JP2005526352A - 磁気記録媒体及び磁気記憶装置 - Google Patents
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Abstract
磁気記録媒体は、基板と、Co合金又はCoCr合金からなる磁気記録層と、基板と磁気記録層との間に設けられたシード層と、B2構造を有する2元合金材料からなりシード層と磁気記録層との間に設けられた下地層とを備える。シード層は、下地層を形成している2元合金材料を構成する一方の元素で実質的に構成されている材料からなる。
Description
本発明は、磁気記録媒体及び磁気記憶装置に係り、特にシード層と2元合金からなる下地層を有する磁気記録媒体と、そのような磁気記録媒体を用いる磁気記憶装置に関する。
典型的な面内磁気記録媒体は、基板、シード層、Cr又はCr合金からなる下地層、CoCr合金からなる中間層、Co合金からなり情報が記録される磁性層、Cからなる保護層及び有機物潤滑層がこの順序で積層された構造を有する。現在使用されている基板は、NiPメッキされたAlMg合金からなる基板やガラス基板等である。ガラス基板の方が一般的に使用されている。これは、ガラス基板の耐衝撃性能、平滑性、硬度、軽量であることや、磁気ディスクの場合は特にディスク端部でのフラッタが小さいという理由による。
磁気記録には、通常、NiPが電気メッキされたAl基板が長年にわたり使用されてきた。成膜時の基板温度Tsが150℃を超える高温で膜が形成されると、Cr合金からなる下地層は望ましい(002)配向となる。米国特許第5,866,227号に開示されているように、NiPがスパッタリングされたガラス又はAl基板も、Cr下地層の適切な結晶配向を促進するのに同様に効果的であることがわかっている。従って、同じシード層を用いて、その上に形成される層を既存のAl媒体技術を適用して形成することができる。図1〜図3は、従来の磁気記録媒体の層構造の例を示す。図1〜図3において、同一部分には同一符号を付す。
図1に示す第1の例では、ガラス基板1の上にNiPからなるアモルファス層3が形成されている。NiP層3は、好ましくは酸化されている。NiP層3の上には、下地層が形成されている。この下地層は、磁性層7が形成される(002)配向を有する2つの実質的にCrからなる下地層4,5からなり、この上に磁性層7が形成される。第2のCr下地層5は、通常第1のCr下地層4より大きな格子パラメータを有する。磁性層7は、(11−20)結晶配向を有し、単一層から構成されていても、若しくは互いに直接接触しており磁気的に単一層として振舞う複数層から構成されていても良い。磁性層7と下地層4,5との間には、CoCr合金からなる中間層6が設けられていても良い。NiPのガラス基板への接着をより強固なものとするためには、Cr等の元素をNiPに含めて合金化したり、又は、実質的にCrからなる別の接着層2を用いることもできる。しかし、Al等の金属からなる基板の場合には、このようは接着層2を用いる必要はない。磁性層7の上には、Cからなる保護層8と、有機物潤滑層9が、スピンバルブヘッド等の磁気トランスデューサとの使用のために形成されている。
図2に示す第2の例の層構造は、図1に示す層構造に似ている。しかし、図2においては、所謂シンセティックフェリ磁性媒体(SFM:Synthetic Ferrimagnetic Medium)を構成するために、磁性層7の代わりにRuからなるスペーサ層10を介して反強磁性結合している複数の層7−a,7−bが設けられている。第1の層7−aは安定化層として機能し、第2の層7−bは主記録層として機能する。
図3に示す第3の例は、Ta−Mからなる高融点金属シード層3−aを用いる。ここで、Mは窒素か酸素である。ガラス基板1の上には、Ar+N2ガス又はAr+O2ガスを用いる反応性スパッタリングによりTa−Mシード層3−aが形成され、Ta−Mシード層3−aの上には下地層4が形成される。米国特許第5,685,958号には(002)結晶配向についての記載があるが、下地層はCr又はCr合金に限定されており、例えばB2構造の材料等といった材料で構成されている下地層についての記載はない。磁性層7は、上記第1の例の場合と同様に、中間層6又は下地層5の上に(11−20)の優先配向で形成されている。
粒子サイズ、粒子サイズ分布、優先配向及びCr偏析を含む磁性層の微細構造は、磁気記録媒体の記録特性を大きく左右する。磁性層の微細構造は、通常は1又は複数のシード層及び1又は複数の下地層を用いることにより制御される。
