KR20040099623A - 인너 실드 및 이 실드를 구비한 음극선관 - Google Patents

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KR20040099623A
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Abstract

지자계 등의 외부 자계를 효율적으로 차폐시켜 외부 자계의 변동에 의한 전자빔의 미스 랜딩을 최소화시킬 수 있는 칼라 음극선관의 인너 실드에 관한 것으로, 본 발명의 인너 실드는, 전자빔이 통과되는 스크린측 개구부 및 전자총측 개구부와; 상기 전자총측 개구부를 넥크부 쪽으로 돌출시키는 한쌍의 장변 및 한쌍의 단변으로 이루어지는 몸체;를 포함하며, 상기 단변은 전자총측 개구부 꼭지점으로부터 스크린측 개구부를 향해 경사진 방향으로 형성되는 한쌍의 제1 절결부와, 상기 제1 절결부의 단부를 연결하며 상기 스크린측 개구부를 향해 몸체 내부로 진입하여 형성되는 제2 절결부를 구비하고, 상기 제2 절결부는, 상기 제1 절결부의 단부와 제2 절결부의 폭방향 중심점을 연결하는 가상선보다 상기 스크린측 개구부를 향해 몸체 내부로 진입하여 형성된다.

Description

인너 실드 및 이 실드를 구비한 음극선관{INNER SHIELD AND CATHODE RAY TUBE WITH THE SAME}
본 발명은 칼라 음극선관의 인너 실드에 관한 것으로, 상세하게는 지자계 등의 외부 자계를 효율적으로 차폐시켜 외부 자계의 변동에 의한 전자빔의 미스 랜딩을 최소화시킬 수 있는 칼라 음극선관의 인너 실드에 관한 것이다.
일반적으로 음극선관은 전자총에서 방출된 세줄기 전자빔으로 형광막 스크린을 주사하여 소정의 화면을 구현하는 표시장치로서, 상기 전자빔의 경로는 지구의 북극과 남극을 축으로 하여 발생하는 지자계에 의해 변화하여 퓨리티(purity) 특성, 라스터(raster) 위치 및 컨버젼스(convergence) 특성 등에 영향을 받게 된다.
이러한 지자계는 지면에 수직한 수직 분력(수직 지자계)과, 지면과 평행한 수평 분력(수평 지자계)으로 나누어지는데, 음극선관에 있어서 수평 지자계에 의한 전자빔 이동은 음극선관이 향하는 방향에 따라 N-S(North-South) 이동량과 E-W(East-West) 이동량으로 나누어 설명할 수 있다.
즉, 도 1a 및 1b에 도시한 바와 같이, N-S 이동량은 수평 지자계 중에서 음극선관의 관축(Z)과 일치하는 수직방향(N-S 방향) 자계(화살표로 도시함)에 의한 전자빔 이동량을 의미하고(도 1a 참조), E-W 이동량은 수평 지자계 중에서 화면과 평행한 수평방향(E-W 방향) 자계(화살표로 도시함)에 의한 전자빔 이동량을 의미한다(도 1b 참조).
한편, 지자계에 의해 전자빔이 받는 힘은 수평 방향 성분과 수직 방향 성분으로 나누어 해석할 수 있는데, 이 가운데 주로 수평 방향 성분이 화면 특성에 보다 큰 영향을 미치게 된다.
이는, 민생용 음극선관에 적용되며 수직 방향으로 긴 슬롯을 갖는 섀도우 마스크와, 주로 공업용 음극선관에 적용되며 도트 형상의 홀을 갖는 섀도우 마스크 모두에 있어서, 전자빔을 수평 방향(X축 방향)으로 이동시키는 수평 방향 성분은 전자빔을 지정된 슬롯 또는 홀에서 멀어지게 만들기 때문이다.
이에, 전자빔 경로를 지자계로부터 차폐시켜 전자빔 이동량을 감소시키기 위한 목적으로 음극선관 내부에 인너 실드를 장착하는바, 도 2에 종래 구조의 인너 실드를 도시하였다.
