KR20040070347A - 광학 마이크로웨이브 발생장치 - Google Patents

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KR20040070347A
KR20040070347A KR10-2004-7006501A KR20047006501A KR20040070347A KR 20040070347 A KR20040070347 A KR 20040070347A KR 20047006501 A KR20047006501 A KR 20047006501A KR 20040070347 A KR20040070347 A KR 20040070347A
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KR10-2004-7006501A
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브록스올라프
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프라운호퍼-게젤샤프트 추르 푀르데룽 데어 안제반텐 포르슝 에 파우
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Abstract

본 발명의 목적은 0.5 Ghz에서 THz 범위의 주파수 내에서 광학 마이크로웨이브를 생성하기 위한, 단순하며 동조가 가능하고 모놀리식으로 일체화된 구성부품을 제공하는 것이다. 상기 목적은 레이저 임계치 이상에서 구동되는 단일모드 DFB 레이저(1) 및 수동위상 제어구역(2) 및 능동구역(3)으로 이루어지는 적어도 하나의 모놀리식 일체형 외부 공동을 가지고, 개별적 전기적으로 제어가 가능한 다구역 반도체레이저로 이루어진 광학 마이크로웨이브 발생장치에 의하여 이루어진다. 다구역 레이저는 두개의 작은 면으로 제한되며, 두면중 적어도 하나의 반사율은 0 보다 크다. 수동(2) 및 능동구역들(3)은 공통 도파관에 의하여 DFB 구역(1)에 연결되며, 능동구역(3)은 파장을 증폭하는 수단을 포함하며, 수동구역(2)은 상기 다구역 반도체레이저에서 역방향으로 전파되는 파장의 위상을 변화시키는 수단을 포함한다.

Description

광학 마이크로웨이브 발생장치{OPTICAL MICROWAVE SOURCE}
일반적으로, 다구역 반도체레이저는 종래기술에 다양한 타입/장치로 개시되고 있다.
분포귀환(DFB; Distributed Feedback)/위상(phase)/분포귀환(DFB) 구역들을 가지며, 상기 구역중 제2 DFB를 가지는 제2 DFB 구역이 수동반사기(passive reflector)로 이루어져 있어, 분산 Q 스위칭을 가능하게 하는 자기변조 레이저는, B. Sartorius, M. Moehrle, S. Reichenbacher, H. Preier, H.J. Wuensche, U. Bandelow에 의하여, “자려펄스발진(Self-Pulsating) 분포귀환형 레이저의 분산형 자기-Q-스위칭(Dispersive Self-Q-Switching)”이란 제목으로 1997.02.19자에 퀀텀전자(Quantum Electronics)의 IEEE 저널 33권 211-218쪽 및 독일특허 DE 195 13 198에 개시되어 있다. 상기 레이저는 20 Ghz보다 작은 공진주파수 범위내의 주파수에 한정된다. 마이크로웨이브 주파수는 능동 구동 DFB구역내의 전류에 의하여공진주파수를 동조하는 범위내에서 동조될 수 있다.
유럽특허 EP 1,087,478은 DFB/위상/DFB 구역들을 가지고 양 DFB가 능동 구동되는 자기변조 레이저를 개시하고 있다. 완성된 공조기내에서 상기 두개의 DFB 모드의 결합은 서로 다른 DFB 구역의 DFB 모드의 간격에 비례하는 마이크로웨이브를 생성한다. 차단주파수의 상한값은 두개의 레이저의 모드들의 공진주파수보다는 이 모드들 사이의 거리에 의하여 결정된다. 두개의 분포귀환형 레이저를 포함하는 구성부품의 복잡성으로 인하여, 동일한 구성부품의 형성을 보장하는 매우 정밀한 기술을 필요로 한다. 예를 들어, 격자(lattice)들 사이의 위상관계와 같은 불가피한 부수적 매개변수로 인하여, 수율이 매우 낮으며 또한 동조성의 결여에 의하여 그 수율은 더욱 줄어든다.
Tager와 Petermann은, 1994년 7월자 퀀텀전자(Quantum Electronics)의 IEEE 저널 30권 번호 7, 1553-1561쪽의 “짧은 외부 공동 레이저 다이오드의 고주파 발진 및 자기모드 록킹”의 논문에서 일체화된 수동 공동(passive cavity)을 가지는 분포귀환형 레이저를 제안하고 있다. 이러한 타입의 구성부품은 상기에서 언급한 당면 기술과제를 피할 수 있다. 이 구조에서, 상부 마이크로웨이브 주파수는 상기 일체화된 수동 공동내에서의 광학손실에 의하여 상당히 감소되어 30 GHz로 제한된다.
