KR20040079029A - 효율적 표면세정방법 및 장치 - Google Patents

효율적 표면세정방법 및 장치 Download PDF

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Abstract

본 발명에서는 효율적인 표면세정방법 및 상기 방법에 사용되는 표면세정장치가 제공된다. 상기 방법은 기판을 플라즈마 발생원에 대하여 상대적으로 이동시키거나 또는 플라즈마 발생원을 기판에 대하여 상대적으로 이동시키는 단계, 복사열원으로부터의 복사열을 반사판으로 반사하여 상기 기판의 표면들 중 세정이 요구되는 표면에 조사하여 상기 세정이 요구되는 표면을 선택적으로 예열하는 단계, 교류전원으로부터 인가되는 교류전압을 이용하여 절연체로 절연된 두 전극사이에 형성된 플라즈마 발생공간으로 유입되는 처리가스를 플라즈마로 전환하는 단계, 생성된 플라즈마를 처리하고자 하는 예열된 기판의 표면과 접촉시켜 상기 표면에 형성된 오염원을 제거하는 단계를 포함한다. 보다 바람직하게는, 상기 생성된 플라즈마를 처리하고자 하는 기판의 표면과 접촉시켜 상기 표면에 형성된 오염원을 제거하는 단계가 플라즈마 발생공간에서 생성된 플라즈마를 처리가스의 기류의 흐름에 의해 플라즈마 발생공간의 외부로 유도한 후 플라즈마 발생공간의 외부에서 예열된 표면과 접촉시켜 상기 표면에 형성된 오염원을 제거하는 것을 특징으로 한다. 상기 방법은 세정이 요구되는 표면만을 선택적으로 예열함으로써 예열 효율을 향상시키고, 기판의 내부에 형성된 회로가 열적 팽창에 의해 손상되는 것을 방지할 수 있다. 또한, 복사열을 이용하여 세정이 요구되는 표면을 선택적으로 예열함으로써 처리 효율을 현저히 향상시킬 수 있게 된다.

Description

효율적 표면세정방법 및 장치 {IMPROVED METHOD AND APPARATUS FOR REMOVING CONTAMINANTS FROM THE SURFACE OF A SUBSTRATE}
본 발명은 기판의 표면에 형성된 오염원을 세정하는 방법 및 상기 방법에 사용되는 표면세정장치에 관한 것이다. 보다 구체적으로는, 본 발명은 기판의 표면세정을 위하여 대기압 플라즈마와 복사열을 이용하여 유기화합물, 레지스트와 같은 오염원을 세정하는 방법 및 상기 방법에 사용되는 표면세정장치에 관한 것이다.
반도체 공정에서 기판상에 형성된 유기 화합물, 레지스트와 같은 오염원을 제거하는 공정이 요구되며, 이러한 공정은 통상 "세정"이라 불리운다. 종래의 세정방법의 하나로는 화학 약품을 사용한 방법을 들 수 있으나, 이러한 방법은 환경오염을 야기한다는 문제점을 안고 있다. 또 다른 예의 하나로는 저온ㆍ저압 상태의 플라즈마를 이용하는 방법을 들 수 있다. 저압 플라즈마를 이용한 표면세정방법은 저압의 진공조 내에 플라즈마를 발생시켜 기판의 표면과 접촉시켜 기판 표면의 불순물을 제거하는 것이다. 이러한 저압 상태의 플라즈마를 이용하는 표면세정방법은 우수한 세정효과에도 불구하고 널리 이용되지는 않고 있는 실정인데, 그 이유는 상기 방법은 저압을 유지하기 위해 진공 장치가 필요하게 되고, 따라서 대기압 상태에서 수행되는 연속공정에 적용하기 곤란하기 때문이다. 이에 따라 최근에는 대기압 상태에서 플라즈마를 발생시켜 표면처리에 이용하고자 하는 연구가 매우 활발히 이루어지고 있다.
대기압 플라즈마를 이용하여 세정을 수행하는 방법 중 하나는 두 개의 금속 전극의 한쪽 또는 양쪽을 절연체로 절연하고, 금속 전극에 교류전압을 인가하여 양전극 사이의 플라즈마 발생공간(또는 방전 공간)에서 플라즈마를 발생시킨 후 상기 플라즈마 발생공간 내부에 놓인 기판의 표면을 세정하는 방법을 들 수 있다. 상기한 방법을 채용하고 있는 예로는 일본공개특허공보 제2-15171호, 제3-241739호 또는 제1-306569호를 들 수 있다. 그러나, 이러한 상기한 방법은 양전극 사이의 플라즈마 발생공간 내부에 기판이 위치해야만 하므로 매우 얇은 판상 기판만이 처리가 가능하며 따라서 그 적용분야가 매우 제한될 수밖에 없다. 또한, 기판이 절연체가 아닌 도전성을 지닌 금속 및 반도체 기판일 경우, 고전압에 의한 기판의 손상을 가져올 수 있는 단점이 있다.
