KR20040081885A - 지문 인식장치 및 이의 제조방법 - Google Patents

Abstract

개구율을 향상시키기 위한 지문 인식장치 및 이의 제조방법이 개시된다. 지문 인식장치는 스위칭 트랜지스터와 센서 트랜지스터를 포함한다. 스위치 트랜지스터의 소오스 전극은 센서 트랜지스터의 게이트 전극으로도 이용되고, 센서 트랜지스터의 드레인 전극은 스위치 트랜지스터에 광이 도달되는 것을 방지하기 위한 광차단층으로도 이용된다. 또한, 센서 트랜지스터의 게이트 전극 일부를 노출시키기 위한 콘택홀을 통해 센서 트랜지스터의 소오스 전극과 게이트 전극이 전기적으로 접속된다. 이러한, 지문 인식장치 및 이의 제조방법에 따르면, 개구율을 증가시킬 수 있고, 지문 인식동작의 안정성을 향상시킬 수 있다.

Description

지문 인식장치 및 이의 제조방법{FINGERPRINTING DEVICE AND METHOD FOR FABRICATING THE SAME}

본 발명은 지문 인식장치 및 이의 제조방법에 관한 것으로서, 보다 상세하게는 개구율을 향상시키기 위한 지문 인식장치 및 이의 제조방법에 관한 것이다.

a-Si 박막 트랜지스터 액정표시장치(Thin Film Transistor Liquid Crystal Display; 이하, TFT-LCD라 칭함)는 평판 디스플레이 장치(FPD: Flat Panel Display)의 하나로서, 노트북 컴퓨터, 모니터, 텔레비전, 모바일 단말기 등에 널리 사용되고 있다.

여기서, a-Si TFT-LCD는 스위칭 기능을 가지고 있어 디스플레이 소자로 사용된다. 또한, a-Si TFT-LCD는 빛을 받으면 화학적으로 변하는 감광성이 있어 광 감지 센서로 바이오 매트릭스(biometrics) 산업에도 널리 이용되고 있다.

바이오 매트릭스 산업은 지문, 음성, 얼굴, 손 또는 홍채와 같은 개인의 특유한 특징을 이용한 개인 인증 시스템에 관한 것이다. 여기서, 비용, 사용의 편의성 및 정확성의 측면에서 개인의 특유한 특징 중 지문을 이용한 개인 인증 방법이 널리 사용되고 있다.

일반적인 지문 인식장치에는 광학 센서를 이용하는 광학식과 실리콘 칩 기판의 센서를 이용한 반도체식이 있다.

광학식은 지문 영상의 품질이 높은 장점이 있지만 이미지 왜곡에 약하고 소형화가 어려우며 가격이 높은 단점이 있다. 특히, 다수의 렌즈 사용으로 경박 단소가 불가능하므로, 모바일 단말기 등에는 적합하지 않다.

한편, 반도체식 중 CMOS 공정을 활용하는 방식은 CMOS 공정으로 제작함에 의해 소형화가 가능하나, 정전기나 기타 외부 환경에 약하여 신뢰성이 떨어지는 단점이 있다.

점차적으로 모바일 단말기의 사용이 증가함에 따라 상기한 지문 인식장치는 모바일 단말기에 적합하도록 가볍고 소형일 뿐만 아니라 내구성 및 안정성이 요구되어지고 있다.

최근, 모발용으로서의 요구 조건을 만족하는 a-Si TFT 지문 인식장치가 개발되었고, 비교적 얇은 구조로써 높은 감광성을 얻을 수 있다.

도 1은 종래 기술에 따른 지문 인식 TFT 기판의 단면을 나타낸 단면도이다.

도 1에 도시된 바와 같이, 종래 기술에 따른 지문 인식 TFT 기판은 투명기판(100)상에 형성된 스위칭 TFT(110), 센서 TFT(130) 및 저장 커패시터(140)를 포함한다.