상기한 종래기술에서 언급된 광학 마이크로웨이브 발생장치의 해결책들은 이들의 주파수와 관련하여 제한적이거나 또는 기술적으로 매우 복잡하다.
본 발명은 개별적 및 전기적으로 제어가능한 다구역 반도체레이저로 이루어진 광학 마이크로웨이브 발생장치에 관한 것이다.
도 1은 3개의 구역을 가지는 반도체레이저의 제1 실시예를 개략적으로 도시하는 도면이며;
도 2는 도 1에 따른 마이크로웨이브 발생장치의 광학 스펙트럼을 도시하는 도면이며;
도 3은 도 1의 마이크로웨이브 발생장치의 동조범위를 도시하는 도면이며;
도 4는 도 1의 마이크로웨이브 발생장치의 동기작동을 도시하는 도면이며;
도 5는 도 1의 마이크로웨이브 발생장치의 동기화된 펄스트레인을 도시하는 도면이며;
도 6은 일체화된 변조기를 가지는 본 발명에 따른 마이크로웨이브 발생장치의 제2 실시예를 도시하는 도면이며;
도 7은 구역화된 DFB 레이저를 가지는 본 발명에 따른 마이크로웨이브 발생장치의 제 3 실시예를 도시하는 도면이며; 그리고
도 8은 두개의 일체형 외부 공동을 가지는 본 발명에 따른 마이크로웨이브 발생장치의 제 4 실시예를 도시하는 도면이다.
따라서, 본 발명의 목적은 0.5 Ghz에서 THz 범위의 주파수 내에서 광학 마이크로웨이브를 생성하기 위한, 단순하며 동조가 가능하고 모놀리식(monolithic)으로 일체화된 구성부품을 제공하는 것이다.
상기의 목적을 실현하기 위하여, 본 발명의 마이크로웨이브 발생장치는 다구역 반도체레이저로 구성되며, 상기 구역들은 개별적 및 전기적으로 제어가 가능하며, 레이저 임계치 이상에서 구동되는 단일모드 레이저 및 수동위상 제어구역 및 능동구역으로 이루어지는 적어도 하나의 모놀리식 일체형 외부 공동을 가지고, 상기 다구역 레이저는 두개의 작은 면(facets)으로 제한되며, 두면중 적어도 하나의 반사율은 0보다 크며, 상기 수동 및 능동구역들은 공통 도파관에 의하여 DFB 구역들에 연결되며, 상기 능동구역에는 상기 다구역 반도체레이저에서 반사된 파장을 증폭하는 수단이 제공되며, 상기 수동구역에는 상기 다구역 반도체레이저에서 반사된 파장의 위상을 변화시키는 수단이 제공되어 있다.
본 발명에 따른 마이크로웨이브 발생장치로부터 얻어질 수 있는 피드백 파워의 레벨은 수동 외부 공동으로부터 완전히 얻어질 수 없다. 광학 증폭기를 외부 모놀리식 일체형 공동내에 적용함으로써, 피드백 광의 허용가능한 위상 회전뿐만 아니라 얻어지는 마이크로웨이브 주파수를 증가시키는 것이 가능하다. 동시에, 정밀한 기하학적 구조의 부품으로 이루어지는 본 발명에 따른 장치에 의하면, 매개변수를 제어함으로써 동작중에 주파수를 제어하는 것이 가능하다. 이와 관련하여, 상기 분포귀환형 레이저(이하, "DFB 레이저" 라고 함)'에 대하여 수동 및 능동구역이 배열된 시퀀스는 중요하지 않다.
레이저광의 DEB구역 내로의 피드백은 전체 공진기내의 두개의 세로방향 모드의 시작을 초래한다. 이 두 모드 사이의 비트는 고주파 광학 마이크로웨이브 신호를 발생시키고, 일체형 공동의 길이는 소정의 마이크로웨이브 주파수 범위에 따라 선택된다. 이러한 설계치들은 구성부품의 제조시에 세팅된다. 최대 가능 마이크로웨이브 주파수는 frf< 1/τ0 을 적용하고, τ0 는 상기 모놀리식 일체형 외부 공동내에서의 왕복시간을 나타낸다.