상기한 문제점을 해결하기 위해, 플라즈마 발생공간에서 생성된 플라즈마를 플라즈마 발생공간의 외부로 유도한 후 기판과 접촉시켜 기판의 표면을 처리하는 방법이 고안되었다. 미국특허 제5,185,132호는 평행하게 배치된 2개 이상의 평판형 전극의 표면에 고체절연체를 위치시켜 얻어진 절연체 피복전극을 갖는 반응용기에 불활성 기체와 반응성 가스의 혼합물을 도입하여 플라즈마를 발생시킨 후 활성종을 플라즈마 하류로 운송하여 기판표면을 처리하는 것을 특징으로 하는 표면처리방법을 개시하고 있다. 또한 미국특허 제6,424,091호는 a) 외부 표면에 절연체를 구비하는 적어도 한 쌍의 전극; b) 상기 전극들 사이에 정해지는 플라즈마 발생공간에 처리가스를 공급하는 가스공급수단; 및 c) 상기 플라즈마 발생공간에 처리 가스의 플라즈마를 발생하도록 상기 전극들 사이에 교류 전압을 인가하는 교류전원을 포함하며, 상기 한 쌍의 전극 중 적어도 하나의 전극은 상기 방전 공간으로 돌출되는 만곡면을 구비하는 것을 특징으로 하는 표면처리장치를 개시하고 있다. 그러나, 상기한 방법은 대기압 플라즈마 발생 장치만을 사용함으로써 표면세정에 있어서 유기 화합물과 같은 오염원의 써멀버짓(thermal budget)을 전혀 고려하지 아니하였다.
기판의 표면에 존재하는 오염원을 예열 처리하여 세정효율을 향상시키려는시도의 하나는 기판이 올려지는 서셉터 내에 히터를 설치하여 예열하고자 하는 것이다. 그러한 예로는 미국특허 제6,479,408호를 참조하기 바란다. 그러나, 상기 방법은 기판의 표면들 중 세정하고자 하는 표면을 선택적으로 예열하는 것이 아니라, 기판의 하부에 히터를 설치하여, 열전도에 의해 세정하고 하는 표면의 반대면부터 가열하고 있다. 그러나 이러한 방식의 예열은 예열하고자 하는 표면뿐만 아니라 예열이 불필요한 기판의 반대표면 그리고 기판에 새겨진 회로를 필연적으로 예열하게 되어 예열 효율이 저하되고, 더 나아가 기판에 새겨된 회로 등이 열적 팽창에 의해 손상될 위험이 높다. 한편, 미국특허 제5,155,336호, 제6,023,555호 및 제6,122,440호는 복사열을 이용하여 기판을 예열하기 위한 복사난방장치를 개시하고 있으나, 상기 문헌에 개시된 바에 따르면, 세정이 요구되는 표면을 선택적으로 예열하는 것이 아니라, 세정이 요구되는 표면의 반대면부터 예열함을 개시하고 있어, 상기한 바와 같이, 예열 효율이 저하되고, 더 나아가 기판에 새겨된 회로 등이 열적 팽창에 의해 손상될 위험이 높다.
한편, 본 발명자에 의해 출원된 한국공개특허공보 제2002-48332호는 가열된 가스를 기판의 표면들 중 세정이 요구되는 표면과 직접 접촉시켜 상기 세정이 요구되는 표면을 선택적으로 예열하고, 예열된 표면을 대기압 플라즈마를 이용하여 표면세정하는 방법을 개시하고 있다. 상기 방법은 세정이 요구되는 표면을 열가스를 이용하여 선택적으로 예열하여 기판 내부에 형성된 내부회로에 손상을 야기하지 아니한다는 장점이 있으나, 예열 효율이 다소 낮고, 산화되기 쉬운 BGA 기판의 경우 예열용 가스로서 공기를 사용할 경우 공기 중의 산소에 의해 산화가 발생한다는 문제점을 안고 있다.
따라서, 본 발명의 목적은 상기한 문제점을 해결하기 위한 것으로서, 복사열을 이용하여 기판의 표면들 중 세정하고자 하는 표면만을 선택적으로 예열함으로써 기판 내부에 형성되어 있는 회로의 손상을 방지함과 아울러 예열효율을 향상시키고, 플라즈마 발생원으로부터 생성된 플라즈마를 예열된 표면과 접촉시켜 상기 표면에 형성된 오염원을 효율적으로 제거하는 방법을 제공하는 것이다.
본 발명의 다른 목적은 복사열을 이용하여 기판의 표면들 중 세정하고자 하는 표면만을 선택적으로 예열함으로써 기판 내부에 형성되어 있는 회로의 손상을 방지함과 아울러 예열효율을 향상시키고, 절연체로 절연된 두 개의 전극 사이에 형성된 플라즈마 발생공간 내부로 유입된 처리가스에 교류전압을 인가해 생성된 대기압 플라즈마를 플라즈마 발생공간 내부로 유입되는 처리가스의 기류 흐름을 이용하여 플라즈마 발생공간 외부로 유도한 후 세정하고자 표면과 접촉시킴으로써 기판의 형태에 구애받지 아니하는 표면세정방법을 제공하는 것이다.
본 발명의 다른 목적은 표면세정장치(또는 플라즈마 발생원)에 대하여 기판을 상대적으로 이동시킴으로써 기판표면의 연속적 세정이 가능한 표면세정방법을 제공하는 것이다.
본 발명의 또 다른 목적은 상기 방법에 사용되는 표면세정장치를 제공하는 것이다.
본 발명의 첫 번째 관점에 따르면, 기판을 플라즈마 발생원에 대하여 상대적으로 이동시키거나 또는 플라즈마 발생원을 기판에 대하여 상대적으로 이동시키는 단계, 복사열원으로부터의 복사열을 반사판으로 반사하여 상기 기판의 표면들 중 세정이 요구되는 표면에 조사하여 상기 세정이 요구되는 표면을 선택적으로 예열하는 단계, 교류전원으로부터 인가되는 교류전압을 이용하여 절연체로 절연된 두 전극사이에 형성된 플라즈마 발생공간으로 유입되는 처리가스를 플라즈마로 전환하는 단계, 생성된 플라즈마를 처리하고자 하는 예열된 기판의 표면과 접촉시켜 상기 표면에 형성된 오염원을 제거하는 단계를 포함하는 표면세정방법이 제공된다.
