KR20040104085A - 파장 필터 제조 방법 - Google Patents

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KR20040104085A
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Abstract

본 발명은 다중 파장 분할(Wavelength Division Multiplexing : WDM) 광통신 시스템에 사용되는 파장 필터 제조 방법에 관한 것이다.
본 발명은 파장 필터를 제조하는 데 있어서, 몰드를 제작하고 제작된 몰드를 이용하여 도파로 및 격자를 한번에 찍어 간단하게 형성할 수 있도록 한다.
따라서, 금속 몰드 또는 투명한 고분자 몰드를 제작하고, 상기 몰드를 이용하여 고분자에 한번에 찍어 도파로 및 격자를 형성함으로써 하부 클래드 층, 코어 층 상부 클래드 층을 포함하여 이루어지는 파장 필터를 제작할 수 있으며, 본 발명에 따르면 제작 비용을 절감하고 대량 생산할 수 있다.

Description

파장 필터 제조 방법{a method of making a wavelength filter}
본 발명은 다중 파장 분할(Wavelength Division Multiplexing : WDM) 광통신시스템에 사용되는 파장 필터 제조 방법에 관한 것이다.
최근 급증하는 음성, 데이터, 영상 등의 다양한 형태의 정보를 통합하여 고속으로 전송하고 이를 처리할 수 있는 초고속 광대역 종합 통신망을 구축하기 위한 광통신 시스템에 대한 연구가 세계적으로 활발히 추진되고 있다.
특히, 파장 분할 다중화(Wavelengh Division Multiplexing) 방식의 광통신 시스템은 파장이 다른 여러개의 광원에 각기 다른 정보를 입력한 후 이를 다중화하여 하나의 광섬유를 통하여 전송하고, 수신단에서는 이 다중화된 신호를 역다중화(Demultiplexing)하여 분리한 후 각 파장별로 광신호를 수신함으로써 처리할 수 있는 정보의 대역폭을 크게 늘릴 수 있는 데 특징이 있다.
따라서, 파장 분할 다중화 기법은 초고속 광통신망을 구성하기 위한 핵심적인 기술로 알려져 있다.
이러한 파장 분할 다중화 광통신 시스템에서 사용되는 핵심적인 부품의 하나가 원하는 신호를 전송하는 특정한 파장의 빛을 선택할 수 있는 파장 필터(Wavelength Filter)이다.
종래의 파장 필터는 광 민감성 광 섬유에 위상 마스크(Phase Mask)를 통해 자외선을 조사하여 형성되는 광섬유 브래그 격자(Fiber Bragg Grating : FBG)를 이용하고 있다.
또한, 광 섬유는 광섬유 브래그 격자에 열 또는 스트레스를 가하여, 파장을 선택할 수 있는 가변 파장 필터(Tunable Wavelength Filter)로도 사용되고 있다.
그러나, 광섬유 브래그 격자는 우수한 특성에도 불구하고, 광 섬유의 특성상그 크기를 줄이기가 어렵고, 다른 광 통신 소자와의 집적이 용이하지 않다.
따라서, 평면 도파로형 파장 필터를 개발하고자 하는 노력이 진행되고 있다.
상기 평면 도파로형 소자는 반도체 제조 공정을 사용하여 생산성이 우수하고 크기가 작으며 다수의 소자가 집적시켜 제조하는 데 유리하다.
상기와 같이 상용화된 평면 도파로형 소자로는 AWG(Arrayed Waveguide Grating), 전력 분배기(power splitter), 가변형 광 감쇄기(Variable Optical Attenuator), 광 스위치(Optical Switch) 등이 있다.
이와 같이, 파장 분할 다중방식의 광통신 시스템에서는 한 채널 당 여러 개의 다른 파장의 빛을 종합하여 전송하거나, 분리 처리할 수 있을 뿐만 아니라, 주기적으로 채널 간 광 스위칭을 수행할 수 있어, 초고속 광통신 시스템에 활용할 경우 테라급 (Tbps)의 정보 처리 능력을 가질 수 있다.
