KR200466082Y1 - Apparatus for molding semiconductor device - Google Patents

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KR200466082Y1 KR2020110007424U KR20110007424U KR200466082Y1 KR 200466082 Y1 KR200466082 Y1 KR 200466082Y1 KR 2020110007424 U KR2020110007424 U KR 2020110007424U KR 20110007424 U KR20110007424 U KR 20110007424U KR 200466082 Y1 KR200466082 Y1 KR 200466082Y1
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Abstract

반도체 소자를 몰딩하기 위한 장치에 있어서, 상기 장치는 상부 금형과 하부 금형을 포함하며 상기 상부 금형과 하부 금형 사이에서 형성되는 캐버티를 이용하여 반도체 소자를 몰딩한다. 상기 상부 금형은 사각의 프레임 형태를 가지며 상기 캐버티의 측면들을 제공하는 상부 체이스 블록과, 상기 체이스 블록 내에서 수직 방향으로 이동 가능하도록 배치되어 상기 캐버티의 상부면을 제공하는 상부 캐버티 블록과, 상기 상부 캐버티 블록과 연결되며 상기 상부 캐버티 블록의 높이를 조절하는 높이 조절부를 포함한다. 따라서, 목적하는 몰딩 두께에 따라 상부 금형을 분해 및 재조립하는 번거로움을 제거할 수 있으며, 또한 상기 몰딩 장치의 가동률을 크게 향상시킬 수 있다.In the apparatus for molding a semiconductor device, the device includes an upper mold and a lower mold and molds the semiconductor device by using a cavity formed between the upper mold and the lower mold. The upper mold has a rectangular frame shape and an upper chase block providing side surfaces of the cavity, an upper cavity block arranged to be movable vertically within the chase block and providing an upper surface of the cavity; And a height adjusting part connected to the upper cavity block and adjusting the height of the upper cavity block. Therefore, the trouble of disassembling and reassembling the upper mold can be eliminated according to the desired molding thickness, and the operation rate of the molding apparatus can be greatly improved.

Description

반도체 소자를 몰딩하기 위한 장치{Apparatus for molding semiconductor device}Apparatus for molding semiconductor devices

본 고안의 실시예들은 반도체 소자를 몰딩하기 위한 장치에 관한 것이다. 보다 상세하게는, 기판 상에 장착된 반도체 소자를 용융 또는 액상 수지를 이용하여 몰딩하는 장치에 관한 것이다.Embodiments of the present invention relate to an apparatus for molding a semiconductor device. More specifically, the present invention relates to an apparatus for molding a semiconductor element mounted on a substrate using molten or liquid resin.

일반적으로 반도체 소자들은 일련의 제조 공정들을 반복적으로 수행함으로써 반도체 기판으로서 사용되는 실리콘 웨이퍼 상에 형성될 수 있다. 상기와 같이 형성된 반도체 소자들은 다이싱 공정에 의해 개별화될 수 있으며, 상기 개별화된 반도체 소자들은 인쇄회로기판 등과 같은 기판 상에 다이 본딩 공정을 통해 본딩될 수 있다.In general, semiconductor devices may be formed on a silicon wafer used as a semiconductor substrate by repeatedly performing a series of manufacturing processes. The semiconductor devices formed as described above may be individualized by a dicing process, and the individualized semiconductor devices may be bonded through a die bonding process on a substrate such as a printed circuit board.

상기와 같이 기판 상에 장착된 반도체 소자는 몰딩 공정을 통하여 반도체 패키지로 제조될 수 있다. 이때, 상기 몰딩 공정은 용융 수지 또는 액상 수지가 공급되는 캐버티를 갖는 금형을 이용하여 수행될 수 있다. 예를 들면, 상기 몰딩 공정을 수행하기 위한 장치는 상부 금형과 하부 금형을 포함할 수 있으며, 상기 상부 금형과 하부 금형 사이에서 상기 반도체 소자를 몰딩하기 위한 캐버티가 형성될 수 있다.The semiconductor device mounted on the substrate as described above may be manufactured into a semiconductor package through a molding process. In this case, the molding process may be performed using a mold having a cavity supplied with molten resin or liquid resin. For example, the apparatus for performing the molding process may include an upper mold and a lower mold, and a cavity for molding the semiconductor device may be formed between the upper mold and the lower mold.

구체적으로, 상기 반도체 소자가 장착된 기판이 상기 하부 금형 상으로 로드된 후 상기 하부 금형과 상부 금형이 결합되며 이에 의해 상기 기판의 상부에서 상기 캐버티가 형성된다. 이어서, 상기 캐버티 내부로 용융 또는 액상 수지가 공급될 수 있으며, 상기 캐버티 내부로 공급된 수지가 경화됨으로서 상기 기판 상의 반도체 소자가 몰딩될 수 있다.Specifically, after the substrate on which the semiconductor element is mounted is loaded onto the lower mold, the lower mold and the upper mold are coupled to thereby form the cavity on the upper portion of the substrate. Subsequently, molten or liquid resin may be supplied into the cavity, and the semiconductor element on the substrate may be molded by curing the resin supplied into the cavity.

