KR20050000570A - 웨이퍼 세정 장치 - Google Patents

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KR20050000570A
KR20050000570A KR1020030041015A KR20030041015A KR20050000570A KR 20050000570 A KR20050000570 A KR 20050000570A KR 1020030041015 A KR1020030041015 A KR 1020030041015A KR 20030041015 A KR20030041015 A KR 20030041015A KR 20050000570 A KR20050000570 A KR 20050000570A
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cleaning liquid
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한은영
박재구
김진성
박희정
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삼성전자주식회사
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Abstract

웨이퍼의 엣지 및 베벨 부위의 불순물들을 효율적으로 제거할 수 있는 세정 장치가 개시되어 있다. 상기 장치는 웨이퍼의 에지 부위가 밀착되는 원형 그루브를 갖고, 마찰력을 이용하여 상기 웨이퍼를 회전시키기 위해 회전하며, 상기 웨이퍼의 에지 부위를 따라 배치되는 다수의 회전 클램프를 포함하고 있다. 상기 회전 클램프와 동일한 구조를 갖고, 상기 원형 그루브에 웨이퍼의 엣지 부위가 삽입되도록 구비되며, 웨이퍼의 엣지 부위를 세정하기 위한 세정 클램프 및 상기 웨이퍼를 세정하기 위해 제공되는 세정액을 이용하여 상기 웨이퍼의 상면 및 저면을 세정하기 위한 브러싱 수단을 포함하고 있다. 상기와 같은 구성을 갖은 장치는 웨이퍼의 표면뿐만 아니라 웨이퍼의 엣지 부위에 존재하는 불순물들을 균일하게 세정시킬 수 있다.

Description

웨이퍼 세정 장치{Apparatus For Cleaning a Wafer}
본 발명은 반도체소자 제조 공정의 진행 중 웨이퍼에 형성되는 불순물을 세정하기 위한 세정 장치에 관한 것으로서, 보다 상세하게는 화학적 기계연마 공정 이후 웨이퍼의 표면, 엣지 부위에 존재하는 불순물을 전체적으로 균일하게 세정할 수 있는 세정 장치에 관한 것이다.
반도체 소자 또는 반도체 칩 등은 일반적으로 실리콘으로 형성되는 웨이퍼를 반도체 장비를 이용하여 처리함으로써 제조된다. 웨이퍼는 통상적으로 리소그래피, 화학 또는 물리적 증착 및 플라즈마 에칭 등과 같은 일련의 반도체소자 제조공정을 거쳐 반도체 소자 또는 반도체 칩으로 제조된다.
상기와 같은 방법을 통하여 형성되는 반도체 소자는 다중 레벨 구조의 형태를 갖는다. 기판 레벨에서는 확산 부위를 갖는 트랜지스터 디바이스가 형성되며, 그 다음 레벨에서는 금속 라인이 패턴이 형성된다. 이러한 금속 라인 패턴은 전기적으로 트랜지스터 디바이스에 연결되어, 바람직한 디바이스의 역할을 갖도록 한다. 상기 금속 라인을 형성하기 위해서는 CMP공정을 수행한 이후 금속라인 패턴 상에 잔류하는 파티클 및 오염물질을 제거한 웨이퍼의 세정 공정이 필수적으로 수행되어야 한다.
따라서, 반도체 소자의 제조 공정이 진행되는 동안에, 웨이퍼는 헹굼(rinsing), 폴리싱(polishing), 브러싱(brushing) 및 회전 건조(spin-dry) 등과 같은 일련의 표면 세정공정을 수행하게 된다. 반도체 소자의 품질을 향상시키기 위해서는, 상기 세정 공정을 통하여 웨이퍼 표면 및 베벨(Bevel)부위에 잔류하는 불순물 및 이 물질들을 완전히 제거해야 한다.