通常、ガラス又はAlからなる適切な基板上に形成されるシード層にはNiPが用いられる。CoCrZr,NiAl,RuAl等の各種材料をシード層に用いることで、面内記録に求められる面内磁化を得ることができる。AlRuシード層は、その上に形成される下地層及び磁気記録層の結晶配向を大きく左右するので、より一般的に用いられている。更に、AlRuシード層は、その上に形成される下地層及び磁気記録層の粒子サイズを減少させることも確認されている。
AlRuは、組成範囲がRu50%でAl50%であるとB2構造を有する材料である。B2構造を有するAlRuは有用であるが、AlRuの他の組成範囲を見つけるのは非常に難しくなってきている。この問題を解決する1つの方法としては、同じチャンバ内で夫々純Al及び純Ruからなる2つの異なるターゲットを用いてスパッタリングによりAlRuを形成する、即ち、マルチカソードシステムを用いてAlRuを形成する方法がある。AlRu合金からなる各種単一合金ターゲットを用いたのでは調べるのに非常に費用がかかってしまうが、この方法では2つのターゲット間でパワー比率を変えることで、大きな組成範囲を簡単に調べることができる。
このようなマルチカソードシステムは、AlRuがB2構造となる組成範囲を見つける新たな方法を提供するものである。しかし、単一合金ターゲットを用いる場合と、マルチカソードシステムを用いる場合とでは、膜の成長が大きく異なることがある。例えばAlRu50が単一合金ターゲットとして用いられる場合、通常のスパッタリングのパラメータの範囲内で、その上にCr(002)及びCo合金磁性層を(11−20)面に配向させるAlRu50(001)面を形成するのは容易である。ところが、マルチカソードシステムを用いてAl及びRuの層を形成する場合、特にAlRu50の良好な(002)結晶配向を形成するのは非常に難しい。
このため、マルチカソードシステムを用いてAlRuの(001)結晶配向を形成可能な他の構造を実現する要望がある。又、面内磁気記録媒体のために(001)面の優先配向を得るのに用い得る他のB2構造の材料に対してマルチカソードシステムの使用を拡大する要望もある。
本発明は、上記の要望を満足し得る磁気記録媒体及び磁気記憶装置を提供することを概括的目的とする。
本発明のより具体的な目的は、基板と、Co合金又はCoCr合金からなる磁気記録層と、該基板と該磁気記録層との間に設けられたシード層と、B2構造を有する2元合金材料からなり該シード層と該磁気記録層との間に設けられた下地層とを備え、該シード層は、該下地層を形成している2元合金材料を構成する一方の元素で実質的に構成されている材料からなる磁気記録媒体を提供することにある。
本発明の更に他の目的は、基板と、Co合金又はCoCr合金からなる磁気記録層と、該基板と該磁気記録層との間に設けられたシード層と、B2構造を有する2元合金材料からなり該シード層と該磁気記録層との間に設けられた下地層とを備え、該シード層は、該下地層を形成している2元合金材料を構成する一方の元素で実質的に構成されている材料からなる少なくとも1つの磁気記録媒体と、該磁気記録媒体に対して情報の記録及び/又は情報の再生を行うヘッドとを備えた磁気記憶装置を提供することにある。
本発明の他の目的及び特長は、以下に図面と共に述べる説明より明らかとなろう。
本発明になる磁気記録媒体によれば、下地層と磁気記録層の粒子サイズを減少させて、磁気記録層の所望の配向を促進することができる。この結果、向上された性能を有する磁気記録媒体を実現することが可能となる。
本発明になる磁気記憶装置によれば、磁気記録媒体の下地層と磁気記録層の粒子サイズが減少され、磁気記録層の所望の配向を促進することができるので、向上された性能を有する磁気記憶装置を実現することが可能となる。
図4は、本発明になる磁気記録媒体の第1実施例の要部を示す断面図である。図4において、ガラス又はAl基板11の上には、シード層13及び金属間2元合金からなる下地層14が形成されている。シード層13は、下地層14を形成している2元合金を構成する一方の元素で実質的に構成されている材料からなる。シード層13は、例えばN2又はO2分圧で反応性スパッタリングにより形成されていても良い。下地層14の上には、Co合金又はCoCr合金からなる磁性層17が形成されている。磁性層17は、(11−20)結晶配向を有し、単一層から構成されていても、互いに直接接触しており磁気的に単一層として振舞う複数層から構成されていても良い。磁性層17の上には、Cからなる保護層18と、有機物潤滑層19が、スピンバルブヘッド等の磁気トランスデューサとの使用のために形成されている。
ガラス又はAl基板11は、機械的にテキスチャリングされていても良い。