한편, 최근 반도체 소자의 종류가 다양해짐에 따라 상기 기판 상에서의 몰딩 두께 즉 패키지의 두께도 다양하게 조절될 필요가 있으며, 이를 위하여 상부 금형을 교체할 필요가 있다. 그러나, 상기와 같이 상부 금형을 필요에 따라 교체하는 경우 이에 상당한 시간이 소요되므로 상기 몰딩 장치의 가동률이 크게 저하될 수 있으며 또한 상기 반도체 소자의 제조 비용이 크게 증가될 수 있다.Meanwhile, as the types of semiconductor devices have recently diversified, the thickness of the molding on the substrate, that is, the thickness of the package, needs to be variously adjusted. For this purpose, the upper mold needs to be replaced. However, when the upper mold is replaced as necessary as described above, a considerable time is required, and thus the operation rate of the molding apparatus may be greatly reduced, and the manufacturing cost of the semiconductor device may be greatly increased.

본 고안의 실시예들은 상기와 같은 문제점을 해결하기 위하여 반도체 소자들의 몰딩 두께를 용이하게 조절할 수 있는 반도체 소자 몰딩 장치를 제공하는데 그 목적이 있다.Embodiments of the present invention provide a semiconductor device molding apparatus that can easily adjust the molding thickness of the semiconductor device in order to solve the above problems.

본 고안의 실시예들에 따르면, 상부 금형과 하부 금형을 포함하며, 상기 상부 금형과 하부 금형 사이에서 형성되는 캐버티를 이용하여 반도체 소자를 몰딩하기 위한 장치에 있어서, 상기 상부 금형은, 사각의 프레임 형태를 가지며 상기 캐버티의 측면들을 제공하는 상부 체이스 블록과, 상기 체이스 블록 내에서 수직 방향으로 이동 가능하도록 배치되어 상기 캐버티의 상부면을 제공하는 상부 캐버티 블록과, 상기 상부 캐버티 블록과 연결되며 상기 상부 캐버티 블록의 높이를 조절하는 높이 조절부를 포함할 수 있다.According to embodiments of the present invention, an apparatus for molding a semiconductor device by using a cavity formed between the upper mold and the lower mold, the upper mold and the lower mold, wherein the upper mold, An upper chase block having a frame shape and providing side surfaces of the cavity, an upper cavity block disposed vertically movable within the chase block to provide an upper surface of the cavity, and the upper cavity block It may be connected to and may include a height adjuster for adjusting the height of the upper cavity block.

본 고안의 실시예들에 따르면, 상기 상부 체이스 블록이 장착되는 상부 프레스가 더 구비될 수 있으며, 상기 높이 조절부는 상기 상부 프레스에 장착될 수 있다.According to embodiments of the present invention, the upper press may be further provided with the upper chase block is mounted, the height adjustment portion may be mounted to the upper press.

본 고안의 실시예들에 따르면, 상기 높이 조절부는, 상기 상부 캐버티 블록의 상부에서 상기 상부 프레스에 소정의 경사각을 갖도록 장착된 스크루 부재와, 상기 스크루 부재의 회전에 의해 상기 스크루 부재를 따라 이동 가능하도록 상기 스크루 부재에 결합된 너트 부재와, 상기 상부 캐버티 블록의 상부면 상에서 수평 방향으로 이동 가능하도록 장착되며 상기 너트 부재와 연결된 슬라이드 부재를 포함할 수 있다.According to embodiments of the present invention, the height adjusting portion, the screw member mounted to the upper press on the upper cavity block to have a predetermined inclination angle, and moves along the screw member by the rotation of the screw member A nut member coupled to the screw member and a slide member mounted to be movable in a horizontal direction on the upper surface of the upper cavity block and connected to the nut member may be included.

본 고안의 실시예들에 따르면, 상기 캐버티 블록의 상부면에는 상기 슬라이드 부재의 수평 방향 이동을 안내하는 가이드 부재가 설치될 수 있다.According to embodiments of the present invention, a guide member for guiding a horizontal movement of the slide member may be installed on the upper surface of the cavity block.

본 고안의 실시예들에 따르면, 상기 높이 조절부는 상기 캐버티 블록의 상부에서 상기 상부 프레스에 수평 방향으로 장착되며 상기 캐버티 블록의 높이를 제한하기 위한 심 플레이트를 더 포함할 수 있다.According to the embodiments of the present invention, the height adjusting portion may be mounted in the horizontal direction on the upper press in the upper portion of the cavity block and may further include a shim plate for limiting the height of the cavity block.

본 고안의 실시예들에 따르면, 상기 심 플레이트는 상기 상부 프레스에 교환 가능하도록 장착되며 상기 캐버티 블록의 높이를 조절하기 위하여 서로 다른 두께를 갖는 다수의 심 플레이트들 중에서 선택될 수 있다.According to embodiments of the present invention, the shim plate may be selected from among a plurality of shim plates that are interchangeably mounted to the upper press and have different thicknesses to adjust the height of the cavity block.

본 고안의 실시예들에 따르면, 상기 심 플레이트에는 상기 슬라이드 부재가 통과하는 슬릿이 형성될 수 있다.According to embodiments of the present invention, the shim plate may be formed with a slit through which the slide member passes.

본 고안의 실시예들에 따르면, 상기 상부 체이스 블록에는 상기 캐버티 내부로 상기 반도체 소자를 몰딩하기 위한 수지를 공급하기 위한 유로가 형성될 수 있다.According to embodiments of the present invention, a flow path for supplying a resin for molding the semiconductor device into the cavity may be formed in the upper chase block.