상기한 인너 실드(100)는 전자빔 주위의 지자계와 상쇄 또는 보강 간섭을 일으킴으로써 전자빔의 랜딩 이동량을 감소시키는 방향으로 주위의 지자계 분포를 변화시키는 역할을 하는 것으로, 도시하지 않은 마스크 프레임에 고정되어 펀넬(미도시함) 내부에서 전자빔 경로를 둘러싸도록 배치되며, 전자빔이 통과되는 전자총측 개구부(102) 및 스크린측 개구부(104)와, 상기 전자총측 개구부(102)를 넥크부(미도시함) 쪽으로 돌출시키는 한쌍의 장변(106) 및 한쌍의 단변(108)으로 이루어진다.
그리고, 상기 인너 실드(100)의 단변으로 전자총측 개구부(102)에는 N-S 이동량을 감소시키기 위한 V자형 절결부(110)가 구비되는데, 상기 V자형 절결부(110)의 깊이(h)는 N-S 이동량 및 E-W 이동량과 각각 반비례 및 비례의 관계를 갖는다.즉, V자형 절결부(110)의 깊이(h)가 증가할수록 N-S 이동량은 감소되지만 상기 E-W 이동량은 증가하게 된다.
이러한 이유로 인해 상기 V자형 절결부(110)의 깊이(h)는 제한적인 범위 내에서 설계할 수밖에 없는데, 이는 상기 N-S 이동량을 제한적으로 감소시킬 수밖에 없다는 것을 의미한다. 또한, 상기한 종래의 인너 실드(100)는 상기 절결부(110)가 V자형으로 이루어지므로, 도 3에 도시한 스크린의 대각부(③)에서는 N-S 이동량이 효과적으로 감소되지만, 나머지 다른 측정부들(①,②,④,⑤)에서는 N-S 이동량 감소 효과가 미미한 실정이며, 특히 스크린 여유도('타색 여유'라고도 한다)가 부족한 취약 부분(④)에서 N-S 이동량 감소가 효과적으로 이루어지지 못하여 품질 저하가 발생되는 문제점이 있다.
여기에서, 상기 스크린 여유도는 랜딩 에러의 발생으로 인해 전자빔이 인접한 타색 형광체를 발광시키게 되기까지의 여유도를 말하는 것으로, 이러한 스크린 여유도는 피치, 형광체 폭, 전자빔 사이즈(마스크 홀 사이즈), 랜딩 에러, 형광체 배열 에러 등의 영향을 받게 된다.
그리고, 상기한 스크린 여유도는, 마스크 및 화면이 전자총을 중심으로 구의 형태를 하고 있는 음극선관에서는 동일한 각도로 전자빔이 벗어나는 경우 화면상에서도 동일한 양의 빔 이동이 발생되므로 화면 전체에 있어서 동일하지만, 상기한 마스크 및 화면이 평면화 된 음극선관에서는 동일한 전자빔의 벗어남 각도에 대해 화면의 주변으로 갈수록 실제 빔 이동량은 크게 발생되고, 이로 인해 상기 취약 부분(④)에서 특히 스크린 여유도가 부족하게 된다.
상기 도 3은 화면의 1사분면을 도시한 것으로, X축은 화면 중심(O)으로부터의 수평방향 거리를 나타내고, Y축은 화면 중심(O)으로부터의 수직방향 거리를 나타낸다.
본 발명은 상기한 문제점을 해결하기 위한 것으로, E-W 이동량의 증가를 억제하면서도 N-S 이동량을 효과적으로 감소시킬 수 있는 인너 실드 및 이 실드를 갖는 음극선관을 제공함에 목적이 있다.
도 1a 및 1b는 N-S 이동량과 E-W 이동량을 설명하기 위한 개략도.
도 2는 종래 기술에 따른 인너 실드의 사시도.
도 3은 스크린 상에서 외부 자계에 의한 N-S 이동량과 E-W 이동량을 측정하기 위한 측정 포인트를 나타내는 스크린의 1사분면을 도시한 정면도.
도 4는 본 발명의 일실시예에 따른 인너 실드를 갖는 음극선관의 개략적인 구성을 나타내는 후면 사시도.
도 5는 본 발명의 제1 실시예에 따른 인너 실드의 사시도.
