KR20040078697A - 자기 기록 매체 및 자기 기억장치 - Google Patents
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Abstract
자기 기록 매체는 기판과, Co 합금 또는 CoCr 합금으로 이루어진 자기기록층과, 기판과 자기 기록층 사이에 배치된 시드층과, B2 구조를 갖는 2원합금 재료로 이루어져 시드층과 자기 기록층 사이에 배치된 하지층을 포함한다. 상기 시드층은 하지층의 2원합금 재료를 형성하는 원소 중 하나로 실질적으로 구성되는 재료로 이루어진다.
Description
전형적인 종방향 자기 기록 매체(typical longitudinal magnetic recording medium)는 기판, 시드층, Cr 또는 Cr합금 하지층, Co-Cr 합금 중간층, 정보가 기록되는 Co합금 자성층, C 오버층(C overlayer) 및 유기물 윤활제를 포함하고 이 순서로 적층된다. 현재 사용되고 있는 기판은 NiP 도금된 Al-Mg 합금 기판이나 유리 기판을 포함한다. 유리 기판이 일반적으로 많이 사용되는데 이는 유리 기판의 내충격성, 평활성, 경도, 경량에 기인하고, 자기 디스크의 경우에 특히 디스크 단부에서 플러터(flutter)가 최소인 것에 기인한다.
자기 기록용으로는 NiP가 전기 도금된 Al 기판이 오랜 세월에 걸쳐 넓게 사용되어 왔다. 온도 Ts가 150℃를 넘는 고온에서 막이 성장되는 경우, Cr합금 하지층은 바람직한 (002)배향을 형성한다. 미국 특허 제5,866,227호에 개시되어 있는 바와 같이 NiP가 스퍼터링된 유리 또는 Al 기판은 Cr 하지층의 적절한 결정배향을촉진하는데 효과적인 것으로 알려져 있다. 따라서, 같은 시드층으로서, 후속하는층에 대하여 기존의 Al 매체 기술이 적용될 수 있다. 도 1 ~ 도 3은 종래의 자기 기록 매체의층 구조의 예를 나타낸다. 도 1 ~ 도 3에서 동일 부분에는 동일 부호가 부여된다.
도 1에 나타낸 제 1 예에서는, 유리 기판(1) 위에 NiP로 이루어진 아모퍼스층(3)이 형성된다. NiP층(3)이 바람직하게 산화된다. NiP층(3) 위에, (002) 텍스처(texture)를 갖는 2개의 실질적 Cr 하지층(4, 5)으로 이루어진 하지층이 성막되고, 그 위에 자성층(7)이 퇴적된다. 제 2 Cr 하지층(5)은 통상적으로 제 1 Cr 하지층(4)보다 큰 격자 파라미터를 갖는다. 자성층(7)은결정배향을 가지며, 단일층으로 이루어질 수도 있고, 또는 직접 접촉하여 단일 자성층으로서 자성적 역할을 하는 복수층으로 이루어질 수도 있다. 자성층(7)과 Cr 하지층(4, 5) 사이에 CoCr 합금으로 이루어진 중간층(6)이 배치될 수도 있다. 유리에 대한 NiP의 접착을 보다 강화하기 위해서 Cr등의 원소는 NiP와 합금될 수 있거나, 또는 실질적으로 Cr로 이루어진 다른 접착층(2)이 채용될 수도 있다. 그러나, Al 등의 금속 기판의 경우에는 이러한 접착층(2)을 사용할 필요가 없다. 스핀 밸브 헤드 등의 자기 트랜스듀서와의 사용을 위해서, 자성층(7)위에, C로 이루어지는 보호층(8)과 유기물 윤활층(9)이 퇴적된다.
도 2에 나타낸 제 2 예에서, 층 구조는 도 1에 나타낸 층 구조와 유사하다. 그러나, 도 2에서는, 소위 합성 페리자성 매체(SFM:Synthetic FerrimagneticMedium)를 형성하기 위해서, 자성층(7) 대신에 Ru로 이루어지는 스페이서층(10)을 통하여 반강자성 결합하고 있는 복수의 층(7-a, 7-b)이 설치되어 있다. 제 1 층(7-a)은 안정화층으로서 기능을 하고, 제 2 층(7-b)은 주기록층으로서 기능을 한다.
도 3에 나타낸 제 3 예는 Ta-M으로 이루어지는 고융점 금속 시드층(3-a)을 사용하고, 여기서, M은 질소나 산소 중 어느 하나이다. 유리 기판(1) 위에, Ar+N2가스 또는 Ar+O2가스로 반응성 스퍼터링에 의해 Ta-M 시드층(3-a)이 형성되고, Ta-M 시드층(3-a) 위에 하지층(4)이 형성된다. 미국 특허 제 5,685,958호에 (002)의 결정배향에 대하여 기재되어 있지만, 하지층의 조성은 Cr 또는 Cr합금에 한정되고, 예를 들면, B2구조 재료 등의 재료로 이루어진 하지층에 대해서는 기재되어 있지 않다. 자성층(7)은 상기 제 1 예의 경우와 마찬가지로 중간층(6) 또는 하지층(5) 위에의 우선배향으로 형성된다.
입자 사이즈, 입자 사이즈 분포, 우선 배향 및 Cr 편석을 포함하는 자성층의 미세 구조는 자기 기록 매체의 기록 특성에 크게 영향을 준다. 자성층의 미세 구조는 통상적으로 하나 이상의 시드층 및 하나 이상의 하지층을 사용함으로써 제어된다.
통상적으로, 유리 또는 알루미늄으로 이루어지는 적절한 기판 위에 시드층으로서 NiP가 이용된다. CoCrZr, NiAl 및 RuAl 등의 각종 시드층 재료를 사용하여, 종방향 기록에 요구되는 면내 자화가 얻어질 수 있다. AlRu 시드층은 후속되는 하지층 및 자기 기록층의 텍스처 성장에의 강한 영향 때문에 보다 일반적으로 사용되고 있다. 또한, AlRu 시드층은 후속의 하지층 및 자기 기록층의 입자 사이즈를 감소시킨다는 것이 확인되고 있다.