본 고안의 실시예들에 따르면, 상기 하부 금형은, 상기 반도체 소자가 장착된 기판을 지지하는 하부 캐버티 블록과, 상기 하부 캐버티 블록을 감싸도록 배치되는 하부 체이스 블록을 포함할 수 있다.According to embodiments of the present invention, the lower mold may include a lower cavity block supporting a substrate on which the semiconductor device is mounted, and a lower chase block disposed to surround the lower cavity block.

본 고안의 실시예들에 따르면, 상기 상부 체이스 블록의 하부면은 상기 반도체 소자를 몰딩하기 위하여 상기 하부 캐버티 블록에 의해 지지된 기판의 가장자리 부위와 상기 하부 체이스 블록의 상부면에 밀착될 수 있다.According to embodiments of the present invention, the lower surface of the upper chase block may be in close contact with the edge portion of the substrate supported by the lower cavity block and the upper surface of the lower chase block for molding the semiconductor device. .

상술한 바와 같은 본 고안의 실시예들에 따르면, 기판 상에 장착된 반도체 소자들의 크기가 변경되는 경우 상부 캐버티 블록의 높이를 조절함으로써 기판 상의 몰딩 두께를 용이하게 변경할 수 있다. 즉, 종래 기술에서와 같이 상부 금형을 분해 및 재조립하는 과정을 생략할 수 있으므로 반도체 소자 몰딩 장치의 가동율을 크게 향상시킬 수 있으며, 결과적으로 반도체 소자들의 제조 비용을 크게 절감할 수 있다.According to the embodiments of the present invention as described above, when the size of the semiconductor devices mounted on the substrate is changed, it is possible to easily change the molding thickness on the substrate by adjusting the height of the upper cavity block. That is, since the process of disassembling and reassembling the upper mold may be omitted as in the prior art, the operation rate of the semiconductor device molding apparatus may be greatly improved, and as a result, the manufacturing cost of the semiconductor devices may be greatly reduced.

또한, 서로 다른 두께를 갖는 다수의 심 플레이트들 중에서 필요에 따라 선택하여 사용할 수 있으므로 상기 상부 캐버티 블록의 높이를 매우 정확하게 조절할 수 있다.In addition, since the number of shim plates having different thicknesses can be selected and used as necessary, the height of the upper cavity block can be adjusted very accurately.

도 1 및 도 2는 본 고안의 일 실시예에 따른 반도체 소자 몰딩 장치를 설명하기 위한 개략적인 단면도들이다.
도 3은 도 1에 도시된 상부 캐버티 블록의 높이가 낮게 조절된 상태를 보여주는 개략적인 단면도이다.
도 4는 도 2에 도시된 Ⅳ-Ⅳ 라인을 따라 절개된 개략적인 단면도이다.
1 and 2 are schematic cross-sectional views illustrating a semiconductor device molding apparatus according to an embodiment of the present invention.
3 is a schematic cross-sectional view illustrating a state in which the height of the upper cavity block shown in FIG. 1 is adjusted to be low.
4 is a schematic cross-sectional view taken along the line IV-IV shown in FIG. 2.

이하, 본 고안은 본 고안의 실시예들을 보여주는 첨부 도면들을 참조하여 더욱 상세하게 설명된다. 그러나, 본 고안은 하기에서 설명되는 실시예들에 한정된 바와 같이 구성되어야만 하는 것은 아니며 이와 다른 여러 가지 형태로 구체화될 수 있을 것이다. 하기의 실시예들은 본 고안이 온전히 완성될 수 있도록 하기 위하여 제공된다기보다는 본 고안의 기술 분야에서 숙련된 당업자들에게 본 고안의 범위를 충분히 전달하기 위하여 제공된다.Hereinafter, the present invention will be described in more detail with reference to the accompanying drawings showing embodiments of the present invention. However, the present invention should not be construed as limited to the embodiments described below and may be embodied in various other forms. The following examples are provided to fully convey the scope of the present invention to those skilled in the art, rather than to allow the present invention to be fully completed.

하나의 요소가 다른 하나의 요소 또는 층 상에 배치되는 또는 연결되는 것으로서 설명되는 경우 상기 요소는 상기 다른 하나의 요소 상에 직접적으로 배치되거나 연결될 수도 있으며, 다른 요소들 또는 층들이 이들 사이에 게재될 수도 있다. 이와 다르게, 하나의 요소가 다른 하나의 요소 상에 직접적으로 배치되거나 연결되는 것으로서 설명되는 경우, 그들 사이에는 또 다른 요소가 있을 수 없다. 다양한 요소들, 조성들, 영역들, 층들 및/또는 부분들과 같은 다양한 항목들을 설명하기 위하여 제1, 제2, 제3 등의 용어들이 사용될 수 있으나, 상기 항목들은 이들 용어들에 의하여 한정되지는 않을 것이다.When an element is described as being placed on or connected to another element or layer, the element may be directly disposed or connected to the other element, and other elements or layers may be placed therebetween It is possible. Alternatively, if one element is described as being placed directly on or connected to another element, there can be no other element between them. The terms first, second, third, etc. may be used to describe various items such as various elements, compositions, regions, layers and / or portions, but the items are not limited by these terms .

