KR20040102307A - 결함 검출 장치 및 방법 - Google Patents

결함 검출 장치 및 방법 Download PDF

Info

Publication number
KR20040102307A
KR20040102307A KR1020030033856A KR20030033856A KR20040102307A KR 20040102307 A KR20040102307 A KR 20040102307A KR 1020030033856 A KR1020030033856 A KR 1020030033856A KR 20030033856 A KR20030033856 A KR 20030033856A KR 20040102307 A KR20040102307 A KR 20040102307A
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
defect
laser beam
light
measured
beams
Prior art date
Application number
KR1020030033856A
Other languages
English (en)
Inventor
엄태민
최선용
전충삼
양유신
김정수
Original Assignee
삼성전자주식회사
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 삼성전자주식회사 filed Critical 삼성전자주식회사
Priority to KR1020030033856A priority Critical patent/KR20040102307A/ko
Publication of KR20040102307A publication Critical patent/KR20040102307A/ko

Links

Classifications

    • G—PHYSICS
    • G01—MEASURING; TESTING
    • G01N—INVESTIGATING OR ANALYSING MATERIALS BY DETERMINING THEIR CHEMICAL OR PHYSICAL PROPERTIES
    • G01N21/00—Investigating or analysing materials by the use of optical means, i.e. using sub-millimetre waves, infrared, visible or ultraviolet light
    • G01N21/84—Systems specially adapted for particular applications
    • G01N21/88—Investigating the presence of flaws or contamination
    • G01N21/8806—Specially adapted optical and illumination features
    • G—PHYSICS
    • G01—MEASURING; TESTING
    • G01N—INVESTIGATING OR ANALYSING MATERIALS BY DETERMINING THEIR CHEMICAL OR PHYSICAL PROPERTIES
    • G01N21/00—Investigating or analysing materials by the use of optical means, i.e. using sub-millimetre waves, infrared, visible or ultraviolet light
    • G01N21/84—Systems specially adapted for particular applications
    • G01N21/88—Investigating the presence of flaws or contamination
    • G01N21/95—Investigating the presence of flaws or contamination characterised by the material or shape of the object to be examined
    • G01N21/9501—Semiconductor wafers

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Health & Medical Sciences (AREA)
  • Life Sciences & Earth Sciences (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Analytical Chemistry (AREA)
  • Biochemistry (AREA)
  • General Health & Medical Sciences (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Immunology (AREA)
  • Pathology (AREA)
  • Investigating Materials By The Use Of Optical Means Adapted For Particular Applications (AREA)

Abstract

반도체 웨이퍼 상에 존재하는 결함을 정확하게 검출할 수 있는 결함 검출 장치에 관한 발명을 개시한다. 레이저 광원부는 주기적인 신호를 이용하여 피 측정 물체에 대하여 하나의 입사각을 가지는 레이저 광선을 발생시키고, 광 변환부는 상기 발생된 레이저 광선을 상기 피 측정 물체에 대하여 다양한 입사각을 가지는 복수의 레이저 광선들로 변환시켜서 상기 피 측정 물체에 입사시키며, 검출부는 상기 피 측정 물체로부터 반사된 복수의 반사광들을 수광하고 상기 수광된 복수의 반사광들을 이용하여 상기 피 측정 물체의 결함을 검출할 수 있다. 광 변환부가 다양한 입사각을 가지는 복수의 레이저 광선들을 발생시켜서 상기 웨이퍼에 입사시키므로, 상기 웨이퍼 상의 패턴들 사이의 하부 결함이 정확하게 검출될 수 있다.