도 1은 종래 웨이퍼 세정 장치를 나타내는 구성도이고, 도 2는 도 1에 도시된 웨이퍼를 회전시키는 회전 클램프를 나타내는 단면도이다.
도 1을 참조하면, 종래의 웨이퍼 세정 장치는 상기 웨이퍼(W)의 정렬 및 회전시키는 다수개의 회전 클램프(10), 상기 회전하는 웨이퍼(W)의 표면을 세정하기 위한 브러싱 수단(20)을 포함하고 있다. 상기 브러싱 수단(20)은 웨이퍼(W) 상면에 배치되는 상면 롤러 브러시(12), 상기 웨이퍼(W) 저면에 배치되는 저면 롤러 브러시(14)를 포함하고 있다.
그리고, 상면 롤러 브러시(12) 및 저면 롤러 브러시(14)를 평행하게 배치되고, 상기 상면 롤러 브러시(12) 및 저면 롤러 브러시(14)에 각각 연결되어 상기 롤러 브러시를 회전시키는 회전력을 전달하는 회전축(16a, 16b)을 구비하고 있고, 상기 회전축(16a,16b) 각각에 회전력을 제공하는 브러시 구동부를 구비하고 있다.
상기 브러싱 수단(20)을 이용한 세정 작업은 암모니아 등과 같은 세정 케미컬과 물을 회전 클램프에 의해 회전하는 웨이퍼(W)의 표면에 제공한 후, 상기 브러싱 수단의 브러시의 마찰을 통하여 이루어진다.
여기서, 세정 작업이 진행되는 동안, 상기 웨이퍼(W)는 상기 도 2에 도시된,회전 클램프(10)에 의해 마찰력을 제공받아 회전된다. 상기 회전 클램프(10)는 세정하고자 하는 웨이퍼의 위치 정렬 및 웨이퍼의 엣지 부위를 홀딩하도록 6개가 구비되어 있고, 그 자체가 회전함으로서 상기 웨이퍼에 회전시키기 위한 마찰력을 제공하는 역할을 갖는다.
상기 회전 클램프(10) 볼록한 요철형상을 갖는 상부 구조물(2)과 오목한 요철형상을 갖는 하부 구조물(4)이 나사(6)에 의해 체결되는 구조를 갖고, 체결시 상기 웨이퍼의 엣지부가 삽입 가능한 클램프 홈(8)이 오목하게 형성되는 구조를 갖는다.
그러나, 상기 구성을 갖는 세정 장치의 브러시는 웨이퍼의 엣지 부위의 형상을 고려하지 않은 일자형 롤러 형상을 갖고, 세정용 케미컬은 브러시를 통해서만 공급되는 방식이 적용되기 때문에 웨이퍼의 상면(Front)/저면(Backside)에는 브러시와 세정용 케미컬의 충분한 접촉에 의해 높은 효율의 세정이 가능한 반면에 웨이퍼 엣지 부위에 단차가 존재하는 부위와 베벨 부위의 경우에는 불완전한 접촉에 의해 세정의 효율이 저하되는 단점을 가지고 있다.
따라서, 상기 CMP공정에서 발생한 미세 입자와 반응 부산물이 세정공정 후에도 웨이퍼의 엣지 부위에 그대로 존재하고 있기 때문에 이후 웨이퍼로부터 떨어져 나와 웨이퍼의 엣지 부위의 칩들의 불량을 야기하여 제품의 생산성을 저하시키는 문제점이 초래된다.
상술한 문제점을 극복하기 위한 본 발명의 목적은 웨이퍼 표면뿐만 아니라웨이퍼의 엣지 부위에 존재하는 미세 입자와 반응 부산물들을 효과적으로 세정할 수 있는 웨이퍼 세정 장치를 제공하는데 있다.
도 1은 종래 웨이퍼 세정 장치를 나타내는 구성도이다.
도 2는 도 1에 도시된 웨이퍼를 회전시키는 회전 클램프를 나타내는 단면도이다.
