KR20050003917A - 2차원적으로 반복하는 포토레지스트 패턴을 형성하기 위한포토마스크 및 그것을 제조하는 방법 - Google Patents

2차원적으로 반복하는 포토레지스트 패턴을 형성하기 위한포토마스크 및 그것을 제조하는 방법 Download PDF

Info

Publication number
KR20050003917A
KR20050003917A KR1020030045446A KR20030045446A KR20050003917A KR 20050003917 A KR20050003917 A KR 20050003917A KR 1020030045446 A KR1020030045446 A KR 1020030045446A KR 20030045446 A KR20030045446 A KR 20030045446A KR 20050003917 A KR20050003917 A KR 20050003917A
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
light blocking
pitch
blocking patterns
patterns
axis direction
Prior art date
Application number
KR1020030045446A
Other languages
English (en)
Other versions
KR100506938B1 (ko
Inventor
황찬
김인성
강영석
Original Assignee
삼성전자주식회사
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 삼성전자주식회사 filed Critical 삼성전자주식회사
Priority to KR10-2003-0045446A priority Critical patent/KR100506938B1/ko
Priority to US10/827,556 priority patent/US7361433B2/en
Publication of KR20050003917A publication Critical patent/KR20050003917A/ko
Application granted granted Critical
Publication of KR100506938B1 publication Critical patent/KR100506938B1/ko

Links

Classifications

    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F1/00—Originals for photomechanical production of textured or patterned surfaces, e.g., masks, photo-masks, reticles; Mask blanks or pellicles therefor; Containers specially adapted therefor; Preparation thereof
    • G03F1/36—Masks having proximity correction features; Preparation thereof, e.g. optical proximity correction [OPC] design processes
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/027—Making masks on semiconductor bodies for further photolithographic processing not provided for in group H01L21/18 or H01L21/34

Abstract

2차원 반복 패턴을 형성하기 위한 포토마스크 및 그것을 제조하는 방법이 개시된다. 이 포토마스크는 투명한 기판 및 상기 투명한 기판 상에 2차원적으로 배열된 복수개의 차광패턴들을 포함한다. 상기 차광패턴들 각각은 서로 다른 길이 및 폭을 갖는다. 또한, 상기 포토마스크는 상기 차광패턴들 각각의 소정영역을 관통하여 상기 투명기판을 노출시키는 적어도 하나의 관통홀을 갖는다.

