KR20040085700A

KR20040085700A - 플라즈마 디스플레이 패널 및 그 제조방법

Info

Publication number: KR20040085700A
Application number: KR1020030020491A
Authority: KR
Inventors: 임종래
Original assignee: 엘지전자 주식회사
Priority date: 2003-04-01
Filing date: 2003-04-01
Publication date: 2004-10-08

Abstract

본 발명은 방전공간을 확대 시킬 수 있는 플라즈마 디스플레이 패널 및 그 제조방법에 관한 것이다.

본 발명은 기판 상에 형성된 제1 격벽과; 상기 제1 격벽보다 유리분말의 조밀도가 낮은 제2 격벽을 구비하는 것을 특징으로 한다.

Description

플라즈마 디스플레이 패널 및 그 제조방법{PLASMA DISPLAY PANEL AND METHOD OF FABRICATING THE SAME}

본 발명은 플라즈마 디스플레이 패널의 제조방법에 관한 것으로, 특히 방전공간을 확대 시킬 수 있는 플라즈마 디스플레이 패널의 제조방법에 관한 것이다.

플라즈마 디스플레이 패널(Plasma Display Panel : 이하, "PDP"라 함)은 He+Xe, Ne+Xe 및 He+Ne+Xe 등의 가스 방전시 발생하는 147nm의 자외선에 의해 형광체를 발광시킴으로써 문자 또는 그래픽을 포함한 화상을 표시하게 된다. 이러한 PDP는 박막화와 대형화가 용이할 뿐만 아니라 최근의 기술 개발에 힘입어 크게 향상된 화질을 제공한다.

도 1을 참조하면, 어드레스전극(2)이 실장되어진 하부기판(14)과 유지전극쌍(4)이 실장되어진 상부 유리기판(16)을 구비하는 교류 구동방식의 PDP가 도시되어 있다.

어드레스전극(2)이 실장된 하부기판(14) 상에는 하부 유전체(18)와 방전셀들을 분할하는 격벽(8)이 형성된다. 하부 유전체(18)와 격벽(8)의 표면에는 형광체(6)가 도포된다. 형광체(6)는 플라즈마 방전시 발생되는 자외선에 의해 발광함으로써 가시광선을 발생한다.

유지전극쌍(4)이 실장된 상부기판(16)에는 상부 유전체(12)와 보호막(10)이 순차적으로 형성된다.

상부 유전체(12)는 플라즈마 방전시 벽전하를 축적하게 되고, 보호막(10)은 플라즈마 방전시 가스 이온의 스퍼터링으로부터 유지전극쌍(4)과 상부 유전체(12)를 보호함과 아울러 이차전자의 방출효율을 높이는 역할을 한다. 이러한 PDP의 방전셀들에는 He+Xe 또는 Ne+Xe의 혼합가스가 봉입된다.

격벽(8)은 방전셀간의 전기적·광학적 크로스토크(Crosstalk)를 방지하는 역할을 한다. 따라서, 격벽(8)은 표시품질과 발광효율을 위한 가장 중요한 요소이며 패널이 대형화·고정세화됨에 따라 격벽에 대한 다양한 연구가 이루어지고 있다.

특히, 패널의 고정세 패턴, 고주파(RF) PDP, 양광주 모드 활용의 PDP의 경우 방전 공간 확보를 위해 상대적으로 높은 높이의 격벽이 요구되고 있다.

격벽 제조방법으로는 인쇄법, 포토법, 샌드 블라스팅(Sand blasting)법 등이 적용되고 있다.

인쇄법은 공정이 간단하여 200㎛이상의 높은 격벽형성이 가능하나, 인쇄 과정 중에 스크린과 유리기판의 위치가 어긋나게 되면 격벽이 변형되므로 격벽(8)의 양면이 평탄하지 않고, 형상 정밀도가 떨어지는 단점이 있다.

포토법은 노광시 자외선의 투과 깊이의 한계로 인하여 높은 격벽형성의 어려움이 있다.

이하 샌드 블라스팅법을 이용한 격벽 제조방법을 도 2a 내지 도 2f 참조하여단계적으로 설명하기로 한다.