AlRu는 조성 범위가 Ru 50%와 Al 50%인 B2구조를 갖는 재료이다. B2구조를 갖는 AlRu는 유용하지만, AlRu의 다른 조성 범위를 찾아내려는 요구가 증가하고 있다. 이 문제를 해결하는 하나의 방법으로서는 동일한 챔버 내에서 각각 순 Al 및 순 Ru로 이루어지는 2개의 다른 타깃으로부터 퇴적물을 스퍼터링하는 것, 즉 멀티 캐소드 시스템을 이용하는 것이다. 이 방법에서는 2개의 타깃간 파워 비율을 변화시킴으로써, 큰 조성 범위를 간단하게 조사할 수 있지만, AlRu 합금으로 이루어지는 각종 단일 합금 타깃을 사용하는 경우에는 비용이 매우 많이 든다.
이러한 멀티 캐소드 시스템은 AlRu의 B2구조로 되는 조성 범위를 찾아내는 새로운 방법을 제공한다. 그러나, 단일 합금 타깃으로 이루어지는 경우와, 멀티 캐소드 시스템으로 이루어지는 경우에 막의 성장이 크게 다를 수 있다. 예를 들면, AlRu50가 단일 합금 타깃으로서 사용되는 경우, 통상의 스퍼터링의 파라미터 하에서, 그 위에 Cr(002) 및 Co 합금 자성층을텍스처로 성장시키는 (001)면을 형성하는 것은 용이하다. 그러나, 멀티 캐소드 시스템을 이용하여 Al 및 Ru로 막이 퇴적되는 경우, 특히 AlRu50의 양호한 (002) 면내 텍스처(in-plane texture)를 형성하는 것은 매우 곤란하다.
따라서, 멀티 캐소드 시스템을 이용하여 AlRu의 (001) 텍스처를 형성하는데사용할 수 있는 다른 구조를 실현하고자 하는 요망이 있다. 또한, 종방향 자기 기록 매체를 위해서 (001) 텍스처의 우선 배향을 얻는데 사용될 수 있는 다른 B2 구조의 재료에 대해서 멀티 캐소드 시스템의 사용을 확대하고자 하는 요망도 있다.
발명의 개시
따라서, 본 발명의 목적은 상기의 요망이 만족되는 신규이고 유용한 자기 기록 매체 및 자기 기억장치를 제공하는 것에 있다.
본 발명의 보다 구체적인 목적은 기판; Co합금 또는 CoCr 합금으로 이루어지는 자기 기록층; 상기 기판과 상기 자기 기록층 사이에 배치된 시드층; 및 B2 구조를 갖는 2원합금 재료로 이루어져 상기 시드층과 상기 자기 기록층 사이에 배치된 하지층을 포함하고, 상기 시드층은 상기 하지층의 2원합금 재료를 형성하는 원소 중 하나로 실질적으로 구성된 재료로 이루어진, 자기 기록 매체를 제공하는 것에 있다. 본 발명의 자기 기록 매체에 따르면, 하지층과 자기 기록층의 입자 사이즈를 줄일 수 있고 자기 기록층의 소망하는 배향을 촉진시킬 수 있다. 결과적으로, 향상된 성능을 가진 자기 기록 매체를 실현시킬 수 있다.
본 발명의 또 다른 목적은 기판과, Co합금 또는 CoCr 합금으로 이루어지는 자기 기록층과, 상기 기판과 상기 자기 기록층 사이에 배치된 시드층과, B2구조를 갖는 2원합금 재료로 이루어져 상기 시드층과 상기 자기 기록층 사이에 배치된 하지층을 포함하고, 상기 시드층은 상기 하지층의 2원합금 재료를 형성하는 원소 중 하나로 실질적으로 구성된 재료로 이루어지는, 적어도 하나의 자기 기록 매체; 및 상기 자기 기록 매체로부터 정보의 기록 및/또는 정보의 재생을 행하는 헤드를 구비한 자기 기억장치를 제공하는 것에 있다. 본 발명의 자기 기억장치에 따르면, 하지층과 자기 기록층의 입자 사이즈가 줄고 자기 기록 매체의 자기 기록층의 소망하는 뱅향이 촉진되기 때문에, 향상된 성능을 가진 자기 기억장치를 실현할 수 있다.
본 발명의 다른 목적 및 특징은 이하에 도면과 함께 기술하는 설명에 의해 명백해질 것이다.
본 발명은 자기 기록 매체 및 자기 기억장치에 관한 것으로, 특히 시드층과 2원합금으로 이루어진 하지층을 갖는 자기 기록 매체와, 그러한 자기 기록 매체를 사용하는 자기 기억장치에 관한 것이다.
도 1은 종래 자기 기록 매체의 제 1 예의 일부를 나타낸 단면도;
도 2는 종래 자기 기록 매체의 제 2 예의 일부를 나타낸 단면도;
도 3은 종래 자기 기록 매체의 제 3 예의 일부를 나타낸 단면도;
도 4는 본 발명에 따른 자기 기록 매체의 제 1 실시예의 주요부를 나타낸 단면도;
도 5는 본 발명에 따른 자기 기록 매체의 제 2 실시예의 주요부를 나타낸 단면도;
도 6은 본 발명에 따른 자기 기록 매체의 제 3 실시예의 주요부를 나타낸 단면도;
도 7은 Al 및 Ru 타깃으로부터 동시에 스퍼터링된 AlRu 샘플의 XRD 스펙트럼을 다른 AlRu 두께에 대해서 나타낸 도면;
도 8은 Al 및 Ru 타깃으로부터 동시에 스퍼터링된 AlRu 샘플의 XRD 스펙트럼을 다른 기판 온도에 대해서 나타낸 도면;
도 9는 Al 및 Ru 타깃으로부터 동시에 스퍼터링된 AlRu 샘플의 XRD 스펙트럼을 다른 스퍼터링 Ar압력에 대해서 나타낸 도면;
도 10은 Al 및 Ru 타깃으로부터 동시에 스퍼터링된 AlRu 샘플의 XRD 스펙트럼을 -150V의 기판 바이어스를 인가한 경우에 대해서 나타낸 도면;
도 11은 AlRu/CrMo/CoCrPtB 구조에 대해서 얻어진 수직 커 루프(perpendicular Kerr loop)를 나타낸 도면;
도 12는 기판 바이어스 효과 및 AlRu 초기 막 성장을 나타내는 개략 도면;
도 13은 기판 바이어스 효과 및 AlRu 초기 막 성장을 설명한 도면;
도 14는 동일면에 1종류의 원소만 존재하는 경우의 AlRu의 (001) 텍스처를 나타낸 도면;
도 15는 주로 AlRu의 (001) 텍스처가 존재하는 경우의 Glass/Al/AlRu/CrMo/CoCrPtB 구조의 XRD 스펙트럼을 나타낸 도면;
도 16은 AlRu가 주로 (001) 텍스처를 갖는 경우의 Glass/Ru/AlRu/CrMo/CoCrPtB 구조의 XRD 스펙트럼을 나타낸 도면;
도 17은 Al(또는 Ru)/AlRu/CrMo/CoCrPtB 구조의 수직보자력 값을 나타낸 도면;
도 18은 자기 기억장치의 본 실시예의 주요부를 나타낸 단면도; 및
도 19는 자기 기억장치의 하나의 실시예의 주요부를 나타낸 평면도.
