CN1495839A - 内部屏蔽及包括它的阴极射线管 - Google Patents

Abstract

本发明公开了一种用于阴极射线管的内部屏蔽，包括屏幕开口和电子束穿过的电子枪开口，以及包括互连而形成屏幕开口和电子枪开口的一对长部分和一对短部分的主体。阴极射线管包括内部屏蔽。每个短部分包括切开部分，该切开部分具有从电子枪开口开始并以预定角度朝屏幕开口延伸预定距离而形成的一对第一切开部分，和从第一切开部分终止处开始并朝屏幕开口向内延伸而形成的第二切开部分，第二切开部分形成为延伸过假想线，该假想线从第一切开部分终止处到第二切开部分向内的最远点，即，第二切开部分最靠近屏幕开口的点而形成。

Description

内部屏蔽及包括它的阴极射线管

技术领域

本发明涉及用于彩色阴极射线管的内部屏蔽，特别涉及可以有效地阻挡诸如地球磁场的外部磁场的用于彩色阴极射线管的内部屏蔽，以将由于外部磁场的涨落所引起的电子束误着屏减小到最小。本发明还涉及包括这种内部屏蔽的阴极射线管。

背景技术

彩色阴极射线管(CRT)是一种显示装置，其中，荧光屏由电子枪发射的三束电子束扫描，以实现特定的图像。三束电子束的路径由地球的北磁极和南磁极建立的地球磁场改变，由此对CRT的色纯度、光栅位置、和会聚特性造成负面影响。

地球磁场包括相对于地球表面垂直的垂直分量(地球的垂直磁场)，和与地球表面平行的水平分量(地球的水平磁场)。由地球的水平磁场引起的电子束移动根据CRT的方向可以分成南-北(N-S)电子束移动和东-西(E-W)电子束移动。

也就是说，参见图1A，N-S移动是指由图中平行于阴极射线管的管轴Z的垂直方向(N-S方向)的磁场(由箭头指示的磁场)引起的电子束移动。此外，参见图1B，E-W移动是指图中平行于阴极射线管的屏幕的水平方向(E-W方向)的磁场(由箭头指示的磁场)引起的电子束移动。

由地球磁场造成的被电子束接收的力包括水平分量和垂直分量，这个力几乎全部是影响CRT图像特性的水平分量。这是由于：在主要在消费CRT(也就是彩色显像管)中使用的具有细长垂直狭缝的荫罩以及主要在商业CRT(也就是彩色显示管)中使用的具有点形孔的荫罩的情况下，沿水平方向(X-轴方向)移动电子束的水平分量使电子束远离它们指定的狭缝或孔移动。

因此，内部屏蔽安装在CRT中以使由地球磁场影响所引起的电子束移动减小到最小。图2示出传统的内部屏蔽。

内部屏蔽100抵消在电子束路径周围的区域内的地球磁场或加强与该磁场的干涉，由此改变(在这些区域内的)地球磁场沿使电子束着屏变化最小的方向的分布。内部屏蔽100安装到荫罩框架(未示出)上并将电子束的路径包围在CRT的玻锥部分(未示出)之内。内部屏蔽100包括：电子枪开口102和电子束通过的屏幕开口104，以及一对长部分106和一对短部分108。长部分106和短部分108互连而形成电子枪开口102和屏幕开口104。

在形成电子枪开口102的每个短部分108的端部形成V形切开部分110，用于减小N-S电子束移动。V形切开部分110的深度h与N-S电子束移动量成反比，与E-W电子束移动量成正比，其中该深度h是从V形切开部分110的顶点到与形成电子枪开口102的长部分106的边缘齐平形成的虚线测量的。也就是说，V形切开部分110的深度h越大，N-S电子束移动量的减小越大，而E-W电子束移动量的增加越大。

由于对E-W电子束移动有负面影响而同时对N-S电子束移动有正面影响，V形切开部分110的深度h限定在预定范围内。这就是说，N-S电子束移动可以只控制到一点上。

图3示出屏幕的四分之一部分，其中X-轴表示自屏幕的中心0起沿水平方向的距离，Y-轴标识自屏幕的中心0起沿垂直方向的距离。

参见图3，由于在传统内部屏蔽100中切开部分形成为V形元件，尽管N-S电子束移动量在角区③有效地减小，但是，在其余测试区(①、②、④和⑤)中的N-S电子束移动量减小有限。特别是在屏幕边界量不足(也叫过剩边界(overspill))的区域④中，不可能有效减小N-S电子束移动量，因此，造成CRT的总体质量下降。

