KR200461393Y1 - 기판 처리 장치의 냉각장치 - Google Patents

기판 처리 장치의 냉각장치 Download PDF

Info

Publication number
KR200461393Y1
KR200461393Y1 KR2020100006967U KR20100006967U KR200461393Y1 KR 200461393 Y1 KR200461393 Y1 KR 200461393Y1 KR 2020100006967 U KR2020100006967 U KR 2020100006967U KR 20100006967 U KR20100006967 U KR 20100006967U KR 200461393 Y1 KR200461393 Y1 KR 200461393Y1
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
cooling
outer cylinder
deposition material
outlet
substrate processing
Prior art date
Application number
KR2020100006967U
Other languages
English (en)
Other versions
KR20120000221U (ko
Inventor
박경완
Original Assignee
주식회사 테라세미콘
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 주식회사 테라세미콘 filed Critical 주식회사 테라세미콘
Priority to KR2020100006967U priority Critical patent/KR200461393Y1/ko
Publication of KR20120000221U publication Critical patent/KR20120000221U/ko
Application granted granted Critical
Publication of KR200461393Y1 publication Critical patent/KR200461393Y1/ko

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67098—Apparatus for thermal treatment
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
    • C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
    • C23C16/4412—Details relating to the exhausts, e.g. pumps, filters, scrubbers, particle traps
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/02104—Forming layers
    • H01L21/02365—Forming inorganic semiconducting materials on a substrate
    • H01L21/02612—Formation types
    • H01L21/02617—Deposition types
    • H01L21/0262—Reduction or decomposition of gaseous compounds, e.g. CVD

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Mechanical Engineering (AREA)
  • Metallurgy (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Chemical Vapour Deposition (AREA)

Abstract

기판 처리 장치의 냉각장치가 개시된다. 본 고안의 일 실시예에 따른 기판 처리 장치의 냉각장치는 증착 물질의 유입구(102)가 일면부에 형성되고, 타면부에 유출구(103)가 형성된 외통(100); 상기 외통(100)의 상기 유출구(103)에 연결되고 증착 물질을 상기 외통(100)의 바닥부(105)로 안내하는 안내부(110); 상기 안내부(110)의 양측 공간으로 증착 물질을 분기하는 분기부(115); 및 상기 분기부(115)의 상방에 설치되어 상기 분기부(115)를 통해 유출되는 증착 물질을 순환하는 냉각수에 의해 냉각시키는 냉각부(120)를 포함하는 것을 특징으로 한다.

