KR20040072284A - 포토레지스트 패턴의 형성 공정 - Google Patents

포토레지스트 패턴의 형성 공정 Download PDF

Info

Publication number
KR20040072284A
KR20040072284A KR1020030008285A KR20030008285A KR20040072284A KR 20040072284 A KR20040072284 A KR 20040072284A KR 1020030008285 A KR1020030008285 A KR 1020030008285A KR 20030008285 A KR20030008285 A KR 20030008285A KR 20040072284 A KR20040072284 A KR 20040072284A
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
pattern
exposure
substrates
mask
photoresist
Prior art date
Application number
KR1020030008285A
Other languages
English (en)
Inventor
신혜수
이정우
이대엽
Original Assignee
삼성전자주식회사
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 삼성전자주식회사 filed Critical 삼성전자주식회사
Priority to KR1020030008285A priority Critical patent/KR20040072284A/ko
Publication of KR20040072284A publication Critical patent/KR20040072284A/ko

Links

Classifications

    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/004—Photosensitive materials
    • G03F7/039—Macromolecular compounds which are photodegradable, e.g. positive electron resists
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/004—Photosensitive materials
    • G03F7/075—Silicon-containing compounds
    • G03F7/0752—Silicon-containing compounds in non photosensitive layers or as additives, e.g. for dry lithography
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/16—Coating processes; Apparatus therefor
    • G03F7/168—Finishing the coated layer, e.g. drying, baking, soaking
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
    • G03F7/70483—Information management; Active and passive control; Testing; Wafer monitoring, e.g. pattern monitoring
    • G03F7/70605—Workpiece metrology
    • G03F7/70616—Monitoring the printed patterns
    • G03F7/70633—Overlay, i.e. relative alignment between patterns printed by separate exposures in different layers, or in the same layer in multiple exposures or stitching
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/027—Making masks on semiconductor bodies for further photolithographic processing not provided for in group H01L21/18 or H01L21/34
    • H01L21/0271—Making masks on semiconductor bodies for further photolithographic processing not provided for in group H01L21/18 or H01L21/34 comprising organic layers
    • H01L21/0273—Making masks on semiconductor bodies for further photolithographic processing not provided for in group H01L21/18 or H01L21/34 comprising organic layers characterised by the treatment of photoresist layers
    • H01L21/0274—Photolithographic processes

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Spectroscopy & Molecular Physics (AREA)
  • Photosensitive Polymer And Photoresist Processing (AREA)
  • Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
  • Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)

Abstract

복수개의 기판에 포토레지스트 패턴을 형성하기 위한 공정이 개시되어 있다. 상기 공정은 제1패턴 및 제2패턴을 포함하는 포토레지스트 패턴을 복수개의 기판에 각각 형성하기 위한 공정으로서 상기 포토레지스트 패턴의 제1패턴을 형성하기 위한 제1마스크를 적용하여 상기 복수개의 기판을 순차적으로 제1노광한다. 이어서, 상기 제1노광된 복수개의 기판을 제1베이킹한다. 이어서, 상기 포토레지스트 패턴의 제2패턴을 형성하기 위한 제2마스크를 적용하여 상기 제1베이킹된 복수개의 기판을 순차적으로 제2노광한다. 그리고, 상기 제2노광된 복수개의 기판을 제2베이킹한 이후 현상공정을 수행하여 포토레지스트 패턴을 형성하는데 있다. 상기와 같은 공정은 각각의 기판마다 조명계 및 마스크를 재설정하는 불편함을 방지할 수 있어 포토레지스트 패턴 형성의 스루풋을 증가시킬 수 있다.