먼저, 도 2a에 도시된 바와 같이 하부기판(14) 상에 어드레스전극(2)을 형성하고, 어드레스전극(2)을 덮도록 상기 하부기판(14) 전면에 하부 유전체(18)를 도포한다. 하부 유전체(18) 상에 격벽용 페이스트(20)를 형성한다. 격벽용 페이스트(20)는 소정 높이를 가지게끔 인쇄법이나 코팅방법으로 형성된다. 이후, 격벽용 페이스트(20)를 건조시킨다.

도 2b에 도시된 바와 같이 격벽용 페이스트(20) 상에 드라이 필름 레지스트(Dry Film Resist ; 이하 "DFR")(22a)가 증착된다. 여기서, DFR(22a)과 하부기판(14)은 접합되도록 라미네이팅 공정이 수행된다. 라미네이팅 공정은 소정 온도로 열을 가하면서 균일한 압력을 가하는 공정으로서 이 라미네이팅 공정에 의해 DFR(22a)과 하부기판(14)이 접착된다.

이어서, DFR(22a) 상에 도 2c에 도시된 바와 같이 격벽을 형성하기 위한 마스크(24)를 정렬시킨다. 마스크는 일정한 간격으로 설치되는데, 광투과부(24a)와 광차단부(24b)가 번갈아 형성된다. 광투과부(24a)는 격벽이 형성될 영역에 해당하며 조사되는 광을 투과시켜 DFR(22a)이 광에 노출되도록 하고, 광차단부(24b)는 조사되는 광을 차단시켜 DFR(22a)이 광에 노출되지 않도록 한다. DFR(22a)은 노광 및 현상공정을 거치게 되면 도 2d에 도시된 바와 같이 광에 노출된 영역의 DFR(22a)은 남아있게 되며, 광에 노출되지 않은 영역의 DFR(22a)은 제거됨으로써 격벽용 페이스트(20) 상에 DFR패턴(22)이 형성된다. 현상공정에서 DFR패턴(22)을 현상하기 위해 사용되는 현상액은 Na₂O₃, NaOH, KOH 중 어느 하나이다.

이후, 도 2e에 도시된 바와 같이 도시되지 않은 샌드 블라스팅 장치를 이용하여 샌드 입자를 격벽용 페이스트에 분사시켜 격벽용 페이스트(20)를 패터닝하여 격벽이(8)이 형성된다. 여기서, 샌드 입자는 DFR패턴(22)이 형성되지 않은 영역의 격벽용 페이스트(20)를 제거시킨다.

이어서, 도 2f에 도시된 바와 같이 격벽(8) 상에 잔존하는 DFR패턴(22)을 제거한 후 격벽(8)을 소정온도로 소성한다. 이때, DFR패턴(22)을 제거하기 위한 스트립액은 아민계 염기성 수용액을 이용한다.

이러한 샌드 블라스팅법에 이용되는 격벽용 페이스트는 상대적으로 입자가 크고 조밀하지 못하기 때문에 200㎛ 이상의 높이를 가공할 경우, 격벽용 페이스트의 가운데 부분이 과식각 되어 격벽이 무너지는 문제점이 있다.

이를 상세히 설명하면, 도 3에 도시된 바와 같이 격벽용 페이스트를 패터닝하기 위해 분사되는 샌드입자(21)가 격벽용 페이스트(20)에 의해 반사되는 경우, 격벽용 페이스트(20)의 가운데 부분이 2차적으로 과식각된다. 이 경우, 격벽의 중심부분의 폭이 격벽의 최상부분의 폭보다 작기 때문제 격벽이 무너지는 문제가 발생한다.

따라서, 본 발명의 목적은 격벽의 높이를 높게 형성함으로써 방전공간을 확대 시킬 수 있는 플라즈마 디스플레이 패널 및 그 제조방법을 제공하는데 있다.

도 1은 교류 구동방식의 면방전형 플라즈마 디스플레이 패널을 나타내는 사시도.

도 2a 내지 도 2f는 도 1에 도시된 격벽의 제조방법을 나타내는 단면도.

도 3은 격벽용 페이스트의 중심부분의 불량을 나타내는 도면.

도 4은 본 발명의 제1 실시예에 따른 플라즈마 디스플레이 패널을 나타내는 사시도.

도 5a 내지 도 5e는 도 4에 도시된 격벽의 제조방법을 나타내는 단면도.

도 6은 제1 격벽과 제2 격벽의 얼마인을 설명하기 위한 도면.

도 7은 본 발명의 제2 실시예에 따른 플라즈마 디스플레이 패널을 나타내는 사시도.

