트론튬 설파이드-베이스 인광물질에 대한 분광방사로 아주 넓다. 이것은 광학 필터의 사용을필요로 한다. 세륨-활성 스트론튬 설파이드 인광물질의 분광방사(spectral emission)는 용착 조건과 활성화제 농도를 제어함으로써 청색 쪽으로 어느 정도 시프트될 수 있지만, 광학필터의 필요성을 제거하기 위해 요구되는 정도까지는 아니다.
청색 서브픽셀이 요구되는 색좌표를 제공하기 위해 보다 좁은 발광스펙트럼을 가지는 청색 인광물질이 평가되었다. 이들 인광물질은 세륨-활성 알칼리토 티오갈레이트 화합물을 포함하고, 이는 양호한 청색 색좌표를 주지만, 상대적으로 빈약한 루미노시티와 안정성을 갖는다. 청색 픽셀에 대한 우수한 색좌표와 더 높은 루미노시티는 유로퓸-활성 바륨 티오알루미네이트 인광물질로 얻어졌다.
보다 최근에 유로퓸 활성 란타늄 티오알루미네이트는 청색광 방출 전계발광 인광물질로서 유용성을 갖는 것으로 나타났다. 유럽특허출원 1,148,111호에는 1 kHz 전기장이 디바이스를 가로질러 인가되었을 때 300 칸델라/㎡의 루미넌스가 실현된 두꺼운 유전 전계발광 디바이스에 혼합된 이러한 조성의 박막 인광물질이 개시되어 있다. 이 유럽출원은 티오알루미네이트 베이스 인광물질에 대한 가능한 양이온 선택으로서 이트륨의 사용을 제안하고 있지만, 인광물질에서 어떠한 금속종으로 이트륨의 부분치환을 제안하고 있지는 않다.
이트륨은 박막 전계발광 디바이스에서 희토-활성화 설파이드 인광물질의 루미노시티를 향상시키기 위해 코활성화제(co-activators)로서 사용되었다. 미국특허 6,043,602 및 5,939,825호는 녹색 및 청색광 방출 바륨 이트륨, 스트론튬, 바륨 또는 마그네슘 설파이드 인광물질의 루미넌스를 향상시키는 일련의 공활성화제 종의하나로서 이트륨의 사용을 가르치고 있다. 이들 인광물질들은 또한 구리나 납 같은 금속 도판트(dopant)를 포함하고, 미국특허 6,043,602호의 경우에는 플루오린, 클로린 또는 아이오다인에서 선택된 할로겐을 포함한다. 미국특허 5,662,831호는 음극선발광 인광물질로서 유로퓸 활성 이트륨 옥시-설파이드 물질의 제조방법을 가르치고 있다. 인광물질은 작은 입자크기를 성취하기 위해 분쇄된 슬러리로 제공된다. 전술한 이들 특허들은 이성분 알카리토 설파이드에서 도판트 또는 코도판트(co-dopant)로서, 호스트 물질의 한 하나의 양이온으로서 이트륨을 개시하고 있다. 이들 특허들은 인광물질의 금속 종의 부분 치환을 위한 이트륨의 사용을 시사하지도 암시하지도 않는다.
전계발광 디스플레이에서 박막으로서 사용하는 개선된 특성을 가지는 새로운 인광물질에 대한 요구가 남아있다. 본 발명은 이러한 요구와 기타 다른 요구들을 성취한다.
본 발명은 전계발광 디스플레이(electroluminescent displays)에서 박막(thin films)으로서 사용되는 인광물질(phosphor materials)에 관한 것이다. 보다 상세하게는, 본 발명은 그러한 인광물질에서 이트륨 치환에 관한 것이고, 특히 이트륨 치환 바륨 티오알루미네이트 인광물질에 관한 것이다.
본 발명은 또한 풀 컬러(full colour) 전계발광디스플레이에 사용될 때 인광물질, 특히 높은 유전상수(dielectric constant)를 가지는 후막(thick film) 유전층(dielectric layers)을 적용하는 인광물질의 방사 스펙트럼을 최적화하고 루미넌스(luminance)를 향상시키는 것에 관한 것이다.
본 발명은 도면에 도시된 실시형태를 참조하여 설명될 것이다.
도 1은 본 발명의 전형적인 인광물질 조성(composition)과 박막 유전층을 포함하는 전계발광 소자의 단면을 나타내는 개략도.
도 2는 풀 컬러 전계발광 픽셀과 그 구성 서브픽셀의 평면을 나타내는 개략도.
도 3은 유로퓸으로 도프(doped)된 몇몇 바륨 이트륨 티오알루미네이트 분말에 대한 포토루미네센스(photoluminescence) 스펙트럼과 포토엑시테이션(photoexicitation) 스펙트럼을 나타낸 그래프.
도 4는 몇몇 이트륨 치환 바륨 티오알루미네이트 인광물질에 대한 x-레이 회절 패턴을 나타내는 그래프.
도 5는 이트륨이 가해진 인광물질과 가해지지 않은 인광물질을 가지는 유사한 전계발광 디바이스에 대해 가해진 전압의 작용으로서 루미노시티를 나타내는 그래프.
도 6은 이트륨을 함유하는 유로퓸 활성화 바륨 티오알루미네이트 인광물질이 있는 전계발광 디바이스의 인광물질 효율과 루미넌스를 나타내는 그래프.