Description

포토레지스트 패턴의 형성 공정{method of manufacturing the potoresist pattern}
본 발명은 포토레지스트 패턴을 형성하기 위한 공정에 관한 것으로서, 보다 상세하게는 복수개의 기판에 형성되는 포토레지스트 패턴의 스루풋을 향상시키기 위한 공정에 관한 것이다.
근래에 컴퓨터와 같은 정보 매체의 급속한 보급에 따라 반도체 장치도 비약적으로 발전하고 있다. 그 기능 면에 있어서, 상기 반도체 장치는 고속으로 동작하는 동시에 대용량의 저장 능력을 가질 것이 요구된다. 이러한 요구에 부응하여 반도체 장치는 집적도, 신뢰도 및 응답 속도 등을 향상시키는 방향으로 제조 기술이 발전되고 있다. 이에 따라 상기 반도체 장치의 집적도 향상을 위한 주요한 기술로서 노광(photolithography) 기술과 같은 미세 가공 기술에 대한 요구도 엄격해지고 있다.
상기 노광 공정은 단일 노광공정과 이중노광 구분되는데, 단일 노광 공정은 유기적인 포토레지스트를 사용하여 포토레지스트 막을 형성한 후, 1개의 마스크에 형성된 패턴의 상을 포토레지스트 막에 전사될 수 있도록 자외선을 조사하는 기술이다.
그리고, 상기 이중노광 공정은 반도체 장치의 디자인 룰이 감소하면서 반도체 장치의 패턴 피치(pitch)를 감소시키기 위한 목적으로 최종 패턴을 형성하기 위한 2개의 마스크를 적용하여 이중노광(double expose)을 수행함으로서 최종 생성되는 포토레지스트 패턴의 해상도(resolution)를 향상시킬 수 있는 기술이다.
도 1은 종래의 이중노광 공정에 따라 복수개의 기판에 포토레지스트 패턴을 형성하기 위한 공정 순서도이다.
도 1을 참조하면, 먼저 포토레지스트 막이 도포된 복수개의 기판을 마련한다.(S10) 상기 포토레지스트 막이 형성된 기판을 제1조명계와 제1마스크가 설정되어 위치한 노광 장치에 로딩시킨 후 제1노광 공정을 수행한다.(S20) 상기 제1마스크를 제2마스크로 변경하고, 제1조명계를 제2조명계로 설정한 후 제1노광된 기판에 제2노광 공정을 수행한다.(S30) 그리고, 기판의 수만큼 (S20) 및 (S30)단계를 각각 반복 수행한다.(S40) 이어서, 상기 제2노광된 복수개의 기판을 베이킹처리 한다.(S50) 이후에, 베이킹 처리된 복수개의 기판을 현상함으로서 복수개의 기판에 미세한 포토레지스트 패턴을 형성한다.(S60)
상기와 같은 이중노광 공정의 필요성이 증가하면서 노광설비 마커(maker)에서는 이중노광 공정을 수행하기 위하여 기판 스테이지와 마스크 스테이지의 기능을 향상시키는 설비를 사용하고 있다. 이러한 설비에서 이중노광 공정을 진행하는 순서(sequence)를 살펴보면 기판 스테이지 상에 1개의 기판을 정렬시킨 상태에서 2개의 노광 마스크가 변경(change)되면서 노광 공정이 수행된다.
그리고, 2개 마스크에 대한 조명계 조건이 다른 경우 기판 1매를 노광할 때마다 노광 마스크뿐만 아니라 조명계의 조건도 함께 변경시켜야한다. 이러한 이유로 인해 종래의 이중노광 공정의 순서는 기판 1매를 노광할 때 보다 복수개의 기판을 진행할 때 마스크와 조명계의 변경을 반복적으로 수행해야 하기 때문에 반도체제조 공정의 스루풋(throughput)의 감소와 함께 조명계의 재현성이 감소된다. 또한, 노광 횟수가 증가할수록 노광 장치의 구동의 불량이 발생할 확률도 증가되기 때문에 반도체 장치의 제조의 생산성이 감소된다.
상술한 문제점을 해결하기 위한 본 발명의 목적은 복수개의 기판에 미세한 포토레지스트 패턴을 형성하기 위한 이중노광 공정의 순서를 변경함으로서 반도체 장치의 스루풋을 향상시킬 수 있는 포토레지스트 패턴의 형성 공정을 제공하는데 있다.
도 1은 종래의 이중노광 공정 순서에 따라 복수개의 기판에 포토레지스트 패턴을 형성하기 위한 공정 순서도이다.
도 2는 본 발명의 이중노광 공정 순서에 따라 복수개의 기판에 포토레지스트 패턴을 형성하기 위한 공정 순서도이다.
도 3a 내지 3d는 본 발명의 제1실시예에 따른 포토레지스트 패턴을 형성하기 위한 공정 단면도이다.
