KR20040071300A - 방사 다이버시티를 사용하여 전자기파를 수신 및/또는방출하는 디바이스 - Google Patents

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KR20040071300A KR10-2004-7010717A KR20047010717A KR20040071300A KR 20040071300 A KR20040071300 A KR 20040071300A KR 20047010717 A KR20047010717 A KR 20047010717A KR 20040071300 A KR20040071300 A KR 20040071300A
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Abstract

본 발명은 방사 다이버시티를 가진 전자기파 수신 및/또는 방출 디바이스에 관한 것이다. 상기 디바이스는 하나의 공통 기판(3) 상에서, 하나의 폐쇄 곡선에 의해 형성되며, 슬롯 안테나로서 불리우고, 제 1 공급 라인(6)에 전자기적으로 연결되는 적어도 하나의 슬롯 타입의 안테나(1)와, 상기 슬롯 안테나 내부에 배치되고, 제 2 공급 라인에 연결되며, 상기 기판에 평행하게 방사하는 안테나(2)를 포함하고, 상기 제 1 공급 라인 및 제 2 공급 라인은 상기 전자기파를 이용하기 위한 수단에 스위칭 수단을 경유하여 연결된다. 본 발명은 무선 전송 분야에서 특히 응용가능하다.

Description

방사 다이버시티를 사용하여 전자기파를 수신 및/또는 방출하는 디바이스{DEVICE FOR RECEIVING AND/OR EMITTING ELECTROMAGNETIC WAVES WITH RADIATION DIVERSITY}
알려진 고-비트-속도 무선 전송 시스템에서, 전송기에 의해 전송된 신호는 복수의 서로 다른 경로를 경유하여 수신기에 도착한다. 이들 신호가 수신기에서 결합될 때, 서로 다른 길이를 가진 경로를 지나온 여러 무선 전파 사이의 위상차는, 신호에 대해 페이드(fade) 경향 또는 상당한 열화의 원인일 수 있는 간섭 패턴을 발생시킨다. 더 나아가, 페이드 경향(tendency to fade)의 위치는, 새로운 물체나 지나가는 사람의 존재와 같은 환경에서의 변화에 의존하여, 시간에 따라 변한다. 다중 경로에 의해 야기되는 이러한 페이드 경향은, 수신된 신호의 품질과 시스템의성능이라는 면 둘 모두에서의 상당한 열화라는 결과를 가져올 수 있다.
이러한 페이드 경향에 대처하기 위하여 가장 자주 채용되는 기술은 공간 다이버시티(spatial diversity)라고 알려져 있는 기술이다. 이 기술은 특히, 하나의 스위칭 유닛에 연결된 "패치(patch)" 타입의 두 안테나와 같이 넓은 공간적 커버리지(coverage)를 가지는 한쌍의 안테나를 사용하는 것으로 구성된다. 이 두 안테나는 반드시(여기서는 안테나의 동작 주파수에 대응하는 파장)과 같거나 더 커야만 하는 간격으로 서로 떨어져 있다. 이런 타입의 안테나에 있어서, 두 안테나 모두 동시에 페이딩 조건을 가질 가능성이 매우 낮다는 점이 증명될 수 있다. 더 나아가, 스위칭 유닛은 가장 높은 신호 레벨을 제공하는 안테나에 연결된 지선(branch)으로 하여금 수신된 신호를 모니터링 회로를 사용하여 조사함으로써 선택될 수 있게 한다. 그러나, 이러한 해결책에 있어서의 주된 단점은, 각각의 방사 요소를 통하여 알려진 채널 응답이 적절히 무관하게 되는 것을 보장하기 위하여 방사 안테나들 사이의 최소 간격을 요구하기 때문에, 상대적으로 부피가 크다는 것이다.
적절한 다이버시티를 여전히 보장하면서도 안테나 시스템의 크기를 감소시키기 위해 여러 해결책들이 제안되어 왔다. 몇몇 해결책은 THOMSON Multimedia Licensing S.A.의 이름으로 출원된 몇가지 특허출원의 주제였었다. 이들 해결책은 특히, 라인-슬롯 전이부를 경유하여 공급되는 슬롯 타입의 몇개의 안테나를 사용하는 것으로 이루어지며, 방사 다이버시티가 얻어질 수 있도록 하는 수단, 즉 특히수신된 신호의 레벨에 의존하여 안테나들 중 하나 또는 다른 것으로 스위칭하게 하는 다이오드들을 포함한다.