하기에서 사용된 전문 용어는 단지 특정 실시예들을 설명하기 위한 목적으로 사용되는 것이며, 본 고안을 한정하기 위한 것은 아니다. 또한, 달리 한정되지 않는 이상, 기술 및 과학 용어들을 포함하는 모든 용어들은 본 고안의 기술 분야에서 통상적인 지식을 갖는 당업자에게 이해될 수 있는 동일한 의미를 갖는다. 통상적인 사전들에서 한정되는 것들과 같은 상기 용어들은 관련 기술과 본 고안의 설명의 문맥에서 그들의 의미와 일치하는 의미를 갖는 것으로 해석될 것이며, 명확히 한정되지 않는 한 이상적으로 또는 과도하게 외형적인 직감으로 해석되지는 않을 것이다.The terminology used below is for the purpose of describing particular embodiments only and is not intended to limit the present invention. Furthermore, all terms including technical and scientific terms have the same meaning as will be understood by one of ordinary skill in the art to which this invention belongs, unless otherwise specified. These terms, such as those defined in conventional dictionaries, shall be construed as having a meaning consistent with their meaning in the context of the description of the relevant art and the present invention, and are to be interpreted as being ideally or externally grossly intuitive It will not be interpreted.

본 고안의 실시예들은 본 고안의 이상적인 실시예들의 개략적인 도해들인 단면 도해들을 참조하여 설명된다. 이에 따라, 상기 도해들의 형상들로부터의 변화들, 예를 들면, 제조 방법들 및/또는 허용 오차들의 변화들은 예상될 수 있는 것들이다. 따라서, 본 고안의 실시예들은 도해로서 설명된 영역들의 특정 형상들에 한정된 바대로 설명되어지는 것은 아니라 형상들에서의 편차들을 포함하는 것이며, 도면들에 설명된 영역들은 전적으로 개략적인 것이며 이들의 형상들은 영역의 정확한 형상을 설명하기 위한 것이 아니며 또한 본 고안의 범위를 한정하고자 하는 것도 아니다.Embodiments of the present invention are described with reference to cross-sectional illustrations that are schematic illustrations of ideal embodiments of the present invention. Accordingly, changes from the shapes of the illustrations, such as changes in manufacturing methods and / or tolerances, are those that can be expected. Accordingly, embodiments of the present invention are not intended to be limited to the particular shapes of the areas described as illustrations, but include deviations in the shapes, and the areas described in the figures are entirely schematic and their shapes. Are not intended to describe the precise shape of the region nor are they intended to limit the scope of the present invention.

도 1 및 도 2는 본 고안의 일 실시예에 따른 반도체 소자 몰딩 장치를 설명하기 위한 개략적인 단면도들이다.1 and 2 are schematic cross-sectional views illustrating a semiconductor device molding apparatus according to an embodiment of the present invention.

도 1을 참조하면, 본 고안의 일 실시예에 따른 반도체 소자 몰딩 장치(100)는 기판(20) 상에 장착된 반도체 소자(10)를 용융 또는 액상 수지(미도시)를 이용하여 몰딩하기 위하여 사용될 수 있다. 특히, 상기 반도체 소자 몰딩 장치(100)는 상기 기판(20) 상에 장착되는 반도체 소자(10)의 종류에 따라 상기 기판(20) 상에서의 몰딩 두께 즉 반도체 패키지의 두께를 용이하게 변경할 수 있도록 구성될 수 있다.Referring to FIG. 1, the semiconductor device molding apparatus 100 according to an exemplary embodiment of the present invention may mold the semiconductor device 10 mounted on the substrate 20 using molten or liquid resin (not shown). Can be used. In particular, the semiconductor device molding apparatus 100 is configured to easily change the molding thickness on the substrate 20, that is, the thickness of the semiconductor package according to the type of the semiconductor device 10 mounted on the substrate 20. Can be.

상기 반도체 소자 몰딩 장치(10)는 상부 금형(200)과 하부 금형(300)을 포함할 수 있다. 도시되지는 않았으나, 상기 상부 금형(200)과 하부 금형(300)은 구동부(미도시)에 의해 도 2에 도시된 바와 같이 수직 방향으로 서로 결합될 수 있으며, 이에 의해 상기 상부 금형(200)과 하부 금형(300) 사이에서 상기 반도체 소자(10)를 몰딩하기 위한 캐버티(202)가 형성될 수 있다. 즉, 상기 캐버티(202) 내에 상기 반도체 소자(10)가 위치될 수 있으며 상기 캐버티(202) 내부로 용융 또는 액상 수지가 공급됨으로써 상기 반도체 소자(10)가 몰딩될 수 있다.The semiconductor device molding apparatus 10 may include an upper mold 200 and a lower mold 300. Although not shown, the upper mold 200 and the lower mold 300 may be coupled to each other in a vertical direction by a driving unit (not shown) as shown in FIG. 2, whereby the upper mold 200 and A cavity 202 may be formed between the lower molds 300 to mold the semiconductor device 10. That is, the semiconductor device 10 may be located in the cavity 202, and the semiconductor device 10 may be molded by supplying molten or liquid resin into the cavity 202.

상기 상부 금형(200)은 사각의 프레임 형태를 가지며 상기 캐버티(202)의 측면들을 제공하는 상부 체이스 블록(210)과, 상기 상부 체이스 블록(210) 내에서 수직 방향으로 이동 가능하게 배치되며 상기 캐버티(202)의 상부면을 제공하는 상부 캐버티 블록(220)을 포함할 수 있다.The upper mold 200 has a rectangular frame shape and is disposed to be movable in a vertical direction in the upper chase block 210, which provides side surfaces of the cavity 202, and in the upper chase block 210. It may include an upper cavity block 220 that provides an upper surface of the cavity 202.

