KR20040079556A - 박막 증착용 고밀도 플라즈마 장치 - Google Patents

박막 증착용 고밀도 플라즈마 장치 Download PDF

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신재광
박태상
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허지현
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Abstract

박막 증착용 고밀도 플라즈마 장치에 관해 개시되어 있다. 개시된 본 발명은 적어도 박막이 증착될 웨이퍼가 로딩되는 웨이퍼 스테이지와 상기 웨이퍼 스테이지 위쪽으로 플라즈마 형성용 소오스 가스를 분사하는 분사수단이 구비된 반응챔버와 상기 웨이퍼 스테이지 위쪽에 상기 소오스 가스 플라즈마를 형성하도록 상기 반응챔버 주위에 구비된 ICP 및 CCP 수단들을 구비하되, 상기 CCP 수단은 적어도 상기 웨이퍼 스테이지에 LF 펄스를 인가하는 LF 펄스 발생기와 VHF 또는 VHF 펄스를 인가하는 VHF 발생기를 구비하는 것을 특징으로 하는 박막 증착용 고밀도 플라즈마 장치를 제공한다. 이러한 고밀도 플라즈마 장치를 이용하면, 갭필(gap fill) 능력이 향상되고, 차지-업 현상(축적 전하효과)이 감소되거나 나타나지 않으며, 플라즈마의 균일도가 높아진다.

Description

박막 증착용 고밀도 플라즈마 장치{High density plasma apparatus for thin film deposition}
본 발명은 박막 증착 장치에 관한 것으로써, 자세하게는 박막 증착에 사용되는 고밀도 플라즈마 장치에 관한 것이다.
반도체 장치의 집적도가 높아지면서 실리콘 산화막 등과 같은 박막을 형성하는데 있어 고밀도 플라즈마를 이용한 화학기상증착(Chemical Vapor Deposition) 장치의 비중이 커지고 있다.
고밀도 플라즈마 CVD장치의 성능은 고 종횡비(High Aspect Ratio)의 갭(gap)을 채우는 매립성, 생성된 플라즈마의 균일성 및 플라즈마 생성능력으로 결정된다.
고밀도 플라즈마 CVD장치를 이용하여 박막, 예컨대 실리콘 산화막을 증착하는 과정에서 박막에 전하가 축적되는 차지-업(Charge-up) 현상이 나타나는데, 이 현상은 소자의 성능이 저하되는 원인 중의 하나로써 고밀도 플라즈마 CVD장치에서 반드시 해결되어야 할 현상이다.
도 1은 종래 기술에 의한 상기한 고밀도 플라즈마 CVD장치의 일예를 보여주는 단면도이다.
도 1을 참조하면, 종래 기술에 의한 고밀도 플라즈마 CVD장치(이하, HPCVD 장치라 한다)의 유도결합형 플라즈마(Inductively Coupled Plasma) 장치와 축전 결합형 플라즈마(Charge Coupled Plasma) 장치가 결합된 것으로, 반응챔버(10) 바닥에 웨이퍼 스테이지(12)가 마련되어 있다. 웨이퍼 스테이지(12) 상에 박막이 형성될 웨이퍼(W)가 로딩되어 있다. 웨이퍼(W)는 웨이퍼 스테이지(12) 상에서 홀더(14)에 의해 고정된다. 웨이퍼 스테이지(12)에 고주파를 인가하는 RF 파워가 포함된 제1 RF 매칭 유닛(matching unit)(20)이 연결되어 있다. 반응챔버(10)에서 플라즈마는 웨이퍼(W) 위쪽의 플라즈마 형성영역(PA)에 형성되는데, 이를 위해 반응챔버(10)의 측면 위쪽 부분은 제1 코일(16)로 둘러싸여 있다. 제1 코일(16)은 고주파를 인가하는 RF 파워가 포함된 제2 RF 매칭 유닛(matching unit)(22)에 연결되어 있다. 반응챔버(10)내 플라즈마 형성영역(PA)에 형성되는 플라즈마 밀도는 주로 ICP로부터 인가되는 파워, 곧 제2 RF 매칭 유닛(22)으로부터 공급되는 RF 파워에 의해 결정된다. 그리고 웨이퍼(W)에 입사되는 이온의 에너지는 제1 RF 매칭유닛(20)으로부터 공급되는 RF 파워에 의해 결정된다. 반응챔버(10) 상부에 제2 코일(18)이 마련되어 있고, 제2 코일(18)에는 고주파 파워가 인가되는 제3 RF 매칭 유닛(24)이 연결되어 있다.