또한, "무선 핸드셋 외부에 탑재된 다이버시티 안테나"라는 제목의 IEEE 논문(2001년 5월, Vol.49, No 5)에서는, 이동 전화 분야에 있어서, 다이버시티 방사 시스템을 생성하도록 모노폴과슬롯을 연결시키는 것도 역시 제안되어 있다. 그러나, 이 제안된 시스템은 상대적으로 복잡한 3-차원적 구조이다.
본 발명은 무선 전송 분야에서, 특히 가정내 무선망, 체육관, 텔레비젼 스튜디오, 쇼 개최지 또는 유사한 장소와 같은 폐쇄되거나 반-폐쇄된 환경에서의, 그러나 또한 이동 전화에서와 같은 안테나 시스템을 위한 최소의 크기가 요구되는 무선 통신 시스템에서의 전송의 경우 사용될 수 있는 방사 다이버시티(radiation diversity)를 사용하여 전자기파를 수신 및/또는 송신하기 위한 디바이스에 관한 것이다.
도 1은 본 발명의 제 1 실시예의 개략적인 사시도.
도 2 및 도 3은 각각 제 1 실시예의 단면도 및 평면도.
도 4 및 도 5는 도 1 내지 3에 따른 디바이스에 있어서, 각각 모노폴 안테나의 방사 패턴과 슬롯 안테나의 방사 패턴을 보여주는 사시도.
도 6은 도 1 내지 3에 따른 디바이스에 있어서, 여러 "포트" 사이의 주파수의 함수로서 S 파라미터를 dB 단위로 도시하는 곡선.
도 7은 본 발명의 제 2 실시예의 단면도.
도 8은 제 2 실시예에 대하여 도 6의 곡선 유사한 곡선.
도 9 및 도 10은 도 7에 따른 디바이스에 있어, 슬롯 안테나의 방사 패턴 및 모노폴 안테나의 방사 패턴을 보여주는 도면.
따라서, 본 발명의 목적은 여전히 매우 양호한 상보성을 가지는 방사 패턴을 보여주면서도 극단적으로 콤팩트한 구조를 구비하는 방사 다이버시티를 가진 전자기파를 수신 및/또는 전송하기 위한 디바이스를 위한 새로운 해결책을 제안하고자 하는 것이다. 본 발명은 또한 상대적으로 낮은 제조 비용의 방사 다이버시티를 가지는 전자기파의 수신 및/또는 전송을 위한 디바이스를 제공하려는 것이다.
결과적으로, 본 발명의 주제는 방사 다이버시티를 가진 전자기파를 수신 및/또는 전송하기 위한 디바이스이며, 상기 디바이스는, 하나의 공통 기판 상에서 제 1 공급 라인에 전자기적으로 연결되며 폐쇄된 곡선에 의해 형성된 슬롯 타입의 적어도 하나의 안테나, 및 제 2 공급 라인에 연결되며 상기 슬롯 안테나 내부에 위치하는 횡모드(transverse mode) 또는 유사한 모드로 동작하는 모노폴 또는 나선과 같이 상기 기판과 평행하게 방사하는 안테나를 포함하며, 상기 제 1 공급 라인과 제 2 공급 라인은 전자기파를 이용하기 위한 수단에 스위칭 수단을 경유하여 연결되어 있다.
위에 기술된 전자기파 수신 및/또는 전송 디바이스는, 폐쇄된 곡선에 의해 형성된 슬롯 타입의 안테나(이후로는 슬롯 안테나라고 지칭되는) 및 횡모드로 동작하는 모노폴형 또는 나선형 타입의 안테나는, 각각, 슬롯 안테나를 위한 기판 평면에 그리고 다른 안테나를 위한 모노폴 또는 나선의 축을 따라 최소값(minima)이 위치되는, 실질적으로 무지향성(omnidirectional) 방사 패턴을 보여준다라는 사실을 이용한다. 따라서, 한 안테나에서 다른 안테나로의 스위칭은, 안테나를 통한 채널 응답이 수정될 수 있도록 하고, 시스템이 다이버시티 내 이득으로부터 이익을 얻을 수 있게 한다.