도 8a 내지 도 8e는 도 7에 도시된 격벽의 제조방법을 나타내는 단면도.

<도면의 주요 부분에 대한 부호의 설명>

2, 102,202 : 어드레스전극 4 : 유지전극쌍

6, 106, 206: 형광체 8, 108, 208 : 격벽

10, 100, 200 : 보호막 18, 118, 218 : 유전체

14, 114, 214 : 하부기판 16, 116, 216 : 상부기판

상기 목적을 달성하기 위하여, 본 발명의 실시예에 따른 PDP는 기판 상에 형성된 제1 격벽과; 상기 제1 격벽보다 유리분말의 조밀도가 낮은 제2 격벽을 구비하는 것을 특징으로 한다.

상기 제2 격벽은, 상기 제1 격벽 상에 적층되는 다수의 격벽들을 포함하는 것을 특징으로 한다.

상기 다수의 격벽들은 상기 제1 격벽으로부터 위로 갈수록 유리분말의 조밀도가 낮은 것을 특징으로 한다.

상기 제1 격벽에 포함된 유리분말의 크기는 1㎛ 이하인 것을 특징으로 한다.

상기 제2 격벽에 포함된 유리분말의 크기는 3~5㎛ 인 것을 특징으로 한다.

상기 제1 및 제2 격벽이 적층된 총 높이는 500㎛ 이상인 것을 특징으로 한다.

본 발명의 실시예에 따른 PDP는 홈이 형성된 기판과; 상기 홈을 제외한 영역 상에 형성되는 격벽을 구비하는 것을 특징으로 한다.

상기 격벽은 상기 기판 상에 형성된 제1 격벽과; 상기 제1 격벽보다 유리분말의 조밀도가 낮은 제2 격벽을 구비하는 것을 특징으로 한다.

싱기 제2 격벽은 상기 제1 격벽 상에 적층되는 다수의 격벽들을 포함하며, 상기 다수의 격벽들은 상기 제1 격벽으로부터 위로 갈수록 유리분말의 조밀도가 낮은 것을 특징으로 한다.

상기 홈 내에 형성되는 어드레스전극과; 상기 어드레스전극 상에 형성되는 유전체를 추가로 구비하는 것을 특징으로 한다.

상기 홈의 깊이는 100~200㎛ 인 것을 특징으로 한다.

상기 홈의 깊이와 격벽의 높이의 합은 500㎛ 이상인 것을 특징으로 한다.

본 발명의 실시예에 따른 PDP의 제조방법은 기판 상에 형성된 제1 격벽을 형성하는 단계와; 상기 제1 격벽보다 유리분말의 조밀도가 낮은 제2 격벽을 상기 제1 격벽 상에 형성하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 한다.

상기 제1 격벽을 형성하는 단계는 상기 기판 상에 조밀도가 상대적으로 높은 유리분말로 이루어진 격벽재를 형성하는 단계와; 상기 격벽재 상에 드라이 필름 레지스트패턴을 형성하는 단계와; 상기 드라이 필름 레지스트패턴을 이용하여 상기 격벽재를 패터닝하는 단계와; 상기 패터닝된 격벽재를 소성하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 한다.

상기 제2 격벽을 형성하는 단계는 상기 기판 상에 조밀도가 상대적으로 낮은 유리분말로 이루어진 격벽재를 형성하는 단계와; 상기 격벽재 상에 드라이 필름 레지스트패턴을 형성하는 단계와; 상기 드라이 필름 레지스트패턴을 이용하여 상기 격벽재를 패터닝하는 단계와; 상기 패터닝된 격벽재를 소성하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 한다.

상기 소성 온도는 550~600℃ 인 것을 특징으로 한다.

상기 제2 격벽을 형성하는 단계는 상기 제1 격벽 상에 다수의 격벽들이 형성되는 것을 포함하는 것을 특징으로 한다.

본 발명의 실시예에 따른 PDP의 제조방법은 기판 상에 홈을 형성하는 단계와; 상기 홈이 형성된 기판 상에 상기 홈을 제외한 영역 상에 격벽을 형성하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 한다.

상기 격벽을 형성하는 단계는 상기 기판 상에 형성된 제1 격벽을 형성하는 단계와; 상기 제1 격벽보다 유리분말의 조밀도가 낮은 제2 격벽을 형성하는 것을 특징으로 한다.

상기 소성 온도는 550~600℃ 인 것을 특징으로 한다.