상기한 바와 같은 종래의 HPCVD 장치에서 플라즈마의 이온 밀도가 증가하는 경우, 이온의 직진성에 의해 웨이퍼(W)를 향해 하향 직진하는 이온들의 수가 많아지고, 더불어 상기 하향 직진하는 이온들의 에너지가 큰 경우, 상기 하향 이온들은 웨이퍼(W)의 깊은 곳까지 도달될 수 있다. 예컨대, 웨이퍼(W) 표면에 형성된 구조물에 고 종횡비를 갖는 특징, 곧 좁고 깊은 갭(gap)이 존재하는 경우, 상기 하향 이온들의 많은 수가 상기 갭의 바닥까지 도달되어 증착될 수 있고, 그 결과 상기 갭은 상기 이온을 포함하는 물질막으로 바닥부터 채워져서, 상기 갭에 보이드(void)가 형성되지 않는다.
그런데, 플라즈마 형성영역(PA)의 이온 밀도는 제2 RF 매칭 유닛(22)으로부터 제1 코일(16)에 인가되는 RF 파워에 의해 결정되고, 웨이퍼(W)에 입사되는 이온의 에너지는 웨이퍼 스테이지(12)에 인가되는 RF 파워에 의해 결정되므로, 상기 하향 이온의 밀도 및 에너지를 높이기 위해서는 제1 코일(16) 및 웨이퍼 스테이지(12)에 인가되는 고주파 파워를 높여야 한다.
그러나 이와 같은 경우에 이온의 충돌에 의해 반응챔버(10) 내부가 손상되어 반응챔버(10)에 대한 클리닝 회수가 증가하게 된다. 클리닝 동안 반응챔버(10)는 사용할 수 없게 되므로, 결국 생산성이 저하된다.
또한, 웨이퍼(W)에 입사되는 이온의 에너지가 커지는 경우, 일반적으로 이온에 의한 스프터 율(sputter rate)이 증가하여 갭을 채우는 능력(이하, 갭필(gap fill) 능력이라 한다)이 증가되는 것으로 알려져 있으나, 이온의 에너지 증가와 더불어 스프터된 입자도 많아져서 스프터된 입자들이 재증착되는 현상이 나타난다. 이러한 현상에 의해 HPCVD 장치의 갭필 능력이 저하된다. 이와 함께 웨이퍼(W) 표면에 너무 많은 충격이 가해져서 불량 발생 빈도도 증가하게 된다. 아울러 전하 축척도 증가하게 된다.
이러한 문제는 바이어스 파워를 감소시킴으로써 개선될 수 있으나, 이 경우 갭필 능력이 감소되기 때문에, 현실적으로 적용하기 어렵다.
따라서, 본 발명이 이루고자하는 기술적 과제는 상술한 종래 기술의 문제점을 개선하기 위한 것으로서, 갭필 능력은 감소시키지 않으면서 차지-업 현상을 방지할 수 있고 플라즈마의 균일도를 높일 수 있는 박막 증착용 HPCVD 장치를 제공함에 있다.
도 1은 종래 기술에 의한 박막 증착용 고밀도 플라즈마 장치의 구성 체계를 보여주는 단면도이다.
도 2 및 도 3은 각각 본 발명의 제1 및 제2 실시예에 의한 박막 증착용 고밀도 플라즈마 장치의 구성 체계를 보여주는 단면도들이다.
*도면의 주요 부분에 대한 부호설명*
40, 40':반응챔버 42:웨이퍼 스테이지
44:홀더 46:접지전극
48:코일 50:RF 매칭 유닛
52:VHF 발생기 54:LF 펄스 발생기
58:플레이트 부재 60:전자석
62:혼 안테나 64:컨버터
66:웨이브 가이드 PA:플라즈마 형성영역
상기 기술적 과제를 달성하기 위하여, 본 발명은 적어도 박막이 증착될 웨이퍼가 로딩되는 웨이퍼 스테이지와 상기 웨이퍼 스테이지 위쪽으로 플라즈마 형성용 소오스 가스를 분사하는 분사수단이 구비된 반응챔버와, 상기 웨이퍼 스테이지 위쪽에 상기 소오스 가스 플라즈마를 형성하도록 상기 반응챔버 주위에 구비된 ICP 및 CCP 수단들을 구비하되, 상기 CCP 수단은 적어도 상기 웨이퍼 스테이지에 LF 펄스를 인가하는 LF 펄스 발생기와 VHF 또는 VHF 펄스를 인가하는 VHF 발생기를 구비하는 것을 특징으로 하는 박막 증착용 고밀도 플라즈마 장치를 제공한다.