본 발명을 실시하는 최적의 모드
도 4는 본 발명에 따른 자기 기록 매체의 제 1 실시예의 주요부를 나타낸 단면도이다. 도 4에서, 유리 또는 Al 기판(11)위에는 시드층(13) 및 금속간 2원합금으로 이루어지는 하지층(14)이 퇴적되어 있다. 시드층(13)은 2원합금 하지층(14)의 원소 중 하나로 실질적으로 이루어진다. 시드층(13)은 예를 들면 N2또는 O2분압으로 반응성 스퍼터링될 수 있다. 하지층(14) 위에는 Co합금 또는 CoCr 합금으로 이루어지는 자성층(17)이 퇴적되어 있다. 자성층(17)은결정배향을 가지며, 단일층으로 이루어질 수도 있고, 또는 직접 접촉하여 자기적으로 단일 자성층으로서 역할을 하는 복수층으로 이루어질 수도 있다. 자성층(17)위에는 C로 이루어진 보호층(18)과 유기물 윤활층(19)이 스핀 밸브 헤드 등의 자기 트랜스듀서의 사용을 위해 퇴적되어 있다.
유리 또는 Al 기판(11)은 기계적으로 텍스처링(texturing)될 수도 있다.
하지층(14)은 바람직하게는 B2 구조를 갖는 AlRu 등의 2원합금으로 이루어진다. 사용된 2원합금은 격자 정합과 후속하는 층의 결정배향을 촉진하는데 사용된다. 예를 들면, RuAl, CoTi 등은 Cr의 (002) 성장과 양호한 격자 정합과, 자성층(17)의 후속하는텍스처를 얻는데 유용하다. 하지층(14)은 1개의 원소의 조성 범위가 약40% ~ 60%인 RuAl, NiAl, CoAl, FeAl, FeTi, CoHf, CoZr, NiTi, CuBe, CuZn, AlMn, AlRe, AgMg, MnRh, IrAl, 및 OsAl 등의 B2구조를 갖는 재료로 이루어질 수 있다. 통상적으로, 상술한 2원합금의 조성 범위가 약 50%인 경우 B2구조의 형성이 발생한다. 그러나, VA1과 같이 B2 구조와 같은 구조를 얻기 위해서는 약 75% 정도의 높은 Al의 조성 범위를 필요로 하는 경우도 있다.
B2구조를 형성하는 하지층 재료는 2개의 다른 금속 타깃으로부터, 또는 2원합금을 구성하는 한 쪽의 원소로 주로 구성되어 있는 2개의 다른 금속 타깃으로부터 스퍼터링함으로써 퇴적될 수도 있다. 하지층(14)은 예를 들면, 약 5nm ~ 60nm의 두께로 퇴적된다.
버퍼층으로서 기능을 행하는 시드층(13)은 하지층(14)에 앞서 퇴적되고, 하지층(14)을 형성하는 2원합금을 구성하는 원소 중 하나로 형성되어 있다. 예를 들면, AlRu 하지층(14)에 대해서는 Al 또는 Ru 시드층(13)이 이용되고, FeTi 하지층(14)에 대해서는 Fe 또는 Ti 시드층(13)이 이용된다. 또한, 시드층(13)은 하지층(14)를 형성하고 있는 2원합금을 구성하는 원소 중 하나의 질화 또는 산화 금속으로 실질적으로 형성될 수도 있다. 즉, AlRu 하지층(14)에 대해서는 Al-N 또는 Al-O 시드층(13)이 사용될 수도 있고, FeTi 하지층(14)에 대해서는 Ti-O 또는 Ti-N 시드층(13)이 사용될 수도 있다. 질화 또는 산화 금속의 시드층(13)은 하지층(14)의 우수한 결정배향을 촉진하고, 후속하는 Cr계의 층의 우수한 (002) 성장과 자성층(17)에 대한 매우 양호한텍스처를 촉진한다.
시드층(13)은 예를 들면 약 0.5nm ~ 50nm의 두께로 퇴적된다. 바람직하게는 시드층(13)과 하지층(14)의 총 두께는 약 30nm ~ 60nm이다. 이러한 바람직한 총 두께까지의 퇴적은 2개의 챔버를 사용하는 것만으로 실현할 수 있으므로, 후속하는 층을 퇴적하는 동안의 유리 기판의 온도의 저하를 억제할 수 있다. 시드층(13)은 약 100℃ ~ 230℃의 적절한 온도 범위 및 약 5mTorr ~ 50mTorr의 압력하에서, 기판바이어스를 가지고 또는 없이 처리될 수 있다. 기판 바이어스는 Al 등의 재료로 이루어진 금속 기판에 인가될 수도 있지만, 유리 기판을 사용하는 경우에는 Cr 등의 재료로 이루어지는 프리 시드층을 이용하여 바이어스를 인가하는 것이 바람직하다.
보호층(18)은 예를 들면 약 1nm ~ 5nm의 두께를 가진 C로 이루어진다. 또한, 유기물 윤활층(19)은 약 1nm ~ 3nm의 두께를 가진다. C 보호층(18)은 CVD에 의해 퇴적될 수 있고, 딱딱하기 때문에, 자기 기록 매체를 대기 중 열화로부터 보호할 뿐만 아니라 헤드와의 물리적인 접촉으로부터도 보호한다. 윤활층(19)은 헤드와 자기 기록 매체 사이의 스틱션(stiction)을 감소시킨다.
도 5는 본 발명에 따른 자기 기록 매체의 제 2 실시예의 주요부를 나타낸 단면도이다. 도 5에서, 도 4에 대응하는 부분에는 동일 부호를 부여하고 그 설명은 생략한다.
도 5에서, N 또는 O가 반응성 스퍼터링된 시드층(13)이 사용된다. 이 시드층(13)은 상기 제 1 실시예에 비하여 IPO(면내 배향)를 크게 향상시킨다.