도 6은 본 발명의 제1 실시예에 따른 인너 실드의 좌측면도.
도 7a 내지 7c는 본 발명의 제1 실시예를 변형한 제1 내지 제3 변형 실시예에 따른 인너 실드의 좌측면도.
도 8은 본 발명의 제1 실시예와 종래의 인너 실드에 있어서, 도 3의 측정 포인트 중에서 취약부(④) 쪽으로 이동하는 전자빔에 미치는 수평방향 힘(Fx)의 크기를 비교한 도면.
도 9는 본 발명의 제2 실시예에 따른 인너 실드의 좌측면도.
도 10은 본 발명의 제3 실시예에 따른 인너 실드의 좌측면도.
도 11은 본 발명의 제4 실시예에 따른 인너 실드의 좌측면도.
상기한 목적을 달성하기 위하여 본 발명은,
전자빔이 통과되는 스크린측 개구부 및 전자총측 개구부와;
상기 전자총측 개구부를 넥크부 쪽으로 돌출시키는 한쌍의 장변 및 한쌍의 단변으로 이루어지는 몸체;
를 포함하며, 상기 단변은 전자총측 개구부 꼭지점으로부터 스크린측 개구부를 향해 경사진 방향으로 형성되는 한쌍의 제1 절결부와, 상기 제1 절결부의 단부를 연결하며 상기 스크린측 개구부를 향해 몸체 내부로 진입하여 형성되는 제2 절결부를 구비하고, 상기 제2 절결부는, 상기 제1 절결부의 단부와 제2 절결부의 폭방향 중심점을 연결하는 가상선보다 상기 스크린측 개구부를 향해 몸체 내부로 진입하여 형성되는 인너 실드를 제공한다.
본 발명의 바람직한 실시예에 의하면, 상기한 제2 절결부는 원호상으로 형성되거나, 대략 원호상의 형상을 갖는 다각형상으로 형성될 수 있다. 이 경우, 상기원호상 또는 다각형상의 중심점은 음극선관의 기종, 특성 등에 따라 제1 절결부의 단부를 연결하는 가상선보다 내측 또는 외측에 위치하는 것이 모두 가능하다.
그리고, 상기한 제2 절결부는 타원상으로 형성되거나, 대략 타원상의 형상을 갖는 다각형상으로 형성될 수도 있다. 이 경우에도 단경의 중심이 음극선관의 기종, 특성 등에 따라 제1 절결부의 단부를 연결하는 가상선보다 내측 또는 외측에 위치하는 것이 모두 가능하다.
또한, 상기한 제2 절결부는 사다리꼴 또는 마름모꼴 등의 다각형상으로 형성되는 것도 가능하다.
상기한 구성의 본 발명을 실시함에 있어서, 슬롯 타입의 형광체 패턴을 갖는 민생용 음극선관에서는 상기한 제2 절결부의 깊이를 인너 실드 높이의 50% 이하, 바람직하게는 44∼48%의 범위내에서 형성하는 것이 바람직하다. 이는, 상기 제2 절결부의 깊이가 상기 범위를 초과하는 경우에는 E-W 이동량이 급격히 증가하기 때문이다.
그러나, 도트 타입의 형광체 패턴을 갖는 공업용 음극선관에서는 상기 E-W 이동량이 화질에 크게 영향을 미치지 않으므로, 상기한 제2 절결부의 깊이를 인너 실드 높이의 50% 이상으로 형성할 수도 있다.
이하, 첨부도면을 참조하여 본 발명의 바람직한 실시예에 따른 인너 실드를 상세히 설명하면 다음과 같다.
도 4는 본 발명의 일실시예에 따른 인너 실드를 갖는 음극선관의 개략적인 구성을 나타내는 후면 사시도이다.
도4에 도시된 바와 같이, 본 실시예의 음극선관(10)은 페이스 패널(12)과, 페이스 패널(12) 후방에 접합되는 펀넬(14) 및 넥크부(16)로 이루어지면서 내부를 고진공 상태로 유지하는 튜브(18)를 기본 구성으로 한다.