Description

결함 검출 장치 및 방법{AN APPARATUS FOR DETECTING A DEFECT, AND METHOD USING THE SAME}
본 발명은 반도체 웨이퍼의 결함을 검출할 수 있는 결함 검출 장치 및 방법에 관한 것으로, 더욱 상세하게는 상기 웨이퍼 상의 패턴들 사이의 하부 결함을 검출할 수 있는 결함 검출 장치 및 방법에 관한 것이다.
반도체 웨이퍼 상에 결함이 존재하면, 반도체는 불량을 일으킬 가능성이 높다. 그러므로, 반도체 공정은 상기 결함의 존재를 검출하여 상기 결함을 제거할 필요가 있다. 요컨대, 반도체 공정은 상기 반도체 웨이퍼의 결함을 검출하기 위한 결함 검출 장치가 필요하다.
도 6은 종래 기술의 결함 검출 장치를 도시한 도면이다.
도 6을 참조하면, 반도체 웨이퍼 상에 존재하는 결함을 검출하기 위하여, 종래의 결함 검출 장치는 상기 웨이퍼에 대하여 하나의 입사각을 가지는 하나의 레이저 광선을 상기 웨이퍼에 입사시켰다. 그러나, 이와 같은 방식은 상기 웨이퍼의 패턴들 사이의 상부에 위치하는 결함은 검출할 수 있었지만, 상기 웨이퍼의 패턴들 사이의 하부에 위치하고 있는 하부 결함을 검출하는데는 한계가 있었다. 그러므로, 종래의 기술에 의한 결함 검출 장치는 정확한 결함 검출을 수행할 수 없었다. 그래서, 상기 웨이퍼 상의 패턴들 사이의 하부 결함을 검출할 수 있는 결함 검출 장치가 요구되고 있다.
본 발명은 상기한 바와 같은 종래 기술의 문제점을 해결하기 위한 것으로서, 반도체 웨이퍼 상에 존재하는 결함을 정확하게 검출할 수 있는 결함 검출 장치 및 방법을 제안하는 것을 목적으로 한다.
본 발명의 다른 목적은, 반도체 웨이퍼 상의 패턴들 사이의 하부 결함을 검출할 수 있는 결함 검출 장치 및 방법을 제안하는 것이다.
도 1은 본 발명의 바람직한 일 실시예에 따른 결함 검출 장치의 구성을 도시한 블록도이다.
도 2는 본 발명의 바람직한 일 실시예에 따른 광 변환부의 구성을 도시한 블록도이다.
도 3은 본 발명의 바람직한 일 실시예에 따른 검출부의 구성을 도시한 블록도이다.
도 4는 본 발명의 바람직한 일 실시예에 따른 결함 검출 장치의 전체 구성을 도시한 회로도이다.
도 5는 본 발명의 바람직한 일 실시예에 따른 반도체 웨이퍼에 대하여 일정한 범위의 입사각을 가지고 입사하는 복수의 레이저 광선들을 도시한 도면이다.
도 6은 종래 기술의 결함 검출 장치를 도시한 도면이다.
상기한 바와 같은 목적을 달성하기 위하여, 본 발명의 바람직한 일 실시예에 따른 결함 검출 장치는 주기적인 신호를 이용하여 피 측정 물체에 대하여 하나의 입사각을 가지는 레이저 광선을 발생시키는 레이저 광원부; 상기 발생된 레이저 광선을 상기 피 측정 물체에 대하여 다양한 입사각들을 가지는 복수의 레이저 광선들로 변환시켜서 상기 피 측정 물체에 입사시키는 광 변환부; 상기 피 측정 물체로부터 반사된 복수의 반사광들을 수광하고, 상기 수광된 복수의 반사광들을 이용하여 상기 피 측정 물체의 결함을 검출하는 검출부를 포함할 수 있다. 상기 피 측정 물체는 반도체 웨이퍼일 수 있다. 상기 광 변환부는, 상기 발생된 레이저 광선을 발산시키는 광 발산부; 및 상기 발산된 레이저 광선을 이용하여 상기 발생된 레이저 광선을 상기 피 측정 물체에 대하여 다양한 입사각을 가지는 상기 복수의 레이저 광선들로 변환하는 광 집속부를 포함할 수 있다. 상기 검출부는, 상기 반사된 복수의 반사광들을 수광하는 수광부; 및 상기 수광된 복수의 반사광들을 이용하여 상기 피 측정 물체의 결함을 검출하는 결함 검출부를 포함할 수 있다. 상기 복수의 반사광들은 산란광들일 수 있다. 상기 결함 검출부는 피엠티(PMT)를 포함할 수 있다. 상기 광 발산부는 1개의 오목 렌즈일 수 있다. 상기 광 집속부는 1개의 볼록 렌즈일 수 있다. 상기 피 측정 물체에 입사되는 복수의 레이저 광선들 중 적어도 하나의 레이저 광선은 상기 발생된 레이저 광선이 가지는 입사각보다 작은 입사각을 가질 수 있다. 상기 피 측정 물체에 입사되는 복수의 레이저 광선들 중 적어도 하나의 레이저 광선은 상기 발생된 레이저 광선이 가지는 입사각보다 큰 입사각을 가질 수 있다. 상기 복수의 레이저 광선들은 상기 피 측정 물체에 대하여 20°와 75°사이의 입사각들을 가질 수 있다. 상기 검출부는 다크 필드 검출기일 수 있다.