도 6은 본 발명에 따른 자기 기록 매체의 제 3 실시예의 주요부를 나타낸 단면도이다. 도 6에서, 도 4에 대응하는 부분에는 동일 부호를 부여하고 그 설명은 생략한다.
도 6에서, 소위 합성 페리 자성 매체(SFM:Synthetic Ferrimagnetic Medium)구조를 형성하기 위해서, Ru 스페이서층(20)을 통해서 반강자성 결합되어 있는 복수의 자성층(17-a, 17-b)이 설치되어 있다. 또한, 자성층 구조(17-a, 17-b)와의격자 정합을 위해서 그리고 하지층(14)으로부터 자성층 구조(17-a, 17-b)로의 확산 방지를 위해서, 자성층 구조(17-a, 17-b)와 하지층(14) 사이에 격자 정합층(15)이 배치될 수도 있다. 자성층 구조(17-a, 17-b)와 하지층(14) 사이에, hcp 구조의 중간층(16)이 삽입될 수도 있다. 또한, hcp 구조의 중간층(16)은 bcc 구조의 하지층(14)와 hcp 구조의 자성층 구조(17-a, 17-b) 사이의 버퍼로서 기능을 행한다.
격자 정합층(15)은 약 1nm ~ 10nm의 두께로 Cr-M층으로 퇴적될 수도 있는데, 여기서, M은 Mo, Ti, V, 및 W로 이루어지는 군(群)으로부터 선택된 재료이고, 원자 백분율이 10% 이상이다. 다른 방법으로서, 격자 정합층(15)은 약 1nm ~ 3nm의 두께를 갖는 Ru로 실질적으로 이루어질 수도 있다. 그러나, Ru격자 정합층(15)의 격자 파라미터는 자성층(17-a, 17-b)에 사용되는 Co 합금 또는 CoCr 합금의 격자 파라미터보다 크기 때문에, Ru격자 정합층(15)은 지나치게 두꺼워지지 않는다.
hcp 구조의 중간층(16)은 약간의 자성 또는 비자성인 hcp 구조의 CoCr 합금으로 이루어지고 약 1nm ~ 5nm의 두께로 퇴적된다. hcp 구조의 CoCr 합금은 CoCrPtB, CoCrPt, CoCrTa, CoCrPtTa, CoCrPtTaB 등을 포함한다. hcp 구조의 자성 CoCr 합금이 직접 bcc 구조의 Cr 합금막 위에 성장되는 경우, bcc 구조의 하지층(14)과 접촉하고 있는 자성층(17-a)의 일부가 격자 부정합 및/또는 시드층(13)으로부터의 원소의 확산에 의한 악영향을 받고, 이 경우에, 자성층(17-a)의 자기 이방성은 저하 함과 동시에, 자성층 구조(17-a, 17-b)의 총 자화가 저하한다. hcp 구조의 비자성 중간층(16)을 사용하면, 자성층 구조(17-a, 17-b)가 이러한 바람직하지 않은 영향을 받는 것을 방지할 수 있다. 이 결과, 자성층 구조의 자기 이방성및 보자력이 증가한다. 또한, 중간층(16)이 서서히 격자 파라미터를 정합시키는 기능을 가지고 있으므로, 자성층 구조의 면내 배향이 향상되고, 자성층 구조의 완전한 자화가 실현되는데, 다시말하면, 소위 "데드층(dead layer)"이 최소화된다. 또한, 자성층 구조의 계면에서의 보다 작은 입자의 형성도 최소화된다.
SFM 구조는 적어도 2개의 반강자성 결합된 CoCr 합금으로 이루어지는 자성층으로 이루어질 수도 있고, 이 때 이들의 자성층의 c축은 비(比) h ≤ 0.15가 되도록 막 평면에 대하여 현저하게 평행하게 되어 있고, 여기서, 수직보자력을 Hc⊥, 막 평면을 따르는 보자력을 Hc라 하면, h=Hc⊥/Hc이다. SFM은 향상된 열안정성을 가지지만, 매우 우수한 면내 배향을 필요로 하고, 이와 같이 우수한 면내 배향은 상술한 시드층(13)과 하지층(14)의 조합에 의해 제공될 수 있다.
따라서, 상기 실시예는 B2 구조의 합금 또는 2원합금으로부터 (001) 텍스처를 형성하는 방식을 제공하고 있다. B2구조의 재료로부터 (001) 텍스처를 얻기 위해서, 제일 먼저 기판(11) 위에 퇴적되는 시드층(13)은 하지층(14)의 2원합금을 형성하는 원소 중 하나로 실질적으로 형성되어 있을 필요가 있다. 이 사실에 기초하여, 매우 얇고, 바람직하게는 단일층인 금속막을 시드층(13)으로서 규정한다.
AlRu 등의 하지층의 재료에 대한 퇴적 조건은, 소망하는 텍스처를 얻기 위해서 순금속 타깃들이 다른 파워 비율로 동시에 스퍼터링되는 멀티 캐소드 시스템을 이용하여 퇴적되는 경우, 소망하는 텍스처를 형성하는데 매우 중요하다. 적절한 텍스처를 나타내는 가장 중요한 퇴적 조건은 기판 온도, 막의 두께, 스퍼터링 압력 및 기판 바이어스이다. 다음으로, 다른 퇴적(스퍼터링) 조건에 대한 AlRu 성장 특성에 대해서 설명한다.
도 7 ~ 도 9는 AlRu 하지층(14)에 대해서, 다른 스퍼터링 조건으로 퇴적된 AlRu/CrMo/CoCrPtB 구조의 XRD 스펙트럼을 나타낸 도면이다. 각 AlRu/CrMo/CoCrPtB 구조는 AlRu 하지층(14), CrMo 격자 정합층(15) 및 CoCrPtB 중간층(16)으로 이루어진다. AlRu 하지층(14)은 Al 및 Ru로 이루어지는 2개의 다른 순금속 타깃으로부터 동시에 스퍼터링함으로써 형성된다. Al50Ru50의 조성은 2개의 타깃간에 인가되는 파워 비율을 변화시킴으로써 용이하게 얻어질 수 있다. 도 7 ~ 도 9에서, 종축은 강도(intensity)를 임의 단위(A.U.)로 나타내고, 횡축은 2θ(도)를 나타낸다.