상기 페이스 패널(12) 내면에는 다수의 녹, 청, 적 형광막으로 이루어진 스크린(12')이 형성되고, 넥크부(16) 내부에는 스크린(12')을 향해 전자빔을 방출하는 전자총(20)이 장착되며, 펀넬(14) 외주상에는 전자빔 편향을 위해 편향 자계를 생성하는 편향 요크(미도시함)가 설치된다.
그리고 다수의 전자빔 통과공(22)을 갖는 섀도우 마스크(24)가 마스크 프레임(26)에 의해 페이스 패널(12) 내부에 장착되어 형광 스크린(12')과 일정한 간격을 두고 대향 배치되며, 마스크 프레임(26)에는 자기 차폐 기구, 즉 인너 실드(28)의 일단이 고정되어 전자빔 경로를 둘러싸면서 펀넬(14) 내부에 장착된다.
이러한 구성의 음극선관은 전자총(20)에서 화면 신호에 대응하는 전자빔(미도시)이 방출되면, 상기 전자빔은 편향 요크가 발생한 자계에 의해 편향되고, 섀도우 마스크(24)의 전자빔 통과공(22)을 통과하면서 해당 녹, 청, 적 형광막으로 분리되어 스크린(12')의 지정된 형광막에 도달하게 된다.
이 과정에서, 전자빔은 튜브(18) 내부를 진행하는 동안 외부 자기장의 영향으로 이동 경로가 변경되는데, 외부 자기장이 전자빔에 미치는 수평 방향의 힘(Fx)과 수직 방향의 힘(Fy)은 각각 다음의 식으로 표현할 수 있다.
Fx = -e(VyBz - VzBy), Fy = -e(VxBz - VzBx)
여기서, e(C)는 전하량, Vx와 Vy 및 Vz는 각각 전자빔의 수평 방향(X축), 수직 방향(Y축) 및 관축 방향(Z축) 속도(m/s), Bx와 By 및 Bz는 각각 수평 방향(X축), 수직 방향(Y축) 및 관축 방향(Z축)의 지자계 성분의 크기(T)를 나타낸다.
위의 수식에서 알 수 있듯이, 전자빔에 미치는 수평 방향의 힘(Fx)은 전자빔 속도를 상수로 가정한 상태에서 전자빔 주변에 형성되는 지자계의 크기, 즉 Bz와 By 값에 의해 결정되며, 특히 Bz와 By의 차이값에 비례한다. 이와 마찬가지로, 전자빔에 미치는 수직 방향의 힘(Fy)은 Bz와 Bx의 차이값에 비례한다.
따라서 외부 자기장에 의한 전자빔 이동량을 감소시키기 위해서는 관축(Z축)과 평행한 방향의 자기장 성분 Bz를 Bx 또는 By 성분으로 유도해야 함을 알 수 있으며, 본 발명에 의한 인너 실드가 아래에 설명하는 구조를 통해 자기장 분포를 변화시켜 전자빔 N-S 이동량을 감소시킨다. 이하의 실시예들을 설명함에 있어서, 상기 인너 실드는 전자총측 개구부의 단변 길이가 대략 184mm이고 높이가 대략 161mm인 34"(inch) 음극선관용 인너 실드로 가정한다.
도 5 및 도 6은 본 발명의 제1 실시예에 따른 인너 실드를 도시한 것으로, 도 5는 후면 사시도이고, 도 6은 도 4의 좌측면도이다.
본 실시예의 인너 실드(28)는 음극선관(10)의 수직 방향(Y축)으로 대향 배치되어 전자빔 경로의 상하 부분을 둘러싸는 한쌍의 장변(30)과, 음극선관의 수평 방향(X축)으로 대향 배치되어 전자빔 경로의 좌우 부분을 둘러싸는 한쌍의 단변(32)과, 장,단변(30,32)의 형광면측 단부에 형성되어 마스크 프레임(26)에 고정되는 플랜지부(34)와, 장,단변(30,32)의 전자총측 단부에 형성되는 전자총측 개구부(36)와, 장,단변(30,32)의 스크린측 단부에 형성되는 스크린측 개구부(38)를 포함한다.