Description

기판 처리 장치의 냉각장치{Cold Trap For Processing A Substrate}
본 고안은 기판 처리 장치의 냉각장치에 관한 것이다. 보다 상세하게는, 진공 챔버의 진공 배기계에 구비되어 오염물질을 냉각시킴으로써 오염물질의 배출을 차단하는 기판 처리 장치의 냉각장치에 관한 것이다.
증착 장치는 태양전지 또는 액정 디스플레이를 구성하는 반도체 층을 형성하는 장치로서, LPCVD(Low Pressure Chemical Vapor Deposition) 또는 PECVD(Plasma Enhanced Chemical Vapor Deposition)와 같은 화학기상 증착 장치와 스퍼터링(sputtering)과 같은 물리기상 증착 장치가 있다.
일 예로, 화학 기상 증착 장치로는 박막 트랜지스터(thin film transistor; TFT)의 액티브 물질에 해당하는 비정질 실리콘을 유리 기판 상에 증착하는 실리콘 증착 장치가 있다.
화학 기상 증착 장치에 의한 박막의 미세구조와 성장결과는 성장계면 위에서 핵 생성 과정과 표면확산에 의해서 결정되고, 기판온도, 반응기 압력, 가스조성에 의해서 영향을 받는다.
화학 기상 증착 장치는 크게 공정공간을 제공하는 진공 챔버와 진공 챔버 내에서 열분해 온도환경을 조성하기 위한 히터장치와 박막의 재료로서 기상의 소스 가스를 공급하기 위한 증착원을 포함하는 가스공급장치로 이루어진다.
화학 기상 증착 장치는 증착을 위한 부식성, 유독성 가스가 많이 사용되기 때문에, 콜드트랩이나 스크러버 등이 포함된 가스배출장치가 부가되며, 공정의 청정도를 유지시키기 위한 이송장치를 포함한다.
증착원이 배치된 진공 챔버는 진공 배기계의 진공펌프에 의해 진공이 형성된다. 콜드트랩은 진공 챔버에 연결되는 진공 배기계에 구비된다. 따라서, 증착원의 증착 물질은 기판 측에 도달하여 기판에 증착되기도 하지만 일부는 진공펌프로 유동하여 진공펌프나 외부환경을 오염시키는 문제를 유발한다.
이에 본 고안은 상기와 같은 종래기술의 제반 문제점을 해결하기 위하여 안출된 것으로서, 진공 챔버에서 배출되는 증착 물질의 외부 유출을 저지하여 증착 물질의 배출과 진공펌프에 흡착되는 현상을 차단함으로써 외부 환경 오염을 방지하고, 진공펌프의 고장을 방지하여 진공펌프의 원활한 작동을 보장하는 기판 처리 장치의 냉각장치를 제공하는 것을 그 목적으로 한다.
상기의 목적을 달성하기 위한 본 고안에 따른 기판 처리 장치의 냉각장치는 증착 물질의 유입구(102)가 일면부에 형성되고, 타면부에 유출구(103)가 형성된 외통(100); 상기 외통(100)의 상기 유출구(103)에 연결되고 증착 물질을 상기 외통(100)의 바닥부(105)로 안내하는 안내부(110); 상기 안내부(110)의 양측 공간으로 증착 물질을 분기하는 분기부(115); 및 상기 분기부(115)의 상방에 설치되어 상기 분기부(115)를 통해 유출되는 증착 물질을 순환하는 냉각수에 의해 냉각시키는 냉각부(120)를 포함할 수 있다.
상기 안내부(110)는 상기 외통(100)의 중앙부에 설치되며, 상기 외통(100)을 양측 공간으로 분리하며, 상기 증착 물질의 이동통로(112)를 형성하는 두 개의 격벽(111)을 포함할 수 있다.
상기 분기부(115)는 상기 격벽(111)의 하단부에서 양측으로 절곡되고, 상기 외통(100)의 바닥부(105)에 대해 이격된 절곡관(116)을 포함할 수 있다.
상기 냉각부(120)는 냉각수가 유동하는 냉각 관로(122); 및 상기 냉각 관로(122)에 다층으로 연결되고, 유동하는 냉각수가 채워져 증착 물질에 대한 열 전달 면적을 넓게 형성하는 냉각 채널(125)을 포함할 수 있다.
상기 냉각 채널(125)은 원반으로 형성될 수 있다.
상기와 같이 구성된 본 고안에 따른 기판 처리 장치의 냉각장치는 분기부를 통해 상방으로 유동되는 증착 물질을 냉각부의 순환하는 냉각수에 의해 냉각시키고, 진공 챔버에서 배출되는 증착 물질의 외부 유출을 저지하여 증착 물질의 배출과 진공펌프에 흡착되는 현상을 차단함으로써 외부 환경 오염을 방지하고, 진공펌프의 고장을 방지하여 진공펌프의 원활한 작동을 보장하는 효과가 있다.
도 1은 본 고안의 일 실시예에 따른 기판 처리 장치의 냉각장치의 개략적인 단면도이다.
후술하는 본 고안에 대한 상세한 설명은, 본 고안이 실시될 수 있는 특정 실시예를 예시로서 도시하는 첨부 도면을 참조한다. 이들 실시예는 당업자가 본 고안을 실시할 수 있기에 충분하도록 상세히 설명된다. 본 고안의 다양한 실시예는 서로 다르지만 상호 배타적일 필요는 없음이 이해되어야 한다. 예를 들어, 여기에 기재되어 있는 특정 형상, 구조 및 특성은 일 실시예에 관련하여 본 고안의 정신 및 범위를 벗어나지 않으면서 다른 실시예로 구현될 수 있다. 또한, 각각의 개시된 실시예 내의 개별 구성요소의 위치 또는 배치는 본 고안의 정신 및 범위를 벗어나지 않으면서 변경될 수 있음이 이해되어야 한다. 따라서, 후술하는 상세한 설명은 한정적인 의미로서 취하려는 것이 아니며, 본 고안의 범위는, 적절하게 설명된다면, 그 청구항들이 주장하는 것과 균등한 모든 범위와 더불어 첨부된 청구항에 의해서만 한정된다. 도면에서 유사한 참조부호는 여러 측면에 걸쳐서 동일하거나 유사한 기능을 지칭하며, 길이 및 면적, 두께 등과 그 형태는 편의를 위하여 과장되어 표현될 수도 있다.