도 7은 Al 및 Ru 타깃으로부터 동시에 스퍼터링된 AlRu 샘플의 XRD 스펙트럼을 다른 AlRu 두께에 대해서 나타낸 도면이다. 즉, 도 7은 3nm ~ 100nm의 두께 범위가 다른 AlRu 층을 갖는 AlRu 샘플의 XRD 스펙트럼을 나타낸다. 곡선(101, 102, 103)은 각각 AlRu 층의 두께가 3nm, 20nm, 100nm의 경우에 대응한다. 이들의 XRD 스펙트럼으로부터, 2θ가 약 43°인 경우에 현저한 피크가 나타는 것을 명백히 알 수 있다. 이 피크는 후속하는 Cr 및 자성 기록층(17)에는 바람직하지 않은 텍스처인 AlRu (110)에 대응한다. 관심을 가지고 있는 텍스처는, Cr (002) 텍스처 및 Co텍스처가 주어지는, 2θ가 약 30°인 경우에 XRD 피크가 나타나는, AlRu(002)이다. 이 경우, 전체 두께 범위에 대해서 AlRu (110) 텍스처가 주가 된다. 이 경우, 기판 온도는 150℃로 유지되었고, 스퍼터링에서는 5mTorr의 Ar압력이 사용되었다.
도 8은 Al 및 Ru 타깃으로부터 동시에 스퍼터링된 AlRu 샘플의 XRD 스펙트럼을 다른 기판 온도에 대해서 나타낸 도면이다. 즉, 도 8은 AlRu 층의 성장에 미치는 기판 온도의 영향을 나타낸다. 곡선(201, 202, 203, 204)은 각각 기판 온도가 230℃, 200℃, 150℃, 0℃인 경우에 대응한다. 이 경우, 스퍼터링에 이용한 Ar압력은 5mTorr로 유지되었고, AlRu 층의 두께는 일정하게 20nm로 유지되었다. 기판 온도는 0℃ ~ 230℃의 범위에서 변경되었다. 도 8로부터 명백히 알 수 있는 바와 같이, 이 경우에도 AlRu (110) 텍스처가 주가 되고, AlRu (002) 텍스처가 발생하지 않은 것이 명백하다.
다른 중요한 스퍼터링의 파라미터는 스퍼터링에 사용되는 Ar압력이다. Ar압력의 변화와 대응하는 텍스처 성장이 도 9에 나타나 있다. 도 9는 Al 및 Ru 타깃으로부터 동시에 스퍼터링된 AlRu 샘플의 XRD 스펙트럼을 다른 스퍼터링 Ar압력에 대해서 나타낸 도면이다. 곡선(301, 302, 303)은 각각 Ar 압력이 5mTorr, 20mTorr, 50mTorr인 경우에 대응한다. 이 경우도, 요구되는 AlRu (002) 텍스처는 명백히 발생하지 않는다.
다음으로, AlRu의 성장에 미치는 기판 바이어스의 영향에 대해서, 도 10 및 도 11을 참조하여 설명한다. 도 10은 Al 및 Ru 타깃으로부터 동시에 스퍼터링된 AlRu 샘플의 XRD 스펙트럼을 -150V의 기판 바이어스를 인가한 경우에 대해서 나타낸 도면이다. 도 10에서, 종축은 강도를 임의 단위(A.U.)로 나타내고, 횡축은 2θ(도)를 나타낸다. 도 11은 AlRu/CrMo/CoCrPtB 구조에 대해서 얻어지는 수직 커 루프를, AlRu 하지층(14)이 100nm이고, CrMo 격자 정합층(15)이 5nm이고, CoCrPtB 중간층(16)이 18nm인 경우에 대해서 나타낸 도면이다. 도 11에서, 종축은 커 회전(Kerr rotation)(도)을 나타내고, 횡축은 인가되는 자계(kOe)를 나타낸다.
기판 바이어스를 행하는 경우에, AlRu 층을 형성하기 전에 얇은 Cr/NiP 층을퇴적할 필요가 있다. 이 경우, 2개의 층에 대한 성장 특성은 다소 다르지만, AlRu (002)가 성장하지 않는 원인이 무엇인지를 찾아내는 단서가 된다. 기판 온도는 150℃ 이었고, -150V의 기판 바이어스가 인가되었다. 이 경우, 주로 AlRu (001) 성장이 관측되었고, 이에 비해 매우 낮은 AlRu (110) 텍스처의 성장이 관측되었다. 따라서, 모든 스퍼터링 조건 중, 기판 바이어스가 인가되고 스퍼터링 파워가 낮은 샘플에서만, 50nm를 넘는 비교적 두꺼운 RuAl 하지층 두께를 가진 RuAl (001) 상(phase)을 얻을 수 있었다. 기판 바이어스가 인가되고 스퍼터링 파워가 높으면, 다른 퇴적 조건의 경우와 마찬가지로 주로 RuAl (110) 상(相)을 얻을 수 있었다. 이 가능한 메카니즘은 (002)면이 기판(11)의 표면과 평행하게 되는 Cr과 같은 임의의 bcc 구조의 재료의 메카지니즘과 정반대이다. RuAl 하지층(14)의 경우에, 기판(11)의 표면과 평행하게 (110) 면이 주로 성장하고, 따라서, RuAl (110) 상(相)의 형성이 용이해진다. 그러나, 바이어스 전계가 인가되면, 충격 입자(bombarding particle)(Ar+이온)의 운동 에너지도 증가한다. 이 때문에, 주로 1종의 원소, 이 경우, Al 및 Ru 중 어느 하나를 형성하도록 조장(助長)한다. 산란의 확률은 Ru보다 Al의 경우가 높다. Ru의 원자 반경은 Al의 원자 반경보다 작기 때문에, 기판 바이어스를 인가하는 것으로 기판(11)에 초기적으로 주로 Ru가 부착될 수 있다.이 현상은 도 12 및 도 13에 개략적으로 나타나 있다.
도 12는 기판 바이어스 효과 및 AlRu 초기 막 성장을 나타내는 개략도이다. 도 12에서, 참조 부호 501, 502는 각각 Ru 타깃과 Al 타깃을 나타낸다. 또한, 도 13은 기판 바이어스 효과 및 AlRu 초기 막 성장을 설명한 도면이다. 도 13에서, 왼쪽 부분은 기판(11) 상의 (001) 및 (110)의 성장을 나타내고, 오른쪽 부분은 기판 바이어스를 인가하여 기판(11)상에 스퍼터링된 Al 및 Ru를 나타낸다.