여기서, 상기 ICP 수단은 상기 웨이퍼 스테이지와 상기 반응챔버 천장사이의 반응챔버 측면을 둘러싸도록 구비된 코일과 이에 연결된 RF 매칭 유닛이다.
상기 CCP 수단은 상기 반응챔버 상부면에 접지전극을 더 구비한다.
본 발명의 다른 실시예에 의하면, 상기 ICP 수단은 상기 웨이퍼 스테이지와 상기 반응챔버 천장사이의 반응챔버 측면을 둘러싸도록 구비된 전자석이다.
또한, 상기 CCP 수단은 상기 반응챔버 상부면에 구비된 플레이트 부재와, 상기 플레이트 부재의 윗면에 부착된 혼 안테나와, 상기 혼 안테나의 목 부분에 마련된 모드 컨버터와, 상기 모드 컨버터의 윗면에 일단이 연결된 웨이브 가이드 및 상기 웨이브 가이드의 타단에 마련된 마이크로파 발생기를 더 구비한다.
이러한 본 발명을 이용하면, 갭필 능력을 높게 유지하면서 웨이퍼에 입사되는 이온의 에너지를 크게 유지할 수 있고, 웨이퍼 스테이지에 듀얼 프리퀀시(dual frequency) 파워, 곧 VHF(Very High Frequency) 파워와 함께 펄스 형태의 LF(Low Frequency) 파워를 동시에 인가함에 따라 차지-업 현상도 방지할 수 있다.
이하, 본 발명의 실시예에 의한 박막 증착용 HPCVD 장치를 첨부된 도면들을 참조하여 상세하게 설명한다. 이 과정에서 도면에 도시된 층이나 영역들의 두께는 명세서의 명확성을 위해 과장되게 도시된 것이다.
본 발명의 실시예에 의한 HPCVD 장치는 다음과 같은 개념에 근거하여 형성된 것이다.
첫째, 유도 결합형 플라즈마(ICP) 장치의 경우, 코일 부근에 플라즈마가 집중적으로 발생하여 확산되는데, 플라즈마 밀도는 중앙이 가장 높고 밖으로 갈수록 낮아진다.
한편, 축전 결합형 플라즈마(CCP) 장치의 경우, 중앙보다는 파워가 인가되는 전극쪽으로 플라즈마 밀도의 중심이 치우치게 된다. 또한, 인가하는 파워의 주파수가 높아질 수록 플라즈마 밀도는 높아지게 된다.
ICP 및 CCP 장치의 이러한 점을 고려하여 기본적인 ICP 장치를 사용하면서 웨이퍼 스테이지에 30MHz 이상의 초고주파(VHF) 파워를 인가하는 CCP 장치를 사용하는 경우, 웨이퍼 스테이지 위쪽 플라즈마 형성영역의 플라즈마 밀도를 최대로 할 수 있다.
둘째, 웨이퍼 스테이지에 인가되는 고주파 파워의 주파수가 커질수록 상기 웨이퍼 스테이지에 입사되는 이온의 에너지(Eion)는 다음 수학식 1에 따라 감소되는데, 이를 보상하기 위해 상기 웨이퍼 스테이지에 저주파 파워를 동시에 인가한다.
EION∝ f-1
셋째, 상기와 같은 이유로 웨이퍼 스테이지에 저주파 파워를 인가할 경우, 상기 웨이퍼 스테이지에 걸리는 시스 전압(sheath voltage)이 증가하여 차지-업(charge-up) 현상이 나타날 수 있는데, 이를 제거하기 위해 저주파 파워는 펄스 형태로 인가하는 것이 바람직하다. 필요할 경우, 초고주파 파워도 펄스 형태로 인가할 수 있다.