Description

2차원적으로 반복하는 포토레지스트 패턴을 형성하기 위한 포토마스크 및 그것을 제조하는 방법{Photomask for forming photoresist patterns repeating in two dimensions and method for fabricating the same}
본 발명은 포토마스크 및 포토마스크를 제조하는 방법에 관한 것으로, 특히 2차원 반복 패턴을 형성하기 위한 포토마스크 및 그 포토마스크를 제조하는 방법에 관한 것이다.
반도체 소자가 고집적화됨에 따라, 포토레지스트 패턴을 형성하기 위한 빛의 파장보다 작은 임계크기(critical dimension; CD)를 갖는 패턴을 형성할 필요가 있다. 이러한 CD를 갖는 패턴을 형성하기 위해서는 고해상도와 초점심도(DOF)의 여유도(margin)를 필요로 한다.
사입사 조명 기술은 해상도와 DOF 여유도를 동시에 개선시킬 수 있는 방법의 하나로 널리 사용되고 있다. 사입사 조명 기술은 포토마스크 상의 패턴에 따라 적당한 조명계(illumination)를 선정하여 입사되는 빛의 각을 조절하여 포토레지스트막을 노광하는 기술이다. 따라서, 사입사 조명 기술에 있어서는 원하는 포토레지스트 패턴을 형성하기 위해 필요한 조명계를 선정하는 것이 중요하다.
미국 특허 US 6,361,909에는 "조명 조리개 필터 설계(ILLUMINATION APERTURE FILTER DESIGN USING SUPERPOSITION)"라는 제목으로 CD와 DOF의 최적조건을 개별적으로 평가하여 최적의 조리개를 설계하는 기술이 가우(Gau) 등에 의해 개시된 바 있다.
그러나, 상기 기술은 라인/스페이스(line/space) 패턴 또는 방향에 따라 피치가 동일한 패턴에 대해서는 조명계를 쉽게 선정할 수 있으나, 방향에 따라 다른 피치를 갖는 2차원 패턴에 대해서는 적당한 조명계를 선정하기 어렵다.
도 1은 방향에 따라 피치가 다른 2차원 반복 패턴을 형성하기 위한 종래의 포토마스크를 설명하기 위한 평면도이다.
도 1을 참조하면, 투명기판(10) 상에 차광패턴들(20)이 2차원적으로 반복된다. 상기 차광 패턴들(20) 각각은 서로 다른 길이와 폭을 갖는다. 즉, 상기 차광 패턴들 각각에 있어서, 장축방향(L)의 길이가 단축방향(S)의 길이보다 길다. 또한, 상기 2차원 반복 패턴들에 있어서, 장축방향(L)의 피치(Pl)가 단축방향(S)의 피치(Ps)보다 크다.
반복 패턴에서 피치는 회절각을 결정하는 요인으로 회절각( Θ)은 다음의 식으로 나타낼 수 있다.
SinΘ= λ/ P
여기서, λ는 입사광의 파장을 P는 피치를 나타낸다. 반복 패턴에서 피치가 클 수록 회절각은 작아진다.
상기 2차원 반복 패턴에서는 장축방향(L)과 단축방향(S)의 피치가 서로 다르므로 각 방향에 따라 회절각이 달라진다. 따라서, 상기 포토마스크를 포토레지스트 막에 전사하기 위한 적합한 조명계를 선정하기 어렵다.
한편, 상기 차광 패턴들(20)간의 간격은 일반적으로 장축방향(L) 또는 단축방향(S)에서 임계 크기(critical dimension; CD)를 나타낸다. 즉, 장축방향(L) 또는 단축 방향(S) 중 어느 한 방향에서 나타내는 최소 크기가 CD가 될 것이다.
그러나, 편의상 상기 장축방항의 패턴들 사이의 간격 및 이에 대응하는 포토레지스트 패턴들 사이의 간격을 장축 CD(CDL)로 정의하고, 단축 방향의 패턴들 사이의 간격 및 이에 대응하는 포토레지스트 패턴들 사이의 간격을 단축 CD(CDS)로 정의한다.
장축방향으로는, 긴 차광패턴들과 짧은 간격들이 반복되어, 피치에 대한 패턴의 선폭비를 나타내는 듀티비(duty ratio)가 매우 크다. 듀티비가 크면, 포토레지스트 상에 전사되는 상기 차광패턴들의 이미지 선명도가 감소한다.