여기서, 센서 TFT(130)의 드레인 전극(132)은 외부 전원선(Vd)에 연결되어 있고, 센서 TFT(130)의 소오스 전극(134)과 스위칭 TFT(110)의 소오스 전극(112)은 제1 전극(142)을 통하여 전기적으로 연결되어 있다. 스위칭 TFT(110)의 드레인 전극(114)은 센서 신호 출력 라인(Readout)에 연결되어 있다. 센서 TFT(130)의 게이트 전극(136)은 센서 TFT 게이트 라인에 연결되어 있고, 스위칭 TFT(110)의 게이트 전극(116)은 스위칭 TFT 게이트 라인에 연결되어 있다. 또한, 제2 전극(144)은 센서 TFT 게이트 라인에 연결되어 있다.

제1 전극(142)과 제2 전극(144) 사이에는 절연층(146)이 위치하므로, 제1 전극(142)과 제2 전극(144)은 저장 커패시터(140)로서 역할을 한다. 이때, 저장 커패시터(140)는 센서 TFT(130)로 입력되는 광의 양에 비례하여 전하를 충전시키는 역할을 한다.

스위칭 TFT(110)의 소오스 전극(112)과 드레인 전극(114) 사이에는 비정실 실리콘(a-Si)으로 이루어진 제1 채널 영역(118)이 형성되고, 센서 TFT(130)의 소오스 전극(132)과 드레인 전극(134) 사이에는 비정질 실리콘으로 이루어진 제2 채널 영역(138)이 형성된다. 여기서, 제2 채널 영역(138)에 일정 량 이상의 광이 수광되면 센서 TFT(130)의 소오스 전극(134)과 드레인 전극(136)이 전기적으로 도통된다.

또한, 스위칭 TFT(110)의 게이트 전극(116) 상부에는 절연시키기 위한 게이트 절연막(120)이 형성된다.

한편, 스위칭 TFT(110)와 센서 TFT(130)가 형성된 투명 기판(100) 전면에 제1 보호막(150)이 형성되고, 스위칭 TFT(110)의 드레인 전극(114)과 소오스 전극(112)의 상부에는 광이 수광되는 것을 방지하기 위한 광 차단층(shielding layer)(160)이 형성된다. 또한, 광 차단층(160)이 형성된 투명 기판(100) 상에는 제2 보호막(170)이 형성된다.

상기한 바와 같이, 종래 기술에 따른 지문 인식 TFT 기판상의 하나의 화소 내에 스위칭 TFT와 센서 TFT가 구성되므로, 일반적인 LCD용 TFT보다 개구율이 떨어져 모발 디바이스에 장착될 경우 화면의 밝기가 현저히 저하되는 문제점이 있다.

따라서, 본 발명은 상기한 종래의 문제점을 해결하기 위하여 안출된 것으로서, 본 발명의 목적은 개구율을 향상시키기 위한 지문 인식장치를 제공함에 있다.

또한, 본 발명의 다른 목적은 상기한 지문 인식장치의 제조방법을 제공함에 있다.

도 1은 종래 기술에 따른 지문 인식 TFT 기판의 단면을 나타낸 단면도이다.

도 2는 본 발명의 일 실시예에 따른 지문 인식 TFT 기판의 단면을 나타낸 단면도이다.

도 3은 도 2의 단위셀의 스위칭 TFT 및 센서 TFT에 대한 등가회로도이다.

도 4a 내지 도 4g는 도 2에 도시된 지문 인식 TFT 기판의 제조 공정을 설명하기 위한 제조 공정 단면도이다.