본 발명의 두 번째 관점에 따르면, 플라즈마 발생원에 대하여 상대적으로 이동시키거나 또는 플라즈마 발생원을 기판에 대하여 상대적으로 이동시키는 단계, 복사열원으로부터의 복사열을 반사판으로 반사하여 상기 기판의 표면들 중 세정이 요구되는 표면에 조사하여 상기 세정이 요구되는 표면을 선택적으로 예열하는 단계, 교류전원으로부터 인가되는 교류전압을 이용하여 절연체로 절연된 두 전극사이에 형성된 플라즈마 발생공간으로 유입되는 처리가스를 플라즈마로 전환하는 단계, 플라즈마 발생공간에서 생성된 플라즈마를 처리가스의 기류의 흐름에 의해 플라즈마 발생공간의 외부로 유도한 후 플라즈마 발생공간의 외부에서 예열된 표면과 접촉시켜 상기 표면에 형성된 오염원을 제거하는 표면세정방법이 제공된다.
도 1은 본 발명에 따른 표면세정장치의 바람직한 구현예의 단면도이다.
도 2는 도 1의 표면세정장치에 사용된 예열부의 원리를 보여주는 단면도이다.
도 3a는 본 발명에 따른 표면세정장치에 사용되는 대기압 플라즈마 발생부의 바람직한 구현예의 개략적 사시도이다.
도 3b는 본 발명에 따른 표면세정장치에 사용되는 대기압 플라즈마 발생부의 다른 바람직한 구현예의 개략적 사시도이다.
도 3c는 본 발명에 따른 표면세정장치에 사용되는 대기압 플라즈마 발생부의 또 다른 바람직한 구현예의 개략적 사시도이다.
도 4는 본 발명에 따른 표면세정장치에 사용되는 대기압 플라즈마 발생부를 이용하여 실시예 2에 따른 실험 결과를 보여주는 그래프이다.
본 발명은 표면세정방법에 관한 것으로서, 상기 방법은 플라즈마 발생원에 대하여 상대적으로 이동시키거나 또는 플라즈마 발생원을 기판에 대하여 상대적으로 이동시키는 단계, 복사열원으로부터의 복사열을 반사판으로 반사하여 상기 기판의 표면들 중 세정이 요구되는 표면에 조사하여 상기 세정이 요구되는 표면을 선택적으로 예열하는 단계, 교류전원으로부터 인가되는 교류전압을 이용하여 절연체로 절연된 두 전극사이에 형성된 플라즈마 발생공간으로 유입되는 처리가스를 플라즈마로 전환하는 단계, 생성된 플라즈마를 처리하고자 하는 예열된 기판의 표면과 접촉시켜 상기 표면에 형성된 오염원을 제거하는 단계를 포함하는 표면세정방법을 포함한다. 보다 바람직하게는 상기 방법은 기판을 플라즈마 발생원에 대하여 상대적으로 이동시키거나 또는 플라즈마 발생원을 기판에 대하여 상대적으로 이동시키는 단계, 복사열원으로부터의 복사열을 반사판으로 반사하여 상기 기판의 표면들 중 세정이 요구되는 표면에 조사하여 상기 세정이 요구되는 표면을 선택적으로 예열하는 단계, 교류전원으로부터 인가되는 교류전압을 이용하여 절연체로 절연된 두 전극사이에 형성된 플라즈마 발생공간으로 유입되는 처리가스를 플라즈마로 전환하는 단계, 생성된 플라즈마를 플라즈마 발생공간으로 유입되는 처리가스의 기류의 흐름에 의해 플라즈마 발생공간의 외부로 유도하는 단계, 플라즈마 방전 공간의 외부로 유도된 플라즈마를 상기 예열된 표면과 접촉시켜 상기 표면에 형성된 오염원을 제거하는 단계를 포함하는 표면세정방법을 제공함으로써 성취될 수 있다. 본 발명은 또한 상기 표면세정방법에 사용되는 표면세정장치에 관한 것으로서, 상기 표면세정장치는 기판의 표면 중 세정하고자 하는 표면에 복사열을 직접 조사하여 세정하고자 하는 표면을 선택적으로 예열하는 예열부와, 대기압 하에서 처리가스로부터 플라즈마를 생성한 후 플라즈마 발생공간의 내부로 유입되는 처리가스의 기류 흐름에 의해 플라즈마 발생공간의 외부로 유도하는 대기압 플라즈마 발생부를 포함하며,상기 예열부는 복사열원 및 복사열원으로부터의 복사열을 반사하여 기판의 표면들 중 세정하고자 하는 표면에 직접 조사하는 반사판으로 이루어지며, 상기 대기압 플라즈마 발생부는 절연체로 절연된 두 개의 전극, 두 전극 사이에 형성된 플라즈마 발생공간, 처리가스를 플라즈마 발생공간의 내부로 도입하는 유입구, 생성된 플라즈마를 플라즈마 발생공간의 외부로 배출하는 배출구 및 방전에 필요한 교류전압을 인가하는 교류전원을 포함하여 이루어진다.
도 1은 상기한 표면세정방법에 사용되는 표면세정장치의 바람직한 구현예의 단면도이다. 도 1에 도시된 바와 같이, 상기한 표면세정장치(1)는 예열부(100)와 대기압 플라즈마 발생부(200)를 포함하며, 상기 예열부(100)는 복사열원(101) 및 반사판(102)으로 이루어지며, 상기 대기압 플라즈마 발생부(200)는 평행하게 배열된 두 개의 평판평 전극(201a, 201b), 상기 두 전극(201a, 201b) 사이에 형성된 플라즈마 발생공간(202), 상기 두 전극 (201a, 201b)을 절연시키는 절연체(203a, 203b), 상기 플라즈마 발생공간(202)의 일측에 형성된 처리가스의 유입구(204), 상기 유입구의 반대쪽에 형성된 배출구(205) 및 방전에 필요한 전압을 인가하는 교류전원(206)을 포함한다.