마이크로웨이브 주파수 동조의 매개변수 결정요인은 DFB 레이저로의 광학 피드백 파워이다. 상기 광학 피드백의 파워는 마지막 작은 면의 반사율, 일체형 (외부) 공동내의 광학손실, 그리고 상기 일체형 (외부) 공동내에 배치된 본 발명의 광학적 능동구역의 광학증폭에 의하여 정의된다. 주어진 부품내에서, 일체화된 (외부) 공동내에서의 광학손실 뿐만 아니라 상기 최종 작은 면의 반사율은 변화되지 않거나 미미하다. 따라서, 이들은 마이크로웨이브의 제어된 동조에 적합하지 않다.
이에 비하여, 본 발명에 따른 마이크로웨이브 발생장치에서는, 외부 공동에 일체화된 광학 능동구역의 제어된 광학증폭에 의하여 마이크로웨이브 주파수의 동조가 가능하다. 상기 마이크로웨이브 주파수의 반사파의 강도는 상기 능동구역의 전류에 의하여 증폭을 제어함으로써 동조된다. 이 구역의 증폭은 모놀리식 일체형 외부 공동을 통과할 때, 광학파에 의하여 발생하는 손실(구역경계에서의 손실, 수동구역에서의 흡수, 최종 작은 면의 반사율)을 보상하기에 충분하다.
능동구역에서 증폭의 변화가 반사파의 광학위상의 변화를 초래하므로, 별도의 제어변수가 요구된다. 위상구역으로 주입되는 전류인 이 제어변수는 굴절율 및 반사된 광학파의 위상을 변화시킨다. 따라서, 상기 위상구역으로 주입된 전류는 능동구역의 가변증폭에서 반사 광학파의 위상위치를 보상하는 역할을 한다. 이는 마이크로웨이브 주파수가 동조되는 반사파의 위상위치를 보상하는 것이 가능하기 때문이다.
본 발명의 일 실시예에 따르면, 비반사성 최종 DFB 면을 가지는 하나의 외부 공동이 다구역 반도체레이저에 모놀리식으로 일체화되거나 또는 두개의 외부 공동이 다구역 반도체레이저에 모놀리식으로 일체화되며, 두면들의 반사율은 0보다 크다. 반사율은 면들을 코팅함으로써 증가된다.
다른 실시예에 따르면, 상기 모놀리식 일체화된 공동의 길이는 마이크로웨이브 주파수 범위의 상위 차단값에 의하여 정의된다.
함수최적화의 자유도를 희생함으로써, 두개의 구역 즉, 공통의 도파관에 의하여 서로 광학적으로 결합된 DFB 레이저 및 능동구역 만으로 이루어지는 마이크로웨이브 발생장치를 단순화하는 것이 가능하다.
본 발명의 다구역 반도체레이저의 다른 실시예에 따르면, 온도 안정화 수단이 마이크로웨이브 발생장치의 주파수 범위내에서 안정된 작동을 보장한다.
광학 마이크로웨이브 발생장치의 다음의 실시예들은 데이터 또는 펄스발생장치로서의 이들의 적용과 관련된다.
두 실시예에서, 다구역 반도체레이저에는 일체화된 변조기 구역이 제공되거나 또는 그 출력단에 외부 변조기가 부가적으로 제공된다. 전자의 경우, 변조기의 흡수력이 고주파전압에 의하여 변조되어 마이크로웨이브 펄스상에 데이터 신호를 중첩시킨다. 후자의 경우, 변조기가 예를 들어, 개방 광학 또는 파이버 연결에 의하여 펄스발생장치에 연결될 수 있다. 이러한 실시예에 의하여, 마이크로웨이브 발생장치와 변조기는 개선된 기능을 위하여 개별적으로 최적화될 수 있다. 특정 펄스형상, 예를 들어, 마이크로웨이브 펄스를 짧게 하기 위하여, 하부측 또는 일체화된 변조기에는 이 변조기를 전기적으로 작동시키거나 또는 전하운반자의 유효수명을 단축시키는 수단이 조사수단에 의한 격자결함 삽입에 의하여 부가적으로 제공될 수 있다. 펄스는 다구역 반도체레이저 하부의 적절한 수단에 의하여 그 형상이 결정될 수 있다. 예를 들어, 증폭기 및 파이버 또는 비선형 광학특성 파이버가 본 발명에 따라서 마이크로웨이브 발생장치의 출력단에 연결될 수 있다. 광학 도파관내에서 비선형성을 이용함으로써 펄스존속시간을 일시적으로 짧게 할 수 있다.