도 7은 바륨 이트륨 티오알루미네이트 인광물질이 있는 몇몇 전계발광 디바이스의 인가된 전압의 작용으로서의 루미노시티를 나타내는 그래프.
도 8은 인광물질에서 이트륨 농도의 작용으로서의 전계발광 디바이스의 루미노시티를 나타내는 그래프.
본 발명의 한 태양(態樣)에 따르면, 전계발광 디바이스를 위한 박막 인광물질이 제공되고, 상기 인광물질은 원소주기율표의 IIA족과 IIB족 원소들로부터 선택된 적어도 하나의 양이온을 갖는 티오알루미네이트, 티오갈레이트 및 티오인데이트로 이루어진 군에서 선택되고, 상기 인광물질은 희토류 금속으로 활성화되고 상기 티오알루미네이트, 티오갈레이트 및 티오인데이트의 알루미늄, 갈륨 또는 인듐의 한 부분에 대해 부분 치환물로서 IIIB족 원소를 함유한다.
본 발명의 다른 태양(態樣)에 따르면, 전계발광 디바이스를 위한 박막 인광물질이 제공되고, 상기 인광물질은 원소주기율표의 IIA족과 IIB족 원소들로부터 선택된 적어도 하나의 양이온을 갖는 티오알루미네이트, 티오갈레이트 및 티오인데이트로 이루어진 군에서 선택되고, 상기 인광물질은 희토류 금속으로 활성화되고 여기서 티오알루미네이트, 티오갈레이트 또는 티오인데이트의 알루미늄, 갈륨 또는 인듐의 한 부분이 이트륨으로 치환된다.
본 발명의 또다른 태양(態樣)에 따르면, 다음 식을 가지는 인광물질이 제공된다:
,
여기서
A는 IIA족 또는 IIB족 양이온;
D는 희토류 금속;
Z는 Al, Ga 및 In에서 선택되고;
0 < x < 0.2;
y = 2; 그리고
0.005 < w < 0.1.
본 발명은 알루미늄, 갈륨 및 인듐에서 선택된 금속 종에 대한 이트륨의 부분 치환을 제공하고 이러한 치환은 실질적으로 인광물질의 결정격자 구조를 변경하지 않는다.
본 발명의 바람직한 실시형태에서, 인광물질은 티오알루미네이트이다.
다른 실시형태에서, 상기 희토류 금속은 유로퓸 및/또는 세륨에서 선택되고, 바람직하게는 유로퓸이다.
다른 바람직한 실시형태에서, 양이온은 바륨이다.
또 다른 실시형태에서, 인광물질은 IIA족 또는 IIB족 양이온 존재의 1 - 10 원자퍼센트(atomin percent) 범위의 양의 유로퓸과 알루미늄, 갈륨 또는 인듐의 0.1 - 20 원자퍼센트 범위의 양의 이트륨을 함유한다. 바람직하게는 유로퓸의 양은 IIA족 또는 IIB족 양이온 존재의 2 - 7 원자퍼센트이고 이트륨은 알루미늄, 갈륨 또는 인듐 함량의 1 - 7 원자퍼센트 사이를 대체한다.
본 발명의 또다른 태양(態樣)에 따르면, 다음 식을 가지는 인광물질이 제공된다:
,
여기서
A는 IIA족 또는 IIB족 양이온;
D는 희토류 금속;
M는 Y, Sc, La 및 Ac에서 선택되는 IIIB족 금속이고;
Z는 Al, Ga 및 In에서 선택되고;
0 < x < 0.2;
y = 2; 그리고
0.005 < w < 0.1.
본 발명의 또 다른 태양(態樣)에 따르면, 여기에 설명된 바와 같이 기판 구조 상에 박막 인광물질을 포함하는 전계발광 디바이스가 제공된다.
본 발명의 또다른 태양(態樣)에 따르면, 원소주기율표의 IIA족과 IIB족 원소들로부터 선택된 적어도 하나의 양이온을 갖는 티오알루미네이트, 티오갈레이트 및 티오인데이트로 이루어진 군에서 선택된 인광물질의 제조방법을 제공하고, 상기 인광물질은 희토류 금속으로 활성화되고 알루미늄, 갈륨 또는 인듐의 한 부분이 이트륨으로 대체된다.
본 발명의 또 다른 태양에 따르면, 다음 식을 가지는 인광물질의 제조방법이 제공된다:
,
여기서
A는 IIA족 또는 IIB족 양이온;
D는 희토류 금속;
Z는 Al, Ga 및 In에서 선택되고;
0 < x < 0.2;
y = 2; 그리고
0.005 < w < 0.1.
본 발명의 다른 특징 및 장점들은 다음의 상세한 설명으로 명확해질 것이다. 그러나, 당업자가 상세한 설명으로부터 본 발명의 정신과 범위 내에서 다양한 변경및 변형을 할 수 있음은 자명한 것이기 때문에, 본 발명의 실시형태를 나타내는 특성 실시예 및 상세한 설명은 단지 설명을 위해 주어진 것임을 알아야 한다.
본 발명은 IIIB족 원소를 가지는 희토류 금속 활성화 티오알루미네이트, 티오갈레이트 또는 티오인데이트 인광물질에서 알루미늄, 갈륨 또는 인듐의 부분 치환에 관한 것으로, 이러한 부분 치환은 실질적으로 인광물질의 결정격자구조를 왜곡시키거나 영향을 주지는 않는다.