일반적으로, 투명기판 상의 차광패턴들은 원하는 CD에 대해 표준편차를 나타내며, 포토레지스트 패턴들도 원하는 CD에 대해 표준편차를 나타낸다. 이에 따라, 상기 차광패턴들은 허용가능한 CD를 가져야 한다. 상기 허용가능한 CD는 마스크 결함 강화 인자(mask error enhancement factor; MEEF)에 의해 결정된다. 즉, 상기 MEEF가 크면 허용가능한 CD가 크고, 상기 MEEF가 작으면 허용가능한 CD가 작다. 상기 MEEF가 커서 상기 차광패턴들이 작은 CD를 갖도록 형성 될 수 없다면, 원하는 CD를 갖는 포토레지스트 패턴들을 형성하지 못할 수 있다. 그러므로, 원하는 CD를 갖는 포토레지스트 패턴들을 형성하기 위해서는 상기 차광패턴들의 이미지 선명도를 증가시켜 MEEF를 감소시켜야 한다.
도 2는 종래기술에 따른 포토마스크를 사용하여 형성된 공간상(aerial image)을 설명하기 위한 시뮬레이션도이다. 여기서, 시뮬레이션은 벡터 모델(Vector model)을 사용하였으며, 입사광의 파장은 248 nm이었고, 개구수(numerical aperture; NA)는 0.7이었다.
도 2를 참조하면, 상기 도 1의 차광패턴들(20)에 대응하는 포토레지스트 패턴들(20a)이 반도체기판(10a) 상에 형성된다. 이때, 상기 차광 패턴들(20)은 듀티비가 커서 이미지 선명도가 작으므로, 상기 차광패턴들(20)의 장축 CD(CDL)를 한계 이하로 작게 할 수 없다. 따라서, 상기 차광패턴들(20)에 대응하는 상기 포토레지스트 패턴들(20a)은 장축 방향(L)으로 길이가 짧아지고, 결과적으로 장축 CD(CDL)가 증가한다.
상기 포토레지스트 패턴들(20a)의 길이를 보충하여 장축 CD를 감소시키기 위해 포토마스크 상의 차광패턴들(20)에 추가적인 차광막을 형성하는 방법을 생각할 수 있다. 그러나, 임계 크기(CD)가 한계 수치에 도달한 패턴에 추가적인 차광막을 형성하면, 임계 크기(CD)를 더 감소시키는 결과가 된다.
또한, 마스크 결함 강화 인자(mask error enhancement factor; MEEF)가 큰 경우, 추가적인 차광막을 형성하는 것은 포토레지스트 패턴들간의 브릿지를 유발하여 포토레지스트 패턴들의 결함을 증가시킨다.
결과적으로, 2차원 반복 패턴을 갖는 종래의 포토마스크로는 원하는 장축 CD(CDL)를 갖는 포토레지스트 패턴들을 형성하지 못한다.
본 발명의 목적은, 포토레지스트 패턴의 형상왜곡을 방지하면서, 차광패턴들 중 이미지 선명도가 낮은 부분의 이미지 선명도를 증가시켜, 원하는 CD를 갖는 2차원 반복패턴을 형성하기 위한 포토마스크를 제공하는 데 있다.
본 발명의 다른 목적은 사입사 조명 기술을 사용할 경우 조명계 선정이 용이한 2차원 반복 패턴을 형성하기 위한 포토마스크를 제공하는 데 있다.
본 발명의 또 다른 목적은 2차원 반복 패턴을 형성하기 위한 포토마스크를 제조하는 방법을 제공하는 데 있다.
도 1은 2차원 반복 패턴을 형성하기 위한 종래의 포토마스크를 설명하기 위한 평면도이다.
도 2는 종래의 포토마스크를 사용하여 형성된 공간상(aerial image)을 설명하기 위한 시뮬레이션도이다.
도 3은 본 발명의 실시예에 따른 포토마스크를 설명하기 위한 평면도이다.
도 4는 본 발명의 실시예에 따른 포토마스크를 사용하여 형성된 공간상(aerial image)을 설명하기 위한 시뮬레이션도이다.
도 5는 종래기술 및 본 발명의 실시예에 따른 노광 관용도(exposure latitude; EL)와 초점심도(depth of focus; DOF)를 설명하기 위한 그래프이다.
(도면의 주요 부호에 대한 간략한 설명)
100: 투명기판, 200: 차광패턴들,
250: 관통홀들, Pl: 장축 방향의 제1 피치,
Pt: 장축 방향의 제2 피치, Ps: 단축 방향의 피치,
CDL: 장축 CD, CDS: 단축 CD
상기 목적들을 달성하기 위하여, 본 발명은 투명한 기판, 상기 투명한 기판 상에 2차원적으로 배열된 복수개의 차광패턴들 및 상기 차광패턴들 각각의 소정영역을 관통하여 상기 투명기판을 노출시키는 적어도 하나의 관통홀을 구비한다. 상기 차광패턴들 각각은 길이와 폭이 다르다.