본 발명에 다른 실시예에 따른 결함 검출 장치는 주기적인 신호를 이용하여 피 측정 물체에 대하여 하나의 입사각을 가지는 레이저 광선을 발생시키는 레이저 광원부; 상기 발생된 레이저 광선을 오목 렌즈를 이용하여 발산시키고, 상기 발산된 레이저 광선을 볼록 렌즈를 이용하여 상기 피 측정 물체에 대하여 다양한 입사각을 가지는 복수의 레이저 광선들로 변환시키며, 상기 복수의 레이저 광선들을 피 측정 물체에 입사시키는 광 변환부; 및 상기 피 측정 물체로부터 반사된 복수의 반사광들을 수광하고, 상기 복수의 반사광들을 이용하여 상기 피 측정 물체의 결함을 검출하는 검출부를 포함할 수 있다. 상기 광 변환부는, 상기 발생된 레이저 광선을 상기 오목렌즈를 이용하여 발산시키는 광 발산부; 및 상기 발생된 레이저 광선을 상기 볼록 렌즈를 이용하여 상기 피 측정 물체에 대하여 20°와 75°사이의 입사각을 가지는 복수의 레이저 광선들로 변환시키는 광 집속부를 포함할 수 있다. 상기 검출부는, 상기 피 측정 물체로부터 반사된 복수의 반사광들을 수광하는 수광부; 및 상기 수광된 복수의 반사광들을 이용하여 상기 피 측정 물체의 결함을 검출하는 결함 검출부를 포함할 수 있다.
본 발명에 일 실시예에 따른 결함 검출 방법은 주기적인 신호를 이용하여 피 측정 물체에 대하여 하나의 입사각을 가지는 레이저 광선을 발생시키는 단계; 상기 발생된 레이저 광선을 상기 피 측정 물체에 대하여 다양한 입사각들을 가지는 복수의 레이저 광선들로 변환시키는 단계; 상기 복수의 레이저 광선들을 상기 피 측정 물체에 입사시키는 단계; 상기 피 측정 물체로부터 반사된 복수의 반사광들을 수광하는 단계; 및 상기 수광된 복수의 반사광들을 이용하여 상기 피 측정 물체의 결함을 검출하는 단계를 포함할 수 있다. 상기 결함을 검출하는 단계는, 반도체 웨이퍼의 결함을 검출할 수 있다. 상기 복수의 레이저 광선들을 발생시키는 단계는, 상기 발생된 레이저 광선을 발산시키는 단계; 및 상기 발산된 레이저 광선을 이용하여 상기 발생된 레이저 광선을 상기 피 측정 물체에 대하여 다양한 입사각을 가지는 상기 복수의 레이저 광선들로 변환시키는 단계를 포함할 수 있다. 상기 결함을 검출하는 단계는, 상기 반사된 복수의 반사광들을 수광하는 단계; 및 상기 수광된 복수의 반사광들을 이용하여 상기 피 측정 물체의 결함을 검출하는 단계를 포함할 수 있다. 상기 복수의 반사광들을 수광하는 단계는, 상기 복수의 반사광들은 산란광들일 수 있다. 상기 피 측정 물체에 입사시키는 단계는, 상기 피 측정 물체에 입사되는 복수의 레이저 광선들 중 적어도 하나의 레이저 광선은 상기 발사된 레이저 광선이 가지는 입사각보다 작은 입사각을 가질 수 있다. 상기 피 측정 물체에 입사시키는 단계는, 상기 피 측정 물체에 입사되는 복수의 레이저 광선들 중 적어도 하나의 레이저 광선은 상기 발사된 레이저 광선이 가지는 입사각보다 큰 입사각을 가질 수 있다. 상기 피 측정 물체에 입사시키는 단계는, 상기 입사각이 상기 피 측정 물체에 대하여 20°와 75°사이일 수 있다. 상기 결함을 검출하는 단계는, 다크 필드를 이용하여 상기 피 측정 물체의 결함을 검출할 수 있다.
본 발명의 다른 실시예에 따른 결함 검출 방법은 주기적인 신호를 이용하여피 측정 물체에 대하여 하나의 입사각을 가지는 레이저 광선을 발생시키는 단계; 상기 발생된 레이저 광선을 발산시키는 단계; 상기 발생된 레이저 광선을 집속시켜 상기 피 측정 물체에 대하여 다양한 입사각을 가지는 복수의 레이저 광선들로 변환시키는 단계; 상기 변환된 복수의 레이저 광선들을 상기 피 측정 물체에 입사시키는 단계; 상기 피 측정 물체로부터 반사된 복수의 반사광들을 수광하는 단계; 및 상기 수광된 복수의 반사광들을 이용하여 상기 피 측정 물체의 결함을 검출하는 단계를 포함할 수 있다. 상기 복수의 레이저 광선들로 변환시키는 단계는, 상기 입사각이 상기 피 측정 물체에 대하여 20°와 75°사이일 수 있다.
이하에서는 첨부된 도면을 참조하여 본 발명에 따른 결함 검출 장치 및 방법의 바람직한 실시예를 자세히 설명하도록 한다.
도 1은 본 발명의 바람직한 일 실시예에 따른 결함 검출 장치의 구성을 도시한 블록도이다.
도 1을 참조하면, 본 발명에 따른 결함 검출 장치는 레이저 광원부(20), 광 변환부(40) 및 검출부(60)를 포함할 수 있다.
레이저 광원부(20)는 주기적인 신호를 이용하여 레이저 광선을 발생시킨다. 상기 레이저 광선은 주기적인 신호가 중첩되어 발생된다. 상기 발생된 레이저 광선은 발사되어 광원으로서의 역할을 수행한다.