일실시형태에서, 본 발명은 유로퓸 활성 알칼리토 티오알루미네이트 인광물질에서 알루미늄에 대한 부분 대체로서의 이트륨에 관한 것이고, 특히 인광물질들이 전계발광 디스플레이에서 박막으로서 용착될 때 이트륨을 인광물질에 혼입하는 것에 관한 것이다. 그러한 부분 치환은 인광물질과 이러한 인광물질을 혼입하는 전계발광 디스플레이에 대하여 몇몇 장점을 제공한다. 일 태양에서, 이트륨은 바람직한 결정상을 형성하기 위해 가열처리공정(아닐링)에 요구되는 최대온도를 낮추는 작용을 한다. 또한, 인광물질 조성의 루미네센스는 알루미늄의 치환이나 부분 대체로 향상된다.
알루미늄을 이트륨으로 부분적으로 대체하는 것이 바람직하지만, 치환이 인광물질의 작용이나 특성에 영향을 주는 형태로 인광물질의 결정격자구조를 실질적으로 왜곡하거나 영향을 끼치지 않는 한 이트륨 또는 그의 관련있는 스칸듐, 이트륨, 란타늄 및 악티늄을 포함하는 IIIB족 원소들로 알루미늄, 갈륨 또는 인듐을 부분적으로 대체하는 것이 본 발명의 범위내에 있다.
실시형태에서, 그리고 여기에 예시하여 설명하는 바와 같이, 유로퓸 활성 바륨 티오알루미네이트, 청색 방출 인광물질의 일렉트로루미네센스는 3원자퍼센트의 알루미늄이 이트륨으로 치환될 때 둘 이상의 팩터에 의해 증가된다. 이트륨 없이 1 루멘/와트 이상부터 3원자퍼센트 이트륨 치환으로 청색 방출 픽셀에 대해 매우 높은 값 2루멘/와트까지 디바이스의 광학 에너지 변환효율에 전기적으로 대응하는 증가가 있다. 광학 방사 스펙트럼은 또한 이트륨 추가로 청색을 향하여 시프트된다.
본 발명은 특히 인광물질을 형성하기 위해 부분적으로 이트륨 치환된 그리고 유로퓸 활성화된 알칼리토 티오알루미네이트 호스트(host) 물질의 사용에 대하여 지시하고 있다. 본 발명은 삼성분, 사성분 및 고차성분 티오알루미네이트, 티오갈레이트 및 티오인데이트 인광물질, 및 이들 화합물에 대해 양이온으로 합성된 복합물에 적용할 수 있다. 바람직한 양이온은 당해 기술분야에 통상의 지식을 가진 자에게 알려져 있는 원소주기율표의 IIA족과 IIB족 원소들로부터 선택된다. 그러한 양이온의 예는 바륨, 바륨 이트륨, 스트론튬, 마그네슘 및 아연을 포함한다.
그 기술분야에 통상의 지식을 가진 자에게 알려진 갖가지 희토류 활성제들은 인광물질에서 예를 들면 유로퓸과 세륨 같은 치환체와 함께 사용된다. 이트륨과 함께 사용된 바람직한 활성제는 유로퓸이다. 본 발명의 바람직한 실시형태에서, 청색광울 방출하는 바륨 티오알루미네이트(BaAl2S4) 인광물질이 부분적으로 이트륨 치환된다.
본 발명은 도 1과 2에 도시된 전계발광 디스플레이 또는 디바이스에 사용하기에 적합하다. 도 1은 본 발명의 인광물질을 사용하는 전계발광디바이스의 단면을 나타낸다. 도 2는 전계발광디바이스의 평면을 나타낸다. 일반적으로 도면부호 10으로 표시되는 전계발광디바이스는 기판(12)을 가지며, 그 기판 위에 로우(row) 전극(14)이 위치된다. 후막 유전체(16)는 그 위에 박막 유전체(18)를 갖는다. 박막유전체(18)는 그 위에 위치된 3개의 픽셀 컬럼들(20, 22, 24)로 나타낸다. 픽셀 컬럼들은 3개의 기본색 즉 적색, 녹색 및 청색을 제공하기 위해 인광물질들을 함유한다. 픽셀 컬럼(20)은 박막 유전체(18)와 접촉하여 위치된 적색 인광물질(26)을 갖는다. 다른 박막 유전체(28)는 적색 인광물질(26) 위에 위치되고, 컬럼 전극(30)은 박막 유전체(28) 위에 위치된다. 마찬가지로, 픽셀 컬럼(22)은 박막 유전체(18) 위에 위치된 녹색 인광물질(32)을 갖고, 그 위에 박막 유전체(34)와 컬럼 전극(36)을 갖는다. 픽셀 컬럼(24)은 박막 유전체(18) 위에 위치된 청색 인광물질(38)을 갖고, 그 위에 박막 유전체(40)와 컬럼 전극(42)을 갖는다.