상기 설명으로부터 알 수 있는 바와 같이, 2원합금의 층(하지층(14))을 퇴적하기 전에 얇은 금속층(시드층(13))을 형성하는 것이 중요하다. 이는, 도 14로부터 명백한 바와 같이, 표면이 주로 한 종류의 원소로 이루어지는 (001) 텍스처를 성장하는 것이 가능해진다.
도 14는 동일 평면에 한 종류의 원소만 존재하는 경우의 AlRu의 (001) 텍스처를 나타낸 도면이다. 즉, 도 14는 AlRu 셀 구조의 텍스처를 나타낸다. 즉, (001) 텍스처의 경우에, 1개의 표면은 항상 같은 원소, 즉, Ru 또는 Al을 함유하는 것에 주목해야 한다. 이러한 성장은 AlRu 하지층(14)에 앞서 미리 순 Al 또는 순 Ru의 시드층(13)을 퇴적해 두는 것으로 가능해진다. 이러한 성장 방법은 바람직하게는 B2구조를 갖는 임의의 2원합금에도 적용할 수 있고, 2원합금을 퇴적하기 전에, 순 원소 중 하나를 주로 함유하는 얇은 시드층을 성장하면 좋다. 이러한 성장 방법을, 예를 들면 AlRu 층의 형성에 이용했다.
도 15는 AlRu가 주로 (001) 텍스처를 갖는 경우의 Glass/Al/AlRu/CrMo/CoCrPtB 구조의 XRD 스펙트럼을 나타낸 도면이다. 즉, 도 15는 Glass/Al/AlRu/CrMo/CoCrPtB 구조로부터 취해진 XRD 패턴을 Al의 각종 두께에 대해서 나타낸다. 각 Glass/Al/AlRu/CrMo/CoCrPtB 구조는 유리 기판(11), Al 시드층(13), AlRu 하지층(14), CrMo 격자 정합층(15) 및 CoCrPtB 중간층(16)으로 이루어진다. 곡선(401, 402, 403)은 각각 Al 시드층(13)이 3nm이고 AlRu 하지층(14)이 30nm인 경우, Al 시드층(13)이 1nm이고 AlRu 하지층(14)이 30nm인 경우, Al 시드층(13)이 3nm이고 AlRu 하지층(14)이 100nm인 경우에 대응한다. 매우 얇은 Al 시드층(13)을 형성함으로써, AlRu (001) 텍스처가 용이하게 형성될 수 있음이 명백하다.
마찬가지로, 도 16으로부터도 알 수 있는 바와 같이, AlRu를 동시에 스퍼터링하기 전에 매우 얇은 Ru시드층(13)을 형성함으로써, AlRu (001) 텍스처가 용이하게 형성될 수 있다. 도 16은 AlRu가 주로 (001) 텍스처를 갖는 경우의 Glass/Ru/AlRu/CrMo/CoCrPtB 구조의 XRD 스펙트럼을 나타낸 도면이다. 즉, 도 16은 Glass/Ru/AlRu/CrMo/CoCrPtB 구조로부터 취해진 XRD 패턴을 Ru의 각종 두께에 대해서 나타낸다. 각 Glass/Ru/AlRu/CrMo/CoCrPtB 구조는 유리 기판(11), Ru시드층(13), AlRu 하지층(14), CrMo 격자 정합층(15) 및 CoCrPtB 중간층(16)으로 이루어진다. 곡선(601, 602, 603)은 각각 Ru시드층(13)이 1nm이고 AlRu 하지층(14)이 30nm인 경우, Ru시드층(13)이 3nm이고 AlRu 하지층(14)이 30nm인 경우, Ru시드층(13)이 3nm이고 AlRu 하지층(14)이 100nm인 경우에 대응한다.
도 15에 나타낸 경우와 도 16에 나타낸 경우의 양자를 비교하면, Al시드층(13)이 Ru 시드층(13)에 비하여 보다 좋은 AlRu (001) 텍스처를 형성할 수 있다.그러나, 양자의 경우에, 예상된 바와 같이, 시드층(13) 위에 퇴적된 AlRu 하지층(14)에 대하여 강한 AlRu (001) 텍스처가 나타난다.
도 17은 Al(또는 Ru)/AlRu/CrMo/CoCrPtB 구조의 수직보자력 값을 나타낸 도면이다. 즉, 도 17은 커(Kerr) 측정을 이용하여 측정된 Al(또는 Ru)/AlRu/CrMo/CoCrPtB 구조의 수직보자력을 나타낸다. 도 17에서, 종축은 수직보자력(Oe)을 나타내고, 횡축은 Al(또는 Ru)시드층(13)의 두께(nm)를 나타낸다. 또한, ○표는 시드층과 하지층의 조합(Al/AlRu)의 보자력을 나타내고, ●표는 시드층과 하지층의 조합(Ru/RuAl)의 보자력을 나타낸다. 시드층(13)의 두께가 얇으면, 수직보자력 값은 낮아지는 경향이 있는 양호한 경우이다. 통상적으로, 기판 온도가 약 100℃ ~ 230℃의 적절한 범위이면, 양호한 결정 텍스처 및 층 간의 양호한 접합이 얻어진다. 그러나, 다른 2원합금계나 다른 텍스처 요구에 대하여, 같은 효과를 얻기 위해서 기판 온도를 적절하게 조정될 수도 있다. 통상적으로, 기판 바이어스를 인가하거나 또는 인가 하지 않는 경우에도, 5mTorr ~ 50mTorr의 넓은 스퍼터링의 가스 압력 범위가 사용될 수 있다. 이들은 자기 기록 매체를 제조하는 경우에 채용되는 일반적인 스퍼터링 조건이다. 기판 바이어스는 Al 등으로 이루어진 금속 기판에 인가될 수 있지만, 유리 기판을 이용하는 경우에는 Cr등의 재료로 이루어진 금속제의 프리 시드층이 사용될 필요가 있다.
상술한 특정 성장이 자기 기록 매체에 적용된 경우에 대해서 설명했지만, 2원합금으로부터의 (001) 성장이 바람직한 반도체 장치나 레이저 장치 등의 다른 분야에도 적용 가능하다. 예를 들면, GaAs (100) 텍스처는 반도체 장치에서 최근 사용되는 재료로 특정의 배향(또는 텍스처)을 얻는데 빈번하게 이용된다. 통상, 이러한 경우에는 단결정 기판이 바람직하다. 그러나, 스퍼터링으로, 먼저 Ga를 퇴적하고 다음에 GaAs를 함께 퇴적하여 (001) 텍스처를 만듬으로써 상기와 같은 텍스처가 용이하게 성장될 수 있다.