광 변환부(40)는 상기 발생된 레이저 광선을 피 측정 물체에 대하여 다양한 입사각을 가지는 복수의 레이저 광선들로 변환시킨다. 상세하게는, 광 변환부(40)는 상기 발생된 레이저 광선을 발산시키고, 그런 후 상기 발산된 레이저광선을 집속시켜 상기 발생된 레이저 광선을 상기 피 측정 물체에 대하여 다양한 입사각을 가지는 복수의 레이저 광선들로 변환시킨다. 예를 들어, 상기 피 측정 물체는 반도체 웨이퍼이다.
검출부(60)는 상기 피 측정 물체로부터 반사된 복수의 반사광들을 수광하고, 상기 수광된 반사광들을 이용하여 상기 피 측정 물체의 결함을 검출한다. 상세하게는, 상기 복수의 레이저 광선들은 상기 웨이퍼에 입사된 후 반사된다. 계속하여, 검출부(60)는 상기 웨이퍼로부터 반사된 복수의 반사광들을 수광하고, 수광된 복수의 반사광들을 이용하여 상기 웨이퍼 상에 존재하는 결함을 검출한다. 예를 들어, 검출부(60)는 상기 웨이퍼 상에 존재하는 브리지 결함(bridge defect) 등을 검출할 수 있다. 본 발명에 따른 검출부(60)는 다크 필드(dark field) 검출기일 수 있다.
위에서 살펴본 바와 같이, 종래의 기술과 비교하여, 본 발명에 따른 결함 검출 장치는 발생된 하나의 레이저 광선을 상기 피 측정 물체에 대하여 다양한 입사각을 가지는 상기 복수의 레이저 광선들로 변환시키는 광 변환부를 더 포함하고 있다.
도 2는 본 발명의 바람직한 일 실시예에 따른 광 변환부(40)의 구성을 도시한 블록도이다.
도 2를 참조하면, 광 변환부(40)는 광 발산부(100) 및 광 집속부(120)를 포함할 수 있다.
광 발산부(100)는 레이저 광원부(20)로부터 발생된 상기 레이저 광선을 발산시킨다. 본 발명의 일 실시예에 따른 광 발산부(100)는 오목 렌즈를 포함할 수 있다. 상세하게는, 광 발산부(100)는 레이저 광원부(20)로부터 발생된 상기 레이저 광선을 상기 오목 렌즈에 통과시켜 일정 범위로 발산시킨다.
광 집속부(120)는 광 발산부(100)로부터 발산된 레이저 광선을 집속시켜 상기 피 측정 물체에 대하여 다양한 입사각을 가지는 상기 복수의 레이저 광선들을 발생시킨다. 본 발명의 일 실시예에 따른 광 집속부(120)는 볼록 렌즈를 포함할 수 있다. 상세하게는, 광 집속부(120)는 광 발산부(100)로부터 발산된 레이저 광선을 상기 볼록 렌즈에 통과시켜 상기 피 측정 물체에 대하여 다양한 입사각을 가지는 상기 복수의 레이저 광선들을 발생시킨다.
본 발명에 따른 결함 검출 장치는 광 발산부(100) 및 광 집속부(120)를 이용하여 상기 피 측정 물체에 대하여 다양한 입사각을 가지는 복수의 레이저 광선들을 발생시킨다. 즉, 종래 기술과 비교하여, 본 발명에 따른 결함 검출 장치는 하나의 레이저 광선을 복수의 레이저 광선들로 변환시키므로, 상기 웨이퍼 상의 패턴들 사이의 결함을 좀 더 정확하게 검출할 수 있다.
도 3은 본 발명의 바람직한 일 실시예에 따른 검출부(60)의 구성을 도시한 블록도이다.
도 3을 참조하면, 본 발명에 따른 검출부(60)는 수광부(200) 및 결함 검출부(220)를 포함할 수 있다.
수광부(200)는 상기 피 측정 물체로부터 반사된 복수의 반사광들을 수광한다. 예를 들어, 상기 복수의 반사광들은 산란광들이다. 즉, 수광부(200)는 상기 웨이퍼로부터 반사되어 나온 산란광들을 수광한다.
결함 검출부(220)는 상기 수광된 복수의 반사광들을 이용하여 상기 피 측정 물체의 결함을 검출한다. 상세하게는, 본 발명의 일 실시예에 따른 결함 검출부(220)는 상기 복수의 반사광들을 이용하여 상기 웨이퍼 상의 패턴들 사이의 정보를 검출하여 전 패턴들 사이의 정보들과 비교한다. 그 결과, 상기 정보들이 다르다고 검출되는 경우, 결함 검출부(220)는 당해 패턴들 사이에 결함이 존재한다고 판단한다. 본 발명의 다른 실시예에 따른 결함 검출부(220)는 상기 다크 필드 검출기를 이용하여 상기 피 측정 물체에 존재하는 결함을 검출할 수 있다. 즉, 결함 검출부(220)는 다양한 방법을 이용하여 상기 피 측정 물체에 존재하는 결함을 검출할 수 있으며, 이러한 변형은 본 발명의 범주에 영향을 미치지 않는다는 것은 당업자에게 있어 자명한 사실일 것이다.
도 4는 본 발명의 바람직한 일 실시예에 따른 결함 검출 장치의 전체 구성을 도시한 회로도이다.
도 4를 참조하면, 본 발명에 따른 결함 검출 장치는 1개의 오목 렌즈, 1개의 볼록 렌즈 및 피엠티(PMT)를 포함할 수 있다.
레이저 광원부(20)로부터 상기 레이저 광선이 발생되어 발사된다. 상기 오목 렌즈는 상기 발사된 레이저 광선을 통과시켜 상기 레이저 광선을 발산시킨다. 상기 발산된 레이저 광선은 상기 볼록 렌즈에 입사된다.