도 3은 본 발명의 제1실시예로서 웨이퍼 세정 장치의 세정 클램프를 나타내는 단면도이다.
도 4는 본 발명의 제2실시예로서 웨이퍼 세정 장치의 세정 클램프를 나태는 단면도이다.
도 5는 본 발명의 세정 클램프를 포함하는 웨이퍼 세정장치를 나타내는 구성도이다.
<도면의 주요부분에 대한 부호의 설명>
100,200 : 세정 클램프 110,220 : 상부 구조물
120,220 : 하부 구조물 130,230 : 나사
140,240 : 원형 그루브 160,260 : 오링
300 : 브러싱 수단 310 : 제1 회전축
320 : 제2 회전축 330 : 상면 롤러 브러시
340 : 저면 롤러 브러시 350 : 회전 클램프
360 : 브러시 구동부 380 : 세정액 제공부
W : 웨이퍼
상기 목적을 달성하기 위한 본 발명은,
웨이퍼의 에지 부위가 밀착되는 원형 그루브를 갖고, 마찰력을 이용하여 상기 웨이퍼를 회전시키기 위해 회전하며, 상기 웨이퍼의 에지 부위를 따라 배치되는 다수의 회전 클램프;
상기 회전 클램프와 동일한 구조를 갖고, 상기 원형 그루브에 웨이퍼의 엣지부위가 삽입되도록 구비되며, 웨이퍼의 엣지 부위를 세정하기 위한 세정 클램프(Cleaning Clamp); 및
상기 웨이퍼를 세정하기 위해 제공되는 세정액을 이용하여 상기 웨이퍼의 상면 및 저면을 세정하기 위한 브러싱 수단을 포함하는 웨이퍼 세정 장치를 제공하는데 있다.
여기서, 상기 웨이퍼는 화학적 기계연마(CMP) 공정이 수행된 웨이퍼이며, 그 웨이퍼의 표면, 엣지부위에는 스크레치, 파티클 및 오염물질이 존재한다. 그리고, 상기 세정 클램프 및 회전 클램프는 하방 돌출부를 갖는 상부 구조물과 상기 돌출부와 대응하는 오목부를 갖는 하부 구조물이 나사에 의해 체결되는 구조를 갖고, 체결함으로서 상기 상부 구조물과 하부 구조물 사이에는 상기 웨이퍼의 엣지 부위가 삽입 가능한 원형 그루브(groove)가 형성된 구조를 갖는다.
상기 세정 클램프는 고정되어 있고, 원형 그루부에 삽입된 웨이퍼의 에지 부위에 세정액을 공급하기 위한 세정액 공급 유로가 형성되어 있다.
상술한 구성요소를 갖는 웨이퍼 세정용 장치는 웨이퍼의 표면을 세정하기 위한 브러싱 수단, 웨이퍼를 회전시키는 회전 클램프 및 웨이퍼의 엣지 부위 및 베벨부위를 세정하기 위한 세정 클램프를 구비하고 있어 웨이퍼의 표면뿐만 아니라 웨이퍼의 엣지 부위에 존재하는 미세 입자와 반응 부산물을 효과적으로 세정할 수 있는 특성을 가지고 있다. 따라서, 웨이퍼의 전체에 대한 세정력이 강화로 인하여 양질의 반도체소자 생산이 가능해진다.
이하, 본 발명의 바람직한 실시예를 첨부한 도면을 참조하여 상세히 설명하기로 한다.
실시예 1
도 3은 본 발명의 제1실시예로서 웨이퍼 세정 장치의 세정 클램프를 나타내는 단면도이다.