도 4a 내지 4b는 본 발명의 제1실시예의 포토레지스트 패턴을 형성 공정에 적용되는 노광 마스크이다.
도 5는 본 발명의 제1실시예에 따른 이중 노광 방법을 수행하기 위한 노광 장치를 설명하기 위한 개략적인 구성도이다.
* 도면의 주요부분에 대한 부호의 설명
100 : 기판 110 : 포토레지스트 막
112 : 제1패턴 114 : 제2패턴
120 : 포토레지스트 패턴 150 : 제1노광 마스크
160 : 제2노광 마스크
상기 목적을 달성하기 위해 본 발명은
제1패턴 및 제2패턴을 포함하는 포토레지스트 패턴을 복수개의 기판에 각각 형성하기 위한 공정으로서 상기 포토레지스트 패턴의 제1패턴을 형성하기 위한 제1마스크를 적용하여 상기 복수개의 기판을 순차적으로 제1노광한다. 이어서, 상기 제1노광된 복수개의 기판을 제1베이킹한다. 이어서, 상기 포토레지스트 패턴의 제2패턴을 형성하기 위한 제2마스크를 적용하여 상기 제1베이킹된 복수개의 기판을 순차적으로 제2노광한다. 그리고, 상기 제2노광된 복수개의 기판을 제2베이킹 처리한 후 현상공정을 수행하여 포토레지스트 패턴을 형성하는데 있다.
상기와 같은 이중노광 공정의 순서에 따라 형성된 포토레지스트 패턴들은 복수개의 기판을 제1마스크와 제1조명계로 설정된 노광장치를 적용하여 모두 제1노광한 후, 제1노광된 복수개의 기판을 제2마스크와 제2조명계로 설정된 노광장치에 적용하여 모두 제2노광함으로서 형성되기 때문에 각각의 기판 마다 조명계 및 마스크를 재설정하는 불편함을 방지할 수 있어 이중노광 공정의 스루풋을 증가시킬 수 있다.
이하, 본 발명을 더욱 상세히 설명하기로 한다.
도 2는 본 발명의 이중노광 공정 순서에 따라 복수개의 기판에 포토레지스트 패턴을 형성하기 위한 공정 순서도이다.
도 2를 참조하면, 포토레지스트 막이 도포된 복수개의 기판을 마련한다.(S100)
상기 포토레지스트 막이 형성된 기판을 마련하기 위한 단계를 구체적으로 설명하면, 먼저 소정의 배선 패턴이 형성된 기판 표면에 존재하는 습기 및 오염물질로 인해 도포될 포토레지스트 막의 밀착성이 감소되는 것을 방지하기 위해 기판을 표면처리 한다. 여기서, 표면처리는 기판을 회전척에 고정시킨 다음 회전섬유 브러시로 회전하는 기판 상에 접촉시켜 상기 브러시의 움직임으로 고속 세척동작을 수행함으로서 기판 표면의 오염물질을 효과적으로 제거할 수 있다.
이어서, 상기 표면처리 공정이 수행된 기판 상에 제1포토레지스트 물질을 균일하게 도포하여 포토레지스트 막을 형성한다. 여기서, 포토레지스트 막의 형성은 기판을 지지하는 회전척을 고속으로 회전시켜 상기 기판이 회전하는 동안 포토레지스트 물질을 상기 기판 상에 균일하게 도포하는데 있다.
이후에, 상기 기판 상에 도포된 포토레지스트 막 내에 함유된 용제(Solvent)를 휘발시켜 상기 기판과 포토레지스트 막의 밀착성을 증가시키기 위해 소프트 베이킹(Soft baking) 공정을 수행한다.
그리고, 상기 포토레지스트 막이 도포된 복수개의 기판을 제1조명계로 설정되고, 제1마스크가 설치되어 있는 노광장치에 각각 순차적으로 로딩시킨 후 상기 노광 장치에 각각 로딩되는 복수개의 기판들을 순차적으로 모두 제1노광한다.(S200)
상기 복수개의 기판들을 제1노광하는 단계를 구체적으로 설명하면, 최종으로 형성될 포토레지스트 패턴의 제1패턴을 형성하기 위한 제1노광 마스크를 적용하여 제1노광 공정을 수행하기 위해서는 먼저, 노광장치의 마스크 스테이지 상에 소정의 패턴이 형성된 제1노광 마스크를 위치시키고, 상기 포토레지스트 막이 형성된 기판 상에 상기 제1 노광 마스크를 정렬시키는 얼라인 공정을 수행한다.
이어서, 상기 공정으로 인해 상기 기판과 소정의 패턴이 형성된 제1노광 마스크가 얼라인 되면 제1노광 마스크에 광을 일정시간 조사함으로서 상기 복수개의 기판에 도포된 포토레지스트 막은 상기 제1노광마스크를 선택적으로 투과한 광과 반응하여 이후 포토레지스트 패턴의 제1패턴과 대응되는 제1영역이 노광된다.