본 발명의 전계발광 디바이스는 그 기술분야에 숙련자에 의해 알 수 있는 여러가지 기판구조들을 포함한다. 특히, 기판구조는 도전막에 용착된 후막층으로 그 위에 용착된 전기 도전막을 가지는 세라믹 시트인 기판을 가지는 후막 세라믹물질을 포함한다. 바람직한 기판의 예는 알루미나, 금속 세라믹 복합물, 유리 세라믹 물질 및 고온 유리 물질을 포함하지만 이에 한정되는 것은 아닌 세라믹 시트 물질이다. 바람직한 전기 도전막은 금과 은 합금 같이 당업자에게 알려져 있지만 이것에 한정되는 것은 아니다. 후막층은 강유전물질을 포함한다. 바람직한 강유전물질은 리드 마그네슘 니오베이트 티타네이트, 리드 지르코네이트 티타네이트, 바륨 티타네이트 및 이들이 혼합물에서 선택된다. 후막층은 또한 그 위에 하나 이상의 박막층을 포함한다.
조성물(composition)의 용착(deposition)은 용착 화합물이 황에 불충분해지는 경향이 있는 경우 용착될 때 황막(sulphur film)을 오염시키지 않는 H2S, 황 또는 다른 휘발성 황 함유 화합물의 분위기에서 실행된다. 일실시형태에서, 용착은 황화수소 분위기에서 행해져서 막에 있는 용착된 종류(deposited species)가 용착된 막(deposited film)을 황화물로 적절히 포화시키도록 황화수소에서 유도된 황화물과 반응시키고 원하는 막 조성물을 얻을 수 있다. 그러나, 일부의 경우, 황화수소 없이 낮은 압력의 비활성 기체 분위기에서 그 방법을 행할 수도 있다. 그러므로, 엄격한 산소유리(oxygen-free) 환경이 필요하지 않다.
황의 용착은 여러가지 방법을 사용하여 수행될 수 있다. 예를 들면, 황의 용착은 2000. 12. 22.자 출원된 출원인의 동시계속 미국특허출원 09/747,315에 예시된 바와 같이 전자빔 전자빔 증발(evaporation), 특히 이중 소스 전자빔 증발에 의해 행해질 수 있다. 용착은 황화수소를 포함하는 기체를 주입하고 배출하는 설비가 구비되어 있는 이중 소스 알에프(rf) 마그네트론 스퍼터링에 의해 행해진다. 이 스퍼터링 프로세스에서 용착 기판은 가열수단을 가지고 있고 2001. 5. 29.자 출원된 출원인의 미국특허출원 09/867,080에 예시된 바와 같이 알루미늄 설파이드 또는 금속 알루미늄은 스퍼터링 타겟 중 하나에 존재한다. 또 다른 용착은 열 증발을 사용하여 실행될 수 있다. 이 기술분야에 통상의 지식을 가진 자는 다른 방법들을 사용하여 본 발명의 인광물질을 어떻게 용착하는지를 쉽게 이해할 것이다.
알칼리토 티오알루미네이트는 전계발광 인광물질로서 유용성이 있지만, 루미노시티가 낮다고 보고되어 있다. 호스트 물질의 화학량론의 개선된 콘트롤은 전계발광 소자가 보다 높은 루미넌스를 갖게 한다는 것이 입증되었다. 알루미늄에 대한 부분 치환체로서 이트륨의 이용은 전계발광 소자가 이전에 알려진 인광물질 보다 더 높은 루미넌스를 갖게 한다는 것이 입증되었다.
이상 본 발명에 대하여 일반적으로 설명하였다. 보다 완전한 이해는 다음의 특정 실시예를 통해서 얻을 수 있다. 이들 실시예는 단지 설명할 목적으로 서술된 것이며, 본 발명의 범위를 제한하고자 의도된 것은 아니다. 어떠한 상황이 방편을 제시하거나 묘사할 경우 형태의 변경과 등가물의 치환을 심사숙고할 수 있다. 특정 용어들이 여기에 사용되었지만, 그러한 용어들은 설명하고자 하는 목적으로 사용된 것이며 제한할 목적으로 사용된 것은 아니다.
본 실시예는 설명 목적으로 서술된 것이며 본 발명의 범위를 제한하고자 의도된 것은 아니다. 상세한 설명과 실시예에 언급되어 있지만 명쾌하게 설명되지 않은 화학, 광화학 및 분광학 방법들은 과학문헌에 보고되었고 당업자에게 잘 알려져 있다.
실시예 1
일련의 유로퓸-도프된(europium-doped) 마그네슘 바륨 이트륨 티오알루미네이트 분말들이 바륨 설파이드, 이트륨 설파이드, 알루미늄 설파이드 및 유로퓸 설파이드 분말들을 여러 비율로 혼합하여 제조하였다. 바륨 이트륨 티오알루미네이트 인광물질 분말들은 공칭 조성물 Ba0.97Eu0.03(YxAl1-x)2S4를 갖는다. 샘플들은 (i) x = 0.0, (ii) x = 0.05, (iii) x = 0.10으로 제조되었다.
혼합된 분말들은 직경 1.3cm, 높이 0.75cm인 펠릿을 형성하기 위해 가압성형되었다. 펠릿들은 피크온도 950℃ 정도에서 10분간 질소 환경하에서 알루미나 보트(boat)에 이들을 위치하고 이들을 벨트 퍼네이스(belt furnace)를 통과시켜 열처리 하였다. 그러나, 펠릿의 실제 온도는 알루미나 보트에 의해 도입된 큰 열 부하로 인하여 더 낮았다.