이러한 광 소자의 주된 요구사항은 광 손실이 적어야 하는 것이며, 이러한 광 소자의 재료로서 실리카가 대부분 사용되고 있다.
상기 실리카의 광손실은 0.01 dB/cm정도로 매우 작지만 광 도파로를 제작하려면 1000℃ 이상의 고온의 공정을 거치게 되므로 광소자의 제작에 장애요소가 된다.
반면, 최근에는 광통신 파장 대역에서의 진행 손실이 작은 폴리머 재료의 개발과 함께 폴리머 재료의 우수한 열 광학 특성을 이용한 소자들이 등장하고 있다.
이러한 폴리머를 광소자 재료로 이용할 경우 경제성 및 다른 수동 광소자와의 집적이 가능하여 최근 들어 많은 관심이 되고 있다.
상기 폴리머 기반의 광 통신 소자는 온도 증가에 따른 굴절률의 변화가 실리카에 비하여 10배 이상 크기 때문에, 저전력 소모의 열 광학 소자 및 열 광학 소자 어레이(array)의 제작에 있어서 유리하다.
특히, 다양한 열 광학 소자 중에서 어레이 형태의 가변형 광 감쇄기 및 가변 파장 필터가 폴리머 재료의 특성으로 인해 경쟁력을 가질 것으로 기대되고 있다.
도 1은 일반적인 평면 도파로형 파장 필터를 개략적으로 보여주는 도면이다.
상기 평면 도파로형 파장 필터는 도파로 상에 격자를 형성하여 도파로 길이 방향으로 굴절률이 주기적으로 변하게 함으로써 제작할 수 있다.
상기 평면 도파로형 파장 필터에 λ1, λ2, λ3, ....λN의 N개의 파장의 빛이 파장 필터로 입사하게 되면 다음의 조건을 만족하는 파장의 빛은 반사되고 나머지 파장의 빛은 파장 필터를 통과하게 된다.
상기와 같은 파장 필터를 제작하기 위해서는 격자를 형성해야 하는데, 일반적으로 상기 격자는 위상 마스크를 통해 자외선의 간섭 패턴을 광 민감성 고분자 재료에 전사함으로써 굴절률 변화가 주기적으로 일어나게 하여 형성한다.
그러나, 상기와 같이 위상 마스크를 이용한 전사 방법은 매우 정밀한 마스크 정렬이 요구될 뿐만 아니라, 고분자 재료의 선택에 제한을 주게 된다.
한편, 상기 파장 필터를 제작하기 위한 다른 방법은 레이저 빔에 민감한 고분자 재료를 사용하여 도파로와 함께 직접 격자를 그리는 레이저 직접 전사법이다.
상기 레이저 직접 전사법은 높은 해상도를 갖는 미세한 패턴을 빠른 속도로 형성시킬 수 있는 방법이다.
물질에 조사되는 레이저 빔은 매우 짧은 시간에 국부적인 온도 상승을 일으켜 물질의 표면에 간섭성 또는 비간섭성 구조를 형성시킨다.
상기 간섭성 구조의 주기성은 사용되는 레이저 변수와 물질 자체의 변수들에 의해 좌우되게 된다.
상기 레이저 빔의 변수로는 스팟 사이즈(spot size), 레이저의 파장 등이 있으며, 그리고 기판의 물질의 변수로서는 입사 빛에 대한 흡수도, 반사도, 열 확산율, 열 전도율 등을 들 수 있다.
상기 레이저 직접 전사법은 광학계의 구성이 간단하고 짧은 시간에 대면적에 걸쳐 폴리머 박막 패터닝에 사용될 수 있으나, 레이저 빔에 민감한 동시에 광통신 파장 대역에서 손실이 적은 고분자를 사용하여야 하고, 클래딩 재료의 선택에 어려움이 있다.
또한, 레이저 빔을 이용하여 직접 격자를 그리는 방식은 생산성이 낮기 때문에 파장 필터의 대량 생산에 부적합하다.산업적 응용을 위한 저가의 대량 생산에는 부적합하다.