상기 홈 내에 어드레스전극을 형성하는 단계와; 상기 어드레스전극 상에 유전체를 형성하는 단계를 추가로 포함하는 것을 특징으로 한다.

상기 목적 외에 본 발명의 다른 목적 및 특징들은 첨부도면을 참조한 실시예에 대한 설명을 통하여 명백하게 드러나게 될 것이다.

이하, 도 4 내지 도 8을 참조하여 본 발명의 바람직한 실시 예에 대하여 설명하기로 한다.

도 4은 본 발명의 제1 실시예에 따른 PDP를 나타내는 사시도이다.

도 4을 참조하면, 어드레스전극(102)이 실장되어진 하부기판(114)과 유지전극쌍(104)이 실장되어진 상부 유리기판(116)을 구비하는 교류 구동방식의 PDP가 도시되어 있다.

어드레스전극(102)이 실장된 하부기판(114) 상에는 하부 유전체(118)와 방전셀들을 분할하는 격벽(108)이 형성된다. 하부 유전체(118)와 격벽(108)의 표면에는 형광체(106)가 도포된다. 형광체(106)는 플라즈마 방전시 발생되는 자외선에 의해 발광함으로써 가시광선을 발생한다.

유지전극쌍(104)이 실장된 상부기판(116)에는 상부 유전체(112)와 보호막(110)이 순차적으로 형성된다. 상부 유전체(112)은 플라즈마 방전시 벽전하를 축적하게 되고, 보호막(110)은 플라즈마 방전시 가스 이온의 스퍼터링으로부터 유지전극쌍(104)과 상부 유전체(112)를 보호함과 아울러 이차전자의 방출효율을 높이는 역할을 한다.

이러한 PDP의 방전셀들에는 He+Xe 또는 Ne+Xe의 혼합가스가 봉입된다.

격벽(108)은 상대적으로 입자크기가 작은 파우더를 사용하여 형성된 제1 격벽(105)과, 제1 격벽(105) 상에 형성되며 상대적으로 입자크기가 큰 파우더를 사용하여 형성된 제2 격벽(107)의 이중층 구조로 되어 있다. 예를 들어, 제1 격벽(105) 파우더의 입자의 크기는 1㎛이하이고 , 제2 격벽(107) 파우더의 입자의 크기는 3~5㎛ 정도이다.

이러한 격벽(108)은 방전셀간의 전기적·광학적 크로스토크(Crosstalk)를 방지하는 역할을 한다. 또한, 격벽(108)은 그 높이(d2)가 종래의 격벽의 높이(d1) 보다 높기 때문에 방전공간이 확대되어 방전 효율을 상승시킬 수 있다.

도 5a 내지 도 5e는 본 발명의 제1 실시예에 따른 격벽 제조방법을 나타내는 단면도이다.

먼저 도 5a에 도시된 바와 같이 하부기판(114) 상에 어드레스전극(102)을 형성하고, 어드레스전극(102)을 덮도록 상기 하부기판(114) 전면에 유전체(118)를 도포한다. 유전체(118) 상에 상대적으로 입자의 크기가 작은 파우더를 사용한 제1 격벽용 페이스트(120)를 형성한다. 격벽용 페이스트의 재료는 감광성 유리 등이 이용될수 있다. 제1 격벽용 페이스트에 이용되는 파우더의 입자의 크기는 1㎛ 이하이다. 제1 격벽용 페이스트(120)는 소정 높이를 가지게끔 인쇄법이나 코팅방법으로 형성된다. 예를 들어, 제1 격벽용 페이스트(120)의 높이는 200㎛ 이다. 이후, 제1 격벽용 페이스트(120)를 건조시킨다.

이어서, 격벽용 페이스트(120) 상에 드라이 필름 레지스트(Dry Film Resist ; 이하 "DFR")(122a)이 형성된다. 여기서, DFR(122a)과 하부기판(114)은 접합되도록 라미네이팅 공정이 수행된다. 라미네이팅 공정은 소정 온도로 열을 가하면서 균일한 압력을 가하는 공정으로서 이 라미네이팅 공정에 의해 DFR(122a)과 하부기판(114)이 접착된다.