이하에서는, 본 고안이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자가 본 고안을 용이하게 실시할 수 있도록 하기 위하여, 본 고안의 바람직한 실시예들에 관하여 첨부된 도면을 참조하여 상세히 설명하기로 한다.
도 1은 본 고안의 일 실시예에 따른 기판 처리 장치의 냉각장치의 개략적인 단면도이다.
도 1을 참조하면, 본 고안의 일 실시예에 따른 기판 처리 장치의 냉각장치는 증착 물질의 유입구(102)가 일면부에 형성되고, 타면부에 유출구(103)가 형성된 외통(100)과, 상기 유출구(103)에 연결되고 증착 물질을 상기 외통(100)의 바닥부(105)로 안내하는 안내부(110)와, 상기 안내부(110)의 양측 공간으로 증착 물질을 분기하는 분기부(115)와, 상기 분기부(115)의 상방에 설치되어 상기 분기부(115)를 통해 유출되는 증착 물질을 순환하는 냉각수에 의해 냉각시키는 냉각부(120)를 포함할 수 있다.
다시, 도 1을 참조하면, 외통(100)은 실린더나 직육면체 형상으로 형성될 수 있다. 외통(100)의 유입구(102)는 상면부 중앙에 형성될 수 있고, 유출구(103)는 유입구(102)의 양측에 형성될 수 있다. 유입구(102)에 연결된 안내부(110)는 외통(100)의 중앙부에 설치되며, 외통(100)을 양측 공간으로 분리하며, 증착 물질의 이동통로(112)를 형성하는 두 개의 격벽(111)을 포함할 수 있다.
다시, 도 1을 참조하면, 두 개의 격벽(111)은 열 전달에 유리한 동이나 알루미늄과 같은 금속재질로 형성될 수 있으며, 격벽(111)에는 열 전달에 유리하도록 미세하게 돌출된 냉각핀(미도시)이 구비될 수 있다. 두 개의 격벽(111)은 외통(100)에 일체로 형성되거나 체결될 수 있다.
다시, 도 1을 참조하면, 두 개의 격벽(111) 사이에 형성된 이동통로(112)로는 증착 물질이 유동할 수 있는데, 증착 물질은 외통(100)의 바닥부(105)에서 양측으로 나누어 질 수 있다. 즉, 외통(100)의 바닥부(105)에는 분기부(115)가 구비된다. 분기부(115)는 격벽(111)의 하단부에서 양측으로 절곡되고, 외통(100)의 바닥부(105)에 대해 이격된 절곡관(116)을 포함할 수 있다. 절곡관(116)은 격벽(111)에 연결되거나 일체로 형성될 수 있다. 절곡관(116)은 외통(100)의 바닥부(105)에서 이격되어 고정됨으로써 증착 물질이 양측으로 분기될 수 있도록 한다.
다시, 도 1을 참조하면, 증착물질은 유입구(102)를 통해 유입되어 격벽(111)의 이동통로(112)를 따라 외통(100)의 바닥부(105)까지 이동한 후, 절곡관(116)의 저면부를 따라 양측으로 분기되어 상방 측으로 유동될 수 있다. 외통(100)의 내부 양측에는 증착 물질을 냉각시킬 수 있는 냉각부(120)가 구비되어 증착 물질에 대한 열 전달 면적을 넓게 제공할 수 있다.
다시, 도 1을 참조하면, 냉각부(120)는 냉각수가 유동하는 냉각 관로(122)와, 냉각 관로(122)에 다층으로 연결되고, 유동하는 냉각수가 채워져 증착 물질에 대한 열 전달 면적을 넓게 형성하는 냉각 채널(125)을 포함할 수 있다. 냉각 관로(122)는 외통(100)의 외부에서 내부로 연장된 냉각수의 유입라인(126)과 유출라인(127)을 포함할 수 있다. 냉각 채널(125)은 냉각 관로(122)를 따라 복수개가 이격되어 구비될 수 있는데, 외통(100)의 양측에서 복수의 층을 형성할 수 있다. 냉각수가 유입라인(126)을 통해 냉각 관로(122)로 유입되면 냉각 채널(125)이 차례로 채워지게 되며, 냉각 관로(122)와 냉각 채널(125)의 외면에 접촉하는 증착 물질은 원활하게 냉각될 수 있다. 냉각 채널(125)의 형상은 다양한 방식으로 제공될 수 있는데, 일 예로 냉각 채널(125)은 원반으로 형성될 수 있다. 냉각 채널(125)의 형상은 외통(100)과 격벽(111)의 내부 형상과도 연관되므로 그에 맞게 형성될 수 있다. 냉각 채널(125)의 층간이 촘촘하게 구성되어 증착 물질에 대한 냉각 효율을 높일 수 있다. 냉각 채널(125)의 외면부와 외통(100) 및 격벽(111) 사이에는 증착 물질이 유동할 수 있는 틈새가 형성된다.
다시, 도 1을 참조하면, 외통(100)의 상부 우측과 좌측에 표시된 화살표는 냉각부(120)에 대한 냉각수의 유입과 유출 방향을 표시한다. 외통(100)의 상부 중앙에 표시된 화살표와 그것의 좌우 측단에 표시된 화살표는 증착 물질의 유입과 유출을 표시한다.
외통(100)의 유출구(103)에는 외통(100)의 저면으로 증착 물질을 흡입하여 냉각부(120) 측으로 유동시키고, 기판을 처리하는 진공 챔버의 진공 배기를 위한 터보 펌프가 연결될 수 있다. 냉각수 순환은 도시되지 않은 순환 펌프에 의해 수행되며, 순환 펌프에는 냉각수를 냉각시키기 위한 외부 열 교환기가 설치될 수 있다.
본 고안은 상술한 바와 같이 바람직한 실시예를 들어 도시하고 설명하였으나, 상기 실시예에 한정되지 아니하며 본 고안의 정신을 벗어나지 않는 범위 내에서 당해 고안이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자에 의해 다양한 변형과 변경이 가능하다. 그러한 변형예 및 변경예는 본 고안과 첨부된 특허청구범위의 범위 내에 속하는 것으로 보아야 한다.
100: 외통
102: 유입구
103: 유출구
105: 바닥부
110: 안내부
111: 격벽
112: 이동통로
115: 분기부
116: 절곡관
120: 냉각부
122: 냉각 관로
125: 냉각 채널
126: 유입라인
127: 유출라인

