KR200479765Y1 - 나노심 및 마이크로에스디용 복층형 소켓커넥터 - Google Patents

Abstract

본 고안은 나노심 및 마이크로에스디용 복층형 소켓커넥터에 관한 것으로서, 수납된 마이크로에스디카드의 결합이 안정적이고 견고하게 이루어질 수 있도록 한 것이다.
즉, 본 고안은 나노 심 및 마이크로에스디 카드용 복층형 소켓커넥터에 있어서, 쉘의 에스디쉘부에 카드들림방지판을 형성하고, 쉘의 에스디쉘부에 결합되는 에스디카드의 일측을 텐션 가이드하는 슬리팅 절곡 가이드텐션을 구비한 것이다.
따라서, 본 고안은 쉘의 에스디쉘부에 카드들림방지판을 형성함으로써 에스디소켓부에 결합된 마이크로에스디카드의 상측 지지가 안정적이고 견고하게 이루어지고, 쉘의 에스디쉘부에 슬리팅 절곡 가이드텐션을 형성함으로써 에스디소켓부에 결합되는 에스디카드의 일측이 텐션 가이드되어 에스디소켓부에 결합된 에스디카드의 측면 결합 안정성이 향상되는 것이다.

Description

나노심 및 마이크로에스디용 복층형 소켓커넥터{Nano-SIM and micro SD connector duplex socket}

본 고안은 나노심 및 마이크로에스디용 복층형 소켓커넥터에 관한 것으로서, 더욱 상세하게는 나노심 및 마이크로에스디용 복층형 소켓커넥터에 있어서, 에스디쉘의 에스디접속수용부에 카드들림방지판을 형성하고, 에스디쉘의 에스디접속수용부에 슬리팅 절곡 가이드텐션을 구비하여서, 수납된 마이크로에스디의 결합이 안정적이고 견고하게 이루어질 수 있도록 함을 목적으로 한 것이다.

일반적으로, 심 소켓 커넥터는 사용자 인식 정보가 저장된 심카드를 장 탈착할 수 있게 휴대 무선 단말기에 구비되는 것이다.

한편, 상기한 심 소켓 커넥터는 데이터가 저장되는 에스디 카드가 장 탈착되는 에스디 소켓을 일체로 형성한 복층형 소켓커넥터가 개발되어 사용되고 있다.

또한, 상기한 바와 같은 복층형 소켓커넥터는 심카드가 소형화됨에 따라 그 크기가 마이크로에서 나노의 크기까지 개발되어 사용되고 있다.

이상과 같은 복층형 소켓커넥터는 심카드의 인출이 제한되게 하부 측에 심소켓부를 형성하고, 상부 측에 에스디 소켓부를 형성하여 실시하고 있다.

상기 심소켓부는 접속단자가 구비되는 소켓몰드와 상기 소켓몰드의 상부에 결합되는 쉘부로 구성되는 것이다.

상기 소켓몰드는 심접속단자가 구비되는 심소켓부와 상기 심소켓부의 일측으로 단이지게 형성되어 에스디접속단자가 구비되는 에스디소켓부가 형성되는 것이다.

상기 쉘은 소켓몰드의 심소켓부를 커버하여 심카드의 수용공간을 형성하고 에스디 카드의 결합을 가이드하는 심쉘부와 상기 심쉘부의 일측으로 계단지게 형성되어 소켓몰드의 에스디소켓부를 커버하여 에스디수용공간이 형성되게 하는 에스디쉘로 구성되는 것이다.

이상과 같이 구성된 복층형 소켓 커넥터는 하부에 형성된 심소켓부에 나노심카드를 결합하고, 상부에 구비되는 에스디소켓부에 에스디카드를 결합하여 사용하는 것이다.

그러나, 상기한 바와 같은 종래의 복층형 소켓 커넥터는 에스디소켓부가 에스디카드의 접속부위만을 수용하게 구성되어 있어 상하 유동에 대한 결합 안정성이 확보되지 않고, 결합되는 에스디카드의 측면 가이드가 쉘의 에스디쉘부의 측벽에 의하여만 가이드 되어 그 측면 유동이 안정적이지 못한 문제점이 있었다.