특정한 (100) 성장 이외에도, 본 발명을 이용하여 이루어질 수 있는 다른 종류의 텍스처도 있을 수 있는데, 다시 말하면, 주로 2개의 원자종으로 이루어지는 2원합금 또는 3원합금을 퇴적하기 전에, 주로 단일 원자종을 채용하여 퇴적하는 것이다. 이와 같이하여 얻을 수 있는 텍스처의 일부는 NiAl, FeAl 또는 같은 재료의 (112) 텍스처가 될 수 있다. 수직 자기 기록에 적용하는 경우에는 Co합금 자성층에 수직 이방성이 부여될 수 있다. 이 경우, 얇은 단일 원자종의 층과 2원합금(또는 3원합금)의 층의 조합에 의해, 자성층의 Co (0002) 텍스처가 부여될 수 있다.
또한, 상기 실시예에서는 강성의 유리 기판을 사용하고 있지만, 마찬가지로, 발명은 본 발명의 정신으로부터 벗어나지 않고, 유연성 또는 강성을 갖는 금속, 폴리머, 플라스틱, 세라믹 등의 다른 종류의 기판이 사용되는 경우에도 적용될 수 있다.
자기 디스크의 경우, 신호대잡음(S/N)비 및 열에 의한 열화를 고려하면, NiP가 코팅된 기판 위에 기계적 주변 방향 텍스처링(트랙과 평행한 텍스처링)이 실시된 쪽이 텍스처링을 실시하지 않은 경우보다 우수한 성능을 갖고 있다는 것을 알 수 있다. 또한, 자기 디스크의 경우, 자기 기록을 행하는 동안 헤드 자계가 주변방향을 따라 인가되므로,텍스처를 갖는 Co입자의 c축(<0001>)이 주로 주변 방향으로 향하기 때문에, 기계적 텍스처링을 실시하는 쪽이 자기 기록을 행하는 경우에도 유리하다. 과거로부터, NiP가 코팅된 기판에 기계적 텍스처링을 실시하면, 자성층뿐만 아니라 Cr합금의 하지층에도 결정 배향이 부여되는 것을 알고 있었다. 하지층은 기계적 텍스처링을 실시하는 경우에도 실시하지 않은 경우에도 (002) 텍스처로 성장한다. 그러나, 전자의 경우, 자기 디스크이면 Cr<110>방향도 주변 방향으로 배향하는 것이 바람직하다. 따라서, 본 발명에 따른 자기 기록 매체는, 기판의 기계적 텍스처링, 또는 NiP 등의 시드층 또는 본 발명에 따른 시드층의 기계적 주변 방향 텍스처링에 의해, 바람직한 하지층 및 자성층 배향을 나타낸다.
다음으로, 본 발명에 따른 자기 기억장치의 하나의 실시예를, 도 18 및 도 19를 참조하여 설명한다. 도 18은 자기 기억장치의 본 실시예의 주요부를 나타낸 단면도이고, 도 19는 자기 기억장치의 본 실시예의 주요부를 나타낸 평면도이다.
도 18 및 도 19에 나타낸 바와 같이, 자기 기억장치는, 하우징(113) 내에 설치된, 모터(114), 허브(115), 복수의 자기 기록 매체(116), 복수의 기록 재생 헤드(117), 복수의 서스펜션(118), 복수의 암(119) 및 액츄에이터 장치(120)를 통상적으로 포함한다. 자기 기록 매체(116)는 모터(114)에 의해 회전되는 허브(115)에 장착되어 있다. 기록 재생 헤드(117)는 MR 또는 GMR 헤드 등의 재생 헤드와, 인덕티브 헤드등의 기록 헤드로 이루어진다. 각 기록 재생 헤드(117)는 대응하는 암(119)의 선단에 서스펜션(118)을 통해 장착되어 있다. 암(119)은 액츄에이터 장치(120)에 의해 이동된다. 이러한 자기 기억장치의 기본 구성 자체는 주지된 것이고, 본 명세서에서는 상기에 대한 상세한 설명은 생략한다.
자기 기억장치의 본 실시예는 자기 기록 매체(116)에 특징이 있다. 각 자기 기록 매체(116)는 도 4 ~ 도 17과 함께 설명된 임의의 실시예의 구조를 가질 수도 있다. 자기 기록 매체(116)의 수는 3매에 한정되지 않고, 2매인 것도, 4매 이상인 자기 기록 매체가 설치될 수도 있다.
자기 기억장치의 기본 구조는 도 18 및 도 19에 나타낸 바에 한정되지 않는다. 또한, 본 발명에 이용되는 자기 기록 매체는 자기 디스크에 한정되지 않으며, 자기 기록 매체는 자기 테이프 또는 자기 카드 등의 형태를 취할 수도 있다.
따라서, 본 발명에 의하면, 시드층을 설치함으로써, 하지층 및 자기 기록층의 입자 사이즈를 감소시킬 수 있는 동시에, 자기 기록층의 소망하는 배향을 촉진 시킬 수 있다. 이 결과, 하지층이 멀티 캐소드 시스템을 이용하여 형성되는 경우에도, 향상된 성능을 갖는 자기 기록 매체를 실현할 수 있다. 물론, 하지층을 단일 캐소드 시스템을 이용하여 형성하는 경우에는, 시드층을 설치함으로써, 하지층 및 자기 기록층의 입자 사이즈를 마찬가지로 감소시킬 수 있는 동시에, 자기 기록층의 소망하는 배향을 촉진시킬 수 있다.
또한, 본 발명은 상기 실시예에 한정되지 않고, 본 발명의 범주로부터 벗어나지 않으면서 각종 변형 및 개량이 이루어질 수 있다.
Claims (18)
- 기판;Co 합금 또는 CoCr 합금으로 이루어지는 자기 기록층;상기 기판과 상기 자기 기록층 사이에 배치된 시드층(seed layer); 및B2구조를 갖는 2원합금 재료(binary alloy material)로 이루어지며 상기 시드층과 상기 자기 기록층 사이에 배치된 하지층을 포함하고,상기 시드층은 상기 하지층의 상기 2원합금 재료를 형성하는 원소 중 하나로 실질적으로 구성되는 재료로 이루어지는 것을 특징으로 하는 자기 기록 매체.