상기 상부 체이스 블록(210)은 상부 프레스(230)의 하부에 장착될 수 있다. 또한, 상기 상부 금형(200)은 상기 캐버티(202)의 높이 즉 상기 반도체 소자(10)의 몰딩 두께를 조절하기 위하여 상기 상부 캐버티 블록(220)의 높이를 조절하는 높이 조절부(240)를 포함할 수 있다. 상기 높이 조절부(240)는 상기 상부 프레스(230)에 장착될 수 있으며 상기 상부 캐버티 블록(220)과 연결될 수 있다.The upper chase block 210 may be mounted below the upper press 230. In addition, the upper mold 200 is a height adjusting unit 240 for adjusting the height of the cavity 202, that is, the height of the upper cavity block 220 in order to adjust the molding thickness of the semiconductor device 10. It may include. The height adjusting part 240 may be mounted to the upper press 230 and may be connected to the upper cavity block 220.

상기 높이 조절부(240)는 소정의 경사각을 갖는 스크루 부재(242)를 따라 이동 가능하게 배치되는 너트 부재들(244)을 이용하여 상기 상부 캐버티 블록(220)의 높이를 조절할 수 있다. 구체적으로, 상기 스크루 부재(242)는 도시된 바와 같이 상부 캐버티 블록(220)의 상부에서 소정의 경사각을 갖도록 상기 상부 프레스(230)에 장착될 수 있다. 이때, 상기 스크루 부재(242)는 상기 상부 프레스(230)에 회전 가능하도록 장착될 수 있다. 도시된 바에 의하면 상기 스크루 부재(242)가 베어링들만을 통하여 상기 상부 프레스(230)에 장착되고 있으나, 상기 스크루 부재(242)의 장착 방법은 다양한 방법으로 이루어질 수 있다.The height adjusting part 240 may adjust the height of the upper cavity block 220 by using nut members 244 that are movably disposed along the screw member 242 having a predetermined inclination angle. Specifically, the screw member 242 may be mounted to the upper press 230 to have a predetermined inclination angle at the upper portion of the upper cavity block 220 as shown. In this case, the screw member 242 may be mounted to the upper press 230 to be rotatable. Although it is shown that the screw member 242 is mounted to the upper press 230 through only bearings, the mounting method of the screw member 242 may be made in various ways.

상기 너트 부재들(244)은 상기 스크루 부재(242)에 결합되어 상기 스크루 부재(242)의 회전에 의해 상기 스크루 부재(242)를 따라 이동할 수 있다. 이때, 상기 상부 캐버티 블록(220)의 상부면 상에는 수평 방향으로 이동 가능하도록 장착된 슬라이드 부재(246)가 구비될 수 있으며, 상기 너트 부재들(244)은 상기 슬라이드 부재(246)에 연결될 수 있다. 즉, 상기 너트 부재들(244)은 상기 스크루 부재(242)의 시계 또는 반시계 방향 회전에 의해 소정의 경사각으로 상방 또는 하방으로 이동될 수 있으며, 이에 의해 상기 슬라이드 부재(246)는 상기 상부 캐버티 블록(220)의 상부면 상에서 수평 방향으로 이동되며, 또한 상기 상부 캐버티 부재(220)는 수직 방향으로 이동될 수 있다.The nut members 244 may be coupled to the screw member 242 to move along the screw member 242 by the rotation of the screw member 242. In this case, a slide member 246 mounted on the upper surface of the upper cavity block 220 to be movable in a horizontal direction may be provided, and the nut members 244 may be connected to the slide member 246. have. That is, the nut members 244 may be moved upwards or downwards at a predetermined inclination angle by clockwise or counterclockwise rotation of the screw member 242, whereby the slide member 246 is moved to the upper cage. The upper cavity member 220 may be moved in a horizontal direction on the top surface of the butt block 220, and the upper cavity member 220 may be moved in a vertical direction.

도 3은 도 1에 도시된 상부 캐버티 블록의 높이가 낮게 조절된 상태를 보여주는 개략적인 단면도이며, 도 4는 도 2에 도시된 Ⅳ-Ⅳ 라인을 따라 절개된 개략적인 단면도이다.FIG. 3 is a schematic cross-sectional view showing a state in which the height of the upper cavity block shown in FIG. 1 is adjusted low, and FIG. 4 is a schematic cross-sectional view cut along the line IV-IV shown in FIG. 2.

상술한 바와 같이 상기 스크루 부재(242)의 회전에 의해 상기 너트 부재들(244)이 하방으로 이동하는 경우 도 3에 도시된 바와 같이 상부 캐버티 블록(220)이 하방으로 이동될 수 있으며, 이에 의해 상기 반도체 소자(10)의 몰딩 두께가 조절될 수 있다. 결과적으로, 도 1 및 도 3에 도시된 바와 같이 반도체 소자들(10)의 크기가 변경되는 경우 상기 상부 캐버티 블록(220)의 높이를 적절하게 조절함으로써 상기 반도체 소자들(10)의 몰딩 두께를 조절할 수 있다.As described above, when the nut members 244 move downward by the rotation of the screw member 242, the upper cavity block 220 may move downward, as shown in FIG. 3. The molding thickness of the semiconductor device 10 can be adjusted by this. As a result, as shown in FIGS. 1 and 3, when the sizes of the semiconductor devices 10 are changed, molding thicknesses of the semiconductor devices 10 may be adjusted by appropriately adjusting the height of the upper cavity block 220. Can be adjusted.