*도면의 주요부분에 대한 부호의 설명*

200 : 지문 인식 TFT 기판 202 : 투명기판

210 : 스위칭 TFT 230 : 센서 TFT

408 : 제1 소오스 전극 414 : 콘택홀

420 : 제2 소오스 전극 422 : 제2 드레인 전극

상술한 목적을 달성하기 위한 본 발명의 지문 인식장치는 투명기판 상의 제1 영역에 형성되는 제1 게이트 전극; 제1 게이트 전극 상에 형성되는 제1 게이트 절연막; 제1 게이트 절연막이 형성된 투명기판 상의 제1 영역에 형성되는 제1 드레인 전극; 제1 게이트 전극이 절연된 투명기판 상의 제1 영역 및 제2 영역에 형성되는 제1 소오스 전극; 제1 드레인 전극 및 제1 소오스 전극이 형성된 투명기판 전면에 형성되고, 제2 영역에 형성된 제2 소오스 전극의 일부가 노출되는 콘택홀을 갖는 제2 게이트 절연막; 제2 게이트 절연막 상의 제2 영역에 형성되는 채널층; 채널층이 형성된 투명기판 상의 제2 영역과 제1 드레인 전극 및 제1 소오스 전극에 대응하도록 제1 영역에 형성된 제2 드레인 전극; 채널층이 형성된 투명기판 상의 제2 영역에 형성되고, 콘택홀을 통해 제1 소오스 전극과 접속되는 제2 소오스 전극; 및 제2 소오스 전극이 형성된 투명 기판상에 형성되는 저장 커패시터를 포함한다. 여기서, 제1 소오스 전극은 제2 영역에서 제2 트랜지스터의 게이트 전극이다.

또한, 제1 트랜지스터는 스위칭 박막 트랜지스터이고, 제2 트랜지스터는 센서 박막 트랜지스터이며, 제2 드레인 전극은 제1 영역에서 제1 트랜지스터에 광이 도달되는 것을 방지하는 광차단층이다.

본 발명의 지문 인식장치 제조방법은 투명기판 상의 제1 영역에 제1 게이트 전극을 형성하는 단계; 제1 게이트 전극 상에 제1 게이트 절연막을 형성하는 단계; 제1 게이트 절연막이 형성된 투명기판 상의 제1 영역에 제1 드레인 전극을 형성하는 단계; 제1 게이트 전극이 절연된 투명기판 상의 제1 영역 및 제2 영역에 제1 소오스 전극을 형성하는 단계; 제2 영역에 형성된 제2 소오스 전극의 일부가 노출되는 콘택홀을 갖고, 제1 드레인 전극 및 제1 소오스 전극이 형성된 투명기판 전면에 절연막을 형성하는 단계; 절연막 상의 제2 영역에 채널층을 형성하는 단계; 채널층이 형성된 상기 투명기판 상의 제2 영역과 제1 드레인 전극 및 제1 소오스 전극에 대응하도록 제1 영역에 제2 드레인 전극을 형성하는 단계; 콘택홀을 통해 제1 소오스 전극과 접속되고, 채널층이 형성된 투명기판 상의 제2 영역에 제2 소오스 전극을 형성하는 단계; 및 제2 소오스 전극이 형성된 투명 기판상에 저장 커패시터를 형성하는 단계를 포함한다.

이러한, 지문 인식장치 및 이의 제조방법에 따르면, 개구율을 증가시킬 수 있고, 지문 인식동작의 안정성을 향상시킬 수 있다.

이하, 본 발명의 바람직한 실시예에 따른 지문 인식장치를 첨부 도면을 참조하여 상세히 설명한다.

도 2는 본 발명의 일 실시예에 따른 지문 인식 TFT 기판의 단면을 나타낸 단면도이고, 도 3은 도 2의 단위셀의 스위칭 TFT 및 센서 TFT에 대한 등가회로도이다.

도 2 및 도 3을 참조하면, 본 발명에 따른 지문 인식 TFT 기판(200)은 투명 기판(202) 상에 형성된 스위칭 TFT(210), 센서 TFT(230) 및 저장 커패시터(240)를 포함한다.