바람직하게는, 상기 2차원적으로 배열된 복수개의 차광패턴들은 서로 동일한 길이 및 서로 동일한 폭을 갖는다.
또한, 상기 서로 동일한 길이 및 서로 동일한 폭을 갖는 차광패턴들은 그들의 장축 방향들(longitudinal axes)이 서로 평행할 수 있다.
또한, 상기 장축 방향들이 서로 평행한 차광패턴들은 장축의 연장선 상의 서로 이웃하는 차광 패턴들 사이의 간격들이 상기 차광패턴들의 길이보다 작을 수 있다.
바람직하게는, 상기 적어도 하나의 관통홀은 관통되는 상기 차광패턴의 장축 방향의 제1 피치를 동일한 간격들로 등분하되, 장축 방향의 제2 피치가 단축 방향의 피치와 가장 근사한 값을 갖도록 위치한다.
상기 본 발명의 또 다른 목적을 달성하기 위하여, 본 발명은 투명기판 상에 차광막을 형성하는 것을 포함한다. 상기 차광막을 패터닝하여 상기 투명기판 상에 2차원적으로 배열된 복수개의 차광패턴들을 형성한다. 상기 차광패턴들 각각은 서로 다른 길이와 폭을 갖는다. 또한, 상기 차광패턴들 각각의 소정영역을 관통하여 상기 투명기판을 노출시키는 적어도 하나의 관통홀을 형성한다.
바람직하게는, 상기 2차원적으로 배열된 복수개의 차광패턴들은 서로 동일한 길이와 서로 동일한 폭을 갖는다.
도 3은 2차원 반복 패턴을 형성하기 위한 본 발명의 실시예에 따른 포토마스크를 설명하기 위한 평면도이다.
도 3을 참조하면, 투명기판(100) 상에 차광패턴들(200)이 2차원적으로 반복된다. 상기 차광 패턴들(200) 각각은 서로 다른 길이와 폭을 갖는다. 즉, 상기 차광 패턴들(200) 각각에 있어서, 장축방향(L)의 길이가 단축방향(S)의 길이보다 길다.
여기서, 상기 차광패턴들(200)의 장축방향(L)의 피치를 장축 방향의 제1 피치(Pl)로 정의한다. 상기 차광 패턴들(200)에 있어서, 장축방향(L)의 제1 피치(Pl)가 단축방향(S)의 피치(Ps)보다 크다. 바람직하게는, 상기 장축방향(L)의 제1피치(Pl)가 상기 단축방향(S)의 피치(Ps) 보다 적어도 2배 크다.
상기 차광패턴들(200)은 투명기판(100)의 전면 상에 차광막을 형성한 후, 상기 차광막을 패터닝하여 형성한다. 이때, 차광막은 크롬막 등으로 형성될 수 있으며, 상기 차광패턴들(200)은 사진/식각 기술 또는 전자빔 주사 기술(electron beam scanning technique)을 사용하여 패터닝될 수 있다.
또한, 상기 차광 패턴들(200)의 소정 영역을 관통하여 상기 투명기판을 노출시키는 관통홀들(250)을 형성한다. 상기 관통홀들(250)은 임계 크기 보다 작은 크기를 갖도록 하여, 상기 관통홀들(250)에 대응하는 포토레지스트 패턴들이 형성되는 것을 방지한다. 바람직하게는, 상기 관통홀들(250)은 상기 관통홀들(250) 각각에 의해 관통되는 차광패턴(200)의 폭의 3/4 이하가 되는 크기를 갖는다.
상기 관통홀들(250)은 상기 차광패턴들(200)의 장축 방향의 제1 피치(Pl)를 등분하도록 위치한다. 다만, 상기 관통홀들(250)의 중심(center)은 상기 차광패턴들(200)의 중심선에 위치하는 것이 바람직하다. 즉, 상기 관통홀들(250)이 상기 차광패턴들(200)의 장축 상에 위치할 필요는 없다. 여기서, 상기 장축 방향의 제1 피치(Pl)가 등분되어 형성된 크기를 장축 방향(L)의 제2 피치(Pt)로 정의한다.
바람직하게는, 상기 관통홀들(250)은 상기 장축방향의 제1 피치(Pl)를 단축방향의 피치(Ps)로 등분하도록 위치한다. 따라서, 상기 관통홀들(250)에 의해 형성되는 장축방향의 제2 피치(Pt)는 단축방향의 피치(Ps)와 동일한 크기를 갖는다. 그결과, 포토마스크를 투과하는 입사광의 회절각이 방향에 따라 동일하여 사입사 조명 기술을 사용하기 위한 조명계 선정이 쉽다.