생성 인광물질들의 포토루미네센스(photoluminescence) 및 엑시테이션 스펙트럼은 카나다 온타리오 소재 포톤 테크놀러지 인터내셔널 오브 런던에서 모델 814 포토멀티플라이어 검출 시스템 및 A-1010B 아크 램프 크세논 플래시 램프를 사용하여 측정되었다. 모노크로메이터는 엑시테이션 파장을 선택하는데 사용되었다.
포토루미네센스 및 엑시테이션 스펙트럼은 도3에 나타냈다. 그 방사 더 높은 이트륨 함량에서 더 짧은 파장으로 시프트하는 경향으로 480nm 근처의 피크를 갖는다. 이들 스펙트럼, 특히 더 짧은 파장은 최소 필터링으로 풀컬러 디스플레이에 적합한 CIE 좌표를 제공할 수 있다. 이트륨이 없는 샘플의 엑시테이션 스펙트럼은 두개의 피크를 가지고 있는데, 하나는 약 300 나노미터 근처고, 다른 하나는 약 350 나노미터 근처이다. 이트륨을 함유하는 샘플들은 크기가 감소된 300 나노미터 피크를 가지지만, 이트륨을 함유하지 않는 샘플의 것과 비교해서 본질적으로 변하지 않은 350 나노미트 피크를 가지는 엑시테이션 스펙트럼을 가졌다.
실시예 2
일련의 유로퓸-도프된(europium-doped) 마그네슘 바륨 이트륨 티오알루미네이트 분말들이 바륨 설파이드, 이트륨 설파이드, 알루미늄 설파이드 및 유로퓸 설파이드 분말들을 여러 비율로 혼합하여 제조하였다. 바륨 이트륨 티오알루미네이트 인광물질 분말들은 공칭 조성물 Ba0.97Eu0.03(YxAl1-x)2S4를 갖는다. 샘플들은 (i) x = 0.0, (ii) x = 0.02, (iii) x = 0.05, (iv) x = 0.10 및 (v) x = 0.20으로 제조되었다. 샘플들은 최대 온도가 950℃ 정도 보다는 오히려 1000℃ 정도인 것을 제외하고는 실시예 1에서와 같이 벨트 퍼네이스(belt furnace)에서 열처리 하였다. 샘플들의 분말 x-레이 회절(XRD) 패턴이 얻어졌는데, 이는 입방체 BaAl2S4에 대한 XRD 패턴에 인덱스될 수 있었다. 이들 패턴은 도 4에 나타냈다. 이트륨의 추가는 XRD 피트의 폭이 더 첨예하게 되어, 이들 물질들에 대한 더 높은 결정화도, 낮은 결정 결함 밀도 또는 더 큰 입자 크기를 나타내었다. 그러나 피크에 대한 각도는 이트륨 치환 물질에 대해 변하지 않았고, 이트륨 치환으로 결정 단위 셀 치수에서의 실질적 변화가 표시되지 않았다. 그러나, x=0.1 또는 그 이상의 이트륨 함량에 대해서 추가 XRD 피크는 바륨 설파이드, 이트륨 트리설파이드 또는 알루미늄 이트륨 설파이드 위상이 되도록 나타났다.
실시예 3
유로퓸으로 활성화된 이트륨 치환 바륨 티오알루미네이트를 포함하는 박막 인광물질을 일체화하는 두개의 두꺼운 유전 전계발광 디바이스가 만들어졌다. 후막 기판은 0.1cm 두께를 가지는 5cm ×5cm 크기의 알루미나 기판으로 되었다. 금 전극은 기판 위에 용착되었고, 후막 고 유전상수 유전체 층이 출원인의 2000. 5. 12.자 동시계속출원 국제출원 PCT CA00/00561호에 예시된 방법에 따라 용착되었다. 바륨 티타네이트로 이루어진 박막 유전체(두께 100-200 나노미터)가 2001. 1. 17.자 출원인의 동시계속 미국특허출원 09/761,971에 설명된 졸 겔 기술을 이용하여 후막 유전체의 상부에 용착되었다.
인광물질막은 2000. 12. 22.자 출원인의 동시계속 미국특허출원 09/747,315에 설명된 방법에 따라 이중 소스 전자빔 증발을 이용하여 바륨 티타네이트 층의 상부에 전자빔 증발되었다. 디바이스 중 하나에 대해 이트륨 설파이드는 또한 식 Ba0.97Eu0.03(YxAl1-x)2S4에서 x=0.05 에 상응하는 양으로 용융 혼합물에 추가되었다. 두 샘플에 대해 각 증발 소스(evaporation source)는 펠릿형태로 되어 있었고, 이는 실시예 1에 개설된 방법을 사용하여 제조되었다.
인광물질 용착은 8x10-5- 2x10-4토르(torr)의 압력에서 황화수소의 낮은 압력 분위기에서 행해졌고, 350 - 500℃의 온도에서 기판에 행해졌다. 용착은 이중 소스를 이용하는 전자빔 증발에 의해 행해졌다. 알루미늄 설파이드의 용착비율은수정결정 모니터(quartz crystal monitor)를 사용하여 잔여 성분들의 부재시에 측정한 바와 같이 5-7 옹스트롬/초(Å/sec)이었고, 알루미늄 설파이드 부재시의 잔여 성분들의 용착비율은 수정결정 모니터(quartz crystal monitor)를 사용하여 측정한 바와 같이 3.5-5.5 Å/sec이었다. 용착 인광물질 막 두께는 3000-4500Å이었다.