도 3에 도시된 세정 클램프(100)는 표면에 모가 형성된 상부 구조물(110)과 하부 구조물(120)이 나사(130)에 의해 체결되는 구조를 갖음으로서, 상기 세정하고자 하는 웨이퍼(W)의 위치 정렬 및 상기 웨이퍼의 엣지부가 삽입되는 원형 그루브가 형성되어 있다. 그리고, 상기 세정 클램프가 회전함으로써, 상부 구조물의 표면에 형성된 모들이 웨이퍼의 엣지 부위에 존재하는 미세 입자와 반응 부산물을 세정하는 역할을 갖는다. 즉, 상기 세정 클램프는 회전 클램프와 동일한 형상 및 구조를 가지고 있으며, 대신 상부 구조물(110)은 표면에 모들이 형성된 브러쉬이다.
여기서, 상기 엣지 부위는 베벨 부위를 포함하고 있기 때문에 별도로 설명하지 않는다. 상기 세정 클램프(100)의 상부 구조물(110)은 그 표면에 모들이 빽빽하게 형성되어 있으며, 하방 돌출부를 갖는 요(凸)형상을 갖고, 나사(130)가 삽입되는 제1홀(도시하지 않음)이 형성되어 있다. 하부 구조물(120)은 상기 돌출부와 대응되는 오목부를 갖는 철(凹)형상을 갖고, 상기 나사(130)가 삽입되는 제2홀(도시하지 않음)이 형성되어 있다. 상기 제1홀 및 제2홀에는 나사선이 형성되어 있어 상기 나사(130)가 삽입됨으로서 상부 구조물(110)과 하부 구조물(120)이 하나로 체결된다.
여기서, 상기 상부 구조물(110)의 돌출부의 길이는 하부 구조물(120)의 오목부의 깊이보다 길다. 이 때문에 상부 구조물(110)과 하부 구조물(120)이 나사(130)에 의해 체결될 경우 상기 세정 클램프(100)의 측면에는 상기 세정하고자 하는 웨이퍼(W)의 엣지부가 삽입 가능한 오목한 형상의 원형 그루브(140)가 형성된다. 상부 구조물(110) 및 하부 구조물(120) 사이에는 오링(160)이 개재된다.
그리고, 세정 클램프(100)의 상부 구조물(110)은 그 표면에 세정용 브러시 표면에 형성된 모(150)들이 빽빽하게 형성되어 있기 때문에 상기 클램프 홈(140)에 삽입된 웨이퍼의 엣지 부위 및 베벨 부위는 상기 세정 클램프(100)의 회전 및 웨이퍼(W)의 회전으로 인해 미세 입자와 반응 부산물이 제거된다.
따라서, 웨이퍼의 엣지 부위에 잔류되어 있는 미세 입자와 반응 부산물은 상술한 구조를 갖는 세정 클램프(100)에 의해 효과적인 세정이 이루어진다.
실시예 2
도 4는 본 발명의 제2실시예로서 웨이퍼 세정 장치의 세정 클램프를 나태는 단면도이다.
도 4에 도시된 세정 클램프(200)는 표면에 모가 형성된 상부 구조물(210)과 하부 구조물(220)이 나사(230)에 의해 체결되는 구조를 갖음으로서, 상기 세정하고자 하는 웨이퍼(W)의 위치 정렬 및 상기 웨이퍼의 엣지부가 삽입되는 원형 그루브(240)가 형성되어 있다. 그리고, 상기 세정 클램프(200)는 도 3에 도시된 세정 클램프(100)와 달리 고정되어 있으며, 상기 원형 그루브(240)에 삽입된 웨이퍼를 세정하기 위한 세정액을 공급하는 세정액 공급유로(250)가 형성되어 있다.
즉, 상기 세정 클램프(200)는 종래의 회전 클램프와 동일한 형상 및 체결 구조를 가지고 있지만, 대신 원형 그루브(240)에 삽입된 웨이퍼의 엣지 부위를 세정하기 위한 세정액을 공급하는 세정액 공급 유로(250)가 형성되어 있는 구조를 갖는 것을 특징으로 하고 있다.
이 때문에 웨이퍼(W)의 엣지 부위에 상기 세정액 공급 유로(250)로부터 세정액이 제공되어, 웨이퍼의 엣지 부위에 잔류하는 미세 입자와 반응 부산물이 화학적으로 세정된다.