본 발명은 다중 파장 분할(WDM) 광통신 시스템에 사용되는 파장 필터를 제조하는 데 있어서, 몰드를 제작하고 제작된 몰드를 이용하여 도파로 및 격자를 한번에 찍어 간단하게 형성할 수 있는 파장 필터 제조 방법을 제공하는 데 목적이 있다.
도 1은 일반적인 평면 도파로형 파장 필터를 개략적으로 보여주는 도면.
도 2는 본 발명에 따른 파장 필터를 제조하기 위한 몰드를 제작하는 과정을 개략적으로 보여주는 도면.
도 3은 본 발명에 따른 파장 필터를 제조하기 위한 몰드를 제작하는 과정을 개략적으로 보여주는 도면.
도 4는 본 발명에 따른 파장 필터 제작 방법을 보여주는 도면.
<도면의 주요부분에 대한 부호 설명>
100, 200 : 기판 110 : 고분자 레지스트
120 : 금속 몰드 130 : 고분자 몰드
210 : 하부 클래드 층 220 : 코아 층
230 : 몰드 240 : 상부 클래드 층
250 : 금속 전극
상기한 목적을 달성하기 위하여 본 발명에 따른 파장 필터 제조 방법은, 기판 상에 고분자로 이루어진 하부 클래드 층 및 코어 층을 형성하는 단계와; 상기 코어 층 상에 몰드를 눌러 패턴을 전사하는 단계와; 상기 고분자를 경화하는 단계와; 상기 몰드를 코어 층으로부터 분리하는 단계와; 상기 코어 층 상에 상부 클래드 층을 형성하는 단계와; 상기 상부 클래드 층 상에 전극을 형성하는 단계;를 포함하여 이루어지는 것을 특징으로 한다.
상기 몰드를 제작하는 데 있어서, 기판 상에 고분자 층을 형성하는 단계와;
상기 고분자 층을 패터닝하는 단계와; 상기 패터닝된 고분자 층 상에 금속을 도금하는 단계와; 상기 금속을 고분자 층으로부터 분리하는 단계;를 포함하여 이루어지는 것을 특징으로 한다.
상기 몰드를 제작하는 데 있어서, 기판 상에 고분자 층을 형성하는 단계와;
상기 고분자 층을 패터닝하는 단계와; 상기 패터닝된 고분자 층 상에 투명한 고분자 재료를 도포하는 단계와; 상기 투명한 고분자 재료를 경화시켜 고분자 층으로부터 분리하는 단계;를 포함하여 이루어지는 것을 특징으로 한다.
상기 고분자 층 상에 금속을 도금하는 방법은 전주 도금(electroforming) 방법을 이용하는 것을 특징으로 한다.
상기 금속은 니켈(Ni)인 것을 특징으로 한다.
상기 투명한 고분자 재료는 PDMS(Polydimethylsiloxane)인 것을 특징으로 한다.
상기 고분자 층을 패터닝하는 단계에 있어서, 리소그래피(lithography) 방법을 이용하는 것을 특징으로 한다.
상기 고분자를 경화하는 단계에 있어서, 기판 상에 열을 가하여 경화하는 것을 특징으로 한다.
상기 고분자를 경화하는 단계에 있어서, 기판 상에 자외선을 조사하여 경화하는 것을 특징으로 한다.
상기 몰드의 패턴과 코어 층의 패턴은 요철의 음양이 서로 반대인 것을 특징으로 한다.
상기 하부 클래드 층과 상부 클래드 층은 굴절률이 같은 재료를 사용하는 것을 특징으로 한다.
이하, 첨부한 도면을 참조로 하여 본 발명의 구체적인 실시예에 대해서 상세히 설명한다.
도 2는 본 발명에 따른 파장 필터를 제조하기 위한 몰드를 제작하는 과정을 개략적으로 보여주는 도면이다.
상기 금속 몰드의 패턴은 얻고자 하는 고분자 미세 패턴의 요철과 반대로 형성하며, 상기 몰드의 재질은 니켈(Ni)과 같이 재질의 강도가 높은 것으로 한다.
도 2a에 나타낸 바와 같이, 실리콘과 같은 기판(100)에 고분자층(110)을 스프레이법, 스핀 코팅(spin coating)법 등의 방법에 의해 형성한다.