본 발명에 따른 다음의 실시예들은 DFB 구역과 관련된 것이다. DFB 레이저는 일체화된 위상점프를 가지는 격자가 제공된 인덱스-결합 또는 이득(gain)-결합 레이저이다. DFB 구역내에서 발생하는 다른 모드들이 본 발명의 장치에 의하여 억제될 수 있기 때문에 소정의 주파수 범위를 가지는 마이크로웨이브의 수율이 증가될 수 있다.
비균질 격자의 효과는 DFB 구역내에서 세로방향 격자 주기를 변화시킴으로써 또는 DFB 구역내에서 연장하는 도파관 구역의 가로방향 폭을 변화시킴으로써 본 발명의 장치내에서 이루어질 수 있다.
또 다른 실시예에 따르면, DFB 레이저에 에너지를 공급하는 수단을 구성하기위한 구역을 제공한다. 구역 전류 접촉 및 DFB 부구역의 가변 작동전류는 DFB 레이저의 특정모드 제어를 가능하게 한다.
본 발명의 또 다른 실시예에 따르면, 수동 위상구역내에서의 굴절율은 수동 또는 능동구역내에 가로로 배열된 도파관을 가열하는 수단에 의하여 변화될 수 있다. 여기서, 피드백 레이저광의 위상관계는 열에 의하여 영향을 받을 수 있다. 열동조는 외부 공동의 능동구역뿐만 아니라 광학 수동구역내에서 일어날 수 있다.
또 다른 실시예에 따르면, 마이크로웨이브 발생장치에는 특히 변조전류 발생장치를 동기하는 수단이 제공된다. 이는 마이크로웨이브의 펄스주파수에 의하여 전류를 변조하여 얻어지는 전류변조에 의하여 동기되는 것을 허용한다. 상기 변조는 DFB 구역 또는 능동구역에서 이루어진다.
본 발명의 또 다른 실시예에 따르면, 마이크로웨이브 발생장치에는 별도의 반사기가 제공된다. 이 반사기는 각 구역사이의 도파관을 에칭하여 이루어질 수 있으며, 다수의 공동이 부품에 형성될 수 있으며, 이들은 부품들에 유연성을 제공한다.
광을 효과적으로 하류측 부품들로 전달하기 위하여, 마이크로웨이브 발생장치에는 일체형의 테이퍼(tapered) 전이부가 제공된다. 이 테이퍼를 특별히 형성함으로써 렌즈가 제공된 파이버가 필요하지 않게 된다. 이 경우, 파이버 파장길이에 대하여 비반사성인 스프릿(split) 파이버가 이용될 수 있다.
이하 도면을 참조하여 본 발명의 실시예를 보다 상세히 설명한다.
본 발명에 따른 마이크로웨이브 발생장치의 제1 실시예가 도 1에 개략적으로 도시되어 있다. 이것은 반도체레이저로서 외부 공동이 모놀리식으로 일체화되어있으며 세개의 구역으로 이루어져 있다. 구역들(1, 2, 3)은 공통의 도파관(WL)에 의하여 연결되어 있다. 구역(1)은 전류(I1)에 의하여 구동되는 DFB 레이저이며, 구역 (2)는 전류(I2)에 의하여 구동되는 수동구역이며, 그리고 구역(3)은 전류(I3)에 의하여 구동되는 능동구역이다. DFB면에는 반사방지막(AR)이 코팅될 수 있으며, 최종면의 반사율은 0 보다 크다. 본 실시예에서, 구역(1)의 길이는 200 ㎛이고, 구역(2)의 길이는 550 ㎛이고, 그리고 구역(3)의 길이는 250 ㎛이다. 따라서, 상기 외부공동의 길이는 650 ㎛가 되는데, 이늘 약 58 GHz의 상부 마이크로웨이브 주파수를 생성한다. DFB 레이저 구역의 브래그(bragg) 파장은 1538 nm이며, 결합계수(k)는 130 ㎝-1이다. DFB 레이저 구역(1)의 일단면에는 반사방지막이 코팅되어 있으며, 능동구역(3)의 일단면은 R∼0.3의 반사율을 가지는 스프릿면이다. 37.6 GHz의 주파수를 맞추기 위하여, 세개의 구역의 반도체레이저는 I1=90 mA, I2=0.5 mA 그리고 I3=95 mA 로 구동된다.