下地層14は、好ましくはB2構造を有するAlRu等の2元合金からなる。使用される2元合金は、格子整合とその上に形成される層の結晶配向を促進する。例えばRuAl,CoTi等は、その上に成長されるCr(002)面と良い格子整合を得ると共に、磁性層の(11−20)結晶配向を得るのに適している。下地層14は、1つの元素の組成範囲が約40%〜60%であるRuAl,NiAl,CoAl,FeAl,FeTi,CoHf,CoZr,NiTi,CuBe,CuZn,AlMn,AlRe,AgMg,MnRh,IrAl,OsAl等のB2構造を有する材料で形成可能である。通常、B2構造が形成されるのは、上記の如き2元合金の1つの元素の組成範囲が約50%のときである。しかし、VAlのように、B2構造と同様の構造を得るためには約75%程度の高いAlの組成範囲を必要とする場合もある。
下地層14を形成するB2構造の材料は、2つの別々の金属ターゲット、又は、2元合金を構成する一方の元素で主に構成されている2つの別々の金属ターゲットを用いてスパッタリング可能である。下地層14は、例えば約5nm〜60nmの膜厚に形成される。
バッファ層として機能するシード層13は、下地層14が形成される前に形成され、下地層14を形成している2元金属を構成する一方の元素で形成されている。例えば、AlRu下地層14に対してはAl又はRuシード層13が用いられ、FeTi下地層14に対してはFe又はTiシード層13が用いられる。又、シード層13は、下地層14を形成している2元合金を構成する一方の元素の窒化又は酸化金属で実質的に形成されていても良い。つまり、AlRu下地層14に対してはAl−N又はAl−Oシード層13を用いることができ、FeTi下地層14に対してはTi−O又はTi−Nシード層13を用いることができる。窒化又は酸化金属のシード層13は、下地層14の良好な結晶配向を促進すると共に、その上に形成されるCr系の層の良好な(002)成長と磁性層17の非常に良好な(11−20)面の成長を促進する。
シード層13は、例えば約0.5nm〜50nmの膜厚に形成される。望ましくは、シード層13と下地層14の合計の膜厚は約30nm〜60nmである。このような望ましい合計の膜厚までの成長は、2つのチャンバを用いるだけで実現できるので、その上に層を形成する際のガラス基板11の温度の低下を抑制することができる。シード層13は、約100℃〜230℃の適切な温度範囲及び約5mTorr〜50mTorrの圧力下で、基板バイアス有り又は無しで処理可能である。基板バイアスは、Al等の材料からなる金属基板に印加しても良いが、ガラス基板を用いる場合にはCr等の材料からなるプリシード層を用いてバイアスを印加することが望ましい。
保護層18は、例えば約1nm〜5nmの膜厚に形成されたCからなる。又、有機物潤滑層19は、約1nm〜3nmの膜厚を有する。C保護層18はCVDにより形成可能であり、硬いので、磁気記録媒体を大気劣化のみならずヘッドとの物理的な接触からも保護する。潤滑層19は、ヘッドと磁気記録媒体との間のスティクションを減少させる。
図5は、本発明になる磁気記録媒体の第2実施例の要部を示す断面図である。図5中、図4と同一部分には同一符号を付し、その説明は省略する。
図5においては、N又はOが反応性スパッタリングされたシード層13を用いる。このシード層13は、上記第1実施例と比較して面内配向を大幅に向上することができる。
図6は、本発明になる磁気記録媒体の第3実施例の要部を示す断面図である。図6中、図4と同一部分には同一符号を付し、その説明は省略する。
図6においては、所謂シンセティックフェリ磁性媒体(SFM:Synthetic
Ferrimagnetic Medium)を構成するために、Ruからなるスペーサ層20を介して反強磁性結合している複数の層17−a,17−bが設けられている。磁性層構造(17−a,17−b)との格子整合のため及び下地層14から磁性層構造(17−a,17−b)への拡散を防止するために、磁性層構造(17−a,17−b)と下地層14との間に格子整合層15を設けても良い。磁性層構造(17−a,17−b)と下地層14との間に、hcp構造の中間層16を設けても良い。hcp構造の中間層16も、bcc構造の下地層14とhcp構造の磁性層構造(17−a,17−b)との間のバッファとして機能する。