<제1 실시예>
도 2는 이러한 개념에 근거한, 본 발명의 제1 실시예에 의한 박막 증착용 HPCVD 장치의 구성을 보여주는 단면도이다.
도 2를 참조하면, 반응챔버(40)의 바닥에 웨이퍼 스테이지(42)가 마련되어 있고, 웨이퍼 스테이지(42) 상에 박막이 증착될 웨이퍼(W)가 로딩되어 있다. 웨이퍼(W)는 홀더(44)에 의해 고정되어 있다. 웨이퍼 스테이지(42)는 반응챔버(40)외부에 구비된 초고주파 발생기 또는 초고주파 펄스 발생기(52)(이하, VHF 발생기(52)라 한다)와 연결되어 있고, 이것과 별도로 외부에 구비된 저주파 펄스 발생기(54)(이하, LF 발생기(54)라 한다)와도 연결되어 있다. VHF 발생기(52)와 LF 발생기(54)는 하기 접지전극(46)과 함께 CCP 수단이 된다.
박막 형성공정이 진행되면서 VHF 발생기(52)로부터 30MHz 이상, 바람직하게는 30MHz∼150MHz의 파워가 웨이퍼 스테이지(42)에 인가된다. 이와 동시에 웨이퍼 스테이지(42)에는 3MHz이하의 저주파 파워가 LF 발생기(54)로부터 펄스 형태로 인가된다.
상기한 바와 같이, LF 발생기(54)로부터 인가되는 저주파 파워는 웨이퍼 스테이지(42), 곧 웨이퍼(W)에 입사되는 이온의 에너지가 감소되는 것을 방지하면서 웨이퍼(W)에 전하가 축적되는 것, 곧 웨이퍼(W)에 차지-업 현상이 나타나는 것을 방지할 수 있다.
구체적으로, 웨이퍼 스테이지(42)에 초고주파 파워와 저주파 파워를 동시에 인가하는 경우, 상기 저주파 파워에 의해 고밀도 플라즈마에서 시스 전압이 높아지게 되는데, 이러한 결과는 초고주파 파워를 인가함으로써 웨이퍼 스테이지(42)에 입사되는 이온의 온도가 낮아져서 전하 축적 효과가 감소된 것이 반전될 수 있다. 곧, 웨이퍼 스테이지(42)에 초고주파와 함께 저주파 파워를 함께 인가하는 경우, 전하축적효과는 오히려 증가될 수 있다.
그러나 저주파 파워를 펄스 형태로 인가하여 파워 오프(power off)시 충분히 중화할 수 있도록 하고, 펄스의 듀티 비(duty ratio)를 조절함으로써 상기 전하축적효과, 곧 차지-업 현상을 완전히 제거할 수 있다.
도 2를 계속 참조하면, 웨이퍼 스테이지(42)와 반응챔버(40)의 천장사이에 박막 증착에 사용될 이온을 포함하는 플라즈마가 형성된다. 참조부호 PA는 플라즈마 형성영역을 나타낸다. 플라즈마 형성영역(PA)은 편의 상 도시한 것으로 웨이퍼 스테이지(42)와 반응챔버(40)의 천장사이에 형성되는 플라즈마가 플라즈마 형성영역(PA)에만 형성된다는 것을 의미하는 것은 아니다. 곧, 웨이퍼 스테이지(42)와 반응챔버(40)의 천장사이에서 플라즈마 형성영역(PA)이 아닌 곳에도 플라즈마는 형성된다. 플라즈마 형성영역(PA)에 플라즈마를 형성하기 위해, 반응챔버(40)의 웨이퍼 스테이지(42)와 천장사이의 측면은 ICP(Inductively Coupled Plasma) 수단인 코일(48)로 둘러싸여 있고, 코일(48)은 반응챔버(40) 외부에 구비된 RF 매칭 유닛(50)과 연결되어 있다. RF 매칭 유닛(50)으로부터 플라즈마 형성을 위한 고주파 파워가 코일(48)에 인가된다. 반응챔버(40) 상부에 접지전극(46)이 구비되어 있다.
한편, 도시하지는 않았지만, 반응챔버(40) 천장에 플라즈마 형성용 소오스 가스가 유입되는 유입구 및 상기 유입구를 통해서 유입된 소오스 가스를 플라즈마 형성영역(PA)에 고르게 분사시키기 위한 분사수단, 예컨대 샤워헤드가 구비되어 있다.