바람직한 실시예에 따라, 제 1 공급 라인은 마이크로스트립 기술(microstrip technology) 또는 코플레이너 기술(coplanar technology)로 구현된다. 또한 제 1 공급 라인은 그 단부와 전자기 연결 점 사이의 길이가과 같고, 여기서는 홀수 정수이며일 때 중심 동작 주파수에서 상기 공급 라인 상의 안내된 파장이며, 여기서는 자유공간 파장이고는 상기 라인의 유효 유전율이다. 제 2 공급 라인은 마이크로스트립 기술 또는 동축 라인(coaxial line)에 의해 구현된다. 라인이 마이크로스트립 기술로 구현된 경우, 슬롯 안테나에서 슬롯에 대해 외부인 부분과 슬롯에 대해 내부인 부분 사이에서 연결이 이루어지고, 이 연결은 마이크로스트립 기술로 구현된 라인의 폭보다 약 2배 내지 3배와 같은 폭을 가지는 도전성 삽입부에 의해 형성됨으로써, 여진(excitation)을 제공하는 마이크로스트립 라인의 동작을 간섭하지 않도록 한다. 이에 더하여, 도전성 연결의 존재에 기인하는 슬롯 안테나의 슬롯 내에서의 간섭을 최소화하기 위하여, 이 연결은 슬롯에 대한 전기적인 단락-회로 평면에 위치하는데, 따라서 상기 평면은 모노폴 또는 나선 안테나의 여진을 제공하는 마이크로스트립 라인이 슬롯 안테나를 횡단하는 평면이다.
바람직한 실시예에 따라, 슬롯 안테나는 원형의 고리형 슬롯으로 형성되거나 원주가(은 정수이며는 동작 주파수에서 슬롯 내의 파장이다)와 같은 폐쇄 곡선에 의해 형성되며, 및/또는 정사각형 또는 직사각형과 같은 다각형 슬롯으로 형성된다. 본 발명의 다른 특징에 따라, 방사 다이버시티를 가진 전자기파를 수신 및/또는 전송하는 디바이스는, 동작 대역을 확장하기 위하여 또는 다중대역(multiband) 애플리케이션을 허용하기 위하여 서로 연동하는 여러개의 슬롯 안테나를 포함할 수 있다.
본 발명의 다른 특징들 및 장점들은 첨부된 도면을 참조하여 제공되는 여러실시예들에 대한 상세한 설명을 읽음으로써 명백하게 될 것이다.
설명을 간단히 하기 위하여, 도면들에서 동일 요소들은 동일한 참조 번호를 가진다.
도 1 내지 도 3에 도시된 바와 같이, 전자기파 수신 및/또는 전송을 위한 디바이스는 본질적으로 하나의 폐쇄 곡선, 더 상세하게는 고리형 슬롯에 의해 형성된 슬롯 안테나(1), 및 상기 슬롯 평면에 대해 평행하게 방사하는 안테나(2) 즉 도시된 실시예에서 모노폴(monopole)로 구성된다. 모노폴(2)은 슬롯 안테나(1)의 중심에 배치된다. 더 상세하게는, 도 2 및 도 3에 도시된 바와 같이, 본 발명의 디바이스는 상부 표면이 금속화되어 있는 유전물질로 이루어진 기판(3)을 포함한다. 고리형 슬롯(1)은 디바이스의 동작 파장에 따른 직경의 원 주위의 금속층(4)을 비금속화(demetallization)함으로써 제조되며, 더 상세하게는 상기 고리형 슬롯(1)의 원주는(는 동작 주파수에서 슬롯 내의 파장이며은 정수이다)와 같다.