Ferrimagnetic Medium)を構成するために、Ruからなるスペーサ層20を介して反強磁性結合している複数の層17−a,17−bが設けられている。磁性層構造(17−a,17−b)との格子整合のため及び下地層14から磁性層構造(17−a,17−b)への拡散を防止するために、磁性層構造(17−a,17−b)と下地層14との間に格子整合層15を設けても良い。磁性層構造(17−a,17−b)と下地層14との間に、hcp構造の中間層16を設けても良い。hcp構造の中間層16も、bcc構造の下地層14とhcp構造の磁性層構造(17−a,17−b)との間のバッファとして機能する。
格子整合層15は、約1nm〜10nmの膜厚を有するCr−Mで形成されていても良い。ここで、MはMo,Ti,V,Wからなる群から選択された材料であり、原子百分率が10%以上である。他の方法として、格子整合層15は、約1nm〜3nmの膜厚を有するRuで実質的に形成されていても良い。しかし、Ru格子整合層15の格子パラメータは、磁性層17−a,17−bに用いられるCo合金又はCoCr合金の格子パラメータより大きいので、Ru格子整合層15の膜厚はあまり厚くはできない。
hcp構造の中間層16は、わずかな磁性又は非磁性であるhcp構造のCoCr合金からなり、約1nm〜5nmの膜厚に形成される。hcp構造のCoCr合金は、CoCrPtB,CoCrPt,CoCrTa,CoCrPtTa,CoCrPtTaB等を含む。hcp構造の磁性CoCr合金が直接bcc構造のCr合金膜上に形成されると、bcc構造の下地層14と接触している磁性層17−aの一部が格子不整合及び/又はシード層13からの元素の拡散による悪影響を受ける。このような場合には、磁性層17−aの磁気異方性は低下すると共に、磁性層構造(17−a,17−b)の合計の磁化も低下する。hcp構造の非磁性中間層16を用いると、磁性層構造(17−a,17−b)がこのような好ましくない影響を受けることを防止することができる。この結果、磁性層構造の磁気異方性及び保磁力が増加する。又、中間層16が徐々に格子パラメータを整合させる機能を有するので、磁性層の面内配向が向上し、磁性層構造の完全な磁化を実現、即ち、所謂「デッド層」を抑制することができる。更に、磁性層構造の界面におけるより小さい粒子の形成も抑制することができる。
SFM構造は、少なくとも2つの反強磁性結合されたCoCr合金からなる磁性層で構成可能であり、これらの磁性層のc軸は比h≦0.15となるように層表面に対して顕著に平行となっている。ここで、垂直保磁力をHc⊥、層表面に沿った保磁力をHcとすると、h=Hc⊥/Hcである。SFMは向上された熱安定性を有するが、非常に良好な面内配向を必要とする。このように非常に良好な面内配向は、上記シード層13と下地層14の組み合わせにより実現できる。
従って、上記実施例は、B2構造の合金又は2元合金から(001)配向を形成する方式を実現している。B2構造の材料から(001)配向を得るためには、先に基板11上に形成されるシード層13は、下地層14を形成する2元合金を構成する一方の元素で実質的に形成されている必要がある。この事実に基づき、非常に薄く、好ましくは単層である金属層を、シード層13として定める。
AlRu等の下地層の材料を成膜する条件は、特に所望の結晶配向を得るために複数の純金属ターゲットを用いて異なるパワー比率で同時にスパッタリングを行うマルチカソードシステムにより形成する場合、所望の結晶配向を形成するのに極めて重要である。適切な結晶配向を示す最も重要な成膜条件は、基板温度、各層の膜厚、スパッタリング圧力及び基板バイアスである。次に、異なる(スパッタリング)条件におけるAlRu成長特性について説明する。
図7〜図9は、異なるスパッタリング条件で成膜されたAlRu下地層14について、AlRu/CrMo/CoCrPtB構造のXRDスペクトルを示す図である。各AlRu/CrMo/CoCrPtB構造は、AlRu下地層14、CrMo格子整合層15及びCoCrPtB中間層16からなる。AlRu下地層14は、Al及びRuからなる2つの異なる純金属ターゲットから同時にスパッタリングすることにより形成される。Al50Ru50の組成は、2つのターゲット間で印加されるパワー比率を変えることで容易に得ることができる。図7〜図9中、縦軸は強度を任意単位(A.U.)で示し、横軸は2θ(度)を示す。
図7は、個別のAl及びRuターゲットから同時にスパッタリングされたAlRuサンプルのXRDスペクトルを異なるAlRu膜厚について示す図である。つまり、図7は、3nm〜100nmの範囲の異なる膜厚を有するAlRu層を有するAlRuサンプルのXRDスペクトルを示す。曲線101,102,103は、夫々AlRu層の膜厚が3nm,20nm,100nmの場合に対応する。これらのXRDスペクトルから明らかなように、2θが約43度のところで顕著なピークが現れる。このピークは、その上に形成するCr及び磁性記録層17には望ましくない配向面であるAlRu(110)面に対応する。求めたいのは、Cr(002)配向及びCo(11−20)配向が得ることのできる、2θが約30度のところでXRDピークが現れるAlRu(002)面である。この場合、全膜厚範囲でAlRu(110)配向が主となる。尚、この場合、基板温度は150℃に保たれ、スパッタリングには5mTorrのAr圧力を用いた。