특허등록 제10-1312683호

이에, 본 고안은 종래의 복층형 소켓 커넥터가 에스디소켓부가 에스디카드의 접속부위만을 수용하게 구성되어 있어 상하 유동에 대한 결합 안정성이 확보되지 않는 문제점과, 결합되는 에스디카드의 측면 가이드가 쉘의 에스디쉘부의 측벽에 의하여만 가이드 되어 그 측면 유동이 안정적이지 못한 문제점을 해결할 수 있도록 한 것이다.

즉, 본 고안은 나노 심 및 마이크로에스디 카드용 복층형 소켓커넥터에 있어서, 쉘의 에스디쉘부에 카드들림방지판을 형성하고, 쉘의 에스디쉘부에 결합되는 에스디카드의 일측을 텐션 가이드하는 슬리팅 절곡 가이드텐션을 구비한 것이다.

따라서, 본 고안은 쉘의 에스디쉘부에 카드들림방지판을 형성함으로써 에스디소켓부에 결합된 마이크로에스디카드(2)의 상측 지지가 안정적이고 견고하게 이루어지고, 쉘의 에스디쉘부에 슬리팅 절곡 가이드텐션을 형성함으로써 에스디소켓부에 결합되는 에스디카드의 일측이 텐션 가이드되어 에스디소켓부에 결합된 에스디카드의 측면 결합 안정성이 향상되는 것이다.

도 1은 본 고안의 분리상태 사시도
도 2는 본 고안의 결합상태 사시도
도 3은 도 2의 반대방향에서 도시한 사시도
도 4는 본 고안의 평면도
도 5는 본 고안의 결합예시도
도 6은 본 고안의 단면 위치를 표시한 평면도
도 7 내지 도 8은 도 6에 표시된 A-A', B-B'의 단면도

이하, 첨부된 도면에 의하여 상세히 설명하면 다음과 같다.

본 고안은 카드의 결합이 안정적이고 견고하게 이루어질 수 있도록 한 것이다.

즉, 본 고안은 접속단자가 구비되는 소켓몰드(110)와 상기 소켓몰드(110)의 상부에 결합되는 쉘(120)로 구성되고; 상기 소켓몰드(110)는 심접속단자(131)가 구비되는 심소켓부(111)와 상기 심소켓부(111)의 일측으로 계단형으로 형성되어 에스디접속단자(132)가 구비되는 에스디소켓부(112)가 형성되며; 상기 쉘(120)은 소켓몰드(110)의 심소켓부(111)를 커버하여 심카드의 수용공간을 형성하고 에스디 카드의 결합을 가이드하는 심쉘부(121)와 상기 심쉘부(121)의 일측으로 계단지게 형성되어 소켓몰드(110)의 에스디소켓부(112)를 커버하여 에스디수용공간이 형성되게 하는 에스디쉘부(122)로 구성된 복층형 소켓 커넥터에 있어서, 상기 심소켓부(111)는 측 방향에서 나노심카드(1)가 결합되게 심삽입부(111a)를 형성하고, 상기 심소켓부(111)를 커버하는 심쉘부(121)의 심삽입부(111a) 측의 상부를 절개하여 나노심카드(1)를 취출할 수 있게 한 취출절개부(21)를 형성하며, 상기 심쉘부(121)의 취출절개부(21) 반대 측에는 결합된 나노심카드의 인출이 용이하게 밀어줄 수 있게 한 푸시절개부(22)를 형성하여 구성하고,

상기 쉘(120)의 에스디쉘부(122)에 카드들림방지판(10)을 형성하고, 쉘(120)의 에스디쉘부(122)에 결합되는 에스디카드의 일측을 텐션 가이드하는 슬리팅 절곡 가이드텐션(30)을 구비한 것이다.

상기 슬리팅 절곡 가이드텐션(30)은 에스디쉘부(122)의 일측 상부를 슬리팅 절개하여 지지편(31)에 의하여 부분 결속되게 한 후 하부로 절곡하고 절곡된 판의 단부 측을 에스디소켓부(112)의 중앙 측으로 돌출되어 결합되는 마이크로에스디카드(2)의 측벽을 텐션지지하는 텐션판(32)을 형성하여 구성한 것이다.