또한, 직경 D의 원형 개구가 고리형 슬롯의 중심에 제공된다. 이 개구는 기판(3)을 또한 통과하는 그 중심 부분에서 모노폴(2)을 수용한다. 고리형 금속 마운팅 디스크(5)가 모노폴(2) 아래의 기판(3)의 하부면 상에 제공된다. 도 3에서 더 구체적으로 도시된 바와 같이, 고리형 슬롯(1)은, Knorr에 의해 기술된 방법에 따라, 포트 1 에 연결된 마이크로스트립 라인(6)에 의해 여진된다. 이 마이크로스트립 라인(6)은 기판의 하부면에서 제조된다. 그 자유단(6')과 상기 슬롯(2)과 전자기 연결 지점 사이에서, 상기 라인은인 길이를 가지는데, 여기서은 라인 상의 파장이고는 홀수 정수이다.
유사하게, 도시된 실시예에서, 모노폴(2)은 마이크로스트립 라인(7)에 의해 여진된다.
도 3에 도시된 바와 같이, 모노폴(2)을 여진시키는 마이크로스트립 라인(7)을 위한 접지 평면의 연속성을 보장하기 위하여, 내부 디스크와 상기 고리형 슬롯을 형성하는 외부 링 사이에 연결이 이루어진다. 이 연결은 여진을 제공하는 마이크로스트립 라인의 동작을 간섭하지 않도록 충분히 넓은 폭(W)(여진을 제공하는 프린트된 라인의 폭의 약 2 배 내지 3배와 같은 폭)의 도전성 삽입부(8)에 의해 이루어진다. 이 금속성 삽입부의 존재에 기인하는 고리형 슬롯에서의 간섭을 최소화하기 위하여, 금속성 삽입부는 슬롯에 대한 전기적 단락-회로 평면에 위치하며, 상기평면은 따라서 모노폴의 여진을 제공하는 라인이 고리형 슬롯을 횡단하는 평면일 것이다.
도 4 및 도 5에 제공된 바와 같이, 고리형 슬롯(1) 및 모노폴(2)은, 최소값(m)이 고리형 슬롯에 있어서 기판의 평면에(본 경우, ox 축을 따라), 모노폴의 경우는 모노폴의 축을 따라(본 경우, oz 축을 따라) 위치되는, 실제적으로 무지향성이며 상대적으로 상보적인 방사 패턴을 나타낸다. 따라서, {신호 레벨, 신호대잡음비 또는 유사한 것과 같은 제어 신호에 의해 제어되며, 공급 라인(6,7)과 신호 처리 부분 사이에 위치하는, 스위치와 같이, 당업자에게 잘 알려져 있는 스위칭 디바이스를 통한} 한 포트에서 다른 포트로의 스위칭에 의해, 안테나를 통한 채널 응답이 수정될 수 있고 따라서 시스템은 다이버시티에서의 이득이라는 이익을 얻을 수 있다. 따라서, 예컨대 만약 수신된 대부분의 신호가 ox 축을 따라 도착한다면, 이는 모노폴에 연결된 액세스에의 스위칭에 의하여, 약한 신호가 슬롯에 연결된 액세스를 통해 수신되는 것을 함축하며, ox 방향이 모노폴 패턴에서의 최대값에 대응하는 것을 조건으로 실제적인 레벨을 가진 신호가 수신될 가능성이 크다. 대칭 인수(symmetric argument)는, 예컨대 멀티스테이지 통신의 경우에, 대부분의 신호가 oz 축을 따라 도착하는 경우에 인가될 수 있다.
이 경우, 고리형 슬롯(1)과 모노폴(2) 사이의 연결은 다음을 조건으로 약하게 유지된다:
i) 방사 패턴의 상보성(한 쪽의 최대값 방향이 다른 쪽의 최소값 방향과 같은);
ii) 슬롯 안테나 및 모노폴 안테나에 의해 방출되는 필드들의 직교성.
이 경우, 심지어 두 개의 방사 요소들이 거의 동일한 물리적 공간을 점유한다고 할지라도 이 두 개의 방사 요소들 사이에는 최소의 상호 간섭이 예상될 수 있다.