여기서, 상기 세정 클램프(200)의 상부 구조물(210)은 그 표면에 모들이 빽빽하게 형성되어 있으며, 하방 돌출부를 갖는 요(凸)형상을 갖고, 나사(230)가 삽입되는 제1홀(도시하지 않음)이 형성되어 있다. 하부 구조물(220)은 상기 돌출부와 대응되는 오목부를 갖는 철(凹)형상을 갖고, 상기 나사(130)가 삽입되는 제2홀(도시하지 않음)이 형성되어 있다. 상기 제1홀 및 제2홀에는 나사선이 형성되어 있어상기 나사(230)가 삽입됨으로서 상부 구조물(210)과 하부 구조물(220)이 하나로 체결된다.
상기 상부 구조물(210)의 돌출부의 길이는 하부 구조물(220)의 오목부의 깊이보다 길기 때문에 상부 구조물(210)과 하부 구조물(220)이 나사(230)에 의해 체결될 경우 상기 세정 클램프(200)의 측면에는 상기 세정하고자 하는 웨이퍼(W)의 엣지부가 삽입 가능한 오목한 형상의 원형 그루브(240)가 형성된다.
그리고, 세정 클램프(200)의 세정액 공급 유로(250)는 세정액 제공부(280)에서 연장되는 세정액 공급라인(270)과 연결되어 있어 상기 세정액 제공부(280)로부터 제공되는 세저액을 웨이퍼의 엣지 부위에 분사시킬 수 있다.
여기서, 상기 세정액 제공부(280)로부터 제공되는 케미컬이 세정액 배출구(250)를 통하여 웨이퍼(W)의 엣지 부위에 제공될 때 상기 케미컬이 상부 구조물(210) 및 하부 구조물(220) 사이에서 누출되는 것을 방지하기 위해 상부 구조물(210)과 하부 구조물(220) 사이에는 오링(260)이 개재되어 있다.
따라서, 상술한 구조를 갖는 세정 클램프(200)는 웨이퍼의 엣지 부위에 잔류되어 있는 미세 입자와 반응 부산물을 효과적으로 세정할 수 있다.
도 5는 본 발명의 세정 클램프를 포함하는 웨이퍼 세정 장치를 나타내는 구성도이다.
도 5에 도시되어 있는 바와 같이, 본 발명에 따른 웨이퍼 세정 장치는 웨이퍼(W)의 정렬 및 회전시키는 4개의 회전 클램프(350), 상기 회전하는 웨이퍼(W)의 표면을 세정하기 위한 브러싱 수단(300) 및 웨이퍼의 엣지 부위를 세정하기 위한제1세정 클램프(100) 또는 제2세정 클램프(200)를 포함하고 있다.
상기 웨이퍼(W)는 화학적 기계 연마(CMP)공정이 수행된 웨이퍼이면, 회전 클램프(350)에 의해 회전하게 된다. 상기 회전 클램프(350)는 하방 돌출부를 가는 상부 구조물과 상기 돌출부와 대응되는 오목부를 갖는 하부 구조물이 나사에 의해 체결되는 구조를 갖고, 세정하고자 하는 웨이퍼의 위치 정렬 및 웨이퍼의 엣지 부위를 파지하도록 구비되어 있으며, 그 자체가 회전함으로서 웨이퍼에 상기 웨이퍼를 회전시키기 위한 마찰력을 제공한다.
상기 브러싱 수단(300)은 웨이퍼(W) 상면에 배치되는 상면 롤러 브러시(330), 상기 웨이퍼(W) 저면에 배치되는 저면 롤러 브러시(340), 롤러 브러시(330,340)를 평행하게 연장시키는 제1 및 제2회전축(310, 320) 및 상기 제1 및 제2회전축(310, 320)을 서로에 대해 역방향으로 회전시키기 위한 브러시 구동부(360)로 구성된다.