이어서, DFR(122a) 상에 격벽을 형성하기 위한 마스크를(도시하지 않음) 정렬시킨다. 이 마스크를 이용한 노광 및 현상공정을 통해 DFR(122a)을 패터닝하므로써 도 5b에 도시된 바와 같이, 제1 격벽용 페이스트(120) 상에 DFR패턴(122)이 형성되다. 현상공정에서 DFR패턴(122)을 현상하기 위해 사용되는 현상액은 Na₂O₃, NaOH, KOH 중 어느 하나이다.

이후, 도시되지 않은 샌드 블라스팅 장치를 이용하여 샌드 입자를 격벽용 페이스트에 분사시켜 제1 격벽용 페이스트(120)를 패터닝한다. 여기서, 샌드 입자는 DFR패턴(122)이 형성되지 않은 영역의 제1 격벽용 페이스트(120)를 제거시킨다. 이어서, DFR패턴(122)을 제거한 후, 제1 격벽용 페이스트(120)를 소성함으로써 도 5c에 도시된 바와 같이, 상대적으로 조밀한 제1 격벽(105)이 완성된다. 여기서, 제1 격벽용 페이스트(120)의 소성온도는 550℃~600℃ 정도이다.

이어서, 제1 격벽(105)이 형성된 하부기판(114) 상에 상대적으로 입자가 큰 파우더를 사용한 제2 격벽용 페이스트(170)를 형성한다. 이때, 파우더의 입자의 크기는 3~5㎛ 정도이다. 제2 격벽용 페이스트(170)는 소정 높이를 가지게끔 인쇄법이나 코팅방법으로 형성된다. 예를 들어, 제2 격벽용 페이스트(170)의 높이는 200㎛이다. 이후, 제2 격벽용 페이스트(170)를 건조시킨다. 이어서, 제2 격벽용 페이스트(170) 상에 DFR이 증착된다. 여기서, DFR과 하부기판(114)은 접합되도록 라미네이팅 공정이 수행된다.

이어서, DFR 상에 격벽을 형성하기 위하여 투과부와 차단부를 갖는 마스크(150)와 하부기판(114)은 도 6에 도시된 바와 같이 얼라인마크(135)와 얼라인 홀(145)을 이용하여 정렬된다. 이때 얼라인마크(135)는 DFR상에 별도로 형성되거나 어드레스전극(102)과 동시에 형성되며, 얼라인 홀(145)은 얼라인마크(135)와 중첩되는 마스크기판을 관통하도록 형성된다. 이 얼라인마크(135)와 얼라인 홀(145)을 서로 일치시킴으로써 마스크(150)와 제1 격벽(105)이 형성된 하부기판(114)과 얼라인 된다.

이 제1 격벽(105)이 형성된 하부기판(114)과 정렬된 마스크(150)를 이용한 노광 및 현상공정을 통해 DFR을 패터닝함으로써 도 5d와 같이 제1 격벽((105) 상에 제2 격벽용 페이스트(170)와 DFR(172)이 형성된다.

이후, 도시되지 않은 샌드 블라스팅 장치를 이용하여 샌드 입자를 격벽용 페이스트에 분사시켜 제2 격벽용 페이스트(170)를 패터닝한다. 여기서, 샌드 입자는 DFR패턴(172)이 형성되지 않은 영역의 격벽용 페이스트(170)를 제거시킴으로서 도 5e에 도신된 바와 같이, 제1 격벽(105) 상에 제1 격벽(105)과 중첩되는 상대적으로 입자가 작은 제2 격벽(107)이 완성된다.

이로써 제1 및 제2 격벽 높이가 합쳐져 상대적으로 높은 높이의 격벽(108)이 형성된다.

상술한 격벽형성방법은 2회에 한정하여 기술하였지만, 격벽 파우더의 입자를조절하여 2회 이상 반복함으로써 500㎛ 이상의 격벽형성이 가능하다.

또한, 본 발명에 따른 격벽은 샌드 블라스팅법이외에 포토법, 인쇄법 등으로 형성될 수 있다.

도 7은 본 발명의 제2 실시예에 따른 PDP를 나타내는 사시도이다.

도 7을 참조하면, 어드레스전극(202)이 실장되어진 하부기판(214)과 유지전극쌍(204)이 실장되어진 상부 기판(216)을 구비하는 교류 구동방식의 PDP가 도시되어 있다. 어드레스전극(202)이 실장된 하부기판(214) 상에는 유전체(218)와 방전셀들을 분할하는 격벽(208)이 형성된다. 유전체(218)와 격벽(208)의 표면에는 형광체(206)가 도포된다. 형광체(206)는 플라즈마 방전시 발생되는 자외선에 의해 발광함으로써 가시광선을 발생한다.