상기에서 기술된 바와 같은 전송/수신 디바이스의 정확한 동작을 보장하기 위하여, 이 디바이스의 치수는 당시에 Ansoft에서 출시된 HFSS 시뮬레이션 패키지를 사용하여 시뮬레이팅된 약 5.8 GHz의 중심 주파수에서 동작하도록 전부 선택되었다. 도 1 내지 도 3에서의 개략적인 도면을 참조하면, 고리형 슬롯(1)과 모노폴(2)에 의해 형성된 안테나 시스템은 다음의 치수를 가진다:
ㆍ Rint= 6.4 mm (슬롯의 내부 반경)
ㆍ Rext= 6.8 mm (슬롯의 외부 반경)
ㆍ Ws= 0.4 mm (슬롯의 폭, Ws= Rext- Rint)
ㆍ Wm1= 0.3 mm (슬롯 공급용 마이크로스트립 라인의 폭)
ㆍ lm1= 8.25 mm (포트 1과 라인/슬롯 전이부 사이의 슬롯 공급용 마이크로스트립 라인의 길이)
ㆍ lm1' = 8.25 mm (라인/슬롯 전이부와 개방회로에서의 라인의 단부 사이의 슬롯 공급용 마이크로스트립 라인의 길이)
ㆍ D = 2 mm (슬롯의 중심에서 비금속부의 직경)
ㆍ L = 13.21 mm (모노폴의 길이)
= 30 mm (접지 평면의 직경)
monopole= 1 mm (모노폴을 형성하는 금속 와이어의 직경)
ㆍ Wm2= 0.2 mm (모노폴 공급용 마이크로스트립 라인의 폭)
ㆍ lm2= 8.4 mm (포트 2와 라인/슬롯 전이부 사이의 모노폴 공급용 마이크로스트립 라인의 길이)
ㆍ lm2' = 8.8 mm
ㆍ 삽입부 1.2 mm 길이(또는 슬롯 길이의 3%)
ㆍ 직경 2 mm 의 금속 디스크가 모노폴 아래에 배치됨(이 금속 디스크는 모노폴을 공급 라인에 용착시키기 쉽게 한다).
사용된 기판은 상대 유전율 r= 3.38 및 두께 h = 0.81 mm 를 가진 Rogers 4003 으로 만들어졌다.
도 6은 두 개의 포트 즉, 포트 1 및 포트 2 사이의 연결 계수(S21)와 함께 고리형 슬롯 공급 라인 입력단에서의 반사계수(S11)와 모노폴 공급 라인 입력단에서 반사 계수(S22)의 시뮬레이션 결과를 보여준다. 두 안테나의 양호한 정합과 함께, 두 방사 요소 즉 슬롯(1)과 모노폴(2)의 극단적인 인접성에도 불구하고 두 액세스 사이에 19 dB 보다 더 좋은 격리성(isolation)이 관찰될 수 있다.
이 경우에, 모노폴 및 고리형 슬롯 액세스에서 얻어지는 방사 패턴은, 각각도 4와 도 5에 도시되어 있는 방사 패턴이다. 모노폴 패턴에서의 약간의 왜곡에도 불구하고, 안테나 시스템이 원하는 바대로 동작한다는 것, 다시 말해서 따라서, 모노폴에 있어 oz 축을 따라 최소값이 존재하고 고리형 슬롯에 있어 ox 축을 따라 최소값이 존재하는 실제적으로 무지향성의 상보적인 패턴으로 동작한다는 것이 관찰될 수 있다.
도 7에 도시되어 있는 일 변형예에 따라, 모노폴은 포트 2에 연결된 동축 라인에 의해 여진된다. 이 변형예(2)에서, 모노폴의 여진은 기판 접지 평면(9) 측에 존재한다. 이 경우, 접지 평면(9)은 기판(3)의 하부 표면 상에서 형성된다. 고리형 슬롯(1)을 구성하는 안테나는 이 접지 평면에서 형성된다. 마이크로스트립 라인(6)에 의해 형성된 공급 라인은 이제 기판의 상부 표면 상에 구현되며, 여진은 이전 실시예에서와 같이 이루어진다. 이 변형예에 특정한 시뮬레이션이 Ansoft에서 출시한 HFSS 패키지를 사용하여 이루어졌고, 다음과 같은 구체적인 실제 치수를 사용하였다:
ㆍ Rint= 6.4 mm (슬롯의 내부 반경)
ㆍ Rext= 6.8 mm (슬롯의 외부 반경)
ㆍ Ws= 0.4 mm (슬롯의 폭, Ws= Rext- Rint)
ㆍ Wm1= 0.3 mm (슬롯 공급용 마이크로스트립 라인의 폭)
ㆍ lm1= 8.25 mm (포트 1과 라인/슬롯 전이부 사이의 슬롯 공급용 마이크로스트립 라인의 길이)
ㆍ lm1' = 8.25 mm (라인/슬롯 전이부와 개방회로에서의 라인의 단부 사이의 슬롯 공급용 마이크로스트립 라인의 길이)
ㆍ D = 2 mm (슬롯의 중심에서 비금속부의 직경)
ㆍ L = 12.4 mm (모노폴의 길이)
= 30 mm (접지 평면의 직경)
monopole= 1 mm (모노폴을 형성하는 금속 와이어의 직경)
사용된 기판은 상대 유전율 r= 3.38 및 두께 h = 0.81 mm 를 가진 Rogers 4003 으로 만들어졌다.