図8は、Al及びRuターゲットから同時にスパッタリングされたAlRuサンプルのXRDスペクトルを異なる基板温度について示す図である。つまり、図8は、AlRu層の成長に及ぼす基板温度の影響を示す。曲線201,202,203,204は、夫々基板温度が230℃、200℃、150℃、0℃の場合に対応する。この場合、スパッタリングに用いたAr圧力は5mTorrに保たれ、AlRu層の膜厚は一定の20nmに保たれた。基板温度は0℃〜230℃の範囲で変えられた。図8からも明らかなように、この場合もAlRu(110)配向が主であり、AlRu(002)配向が発生していないのは明白である。
スパッタリングのパラメータで重要な他のパラメータとしては、スパッタリングで用いるAr圧力が挙げられる。Ar圧力の変化と対応する結晶配向の成長が図9に示されている。図9は、Al及びRuターゲットから同時にスパッタリングされたAlRuサンプルのXRDスペクトルを異なるスパッタリングAr圧力について示す図である。曲線301,302,303は、夫々Ar圧力が5mTorr,20mTorr,50mTorrの場合に対応する。この場合も、必要とされるAlRu(002)配向が発生していないのは明白である。
次に、AlRuの成長に及ぼす基板バイアスの影響について、図10及び図11と共に説明する。図10は、Al及びRuターゲットから同時にスパッタリングされたAlRuサンプルのXRDスペクトルを−150Vの基板バイアスを印加した場合について示す図である。図10中、縦軸は強度を任意単位(A.U.)で示し、横軸は2θ(度)を示す。図11は、AlRu/CrMo/CoCrPtB構造について得られる垂直カーループを、AlRu下地層14が100nm、CrMo格子整合層15が5nm、CoCrPtB中間層16が18nmの場合について示す図である。図11中、縦軸はカー回転(度)を示し、横軸は印加される磁界(kOe)を示す。
基板バイアスを行うには、AlRu層を形成する前に、薄いCr/NiP層を形成する必要がある。この場合、2つの層の成長特性は多少異なるが、AlRu(002)面が成長しない原因が何であるかを見つける手がかりにはなる。基板温度は150℃に設定され、−150Vの基板バイアスが印加された。この場合、主にAlRu(001)面の顕著な成長が観測され、これと比較してかなり少ないAlRu(110)面の成長が観測された。従って、全てのスパッタリング条件のうち、基板バイアスが印加されスパッタリングパワーが低いサンプルにおいて、RuAl(001)配向を示す50nmを超える比較的厚い膜厚のRuAl層を得ることができた。基板バイアスが印加されスパッタリングパワーが高いと、他の形成条件の場合と同様に、主にRuAl(110)相が得られた。これは、(002)面が基板11の表面と平行となるCrの如き全てのbcc構造の材料の場合と逆の現象であると考えられる。RuAl下地層14の場合、基板11の表面と平行に(110)面が主に成長し、RuAl(110)相を形成するのは容易である。しかし、バイアスを印加すると、衝撃粒子(Ar+イオン)の運動エネルギーも増加する。このため、主に1つの元素、この場合、Al及びRuの一方の成長を助長する。散乱の確率は、RuよりAlの場合の方が高い。Ruの原子半径はAlの原子半径よりも小さいため、基板バイアスを印加することで基板11に初期的に付着するのは主にRuであると考えられる。この現象は、図12及び図13に示されている。
図12は、基板バイアス効果及びAlRu層の初期成長を示す概略図である。図12中、参照符号501,502は、夫々RuターゲットとAlターゲットを示す。又、図13は、基板バイアス効果及びAlRu層の初期成長を説明する図である。図13中、左部分は基板11上の(001)面及び(110)面の成長を示し、右部分は基板バイアスを印加して基板11上にスパッタリングされるAl及びRuを示す。
上記説明からわかるように、2元合金の層(下地層14)を形成する前に薄い金属の層(シード層13)を形成することが重要である。これにより、図14からも明らかなように、表面が主に2元合金を構成する一方の元素で形成されている(001)面を成長することが可能となる。