용착 다음에, 인광물질-코팅 기판은 650-700℃의 온도에서 2분간 질소분위기하에서 어닐링되었다. 50 나노미터 두께의 알루미나 박막과 인듐주석산화물 투명 도체는 제2 전극을 제공하기 위해 인광물질 위에 용착되었다.
생성 디바이스는 교번 극성 32 마이크로세컨드 와이드 스퀘어 웨이브 펄스(microsecond wide square-wave pulse)와 초당 240 광펄스(light pulses)가 주어지는 주파수 120Hz를 사용하여 테스트하였다. 펄스 진폭은 260볼트까지 10 볼트씩 증가하여 변화하였고 비교 데이터는 도 5에 나타내었다. 도 5에서 알 수 있는 바와 같이, 이트륨 함유하는 인광물질을 가지는 다바이스에 대한 루미넌스는 이트륨을 함유하지 않는 디바이스에 대한 루미넌스의 약 2배이다. 루미넌스는 루너넌스의 온셋(onset)에 대한 임계전압을 넘는 증가 전압에 따라 서형으로 증가하고, 이트륨 첨가로 증가된 루미넌스는 가해진 전압을 증가시키는 일이 없이 실현될 수 있다. 도 6은 또한 이트륨을 함유하는 인광물질을 가지는 디바이스에 대한 인광물질 효율을 나타낸다. 이 파장범위에서 청색 인광물질 루미넌스에 대한 새로운 기록 2.4 루멘/와트의 피크 효율이 실현되었다.
실시예 4
x=0.05에 상응하는 농도에서 이트륨을 함유하는 인광물질막이 있는 몇몇 두꺼운 유전체 디바이스가 만들어지고 테스트되었다. 도 7은 인가된 전압의 작용으로서 실현된 루미넌스의 의존성을 나타낸다. 도 7에서 보는 바와 같이, 이들 디바이스의 루미넌스 성능은 서로 아주 유사하여, 디바이스 성능의 반복가능성을 나타낸다.
실시예 5
인광물질에서 이트륨 농도가 변화된 것을 제외하고 실시예 3의 방법에 따라 5개의 보다 두꺼운 유전체 전계발광 디바이스가 만들어졌다. 제1디바이스는 바륨에 대하여 약 3원자퍼센트의 유로퓸 농도와 알루미늄에 대하여 제로 원자퍼센트의 이트륨 농도로 된 인광물질막을 가진다. 제2 디바이스는 바륨에 대하여 약 3원자퍼센트의 유로퓸 농도와 알루미늄에 대하여 약 1원자퍼센트 정도의 이트륨 농도로 된 인광물질막을 가진다. 제3디바이스는 바륨에 대하여 약 3원자퍼센트의 유로퓸 농도와 알루미늄에 대하여 약 3원자퍼센트의 이트륨 농도로 된 인광물질막을 가진다. 제4디바이스는 바륨에 대하여 약 3원자퍼센트의 유로퓸 농도와 알루미늄에 대하여 약 5원자퍼센트의 이트륨 농도로 된 인광물질막을 가진다. 제5디바이스는 바륨에 대하여 약 3원자퍼센트의 유로퓸 농도와 알루미늄에 대하여 약 10원자퍼센트의 이트륨 농도로 된 인광물질막을 가진다. 인광물질에서 이트륨 농도의 작용으로서 이들 디바이스에 대한 측정 루미넨스는 도 8에 나타내었다. 루미넌스는 x 값이 증가함에 따라 증가됨을 나타낸다.
비록 본 발명의 바람직한 실시예가 여기에 상세하게 설명되었지만, 본 발명의 정신을 벗어나지 않고 여러 변형이 행해질 수 있다는 것을 당업자가 알 것이다.

Claims (41)

  1. 박막 인광물질이 원소주기율표의 IIA족과 IIB족 원소들로부터 선택된 적어도 하나의 양이온을 갖는 티오알루미네이트, 티오갈레이트 및 티오인데이트로 이루어진 군에서 선택되고, 상기 인광물질은 희토류 금속으로 활성화되고 상기 티오알루미네이트, 티오갈레이트 및 티오인데이트의 알루미늄, 갈륨 또는 인듐의 한 부분에 대해 부분 치환물로서 IIIB족 원소를 함유하는 전계발광 디바이스를 위한 박막 인광물질.
  2. 제1항에 있어서, 상기 IIIB족 원소는 상기 인광물질의 결정격자구조를 왜곡시키거나 영향을 주지 않는 것인 박막 인광물질.
  3. 제2항에 있어서, 상기 IIIB족 원소는 스칸듐, 이트륨, 란타늄 및 악티늄으로 이루어진 군에서 선택되는 것인 박막 인광물질.
  4. 제3항에 있어서, 상기 IIIB족 원소는 이트륨인 박막 인광물질.
  5. 제4항에 있어서, 상기 인광물질은 티오알루미네이트인 박막 인광물질.
  6. 제4항에 있어서, 상기 인광물질은 티오갈레이트인 박막 인광물질.
  7. 제4항에 있어서, 상기 인광물질은 티오인데이트인 박막 인광물질.
  8. 제1항 내지 제7항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 희토류 금속은 유로퓸과 세륨으로 이루어진 군에서 선택되는 것인 박막 인광물질.