이 때, 상기 고분자층(110)은 수 ㎛의 두께로 증착한다.
또한, 상기 고분자층(110)은 전자빔에 민감한 재료를 사용하며, PMMA (polymethylmethacrylate) 등이 있다.
여기서, 상기 고분자는 전자빔에 민감하여 조사되는 부위에 다중화가 진행되며, 이와 같은 성질을 이용하여 전자빔 조사 및 현상을 통해 원하는 패턴 형성이 가능하다.
상기 고분자의 종류가 양성(positive) 감광제일 경우에 전자 빔에 조사된 부분이 현상 용액에 녹고, 음성(negative) 감광제일 경우에 전자 빔에 조사되지 않은 부분이 현상 용액에 녹게 된다.
따라서, 상기한 바와 같이, 기판(100) 상에 고분자층(110)을 형성한 후, 도 2b에 나타낸 바와 같이, 전자빔을 고분자층(110)에 조사하여 도파로와 격자를 그린다.
이 후, 도 2c에 도시된 바와 같이, 현상 용액에 담가 원하는 패턴대로 현상될 수 있도록 한다.
이때, 음성 감광제를 사용하였으므로, 도시된 바와 같이 전자빔이 조사되지 않은 부분이 현상된다.
여기서, 도파로의 폭과 높이는 단일 모드 조건을 만족하도록 수 ㎛ 정도일 수도 있고, 다중 모드 소자로 사용할 경우는 수십 ㎛ 가 된다.
그리고, 격자 주기는 사용되는 파장에 따라 다르며, 1550 nm파장 대역에서는 400~600 nm 범위가 되며, 격자의 깊이는 최종 제작될 소자의 고분자 굴절률에 따라 결정된다.
통상, 상기와 같이 소정의 패턴을 포함하고 있는 고분자층(110)을 마스터(master)라고 부른다.
도 2d를 참조하면, 상기 마스터 상에 전주도금(electroforming) 방법을 이용하여 금속 몰드(120)를 제작한다.
여기서, 상기 전주도금 방법이란 전기적 성질을 이용해 대상 표면에 얇은 금속 막을 입히는 기술을 말한다.
상기 금속 재료로는 니켈(Ni)이 많이 사용된다.
그리고, 상기와 같이 전주도금 방법을 이용하면 패터닝되어 있는 마스터의 표면에 얇은 박막의 금속막이 형성되므로, 패턴이 형성된 금속 몰드(120)의 반대면을 평탄하게 하는 작업을 수행한다.
최종적으로, 도 2e에 도시된 바와 같이, 상기 마스터에서 금속 몰드(120)를 분리한다.
상기와 같이 제작된 금속 몰드(120)의 패턴은 마스터(고분자층)에 형성된 패턴과 음양이 반대로 된다.
상기 금속 몰드(120)는 열 경화 방식을 이용한 파장 필터의 제작에 사용된다.
도 3은 본 발명에 따른 파장 필터를 제조하기 위한 몰드를 제작하는 과정을 개략적으로 보여주는 도면이다.
도 3의 실시예에 따른 몰드는 자외선 경화 방식을 이용한 파장 필터의 제작에 사용된다.
도 3a에 나타낸 바와 같이, 실리콘과 같은 기판(100)에 고분자층(110)을 스프레이법, 스핀 코팅(spin coating)법 등의 방법에 의해 형성한다.
이 때, 상기 고분자층(110)은 수 ㎛의 두께로 증착한다.
또한, 상기 고분자층(110)은 전자빔에 민감한 재료를 사용하며, PMMA (polymethylmethacrylate) 등이 있다.
여기서, 상기 고분자는 전자빔에 민감하여 조사되는 부위에 다중화가 진행되며, 이와 같은 성질을 이용하여 전자빔 조사 및 현상을 통해 원하는 패턴 형성이 가능하다.
상기 고분자의 종류가 양성(positive) 감광제일 경우에 전자 빔에 조사된 부분이 현상 용액에 녹고, 음성(negative) 감광제일 경우에 전자 빔에 조사되지 않은 부분이 현상 용액에 녹게 된다.