屏幕边界是指在出现电子束误着屏时电子束着屏在其他颜色的相邻荧光体上之前存在的边界量。屏幕边界受诸如节距(pitch)、荧光体宽度、电子束尺寸(荫罩孔尺寸)、着屏误差、和荧光体设置误差等因素的影响。

在荫罩和屏幕围绕穿过电子枪的管轴的线形成球形的CRT中，电子束的发射角偏差在屏幕的整个区域上引起相同的偏差量。但是，在荫罩和屏幕形成为平面结构的CRT中，屏幕上的偏差量在屏幕整个区域上不一致。也就是说，就平面的屏幕而言，同样的电子束发射角偏差在屏幕的外围区域处转换成屏幕上的更大的偏差量，为此，如上所述区域④中存在不足屏幕边界。

发明内容

在一个实施例中，本发明提供了一种用于彩色阴极射线管的内部屏蔽，它能有效地减小N-S电子束移动，同时防止E-W电子束移动量增大。本发明还提供具有内部屏蔽的阴极射线管。

用于阴极射线管的内部屏蔽包括：屏幕开口和电子束穿过的电子枪开口，以及包括一对长部分和一对短部分的主体，该长部分和短部分互连形成屏幕开口和电子枪开口。每个短部分包括切开部分，该切开部分具有：从电子枪开口起始并以预定角度朝屏幕开口延伸预定距离而形成的一对第一切开部分，以及从第一切开部分结束处开始并朝屏幕开口向内延伸而形成的第二切开部分，第二切开部分形成为穿过从第一切开部分结束处到第二切开部分向内的最远点而形成的假想线，该最远点也就是到第二切开部分最靠近屏幕开口的点。

在一个示例性实施例中，第二切开部分形成为圆弧或基本上是圆弧结构。这种情况下，如果第二切开部分用假想线延伸而形成由它的圆弧形起始的圆，那么该圆的中心比连接每个第一切开部分在电子枪开口中起始的两点所形成的假想线更靠近或更远离屏幕开口。

另一示例性的实施例中，第二切开部分形成为椭圆或基本上是椭圆形(椭圆)的预定部分。这种情况下，如果第二切开部分用假想线延伸而形成椭圆，那么该椭圆的中心比连接每个第一切开部分在电子枪开口内起始的两点所形成的假想线更靠近或更远离屏幕开口。

另一示例性实施例中，如果假想线在第一切开部分终止的两个点之间引出，那么第二切开部分形成为梯形，且假想线形成梯形的底。

在具有狭缝型荧光体图案的消费CRT(也叫彩色显像管)的情况下，本发明构造为切开部分的深度是内部屏蔽的高度的50％或更小，优选地在内部屏蔽的高度的44％～48％之间。这里，内部屏蔽的高度是作为电子枪开口与屏幕开口之间的长度来测量的，并且切开部分的深度是沿相同方向测量的。这种结构确保E-W电子束移动不会突然增大。

在具有点形荧光体图案的商业CRT(也叫彩色显示管)的情况下，本发明构造为切开部分的深度等于或大于内部屏蔽的高度的50％。

附图说明

包括在说明书中并构成说明书的一部分的附图示出本发明的实施例，并与说明书一起用于说明本发明的原理。

图1A和1B是用于说明N-S和E-W电子束移动的示意图；

图2是传统内部屏蔽的透视图；

图3示出CRT屏幕的四分之一，并指示测量由外部磁场引起的电子束N-S移动和E-W移动的各个点；

图4是根据本发明实施例的具有内部屏蔽的阴极射线管的后透视图；

图5是根据本发明第一实施例的内部屏蔽的透视图；

图6是图5所示内部屏蔽的侧视图；

图7A-7C分别是图5所示内部屏蔽的第一、第二、和第三改进例的侧视图；

图8是在图5所示的内部屏蔽和传统内部屏蔽用于阴极射线管时，用于比较朝图4的区域④移动的电子束上的水平力Fx的曲线；

图9是根据本发明第二实施例的内部屏蔽的侧视图；

图10是根据本发明第三实施例的内部屏蔽的侧视图；

图11是根据本发明第四实施例的内部屏蔽的侧视图。

具体实施方式

现在参见附图详细描述本发明的实施例。

图4是根据本发明实施例的具有内部屏蔽的阴极射线管的后透视图、透明图。

参见附图，根据本发明实施例的阴极射线管(CRT)10包括：面板12、颈部16、和互连面板12和颈部16的玻锥14。面板12、颈部16和玻锥14形成阴极射线管组件18，阴极射线管组件的内部保持高真空状态。