유지전극쌍(204)이 실장된 상부기판(216)에는 상부 유전체(212)와 보호막(210)이 순차적으로 형성된다.

상부 유전체(212)는 플라즈마 방전시 벽전하를 축적하게 되고, 보호막(210)은 플라즈마 방전시 가스 이온의 스퍼터링으로부터 유지전극쌍(204)과 상부 유전체(212)를 보호함과 아울러 이차전자의 방출효율을 높이는 역할을 한다.

본 발명의 제2 실시예에 따른 PDP의 하부기판(214)은 어드레스전극(202)과 하부 유전체(218)가 형성될 영역에 홈(213)이 형성된다. 이 홈(213)에 의해 상부기판(216)과 하부기판(214) 및 격벽(208)사이에 마련된 방전공간이 넓어지게 된다. 즉, 방전공간은 종래 방전공간 보다 홈(213)의 깊이 만큼 넒어지게 된다.

격벽(208)은 하부기판(214)의 홈(213)을 제외한 영역에 형성된다. 격벽(208)의 높이(d3)는 종래의 격벽의 높이(d1) 보다 하부기판(214)의 홈(213)의 깊이만큼 높기 때문에 방전공간이 확대되어 방전 효율을 상승시키며, 방전셀간의 전기적·광학적 크로스토크(Crosstalk)를 방지하는 역할을 한다.

도 8a 내지 도 8e는 본 발명의 제2 실시예에 따른 격벽 제조방법을 나타내는 단면도이다.

먼저 하부기판(214) 상에 DFR이 형성된다. 여기서, DFR과 하부기판(214)은 접합되도록 라미네이팅 공정이 수행된다. 라미네이팅 공정은 소정 온도로 열을 가하면서 균일한 압력을 가하는 공정으로서 이 라미네이팅 공정에 의해 DFR과 하부기판(214)이 접착된다.

이어서, DFR상에 격벽을 형성하기 위한 마스크를(도시하지 않음) 정렬시킨다. 이 마스크를 이용한 노광 및 현상공정을 통해 DFR물질을 패터닝하므로써 도 8a에 도시된 바와 같이, 하부기판(214) 상에 DFR패턴(222)이 형성되다.

이후, 도시되지 않은 샌드 블라스팅 장치를 이용하여 샌드 입자를 하부기판(214) 분사시켜 패터닝한다. 여기서, 샌드 입자는 DFR패턴(222)이 형성되지 않은 영역의 하부기판(214)을 제거시킨다. 이로써, 하부기판(214)에는 홈(213)이 형성된다. 예를 들어, 홈의 깊이는 100~200㎛ 정도이다. 이어서, DFR패턴(222)을 제거한다. 한편, 샌드 블라스트법 이외에 레이저법, 에칭법 등이 이용될수 있다.

이어서, 도 8b에 도시된 바와 같이, 하부기판(214)의 홈(213)에 어드레스전극(202)을 형성하고, 어드레스전극(202)이 형성된 하부기판(214)의 홈(213)에 어드레스전극(202)을 덮도록 유전체(218)를 형성한다.

이어서, 유전체(218)가 형성된 하부기판(214) 상에 도 8c에 도시된 바와 같이 격벽용 페이스트(220)를 형성한다. 격벽용 페이스트(220)는 소정 높이를 가지게끔 인쇄법이나 코팅방법으로 형성된다. 예를 들어, 격벽용 페이스트의 높이는 200㎛ 정도이다. 이후, 격벽용 페이스트(220)를 건조시킨다.

그 다음, 격벽용 페이스트(220) 상에 DFR이 증착된다. 여기서, DFR과 하부기판(214)은 접합되도록 라미네이팅 공정이 수행된다. 라미네이팅 공정은 소정 온도로 열을 가하면서 균일한 압력을 가하는 공정으로서 이 라미네이팅 공정에 의해 DFR과 하부기판(214)이 접착된다.

이어서, DFR상에 격벽을 형성하기 위하여 투과부와 차단부를 구비하는 마스크를 이용한 노광 및 현상공정을 통해 도 8d와 같이 격벽용 페이스트(220) 상에 DFR패턴(272)이 형성된다.