따라서, 상기한 바와 같이, 기판(100) 상에 고분자층(110)을 형성한 후, 도 2b에 나타낸 바와 같이, 전자빔을 고분자층(110)에 조사하여 도파로와 격자를 그린다.
이 후, 도 3c에 도시된 바와 같이, 현상 용액에 담가 원하는 패턴대로 현상될 수 있도록 한다.
여기서, 도파로의 폭과 높이는 단일 모드 조건을 만족하도록 수 ㎛ 정도일 수도 있고, 다중 모드 소자로 사용할 경우는 수십 ㎛ 가 된다.
그리고, 격자 주기는 사용되는 파장에 따라 다르며, 1550 nm파장 대역에서는 400~600 nm 범위가 되며, 격자의 깊이는 최종 제작될 소자의 고분자 굴절률에 따라결정된다.
통상, 상기와 같이 소정의 패턴을 포함하고 있는 고분자층(110)을 마스터(master)라고 부른다.
도 3d에서와 같이, 상기 마스터 상에 고분자 몰드(130)를 형성하기 위하여 자외선에 투명한 고분자막 재료를 붓거나, 스핀 코팅한다.
상기 투명한 고분자 재료로는 PDMS(polydimethylsiloxane) 등을 사용할 수 있다.
이어서, 도 3e에 도시한 바와 같이, 상기 마스터 상에 도포되어 경화된 고형상의 고분자막을 분리하여 원하는 패턴을 가지는 고분자 몰드(130)를 얻는다.
상기와 같이 제작된 금속 몰드(120) 또는 고분자 몰드(130)를 이용해서 파장 필터를 제작하게 된다.
도 4는 본 발명에 따른 파장 필터 제작 방법을 보여주는 도면이다.
우선, 도 4a에 도시한 바와 같이, 실리콘과 같은 기판(200) 상에 고분자를 두 층(2 layer, 210, 220) 스핀 코팅하여, 하부 클래드 층(210)과 코어 층(220)을 형성한다.
여기서, 상기 하부 클래드(210) 층의 굴절률은 코어 층(220)보다 작아서, 빛이 코어 층(220)을 통하여 전송될 수 있어야 한다.
이어서, 도 4b에 도시한 바와 같이, 기 제작된 몰드(230)로 상기 코어 층(220)에 압력을 가하여 눌러 몰드의 패턴이 코어 층(220)에 전사될 수 있도록 한다.
여기서, 상기 고분자가 열 경화 재료일 경우에는 금속 몰드를 사용하며, 자외선 경화 재료일 경우는 투명한 고분자 몰드를 사용한다.
따라서, 상기 몰드(230) 상에 열을 가하거나 자외선을 조사하여 상기 고분자를 경화시킨다.
이후, 도 4c와 같이 상기 몰드(230)를 코어 층(220)으로부터 분리한다.
그러면, 상기 코어 층(220)에는 몰드(230)의 패턴이 전사되어 상기 몰드(230)와 음양이 반대인 패턴이 형성된다.
그리고, 도 4d에 나타낸 바와 같이, 상기 코어 층(220) 상에 상부 클래드 층(240)을 스핀 코팅한다.
상기 상부 클래드 층(240)은 하부 클래드 층(210)과 같은 굴절률을 가지는 고분자를 사용한다.
상기와 같이 제작된 파장 필터는 격자의 주기 및 깊이, 사용된 고분자의 굴절률에 의해 정의되는 특정한 파장의 빛을 반사하게 된다
상기 반사되는 빛의 파장을 변화시킬 수 있는 가변 파장 필터는 격자 위쪽의 상부 클래드 층(240) 위에 금과 같은 금속 전극(250)을 형성하여 제작한다(도 4e 참조).
도 4e에 도시한 바와 같은 가변 파장 필터는 금속 전극(250)에 전류를 흘려 열을 발생시킴으로써 구동된다.
최종적으로, 이러한 공정에 의해 제작된 칩(chip)은 광섬유를 입출력 도파로에 연결하고 칩을 보호하는 하우징(housing) 작업 등의 패키징을 거쳐 제품으로 완성된다.