  9. 제8항에 있어서, 상기 희토류 금속은 유로퓸인 박막 인광물질.
  10. 제9항에 있어서, 양이온은 바륨인 박막 인광물질.
  11. 제10항에 있어서, 인광물질은 바륨의 1-10 원자퍼센트(atomic percent) 범위의 양으로 유로퓸을 함유하고 알루미늄의 0.1-20 원자퍼센트 범위의 양으로 이트륨이 존재하는 것인 박막 인광물질.
  12. 제10항에 있어서, 인광물질은 바륨의 2-7 원자퍼센트 범위의 양으로 유로퓸을 함유하고 알루미늄의 1-7 원자퍼센트 범위의 양으로 이트륨이 존재하는 것인 박막 인광물질.
  13. 제11항 또는 제12항에 있어서, 인광물질은 Ba0.97Eu0.03(YxAl1-x)2S4이고, 여기서 0<x<1.0인 박막 인광물질.
  14. 기판구조 상에 제1항 또는 제12항의 박막 인광물질을 포함하는 전계발광 디바이스.
  15. 제14항에 있어서, 상기 기판 구조는 후막 세라믹 물질을 포함하는 것인 전계발광 디바이스.
  16. 제15항에 있어서, 상기 후막 세라믹 물질은 도전막에 용착된 전기 도전막을 가지는 기판 및 상기 전기 도전막에 용착된 후막층을 포함하는 것인 전계발광 디바이스.
  17. 제16항에 있어서, 상기 기판은 세라믹 시트, 금속 세라믹 복합물, 유리 세라믹 및 고온 유리로 이루어진 군에서 선택되는 세라믹 물질을 포함하는 것인 전계발광 디바이스.
  18. 제17항에 있어서, 상기 세라믹 시트는 알루미나인 전계발광 디바이스.
  19. 제18항에 있어서, 상기 전기 도전박막은 금 및 은 합금으로 이루어진 군에서 선택되는 것인 전계발광 디바이스.
  20. 제19항에 있어서, 상기 후막층은 강유전물질을 포함하는 것인 전계발광 디바이스.
  21. 제20항에 있어서, 상기 강유전물질은 리드 마그네슘 니오베이트 티타네이트, 리드 지르코네이트 티타네이트, 바륨 티타네이트 및 이들이 혼합물로 이루어진 군에서 선택된 것인 전계발광 디바이스.
  22. 제20항에 있어서, 상기 기판구조는 후막층 상에 하나 이상의 박막 유전체층을 추가로 포함하는 것인 전계발광 디바이스.
  23. 제22항에 있어서, 상기 박막 인광물질의 상부에 박막 유전체층을 추가로 포함하는 것인 전계발광 디바이스.
  24. 다음 식을 가지는 인광물질:
    ,
    여기서
    A는 IIA족 또는 IIB족 양이온;
    D는 희토류 금속;
    Z는 Al, Ga 및 In에서 선택되고;
    0 < x < 0.2;
    y = 2; 그리고
    0.005 < w < 0.1.
  25. 제24항에 있어서, Z는 알루미늄인 인광물질.
  26. 제24항 또는 제25항에 있어서, D는 유로퓸과 세륨으로 이루어진 군에서 선택되는 것인 인광물질.
  27. 제26항에 있어서, 상기 희토류 금속은 유로퓸인 인광물질.
  28. 제27항에 있어서, 양이온은 바륨인 인광물질.
  29. 제28항에 있어서, 인광물질은 Ba0.97Eu0.03(YxAl1-x)2S4이고, 여기서 0<x<1.0인 인광물질.
  30. 기판구조 상에 제24항의 인광물질을 포함하는 전계발광 디바이스.
  31. 제30항에 있어서, 상기 기판 구조는 후막 세라믹 물질을 포함하는 것인 전계발광 디바이스.
  32. 제31항에 있어서, 상기 후막 세라믹 물질은 용착된 전기 도전막을 가지는 기판 및 상기 전기 도전막에 용착된 후막층을 포함하는 것인 전계발광 디바이스.
  33. 제32항에 있어서, 상기 기판은 세라믹 시트, 금속 세라믹 복합물, 유리 세라믹 및 고온 유리로 이루어진 군에서 선택되는 세라믹 물질을 포함하는 것인 전계발광 디바이스.
  34. 제33항에 있어서, 상기 세라믹 시트는 알루미나인 전계발광 디바이스.
  35. 제34항에 있어서, 상기 전기 도전박막은 금 및 은 합금으로 이루어진 군에서 선택되는 것인 전계발광 디바이스.
  36. 제35항에 있어서, 상기 후막층은 강유전물질을 포함하는 것인 전계발광 디바이스.
  37. 제36항에 있어서, 상기 강유전물질은 리드 마그네슘 니오베이트 티타네이트, 리드 지르코네이트 티타네이트, 바륨 티타네이트 및 이들이 혼합물로 이루어진 군에서 선택된 것인 전계발광 디바이스.
  38. 제36항에 있어서, 상기 기판구조는 후막층 상에 하나 이상의 박막 유전체층을 추가로 포함하는 것인 전계발광 디바이스.
  39. 제38항에 있어서, 상기 박막 인광물질의 상부에 박막 유전체층을 추가로 포함하는 것인 전계발광 디바이스.