荧光屏12′形成在面板12的内表面上。荧光屏12′通过多个红、绿、和兰色荧光体构成。朝荧光屏12′发射电子束的电子枪20安装在颈部16中。而且偏转线圈(未示出)安装在玻锥14的外围。偏转线圈产生用于偏转从电子枪20发射的电子束的偏转磁场。

其中形成有多个电子束孔22的荫罩24由荫罩框架26悬挂在距离面板12的荧光屏12′预定距离处。阻磁器件(magnetic blocking device)、即、内部屏蔽28的一端安装到荫罩框架26。内部屏蔽28包围电子束路径的一部分。

在如上所述构造的CRT中，电子枪20发射的与图像信号相对应的电子束(未示出)由偏转线圈产生的磁场偏转并穿过荫罩24的电子束孔22，以经过颜色分离，由此着屏在荧光屏12′的指定荧光体上。

在上述过程中，电子束的路径受外部磁场的影响而改变。作用在每个电子束上的水平力Fx和垂直力Fy可以分别表示成：

    Fx＝-e(VyBz-VzBy)

    Fy＝-e(VxBz-VzBx)                   (公式1)

式中e是以库仑(C)为单位的电荷；Vx、Vy和Vz分别是电子束在CRT的水平方向(X-轴)、垂直方向(Y-轴)、和管轴方向(Z-轴)的速度(m/s)；Bx、By和Bz分别是地球磁场在CRT10的水平方向(X-轴)、垂直方向(Y-轴)、和管轴方向(Z-轴)的磁场分量的强度(T)。

如公式1所示，如果电子束的速度恒定不变，沿水平方向作用在每个电子束上的力Fx由每个电子束周围的地球磁场的强度确定。这就是说，力Fx与Bz和By之间的差成正比。同样，当假设电子束的速度恒定不变时，沿垂直方向作用在每个电子束上的力Fy与Bz和Bx之间的差成正比。

因此，显然，为了减小外部磁场引起的电子束的移动，平行于CRT10的管轴方向(Z-轴)的磁场分量Bz必须被导向磁场分量Bx或By。本发明的内部屏蔽利用下面描述的结构改变磁场的分布，使得电子束的N-S移动减小到最小。在下述的实施例中，内部屏蔽例如长约184mm、高约161mm。

图5是根据本发明第一实施例的内部屏蔽的透视图，而图6是图5的内部屏蔽的侧视图，例如，内部屏蔽应用于图4的CRT10。

根据本发明第一实施例的内部屏蔽28包括：一对在垂直方向(Y-轴方向)彼此相对设置的长部分30，和一对在水平方向(X-轴方向)彼此相对设置的短部分32。长部分30和短部分32互连以包围电子枪20发射的电子束的路径的一部分。

内部屏蔽28安装在CRT10中时，沿着长部分30最接近面板12的荧光屏12′的边缘形成凸缘34。凸缘34连接到荫罩框架26上，以实现将内部屏蔽28安装在CRT10的管组件18内。电子枪开口36和屏幕开口38用长部分30和短部分32确定，并形成在内部屏蔽28的相对端。也就是说，内部屏蔽28安装成使得屏幕开口38邻近荫罩24，而电子枪开口36最靠近电子枪20。

此外，切开部分40形成在形成电子枪开口36的短部分32的端部。切开部分40作用为使电子束的N-S电子束移动最小化。每个切开部分40包括：两个第一切开部分42，每个第一开口部分42从电子枪开口36开始并以预定的角度朝屏幕开口38延伸预定的距离而形成；以及第二切开部分44，该第二切开部分44从每个第一切开部分42终止处开始并以预定的圆弧形状朝屏幕开口38延伸预定的距离而形成。如图6所示，第二切开部分44的圆弧形状形成为圆弧延伸到外侧并包围两条假想线L1。每条假想线L1形成在相应的第一切开部分42的结束处与第二切开部分44向内最远的点C1，即，第二切开部分44最靠近屏幕开口38的点C1之间。