여기서, 스위칭 TFT(210)의 드레인 전극(212)은 센서 신호 출력라인(Readout)에 연결되어 있고, 스위칭 TFT(210)의 소오스 전극(214)은 상부에 형성되는 센서 TFT(230)의 게이트 전극(232)으로도 이용된다. 즉, 스위칭 TFT(210)의 소오스 전극(214)은 스위칭 TFT 형성 영역에서는 스위칭 TFT(210)의 소오스 전극으로 이용되고, 센서 TFT 형성 영역에서는 센서 TFT(230)의 게이트 전극으로 이용된다.

또한, 센서 TFT(230)의 게이트 절연막(234) 증착시 형성된 콘택홀(236)은 센서 TFT(230)의 게이트 전극(232) 및 소오스 전극(238)을 전기적으로 연결한다. 센서 TFT(230)의 드레인 전극(240)은 스위칭 TFT(210)의 제1 채널층(216)을 완전히 덮는 형태로 형성되어 광 차단층의 역할도 수행한다.

센서 TFT(230)의 드레인 전극(240)은 외부 전원선(Vd)에 연결되어 있고, 스위칭 TFT(210)의 드레인 전극(212)은 센서 신호 출력라인(Readout)에 연결되어 있다.

제1 전극(242) 및 제2 전극(244)은 사이에 위치하는 절연층(246)에 의해 저장 커패시터(240)로서 역할을 수행하고, 제2 전극(246)은 센서 TFT 게이트라인에 연결되어 있다. 여기서, 저장 커패시터(240)는 센서 TFT(230)로 입력되는 광의 양에 비례하여 전하를 충전시키는 역할을 한다.

센서 TFT(230)의 소오스 전극(238)과 드레인 전극(240) 사이에는 비정질 실리콘(a-Si)으로 이루어진 제2 채널층(242)이 형성된다. 제2 채널층(242)에 일정 광량 이상의 빛이 수광되면 센서 TFT(230)의 소오스 전극(238)과 드레인 전극(240)이 전기적으로 도통된다.

사용자가 손가락의 지문을 지문 인식 TFT 기판(200)에 밀착하면, 투명기판(202) 하부의 백라이트(도시되지 않음) 등으로부터 발생된 광이 TFT LCD 패널의 액정층(도시되지 않음)을 거친 후 지문 인식 TFT 기판(200)으로 입사된다.

지문 인식 TFT 기판(200)으로 입사된 광은 지문 패턴에 따라 반사되어 센서 TFT(230)의 제2 채널층(242)에 수광되고, 제2 채널층(242)에 수광된 광에 의해 센서 TFT(230)는 도통되어 저장 커패시터(240)에는 수광된 광 량에 비례하는 전하가 충전된다.

또한, 저장 커패시터(240)의 제2 전극(244)이 형성된 투명 기판(202) 전면에 보호층(250)이 형성된다.

여기서, TFT 지문 인식 기판의 단위셀에 대한 지문 인식 원리를 도 3을 참조하여 보다 상세히 설명하면 다음과 같다.

센서 TFT(230)의 드레인 단자(D)에 소정 전압 레벨의 직류 전압(Vd)이 인가되고, 게이트 단자(G)에는 소정 레벨의 바이어스 전압이 인가된다.

스위칭 TFT(230)는 게이트 단자(G)를 통해 게이트 구동부(도시되지 않음)로부터 인가되는 게이트 구동 신호를 인가받아 스위칭 동작을 한다. 여기서, 게이트 구동부는 지문을 스캐닝하도록 설정된 매 프레임마다 스위칭 TFT(230)를 스위칭하기 위한 게이트 구동신호를 출력함으로써, TFT 지문 인식 기판을 통해 입력된 지문의 영상을 배열된 각 센서 TFT(230) 별로 스캔한 프레임을 형성하도록 한다.