상기 제1노광 마스크를 이용하여 포토레지스트 막이 형성된 기판을 선택적으로 노광하는데 있어서 중요한 요소중 하나는 노광장치의 조명계 설정이다. 상기 조명계의 설정은 적용되는 광과 조명계의 렌즈들의 설정을 나타낸다. 따라서, 광의 종류와 렌즈들의 설정에 따라 발생되는 파장이 다르기 때문에 상기 광선의 파장이 회절 하면서 포토레지스트 패턴 형상이 바뀐다. 이때 상기 조명계의 설정 시간은기판의 설정 보다 더 오래 걸린다.
이어서, 상기 제1노광된 복수개의 기판들을 제1베이킹 처리하는 공정을 수행한다.(S300) 상기 제1노광된 복수개의 기판을 제1베이킹 처리하는 공정을 구체적으로 설명하면, 상기 제1노광 공정으로 인해 제1영역이 노광된 복수개의 기판들을 베이크 장치에 투입하여 약 120℃에서 제1베이킹 공정을 수행한다. 이때 상기 베이킹 공정이 수행됨으로 인해 상기 광과 반응한 포토레지스트 막은 용해되기 쉬운 상태로 된다.
그리고, 상기 제1베이킹 처리된 복수개의 기판을 제2조명계 및 제2마스크로 설정된 노광장치에 각각 순차적으로 로딩시킨 후 상기 노광 장치에 각각 로딩되는 복수개의 기판들을 순차적으로 제2노광한다.(S400)
상기 복수개의 기판을 제2노광하는 단계를 구체적으로 설명하면, 최종으로 형성될 포토레지스트 패턴의 제2패턴을 형성하기 위한 제2노광 마스크를 적용하여 제2노광 공정을 수행하기 위해서는 먼저, 노광 장치의 마스크 스테이지 상에 위치한 제1노광 마스크를 제2노광 마스크로 변경시키고, 상기 제1베이킹 처리된 기판 상에 상기 제2마스크를 정렬시키는 얼라인 공정을 수행한다. 이어서, 상기 제1조명계의 설정 조건을 제2조명계의 설정 조건으로 변경시킨다.
이후에, 상기 공정으로 인해 기판과 소정의 패턴이 형성된 제2노광 마스크가 얼라인 되면 제2노광 마스크에 광을 일정시간 조사함으로서 상기 복수개의 기판에 도포된 포토레지스트 막은 상기 제2노광마스크를 선택적으로 투과한 광과 반응하여 제2패턴과 대응되는 제2영역이 제2노광된다.
상기 제1노광 마스크는 상기 제1패턴을 형성하기 위한 제1마스크 패턴들이 형성되어 있고, 상기 제2노광 마스크는 상기 제2패턴을 형성하기 위한 제2마스크 패턴들이 형성되어 있다.
그리고, 상기 제2노광된 복수개의 기판들을 제2베이킹 처리하는 공정을 수행한다.(S500) 상기 제2노광된 복수개의 기판을 제2베이킹 처리하는 공정을 구체적으로 설명하면, 상기 제2노광 공정으로 인해 제2영역이 노광된 복수개의 기판들을 베이크 장치에 투입하여 약 120℃에서 베이킹 처리한다. 이때 상기 베이킹 공정이 수행됨으로 인해 상기 광과 반응한 포토레지스트 막은 용해되기 쉬운 상태로 된다.
그리고, 상기 베이킹 처리된 제1영역 및 제2영역을 현상액을 이용하여 노광된 포토레지스트 막을 제거함으로서 복수개의 기판에 제1패턴 및 제2패턴을 포함하는 포토레지스트 패턴이 형성된다.
상기와 같이 이중노광 공정의 순서를 변경하여 반도체 제조 공정에 적용하면, 종래의 이중 노광 공정에 비해 포토레지스트 패턴의 형성 공정이 보다 빠르게 진행되기 때문에 반도체 장치의 스루풋을 향상시킬 수 있을 뿐만 아니라 노광장치의 조명계 및 마스크 얼라인시키는 단계를 감소시킬 수 있다.
이하, 본 발명의 실시예를 첨부한 도면에 따라 설명하기로 한다.
도 3a 내지 3d는 본 발명의 제1실시예에 따른 포토레지스트 패턴을 형성하기 위한 공정 단면도이고, 도 4a 내지 4b는 본 발명의 제1실시예의 포토레지스트 패턴을 형성 공정에 적용되는 노광 마스크이다.
도 3a 내지 도 3d를 참조하면, 기판(100) 표면에 존재하는 습기 및 오염물질로 인해 도포될 포토레지스트 막의 밀착성이 감소되는 것을 방지하기 위해 상기 오염물질을 제거하기 위한 표면처리 공정을 수행한 후 기판(100) 상에 포토레지스트 물질을 균일하게 도포함으로서 포토레지스트 막(110)이 형성된 기판(100)을 형성한다. 여기서 상기 포토레지스트 막(110)은 포지티브형 포토레지스트이다.
이후에, 상기 기판(100) 상에 형성된 포토레지스트 막(110) 내에 함유된 용제(Solvent)를 휘발시켜 상기 기판(100)과 포토레지스트 막(110)의 밀착성을 증가시키기 위해 소프트 베이킹(Soft baking) 공정을 더 수행한다.