<제2 실시예>
제1 실시예와 동일한 부분에 대한 설명은 생략하고, 동일한 요소에 대해서는 제1 실시예에서 사용한 참조번호를 그대로 사용한다.
도 3을 참조하면, 제2 실시예에 의한 HPCVD장치는 제1 실시예의 코일(48)을 대신하여 동일한 위치에 반응챔버(40') 안쪽에 플라즈마 형성을 위한 자장을 일으키는 전자석(60)을 구비한다. 전자석(60)은 ICP수단이 된다. 반응챔버(40')의 상부에는 플레이트 부재(58)가 구비되어 있다. 플레이트 부재(58)는 반응챔버(40')의 진공을 유지하면서 플레이트 부재(58) 윗면에 부착된 혼 안테나(horn antenna)(62)로부터 전달된 마이크로파를 반응챔버(40')에 전달하는 역할을 한다. 플레이트 부재(58)의 재질은 쿼츠(quartz)인 것이 바람직하나, 알루미나(Al2O3)나 세라믹 등일 수 있다. 플레이트 부재(58)의 윗면에 부착된 혼 안테나(62)의 목 부분에 마이크로파의 모드를 플라즈마 형성에 적합한 모드로 바꾸기 위한 컨버터(64)가 구비되어 있다. 컨버터(64)의 윗 부분에 마이크로파 발생기(미도시)에 연결된 도파관(66)이 연결되어 있다.
상기 마이크로파 발생기에서 발생된 마이크로파는 도파관(66)을 타고 컨버터(64)에 도달되어 컨버터(64)에 의해 플라즈마 형성에 적합한 모드로 변환된 다음, 혼 안테나(62)를 통해 반응챔버(40')로 전달된다.
반응챔버(40') 상부에 형성된 부재들과 LF 발생기(54) 및 VHF 발생기(52)는 CCP 수단이 된다.
상기한 설명에서 많은 사항이 구체적으로 기재되어 있으나, 그들은 발명의 범위를 한정하는 것이라기보다, 바람직한 실시예의 예시로서 해석되어야 한다. 예들 들어 본 발명이 속하는 기술 분야에서 통상의 지식을 가진 자라면 LF 발생기 및 VHF 발생기를 단일체(one body)로 구비할 수도 있을 것이다. 때문에 본 발명의 범위는 설명된 실시예에 의하여 정하여 질 것이 아니고 특허 청구범위에 기재된 기술적 사상에 의해 정하여져야 한다.
상술한 바와 같이, 본 발명에 의한 HPCVD 장치는 상호 보완적 성격을 갖는 VHF 및 LF 파워를 웨이퍼 스테이지에 인가하기 위해 VHF 발생기와 LF 발생기를 구비한다. 따라서 이러한 본 발명의 HPCVD 장치를 이용하여 박막을 형성하는 경우, 다음과 같은 효과를 얻을 수 있다.
첫째, 갭필 능력이 향상된다.
구체적으로, 플라즈마의 밀도에 비례하는 RF전류(Irf)는 다음 수학식 2로 주어진다.
Irf∝ fk, k=1.3 ~ 2.5
수학식 2에서 주파수(f)가 150MHz가 될 때까지 k값은 2이상으로 유지되는데, 이것은 플라즈마 밀도가 주파수(f) 증가에 따라 증가됨을 의미한다.
본 발명의 경우, 웨이퍼 스테이지에 VHF를 인가하기 때문에, 웨이퍼 스테이지 직상방의 플라즈마 형성영역(PA)의 플라즈마 밀도는 ICP에 기인한 플라즈마 밀도보다 증가하게 되어 플라즈마 형성영역(PA)으로부터 보다 많은 수의 이온이 웨이퍼(W)에 입사된다.
한편, VHF을 인가할 때, 웨이퍼 스테이지에 입사되는 이온의 에너지는 수학식 1에 따라 감소되므로, 이를 보상하기 위하여 웨이퍼 스테이지에 VHF와 함께 LF를 인가한다. 이에 따라 웨이퍼 스테이지에 입사하는 이온의 에너지는 감소되지 않는다.