이후, 도시되지 않은 샌드 블라스팅 장치를 이용하여 샌드 입자를 격벽용 페이스트에 분사시켜 격벽용 페이스트(220)를 패터닝한다. 여기서, 샌드 입자는 DFR패턴(272)이 형성되지 않은 영역의 격벽용 페이스트(220)를 제거시킨다.

이어서, DFR패턴(272)을 제거한 후, 격벽용 페이스트(220)를 소성함으로써 도 8e에 도시된 바와 같이 격벽(208)을 완성한다. 여기서, 격벽용 페이스트(220)의 소성온도는 550℃~600℃ 정도이다.

이와 같이, 하부기판(214)의 홈(213)을 제외한 영역은 격벽의 역할을 함으로써 격벽이 실질적으로 증가한 결과가 된다.

또한, 본 발명의 제2 실시예에서 기술한 격벽은 제1 실시예에서 기술한 격벽과 동일하게 다층으로 형성될 수도 있다.

상술한 바와 같이, 본 발명에 따른 플라즈마 디스플레이 패널은 다층으로 격벽을 형성하거나 하부기판에 홈을 형성하고 그 홈을 제외한 영역에 격벽을 형성함으로써 격벽의 높이를 높게 형성할수 있다. 이로써 PDP의 방전공간이 확대되어 방전 효율을 상승시킬 수 있다. 또한 격벽을 높게 형성함으로써 형광체 도포면적의 확대로 인해 발광효율이 향상된다.

또한, 본 발명에 따른 플라즈마 디스플레이 패널은 높은 높이의 격벽이 요구되는 고주파(RF) 플라즈마 디스플레이 패널 및 양광주 플라즈마 디스플레이 패널에 적용이 가능하다.

이상 설명한 내용을 통해 당업자라면 본 발명의 기술사상을 일탈하지 아니하는 범위에서 다양한 변경 및 수정이 가능함을 알 수 있을 것이다. 따라서, 본 발명의 기술적 범위는 명세서의 상세한 설명에 기재된 내용으로 한정되는 것이 아니라 특허 청구의 범위에 의해 정하여져야만 할 것이다.

Claims

기판 상에 형성된 제1 격벽과;

상기 제1 격벽보다 유리분말의 조밀도가 낮은 제2 격벽을 구비하는 것을 특징으로 하는 플라즈마 디스플레이 패널.
제 1 항에 있어서,

상기 제2 격벽은,

상기 제1 격벽 상에 적층되는 다수의 격벽들을 포함하는 것을 특징으로 하는 플라즈마 디스플레이 패널.
제 2 항에 있어서,

상기 다수의 격벽들은 상기 제1 격벽으로부터 위로 갈수록 유리분말의 조밀도가 낮은 것을 특징으로 하는 플라즈마 디스플레이 패널.
제 1 항에 있어서,

상기 제1 격벽에 포함된 유리분말의 크기는 1㎛ 이하인 것을 특징으로 하는 플라즈마 디스플레이 패널.
제 1 항에 있어서,

상기 제2 격벽에 포함된 유리분말의 크기는 3~5㎛ 인 것을 특징으로 하는 플라즈마 디스플레이 패널.
제 1 항에 있어서,

상기 제1 및 제2 격벽이 적층된 총 높이는 500㎛ 이상인 것을 특징으로 하는 플라즈마 디스플레이 패널.
홈이 형성된 기판과;

상기 홈을 제외한 영역 상에 형성되는 격벽을 구비하는 것을 특징으로 하는 플라즈마 디스플레이 패널.
제 7 항에 있어서,

상기 격벽은,

상기 기판 상에 형성된 제1 격벽과;

상기 제1 격벽보다 유리분말의 조밀도가 낮은 제2 격벽을 구비하는 것을 특징으로 하는 플라즈마 디스플레이 패널.
제 8 항에 있어서,

싱기 제2 격벽은,

상기 제1 격벽 상에 적층되는 다수의 격벽들을 포함하며,

상기 다수의 격벽들은 상기 제1 격벽으로부터 위로 갈수록 유리분말의 조밀도가 낮은 것을 특징으로 하는 플라즈마 디스플레이 패널.
제 7 항에 있어서,

상기 홈 내에 형성되는 어드레스전극과;