그리고, 상기 전자총측 개구부(36)의 단변(32)에는 N-S 이동량을 감소시키기 위한 절결부(40)가 구비되는데, 상기 절결부(40)는 전자총측 개구부(36) 꼭지점으로부터 스크린측 개구부(38)를 향해 경사진 방향으로 형성되는 한쌍의 제1 절결부(42)와, 제1 절결부(42)의 단부를 연결하며 스크린측 개구부(38)를 향해 단변 내측으로 진입하여 형성되는 제2 절결부(44)로 이루어지며, 제2 절결부(44)는 제1 절결부(42)의 단부와 제2 절결부(44)의 폭방향 중심(C1)을 연결하는 가상선(L1)보다 상기 스크린측 개구부(38)를 향해 단변(32) 내부로 진입하여 형성되는 원호상으로 이루어진다.
여기에서, 상기 원호상의 제2 절결부(44)는 반경(r1)이 75mm이며, 반경 중심(C2)이 전자총측 개구부(36)의 단변 꼭지점을 연결하는 가상선(L2)보다 내측(스크린측을 의미한다)에 위치한다.
이러한 구성의 제2 절결부(44)는 34"(inch) 음극선관용 인너 실드(28)의 높이(H)가 161mm이므로, 상기 높이(H)의 대략 46%에 해당하는 깊이(D)를 갖게 된다.
전자총(20)에서 방출된 전자빔이 도 3의 취약부(④) 위치로 이동하는 동안 외부 자기장에 의해 전자빔에 미치게 되는 수평 방향의 힘(Fx)을 측정한 결과를 도 8에 도시하였다.
상기 도 8에 있어서, 점선으로 표시된 것은 인너 실드 높이의 46%에 해당하는 깊이의 V자형 노치를 갖는 종래 기술의 인너 실드를 사용한 경우이고, 실선으로표시된 것은 전술한 도 5 및 도 6에 도시한 본 실시예의 인너 실드를 사용한 경우이다.
도 8에 원형으로 도시한 부분은 스크린측 개구부 부분을 나타내는 것으로, 상기 도 8에서 알 수 있는 바와 같이 본 실시예의 인너 실드(28)를 사용하면 전자빔에 미치는 수평 방향의 힘(Fx)이 종래보다 증가하는데, 이는 상기한 수학식 1을 참조하면, 외부 자기장 성분중 관축 방향 지자계 성분(Bz)이 수직 방향 지자계 성분(By)으로 많이 전환된 것을 나타낸다.
전술한 도 5 및 도 6의 실시예에 따른 인너 실드(28)를 사용하여 도 3의 각 측정 지점(①∼⑤)에서 측정한 N-S 이동량과 E-W 이동량 환산값을 표 1에 도시하였다.
N-S 이동량(㎛) E-W 이동량(㎛)
종래 43.6 46.9 43 46.3 20.6 0 39.5 63.6 53.9 42
실시예1 42.4 44.8 35.7 38.7 10.2 0 41.42 67.07 58.01 49.86
제1변형예 43.25 46.2 42.24 45.08 16.52 0 40.48 63.88 54.42 44.71
제2변형예 41.42 42.4 21.3 28.75 12.24 0 42.39 75.2 63.95 49.47
상기 표 1에서 알 수 있는 바와 같이, 제1 실시예의 인너 실드(28)는 동일한 깊이(D)의 V 노치를 갖는 종래의 인너 실드에 비해 N-S 이동량이 크게 감소된 것을 알 수 있다.
이와 같이, 본 실시예의 인너 실드(28)는 E-W 이동량의 증가를 억제하면서 N-S 이동량을 크게 감소시킬 수 있으며, 특히 대각부(③)와 취약부(④)에서의 N-S 이동량을 크게 감소시킬 수 있다.
도 7a는 도 5 및 도 6에 도시한 제1 실시예의 인너 실드(28)에 있어서 제2 절결부(44)를 변형한 제1 변형예로서, 본 실시예의 인너 실드(28a)는 절결부(40a)를 구성하는 제2 절결부(44a)가 65mm의 반경(r2)을 갖는 원호상으로 이루어짐과 아울러, 제1 절결부(42a)의 길이가 도 5 및 도 6의 실시예에 비해 증가된 것을 제외하고는 도 5의 실시예와 동일한 구성으로 이루어진다.