상기 장축방향의 제1 피치(Pl)를 단축 방향의 피치(Ps)로 등분할 수 없는 경우, 즉 상기 장축방향의 제1 피치(Pl)가 상기 단축 방향의 피치(Ps)의 정수배가 되지 않는 경우가 있다. 이 경우에는, 상기 관통홀들은(250), 상기 장축 방향의 제2 피치(Pt)가 상기 단축 방향의 피치(Ps)에 가장 가까운 값을 갖도록, 상기 장축 방향의 제1 피치(Pl)를 등분한다.
한편, 상기 관통홀들(250)은 상기 장축 방향(L)의 제1 피치(Pl)를 등분하여 상대적으로 듀티비(duty ratio)를 감소시킨다. 그 결과, 상기 차광패턴들(200)의 장축 방향의 이미지 선명도가 증가되어, 장축방향의 패턴 형성이 쉽다.
본 실시예에 따르면, 상기 차광패턴들(200)의 소정영역을 관통하여 상기 투명기판(100)을 노출시키는 관통홀들(250)을 포함하여 상기 장축방향의 듀티비(duty ratio)를 감소시켜 이미지 선명도를 증가시키며, 단축방향의 피치(Ps)와 동일한 장축 방향의 피치를 확보할 수 있어 사입사조명기술을 사용하기 위한 조명계 선정이 쉽다.
<실험예>
도 4는 본 발명의 실시예에 따른 포토마스크를 사용하여 형성된 포토레지스트 패턴의 시뮬레이션도이다. 여기서, 시뮬레이션은 벡터 모델(Vector model)을 사용하였으며, 입사광의 파장은 248 nm이었고, 개구수(numerical aperture; NA)는 0.7이었다.
도 4를 참조하면, 반도체기판(100a) 상에 상기 도 3의 차광패턴들(200)에 대응하는 포토레지스트 패턴들(200a)이 형성된다. 다만, 상기 도 3의 관통홀들(250)은 그 크기가 작아 상기 포토레지스트 패턴들(200a) 내부에 형성되는 것이 방지된다. 그리고, 도 2의 시뮬레이션 결과에 비해 상기 관통홀들(250) 주변에서 형상왜곡이 심하게 발생하지 않았다.
또한, 도 2에 비해 포토레지스트 패턴들(200a)의 명암차이(contrast)가 뚜렷하며, 장축 CD(CDL)가 더 작았다. 도 2와 본 발명의 실시예에 따른 시뮬레이션 결과를 비교한 자료를 표 1에 나타내었다.
표 1은 종래기술 및 본 발명의 실시예에 따른 포토마스크를 사용하여 형성된 포토레지스트 패턴의 시뮬레이션 결과를 나타낸다.
비교 데이터 종래의 포토마스크 본 발명의 실시예
단축 CD(CDS) 136 nm 136 nm
장축 CD(CDL) 147 nm 140 nm
장축 NILS 1.18 1.35
장축 MEEF 2.57 2.31
표 1을 참조하면, 단축 CD는 종래의 포토마스크와 본 발명의 실시예에 따른 포토마스크를 사용한 시뮬레이션 결과에서 차이가 없었다. 그러나, 장축 CD는 본 발명의 실시예에 따른 시뮬레이션 결과에서 7 nm가 감소하였다.
한편, 포토레지스트 패턴들(20a, 200a)의 이미지 선명도를 나타내는 표준화된 이미지 기울기(normalized image log slope; NILS)는 종래기술에 비해 본 발명의 실시예에 따른 시뮬레이션 결과에서 13 % 증가하였다.
또한, 포토마스크 상의 에러가 포토레지스트 패턴 상에 전사되어 확대되는 비율을 나타내는 MEEF가 종래기술에 비해 본 발명의 실시예에 따른 시뮬레이션 결과에서 10 % 감소하였다.
도 5는 종래기술 및 본 발명의 실시예에 따른 노광 관용도(exposure latitude; EL)와 DOF의 시뮬레이션 결과를 설명하기 위한 그래프이다.
도 5를 참조하면, 시뮬레이션 결과에서 본 발명의 실시예에 따른 포토마스크(300)가 종래기술의 포토마스크(30)에 비해 EL 및 DOF 모두 개선되었다.
본 발명에 의하면, 포토레지스트 패턴의 형상왜곡을 방지하면서, 원하는 CD를 갖는 2차원 반복패턴을 형성할 수 있다. 그리고, 본 발명의 의하면, MEEF, NILS, EL 및 DOF를 개선하여 포토레지스트 패턴을 선명하게 형성할 수 있다. 또한, 사입사 조명 기술을 사용할 경우 조명계 선정이 용이한 포토마스크를 제공할 수 있다.