상기 어드레스전극 상에 형성되는 유전체를 추가로 구비하는 것을 특징으로 하는 플라즈마 디스플레이 패널.
제 7 항에 있어서,

상기 홈의 깊이는 100~200㎛ 인 것을 특징으로 하는 플라즈마 디스플레이 패널.
제 7 항에 있어서,

상기 홈의 깊이와 격벽의 높이의 합은 500㎛ 이상인 것을 특징으로 하는 플라즈마 디스플레이 패널.
기판 상에 형성된 제1 격벽을 형성하는 단계와;

상기 제1 격벽보다 유리분말의 조밀도가 낮은 제2 격벽을 상기 제1 격벽 상에 형성하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 플라즈마 디스플레이 패널의 제조방법.
제 13 항에 있어서,

상기 제1 격벽을 형성하는 단계는

상기 기판 상에 조밀도가 상대적으로 높은 유리분말로 이루어진 격벽재를 형성하는 단계와;

상기 격벽재 상에 드라이 필름 레지스트패턴을 형성하는 단계와;

상기 드라이 필름 레지스트패턴을 이용하여 상기 격벽재를 패터닝하는 단계와;

상기 패터닝된 격벽재를 소성하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 플라즈마 디스플레이 패널의 제조방법.
제 13 항에 있어서,

상기 제2 격벽을 형성하는 단계는,

상기 기판 상에 조밀도가 상대적으로 낮은 유리분말로 이루어진 격벽재를 형성하는 단계와;

상기 격벽재 상에 드라이 필름 레지스트패턴을 형성하는 단계와;

상기 드라이 필름 레지스트패턴을 이용하여 상기 격벽재를 패터닝하는 단계와;

상기 패터닝된 격벽재를 소성하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 플라즈마 디스플레이 패널의 제조방법.
제 14 항 또는 제 15 항에 있어서,

상기 소성 온도는 550~600℃ 인 것을 특징으로 하는 플라즈마 디스플레이 패널의 제조방법.
제 13 항에 있어서,

상기 제2 격벽을 형성하는 단계는

상기 제1 격벽 상에 다수의 격벽들이 형성되는 것을 포함하는 것을 특징으로 하는 플라즈마 디스플레이 패널의 제조방법.
제 17 항에 있어서,

상기 다수의 격벽들은 상기 제1 격벽으로부터 위로 갈수록 유리분말의 조밀도가 낮은 것을 특징으로 하는 플라즈마 디스플레이 패널의 제조방법.
기판 상에 홈을 형성하는 단계와;

상기 홈이 형성된 기판 상에 상기 홈을 제외한 영역 상에 격벽을 형성하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 플라즈마 디스플레이 패널의 제조방법.
제 19 항에 있어서,

상기 격벽을 형성하는 단계는

상기 기판 상에 형성된 제1 격벽을 형성하는 단계와;

상기 제1 격벽보다 유리분말의 조밀도가 낮은 제2 격벽을 형성하는 것을 특징으로 하는 플라즈마 디스플레이 패널.
제 20 항에 있어서,

상기 제1 격벽을 형성하는 단계는,

상기 기판 상에 조밀도가 상대적으로 높은 유리분말로 이루어진 격벽재를 형성하는 단계와;

상기 격벽재 상에 드라이 필름 레지스트패턴을 형성하는 단계와;

상기 드라이 필름 레지스트패턴을 이용하여 상기 격벽재를 패터닝하는 단계와;

상기 패터닝된 격벽재를 소성하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 플라즈마 디스플레이 패널의 제조방법.
제 20 항에 있어서,

상기 제2 격벽을 형성하는 단계는

상기 기판 상에 조밀도가 상대적으로 낮은 유리분말로 이루어진 격벽재를 형성하는 단계와;

상기 격벽재 상에 드라이 필름 레지스트패턴을 형성하는 단계와;

상기 드라이 필름 레지스트패턴을 이용하여 상기 격벽재를 패터닝하는 단계와;

상기 패터닝된 격벽재를 소성하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 플라즈마 디스플레이 패널의 제조방법.
제 21 항 또는 제 22 항에 있어서,

상기 소성 온도는 550~600℃ 인 것을 특징으로 하는 플라즈마 디스플레이 패널의 제조방법.
제 19 항에 있어서,

상기 홈 내에 어드레스전극을 형성하는 단계와;

상기 어드레스전극 상에 유전체를 형성하는 단계를 추가로 포함하는 것을 특징으로 하는 플라즈마 디스플레이 패널의 제조방법.