도 2는 도 1의 마이크로웨이브 발생장치의 광학 스펙트럼(파장의 함수로서의 광파워)을 도시하고 있다. 전류(I1, I2및 I3)는 앞서 설명한 방식으로 맞춰진다. 부모드 억제비(SMSR; side mode suppression ration)은 40 dB보다 크다. 주모드 사이의 간격은 37.6 GHz의 마이크로웨이브 주파수에 대응한다.
도 1의 본 발명에 따른 세 구역 광학 마이크로웨이브 발생장치의 동조범위(구역(3)을 구동하는 전류(I3)의 함수로서의 마이크로웨이브 주파수)가 도 3에 도시되어 있다. 이 예에서, DFB 레이저 구역(1)은 일정한 전류 I1=100 mA에 의하여 구동된다. 외부 공동의 반사파의 광학위상을 일정하게 유지하기 위하여, 능동구역(3)의 전류(I3)는 다시 조절될 수 있다.
도 4는 도 1의 본 발명에 따른 마이크로웨이브 발생장치의 주파수에 대한 상대적 파워의 의존성을 도시하고 있다. 두개의 측정곡선은 각각 전기 스펙트럼 분석기에 의한 측정에 근거한 37.62 GHz의 주파수를 가지는 비동기화 마이크로웨이브와 장방형으로 표시된 측정곡선으로서 완전히 동기화된 마이크로웨이브를 나타내고 있다. 이를 위하여, 0 dBm의 광학데이타 신호가 37.6 GHz의 주파수로 동기화된 본 발명에 따른 마이크로웨이브 발생장치에 결합된다.
마이크로웨이브 발생장치를 동기하기 위하여, 바람직한 시각펄스(clock pulse)의 균열인 예를 들어, 9.4 GHz의 저조파(subharmonic) 주파수(f/n)의 펄스트레인이 도 5에 도시하는 바와 같이, 상부 펄스트레인으로 마이크로웨이브 발생장치내로 주입될 수 있다. 도면에서의 하부 펄스트레인은 37.6 GHz의 주파수의 동기화된 마이크로웨이브 발생장치를 나타내고 있다. 약 6 dB의 소광량은 측정시스템의 대역에 의하여 제한된다.
본 발명의 마이크로웨이브 발생장치가 데이터 또는 펄스 발생장치로서 이용될 수 있는데, 이 경우 일체화된 변조기를 가진다. 도 1을 참조하여 앞서 설명된 구역(1, 2 및 3)을 가지는 세 구역 반도체레이저와, 부속전류 I1, I2및 I3그리고흡수력이 고주파 전압 Um에 의하여 변조되는 일체화된 변조기 구역(M)으로 이루어지는 실시예가 도 6에 도시되어 있다. 변조 효과는 데이터 신호를 마이크로웨이브 펄스에 중첩시키는 것이다.
도 7에서, 도 1에 도시되고 있는 마이크로웨이브 발생장치의 DFB구역(1)내의 전류접촉이 분리된다. 이는 DFB 레이저(1)의 모드제어를 위하여 다른 작동전류(I1,1…l1,4)를 가지는 특정 방식으로 구역(1)의 부구역을 에너지화 하는 것을 가능하게 한다.
도 8은 두개의 일체화된 공동이 제공된 경우의 본 발명에 따른 마이크로웨이브 발생장치의 실시예를 도시하고 있다. DFB 레이저(1)의 양측에는 수동구역(2.1 또는 2.2)과 능동구역(3.1 또는 3.2)이 각각 제공되는 일체형 공동이 배열되어 있다. 이 공동들은 서로 다른 길이를 가지고 또한 서로 다른 구조로 이루어질 수 있다. 상기 수동 및 능동구역들은 소정의 시퀀스내에 배열될 수 있다.
본 발명에 따른 장치는 하이브리드 마이크로웨이브 발생장치와 비교되는 일체형 마이크로웨이브 발생장치를 구성하며 보다 안정된 방식으로 구동한다. 동조화되지 않은 격자를 가지는 부품들 예를 들어, DFB/수동구역/DFB 또는 DFB/DFB와 비교하여 단순화된 기술에 의하여 제조될 수 있다. 열효과가 수개의 격자들 사이의 상관관계를 변화시키지 않으므로, 마이크로웨이브 발생장치는 부품의 단순제어를 가능하게 한다. 본 발명에 따른 장치내에서 비반사성이 필수적으로 요구되지는않는다. 모드결합 레이저와 비교하여, 본 발명의 마이크로웨이브 발생장치의 주파수는 상기 능동 및 수동구역들의 전류에 의하여 동조될 수 있다. 이상에서 설명된 모드결합은 낮은 주파수 잡음만을 생성한다. 본 발명에 따른 마이크로웨이브 발생장치는 큰 변조 증가를 가능하게 한다.