한편, 도 4에 도시된 바와 같이 상기 상부 캐버티 블록(220)의 상부면에는 상기 슬라이드 부재(246)의 수평 방향 이동을 안내하기 위한 가이드 부재(248)가 구비될 수 있다. 도시된 바에 의하면, 알파벳 "L"자 형태의 단면을 갖는 한 쌍의 가이드(248) 부재들이 상기 상부 캐버티 블록(220) 상에 설치되고 있으나, 상기 가이드 부재(248)의 구조는 다양하게 변경될 수 있다. 예를 들면, 상기 가이드 부재(248)를 대신하여 리니어 모션(Linear Motion: LM) 가이드가 사용될 수도 있다.On the other hand, as shown in Figure 4, the upper surface of the upper cavity block 220 may be provided with a guide member 248 for guiding the horizontal movement of the slide member 246. As shown, although a pair of guide 248 members having a cross section of the letter "L" is installed on the upper cavity block 220, the structure of the guide member 248 is variously changed. Can be. For example, a Linear Motion (LM) guide may be used in place of the guide member 248.

또한, 상기 높이 조절부(240)는 상기 상부 캐버티 블록(220)의 상부에서 상기 상부 프레스(230)에 수평 방향으로 장착되며 상기 캐버티 블록(220)의 높이를 제한하기 위한 심 플레이트(250)를 포함할 수 있다. 특히, 상기 심 플레이트(250)는 상기 상부 캐버티 블록(220)의 상승 높이를 제한하기 위하여 사용될 수 있다.In addition, the height adjusting unit 240 is mounted in the horizontal direction on the upper press 230 in the upper portion of the upper cavity block 220 and the shim plate 250 for limiting the height of the cavity block 220. ) May be included. In particular, the shim plate 250 may be used to limit the rising height of the upper cavity block 220.

본 고안의 일 실시예에 따르면, 상기 심 플레이트(250)는 교환 가능하도록 상기 상부 프레스(230)에 장착될 수 있다. 즉, 요구하는 몰딩 두께를 정확하게 조절하기 위하여 서로 다른 두께를 갖는 다수의 심 플레이트들 중에서 선택된 하나의 심 플레이트(250)를 상기 상부 캐버티 블록(220)의 상부에 장착하여 상기 상부 캐버티 블록(220)의 상승 높이를 제한하는 스토퍼로서 사용할 수 있다. 예를 들면, 도 1에 도시된 바와 같이 몰딩 두께를 상대적으로 두껍게 하는 경우 상대적으로 얇은 두께의 심 플레이트(250)가 사용될 수 있으며, 도 3에 도시된 바와 같이 몰딩 두께를 상대적으로 얇게 하는 경우 상대적으로 두꺼운 두께의 심 플레이트(250)가 사용될 수 있다.According to one embodiment of the present invention, the shim plate 250 may be mounted to the upper press 230 to be replaceable. That is, in order to precisely adjust the required molding thickness, one shim plate 250 selected from a plurality of shim plates having different thicknesses may be mounted on the upper cavity block 220 so that the upper cavity block ( 220 can be used as a stopper for limiting the rising height. For example, a relatively thin thickness of the shim plate 250 may be used when the molding thickness is relatively thick as shown in FIG. 1, and when the molding thickness is relatively thin as shown in FIG. 3. As a result, a thick shim plate 250 may be used.

또한, 상기 심 플레이트(250)는 상기 슬라이드 부재(246)가 통과하는 슬릿(252)을 가질 수 있다. 예를 들면, 도 4에 도시된 바와 같이 상기 슬라이드 부재(246)는 알파벳 "T"자 형태의 단면을 가질 수 있으며, 상기 심 플레이트(250)에는 상기 슬라이드 부재(246)의 수평 방향 이동이 가능하도록 중앙 부위에 일자형 슬릿(252)이 형성될 수 있다.In addition, the shim plate 250 may have a slit 252 through which the slide member 246 passes. For example, as illustrated in FIG. 4, the slide member 246 may have a cross-section of the letter “T”, and the shim plate 250 may move the slide member 246 in a horizontal direction. A straight slit 252 may be formed at the center portion thereof.

한편, 본 고안의 일 실시예에 따르면, 상기 상부 체이스 블록(210)에는 상기 캐버티(202) 내부로 상기 반도체 소자들(10)을 몰딩하기 위한 용융 또는 액상 수지를 공급하기 위한 유로(204)가 형성될 수 있다. 특히, 도시되지는 않았으나, 일 예로서 상기 유로(204)는 상기 하부 금형(300)에 장착되는 플런저(미도시)에 의해 공급되는 수지를 상기 캐버티(202) 내부로 공급하는데 사용될 수 있다.On the other hand, according to an embodiment of the present invention, the upper chase block 210 flow channel 204 for supplying a molten or liquid resin for molding the semiconductor elements 10 into the cavity 202 Can be formed. In particular, although not shown, as an example, the flow path 204 may be used to supply the resin supplied by the plunger (not shown) mounted to the lower mold 300 into the cavity 202.