계속하여, 상기 볼록 렌즈는 상기 발산된 레이저 광선을 상기 피 측정 물체에 대하여 다양한 입사각을 가지는 복수의 레이저 광선들로 변환시킨다. 상기 오목 렌즈와 상기 볼록 렌즈는 일정한 상관 관계를 가지고 배치된다.
처음에, 상기 피 측정 물체에 대하여 하나의 입사각을 가지는 상기 레이저 광선은 상기 오목 렌즈와 상기 볼록 렌즈에 통과됨에 의해 상기 피 측정 물체에 대하여 다양한 입사각을 가지는 복수의 레이저 광선들로 변환된다. 본 발명의 일 실시예에 따른 상기 복수의 레이저 광선들은 20°와 75°사이의 입사각을 가지는 광선들이다.
상기 피 측정 물체에 입사되는 복수의 레이저 광선들 중 적어도 하나의 레이저 광선은 상기 발생된 레이저 광선이 가지는 입사각보다 작은 입사각을 가지고 상기 피 측정 물체에 입사될 수 있다. 또한, 상기 피 측정 물체에 입사되는 복수의 레이저 광선들 중 적어도 하나의 레이저 광선은 상기 발생된 레이저 광선이 가지는 입사각보다 큰 입사각을 가지고 상기 피 측정 물체에 입사될 수 있다. 그러므로, 본 발명에 따른 결함 검출 장치는 종래의 기술보다 상기 웨이퍼 상의 패턴들 사이의 하부 결함을 더 많이 검출할 수 있다.
상기 입사된 복수의 레이저 광선들은 상기 피 측정 물체에 의해 반사된다. 본 발명의 일 실시예에 따른 결함 검출 장치는 상기 반사되는 반사광이 산란광이다.
상기 검출부(60)는 상기 피엠티(PMT)를 포함할 수 있다. 상기 피엠티(PMT)는 수광된 반사광을 증폭시켜 상기 피 측정 물체의 결함을 검출할 수 있다.
위에서 살펴본 바와 같이, 본 발명에 따른 결함 검출 장치는 상기 오목 렌즈, 상기 볼록 렌즈를 이용하여 레이저 광원부(20)로부터 발생된 상기 레이저 광선을 상기 피 측정 물체에 대하여 다양한 입사각을 가지는 복수의 레이저 광선들로 변환시킨다. 상기 오목 렌즈 및 상기 볼록 렌즈는 상기 레이저 광선의 세기(intensity)를 변화시키지 않는다. 즉, 상기 복수의 레이저 광선들 각각의 세기는 상기 레이저 광원부(20)로부터 발생된 상기 레이저 광선보다 세기가 작다. 다만, 각 복수의 레이저 광선들의 각각의 세기의 합은 상기 레이저 광원부(20)로부터 발생된 상기 레이저 광선의 세기와 같다. 그러므로, 종래의 기술에 비해, 본 발명에 따른 상기 복수의 레이저 광선들 각각의 세기는 약하다. 그러므로, 상기 각각의 반사광들의 세기도 약해질 것이다. 그러나, 이 경우에도, 상기 세기가 약해진 반사광들이 기준 세기를 초과하면, 본 발명에 따른 결함 검출 장치는 상기 반사광들을 수광하고, 상기 수광된 반사광들을 이용하여 상기 피 측정 물체의 결함을 검출할 수 있다. 상기 기준 세기는 상기 피 측정 물체의 결함을 검출할 수 있는 최소 반사광들의 세기를 의미한다.
본 발명의 일 실시예에 따른 상기 피 측정 물체는 상기 반도체 웨이퍼이다. 상기 웨이퍼는 상기 레이저 광원부(20)에서 발생된 상기 레이저 광선을 기준으로 하여 상하, 좌우 이동될 수 있다.
도 5는 본 발명의 바람직한 일 실시예에 따른 피 측정 물체에 대하여 일정한 범위의 입사각을 가지고 입사하는 복수의 레이저 광선들을 도시한 도면이다.
도 5를 참조하면, 상기 복수의 레이저 광선들은 상기 피 측정 물체에 대하여 다양한 입사각을 가지고 상기 피 측정 물체에 입사된다. 본 발명의 일 실시예에 따른 상기 입사각은 20°와 75°사이의 각이다. 본 발명에 따른 결함 검출 장치는기존의 레이저 광선보다 입사각이 작은 레이저 광선 및 상기 기존의 레이저 광선보다 입사각이 큰 레이저 광선을 발생시킨다.
도 5에 도시된 바와 같이, 뉴(new) 레이저 광선은 기존 레이저 광선보다 상기 웨이퍼 상의 패턴들 사이의 하부까지 도달할 수 있다. 그러므로, 본 발명에 따른 결함 검출 장치는 상기 웨이퍼 상의 패턴들 사이의 하부 결함을 종래 기술보다 더 많이 검출할 수 있다.
상기한 본 발명의 바람직한 실시예는 예시의 목적을 위해 개시된 것이고, 본 발명에 대한 통상의 지식을 가지는 당업자라면 본 발명의 사상과 범위 안에서 다양한 수정, 변경, 부가가 가능할 것이며, 이러한 수정, 변경 및 부가는 하기의 특허청구범위에 속하는 것으로 보아야 할 것이다.
이상에서 설명한 바와 같이, 본 발명에 의한 결함 검출 장치는 반도체 웨이퍼 상에 존재하는 결함을 정확하게 검출할 수 있는 장점이 있다.
아울러, 본 발명의 결함 검출 장치는 광 변환부가 다양한 입사각을 가지는 복수의 레이저 광선들을 발생시켜서 상기 복수의 레이저 광선들을 반도체 웨이퍼에 입사시키므로, 결함 검출 장치는 상기 웨이퍼 상의 패턴들 사이의 하부 결함을 정확하게 검출할 수 있다.