결국, 본 발명의 HPCVD 장치에서 종래 보다 많은 수의 이온이, 입사 에너지의 감소없이 웨이퍼 스테이지로 입사된다. 때문에 갭에 입사되는 이온의 수도 보다많아져서 갭 바닥에서 증착반응에 참여하는 이온들의 수도 증가하게 되고, 그 결과 갭은 보이드 없이 종래보다 빠르게 채워지게 된다.
둘째, 상기 첫 번째 효과와 함께 전하 축적효과(차지-업 현상)가 감소된다.
차지-업 현상은 웨이퍼 스테이지에 입사되는 이온의 온도가 높거나 혹은 고밀도 플라즈마에서 시스 전압이 높을 경우에 대두되는 문제인데, 본 발명에 의한 HPCVD 장치의 경우, 웨이퍼 스테이지에 VHF를 인가하기 때문에, 종래보다 웨이퍼 스테이지에 입사되는 이온의 온도가 낮아지게 된다. 따라서 전하 축적효과가 감소하게 된다.
한편, VHF와 동시에 LF가 인가되는 경우, 시스전압이 커져서 웨이퍼에 축척되는 전하가 많아질 수 있으나, 본 발명은 상기한 바와 같이 상기 LF를 펄스 형태로 인가하기 때문에, 펄스와 펄스사이의 파워가 오프될 동안에 축적된 전하는 충분히 중화될 수 있고, 특히 듀티 비를 적절하게 조절함으로써 전하 축적효과 혹은 차지-업 현상을 완전 제거할 수도 있다.
셋째, 상기 첫 번째 및 두 번째 효과와 함께 플라즈마의 균일도(uniformity)가 증가된다.
일반적으로 반응챔버에 인가하는 고주파 파워의 진동수가 증가될수록 웨이퍼 스테이지 위쪽 공간의 플라즈마 밀도의 균일도는 증가하게 된다(Howling A.A., J. Vac. Sci. Technol. A 10, 1080(1992)). 따라서 본 발명에 의한 HPCVD 장치의 경우, VHF가 인가되기 때문에, 이 보다 낮은 진동수를 갖는 RF를 인가하는 경우보다 형성되는 플라즈마의 균일도는 증가하게 된다.

Claims (5)

  1. 적어도 박막이 증착될 웨이퍼가 로딩되는 웨이퍼 스테이지와 상기 웨이퍼 스테이지 위쪽으로 플라즈마 형성용 소오스 가스를 분사하는 분사수단이 구비된 반응챔버; 및
    상기 웨이퍼 스테이지 위쪽에 상기 소오스 가스 플라즈마를 형성하도록 상기 반응챔버 주위에 구비된 ICP 및 CCP 수단들을 구비하되,
    상기 CCP 수단은 적어도 상기 웨이퍼 스테이지에 LF 펄스를 인가하는 LF 펄스 발생기와 VHF 또는 VHF 펄스를 인가하는 VHF 발생기를 구비하는 것을 특징으로 하는 박막 증착용 고밀도 플라즈마 장치.
  2. 제 1 항에 있어서, 상기 ICP 수단은 상기 웨이퍼 스테이지와 상기 반응챔버 천장사이의 반응챔버 측면을 둘러싸도록 구비된 코일과 이에 연결된 RF 매칭 유닛인 것을 특징으로 하는 박막 증착용 고밀도 플라즈마 장치.
  3. 제 1 항에 있어서, 상기 ICP 수단은 상기 웨이퍼 스테이지와 상기 반응챔버 천장사이의 반응챔버 측면을 둘러싸도록 구비된 전자석인 것을 특징으로 하는 박막 증착용 고밀도 플라즈마 장치.
  4. 제 1 항에 있어서, 상기 CCP 수단은 상기 반응챔버 상부면에 접지전극을 더구비하는 것을 특징으로 하는 박막 증착용 고밀도 플라즈마 장치.
  5. 제 1 항에 있어서, 상기 CCP 수단은,
    상기 반응챔버 상부면에 구비된 플레이트 부재;
    상기 플레이트 부재의 윗면에 부착된 혼 안테나;
    상기 혼 안테나의 목 부분에 마련된 모드 컨버터;
    상기 모드 컨버터의 윗면에 일단이 연결된 웨이브 가이드; 및
    상기 웨이브 가이드의 타단에 마련된 마이크로파 발생기를 더 구비하는 것을 특징으로 하는 박막 증착용 고밀도 플라즈마 장치.
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