그리고, 도 7b는 도 5 및 도 6의 인너 실드(28)에 있어서 제2 절결부(44)를 변형한 제2 변형예로서, 본 실시예의 인너 실드(28b)는 절결부(40b)를 구성하는 제2 절결부(44b)가 85mm의 반경(r3)을 갖는 원호상으로 이루어짐과 아울러, 제1 절결부(42b)의 길이가 도 5의 실시예에 비해 감소된 것을 제외하고는 도 5의 실시예와 동일한 구성으로 이루어진다. 상기 표 1에는 전술한 도 7a 및 7b의 제1, 제2 변형예에 대한 실험 결과가 개시되어 있다.
상기 도 5 및 도 6과 도 7a에 도시한 인너 실드들(28,28a)은 민생용 음극선관 및 공업용 음극선관 모두에 적용이 가능한데, 이는 상기한 실시예들의 인너 실드(28,28a)에서는 제2 절결부(44,44a)의 깊이(D,D1)가 인너 실드 높이(도 6의 H)의 50% 미만으로 형성되고, 이로 인해 E-W 이동량의 증가로 인한 화면 품질 저하가 억제되기 때문이다.
상기에서, 상기 민생용 음극선관은 스크린(12')의 형광막이 슬롯상으로 이루어지며 E-W 이동량의 증가로 인해 화면 품질이 저하되는 음극선관을 말하고, 공업용 음극선관은 스크린(12')의 형광막이 도트상으로 이루어지며, E-W 이동량이 미미하여 상기 E-W 이동량의 증가가 화면 품질에 큰 영향을 미치지 않는 음극선관을 말한다.
위에서 설명한 바와 같이 제2 절결부(44,44a)의 깊이(D,D1)를 인너 실드 높이(H)의 50% 미만, 바람직하게는 40% 내지 48%의 범위 내에서 형성한 인너 실드(28,28a)는 민생용 음극선관 및 공업용 음극선관 모두에 적용이 가능하다.
그리고, 상기한 도 7b의 실시예는 제2 절결부(44b)의 깊이(D2)가 인너 실드 높이(H)의 50%를 초과하므로, 이 실시예의 인너 실드(28b)는 공업용 음극선관에 적용이 가능한 특징을 갖는다.
도 7c는 상기한 도 5의 제3 변형 실시예를 도시한 것으로, 본 실시예의 인너 실드(28c)는 제2 절결부(44c)의 반경 중심(C2)이 단변 꼭지점을 연결한 가상선(L2)의 외측(전자총측)에 위치하는 것을 제외하고는 도 5의 실시예와 유사한 구성을 갖는다.
이상에서는 제2 절결부(44,44a,44b,44c)가 원호상으로 형성되는 것을 예로 들어 설명하였지만, 제2 절결부는, 제1 절결부의 단부와 제2 절결부의 폭방향 중심점을 연결하는 가상선보다 상기 스크린측 개구부를 향해 몸체 내부로 진입하여 형성되는 한 도 9 내지 도 11에 도시한 바와 같이 다양한 형태로 구성할 수 있다.
상기한 도 9 내지 도 11의 실시예들은 제2 절결부의 형상을 다양화 한 것으로, 도 9에 도시한 본 발명의 제2 실시예에 따른 인너 실드(46)의 절결부(48)는 도 6의 제1 실시예와 유사한 원호상의 형상을 갖는 팔각형 등의 다각형상의 제2 절결부(52)를 구비한다. 이 경우, 상기 다각형상의 제2 절결부(52)의 중심(C2)은 음극선관의 기종, 특성 등에 따라 전술한 실시예들에서와 마찬가지로 제1 절결부(50)의단부를 연결하는 가상선(L2)보다 내측 또는 외측에 위치하는 것이 모두 가능하며, 또한 반경(r), 깊이(D)의 크기도 조절이 가능하다.