図14は、同一面に1種類の元素しか存在しない場合のAlRuの(001)テキスチャを示す図である。つまり、図14は、AlRuセル構造の結晶構造を示す。ここで、(001)配向の場合、1つの表面は常に同じ元素、即ち、Ru又はAlを有することに注目するべきである。このような成長は、AlRu下地層14を成長する前に、予め純Al又は純Ruのシード層13を成長しておくことで可能となる。又、このような成長方法は、好ましくはB2構造を有するどのような2元合金を成長する場合にも適用でき、2元合金を成長する前に、2元合金を構成する一方の純元素を主に有する薄いシード層を成長すれば良い。このような成長方法を、例えばAlRu層の成長で用いた。
図15は、AlRuが主に(001)配向を有する場合のガラス/Al/AlRu/CrMo/CoCrPtB構造のXRDスペクトルを示す図である。つまり、図15は、ガラス/Al/AlRu/CrMo/CoCrPtB構造のXRDスペクトルをAlの各種膜厚について示す。各ガラス/Al/AlRu/CrMo/CoCrPtB構造は、ガラス基板11、Alシード層13、AlRu下地層14、CrMo格子整合層15及びCoCrPtB中間層16からなる。曲線401,402,403は、夫々Alシード層13の膜厚が3nmでAlRu下地層14の膜厚が30nmの場合、Alシード層13の膜厚が1nmでAlRu下地層14の膜厚が30nmの場合、Alシード層13の膜厚が3nmでAlRu下地層14の膜厚が100nmの場合に対応する。非常に薄いAlシード層13を設けることで、AlRu(001)面が容易に形成可能であることが確認された。
同様に、図16からもわかるように、AlRuを同時にスパッタリングする前に非常に薄いRuシード層13を形成することで、AlRu(001)面を容易に形成可能であることも確認された。図16は、AlRuが主に(001)面を有する場合のガラス/Ru/AlRu/CrMo/CoCrPtB構造のXRDスペクトルを示す図である。つまり、図16は、ガラス/Ru/AlRu/CrMo/CoCrPtB構造のXRDスペクトルをRuの各種膜厚について示す。各ガラス/Ru/AlRu/CrMo/CoCrPtB構造は、ガラス基板11、Ruシード層13、AlRu下地層14、CrMo格子整合層15及びCoCrPtB中間層16からなる。曲線601,602,603は、夫々Ruシード層13の膜厚が1nmでAlRu下地層14の膜厚が30nmの場合、Ruシード層13の膜厚が3nmでAlRu下地層14の膜厚が30nmの場合、Ruシード層13の膜厚が3nmでAlRu下地層14の膜厚が100nmの場合に対応する。
図15に示されている場合と図16に示されている場合との比較からもわかるように、Alシード層13の方がRuシード層13と比較するとより良いAlRu(001)結晶配向を形成することができる。しかし、いずれの場合も、予想されたように、シード層13の上に形成されるAlRu下地層14では強いAlRu(001)結晶配向が得られた。
図17は、Al(又はRu)/AlRu/CrMo/CoCrPtB構造の垂直保磁力を示す図である。つまり、図17は、カー測定により得られたAl(又はRu)/AlRu/CrMo/CoCrPtB構造の垂直保磁力を示す。図17中、縦軸は垂直保磁力(Oe)を示し、横軸はAl(又はRu)シード層13の膜厚(nm)を示す。又、○印はAlシード層とAlRu下地層の組み合わせ(Al/AlRu)の保磁力を示し、●印はRuシード層とAlRu下地層の組み合わせ(Ru/AlRu)の保磁力を示す。シード層13の膜厚が薄いと、垂直保磁力は低くなる傾向があり好都合である。通常、基板温度が約100℃〜230℃の適切な範囲であると、良好な結晶構造及び層間の良好な接合が得られる。しかし、異なる2元合金系や求められる結晶構造が異なる場合には、同様の効果を得るために基板温度を適切に調整すれば良い。通常、基板バイアスを印加する場合も印加しない場合も、スパッタリングのガス圧力は、5mTorr〜50mTorrの広い範囲で用いることができる。これらは、磁気記録媒体を製造する場合に採用される一般的なスパッタリング条件である。基板バイアスは、Al等の金属からなる金属基板に印加することができるが、ガラス基板に印加する場合にはCr等の材料からなる金属製のプリシード層を用いる必要がある。
上記の如き層の成長は、磁気記録媒体に適用された場合について説明したが、2元合金から(001)面を成長することが望まれる半導体装置やレーザ装置等の分野にも適用可能である。例えば、GaAs(100)結晶配向は、半導体装置において最近使用される材料で特定の配向(又は結晶構造)を得るのに頻繁に用いられる。通常、このような場合には、単結晶基板を用いることが好ましい。しかし、スパッタリングを採用すれば、先ずGaを成長して次にGaAsを成長することで、上記の如きGaAs(100)結晶配向を容易に得ることができる。