또한, 스위칭 TFT(210)의 드레인 단자(G)는 센싱 신호 출력라인(Readout)을 통하여 외부의 데이터 독출부(도시되지 않음) 내의 증폭부(도시되지 않음)에 연결되어, 스위칭 TFT(230)가 턴-온된 경우 저장 커패시터(Cst)에 충전된 전하의 양에비례하는 전압이 출력된다. 이때, 센서 TFT(230)의 소오스 단자(S)로부터 출력되는 신호는 상기 증폭부를 통하여 증폭되고, 상기 증폭부의 신호 출력단은 멀티플렉서(도시되지 않음) 등에 연결되어 단일 신호로 출력된다.

이와 같이 구성되어 동작되는 지문 인식 TFT 기판의 제조 공정을 첨부 도면을 참조하여 상세히 설명한다.

도 4a 내지 도 4g는 도 2에 도시된 지문 인식 TFT 기판의 제조 공정을 설명하기 위한 제조 공정 단면도이다.

도 4a를 참조하면, 유리, 석영 또는 사파이어 등으로 이루어진 투명 기판(400) 상에 알루미늄(Al), 크롬(Cr) 또는 몰리브덴 텅스텐(MoW)으로 이루어진 제1 금속막(도시되지 않음)을 스퍼터링 방법에 의해 증착한 후, 상기 금속막을 패터닝하여 제1 게이트 전극(402)을 형성한다. 여기서, 제1 게이트 전극(402)은 스위칭 TFT(210)의 게이트 전극이다.

이어, 도 4b에 도시된 바와 같이, 제1 게이트 전극(402)이 형성된 투명 기판(400)의 전면에 실리콘 질화물(SiNx)을 플라즈마 화학기상증착(Plasma-Enhanced Chemical Vapor Deposition; 이하, PECVD 라 칭함) 방법에 의해 증착하여 제1 게이트 절연막(404)을 형성한다.

상기 제1 게이트 절연막(404) 상에 비정질 실리콘막(a-Si) 및 n+ 비정질 실리콘막을 PECVD 방법에 의해 증착하고, 상기 증착된 실리콘막을 패터닝하여 제1 채널층(406)을 형성한다.

도 4c를 참조하면, 상기 결과물의 전면에 크롬(Cr)과 같은 제2 금속막(도시되지 않음)을 스퍼터링 방법에 의해 증착한 후, 상기 제2 금속막을 패터닝하여 제1 소오스 전극(408) 및 제1 드레인 전극(410)을 형성한다. 여기서, 제1 드레인 전극(410)은 스위칭 TFT(210)의 드레인 전극이다. 또한, 제1 소오스 전극(408)은 스위칭 TFT(210)의 소오스 전극이며 동시에 센서 TFT(230)의 게이트 전극이다.

즉, 제1 소오스 전극(408)은 스위칭 TFT(210)가 구성되는 스위칭 TFT 형성영역에서는 스위칭 TFT(210)의 소오스 전극으로 이용되고, 센서 TFT(230)가 구성되는 센싱 TFT 형성영역에서는 센서 TFT(230)의 게이트 전극으로 이용된다. 이때, 제1 소오스 전극(408)은 센싱 TFT 형성영역에서 센서 TFT(230)의 게이트 전극으로 이용되는 경우에는 제2 게이트 전극(412)이라 칭한다.

이어, 도 4d를 참조하면, 상기 결과물 상의 전면에 실리콘 질화물을 PECVD 방법에 의해 증착하고, 센싱 TFT 형성영역의 제2 게이트 전극(412)의 일부 노출시키기 위한 콘택홀(414)을 갖도록 패터닝하여 제2 게이트 절연막(416)을 형성한다.

도 4e에 도시된 바와 같이, 제2 게이트 절연막(416) 상에 비정질 실리콘막(a-Si) 및 n+ 비정질 실리콘막을 PECVD 방법에 의해 증착하고, 상기 증착된 실리콘막을 패터닝하여 제2 채널층(418)을 형성한다.