상기 예열부는(100)은 복사열원(101)으로부터의 복사열을 반사판(102)으로 반사하여 기판(2)의 표면들(2a, 2b) 중 세정하고자 하는 표면(2a)에 직접 조사함으로써 세정하고자 하는 표면(2a)을 선택적으로 예열하는 역할을 한다. 기판(2)의 표면들(2a, 2b) 중 세정하고자 하는 표면(2a)을 선택적으로 예열함으로써, 기판(2)의 하부표면(2b)부터 예열하는 방식에 비해 예열 효율을 향상시킬 수 있으며, 회로의손상이 발생할 위험이 낮아지게 된다. 더 나아가, 가열된 가스(열가스)와 세정하고자 하는 표면을 접촉시켜 가열하는 방식에 비해 예열 효율이 높아 예열에 소요되는 시간을 절약할 수 있으며, 세정 대상물의 처리속도를 향상시킬 수 있다는 장점을 갖는다. 즉, 본 발명에서 복사열을 이용하여 기판의 표면들(2a, 2b) 중 세정하고자 표면(2a)을 선택적으로 예열함으로써 유기화합물의 결합상태를 매우 느슨하게 하여 대기압 플라즈마 발생부(200)에서 훨씬 효율적인 세정을 수행하는데 도움을 준다.
상기 대기압 플라즈마 발생부(200)는 유입구(204)를 통해 절연체(203a, 203b)로 절연된 두 개의 평판형 전극(201a, 201b) 사이에 형성된 플라즈마 발생공간(202)의 내부로 처리가스를 도입한다. 플라즈마 발생공간(202)으로 도입된 처리가스는, 교류전원(206)으로부터 인가된 전압에 의해 플라즈마로 전환된다. 생성된 플라즈마 및 플라즈마로 전환되지 아니한 처리가스는 배출구(205)를 통해 플라즈마 발생공간(202)의 외부로 유도된 후 기판(2)의 표면들(2a, 2b) 중 예열된 표면(2a)과 접촉하여 상기 표면(2a) 상에 존재하는 오염물을 제거하게 된다. 한편, 상기 기판(2)은 롤러(3)와 같은 이송장치에 의해 이동되며, 이것은 연속적인 표면세정을 가능케 한다.
도 2를 참조하여 상기 예열부(100)를 보다 상세히 기술하면 다음과 같다. 상기 예열부(100)는 복사열원(101)으로부터의 복사열(103)을 반사판(102)으로 반사하여 기판(2)의 표면들 중 세정하고자 하는 표면(2a)에 직접 조사함으로써 세정하고자 하는 표면(2a)을 선택적으로 예열한다. 복사열원(101)의 예로서는 발열체로서니크롬선 또는 탄소를 이용한 복사열원, 또는 쿼츠 할로겐(quartz halogen) 램프와 같은 적외선 복사열원이 언급될 수 있다. 복사열원(101)으로부터 방출된 복사열(103)은 반사판(102)에 의해 반사되어 기판(2)의 표면들 중 세정하고자 하는 표면(2a)에 조사되어 상기 표면(2a)을 예열하게 된다. 이 때, 예열부(100)는 반사판(102)에 의해 반사된 복사열(103)이 기판(2)의 표면들 중 세정하고자 하는 표면(2a)에 조사된다는 조건하에, 종래의 복사난방장치, 예를 들면, 종래기술에서 언급한 미국특허 제5,155,336호, 제6,023,555호 및 제6,122,440호에 개시된 복사난방장치가 사용될 수 있다. 바람직하게는, 도 1 및 도 2에 도시된 바와 같이, 복사열원(101)으로부터 발생된 복사열(103)을 기판(2)의 표면에 포커싱할 수 있는 오목한 형태의 반사판(102)을 갖는 것이다. 이 때, 오목한 형태의 반사판(102)을 사용함으로써, 세정하고자 하는 표면(2a) 중 예열이 요구되는 특정 부위(A)만 선택적으로 예열할 수 있다. 즉, 예열하고자 하는 특정부위(A)만 복사열에 의한 예열을 수행할 수 있음으로 인해, 예열 효율을 추가적으로 향상시킬 수 있으며, 또한 예열이 요구되지 아니하는 부분의 예열에 의해 초래될 수 있는 부작용을 예방할 수 있다. 기판(2)과 복사열원(101) 사이의 거리(L1)와 복사열원(101)과 반사판(102) 사이의 거리(L2)의 비, 즉 L1/L2는 1 내지 10의 범위 내에서 조절된다. 1 이하로 조절될 경우 반사판(102)에 의한 선택적 예열이 어려워지며, 10을 초과할 경우 기판(2)과 복사열원(101) 사이의 거리가 너무 커져 예열의 효율성이 저하된다. 보다 바람직하게는, 상기 비가 3 내지 5의 범위내에서 조절되는 것이다. 복사열원(101)과 반사판(102) 사이의 가로 거리(L3)와 세로 거리(L2)의 비, 즉 L3/L2는 2 내지 0.5,보다 바람직하게는 3/2 내지 2/3의 범위 내에서 조절되는 것이 바람직하다. 상기 비가 2를 초과할 경우 복사열의 포커싱이 곤란하고, 0.5 미만일 경우에는 예열할 수 있는 영역이 지나치게 좁아지게 된다.