그리고, 본 고안의 실시에 있어서, 에스디쉘부(122)의 에스디삽입부(112a) 양측에 구비되어 심쉘부(121)와 에스디쉘부(122)를 연결하는 쉘연결편(123) 중 심삽입부(111a) 측에 구비되는 쉘연결편(123)에서 외측으로 절곡되어 에스디쉘부(122)의 측벽과 동일면을 이루며 하단이 실장되는 연결지지판(41)을 구비하여 실시할 수 있는 것이다.

또한, 상기 쉘연결편(123) 중 심삽입부(111a)의 반대 측에 형성되는 쉘연결편(123) 측에는 심쉘부(121)의 단부에서 상기 쉘연결편(123)의 지지 강도를 높일 수 있게 하부로 절곡되어 실장되는 쉘지지판(42)을 구비하여 실시할 수 있는 것이다.

상기 쉘지지판(42)의 형성된 심쉘부(121)의 하부 측에는 소켓몰드(110)의 심소켓부(111) 측 바닥 몰드에서 돌출되어 심쉘부(121)를 지지하는 쉘지지돌기(51)를 형성하여 실시할 수 있는 것이다.

또한, 상기 소켓몰드(110)의 에스디소켓부(112)의 에스디삽입부(112a) 측 몰드에는 결합되는 마이크로에스디카드(2)의 결합시 걸림이 방지되게 카드걸림방지경사면(52)이 형성된 것이다.

또한, 상기 에스디소켓부(112)에는 에스디접속단자(132)가 충분한 탄성 접속력을 갖게 소켓몰드(110)의 에스디소켓부(112) 측 몰드를 요입 형성한 단자 탄성가동부(53)를 형성하여 실시할 수 있는 것이다.

또한, 상기 소켓몰드(110)의 후방 측에 구비되는 실장단자부(133)를 외력으로부터 보호할 수 있게 소켓몰드(110)의 쉘(120)의 양측을 후방으로 연장 돌출형성하여 단자보호부(54)를 형성하여 실시할 수 있는 것이다.

이하, 본 고안의 적용실시과정에 대하여 설명하면 다음과 같다.

상기한 바와 같이 복층형 소켓 커넥터에 있어서, 상기 심소켓부(111)는 측 방향에서 나노심카드(1)가 결합되게 심삽입부(111a)를 형성하고, 상기 심소켓부(111)를 커버하는 심쉘부(121)의 심삽입부(111a) 측의 상부를 절개하여 나노심카드(1)를 취출할 수 있게 한 취출절개부(21)를 형성하며, 상기 심쉘부(121)의 취출절개부(21) 반대 측에는 결합된 나노심카드(1)의 인출이 용이하게 밀어줄 수 있게 한 푸시절개부(22)를 형성하여 구성하고, 상기 쉘(120)의 에스디쉘부(122)에 카드들림방지판(10)을 형성하고, 쉘(120)의 에스디쉘부(122)에 결합되는 마이크로에스디카드(2)의 일측을 텐션 가이드하는 슬리팅 절곡 가이드텐션(30)을 구비한 본 고안을 적용하여 실시하게 되면, 나노심카드(1)의 결합이 마이크로에스디카드(2)(2)의 결합방향과 직각을 이루게 형성되어 있어 각 카드의 결합에 있어 오결합이 방지되는 것이다.

또한, 상기 심쉘부(121)에 취출절개부(21)와 푸시절개부(22)를 형성하여 실시하게 되면, 심소켓부(111)에 결합된 마이크로 심카드의 인출시 상기 푸시절개부(22)를 통하여 결합된 마이크로 심카드를 일부 인출시킨 후 상기 취출절개부(21)를 통하여 손가락으로 마이크로 심카드를 긁어 인출함으로써 그 인출이 용이한 것이다.

그리고, 상기 쉘(120)의 에스디쉘부(122)에 카드들림방지판(10)을 형성하여 실시하게 되면, 에스디소켓부(112)에 결합된 마이크로에스디카드(2)의 접속부 측 상부가 상기 카드들림방지판(10)에 의하여 지지되어 그 결합상태가 안정적인 결합상태가 유지되는 것이다.