如果第二切开部分44利用假想线延伸而完成由它的圆弧形开始的圆，如图6所示，那么这个圆的半径约为75mm，且圆的中心C2比假想线L2更靠近屏幕开口38，其中该假想线L2是连接第一切开部分42中的第一切开部分42在电子枪开口36中开始处的点而形成的。

用于34英寸CRT中的内部屏蔽28的高度H(即，从屏幕开口38到电子枪开口36的距离)约为161mm。因此，按这种方式构成的切开部分40具有大约是内部屏蔽28的高度H的46％的深度。

图8中的曲线示出在从电子枪20发射的电子束在图3的区域④中移动的同时由外部磁场作用在电子束上的水平力Fx的测试结果。图8中，虚线曲线表示具有深度是内部屏蔽高度的46％的V形切开部分的传统内部屏蔽的效果，实线曲线表示图5和图6所示的根据本发明第一实施例的内部屏蔽28的效果。

图8中出现的椭圆形表示内部屏蔽的屏幕开口。从附图可以清楚看出，通过使用本发明第一实施例的内部屏蔽28，作用在电子束上的水平力Fx大于使用传统内部屏蔽时的情况。这表示，在本发明中，地球磁场在CRT的管轴方向上的分量Bz在较大的程度上转换成地球磁场在垂直方向上的分量By。

在图3的每个测试区域(①到⑤)的电子束的N-S移动量和E-W移动量在表1中示出。

表1

N-S移动(μm)

E-W移动(μm)

	①	②	③	④	⑤	①	②	③	④	⑤
											现有技术	43.6	46.9	43	46.3	20.6	0	39.5	63.6	53.9	42
实施例1	42.4	44.8	35.7	38.7	10.2	0	41.42	67.07	58.01	49.86
											改进例1	43.25	46.2	42.24	45.08	16.52	0	40.48	63.88	54.42	44.71
改进例2	41.42	42.4	21.3	28.75	12.24	0	42.39	75.2	63.95	49.47

如表1所示，与具有与本发明切开部分相同深度的V形切开部分的传统内部屏蔽相比，根据本发明第一实施例的内部屏蔽28明显减小电子束的N-S移动量。

因此，本发明的第一实施例的内部屏蔽28明显减小电子束的N-S移动量，同时防止电子束的E-W移动量增大。特别是在图3所示的区域③和④中实现了移动量明显减小。

图7A是根据本发明第一实施例的图5和6所示的内部屏蔽的第一改进例的侧视图。第一改进例中，只有根据本发明第一实施例的内部屏蔽28的第二切开部分44的结构变化(伴随有在根据本发明第一实施例的内部屏蔽28的第一切开部分42中产生的变化)。

更详细的说，像第一实施例一样，第一改进例的内部屏蔽28a包括在形成电子枪开口36的短部分32的端部形成的切开部分40a。每个切开部分40a包括：两个第一切开部分42a，它们从电子枪开口36开始并以预定的角度朝屏幕开口38延伸预定距离而形成；以及第二切开部分44a，该第二切开部分44a从第一切开部分42a终止处开始并以预定弧形朝屏幕开口38延伸预定距离而形成。

如果每个第二切开部分44a利用假想线延伸而完成由它的圆弧形开始的圆，如图7A所示，那么，该圆的半径r2是65mm。与第一实施例相比，半径的这种减小导致第一切开部分42a形成为长度比图5和6所示的第一实施例的第一切开部分42的长度长。第一改进例结构的其他部分与第一实施例的结构相同。

图7B是根据本发明第一实施例的图5和6所示的内部屏蔽的第二改进例的侧视图。

像第一实施例一样，第二改进例的内部屏蔽28b包括在形成电子枪开口36的短部分32的端部形成的切开部分40b。每个切开部分40b包括：两个第一切开部分，它们从电子枪开口36开始并沿预定的角度朝屏幕开口38延伸预定距离而形成；以及第二切开部分44b，它从第一切开部分42b终止处开始并以预定弧形朝屏幕开口38延伸预定距离而形成。

如果每个第二切开部分44b利用假想线延伸而完成由它的圆弧形开始的圆，如图7B所示，那么，该圆的半径r3约是85mm。与第一实施例的半径相比这种半径增大导致第一切开部分42b形成为长度比图5和6所示的第一实施例的第一切开部分42的长度小。第二改进例结构的其他部分与第一实施例的结构相同。