Claims (11)

  1. 투명한 기판;
    상기 투명한 기판 상에 2차원적으로 배열되고 그들의 각각은 서로 다른 길이 및 폭을 갖는 복수개의 차광패턴들; 및
    상기 차광패턴들의 각각의 소정영역을 관통하여 상기 투명한 기판을 노출시키는 적어도 하나의 관통홀을 포함하는 포토마스크
  2. 제 1 항에 있어서,
    2차원적으로 배열된 상기 복수개의 차광패턴들은 서로 동일한 길이 및 서로 동일한 폭을 갖는 것을 특징으로 하는 포토마스크.
  3. 제 2 항에 있어서,
    상기 서로 동일한 길이 및 서로 동일한 폭을 갖는 차광패턴들은 그들의 장축 방향들(longitudinal axes)이 서로 평행한 것을 특징으로 하는 포토마스크.
  4. 제 3 항에 있어서,
    상기 장축 방향들이 서로 평행한 차광패턴들은 장축의 연장선 상의 서로 이웃하는 차광 패턴들 사이의 간격들이 상기 차광패턴들의 길이보다 작은 것을 특징으로 하는 포토마스크.
  5. 제 1 항에 있어서,
    상기 차광패턴들은 장축방향의 제1 피치가 단축 방향의 피치보다 적어도 2배 큰 것을 특징으로 하는 포토마스크.
  6. 제 1 항에 있어서,
    상기 차광패턴들 각각을 관통하는 적어도 하나의 관통홀은 상기 관통홀에 의해 관통되는 차광패턴의 폭의 3/4 이하인 것을 특징으로 하는 포토마스크.
  7. 제 1 항에 있어서,
    상기 적어도 하나의 관통홀은 관통되는 상기 차광패턴의 장축 방향의 제1 피치를 동일한 간격들로 등분하되, 장축 방향의 제2 피치가 단축 방향의 피치와 가장 근사한 값을 갖도록 등분하는 것을 특징으로 하는 포토마스크.
  8. 제 7 항에 있어서,
    상기 관통홀들은 상기 차광패턴들의 단축 방향의 피치로 상기 차광패턴들의 장축 방향의 제1 피치를 등분하는 위치에 배치되어 장축 방향의 제2 피치가 상기 단축 방향의 피치와 동일한 것을 특징으로 하는 포토마스크.
  9. 투명기판 상에 차광막을 형성하고,
    상기 차광막을 패터닝하여 상기 투명기판 상에 2차원적으로 배열된 복수개의 차광패턴들을 형성하되, 상기 차광패턴들 각각은 서로 다른 길이 및 폭을 갖으며 상기 차광패턴들 각각의 소정영역을 관통하여 상기 투명기판을 노출시키는 적어도 하나의 관통홀을 갖도록 형성하는 것을 특징으로 하는 포토마스크 제조 방법.
  10. 제 9 항에 있어서,
    상기 2차원적으로 배열된 복수개의 차광패턴들은 서로 동일한 길이와 서로 동일한 폭을 갖도록 형성되는 것을 특징으로 하는 포토마스크 제조 방법.
  11. 제 10 항에 있어서,
    상기 서로 동일한 길이와 서로 동일한 폭을 갖는 복수개의 차광패턴들은 그들의 장축방향들이 서로 평행하도록 형성되는 것을 특징으로 하는 포토마스크 제조 방법.
KR10-2003-0045446A 2003-07-04 2003-07-04 2차원적으로 반복하는 포토레지스트 패턴을 형성하기 위한포토마스크 및 그것을 제조하는 방법 KR100506938B1 (ko)