또한, 상기 쉘(120)의 에스디쉘부(122)에 결합되는 에스디카드의 일측을 텐션 가이드하는 슬리팅 절곡 가이드텐션(30)을 구비하여 실시하게 되면, 에스디소켓부(112)의 결합된 마이크로에스디카드(2)가 상기 슬리팅 절곡 가이드텐션(30)에 의하여 그 결합이 가이드 되고 텐션지지되어 안정적인 결합상태를 유지하게 되는 것이다.

또한, 본 고안의 실시에 있어서 심삽입부(111a) 측 쉘연결편(123)에 하단이 보드에 실장되는 연결지지판(41)을 구비하여 실시하게 되면 심쉘부(121)과 에스디쉘부(122)를 연결하는 쉘연결편(123)의 지지가강성을 향상되어 마이크로에스디카드(2)의 결합시 접촉 충격에 의한 손상이 방지되는 것이다.

또한, 본 고안의 실시에 있어서 심삽입부(111a)의 반대 측에 형성되는 쉘연결편(123) 측에 쉘지지판(42)을 구비하여 실시하게 되면, 상기 쉘지지판(42)이 보드에 실장되어 쉘연결편(123)과 심쉘부(121)의 지지강성이 향상되어 마이크로에스디카드(2)의 결합시 접촉 충격에 의한 손상이 방지되는 것이다.

또한, 본 고안의 실시에 있어서 상기 쉘지지판(42)이 형성된 심쉘부(121)의 하부 측에는 소켓몰드(110)의 쉘지지돌기(51)를 형성하여 실시하게 되면, 상기 심쉘부(121)의 일부가 상기 쉘지지돌기(51)에 의하여 지지되어 심쉘부(121)의 내구성이 향상되고 쉘지지판(42)이 형성되는 심쉘부(121)가 안정적으로 지지되어 쉘지지판(42)에 의한 지지강성이 향상되는 것이다.

또한, 상기 소켓몰드(110)의 에스디소켓부(112)의 에스디삽입부(112a) 측 몰드에는 카드걸림방지경사면(52)을 형성하여 실시하게 되면, 마이크로에스디카드(2)의 결합시 몰드에 의한 걸림이 방지되고 결합이 유도되어 마이크로에스디카드(2)의 결합이 안정적으로 이루어지는 것이다.

또한, 상기 에스디소켓부(112)의 몰드에 요입형성한 단자 탄성가동부(53)를 형성하여 실시하게 되면, 에스디접속단자(132)의 가동공간이 확보되어 마이크로에스디카드(2)의 지지를 위한 충분한 탄성 접속력이 확보되는 것이다.

또한, 상기 소켓몰드(110)의 후방 측에 단자보호부(54)를 형성하여 실시하게 되면, 소켓몰드(110)의 후방 측에 구비되는 실장단자부(133)가 단자보호부(54)를 형성하는 양측 소켓몰드(110)와 쉘(120)의 돌출부를 통하여 보호되는 것이다.

1 : 나노심카드 2 : 마이크로에스디카드
10 : 카드들림방지판
21 : 취출절개부 22 : 푸시절개부
30 : 슬리팅 절곡 가이드텐션
31 : 지지편 32 : 텐션판
41 : 연결지지판
42 : 쉘지지판
51 : 쉘지지돌기 52 : 카드걸림방지경사면
53 : 단자 탄성가동부 54 : 단자보호부
110 : 소켓몰드
111 : 심소켓부 111a: 심삽입부
112 : 에스디소켓부 112a: 에스디삽입부
120 : 쉘
121 : 심쉘부 122 : 에스디쉘부
123 : 쉘연결편
131 : 심접속단자
132 : 에스디접속단자
133 : 실장단자부

Claims (5)