두 액세스에서의 정합 및 두 포트 사이의 격리는 도 8에 도시되어 있다. 5.8 GHz의 동작 주파수에서 곡선(S21)은 양호한 격리를 보여주는 한편, 곡선(S11, S22)은 양호한 정합을 보여준다. 도 9 및 도 10은, 상기에 기술되어 있는 전자기파 전송 및/또는 수신을 위한 디바이스의 각각 슬롯 액세스 및 모노폴 액세스에서의 방사 패턴을 제공한다. 모노폴 안테나 및 슬롯 안테나의 여진 라인의 교차를 회피한다는 장점을 가지고 있는 동축 라인에 의한 모노폴의 여진은, 마이크로스트립 라인에 의한 여진의 경우보다 더 양호한 격리(22dB 보다 더 큰 격리)를 제공한다는 것과, 또한 모노폴 패턴이 더 이상 왜곡되지 않는다는 것이 관찰될 수 있다. 이러한 장점은 안테나 구조(기판의 대향 표면들 상에서의 그리고 서로 다른 타입의, 즉 동축 라인과 마이크로스트립 라인의 슬롯 액세스 및 모노폴 액세스)의 복잡성이 증가된다는 희생을 대가로 하여 얻어진다.
추가적인 수정에는, 모노폴 대신 횡모드로 동작하는 나선(helix)의 사용, 대역을 확장하기 위하여 또는 다중대역 애플리케이션을 위해 이중 슬롯 또는 다중 슬롯의 사용, Knorr-타입 공급부 대신 접선형(tangential) 슬롯 공급부, 및 그 크기를 더 감소시키기 위해 위에서 주어진 정의의 범위 내에서 슬롯이 정사각형, 직사각형, 또는 다른 다각형의 형태도 역시 취할 수 있는 고리형 슬롯의 변형과 같은 것들이 포함될 수 있다. 유사하게, 상기 모노폴 또는 나선은 슬롯 안테나의 중심에 배치될 수 있고 기판에 대해 평행한 방향으로 방사하는 동일 타입의 안테나들로 대체될 수 있다. 슬롯 안테나의 공급 라인은 마이크로스트립 기술이나 코플레이너 기술로 하나의 라인으로서 구현될 수 있다. 덧붙여서 슬롯 안테나는, 고리형 슬롯의 경우에는 노치와 같은, 슬롯 안테나가 교차-편파(cross-polarization) 모드로 동작할 수 있게하는 수단을 구비할 수 있다.
상술한 바와 같은 본 발명은 무선 전송 분야에서, 특히 가정내 무선망, 체육관, 텔레비젼 스튜디오, 쇼 개최지 또는 유사한 장소와 같은 폐쇄되거나 반-폐쇄된 환경에서의, 그러나 또한 이동 전화에서와 같은 안테나 시스템을 위한 최소의 크기가 요구되는 무선 통신 시스템에서의 전송의 경우에, 사용될 수 있는 방사 다이버시티(radiation diversity)를 통해 전자기파를 수신 및/또는 송신하기 위한 디바이스 등에 이용할 수 있다.