Claims (26)

  1. 주기적인 신호를 이용하여 피 측정 물체에 대하여 하나의 입사각을 가지는 레이저 광선을 발생시키는 레이저 광원부;
    상기 발생된 레이저 광선을 상기 피 측정 물체에 대하여 다양한 입사각들을 가지는 복수의 레이저 광선들로 변환시켜서 상기 피 측정 물체에 입사시키는 광 변환부;
    상기 피 측정 물체로부터 반사된 복수의 반사광들을 수광하고, 상기 수광된 복수의 반사광들을 이용하여 상기 피 측정 물체의 결함을 검출하는 검출부를 포함하고 있는 것을 특징으로 하는 결함 검출 장치.
  2. 제 1 항에 있어서, 상기 피 측정 물체는 웨이퍼인 것을 특징으로 하는 결함 검출 장치.
  3. 제 1 항에 있어서, 상기 광 변환부는, 상기 발생된 레이저 광선을 발산시키는 광 발산부; 및
    상기 발산된 레이저 광선을 이용하여 상기 발생된 레이저 광선을 상기 피 측정 물체에 대하여 다양한 입사각을 가지는 상기 복수의 레이저 광선들로 변환시키는 광 집속부를 포함하고 있는 것을 특징으로 하는 결함 검출 장치.
  4. 제 1 항에 있어서, 상기 검출부는, 상기 반사된 복수의 반사광들을 수광하는 수광부; 및
    상기 수광된 복수의 반사광들을 이용하여 상기 피 측정 물체의 결함을 검출하는 결함 검출부를 포함하고 있는 것을 특징으로 하는 결함 검출 장치.
  5. 제 4 항에 있어서, 상기 복수의 반사광들은 산란광들인 것을 특징으로 하는 결함 검출 장치.
  6. 제 4 항에 있어서, 상기 결함 검출부는 피엠티(PMT)를 포함하고 있는 것을 특징으로 하는 결함 검출 장치.
  7. 제 3 항에 있어서, 상기 광 발산부는 1개의 오목 렌즈인 것을 특징으로 하는 결함 검출 장치.
  8. 제 3 항에 있어서, 상기 광 집속부는 1개의 볼록 렌즈인 것을 특징으로 하는 결함 검출 장치.
  9. 제 1 항에 있어서, 상기 피 측정 물체에 입사되는 복수의 레이저 광선들 중 적어도 하나의 레이저 광선은 상기 발생된 레이저 광선이 가지는 입사각보다 작은 입사각을 가지고 있는 것을 특징으로 하는 결함 검출 장치.
  10. 제 9 항에 있어서, 상기 피 측정 물체에 입사되는 복수의 레이저 광선들 중 적어도 하나의 레이저 광선은 상기 발생된 레이저 광선이 가지는 입사각보다 큰 입사각을 가지고 있는 것을 특징으로 하는 결함 검출 장치.
  11. 제 10 항에 있어서, 상기 복수의 레이저 광선들은 상기 피 측정 물체에 대하여 20°와 75°사이의 입사각들을 가지는 것을 특징으로 하는 결함 검출 장치.
  12. 제 1 항에 있어서, 상기 검출부는 다크 필드 검출기인 것을 특징으로 하는 결함 검출 장치.
  13. 주기적인 신호를 이용하여 피 측정 물체에 대하여 하나의 입사각을 가지는 레이저 광선을 발생시키는 레이저 광원부;
    상기 발생된 레이저 광선을 오목 렌즈를 이용하여 발산시키고, 상기 발산된 레이저 광선을 볼록 렌즈를 이용하여 상기 피 측정 물체에 대하여 다양한 입사각을 가지는 복수의 레이저 광선들로 변환시키며, 상기 복수의 레이저 광선들을 피 측정 물체에 입사시키는 광 변환부; 및
    상기 피 측정 물체로부터 반사된 복수의 반사광들을 수광하고, 상기 복수의 반사광들을 이용하여 상기 피 측정 물체의 결함을 검출하는 검출부를 포함하고 있는 것을 특징으로 하는 결함 검출 장치.
  14. 제 13 항에 있어서, 상기 광 변환부는, 상기 발생된 레이저 광선을 상기 오목렌즈를 이용하여 발산시키는 광 발산부; 및
    상기 발생된 레이저 광선을 상기 볼록 렌즈를 이용하여 상기 피 측정 물체에 대하여 20°와 75°사이의 입사각을 가지는 복수의 레이저 광선들로 변환시키는 광 집속부를 포함하고 있는 것을 특징으로 하는 결함 검출 장치.
  15. 제 13 항에 있어서, 상기 검출부는, 상기 피 측정 물체로부터 반사된 복수의 반사광들을 수광하는 수광부; 및
    상기 수광된 복수의 반사광들을 이용하여 상기 피 측정 물체의 결함을 검출하는 결함 검출부를 포함하고 있는 것을 특징으로 하는 결함 검출 장치.