이어, 제2 채널층(418)이 형성된 투명기판(400) 전면에 크롬(Cr)과 같은 제3 금속막(도시되지 않음)을 스퍼터링 방법에 의해 증착한 후, 상기 제3 금속막을 패터닝하여 제2 소오스 전극(420) 및 제2 드레인 전극(422)을 형성한다. 여기서, 제2 드레인 전극(422)은 제1 채널층(406) 상부의 제2 절연층(416)을 완전히 덮도록 형성되어, 제1 채널층(406)을 광의 노출로부터 차단하는 역할을 한다.

또한, 제2 소오스 전극(420)은 콘택홀(414)을 통해 제2 게이트 전극(412)과 전기적으로 연결된다. 따라서, 센서 TFT(230)의 게이트와 소오스간의 전압(Vgs)이 항상 0이 유지된다. 즉, 지문에 의해 발생되는 포토 커런트(photo current)의 사용 영역을 Vgs=0인 곳으로 한정하여 지문 인식장치의 동작 안정성을 꾀한다.

도 4f를 참조하면, 저장 커패시터(240)의 하부 전극을 만들기 위하여 상기 결과물 상에 ITO(Indium Tin Oxide)를 적층한 후 패터닝하여 제1 전극(424)을 형성한다. 이어, 상기 제1 전극(424)이 형성된 투명기판(400) 전면에 실리콘 질화물을 PECVD 방법에 의해 증착하여 제1 절연막(426)을 형성한다.

이어, 도 4g에 도시된 바와 같이, 저장 커패시터(240)의 상부 전극을 만들기 위하여 제1 전극(424)과 대향하도록 제1 절연막(426) 상에 ITO를 적층한 후 패터닝하여 제2 전극(428)을 형성한다. 여기서, 제1 전극(424), 제1 절연막(426) 및 제2 전극(428)에 의해 저장 커패시터(240)가 구성된다.

또한, 제2 전극(428)이 형성된 투명기판(400) 전면에 제2 절연막(또는 보호막)(430)을 형성한다.

상술한 바와 같이, 본 발명에 따른 지문 인식장치는 스위치 TFT의 소오스 전극이 센서 TFT의 게이트 전극으로도 사용된다. 또한, 센서 TFT의 게이트 절연막 형성시 생성된 콘택홀에 의해 센서 TFT의 게이트 전극과 소오스 전극을 전기적으로 연결한다.

그러므로, 본 발명은 스위치 TFT의 소오스 전극이 센서 TFT의 게이트 전극으로도 사용되어, 하나의 화소 내에 TFT가 차지하는 면적을 감소시킬 수 있어 개구율을 향상시킬 수 있는 효과가 있다.

또한, 본 발명은 콘택홀을 통해 센서 TFT의 게이트 전극과 소오스 전극이 전기적으로 연결함에 따라 센서 TFT의 Vgs 전압을 항상 0으로 유지할 수 있어, 지문 인식장치의 센싱 동작의 안정성을 향상시킬 수 있는 효과도 있다.

본 발명은 일 실시예를 참조하여 설명하였지만, 해당 기술 분야의 숙련된 당업자는 하기의 특허 청구의 범위에 기재된 본 발명의 사상 및 영역으로부터 벗어나지 않는 범위 내에서 본 발명을 다양하게 수정 및 변경시킬 수 있음을 이해할 수 있을 것이다.

Claims (6)

1. 하나의 화소에 제1 및 제2 트랜지스터가 형성되는 제1 영역 및 제2 영역을 갖는 지문 인식장치에 있어서,

   투명기판 상의 상기 제1 영역에 형성되는 제1 게이트 전극;

   상기 제1 게이트 전극이 절연된 상기 투명기판 상의 상기 제1 영역에 형성되는 제1 드레인 전극;

   상기 제1 게이트 전극이 형성된 상기 투명기판 상에 형성되는 제1 게이트 절연막;

   상기 제1 영역 및 상기 제2 영역에 대응하는 상기 제1 게이트 절연막 상에 형성되는 제1 소오스 전극;