여기서, 상면 롤러 브러시(330) 및 저면 롤러 브러시(340)는 세정 공정을 수행하기 위한 웨이퍼를 사이에 두고, 서로 대향되게 배치되어 있으며, 웨이퍼(W)의 반경 보다 긴 길이를 갖는다. 상면 롤러 브러시(330)는 웨이퍼의 상면에 존재하고, 저면 롤러 브러시(340)는 웨이퍼(W)의 저면에 존재한다.
상기 제1 및 제2회전축(310, 320)은 서로 평행하게 연장되면서, 웨이퍼를 세정할 수 있는 회전력을 제공할 수 있도록 상면 롤러 브러시(330) 및 저면 롤러 브러시(340)에 각각 연결되어 있다. 상기 제1 및 제2회전축(310, 320)의 제1단부는 상기 브러시 구동부(360)에 의해 회전 가능하게 결합되어 있고, 도면에 도시되어있지는 않지만, 상기 제1 및 제2회전축(310, 320)의 제2단부는 베어링 유닛(도시하지 않음)에 회전 가능하게 결합되어 있다.
그리고, 상기 제1세정 클램프(100)는 도 3에 도시된 세정 클램프(100)이고, 및 제2세정 클램프(200)는 도 4에 도시된 세정 클램프(200)이며, 상기 제1세정 클램프 및 제2세정 클램프는 위에서 상세히 설명하였기 때문에 생략하기로 한다.
여기서, 상기 웨이퍼 세정 장치는 제1세정 클램프(100)만을 적용하여 웨이퍼(W)의 엣지 부위에 잔류하는 이 물질들을 세정할 수 있다. 또한, 제2세정 클램프(200)만을 적용하여 웨이퍼(W)의 엣지 부위에 잔류하는 이 물질들을 세정하거나 상기 제1세정 클램프(100) 및 제2세정 클램프(200) 모두 적용하여 웨이퍼(W)의 엣지부위에 잔류하는 이 물질들을 세정할 수 있다.
이에 따라, 상기와 같은 구성을 갖는 웨이퍼 세정 장치는 웨이퍼(W)의 엣지 부위뿐만 아니라 웨이퍼(W)의 전면 및 후면을 잔류하는 이 물질들을 균일하게 동시적으로 세정하는 특성을 가지고 있다.
이상과 같은 구성을 갖는 웨이퍼 세정 장치는 다음과 같은 순서에 의해 작동한다.
먼저, 폴리싱(POLISHING)작업이 완료된 웨이퍼(W)에 대한 브러싱(BRUSHING) 작업이 개시될 때, 상기 웨이퍼(W)의 표면에는 암모니아 등과 같은 케미컬과 탈 이온수가 제공된다.
이 상태에서, 제어부(도시 안됨)는 웨이퍼를 회전시키는 웨이퍼 회전 클램프 (250)에 전기신호를 인가하여 상기 웨이퍼(W)를 소정 방향으로 회전시킨다. 이때상기 세정 클램프(100,200)에 의해 상기 웨이퍼의 엣지 부위에 존재하는 이 물질들은 세정된다.
그리고, 상기 제어부는 상기 브러시 구동부(200)의 모터에 전기 신호를 인가하여 모터를 구동시킨다. 구동된 모터는 구동력을 제1회전축으로 전달시켜 상기 제1회전축(310)을 회전시킨다.
또한, 구동된 모터는 구동력을 제2회전축(320)으로 전달시켜 제1회전축(310)의 회전방향과 반대되는 방향으로 제2회전축(320)을 회전시킨다.
따라서, 상기 제1 및 제2회전축(310, 320)에 부착되어 있는 상기 상면 및 저면 롤러 브러시(330, 340)는 서로 역방향으로 회전하면서 상기 웨이퍼(W)의 표면과 저면을 균일하게 세정하게 된다.