도 10은 본 발명의 제3 실시예에 따른 인너 실드를 도시한 것으로, 본 실시예에 따른 인너 실드(54)의 절결부(56)는 제1 절결부(58) 및 타원상의 제2 절결부(60)를 구비한다. 도시하지는 않았지만 상기 제2 절결부(60)는 대략 타원상의 형상을 갖는 다각형상으로 형성될 수도 있다. 이와 같이 타원상, 또는 타원상의 다각형상으로 제2 절결부(60)를 형성한 경우에도 단축 반경(r)의 중심 위치(C2) 및 길이 조절이 모두 가능하다.
그리고, 도 11은 본 발명의 제4 실시예에 따른 인너 실드를 도시한 것으로, 본 실시예에 따른 인너 실드(62)의 절결부(64)는 제1 절결부(66) 및 사다리꼴 형상의 제2 절결부(68)를 구비한다.
상기에서는 본 발명의 바람직한 실시예에 대하여 설명하였지만, 본 발명은 이에 한정되는 것이 아니고 특허청구범위와 발명의 상세한 설명 및 첨부한 도면의 범위 안에서 여러 가지로 변형하여 실시하는 것이 가능하고 이 또한 본 발명의 범위에 속하는 것은 당연하다.
이상에서 설명한 바와 같이, 제1 및 제2 절결부를 갖는 본 발명의 인너 실드는 E-W 이동량 증가를 억제하면서 대각부 및 취약부에서의 N-S 이동량 특히 효과적으로 감소시킬 수 있으므로, 지자계 등의 외부 자계의 영향으로 인한 퓨리티 특성의 저하, 라스터 왜곡 및 컨버젼스 특성 변화를 상당히 개선할 수 있다.

Claims (24)

  1. 전자빔이 통과되는 스크린측 개구부 및 전자총측 개구부와;
    상기 전자총측 개구부를 넥크부 쪽으로 돌출시키는 한쌍의 장변 및 한쌍의 단변으로 이루어지는 몸체;
    를 포함하며,
    상기 단변은 전자총측 개구부 꼭지점으로부터 스크린측 개구부를 향해 경사진 방향으로 형성되는 한쌍의 제1 절결부와, 상기 제1 절결부의 단부를 연결하며 상기 스크린측 개구부를 향해 몸체 내부로 진입하여 형성되는 제2 절결부를 구비하고, 상기 제2 절결부는, 상기 제1 절결부의 단부와 제2 절결부의 폭방향 중심점을 연결하는 가상선보다 상기 스크린측 개구부를 향해 몸체 내부로 진입하여 형성되는 인너 실드.
  2. 제 1항에 있어서, 상기한 제2 절결부는 원호상 또는 대략 원호상의 형상을 갖는 다각형상으로 형성되는 인너 실드.
  3. 제 2항에 있어서, 상기 인너 실드의 양 개구부 사이 간격을 인너 실드의 높이(H)라 할 때, 제2 절결부의 깊이(D)는 0.4H ≤ D〈 0.5H의 범위를 만족하는 인너 실드.
  4. 제 2항에 있어서, 상기 인너 실드의 양 개구부 사이 간격을 인너 실드의 높이(H)라 할 때, 제2 절결부의 깊이(D)는 0.5H ≤ D의 범위를 만족하는 인너 실드.
  5. 제 3항 또는 제 4항에 있어서, 상기 제2 절결부의 반경 중심은 제1 절결부의 단부를 연결하는 가상선보다 내측에 위치하는 인너 실드.
  6. 제 3항 또는 제 4항에 있어서, 상기 제2 절결부의 반경 중심은 제1 절결부의 단부를 연결하는 가상선보다 외측에 위치하는 인너 실드.
  7. 제 1항에 있어서, 상기한 제2 절결부는 타원상, 또는 대략 타원상의 형상을 갖는 다각형상으로 형성되는 인너 실드.
  8. 제 7항에 있어서, 상기 인너 실드의 양 개구부 사이 간격을 인너 실드의 높이(H)라 할 때, 제2 절결부의 깊이(D)는 0.4H ≤ D〈 0.5H의 범위를 만족하는 인너 실드.
  9. 제 7항에 있어서, 상기 인너 실드의 양 개구부 사이 간격을 인너 실드의 높이(H)라 할 때, 제2 절결부의 깊이(D)는 0.5H ≤ D의 범위를 만족하는 인너 실드.