  16. 주기적인 신호를 이용하여 피 측정 물체에 대하여 하나의 입사각을 가지는 레이저 광선을 발생시키는 단계;
    상기 발생된 레이저 광선을 상기 피 측정 물체에 대하여 다양한 입사각들을 가지는 복수의 레이저 광선들로 변환시키는 단계;
    상기 복수의 레이저 광선들을 상기 피 측정 물체에 입사시키는 단계;
    상기 피 측정 물체로부터 반사된 복수의 반사광들을 수광하는 단계; 및
    상기 수광된 복수의 반사광들을 이용하여 상기 피 측정 물체의 결함을 검출하는 단계를 포함하고 있는 것을 특징으로 하는 결함 검출 방법.
  17. 제 16 항에 있어서, 상기 결함을 검출하는 단계는, 반도체 웨이퍼의 결함을 검출하는 것을 특징으로 하는 결함 검출 방법.
  18. 제 16항에 있어서, 상기 복수의 레이저 광선들을 발생시키는 단계는, 상기 발생된 레이저 광선을 발산시키는 단계; 및
    상기 발산된 레이저 광선을 이용하여 상기 발생된 레이저 광선을 상기 피 측정 물체에 대하여 다양한 입사각을 가지는 상기 복수의 레이저 광선들로 변환시키는 단계를 포함하고 있는 것을 특징으로 하는 결함 검출 방법.
  19. 제 16 항에 있어서, 상기 결함을 검출하는 단계는, 상기 반사된 복수의 반사광들을 수광하는 단계; 및
    상기 수광된 복수의 반사광들을 이용하여 상기 피 측정 물체의 결함을 검출하는 단계를 포함하고 있는 것을 특징으로 하는 결함 검출 방법.
  20. 제 16 항에 있어서, 상기 복수의 반사광들을 수광하는 단계는, 상기 복수의 반사광들은 산란광들인 것을 특징으로 하는 결함 검출 방법.
  21. 제 16 항에 있어서, 상기 피 측정 물체에 입사시키는 단계는, 상기 피 측정 물체에 입사되는 복수의 레이저 광선들 중 적어도 하나의 레이저 광선은 상기 발사된 레이저 광선이 가지는 입사각보다 작은 입사각을 가지는 것을 특징으로 하는 결함 검출 방법.
  22. 제 21 항에 있어서, 상기 피 측정 물체에 입사시키는 단계는, 상기 피 측정 물체에 입사되는 복수의 레이저 광선들 중 적어도 하나의 레이저 광선은 상기 발사된 레이저 광선이 가지는 입사각보다 큰 입사각을 가지는 것을 특징으로 하는 결함 검출 방법.
  23. 제 16 항에 있어서, 상기 피 측정 물체에 입사시키는 단계는, 상기 입사각이 상기 피 측정 물체에 대하여 20°와 75°사이인 것을 특징으로 하는 결함 검출방법.
  24. 제 16 항에 있어서, 상기 결함을 검출하는 단계는, 다크 필드를 이용하여 상기 피 측정 물체의 결함을 검출하는 것을 특징으로 하는 결함 검출 방법.
  25. 주기적인 신호를 이용하여 피 측정 물체에 대하여 하나의 입사각을 가지는 레이저 광선을 발생시키는 단계;
    상기 발생된 레이저 광선을 발산시키는 단계;
    상기 발생된 레이저 광선을 집속시켜 상기 피 측정 물체에 대하여 다양한 입사각을 가지는 복수의 레이저 광선들로 변환시키는 단계;
    상기 변환된 복수의 레이저 광선들을 상기 피 측정 물체에 입사시키는 단계;
    상기 피 측정 물체로부터 반사된 복수의 반사광들을 수광하는 단계; 및
    상기 수광된 복수의 반사광들을 이용하여 상기 피 측정 물체의 결함을 검출하는 단계를 포함하고 있는 것을 특징으로 하는 결함 검출 방법.
  26. 제 25 항에 있어서, 상기 복수의 레이저 광선들로 변환시키는 단계는, 상기 입사각이 상기 피 측정 물체에 대하여 20°와 75°사이인 것을 특징으로 하는 결함 검출 방법.
KR1020030033856A 2003-05-27 2003-05-27 결함 검출 장치 및 방법 KR20040102307A (ko)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020030033856A KR20040102307A (ko) 2003-05-27 2003-05-27 결함 검출 장치 및 방법