- 제 1 항에 있어서,상기 자기 기록층은 단일 자성층 또는 합성 페리 자성 구조로 이루어지고, 상기 합성 페리 자성 구조는 적어도 2개의 반강자성 결합된 CoCr 합금의 자성층으로 이루어지고, 상기 CoCr 합금의 자성층의 c축은 비(比) h ≤ 0.15가 되도록 막 평면에 대해서 현저하게 평행하게 되어 있고, 수직보자력을 Hc⊥, 막 평면을 따르는 보자력을 Hc라 하면, h=Hc⊥/Hc인 것을 특징으로 하는 기록 매체.
- 제 1 항 또는 제 2 항에 있어서,상기 하지층은 상기 2원합금 재료를 형성하는 원소 중 하나의 조성 범위가 약 40% ~ 60%인 RuAl, NiAl, CoAl, FeAl, FeTi, CoHf, CoZr, NiTi, CuBe, CuZn,AlMn, AlRe, AgMg, MnRh, IrAl, OsAl로 이루어지는 군(群)으로부터 선택된 B2구조를 갖는 2원합금 재료로 이루어지는 것을 특징으로 하는 기록 매체.
- 제 1 항 내지 제 3 항 중 어느 한 항에 있어서,상기 시드층은 상기 하지층이 AlRu로 이루어지는 경우에는 실질적으로 Al 또는 Ru로 이루어지고, 상기 시드층은 상기 하지층이 FeTi로 이루어지는 경우에는 실질적으로 Fe 또는 Ti로 이루어지는 것을 특징으로 하는 기록 매체.
- 제 1 항 내지 제 3 항 중 어느 한 항에 있어서,상기 시드층은 상기 하지층을 형성하는 상기 2원합금을 이루는 상기 원소 중 하나의 산화 또는 질화 금속으로 실질적으로 이루어지는 것을 특징으로 하는 기록 매체.
- 제 1 항 내지 제 5 항 중 어느 한 항에 있어서,상기 하지층은 약 5nm ~ 60nm의 두께를 갖는 것을 특징으로 하는 기록 매체.
- 제 1 항 내지 제 6 항 중 어느 한 항에 있어서,상기 시드층은 약 0.5nm ~ 50nm의 두께를 갖는 것을 특징으로 하는 기록 매체.
- 제 1 항 내지 제 7 항 중 어느 한 항에 있어서,상기 시드층 및 상기 하지층의 총 두께는 약 30nm ~ 60nm의 범위인 것을 특징으로 하는 기록 매체.
- 제 1 항 내지 제 7 항 중 어느 한 항에 있어서,상기 기판은 기계적으로 텍스처링(texuring)된 것을 특징으로 하는 기록 매체.
- 제 1 항 내지 제 9 항 중 어느 한 항에 있어서,약 1nm ~ 1Onm의 두께를 가지며 상기 하지층 위에 직접 형성되어 상기 하지층과 상기 자성 기록층 사이에 배치된 Cr-M 격자 정합층을 더 포함하고, M은 10% 이상인 원자 백분율의 Mo, Ti, V 및 W로 이루어지는 군으로부터 선택된 재료인 것을 특징으로 하는 기록 매체.
- 제 10 항에 있어서,약간의 자성 또는 비자성의 hcp 구조를 갖는 CoCr 합금으로 이루어지고, 두께가 약 1nm ~ 5nm이며, 상기 Cr-M 격자 정합층과 상기 자성 기록층 사이에 배치된 중간층을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 기록 매체.
- 제 1 항 내지 제 9 항 중 어느 한 항에 있어서,약간의 자성 또는 비자성의 hcp 구조를 갖는 CoCr 합금으로 이루어지고, 두께가 약 1nm ~ 5nm이며, 상기 하지층과 상기 자성 기록층 사이에 배치된 중간층을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 기록 매체.
- 제 1 항 내지 제 9 항 중 어느 한 항에 있어서,실질적으로 Ru로 이루어지고, 두께가 약 1nm ~ 3nm이며, 상기 자성 기록층과 직접 접촉하고, 상기 하지층과 상기 자성 기록층 사이에 배치된 격자 정합층을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 기록 매체.
- 기판과, Co합금 또는 CoCr 합금으로 이루어지는 자기 기록층과, 상기 기판과 상기 자기 기록층 사이에 배치된 시드층과, B2구조를 갖는 2원합금 재료로 이루어져 상기 시드층과 상기 자기 기록층 사이에 배치된 하지층을 포함하고, 상기 시드층은 상기 하지층의 2원합금 재료를 형성하는 원소 중 하나로 실질적으로 구성되는 재료로 이루어지는 적어도 하나의 자기 기록 매체; 및상기 자기 기록 매체로부터 정보의 기록 및/또는 정보의 재생을 행하는 헤드를 포함하는 것을 특징으로 하는 자기 기억장치.
- 제 14 항에 있어서,상기 자기 기록 매체의 상기 하지층은 상기 2원합금 재료를 형성하는 원소 중 하나의 조성 범위가 약40% ~ 60%인 RuAl, NiAl, CoAl, FeAl, FeTi, CoHf, CoZr,NiTi, CuBe, CuZn, AlMn, AlRe, AgMg, MnRh, IrAl 및 OsAl로 이루어지는 군으로부터 선택된 B2구조를 갖는 2원합금 재료로 이루어지는 것을 특징으로 하는 자기 기억장치.
- 제 14 항 또는 제 15 항에 있어서,상기 자기 기록 매체의 상기 시드층은 상기 하지층이 AlRu로 이루어지는 경우에는 실질적으로 Al 또는 Ru로 이루어지고, 상기 시드층은 상기 하지층이 FeTi로 이루어지는 경우에는 실질적으로 Fe 또는 Ti로 이루어지는 것을 특징으로 하는 자기 기억장치.
- 제 14 항 내지 16 항 중 어느 한 항에 있어서,상기 자기 기록 매체의 상기 시드층은 상기 하지층을 형성하는 상기 2원합금을 이루는 원소 중 하나의 산화 또는 질화 금속으로 실질적으로 이루어지는 것을 특징으로 하는 자기 기억장치.
- 제 14 항 내지 제 17 항 중 어느 한 항에 있어서,상기 자기 기록 매체는 자기 디스크인 것을 특징으로 하는 자기 기억장치.
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