이상에서 설명한 바와 같이, 본 발명에 따른 웨이퍼 세정용 장치는 세정용 클램프를 채용하고 있기 때문에 상기 웨이퍼의 엣지 부위에 존재하는 이 물질들을 화학적 또는 기계적으로 제거할 수 있어 이후 공정에서 반도체 소자의 오염을 효과적으로 방지할 수 있다. 그리고, 웨이퍼의 세정이 전체적으로 골고루 수행되어 양질의 반도체소자 생산할 수 있다.
이상 본 발명이 바람직한 실시예를 참고로 설명되었으나, 본 발명은 상기 실시예에 한정되지 않으며, 본 발명의 기술적 사상의 범주 내에서 다양한 개량이나 변형이 가능하고, 이러한 개량이나 변형 또한 본 발명에 속한다는 것은 당업자라면 인지할 수 있을 것이다.

Claims (8)

  1. 웨이퍼의 에지 부위가 밀착되는 원형 그루브(groove)를 갖고, 마찰력을 이용하여 상기 웨이퍼를 회전시키기 위해 회전하며, 상기 웨이퍼의 에지 부위를 따라 배치되는 다수의 회전 클램프;
    상기 회전 클램프와 동일한 구조를 갖고, 원형 그루브에 웨이퍼의 엣지부위가 삽입되도록 구비되며, 웨이퍼의 엣지 부위를 세정하기 위한 세정 클램프; 및
    상기 웨이퍼를 세정하기 위해 제공되는 세정액을 이용하여 상기 웨이퍼의 상면 및 저면을 세정하기 위한 브러싱 수단을 포함하는 웨이퍼 세정 장치.
  2. 제1항에 있어서, 상기 웨이퍼는 화학적 기계적 연마(CMP) 공정이 수행된 기판인 것을 특징으로 하는 웨이퍼 세정 장치.
  3. 제1항에 있어서, 상기 세정 클램프 및 회전 클램프는 하방 돌출부를 갖는 상부 구조물과 상기 돌출부와 대응하는 오목부를 갖는 하부 구조물이 나사에 의해 체결되는 구조를 갖고, 상기 원형 그루브는 상기 상부 구조물과 하부 구조물 사이에 형성되는 것을 특징으로 하는 웨이퍼 세정 장치.
  4. 제3항에 있어서, 상기 상부 구조물과 하부 구조물 사이에 개재되는 오링을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 웨이퍼 세정 장치.
  5. 제3항에 있어서, 상기 세정 클램프는 회전가능하고, 상기 상부 구조물이 브러시인 것을 특징으로 하는 웨이퍼 세정 장치.
  6. 제3항에 있어서, 상기 세정 클램프는 상기 원형 그루브에 삽입된 웨이퍼의 에지 부위에 세정액을 공급하기 위한 세정액 공급 유로가 형성되어 있는 것을 특징으로 하는 웨이퍼 세정 장치.
  7. 제6항에 있어서, 상기 세정 클램프의 세정액 공급 유로에서 연장되는 세정액 공급라인과 연결되고, 상기 세정액 공급라인 및 세정액 공급 유로를 통하여 세정액을 공급하는 세정액 제공부를 더 포함하고 있는 것을 특징으로 하는 웨이퍼 세정 장치.
  8. 제1항에 있어서, 상기 브러싱 수단은,
    세정 공정을 수행하기 위한 웨이퍼를 사이에 두고, 상기 웨이퍼의 전면 및 후면과 접촉되도록 서로 평행하게 배치되는 제1 및 제2롤러 브러시(Roller Brushes);
    상기 제1 및 제2 나선형 롤러 브러시와 각각 연결되어 있는 제1 및 제2 회전축; 및
    상기 제1 및 제2나선형 롤러 브러시를 회전시키기 위한 회전력을 제공하는구동부를 포함하는 것을 특징으로 하는 웨이퍼 세정 장치.
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