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020030033856A KR20040102307A (ko) 2003-05-27 2003-05-27 결함 검출 장치 및 방법

Publications (1)

Publication Number Publication Date
KR20040102307A true KR20040102307A (ko) 2004-12-04

Family

ID=37378619

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020030033856A KR20040102307A (ko) 2003-05-27 2003-05-27 결함 검출 장치 및 방법

Country Status (1)

Country Link
KR (1) KR20040102307A (ko)

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR101225667B1 (ko) * 2006-03-10 2013-01-23 엘아이지에이디피 주식회사 검출장치를 포함한 플라즈마 처리장치
KR101339150B1 (ko) * 2012-01-05 2013-12-09 주식회사 엘지실트론 실리콘 단결정 잉곳 제조장치 및 그 흑연 도가니의 식각도 계측장치

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR101225667B1 (ko) * 2006-03-10 2013-01-23 엘아이지에이디피 주식회사 검출장치를 포함한 플라즈마 처리장치
KR101339150B1 (ko) * 2012-01-05 2013-12-09 주식회사 엘지실트론 실리콘 단결정 잉곳 제조장치 및 그 흑연 도가니의 식각도 계측장치

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US7916287B2 (en) Surface inspection method and surface inspection apparatus
US3814946A (en) Method of detecting defects in transparent and semitransparent bodies
US20050259245A1 (en) Device and method for inspecting an object
US20080068593A1 (en) Method and apparatus for detecting defects
US8514385B2 (en) Device and method for inspecting an object
KR960032624A (ko) 포토마스크 패턴결함을 검사하는 장치 및 방법
JP2002188999A (ja) 異物・欠陥検出装置及び検出方法
JP4913585B2 (ja) 異常検査装置
KR20040102307A (ko) 결함 검출 장치 및 방법
KR20160020619A (ko) 표면 검사용 광학 모듈 및 이를 포함하는 표면 검사 장치
JPH11142127A (ja) ウェーハ表面検査方法とその装置
JPH05196568A (ja) 鍍金検査装置
JPH11230912A (ja) 表面欠陥検出装置及びその方法
JP3341255B2 (ja) 光センサ
JP2011197012A (ja) 光学装置
JP2519363B2 (ja) プリント基板における配線パタ―ンの欠陥検査方法
JP3280742B2 (ja) ガラス基板用欠陥検査装置
JPS61260147A (ja) 表面欠陥検査装置
KR100950964B1 (ko) 레이저 광원과 ａｐｄ 센서를 이용한 핀홀 검출기
KR101018151B1 (ko) 표면 측정 장치 및 표면 측정 방법
JPH01143940A (ja) シート状エッチング精密部品の欠陥検査方法および検査装置
KR20000014554A (ko) 웨이퍼 결함 검출장치
JPS60154635A (ja) パタ−ン欠陥検査装置
JP2654605B2 (ja) パルスレーザ光検知装置
JPH05188004A (ja) 異物検出装置

Legal Events

Date Code Title Description
WITN Withdrawal due to no request for examination