   상기 제1 드레인 전극 및 상기 제1 소오스 전극이 형성된 상기 투명기판 전면에 형성되고, 상기 제2 영역에 형성된 상기 제2 소오스 전극의 일부가 노출되는 콘택홀을 갖는 제2 게이트 절연막;

   상기 제2 게이트 절연막 상의 상기 제2 영역에 대응하여 형성되는 채널층;

   상기 채널층이 형성된 상기 투명기판 상의 상기 제2 영역과 상기 제1 드레인 전극 및 상기 제1 소오스 전극에 대응하도록 상기 제1 영역에 형성된 제2 드레인 전극;

   상기 채널층이 형성된 상기 투명기판 상의 상기 제2 영역에 형성되고, 상기 콘택홀을 통해 상기 제1 소오스 전극과 접속되는 제2 소오스 전극; 및

   상기 제2 소오스 전극이 형성된 상기 투명 기판상에 형성되는 저장 커패시터를 포함하고,

   상기 제1 소오스 전극은 상기 제2 영역에서 상기 제2 트랜지스터의 게이트 전극임을 특징으로 하는 지문 인식장치.
2. 제1항에 있어서, 상기 제1 트랜지스터는 스위칭 박막 트랜지스터이고, 상기 제2 트랜지스터는 센서 박막 트랜지스터임을 특징으로 하는 지문 인식장치.
3. 제1항에 있어서, 상기 제2 드레인 전극은 상기 제1 영역에서 상기 제1 트랜지스터에 광이 도달되는 것을 방지하는 광차단층임을 특징으로 하는 지문 인식장치.
4. 하나의 화소에 제1 및 제2 트랜지스터가 형성되는 제1 영역 및 제2 영역을 갖는 지문 인식장치의 제조방법에 있어서,

   투명기판 상에 형성된 상기 제1 영역에 제1 게이트 전극을 형성하는 단계;

   상기 제1 게이트 전극이 형성된 상기 투명기판 상에 제1 게이트 절연막을 형성하는 단계;

   상기 제1 게이트 절연막 상의 상기 제1 영역에 제1 드레인 전극을 형성하는 단계;

   상기 제1 게이트 전극이 절연된 상기 투명기판 상의 상기 제1 영역 및 상기제2 영역에 제1 소오스 전극을 형성하는 단계;

   상기 제2 영역에 형성된 상기 제2 소오스 전극의 일부가 노출되는 콘택홀을 갖고, 상기 제1 드레인 전극 및 상기 제1 소오스 전극이 형성된 상기 투명기판 전면에 제2 게이트 절연막을 형성하는 단계;

   상기 제2 게이트 절연막 상의 상기 제2 영역에 채널층을 형성하는 단계;

   상기 채널층이 형성된 상기 투명기판 상의 상기 제2 영역과 상기 제1 드레인 전극 및 상기 제1 소오스 전극에 대응하도록 상기 제1 영역에 제2 드레인 전극을 형성하는 단계;

   상기 콘택홀을 통해 상기 제1 소오스 전극과 접속되고, 상기 채널층이 형성된 상기 투명기판 상의 제2 영역에 제2 소오스 전극을 형성하는 단계; 및

   상기 제2 소오스 전극이 형성된 상기 투명 기판상에 저장 커패시터를 형성하는 단계를 포함하고,

   상기 제1 소오스 전극은 상기 제2 영역에서 상기 제2 트랜지스터의 게이트 전극임을 특징으로 하는 지문 인식장치 제조방법.
5. 제4항에 있어서, 상기 제1 트랜지스터는 스위칭 박막 트랜지스터이고, 상기 제2 트랜지스터는 센서 박막 트랜지스터임을 특징으로 하는 지문 인식장치 제조방법.
6. 제4항에 있어서, 상기 제2 드레인 전극은 상기 제1 영역에서 상기 제1 트랜지스터에 광이 도달되는 것을 방지하는 광차단층임을 특징으로 하는 지문 인식장치 제조방법.