尚、(100)面に限らず、本発明を用いて各種結晶配向面を形成することができる。つまり、2元合金又は主に2つの原子種からなる3元合金を成長する前に、合金を構成する主な原子種の1つで主に構成されている材料を成長すれば良い。このようにして得られる結晶配向面には、NiAl,FeAl又は同様の材料の(112)面が含まれる。垂直磁気記録に適用する場合には、Co合金からなる磁性層に垂直異方性を付与することもできる。この場合、薄い単一原子種の層と2元合金(又は3元合金)の層の組み合わせにより、磁性層にCo(0002)結晶配向を付与することができる。
更に、上記実施例では剛性のガラス基板を用いているが、本発明は、本発明の範囲内で、柔軟性又は剛性を有する金属、ポリマー、プラスティック、セラミック等の他の種類の基板を用いる場合にも適用可能である。
磁気ディスクの場合、信号対雑音(S/N)比及び熱による劣化を考慮すると、NiPがコーティングされた基板上に機械的テキスチャリングを周方向(トラックと平行なテキスチャリング)に施した方が、テキスチャリングを施さない場合より優れた性能が得られることが確認されている。又、磁気ディスクの場合、磁気記録を行う際にはヘッド磁界が周方向に沿って印加されるので、機械的テキスチャリングを施す方が、(11−20)配向を有するCo粒子のc軸(<0001>)が主に周方向に向くので、磁気記録を行う場合も有利である。従来より、NiPがコーティングされた基板に機械的テキスチャリングを施すと、磁性層だけではなくCr合金の下地層の結晶配向も付与されることが確認されている。下地層は、機械的テキスチャリングを施す場合も施さない場合も、(002)配向成長する。しかし、前者の場合、磁気ディスクであればCr<110>方向も周方向に配向されることが好ましい。従って、本発明になる磁気記録媒体によれば、基板の機械的テキスチャリング、又は、NiP等のシード層或いは本発明の如きシード層の機械的テキスチャリングにより、好ましい配向を有する下地層及び磁性層が得られる。
次に、本発明になる磁気記憶装置の一実施例を、図18及び図19と共に説明する。図18は、磁気記憶装置の本実施例の要部を示す断面図であり、図19は、磁気記憶装置の本実施例の要部を示す平面図である。
図18及び図19に示すように、磁気記憶装置はハウジング113内に設けられたモータ114、ハブ115、複数の磁気記録媒体116、複数の記録再生ヘッド117、複数のサスペンション118、複数のアーム119及びアクチュエータ装置120からなる。磁気記録媒体116は、モータ114により回転されるハブ115に取り付けられている。記録再生ヘッド117は、MR又はGMRヘッド等の再生ヘッドと、インダクティブヘッド等の記録ヘッドから構成されている。各記録再生ヘッド117は、対応するアーム119の先端にサスペンション118を介して取り付けられている。アーム119は、アクチュエータ装置120により移動される。このような磁気記憶装置の基本構成自体は周知であり、本明細書ではその詳細な説明は省略する。
磁気記憶装置の本実施例は、磁気記録媒体116に特徴がある。各磁気記録媒体116は、図4〜図17と共に説明したいずれの実施例の構造を有するものであっても良い。磁気記録媒体116の数は3枚に限定されるものではなく、2枚であっても、4枚以上であっても良い。
磁気記憶装置の基本構成は、図18及び図19に示すものに限定されない。又、本発明で用いられる磁気記録媒体は磁気ディスクに限定されるものではない。
従って、本発明によれば、シード層を設けることにより、下地層及び磁気記録層の粒子サイズを減少させることができると共に、磁気記録層の所望の配向を促進させることができる。この結果、下地層がマルチカソードシステムを用いて形成される場合でも、向上された性能を有する磁気記録媒体を実現することができる。勿論、下地層が単一カソードシステムを用いて形成される場合には、シード層を設けることにより、下地層及び磁気記録層の粒子サイズを同様に減少させることができると共に、磁気記録層の所望の配向を促進させることができる。
以上、本発明を実施例により説明したが、本発明は上記実施例に限定されるものではなく、本発明の範囲内で種々の変形及び改良が可能であることは、言うまでもない。
Claims (18)
- 基板と、
Co合金又はCoCr合金からなる磁気記録層と、