  40. 다음 식을 가지는 인광물질:
    ,
    여기서
    A는 IIA족 또는 IIB족 양이온;
    D는 희토류 금속;
    M는 Y, Sc, La 및 Ac에서 선택되는 IIIB족 금속;
    Z는 Al, Ga 및 In에서 선택되고;
    0 < x < 0.2;
    y = 2; 그리고
    0.005 < w < 0.1.
  41. 제40항에 있어서, M은 이트륨, A는 바륨, D는 유로퓸, Z는 알루미늄인 인광물질.
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Families Citing this family (24)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6825054B2 (en) * 2001-11-21 2004-11-30 Paul Valentine Light emitting ceramic device and method for fabricating the same
JP4263001B2 (ja) 2003-03-06 2009-05-13 アイファイヤー アイピー コーポレイション スパッタリングターゲット
WO2005085493A1 (en) * 2004-03-04 2005-09-15 Ifire Technology Corp. Reactive metal sources and deposition method for thioaluminate phosphors
US7812522B2 (en) * 2004-07-22 2010-10-12 Ifire Ip Corporation Aluminum oxide and aluminum oxynitride layers for use with phosphors for electroluminescent displays
US7427367B2 (en) * 2004-08-06 2008-09-23 Ifire Technology Corp. Barium thioaluminate phosphor materials with novel crystal structures
KR101142519B1 (ko) 2005-03-31 2012-05-08 서울반도체 주식회사 적색 형광체 및 녹색 형광체를 갖는 백색 발광다이오드를채택한 백라이트 패널
WO2006126819A1 (en) * 2005-05-24 2006-11-30 Seoul Semiconductor Co., Ltd. Light emitting device and phosphor of alkaline earth sulfide therefor
KR100724591B1 (ko) 2005-09-30 2007-06-04 서울반도체 주식회사 발광 소자 및 이를 포함한 ｌｅｄ 백라이트
WO2007086310A1 (en) * 2006-01-27 2007-08-02 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Light emitting material, light emitting device, and electronic device
WO2007086311A1 (en) * 2006-01-27 2007-08-02 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Light-emitting material, light-emitting element, light-emitting device, and electronic appliance
US20070190235A1 (en) * 2006-02-10 2007-08-16 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Film forming apparatus, film forming method, and manufacturing method of light emitting element
WO2007091500A1 (en) * 2006-02-10 2007-08-16 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Light emitting element, light emitting device, and electronic device
US20070190675A1 (en) * 2006-02-10 2007-08-16 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Manufacturing method of display device
EP1821579A3 (en) * 2006-02-17 2008-04-02 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Light emitting element, light emitting device, and electronic appliance
US20070194321A1 (en) * 2006-02-17 2007-08-23 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Light emitting element, light emitting device, and electronic device
CN101395966A (zh) * 2006-03-02 2009-03-25 株式会社半导体能源研究所 发光元件、发光设备、照明设备和电子器具
US20070205410A1 (en) * 2006-03-03 2007-09-06 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Light-emitting element, light-emitting device, and electronic device
EP1996674B1 (en) * 2006-03-10 2013-11-20 Seoul Semiconductor Co., Ltd. Thiogallate phosphor and white light emitting device employing the same
WO2007105845A1 (en) 2006-03-16 2007-09-20 Seoul Semiconductor Co., Ltd. Fluorescent material and light emitting diode using the same
WO2007108390A1 (en) 2006-03-21 2007-09-27 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Light-emitting element, display device, and electronic appliance
US20070281375A1 (en) * 2006-06-01 2007-12-06 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Manufacturing method of display device
US20070281574A1 (en) * 2006-06-01 2007-12-06 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Method for manufacturing electroluminescent material
US20080012027A1 (en) * 2006-07-13 2008-01-17 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Light-emitting element, light-emitting device, and method of fabricating light-emitting element
CN108774525A (zh) * 2018-06-08 2018-11-09 青海顺光科技有限公司 一种聚噻吩荧光晶体材料及其制备方法

Family Cites Families (10)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5432015A (en) 1992-05-08 1995-07-11 Westaim Technologies, Inc. Electroluminescent laminate with thick film dielectric
JP3507526B2 (ja) 1993-07-09 2004-03-15 株式会社佐藤精機 成形品の製造装置
JPH07242869A (ja) * 1994-03-04 1995-09-19 Mitsui Mining & Smelting Co Ltd 薄膜エレクトロルミネッセンス素子
US6013199A (en) * 1997-03-04 2000-01-11 Symyx Technologies Phosphor materials
US5662831A (en) 1996-05-31 1997-09-02 Micron Display Technology, Inc. Luminescent phosphor and methods relating to production thereof
US5939825A (en) 1996-12-02 1999-08-17 Planar Systems, Inc. Alternating current thin film electroluminescent device having blue light emitting alkaline earth phosphor
JP3472236B2 (ja) 2000-04-17 2003-12-02 Ｔｄｋ株式会社 蛍光体薄膜とその製造方法およびｅｌパネル
GB2364126B (en) * 2000-06-26 2004-06-02 Palmer Environmental Ltd A leak detection apparatus and method
US6447654B1 (en) * 2001-05-29 2002-09-10 Ifire Technology Inc. Single source sputtering of thioaluminate phosphor films
US6617782B2 (en) * 2001-05-30 2003-09-09 Ifire Technology Inc. Thioaluminate phosphor material with a gadolinium co-activator

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