상기 하부 금형(300)은 상기 반도체 소자들(10)이 장착된 기판(20)을 지지하는 하부 캐버티 블록(310)과, 상기 하부 캐버티 블록(310)을 감싸도록 배치되는 하부 체이스 블록(320)을 포함할 수 있다. 또한, 상기 하부 체이스 블록(320)은 하부 프레스(330) 상에 배치될 수 있다. 특히, 도시된 바와 같이 상기 기판(20)은 상기 하부 캐버티 블록(310) 상에 배치될 수 있으며, 이때, 상기 하부 캐버티 블록(310) 상에 위치된 기판(20)의 상부면과 상기 하부 체이스 블록(320)의 상부면은 동일한 평면에 위치되도록 상기 하부 캐버티 블록(310)의 높이가 조절될 수 있다. 즉, 상기 하부 금형(300)은 상기 기판(10)의 두께에 따라서 상기 하부 캐버티 블록(310)의 높이가 조절되도록 구성될 수 있다.The lower mold 300 may include a lower cavity block 310 supporting the substrate 20 on which the semiconductor devices 10 are mounted, and a lower chase block disposed to surround the lower cavity block 310. 320). In addition, the lower chase block 320 may be disposed on the lower press 330. In particular, as illustrated, the substrate 20 may be disposed on the lower cavity block 310, wherein the upper surface of the substrate 20 and the upper surface of the substrate 20 located on the lower cavity block 310 are formed. The height of the lower cavity block 310 may be adjusted such that the upper surface of the lower chase block 320 is located on the same plane. That is, the lower mold 300 may be configured to adjust the height of the lower cavity block 310 according to the thickness of the substrate 10.

또한, 상기 반도체 소자들(10)의 몰딩을 위하여 상기 상부 금형(200)과 하부 금형(300)이 결합되는 경우, 도 2에 도시된 바와 같이 상기 상부 체이스 블록(210)의 하부면은 상기 기판(20)의 가장자리 부위와 상기 하부 체이스 블록(320)의 상부면에 밀착될 수 있다.In addition, when the upper mold 200 and the lower mold 300 are combined to mold the semiconductor devices 10, the lower surface of the upper chase block 210 may be formed on the substrate as illustrated in FIG. 2. The edge of 20 may be in close contact with the upper surface of the lower chase block 320.

상술한 바와 같은 본 고안의 실시예들에 따르면, 기판(20) 상에 장착된 반도체 소자들(10)의 크기가 변경되는 경우 상부 캐버티 블록(220)의 높이를 조절함으로써 기판(20) 상의 몰딩 두께를 용이하게 변경할 수 있다. 즉, 종래 기술에서와 같이 상부 금형을 분해 및 재조립하는 과정을 생략할 수 있으므로 상기 몰딩 장치(100)의 가동율을 크게 향상시킬 수 있으며, 결과적으로 상기 반도체 소자들(10)의 제조 비용을 크게 절감할 수 있다.According to the embodiments of the present invention as described above, when the size of the semiconductor devices 10 mounted on the substrate 20 is changed by adjusting the height of the upper cavity block 220 on the substrate 20 Molding thickness can be easily changed. That is, since the process of disassembling and reassembling the upper mold may be omitted as in the related art, the operation rate of the molding apparatus 100 may be greatly improved, and as a result, the manufacturing cost of the semiconductor devices 10 may be greatly increased. Can be saved.

또한, 서로 다른 두께를 갖는 다수의 심 플레이트들(250) 중에서 필요에 따라 하나를 선택하여 사용할 수 있으므로 상기 상부 캐버티 블록(220)의 높이를 매우 정확하게 조절할 수 있다.In addition, since one of the plurality of shim plates 250 having different thicknesses may be selected and used as necessary, the height of the upper cavity block 220 may be adjusted very accurately.

상기에서는 본 고안의 바람직한 실시예를 참조하여 설명하였지만, 해당 기술 분야의 숙련된 당업자는 하기의 실용신안등록청구의 범위에 기재된 본 고안의 사상 및 영역으로부터 벗어나지 않는 범위 내에서 본 고안을 다양하게 수정 및 변경시킬 수 있음을 이해할 수 있을 것이다.While the present invention has been particularly shown and described with reference to exemplary embodiments thereof, it will be understood by those of ordinary skill in the art that various changes in form and details may be made therein without departing from the spirit and scope of the invention as set forth in the following claims And changes may be made without departing from the spirit and scope of the invention.

10 : 반도체 소자 20 : 기판
100 : 몰딩 장치 200 : 상부 금형
202 : 캐버티 204 : 유로
210 : 상부 체이스 블록 220 : 상부 캐버티 블록
230 : 상부 프레스 240 : 높이 조절부
242 : 스크루 부재 244 : 너트 부재
246 : 슬라이드 부재 248 : 가이드 부재
250 : 심 플레이트 252 : 슬릿
300 : 하부 금형 310 : 하부 캐버티 블록
320 : 하부 체이스 블록 330 : 하부 프레스
10 semiconductor device 20 substrate
100 molding device 200 upper mold
202: Cavity 204: Euro
210: upper chase block 220: upper cavity block
230: upper press 240: height adjustment unit
242: screw member 244: nut member
246: slide member 248: guide member
250: shim plate 252: slit
300: lower mold 310: lower cavity block
320: lower chase block 330: lower press

Claims (10)