그리고, 도 3d에 도시된 형상과 같이 제1패턴(112)과 제2패턴(114)을 포함하는 포토레지스트 패턴(120)을 형성하기 위해서는 먼저, 제1패턴(112)을 형성하기 위한 도 4a의 제1노광 마스크(150)가 장착되어 있는 노광장치에 포토레지스트 막(110)이 형성된 기판(100)을 얼라인 시킨다. 이후 상기 제1노광 마스크(110)에 광을 조사하여 기판(100)에 형성된 포토레지스트 막(110)을 제1노광 시킨후 제1베이킹 처리한다.
상술한 단계로 인해 형성되는 포토레지스트 막(110)은 상기 제1패턴(112)과 대응되는 제1영역(112a)이 노광된다. 여기서 상기 제1영역(112a)은 도 3d에 도시되어 있는 포토레지스트 패턴(120)의 홀수번 위치에 해당하는 패턴(112)이고, 상기 제1영역(112a)에서 이웃되는 제1영역(112a)까지의 간격(A)은 상기 도 3d의 포토레지스트 패턴(120)에 형성된 제1패턴(112)에서 제2패턴(114)까지의 간격(B)의 2배에 해당한다.
상기 제1노광 공정이 진행된 포토레지스트막(110a)이 형성된 기판(100)의 단면구조는 도 3b와 같다. 이는 상기 제1노광 마스크(150)가 적용되어 제1노광을 하게 되면 이후 제2 노광 마스크(160)로 노광할 영역에는 광이 조사되지 않기 때문에 제1베이킹 공정을 수행하여도 제2노광될 영역의 포토레지스트 막(110a)에는 열에 의한 변화가 발생하지 않는다.
이어서, 제1영역(112a)이 노광된 포토레지스트 막(110a)에 제2패턴(114)의 형상을 노광시켜 도 3d에 도시된 바와 같은 포토레지스트 패턴(120)을 형성하기 위해서는 도 4b의 제2노광 마스크(160)가 장착되어 있는 노광장치에 제1영역이 노광된 포토레지스트 막(110a)이 형성된 기판(100)을 얼라인 시킨다. 이후, 상기 제2노광 마스크(160)에 광을 조사하여 기판(100)에 형성된 포토레지스트 막(110a)의 제2영역(114a)을 제2노광시킨 후 제2베이킹 처리하였다.
상술한 단계로 인해 형성된 포토레지스트 막(110b)에는 제1영역(112a)과 제2영역(114a)이 반복적일 형상을 갖도록 노광되었다. 여기서 제2영역(114a)은 도 3d에 도시되어 있는 포토레지스트 패턴(120)의 짝수번 위치에 해당하는 패턴(114)이 형성되는 영역이다. 상기 제1 및 제2노광 공정이 진행된 포토레지스트 막(110b)이 형성된 기판(100)의 단면구조는 도 3c와 같다.
그리고, 상기 도 3c와 같이 제1영역(112a)과 제2영역(114a)이 노광된 포토레지스트 막(110b)은 베이킹 처리됨으로서 상기 노광된 제1영역(112a) 및 제2영역(114a)은 현상액에 의해 쉽게 용해될 수 있는 상태를 갖는다. 이러한 상태를 갖는 포토레지스트 막(110b)을 현상액을 이용하여 현상공정을 수행함으로서 상기 도 3d에 도시된 바와 같이 제1패턴(112) 및 제2패턴(114)을 포함하는 포토레지스트 패턴(120)이 형성된다.
상기와 같은 방식의 순서에 따라 복수개의 기판을 이중 노광(double expose)공정을 수행하는 경우와 종래의 이중노광 순서에 따라 포토레지스트 패턴의 형성공정의 소용시간을 비교해보면, 본 발명의 공정이 종래의 공정보다 기판 1매당 약 20%의 시간을 감소시킬 수 있다.
상기와 같은 본 발명에 따르면, 상기와 같은 이중 노광 방식의 순서에 따라 복수개의 기판을 노광하는 공정을 수행하는 경우 종래의 이중노광 순서에 따라 형성되는 포토레지스트 패턴 형성의 소요시간 감소시킬 수 있다. 따라서, 본 발명의 이중노광 공정의 순서를 반도체 양산 공정에 적용하면 스루풋이 증가하여 생산성을 더욱 향상시킬 수 있다.
또한, 제1노광 공정 및 제2노광 공정을 각각의 수행하는 동안에 조명계를 2번만 변화시켜 사용하기 때문에 조명계 변형시 발생할 수 있는 재현성을 확보하는 동시에 반복적인 노광 마스크의 변경 작업의 방지할 수 있어 노광장치의 불량 확률을 감소시킬 수 있다.