Claims (11)

  1. 방사 다이버시티를 사용하는 전자기파 수신 및/또는 전송 디바이스에 있어서,
    하나의 공통 기판(3) 상에서,
    하나의 폐쇄 곡선에 의해 형성되며, 슬롯 안테나로서 알려져 있고, 제 1 공급 라인(6)에 전자기적으로 연결되는 적어도 하나의 슬롯 타입의 안테나(1)와,
    상기 슬롯 안테나 내부에 배치되고, 제 2 공급 라인(7)에 연결되며, 상기 기판에 평행하게 방사하는 안테나(2)를
    포함하고,
    상기 제 1 공급 라인 및 제 2 공급 라인은 상기 전자기파를 이용하기 위한 수단에 스위칭 수단을 경유하여 연결되는
    것을 특징으로 하는, 방사 다이버시티를 사용하는 전자기파 수신 및/또는 전송 디바이스.
  2. 제 1 항에 있어서, 상기 제 1 공급 라인(6)은 마이크로스트립 기술(microstrip technology) 또는 코플레이너 기술(coplanar technology)로 구현되는 것을 특징으로 하는, 방사 다이버시티를 사용하는 전자기파 수신 및/또는 전송 디바이스.
  3. 제 2 항에 있어서, 상기 제 1 공급 라인(6)은 그 단부와 전자기 연결 지점 사이에서인 길이를 가지는데, 여기서는 홀수 정수이고일 때 중심 동작 주파수에서 상기 공급 라인 상의 안내된 파장이며, 여기서는 자유공간 파장이고는 상기 라인의 유효 유전율인 것을 특징으로 하는, 방사 다이버시티를 사용하는 전자기파 수신 및/또는 전송 디바이스.
  4. 제 1 항 내지 제 3 항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 제 2 공급 라인(7)은 마이크로스트립 기술 또는 동축 라인으로 구현되는, 방사 다이버시티를 사용하는 전자기파 수신 및/또는 전송 디바이스.
  5. 제 4 항에 있어서, 상기 라인이 마이크로 기술로 구현된 경우, 상기 슬롯에 대해 외부인 부분과 상기 슬롯에 대해 내부인 부분 사이의 상기 슬롯 안테나에서 연결이 이루어지는 것을 특징으로 하는, 방사 다이버시티를 사용하는 전자기파 수신 및/또는 전송 디바이스.
  6. 제 5 항에 있어서, 상기 연결은, 마이크로스트립 기술로 구현된 상기 라인의 폭보다 2배 내지 3배와 같은 폭을 구비하는 도전성 삽입부(8)에 의해 형성되는 것을 특징으로 하는, 방사 다이버시티를 사용하는 전자기파 수신 및/또는 전송 디바이스.
  7. 제 5 항 또는 제 6 항에 있어서, 상기 연결은 상기 슬롯을 위한 전기적 단락-회로 평면 내에 배치되는 것을 특징으로 하는, 방사 다이버시티를 사용하는 전자기파 수신 및/또는 전송 디바이스.
  8. 제 1 항 내지 제 7 항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 슬롯 안테나는 원형의 고리형 슬롯에 의해 형성되거나 또는(는 동작 주파수에서 상기 슬롯 내의 또는 정사각형 또는 직사각형과 같은 다각형 슬롯 내의 파장이며은 정수이다)와 같은 원주의 폐쇄 곡선에 의해 형성되는 것을 특징으로 하는, 방사 다이버시티를 사용하는 전자기파 수신 및/또는 전송 디바이스.
  9. 제 1 항 내지 제 8 항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 기판에 평행하게 방사하는 안테나(2)는 횡모드로 동작하는 모노폴 또는 나선형에 의해 형성되는 것을 특징으로 하는, 방사 다이버시티를 사용하는 전자기파 수신 및/또는 전송 디바이스.
  10. 제 8 항에 있어서, 상기 디바이스는 서로 연동하는 여러개의 슬롯 안테나를 포함할 수 있는 것을 특징으로 하는, 방사 다이버시티를 사용하는 전자기파 수신및/또는 전송 디바이스.
  11. 제 1 항 내지 제 10 항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 기판에 평행하게 방사하는 안테나(2)는 상기 슬롯 안테나 또는 안테나들의 중심에 배치되는 것을 특징으로 하는, 방사 다이버시티를 사용하는 전자기파 수신 및/또는 전송 디바이스.
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