이상 본 발명을 구체적인 실시예를 통하여 상세히 설명하였으나, 이는 본 발명을 구체적으로 설명하기 위한 것으로, 본 발명에 따른 파장 필터 제조 방법은 이에 한정되지 않으며, 본 발명의 기술적 사상 내에서 당 분야의 통상의 지식을 가진 자에 의해 그 변형이나 개량이 가능함이 명백하다.
본 발명은 파장 필터를 제작하는 데 있어서, 먼저 몰드를 제작하고, 상기 몰드를 이용하여 고분자에 한번에 찍어 도파로 및 격자를 형성할 수 있으므로 제작 비용을 절감하고 대량 생산할 수 있는 효과가 있다.

Claims (11)

  1. 기판 상에 고분자로 이루어진 하부 클래드 층 및 코어 층을 형성하는 단계와;
    상기 코어 층 상에 몰드를 눌러 패턴을 전사하는 단계와;
    상기 고분자를 경화하는 단계와;
    상기 몰드를 코어 층으로부터 분리하는 단계와;
    상기 코어 층 상에 상부 클래드 층을 형성하는 단계와;
    상기 상부 클래드 층 상에 전극을 형성하는 단계;를 포함하여 이루어지는 것을 특징으로 하는 파장 필터 제조 방법.
  2. 제 1항에 있어서,
    상기 몰드를 제작하는 데 있어서,
    기판 상에 고분자 층을 형성하는 단계와;
    상기 고분자 층을 패터닝하는 단계와;
    상기 패터닝된 고분자 층 상에 금속을 도금하는 단계와;
    상기 금속을 고분자 층으로부터 분리하는 단계;를 포함하여 이루어지는 것을 특징으로 하는 파장 필터 제조 방법.
  3. 제 1항에 있어서,
    상기 몰드를 제작하는 데 있어서,
    기판 상에 고분자 층을 형성하는 단계와;
    상기 고분자 층을 패터닝하는 단계와;
    상기 패터닝된 고분자 층 상에 투명한 고분자 재료를 도포하는 단계와;
    상기 투명한 고분자 재료를 경화시켜 고분자 층으로부터 분리하는 단계;를 포함하여 이루어지는 것을 특징으로 하는 파장 필터 제조 방법.
  4. 제 2항에 있어서,
    상기 고분자 층 상에 금속을 도금하는 방법은 전주 도금(electroforming) 방법을 이용하는 것을 특징으로 하는 파장 필터 제조 방법.
  5. 제 2항에 있어서,
    상기 금속은 니켈(Ni)인 것을 특징으로 하는 파장 필터 제조 방법.
  6. 제 3항에 있어서,
    상기 투명한 고분자 재료는 PDMS(Polydimethylsiloxane)인 것을 특징으로 하는 파장 필터 제조 방법.
  7. 제 2항 및 3항에 있어서,
    상기 고분자 층을 패터닝하는 단계에 있어서, 리소그래피(lithography) 방법을 이용하는 것을 특징으로 하는 파장 필터 제조 방법.
  8. 제 1항에 있어서,
    상기 고분자를 경화하는 단계에 있어서, 기판 상에 열을 가하여 경화하는 것을 특징으로 하는 파장 필터 제조 방법.
  9. 제 1항에 있어서,
    상기 고분자를 경화하는 단계에 있어서, 기판 상에 자외선을 조사하여 경화하는 것을 특징으로 하는 파장 필터 제조 방법.
  10. 제 1항에 있어서,
    상기 몰드의 패턴과 코어 층의 패턴은 요철의 음양이 서로 반대인 것을 특징으로 하는 파장 필터 제조 방법.
  11. 제 1항에 있어서,
    상기 하부 클래드 층과 상부 클래드 층은 굴절률이 같은 재료를 사용하는 것을 특징으로 하는 파장 필터 제조 방법.