예열부(2)에서 세정하고자 하는 표면(2a)만 선택적으로 예열된 기판(2)은 롤러(3)와 같은 이송장치에 의해 이웃한 대기압 플라즈마 발생부(100)로 이동한다. 필요할 경우, 기판(2)를 고정한 채, 표면세정장치(1)를 이동할 수도 있다. 상기 대기압 플라즈마 발생부(200)로 이동된 기판(2)은 배출구(205)를 통해 배출된 대기압 플라즈마와 접촉하게 되며, 기판(2) 상에 존재하는 오염원이 제거된다. 보다 구체적으로는, 유입구(204)를 통해 절연체(203a, 203b)에 의해 절연된 두 개의 전극(201a, 201b) 사이에 형성된 플라즈마 발생공간(202)의 내부로 도입된 처리가스는 교류전원(206)으로부터 인가된 전압에 의한 방전으로 플라즈마로 전환된다. 생성된 플라즈마는 순차적으로 유입되는 처리가스의 기류의 흐름에 의해 배출구(205)를 통해 플라즈마 발생공간(202)의 외부로 유도되고, 이동중인 기판(102) 중 예열부(100)에 의해 예열된 표면(2a)과 접촉하여 예열된 표면(2a)으로부터 오염원을 제거하게 된다.
플라즈마를 생성하기 위해 공급되는 처리가스의 예로는 질소, 질소와 산소의 혼합물, 질소의 공기의 혼합물, 불활성 가스, 또는 질소와 불활성 가스의 혼합물을 들 수 있다. 경제적인 측면을 고려할 때, 질소, 질소와 산소의 혼합물 또는 질소와 공기의 혼합물이 보다 바람직하다. 또한, 산소, 오존, 공기, 이산화탄소(CO2), 증기또는 산화질소(N2O)와 같은 산화력이 있는 기체를 단독으로 또는 질소와 함께 사용함으로써 기판상에 존재하는 레지스트를 제거할 수 있다. 가장 바람직하게는, 1 내지 10%의 공기를 혼합한 질소를 사용할 경우 경제성 및 플라즈마에 의한 효율적 세정이 성취될 수 있다.
교류전압을 전극(201a)에 인가하는 교류전원(206)의 주파수는 50Hz 내지 200MHz 범위이다. 주파수가 50Hz 이하일 경우 플라즈마 방전이 안정화될 수 없는 가능성이 있으며, 200MHz보다 클 경우, 상당히 큰 플라즈마의 온도 증가가 발생하여 아크방전을 야기할 수 있다. 바람직하게는 2kHz 내지 100MHz 범위, 가장 바람직하게는 5kHz 내지 100kHz범위이다. 인가되는 전압은 두 전극(201a, 201b) 사이의 간격, 전극의 전체 면적, 플라즈마 전환 효율, 사용되는 절연체의 종류 등을 고려하여 적절히 선택될 수 있다. 통상 1kV - 40kV 범위 내에서 조절된다. 1kV 미만일 경우 플라즈마 방전이 어렵고, 40kV 이상일 경우 절연체에 손상을 가할 수 있다. 바람직하게는 2kV ∼ 10kV, 가장 바람직하게는 2kV ∼ 8kV이다. 특히, 주파수 및 전압의 범위를 각각, 2kHz ∼ 100kHz 및 2kV ∼ 10kV로 조절할 경우, 높은 주파수 및 전압을 얻기 위한 임피던스 정합이 불필요하게 되어 장치의 단순화 및 경제적 이점을 제공하게 된다. 교류전원(206)에서 생성되는 파형은, 반드시 이에 한정되는 것은 아니지만, 펄스형태 또는 정현파 형태의 전압파형을 이용할 수 있다.
상기 전극(201a, 201b)의 표면 온도는 플라즈마 가공 중에 250℃ 이하로, 특히 바람직하게는 200℃ 이하로 유지되는 것이 바람직하다. 상기 전극(201a, 201b)의 표면 온도가 250℃ 보다 클 경우, 전극(201a, 201b)이 변형될 수 있으며, 아크 방전이 발생될 수 있다. 전극 온도의 하한 값은 특별히 제한되지 아니하나, 상온 이하로 유지할 경우 냉각에 추가적인 비용을 부담하게 된다. 전극(201a, 201b) 표면의 냉각은 방열기(207a, 207b)를 전극(201a, 201b) 주위에 설치함으로써 성취될 수 있다. 전극 표면의 냉각은 공기의 순환, 물의 순환 또는 냉각제의 순환에 의해 이루어진다. 교류전원(206)에서 인가되는 전력이 낮을 경우 공기의 순환에 의한 냉각이 바람직하며, 교류전원(206)에서 인가되는 전력이 높을 경우 물의 순환 또는 냉각제의 순환이 바람직하다. 또한 전력이 낮을 경우 접지된 전극(201b)에 대한 방열기(207b)는 설치되지 아니할 수 있다.