  10. 제 8항 또는 제 9항에 있어서, 상기 제2 절결부의 단축방향 반경 중심은 제1절결부의 단부를 연결하는 가상선보다 내측에 위치하는 인너 실드.
  11. 제 8항 또는 제 9항에 있어서, 상기 제2 절결부의 단축방향 반경 중심은 제1 절결부의 단부를 연결하는 가상선보다 외측에 위치하는 인너 실드.
  12. 제 1항에 있어서, 상기한 제2 절결부는 사다리꼴을 포함하는 다각형상으로 형성되는 인너 실드.
  13. 페이스 패널과 펀넬 및 넥크부로 이루어지는 튜브와;
    상기 넥크부에 장착되어 전자빔을 방출하는 전자총과;
    전자빔이 통과되는 스크린측 개구부 및 전자총측 개구부와; 상기 전자총측 개구부를 넥크부 쪽으로 돌출시키는 한쌍의 장변 및 한쌍의 단변으로 이루어지는 몸체;를 포함하며, 상기 전자빔의 이동 경로를 둘러싸도록 상기 튜브 내측에 장착되는 인너 실드;
    를 포함하며, 상기 인너 실드의 단변은 전자총측 개구부 꼭지점으로부터 스크린측 개구부를 향해 경사진 방향으로 형성되는 한쌍의 제1 절결부와, 상기 제1 절결부의 단부를 연결하며 상기 스크린측 개구부를 향해 몸체 내부로 진입하여 형성되는 제2 절결부를 구비하고, 상기 제2 절결부는, 상기 제1 절결부의 단부와 제2 절결부의 폭방향 중심점을 연결하는 가상선보다 상기 스크린측 개구부를 향해 몸체 내부로 진입하여 형성되는 인너 실드를 갖는 음극선관.
  14. 제 13항에 있어서, 상기한 제2 절결부는 원호상 또는 대략 원호상의 형상을 갖는 다각형상으로 형성되는 인너 실드를 갖는 음극선관.
  15. 제 14항에 있어서, 상기 인너 실드의 양 개구부 사이 간격을 인너 실드의 높이(H)라 할 때, 제2 절결부의 깊이(D)는 0.4H ≤ D〈 0.5H의 범위를 만족하는 인너 실드를 갖는 음극선관.
  16. 제 14항에 있어서, 상기 인너 실드의 양 개구부 사이 간격을 인너 실드의 높이(H)라 할 때, 제2 절결부의 깊이(D)는 0.5H ≤ D의 범위를 만족하는 인너 실드.
  17. 제 15항 또는 제 16항에 있어서, 상기 제2 절결부의 반경 중심은 제1 절결부의 단부를 연결하는 가상선보다 내측에 위치하는 인너 실드.
  18. 제 15항 또는 제 16항에 있어서, 상기 제2 절결부의 반경 중심은 제1 절결부의 단부를 연결하는 가상선보다 외측에 위치하는 인너 실드.
  19. 제 13항에 있어서, 상기한 제2 절결부는 타원상, 또는 대략 타원상의 형상을 갖는 다각형상으로 형성되는 인너 실드.
  20. 제 19항에 있어서, 상기 인너 실드의 양 개구부 사이 간격을 인너 실드의 높이(H)라 할 때, 제2 절결부의 깊이(D)는 0.4H ≤ D〈 0.5H의 범위를 만족하는 인너 실드.
  21. 제 19항에 있어서, 상기 인너 실드의 양 개구부 사이 간격을 인너 실드의 높이(H)라 할 때, 제2 절결부의 깊이(D)는 0.5H ≤ D의 범위를 만족하는 인너 실드.
  22. 제 20항 또는 제 21항에 있어서, 상기 제2 절결부의 단축방향 반경 중심은 제1 절결부의 단부를 연결하는 가상선보다 내측에 위치하는 인너 실드.
  23. 제 20항 또는 제 21항에 있어서, 상기 제2 절결부의 단축방향 반경 중심은 제1 절결부의 단부를 연결하는 가상선보다 외측에 위치하는 인너 실드.
  24. 제 13항에 있어서, 상기한 제2 절결부는 사다리꼴을 포함하는 다각형상으로 형성되는 인너 실드.
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