对图7A和7B所示的第一和第二改进例的N-S移动和E-W移动的测试结果也分别列于表1中。

第一实施例的内部屏蔽28和第一改进例的内部屏蔽28a都可以应用于CPT(彩色显像管)和CDT(彩色显示管)。这是因为，通过这些内部屏蔽28和28a，切开部分40和40a的深度D和D1可以小于内部屏蔽28和28a的高度H的50％，由此防止由E-W电子束移动增大而引起的图像质量下降。

上述的CPT是指在荧光屏12′上具有狭缝形的荧光体的CRT，其随着E-W电子束移动增大而图像质量下降。CDT是指在荧光屏12′上具有点形荧光体的CRT，其中E-W电子束移动被限制，以便E-W电子束移动对图像质量不造成显著影响。

如上所述，切开部分40和40a的深度D和D1小于内部屏蔽28和28a的高度H的50％，优选的是，切开部分40和40a的深度D和D1在内部屏蔽28和28a的高度H的40％～48％之间，由此允许内部屏蔽28和28a应用于CPT和CDT。

对于图7B的第二改进例，由于切开部分40b的深度D2大于内部屏蔽的高度H的50％，所以，该改进例的内部屏蔽28b可以用于CDT。

图7C是根据本发明第一实施例的图5和6所示的内部屏蔽的第三改进例的侧视图。

像第一实施例一样，第三改进例的内部屏蔽28c包括在形成电子枪开口36的短部分32的端部形成的切开部分40c。每个切开部分40c包括：两个第一切开部分42c，它们从电子枪开口36起始并以预定角度朝屏幕开口38延伸预定距离而形成，以及第二切开部分44c，它从第一切开部分42终止处开始并以预定圆弧形朝屏幕开口38延伸预定距离而形成。

如果每个第二切开部分44c利用假想线延伸而完成由它的圆弧形开始的圆，如图7C所示，那么，圆的中心C2定位于由内部屏蔽28c包围的区域的外侧。即，圆的中心C2定位于比假想线L2更远离屏幕开口38，其中假想线L2是通过连接第一切开部分42c中的第一切开部分42c在电子枪开口36中起始处的点而形成的。

在上述示例中，第二切开部分44、44a、44b和44c描述为形成为圆弧形。但是，只要第二切开部分延伸到外侧并包围从第一切开部分终止处到第二切开部分向内的最远点形成的假想线，第二切开部分可以形成各种不同的构型。图9～11示出这些不同构型的例子。

图9是根据本发明的第二实施例的内部屏蔽的侧视图。

如图9所示，像第一实施例一样，第二实施例的内部屏蔽46包括在形成电子枪开口36的短部分32的端部形成的切开部分48。每个切开部分48包括：两个第一切开部分50，它们从电子枪开口36起始并以预定角度朝屏幕开口38延伸预定距离而形成；以及第二切开部分52，它从第一切开部分50终止处开始并以预定形状朝屏幕开口38延伸预定距离而形成。

如图9所示，如果第二切开部分52利用假想线延伸，则第二切开部分52形成为多边形状，例如，八边形。这种情况下，第二切开部分52形成八边形的4个边。根据CRT的类型和特点，八边形的中心C2可以定位成比假想线L2更远离或靠近屏幕开口38，其中假想线38是通过连接第一切开部分50中的第一切开部分50在电子枪开口36中开始的点而形成的。此外，从C2到八边形的一个角的距离r和切开部分48的深度D可以根据需要变化。

图10是根据本发明第三实施例的内部屏蔽的侧视图。

像第一实施例一样，如图10所示，第三实施例的内部屏蔽54包括在形成电子枪开口36的短部分32的端部形成的切开部分56。每个切开部分56包括：两个第一切开部分58，它们从电子枪开口36起始并以预定角度朝屏幕开口38延伸预定距离而形成；以及第二切开部分60，它从第一切开部分50终止处开始并以预定构型朝屏幕开口38延伸预定距离而形成。

如图9所示，如果第二切开部分60利用假想线延伸，则第二切开部分60形成为椭圆形。尽管没有示出，第二切开部分60可以形成为其总体形状是椭圆形的多边形构型。在如图所示的第二切开部分60是椭圆形的情况下，第二切开部分60的尺寸可以变化。也就是说，从椭圆的中心C2到短轴端点(即，到两个共轭顶点中的一个顶点)的距离r可以根据需要变化。