1. 접속단자가 구비되는 소켓몰드(110)와 상기 소켓몰드(110)의 상부에 결합되는 쉘(120)로 구성되고; 상기 소켓몰드(110)는 심접속단자(131)가 구비되는 심소켓부(111)와 상기 심소켓부(111)의 일측으로 계단형으로 형성되어 에스디접속단자(132)가 구비되는 에스디소켓부(112)가 형성되며; 상기 쉘(120)은 소켓몰드(110)의 심소켓부(111)를 커버하여 심카드의 수용공간을 형성하고 에스디 카드의 결합을 가이드하는 심쉘부(121)와 상기 심쉘부(121)의 일측으로 계단지게 형성되어 소켓몰드(110)의 에스디소켓부(112)를 커버하여 에스디수용공간이 형성되게 하는 에스디쉘부(122)로 구성된 복층형 소켓 커넥터에 있어서;
   상기 심소켓부(111)는 측 방향에서 나노심카드(1)가 결합되게 심삽입부(111a)를 형성하고, 상기 심소켓부(111)를 커버하는 심쉘부(121)의 심삽입부(111a) 측의 상부를 절개하여 나노심카드(1)를 취출할 수 있게 한 취출절개부(21)를 형성하며, 상기 심쉘부(121)의 취출절개부(21) 반대 측에는 결합된 나노심카드의 인출이 용이하게 밀어줄 수 있게 한 푸시절개부(22)를 형성하여 구성하고,
   상기 쉘(120)의 에스디쉘부(122)에 카드들림방지판(10)을 형성하고, 쉘(120)의 에스디쉘부(122)에 결합되는 에스디카드의 일측을 텐션 가이드하는 슬리팅 절곡 가이드텐션(30)을 구비하되,
   상기 슬리팅 절곡 가이드텐션(30)은 에스디쉘부(122)의 일측 상부를 슬리팅 절개하여 지지편(31)에 의하여 부분 결속되게 한 후 하부로 절곡하고 절곡된 판의 단부 측을 에스디소켓부(112)의 중앙 측으로 돌출되어 결합되는 마이크로에스디카드(2)의 측벽을 텐션지지하는 텐션판(32)을 형성하여 구성하고,
   에스디쉘부(122)의 에스디삽입부(112a) 양측에 구비되어 심쉘부(121)와 에스디쉘부(122)를 연결하는 쉘연결편(123) 중 심삽입부(111a) 측에 구비되는 쉘연결편(123)에서 외측으로 절곡되어 에스디쉘부(122)의 측벽과 동일면을 이루며 하단이 실장되는 연결지지판(41)을 구비하고,
   상기 쉘연결편(123) 중 심삽입부(111a)의 반대 측에 형성되는 쉘연결편(123) 측에는 심쉘부(121)의 단부에서 상기 쉘연결편(123)의 지지 강도를 높일 수 있게 하부로 절곡되어 실장되는 쉘지지판(42)을 구비하며,
   상기 쉘지지판(42)의 형성된 심쉘부(121)의 하부 측에는 소켓몰드(110)의 심소켓부(111) 측 바닥 몰드에서 돌출되어 심쉘부(121)를 지지하는 쉘지지돌기(51)를 형성한 것을 특징으로 하는 나노심 및 마이크로에스디용 복층형 소켓커넥터.
   
2. 제 1 항에 있어서;
   상기 소켓몰드(110)의 에스디소켓부(112)의 에스디삽입부(112a) 측 몰드에 결합되는 마이크로에스디카드(2)의 결합시 걸림이 방지되게 카드걸림방지경사면(52)이 형성한 것을 특징으로 하는 나노심 및 마이크로에스디용 복층형 소켓커넥터.
   
   
3. 제 1 항에 있어서;
   상기 에스디소켓부(112)에는 에스디접속단자(132)가 충분한 탄성 접속력을 갖게 소켓몰드(110)의 에스디소케부(112) 측 몰드를 요입형성한 단자 탄성가동부(53)를 형성한 것을 특징으로 하는 나노심 및 마이크로에스디용 복층형 소켓커넥터.
   
   
4. 제 1 항에 있어서;
   상기 소켓몰드(110)의 후방 측에 구비되는 실장단자부(133)를 외력으로부터 보호할 수 있게 소켓몰드(110)의 쉘(120)의 양측을 후방으로 연장돌출형성하여 단자보호부(54)를 형성한 것을 특징으로 하는 나노심 및 마이크로에스디용 복층형 소켓커넥터.
   
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