Claims (5)

  1. 증착 물질의 유입구(102)가 일면부에 형성되고, 타면부에 유출구(103)가 형성된 외통(100);
    상기 외통(100)의 중앙부에 설치되어 상기 외통(100)을 양측 공간으로 분리함과 동시에 증착 물질의 이동통로(112)를 형성하는 두 개의 격벽(111)을 포함하고, 상기 유출구(103)에 연결되며, 증착 물질을 상기 외통(100)의 바닥부(105)로 안내하는 안내부(110);
    상기 바닥부(105)측 상기 이동통로(112)와 연통되며, 상기 안내부(110)에 의하여 구획된 상기 외통(100)의 양측 공간으로 증착 물질을 분기하는 분기부(115); 및
    상기 분기부(115)의 상방에 설치되어 상기 분기부(115)를 통해 유출되는 증착 물질을 순환하는 냉각수에 의해 냉각시키는 냉각부(120)를 포함하는 것을 특징으로 하는 기판 처리 장치의 냉각장치.
  2. 삭제
  3. 제1항에 있어서,
    상기 분기부(115)는 상기 격벽(111)의 하단부에서 양측으로 절곡되고, 상기 외통(100)의 바닥부(105)에 대해 이격된 절곡관(116)을 포함하는 것을 특징으로 하는 기판 처리 장치의 냉각장치.
  4. 제1항에 있어서,
    상기 냉각부(120)는 냉각수가 유동하는 냉각 관로(122); 및
    상기 냉각 관로(122)에 다층으로 연결되고, 유동하는 냉각수가 채워져 증착 물질에 대한 열 전달 면적을 넓게 형성하는 냉각 채널(125)을 포함하는 것을 특징으로 하는 기판 처리 장치의 냉각장치.
  5. 제4항에 있어서,
    상기 냉각 채널(125)은 원반으로 형성된 것을 특징으로 하는 기판 처리 장치의 냉각장치.
KR2020100006967U 2010-06-30 2010-06-30 기판 처리 장치의 냉각장치 KR200461393Y1 (ko)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR2020100006967U KR200461393Y1 (ko) 2010-06-30 2010-06-30 기판 처리 장치의 냉각장치