Claims (5)

  1. 제1패턴 및 제2패턴을 포함하는 포토레지스트 패턴을 복수개의 기판에 각각 형성하기 위한 공정에 있어서,
    상기 포토레지스트 패턴의 제1패턴을 형성하기 위한 제1마스크를 적용하여 상기 복수개의 기판을 순차적으로 제1노광하는 단계;
    상기 제1노광된 복수개의 기판을 제1베이킹하는 단계;
    상기 포토레지스트 패턴의 제2패턴을 형성하기 위한 제2마스크를 적용하여 상기 제1베이킹 처리된 복수개의 기판을 순차적으로 제2노광하는 단계; 및
    상기 제2노광된 복수개의 기판을 제2베이킹하는 단계를 포함하는 포토레지스트 패턴의 형성 공정.
  2. 제1항에 있어서, 상기 복수개의 기판에는 포지티브형 포토레지스트가 도포 되어 있는 것을 특징으로 하는 포토레지스트 패턴의 형성 공정.
  3. 제1항에 있어서, 상기 제1패턴은 상기 포토레지스트 패턴의 홀수번 위치에 해당하는 패턴이고, 상기 제2패턴은 상기 포토레지스트 패턴의 짝수번 위치에 해당하는 패턴인 것을 특징으로 하는 포토레지스트 패턴의 형성 공정.
  4. 제1항에 있어서, 상기 제1마스크는 상기 제1패턴을 형성하기 위한 제1마스크패턴들이 형성되어 있고, 상기 제2마스크는 상기 제2패턴을 형성하기 위한 제2마스크 패턴들이 형성되어 있는 것을 특징으로 하는 포토레지스트 패턴의 형성 공정.
  5. 제1항에 있어서, 상기 제2베이킹 이후, 복수개의 기판을 현상하는 공정을 수행하는 것을 특징으로 하는 포토레지스트 패턴의 형성 공정.
KR1020030008285A 2003-02-10 2003-02-10 포토레지스트 패턴의 형성 공정 KR20040072284A (ko)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020030008285A KR20040072284A (ko) 2003-02-10 2003-02-10 포토레지스트 패턴의 형성 공정