Priority Applications (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR10-2003-0045446A KR100506938B1 (ko) 2003-07-04 2003-07-04 2차원적으로 반복하는 포토레지스트 패턴을 형성하기 위한포토마스크 및 그것을 제조하는 방법
US10/827,556 US7361433B2 (en) 2003-07-04 2004-04-19 Photomask for forming photoresist patterns repeating in two dimensions and method of fabricating the same

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR10-2003-0045446A KR100506938B1 (ko) 2003-07-04 2003-07-04 2차원적으로 반복하는 포토레지스트 패턴을 형성하기 위한포토마스크 및 그것을 제조하는 방법

Publications (2)

Publication Number Publication Date
KR20050003917A true KR20050003917A (ko) 2005-01-12
KR100506938B1 KR100506938B1 (ko) 2005-08-05

Family

ID=33550296

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR10-2003-0045446A KR100506938B1 (ko) 2003-07-04 2003-07-04 2차원적으로 반복하는 포토레지스트 패턴을 형성하기 위한포토마스크 및 그것을 제조하는 방법

Country Status (2)

Country Link
US (1) US7361433B2 (ko)
KR (1) KR100506938B1 (ko)

Families Citing this family (10)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US7521000B2 (en) * 2003-08-28 2009-04-21 Applied Materials, Inc. Process for etching photomasks
US7879510B2 (en) * 2005-01-08 2011-02-01 Applied Materials, Inc. Method for quartz photomask plasma etching
US7829243B2 (en) * 2005-01-27 2010-11-09 Applied Materials, Inc. Method for plasma etching a chromium layer suitable for photomask fabrication
US8293430B2 (en) * 2005-01-27 2012-10-23 Applied Materials, Inc. Method for etching a molybdenum layer suitable for photomask fabrication
US7493588B2 (en) * 2005-08-01 2009-02-17 Macronix International Co., Ltd. Mixing and matching method and integration system for providing backup strategries for optical environments and method for operating the same
KR100809709B1 (ko) * 2006-07-24 2008-03-06 삼성전자주식회사 포토리소그래피용 마스크 및 이를 이용한 포토레지스트패턴의 형성 방법
KR100944846B1 (ko) * 2006-10-30 2010-03-04 어플라이드 머티어리얼스, 인코포레이티드 마스크 에칭 프로세스
KR101129026B1 (ko) * 2009-06-29 2012-03-23 주식회사 하이닉스반도체 라인 형태의 패턴형성을 위한 포토마스크 및 이를 이용한 패턴형성방법
US10095102B2 (en) * 2016-04-12 2018-10-09 Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. Photomask having a plurality of shielding layers
CN112366203B (zh) * 2020-10-23 2023-01-03 福建省晋华集成电路有限公司 图案布局以及其形成方法

Family Cites Families (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5935734A (en) * 1997-03-03 1999-08-10 Micron Technology, Inc. Method for fabrication of and apparatus for use as a semiconductor photomask
US6830852B2 (en) * 2001-07-19 2004-12-14 Nikon Corporation Stencil reticles for use in charged-particle-beam microlithography, and pattern-determination methods for such reticles
JP3984866B2 (ja) * 2002-06-05 2007-10-03 キヤノン株式会社 露光方法
KR100475083B1 (ko) * 2002-07-25 2005-03-10 삼성전자주식회사 미세한 콘택홀 어레이를 위한 포토마스크, 그 제조방법 및사용방법

Also Published As

Publication number Publication date
US7361433B2 (en) 2008-04-22
US20050003278A1 (en) 2005-01-06
KR100506938B1 (ko) 2005-08-05

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US6355382B1 (en) Photomask and exposure method using a photomask
US6150059A (en) Photomask and method of exposure using same
JPS6267547A (ja) ホトマスク
US8048590B2 (en) Photolithography mask having a scattering bar structure that includes transverse linear assist features
US7910266B2 (en) Pattern forming method and mask
KR100506938B1 (ko) 2차원적으로 반복하는 포토레지스트 패턴을 형성하기 위한포토마스크 및 그것을 제조하는 방법
US5888678A (en) Mask and simplified method of forming a mask integrating attenuating phase shifting mask patterns and binary mask patterns on the same mask substrate
US7160651B2 (en) Manufacturable chromeless alternating phase shift mask structure with phase grating
JPH10233361A (ja) 露光方法と露光用マスク
US7074525B2 (en) Critical dimension control of printed features using non-printing fill patterns
DE60310537T2 (de) Photomaske und verfahren zur photolithographischen mustererzeugung auf einem substrat unter benützung von hilfsstrukturen mit phasenänderung
US6537837B2 (en) Pattern formation method using two alternating phase shift masks
US6977715B2 (en) Method for optimizing NILS of exposed lines
KR20010002127A (ko) 하프톤형 위상반전마스크 및 그 형성방법
US5523184A (en) Photomask for forming high resolution photoresist patterns
KR20030056499A (ko) 미세 패턴 형성용 마스크
US6383689B1 (en) Attenuated phase-shift mask and method of manufacturing the same
KR100755074B1 (ko) 포토마스크 및 제조 방법
KR100811253B1 (ko) 포토 마스크의 제조 방법
US20030203286A1 (en) High-transmittance halftone phase shift mask and manufacturing method of semiconductor device
KR19980065703A (ko) 하프톤형 위상 반전 마스크 및 그 제조방법
KR100334978B1 (ko) 포토마스크 및 그 제조방법
KR100546185B1 (ko) 반도체 소자의 패턴 형성 방법
KR100809709B1 (ko) 포토리소그래피용 마스크 및 이를 이용한 포토레지스트패턴의 형성 방법
KR19980085036A (ko) 교번형 위상반전 마스크 및 그 제조방법

Legal Events

Date Code Title Description
A201 Request for examination
E701 Decision to grant or registration of patent right
GRNT Written decision to grant
FPAY Annual fee payment

Payment date: 20120706

Year of fee payment: 8

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20130701

Year of fee payment: 9

LAPS Lapse due to unpaid annual fee