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Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100732005B1 (ko) * 2005-11-02 2007-06-27 한국기계연구원 열광학 현상을 이용한 실리콘 파브리-페로 파장가변 필터및 그 제조방법
KR100935866B1 (ko) * 2007-10-26 2010-01-07 한국전자통신연구원 에폭시 수지를 이용한 광 도파로 및 그 제조방법
KR101322133B1 (ko) * 2006-11-24 2013-10-25 엘지디스플레이 주식회사 임프린트 리소그래피용 스탬프 및 이를 이용한 임프린트리소그래피 방법

Families Citing this family (13)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP3662850B2 (ja) 1998-06-24 2005-06-22 イルミナ インコーポレイテッド 微小球を有するアレイセンサーのデコード
CA2471963C (en) * 2002-09-20 2012-07-10 Toppan Printing Co., Ltd. Optical waveguide and method of manufacturing the same
KR100668611B1 (ko) * 2004-10-04 2007-01-16 엘지전자 주식회사 파장필터 하부 클래딩층의 패턴 제작을 위한 몰드 및도파로형 파장필터의 제작방법
CN100365828C (zh) * 2005-06-09 2008-01-30 西安交通大学 聚合物太阳能电池的深亚微米三维异质结界面及制备方法
CN101477305B (zh) * 2008-01-03 2012-10-10 鸿富锦精密工业（深圳）有限公司 用于压印制程的模仁制造方法
TWI411875B (zh) * 2008-01-04 2013-10-11 Hon Hai Prec Ind Co Ltd 用於壓印製程之模仁製造方法
KR101091533B1 (ko) 2008-01-29 2011-12-13 주식회사 엘지화학 시야각 제한 필름의 제조 방법
CN102368098B (zh) * 2011-10-27 2013-01-16 无锡英普林纳米科技有限公司 周期可调制的亚微米衍射光栅及其制备方法
CN103217739B (zh) * 2013-04-22 2015-07-22 上海理工大学 一种复合周期的三通道太赫兹金属光栅波导
US10440853B2 (en) * 2016-07-20 2019-10-08 Ford Global Technologies, Llc System for moving and/or rotating monitor
US10571699B1 (en) * 2017-06-14 2020-02-25 Facebook Technologies, Llc Multi-layered substrates for waveguide displays
CN113534341B (zh) * 2020-04-21 2022-10-18 河南仕佳光子科技股份有限公司 基于飞秒激光直写的可调谐波导光栅滤波器及其制造方法
CN112904482B (zh) * 2021-03-23 2023-03-10 江西欧迈斯微电子有限公司 波导光栅元件及其制造方法和显示设备

Family Cites Families (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH07270732A (ja) * 1994-03-30 1995-10-20 Sony Corp 光導波路型波長選択装置
JP3738469B2 (ja) * 1995-07-27 2006-01-25 日立化成工業株式会社 ポリイミド及びこれを用いた光部品
US6144795A (en) 1996-12-13 2000-11-07 Corning Incorporated Hybrid organic-inorganic planar optical waveguide device
US6680214B1 (en) * 1998-06-08 2004-01-20 Borealis Technical Limited Artificial band gap
JP2001133650A (ja) 1999-11-09 2001-05-18 Matsushita Electric Ind Co Ltd 光導波路基板、光導波路基板の製造方法、光導波路部品、及び光導波路部品の製造方法
US6875379B2 (en) * 2000-12-29 2005-04-05 Amkor Technology, Inc. Tool and method for forming an integrated optical circuit
JP2003172841A (ja) * 2001-09-28 2003-06-20 Omron Corp 光導波路及びその製造方法
US6887792B2 (en) * 2002-09-17 2005-05-03 Hewlett-Packard Development Company, L.P. Embossed mask lithography

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100732005B1 (ko) * 2005-11-02 2007-06-27 한국기계연구원 열광학 현상을 이용한 실리콘 파브리-페로 파장가변 필터및 그 제조방법
KR101322133B1 (ko) * 2006-11-24 2013-10-25 엘지디스플레이 주식회사 임프린트 리소그래피용 스탬프 및 이를 이용한 임프린트리소그래피 방법
KR100935866B1 (ko) * 2007-10-26 2010-01-07 한국전자통신연구원 에폭시 수지를 이용한 광 도파로 및 그 제조방법

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