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020030008285A KR20040072284A (ko) 2003-02-10 2003-02-10 포토레지스트 패턴의 형성 공정

Publications (1)

Publication Number Publication Date
KR20040072284A true KR20040072284A (ko) 2004-08-18

Family

ID=37359858

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020030008285A KR20040072284A (ko) 2003-02-10 2003-02-10 포토레지스트 패턴의 형성 공정

Country Status (1)

Country Link
KR (1) KR20040072284A (ko)

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR101504544B1 (ko) * 2013-03-29 2015-03-20 삼한박막진공 주식회사 패턴 형성용 마스크 및 이를 이용한 패턴 형성 방법
US20220386473A1 (en) * 2021-05-26 2022-12-01 Samsung Electro-Mechanics Co., Ltd. Method of manufacturing printed circuit board

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR101504544B1 (ko) * 2013-03-29 2015-03-20 삼한박막진공 주식회사 패턴 형성용 마스크 및 이를 이용한 패턴 형성 방법
US20220386473A1 (en) * 2021-05-26 2022-12-01 Samsung Electro-Mechanics Co., Ltd. Method of manufacturing printed circuit board
US12016130B2 (en) * 2021-05-26 2024-06-18 Samsung Electro-Mechanics Co., Ltd. Method of manufacturing printed circuit board

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US7460211B2 (en) Apparatus for wafer patterning to reduce edge exclusion zone
JP2001230186A5 (ko)
US20080204685A1 (en) Exposure apparatus, exposure method and lithography system
KR20010004612A (ko) 포토 마스크 및 이를 이용한 반도체 소자의 미세패턴 형성방법
KR20040072284A (ko) 포토레지스트 패턴의 형성 공정
US9977324B2 (en) Phase shift mask and method of forming patterns using the same
US20090014125A1 (en) Substrate processing system and method
KR100366615B1 (ko) 케미컬 공급노즐을 구비한 스피너장비, 이를 이용한 패턴형성방법 및 식각 방법
US9032340B2 (en) Layout decomposition method and method for manufacturing semiconductor device applying the same
KR100653974B1 (ko) 정전기 방지구조를 갖는 마스크패턴
KR100971958B1 (ko) 액정 패널 제작 시스템 및 제작 방법
JP2715462B2 (ja) レチクル及びこれを用いる半導体装置の製造方法
JPH07181686A (ja) レジストパターンの形成方法
JPH10270320A (ja) 露光装置および露光方法
KR20030000990A (ko) 반도체 기판의 오버레이 측정방법
KR100591130B1 (ko) 반도체 소자 제조 방법
KR100818395B1 (ko) 이중노광을 이용한 포토레지스트 패턴의 형성 방법
JP2023163641A (ja) 基板処理方法、コンピュータ記憶媒体及び基板処理装置
US20080081297A1 (en) Method of forming pattern of semiconductor device
KR100855264B1 (ko) 포토 공정 마진 개선방법
KR100564216B1 (ko) 액정표시장치용 노광장치 및 그것을 사용한 노광방법
KR20050052102A (ko) 반도체소자의 노광방법
JPH04285957A (ja) 露光方法及びレチクルの製造方法
KR20030058008A (ko) 다중 베이크 유닛을 구비한 트랙장치
KR20020058240A (ko) 전자 빔 마스크 및 이를 이용한 반도체 소자의 형성 방법

Legal Events

Date Code Title Description
WITN Application deemed withdrawn, e.g. because no request for examination was filed or no examination fee was paid