图11是根据本发明第四实施例的内部屏蔽的侧视图。

像第一实施例一样，如图11所示，第四实施例的内部屏蔽62包括在形成电子枪开口36的短部分32的端部形成的切开部分64。每个切开部分64包括：两个第一切开部分66，它们从电子枪开口36开始并以预定角度朝屏幕开口38延伸预定距离而形成；以及第二切开部分68，它从第一切开部分66终止处开始并以预定构型朝屏幕开口38延伸预定距离而形成。

对于每个切开部分64，如果假想线69在第一切开部分66终止(或在第二切开部分68开始)的两个点之间引出，那么第二切开部分68形成梯形，且假想线69形成梯形的底。

如上所述，根据本发明的具有第一和第二切开部分的内部屏蔽在整个屏幕区域上能够有效减小外部磁场引起的电子束的N-S移动，同时防止E-W电子束移动的增大。因此，可以将诸如地球磁场的外部磁场引起的色纯度降低、光栅失真、和会聚特性变化减小到最小。

尽管以上已详细描述了本发明的多个实施例，但是可以清楚地理解到对本领域技术人员来说是显而易见的各种对在此教导地基本发明概念的变化和/或改进均落入所附权利要求书界定的本发明的精神和范围内。

Claims (24)

1.一种用于阴极射线管的内部屏蔽，包括：

屏幕开口和电子束穿过的电子枪开口；以及

主体，该主体包括一对长部分和一对短部分，它们互连而形成屏幕开口和电子枪开口；

其中，每个短部分包括切开部分，该切开部分具有：一对第一切开部分，它们从电子枪开口开始并以预定角度朝屏幕开口延伸预定距离而形成；以及第二切开部分，它从第一切开部分终止处开始并朝屏幕开口向内延伸而形成，第二切开部分形成为延伸穿过两条假想线，每条假想线形成在相应的第一切开部分结束处和第二切开部分的最靠近屏幕开口的点之间。

2.如权利要求1所述的内部屏蔽，其中，第二切开部分形成为大致圆弧形。

3.如权利要求2所述的内部屏蔽，其中，如果作为屏幕开口和电子枪开口之间的长度而测量的内部屏蔽的高度为H，沿相同方向从电子枪开口到第二切开部分的最靠近屏幕开口的点的切开部分的深度是D，那么切开部分的深度D满足0.4H≤D＜0.5H。

4.如权利要求2所述的内部屏蔽，其中，如果作为屏幕开口和电子枪开口之间的长度而测量的内部屏蔽的高度是H，沿相同方向从电子枪开口到第二切开部分的最靠近屏幕开口的点的切开部分的深度是D，那么切开部分的深度D满足D≥0.5H。

5.如权利要求2所述的内部屏蔽，其中，如果第二切开部分利用假想线延伸，而完成局部由大致圆弧形形成的圆，则该圆的中心比通过连接第一切开部分中的在每个第一切开部分在电子枪开口中起始处的两个点而形成的假想线更靠近屏幕开口。

6.如权利要求2所述的内部屏蔽，其中，如果第二切开部分利用假想线延伸，以完成局部由大致圆弧形形成的圆，那么该圆的中心比通过连接第一切开部分中的在每个第一切开部分于电子枪开口中开始处的两个点而形成的假想线更远离屏幕开口。

7.如权利要求1所述的内部屏蔽，其中，第二切开部分形成为大致椭圆形。

8.如权利要求7所述的内部屏蔽，其中，如果作为屏幕开口和电子枪开口之间的长度而测量的内部屏蔽的高度是H，沿相同方向从电子枪开口到第二切开部分的最靠近屏幕开口的点的切开部分的深度是D，那么切开部分的深度D满足0.4H≤D＜0.5H。

9.如权利要求7所述的内部屏蔽，其中，如果作为屏幕开口和电子枪开口之间的长度而测量的内部屏蔽的高度是H，且沿相同方向从电子枪开口到第二切开部分的最靠近屏幕开口的点的切开部分的深度是D，那么切开部分的深度D满足D≥0.5H。

10.如权利要求7所述的内部屏蔽，其中，如果第二切开部分利用假想线延伸，以完成大致椭圆形，那么该椭圆的中心比通过连接第一切开部分中的在每个第一切开部分于电子枪开口中起始处的两个点而形成的假想线更靠近屏幕开口。