두 개의 평판형 전극(201a, 201b)은 절연체(203a, 203b)에 의해 절연된다. 도 1에서, 2개의 절연체(203a, 203b)가 사용되었으나, 하나의 절연체에 의해 전극(201a, 202b)이 절연될 수 있으며, 이러한 사항은 당해분야에서 통상의 지식을 가진 자에게 자명할 것이다. 절연체(203a, 203b)로서는, 특별히 제한되지 아니하나, 2000 미만의 유전상수를 갖는 절연성 물질이 바람직하다. 그러한 예로서는 MgO, MgF2, CaF2, LiF, 알루미나, 유리, 세라믹을 언급할 수 있다. 특히, 안정성을 유지하도록 산화마그네슘(magnesia)을 사용하는 것이 바람직하다. 산화마그네슘을 함유하는 절연체로서, 알루미나(alumina) 및 소량(0.01∼5 vol%)의 산화마그네슘과 같은 세라믹 가루(ceramic powder)의 혼합물을 제조하고 상기 혼합물을 소결시킴으로써 제조되는 소결물(sintered body)이 이용될 수 있다. 또한, 산화마그네슘을 함유하는 유전 재료는 스퍼터링(sputtering), 전자-빔 증착, 또는 열 분사에 의해 알루미나 또는 수정(quartz)과 같은 유전 기판의 표면 상에 산화마그네슘 필름을 코팅함으로써 제조될 수 있다. 상기 절연체(203a, 203b)의 두께는 0.1 내지 2 ㎜ 범위인 것이 바람직하다. 상기 두께가 0.1㎜ 미만인 경우, 상기 절연체(203a, 203b)의 내전압이 낮아질 수 있다. 또한, 상기 절연체에 틈이 생기거나 상기 절연체(203a, 203b)가 벗겨지는 현상이 발생할 수 있으므로, 상기 글로우 방전의 균일성을 유지하기 어렵게 된다. 상기 두께가 2㎜ 보다 클 경우, 상기 내전압이 지나치게 증가할 수 있다.
절연체(203a, 203b)와 전극(201a, 201b)의 연결은 통상의 방법에 의해서 성취될 수 있다. 예를 들면, 융해-본딩 방법(fusion-bonding method), 세라믹 분사 방법, 전극물질(예를 들면, 구리, 은, 알루미늄, 금, 백금, 팔라듐, 몰리브덴, 텅스텐 또는 이들의 합금)의 스프레이 방법, 전극물질의 화학적 기상증착법(Chemical vapor deposition), 전극물질의 물리적 기상증착법(physical vapor deposition)에 의해 성취될 수 있다.
본 발명에 있어서 플라즈마 발생부의 구조는, 절연체로 절연된 두 개의 전극, 두 전극 사이에 형성된 플라즈마 발생공간, 처리가스를 플라즈마 발생공간의 내부로 도입하는 유입구, 생성된 플라즈마를 플라즈마 발생공간의 외부로 배출하는 배출구 및 방전에 필요한 교류전압을 인가하는 교류전원을 포함하며, 배출구를 통해 배출된 플라즈마가 상대적으로 이동중인 기판과 접촉한다는 조건하에, 다양하게 변형될 수 있다. 예를 들면, 유입구를 통해 플라즈마 발생공간으로 유입되는 처리가스를 1 mm 정도의 미세한 구멍을 통하여 플라즈마 발생공간으로 유입하는 유량균일화장치(208)를 설치하여 플라즈마 발생공간(202) 내에서 플라즈마의 균일한 생성과 배출구(205)를 통한 플라즈마의 균일한 분출을 야기할 수 있다. 더 나아가, 미국특허 제6,424,091호에 개시된 원통형 전극을 이용하여 플라즈마에 의한 처리폭을 향상시킬 수 있다.
가장 바람직하게는, 상기 대기압 플라즈마 발생부가 전극 면적당 높은 플라즈마 발생효율과 증가된 처리폭을 동시에 만족하는 것이다. 도 3a는 도 1의 표면세정장치에 사용되는 대기압 플라즈마 발생부의 또 다른 바람직한 구현예의 사시도이다. 도 3a에 도시된 바와 같이, 상기 대기압 플라즈마 발생부는 위아래로 평행하게 배치된 두 개의 평판형 전극(201a, 201b), 두 전극(201a, 201b) 사이에 형성된 플라즈마 발생공간(202), 상기 두 전극 (201a, 201b)을 절연시키는 절연체(203a, 203b), 상기 플라즈마 발생공간(202)의 양측면에 형성된 처리가스의 유입구(204a, 204b), 상기 하부전극(201b) 내부에 형성된 배출구(205a, 205, 205c, 205d, 205e, 이하 "205") 및 방전에 필요한 전압을 인가하는 교류전원(206)을 포함한다. 도 3a에 개시된 대기압 플라즈마 발생부는 도 1에 도시된 대기압 플라즈마 발생부에 비해 새로운 이점을 제공한다. 구체적으로는, 도 1에 도시된 대기압 플라즈마 발생부의 경우 두 전극 사이의 이격거리(W)가 인가되는 전압에 의해 크게 제한되어 처리폭을 향상시키는데 어려움이 있으나, 도 3에 도시된 대기압 플라즈마 발생부의 경우 인가되는 전압에 거의 구애받지 않고 처리폭을 증가시킬 수 있다는 장점이 있다. 즉, 두 전극사이의 이격거리(W)의 경우 인가되는 전압에 의해 제한되어 그 길이가 통상 0.01 mm ∼ 30 mm로 제한되나, 전극의 길이(D)는 인가되는 전압에 거의 구애받지 아니하고 그 길이(D)를 현저히 증가시킬 수 있으며, 따라서, 전체 처리폭(D1+D2+D3+D4+D5)도 현저히 증가될 수 있다. 더 나아가, 도 1에 도시된 대기압 플라즈마 발생부의 경우, 배출구(205)의 형태를 변경시키는 것은 장치의 커다란 변형을 가져오게 되어 어려웠으나, 도 3에 도시된 대기압 플라즈마 발생부의 경우 방열기를 제외한 장치의 변형없이 배출구(205)의 형태를 원형, 삼각형, 타원형 등 다양한 형태로 변경할 수 있으며, 따라서, 처리하고자 하는 기판의 형태에 따라 배출구(205)의 형태를 용이하게 변경할 수 있다는 장점을 갖는다. 도 3b는 배출구(205)를 복수의 홀 형태로 배치한 일예를 도시하고 있다. 한편, 유입구(204a, 204b)의 경우, 플라즈마 발생공간의 양측면에 형성하는 것이 아니라 절연체(203a) 상에 형성할 수 있으며, 그러한 예가 도 3c에 개시되어 있다. 도 3에 도시된 대기압 플라즈마 발생부의 경우 플라즈마 발생공간 내부로의 안정된 처리가스 공급을 위해 처리가스 저장용기를 추가로 포함한다.