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR2020100006967U KR200461393Y1 (ko) 2010-06-30 2010-06-30 기판 처리 장치의 냉각장치

Publications (2)

Publication Number Publication Date
KR20120000221U KR20120000221U (ko) 2012-01-05
KR200461393Y1 true KR200461393Y1 (ko) 2012-07-10

Family

ID=47138349

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR2020100006967U KR200461393Y1 (ko) 2010-06-30 2010-06-30 기판 처리 장치의 냉각장치

Country Status (1)

Country Link
KR (1) KR200461393Y1 (ko)

Families Citing this family (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR102114200B1 (ko) * 2013-12-20 2020-05-22 주식회사 케이씨텍 열교환 배기장치

Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR200153935Y1 (ko) 1996-04-18 1999-08-02 윤종용 반도체 제조 공정에 사용된 폐화학 용액의 냉각 배출 장치

Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR200153935Y1 (ko) 1996-04-18 1999-08-02 윤종용 반도체 제조 공정에 사용된 폐화학 용액의 냉각 배출 장치

Also Published As

Publication number Publication date
KR20120000221U (ko) 2012-01-05

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US8741065B2 (en) Substrate processing apparatus
KR101645262B1 (ko) 가스 분산 장치
KR101684755B1 (ko) 트랩 기구, 배기계 및 성막 장치
TW201907509A (zh) 用於將液體和固體流出物收集並隨後反應成氣體流出物的設備
TWI567220B (zh) Capture device and film forming device
TW201529879A (zh) 用於改善之氟利用及整合對稱前級管線之托架底部清洗
US20130133703A1 (en) Vaporized material supply apparatus, substrate processing apparatus having same and vaporized material supply method
KR20120127463A (ko) 기판 냉각을 수반하는 이송 로봇
US20170233888A1 (en) Reactor gas panel common exhaust
KR102145652B1 (ko) 유체 핸들링 장치 및 유체 유동의 가열 또는 냉각 방법
TW202030844A (zh) 具有多級冷卻的熱交換器
KR200461393Y1 (ko) 기판 처리 장치의 냉각장치
US20110198060A1 (en) Heat Dissipation Apparatus for Data Center
KR200462868Y1 (ko) 기판 처리 장치의 냉각장치
KR200461392Y1 (ko) 기판 처리 장치의 냉각장치
KR200461396Y1 (ko) 기판 처리 장치의 냉각장치
WO2015072128A1 (ja) 配管構造、それを用いた冷却装置、および冷媒蒸気輸送方法
KR101138209B1 (ko) 냉각수단이 구비된 기판 가열장치
KR100884161B1 (ko) 냉각 수단을 구비한 진공 장치
KR101980971B1 (ko) 냉각 방식의 샤워헤드를 구비하는 기판 처리 장치
CN118066763A (zh) 一种水冷散热装置
TW202323744A (zh) 冷卻化學品櫃的方法與設備
JP2005083593A (ja) サセプタ冷却システム
JP5570550B2 (ja) クライオポンプ
KR20090014686A (ko) 냉각 장치

Legal Events

Date Code Title Description
A201 Request for examination
E902 Notification of reason for refusal
E701 Decision to grant or registration of patent right
REGI Registration of establishment
FPAY Annual fee payment

Payment date: 20150706

Year of fee payment: 4

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20160705

Year of fee payment: 5

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20170704

Year of fee payment: 6

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20180704

Year of fee payment: 7

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20190128

Year of fee payment: 8