11.如权利要求7所述的内部屏蔽，其中，如果第二切开部分利用假想线延伸以完成大致椭圆形，那么该椭圆的中心比通过连接第一切开部分中的在每个第一切开部分于电子枪开口中起始处的两个点而形成的假想线更远离屏幕开口。

12.如权利要求所述1的内部屏蔽，其中，如果假想线在第二切开部分起始处的两个点之间引出，那么第二切开部分形成为梯形，且假想线形成梯形的底。

13.一种具有内部屏蔽的阴极射线管，包括：

管组件，其包括面板、玻锥、和颈部；以及

内部屏蔽，其包括屏幕开口和电子束穿过的电子枪开口；以及主体，该主体包括一对长部分和一对短部分，所述一对长部分和一对短部分互连而形成屏幕开口和电子枪开口；内部屏蔽安装在管组件中，包围电子束路径的一部分，

其中，每个短部分包括切开部分，切开部分具有：一对第一切开部分，它们从电子枪开口起始并以预定角度朝屏幕开口延伸预定距离而形成；以及第二切开部分，它从第一切开部分终止处开始并朝屏幕开口向内延伸而形成，第二切开部分形成为延伸穿过两条假想线，每条假想线形成在相应的第一切开部分终止处和第二切开部分的最靠近屏幕开口的点之间。

14.如权利要求13所述的阴极射线管，其中，内部屏蔽的第二切开部分形成为大致圆弧形。

15.如权利要求14所述的阴极射线管，其中，如果作为屏幕开口和电子枪开口之间的长度而测量的内部屏蔽的高度为H，且沿相同方向从电子枪开口到第二切开部分的最靠近屏幕开口的点的切开部分的深度是D，那么切开部分的深度D满足0.4H≤D＜0.5H。

16.如权利要求14所述的阴极射线管，其中，如果作为屏幕开口和电子枪开口之间的长度而测量的内部屏蔽的高度是H，且沿相同方向从电子枪开口到第二切开部分的最靠近屏幕开口的点的切开部分的深度是D，那么切开部分的深度D满足D≥0.5H。

17.如权利要求14所述的阴极射线管，其中，如果内部屏蔽的第二切开部分利用假想线延伸，而完成局部由大致圆弧形形成的圆，则该圆的中心比通过连接第一切开部分中的在每个第一切开部分在电子枪开口中起始处的两个点而形成的假想线更靠近屏幕开口。

18.如权利要求14所述的阴极射线管，其中，如果内部屏蔽的第二切开部分利用假想线延伸，以完成局部由大致圆弧形形成的圆，那么该圆的中心比通过连接第一切开部分中的在每个第一切开部分于电子枪开口中开始处的两个点而形成的假想线更远离屏幕开口。

19.如权利要求13所述的阴极射线管，其中，内部屏蔽的第二切开部分形成为大致椭圆形。

20.如权利要求19所述的阴极射线管，其中，如果作为屏幕开口和电子枪开口之间的长度而测量的内部屏蔽的高度是H，且沿相同方向从电子枪开口到第二切开部分的最靠近屏幕开口的点的切开部分的深度是D，那么切开部分的深度D满足0.4H≤D＜0.5H。

21.如权利要求19所述的阴极射线管，其中，如果作为屏幕开口和电子枪开口之间的长度而测量的内部屏蔽的高度是H，且沿相同方向从电子枪开口到第二切开部分的最靠近屏幕开口的点的切开部分的深度是D，那么切开部分的深度D满足D≥0.5H。

22.如权利要求19所述的阴极射线管，其中，如果第二切开部分利用假想线延伸，以完成大致椭圆形，那么该椭圆的中心比通过连接第一切开部分中的在每个第一切开部分于电子枪开口中起始处的两个点而形成的假想线更靠近屏幕开口。

23.如权利要求19所述的阴极射线管，其中，如果第二切开部分利用假想线延伸以完成大致椭圆形，那么该椭圆的中心比通过连接第一切开部分中的在每个第一切开部分于电子枪开口中起始处的两个点而形成的假想线更远离屏幕开口。

24.如权利要求13所述的阴极射线管，其中，如果假想线在第二切开部分起始处的两个点之间引出，那么第二切开部分形成为梯形，且假想线形成梯形的底。

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