상기한 본 발명에 따른 세정장치는 기판의 표면으로부터 유기 화합물 또는 레지스트(resist)의 제거에 이용될 수 있다. 예를 들면, PCB 스트립, 리드프래임의 세정, TFT-LCD용 대면적 유리의 전세정(Pre-cleaning)처리, TFT-LCD용 대면적 유리에 올려진 레지스트 제거에 적용될 수 있다. 또한 반도체 제조공정 중 패키징(packaging)을 위한 모든 과정, 즉 본딩(bonding), 몰딩(molding), 솔더링(soldering), 칩 어태칭(chip attaching), 딥핑(dipping), 마킹(marking) 공정 등에 적용할 수 있다.
본 발명의 표면세정장치는 하나의 예열부와 2개 이상의 플라즈마 발생부가 병렬로 배열될 수 있으며, 하나의 플라즈마 발생부와 2이상의 예열부가 병렬로 연결될 수도 있으며, 2이상의 예열부와 2이상의 플라즈마 발생부가 서로 조합되어 배열될 수도 있다.
이하, 실시예 및 시험예를 들어 본 발명을 보다 상세히 설명할 것이나, 이러한 예들은 본 발명을 보다 상세히 설명하기 위한 것이며, 본 발명의 범위가 이들에 한정되는 것은 아니다. 특허청구범위에 기재된 범위 내에서 다양한 보완 및 변형이 가능하다.
실시예 1
도 1에 도시된 표면세정장치를 이용하여 예열을 수행하였다. 복사열원으로서 지름이 4mm이고, 할로겐 램프를 발열체로 갖는 것을 사용하였으며, 1KW의 전력을 복사열원에 공급하였다. 반사판으로서 금이 코팅된 스테인레스 스티일 반원형판을 사용하였으며, 반사판의 지름은 28 mm로 하였다. 반사판과 복사열원 사이의 거리는 15 mm로 하였으며, 복사열원과 PCB 기판사이의 거리는 30 mm로 하였다. PCB 기판의 길이는 50 mm이며, 세정이 요구되는 기판의 전체 표면에 대한 예열을 수행하였다. 예열 온도를 100℃로 설정하였으며, 기판의 표면 온도를 적외선 온도계를 사용하여 측정하였다. 기판의 표면온도의 제어는 복사열원과 상기 복사열원에 전력을 공급하는 전원 사이에 제어기를 설치하여 수행하였다. 절연체로서 0.635 mm 두께의 알루미나를 이용하였으며, 금속 전극은 알루미나의 한쪽 면에 은(Ag)-팔라듐(Pd)을 코팅시켜 형성된 금속막을 사용하였다. 방전공간의 틈새거리는 0.4 mm로 하였으며,처리가스로서 질소가스를 80 리터/분의 유량으로 유입시켰다. 교류전원의 전압값은 10 kV, 주파수는 8 kHz, 방전전력은 200 W로 하여 실험하였다. 기판의 이동속도를 변화시켜가면서 세정정도를 물과의 접촉각을 측정하여 평가하였으며, 400 cm/min의 속도로 기판을 이동시켜도 물과의 접촉각이 30° 이하로 유지되었다. 비교의 목적하에, 예열을 수행하지 않고 대기압 플라즈마 발생부를 이용한 표면세정을 수행하였다. 200 cm/min의 속도로 기판을 이동시킬 경우, 30° 미만의 접촉각을 나타내어 충분한 세정효과를 얻을 수 있었으나, 250 cm/min 이상의 이동속도에서는 40° 이상의 접촉각을 나타내어 불완전한 세정이 이루어졌음을 알 수 있었다.
실시예 2
처리가스로서 질소 85 lpm에 공기 5 lpm을 사용하고, 예열온도를 100℃로 유지하는 것을 제외하고는 실시예 2와 동일한 방법으로, 도 1에 도시된 표면세정장치를 이용하여 실리콘 웨이퍼에 입혀진 레지스트의 제거를 수행하였다. 온도에 따른 레지스트 제거율을 도 4에 도시하였으며 72℃와 100℃ 사이에 약 2배 정도 레지스트 제거율이 상승하였다.
본 발명의 표면세정방법 및 장치는 복사열을 이용하여 기판의 표면들 중 세정하고자 하는 표면을 선택적으로 예열함으로써 열적 팽창을 방지함과 아울러 신속한 표면 세정을 수행할 수 있었으며, 대기압하에서 절연체 방전에 의해 생성된 플라즈마를 이용함으로써 대기압 하에서 세정을 수행함과 아울러 기판에 대한 손상을 야기하지 아니하였다. 그리고, 기판을 상기 표면세정장치에 대해 상대적으로 이동시킴으로써 연속적인 표면세정이 가능하였다. 더 나아가, 본 발명에 따른 보다 바람직한 구현예에 따르면, 절연체로 절연된 두 개의 전극 사이에 형성된 플라즈마 발생공간 내부로 유입된 처리가스에 교류전압을 인가해 생성된 대기압 플라즈마를 플라즈마 발생공간 내부로 유입되는 처리가스의 기류 흐름을 이용하여 플라즈마 발생공간 외부로 유도한 후 세정하고자 표면과 접촉시킴으로써 기판의 형태에 구애받지 아니하는 장점을 갖는다.