상부 금형과 하부 금형을 포함하며, 상기 상부 금형과 하부 금형 사이에서 형성되는 캐버티를 이용하여 반도체 소자를 몰딩하기 위한 장치에 있어서,
상기 상부 금형은,
사각의 프레임 형태를 가지며 상기 캐버티의 측면들을 제공하는 상부 체이스 블록;
상기 체이스 블록 내에서 수직 방향으로 이동 가능하도록 배치되어 상기 캐버티의 상부면을 제공하는 상부 캐버티 블록; 및
상기 상부 캐버티 블록과 연결되며 상기 상부 캐버티 블록의 높이를 조절하는 높이 조절부를 포함하며,
상기 하부 금형은,
상기 반도체 소자가 장착된 기판을 지지하는 하부 캐버티 블록; 및
상기 하부 캐버티 블록을 감싸도록 배치되는 하부 체이스 블록을 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 소자를 몰딩하기 위한 장치.
An apparatus for molding a semiconductor device using a cavity formed between the upper mold and the lower mold, the upper mold and the lower mold,
The upper mold includes:
An upper chase block having a rectangular frame shape and providing side surfaces of the cavity;
An upper cavity block disposed in the chase block to be movable in a vertical direction and providing an upper surface of the cavity; And
It is connected to the upper cavity block and includes a height adjusting unit for adjusting the height of the upper cavity block,
The lower mold,
A lower cavity block supporting a substrate on which the semiconductor device is mounted; And
And a lower chase block disposed to surround the lower cavity block.
제1항에 있어서, 상기 상부 체이스 블록이 장착되는 상부 프레스를 더 포함하며, 상기 높이 조절부는 상기 상부 프레스에 장착되는 것을 특징으로 하는 반도체 소자를 몰딩하기 위한 장치.The apparatus of claim 1, further comprising an upper press on which the upper chase block is mounted, wherein the height adjusting unit is mounted on the upper press. 제2항에 있어서, 상기 높이 조절부는,
상기 상부 캐버티 블록의 상부에서 상기 상부 프레스에 소정의 경사각을 갖도록 장착된 스크루 부재:
상기 스크루 부재의 회전에 의해 상기 스크루 부재를 따라 이동 가능하도록 상기 스크루 부재에 결합된 너트 부재; 및
상기 상부 캐버티 블록의 상부면 상에서 수평 방향으로 이동 가능하도록 장착되며 상기 너트 부재와 연결된 슬라이드 부재를 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 소자를 몰딩하기 위한 장치.
The method of claim 2, wherein the height adjustment unit,
A screw member mounted to the upper press at an upper portion of the upper cavity block to have a predetermined inclination angle:
A nut member coupled to the screw member so as to be movable along the screw member by the rotation of the screw member; And
And a slide member mounted on the upper surface of the upper cavity block to be movable in a horizontal direction and connected to the nut member.
제3항에 있어서, 상기 캐버티 블록의 상부면에는 상기 슬라이드 부재의 수평 방향 이동을 안내하는 가이드 부재가 설치되는 것을 특징으로 하는 반도체 소자를 몰딩하기 위한 장치.4. The apparatus of claim 3, wherein a guide member for guiding a horizontal movement of the slide member is provided on an upper surface of the cavity block. 제3항에 있어서, 상기 높이 조절부는 상기 캐버티 블록의 상부에서 상기 상부 프레스에 수평 방향으로 장착되며 상기 캐버티 블록의 높이를 제한하기 위한 심 플레이트를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 소자를 몰딩하기 위한 장치.4. The semiconductor device of claim 3, wherein the height adjusting part further includes a shim plate mounted horizontally to the upper press at the upper portion of the cavity block and configured to limit a height of the cavity block. Device for 제5항에 있어서, 상기 심 플레이트는 상기 상부 프레스에 교환 가능하도록 장착되며 상기 캐버티 블록의 높이를 조절하기 위하여 서로 다른 두께를 갖는 다수의 심 플레이트들 중에서 선택되는 것을 특징으로 하는 반도체 소자를 몰딩하기 위한 장치.The semiconductor device of claim 5, wherein the shim plate is mounted to the upper press so as to be interchangeable and is selected from a plurality of shim plates having different thicknesses to adjust the height of the cavity block. Device for 제5항에 있어서, 상기 심 플레이트에는 상기 슬라이드 부재가 통과하는 슬릿이 형성되어 있는 것을 특징으로 하는 반도체 소자를 몰딩하기 위한 장치.6. The apparatus of claim 5, wherein the shim plate is formed with slits through which the slide member passes. 제1항에 있어서, 상기 상부 체이스 블록에는 상기 캐버티 내부로 상기 반도체 소자를 몰딩하기 위한 수지를 공급하기 위한 유로가 형성되어 있는 것을 특징으로 하는 반도체 소자를 몰딩하기 위한 장치.The apparatus of claim 1, wherein a flow path for supplying a resin for molding the semiconductor device is formed in the upper chase block. 삭제delete 제1항에 있어서, 상기 상부 체이스 블록의 하부면은 상기 반도체 소자를 몰딩하기 위하여 상기 하부 캐버티 블록에 의해 지지된 기판의 가장자리 부위와 상기 하부 체이스 블록의 상부면에 밀착되는 것을 특징으로 하는 반도체 소자를 몰딩하기 위한 장치.The semiconductor of claim 1, wherein a lower surface of the upper chase block is in close contact with an edge portion of a substrate supported by the lower cavity block and an upper surface of the lower chase block to mold the semiconductor device. Apparatus for molding the device.
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