該基板と該磁気記録層との間に設けられたシード層と、
B2構造を有する2元合金材料からなり該シード層と該磁気記録層との間に設けられた下地層とを備え、
該シード層は、該下地層を形成している2元合金材料を構成する一方の元素で実質的に構成されている材料からなる、磁気記録媒体。 - 該磁気記録層は、単一の磁性層又はシンセティックフェリ磁性構造からなり、該シンセティックフェリ磁性構造は反強磁性結合された少なくとも2つのCoCr合金の磁性層からなり、該CoCr合金の磁性層のc軸は比h≦0.15となるように層表面に対して顕著に平行となっており、垂直保磁力をHc⊥、層表面に沿った保磁力をHcとすると、h=Hc⊥/Hcである、請求項1記載の磁気記録媒体。
- 該下地層は、該2元合金材料を構成する一方の元素の組成範囲が約40%〜60%であるRuAl,NiAl,CoAl,FeAl,FeTi,CoHf,CoZr,NiTi,CuBe,CuZn,AlMn,AlRe,AgMg,MnRh,IrAl,OsAlからなる郡から選択されたB2構造を有する2元合金材料で形成されている、請求項1又は2記載の磁気記録媒体。
- 該シード層は、該下地層がAlRuで形成されている場合は実質的にAl又はRuで形成されており、該下地層がFeTiで形成されている場合は実質的にFe又はTiで形成されている、請求項1〜3のいずれか1項記載の磁気記録媒体。
- 該シード層は、該下地層を形成している一方の元素の酸化又は窒化金属で実質的に形成されている、請求項1〜3のいずれか1項記載の磁気記録媒体。
- 該下地層は、約5nm〜60nmの膜厚を有する、請求項1〜5のいずれか1項記載の磁気記録媒体。
- 該シード層は、約0.5nm〜50nmの膜厚を有する、請求項1〜6のいずれか1項記載の磁気記録媒体。
- 該シード層及び該下地層の合計の膜厚は、約30nm〜60nmの範囲である、請求項1〜7のいずれか1項記載の磁気記録媒体。
- 該基板は、機械的テキスチャリングを施されている、請求項1〜8のいずれか1項記載の磁気記録媒体。
- 約1nm〜10nmの膜厚を有し、該下地層の上に直接形成されて該下地層と該磁性記録層の間に設けられたCr−M格子整合層を更に備え、Mは10%以上の原子百分率のMo,Ti,V,Wからなる群から選択された材料である、請求項1〜9のいずれか1項記載の磁気記録媒体。
- わずかな磁性又は非磁性のhcp構造を有するCoCr合金からなり、約1nm〜5nmの膜厚を有し、該Cr−M格子整合層と該磁性記録層の間に設けられた中間層を更に備えた、請求項10記載の磁気記録媒体。
- わずかな磁性又は非磁性のhcp構造を有するCoCr合金からなり、約1nm〜5nmの膜厚を有し、該下地層と該磁性記録層の間に設けられた中間層を更に備えた、請求項1〜9のいずれか1項記載の磁気記録媒体。
- 実質的にRuで形成されており、約1nm〜3nmの膜厚を有すると共に、該磁性記録層と直接接触しており該下地層と該磁性記録層の間に設けられた格子整合層を更に備えた、請求項1〜9のいずれか1項記載の磁気記録媒体。
- 基板と、Co合金又はCoCr合金からなる磁気記録層と、該基板と該磁気記録層との間に設けられたシード層と、B2構造を有する2元合金材料からなり該シード層と該磁気記録層との間に設けられた下地層とを備え、該シード層は、該下地層を形成している2元合金材料を構成する一方の元素で実質的に構成されている材料からなる少なくとも1つの磁気記録媒体と、
該磁気記録媒体に対して情報の記録及び/又は情報の再生を行うヘッドとを備えた、磁気記憶装置。 - 該磁気記録媒体の該下地層は、該2元合金材料を構成する一方の元素の組成範囲が約40%〜60%であるRuAl,NiAl,CoAl,FeAl,FeTi,CoHf,CoZr,NiTi,CuBe,CuZn,AlMn,AlRe,AgMg,MnRh,IrAl,OsAlからなる郡から選択されたB2構造を有する2元合金材料で形成されている、請求項14記載の磁気記憶装置。
- 該磁気記録媒体の該シード層は、該下地層がAlRuで形成されている場合は実質的にAl又はRuで形成されており、該下地層がFeTiで形成されている場合は実質的にFe又はTiで形成されている、請求項14又は15記載の磁気記憶装置。
- 該磁気記録媒体の該シード層は、該下地層を形成している一方の元素の酸化又は窒化金属で実質的に形成されている、請求項14〜16のいずれか1項記載の磁気記憶装置。
- 該磁気記録媒体は磁気ディスクである、請求項14〜17のいずれか1項記載の磁気記憶装置。
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