Claims (11)

  1. 기판을 플라즈마 발생원에 대하여 상대적으로 이동시키거나 또는 플라즈마 발생원을 기판에 대하여 상대적으로 이동시키는 단계, 복사열원으로부터의 복사열을 반사판으로 반사하여 상기 기판의 표면들 중 세정이 요구되는 표면에 조사하여 상기 세정이 요구되는 표면을 선택적으로 예열하는 단계, 교류전원으로부터 인가되는 교류전압을 이용하여 절연체로 절연된 두 전극사이에 형성된 플라즈마 발생공간으로 유입되는 처리가스를 플라즈마로 전환하는 단계, 생성된 플라즈마를 처리하고자 하는 예열된 기판의 표면과 접촉시켜 상기 표면에 형성된 오염원을 제거하는 단계를 포함하는 표면세정방법.
  2. 제1항에 있어서, 상기 생성된 플라즈마를 처리하고자 하는 기판의 표면과 접촉시켜 상기 표면에 형성된 오염원을 제거하는 단계가 플라즈마 발생공간에서 생성된 플라즈마를 처리가스의 기류의 흐름에 의해 플라즈마 발생공간의 외부로 유도한 후 플라즈마 발생공간의 외부에서 예열된 표면과 접촉시켜 상기 표면에 형성된 오염원을 제거하는 것을 특징으로 하는 표면세정방법.
  3. 제1항 또는 제2항에 있어서, 상기 오염원이 유기화합물 또는 레지스트인 것을 특징으로 하는 표면세정방법.
  4. 제1항 또는 제2항에 있어서, 상기 기판이 반도체인 것을 특징으로 하는 표면세정방법.
  5. 제1항 또는 제2항에 있어서, 상기 기판이 PCB 스트립 또는 리드프래임인 것을 특징으로 하는 표면세정방법.
  6. 제1항 또는 제2항에 있어서, 상기 기판이 TFT-LCD용 대면적 유리인 것을 특징으로 하는 표면세정방법.
  7. 제1항 또는 제2항에 있어서, 상기 교류전원으로부터 인가되는 교류전원의 주파수가 50Hz ∼ 200MHz이고, 전압이 1kV ∼ 40kV인 것을 특징으로 하는 표면세정방법.
  8. 제7항에 있어서, 상기 교류전원의 주파수가 2kHz ∼ 100kHz이고, 전압이 2kV ∼ 10kV인 것을 특징으로 하는 표면세정방법.
  9. 기판의 표면 중 세정하고자 하는 표면에 복사열을 직접 조사하여 세정하고자 하는 표면을 선택적으로 예열하는 예열부와, 대기압 하에서 처리가스로부터 플라즈마를 생성한 후 플라즈마 발생공간의 내부로 유입되는 처리가스의 기류 흐름에 의해 플라즈마 발생공간의 외부로 유도하는 대기압 플라즈마 발생부를 포함하며, 상기 예열부는 복사열원 및 복사열원으로부터의 복사열을 반사하여 기판의 표면들 중 세정하고자 하는 표면에 직접 조사하는 반사판으로 이루어지며, 상기 대기압 플라즈마 발생부는 절연체로 절연된 두 개의 전극, 두 전극 사이에 형성된 플라즈마 발생공간, 처리가스를 플라즈마 발생공간의 내부로 도입하는 유입구, 생성된 플라즈마를 플라즈마 발생공간의 외부로 배출하는 배출구 및 방전에 필요한 교류전압을 인가하는 교류전원을 포함하고, 배출구를 통해 배출된 플라즈마를 예열된 표면과 접촉시켜 오염원을 제거하는 표면세정장치.
  10. 제9항에 있어서, 상기 배출구가 두 개의 전극 중 어느 하나의 내부에 형성되며, 배출구가 형성된 전극의 아래에 세정하고자 하는 기판이 위치하는 것을 특징으로 하는 표면세정장치.
  11. 제9항에 있어서, 상기 표면세정장치가 플라즈마 발생공간 내부로의 안정된 처리가스 공급을 위해 처리가스 저장용기를 추가로 포함하고, 상기 처리가스 저장용기는 절연체 상에 형성된 유입구를 통해 플라즈마 발생공간으로 처리가스를 공급하는 것을 특징으로 하는 표면세정장치.
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KR100755517B1 (ko) * 2006-10-09 2007-09-05 성균관대학교산학협력단 대기압 리모트 플라스마를 이용한 고밀도 플라스마발생장치
KR100764036B1 (ko) * 2006-02-24 2007-10-05 주식회사 케이씨텍 대면적 기판의 건식 세정모듈 및 이를 이용한 세정장치 및방법

Families Citing this family (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
EP2596688A1 (en) * 2010-07-21 2013-05-29 Dow Corning France Plasma treatment of substrates
KR20140037097A (ko) * 2011-04-27 2014-03-26 다우 코닝 프랑스 기판의 플라즈마 처리

Family Cites Families (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH0656833B2 (ja) * 1989-01-30 1994-07-27 大日本スクリーン製造株式会社 基板のレジスト除去洗浄方法及びその装置
CA2273717C (en) * 1999-06-04 2004-01-06 Ibm Canada Limited-Ibm Canada Limitee Method and apparatus for continuous cleaning of substrate surfaces using ozone

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100764036B1 (ko) * 2006-02-24 2007-10-05 주식회사 케이씨텍 대면적 기판의 건식 세정모듈 및 이를 이용한 세정장치 및방법
KR100755517B1 (ko) * 2006-10-09 2007-09-05 성균관대학교산학협력단 대기압 리모트 플라스마를 이용한 고밀도 플라스마발생장치

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