Claims (20)

  1. 레이저 임계치 이상에서 구동되는 단일모드 DFB 레이저(1) 및 수동위상 제어구역(2) 및 능동구역(3)으로 이루어지는 적어도 하나의 모놀리식 일체형 외부 공동을 가지고, 개별적 전기적으로 제어가 가능한 다구역 반도체레이저로 이루어진 광학 마이크로웨이브 발생장치로서,
    상기 다구역 레이저는 두개의 작은 면으로 제한되며, 두면중 적어도 하나의 반사율은 0 보다 크며;
    상기 수동(2) 및 능동구역들(3)은 공통 도파관에 의하여 DFB구역(1)에 연결되며;
    상기 능동구역(3)에는 상기 다구역 반도체레이저에서 역방향으로 전파되는 파장을 증폭하는 수단이 제공되며; 그리고
    상기 수동구역(2)에는 상기 다구역 반도체레이저에서 역방향으로 전파되는 파장의 위상을 변화시키는 수단이 제공되어 있는 마이크로웨이브 발생장치.
  2. 제1항에 있어서, 외부 공동이 상기 다구역 반도체레이저에 모놀리식으로 일체화되어 있으며, 상기 DFB면은 비반사성인 마이크로웨이브 발생장치.
  3. 제1항에 있어서, 두개의 외부 공동이 상기 다구역 반도체레이저에 모놀리식으로 일체화되어 있으며, 두면의 반사율은 0 보다 큰 마이크로웨이브 발생장치.
  4. 제1항에 있어서, 상기 면(들)을 코팅함으로써 상기 반사율을 0 보다 크게 하는 마이크로웨이브 발생장치.
  5. 제1항에 있어서, 상기 모놀리식으로 일체화된 공동의 길이는 마이크로웨이브 주파수 범위의 상한값에 의하여 결정되는 마이크로웨이브 발생장치.
  6. 제1항에 있어서, 열안정 방식으로 상기 다구역 반도체레이저를 작동하기 위한 수단이 제공되어 있는 마이크로웨이브 발생장치.
  7. 제1항에 있어서, 상기 다구역 반도체레이저에는 일체화된 변조구역(M)이 부가적으로 제공되어 있는 마이크로웨이브 발생장치.
  8. 제1항에 있어서, 외부 변조기가 상기 다구역 반도체레이저의 출력단에 연결되어 있는 마이크로웨이브 발생장치.
  9. 제7항 또는 제8항에 있어서, 상기 변조기(M)에 펄스를 짧게 하는 수단이 제공되어 있는 마이크로웨이브 발생장치.
  10. 제1항에 있어서, 펄스형상수단이 상기 다구역 반도체레이저의 출력단에 연결되어 있는 마이크로웨이브 발생장치.
  11. 제1항에 있어서, 상기 DFB 레이저(1)는 인덱스-결합 레이저인 마이크로웨이브 발생장치.
  12. 제1항에 있어서, 상기 DFB 레이저(1)는 이득-결합 레이저인 마이크로웨이브 발생장치.
  13. 제1항 또는 제12항에 있어서, 상기 DFB레이저(1)에는 일체화된 위상점프를 가지는 격자가 제공되어 있는 마이크로웨이브 발생장치.
  14. 제1항에 있어서, DFB구역(1)내의 세로방향 격자 주기가 변화되는 마이크로웨이브 발생장치.
  15. 제1항에 있어서, 상기 DFB구역내로 연장하는 도파관 구역의 가로방향 폭이 가변되는 마이크로웨이브 발생장치.
  16. 제1항에 있어서, DFB 레이저에 에너지를 공급하는 수단이 구역되어 있는 마이크로웨이브 발생장치.
  17. 제1항에 있어서, 상기 도파관을 가열하는 수단이 수동 또는 능동구역내에 이웃하여 배열되는 마이크로웨이브 발생장치.
  18. 제1항에 있어서, 상기 마이크로웨이브 발생장치에 특히 변조전류 발생장치를 동기화 하는 수단이 제공되는 마이크로웨이브 발생장치.
  19. 제1항에 있어서, 상기 마이크로웨이브 발생장치에 별도의 반사기가 제공되는 마이크로웨이브 발생장치.
  20. 제1항에 있어서, 상기 마이크로웨이브 발생장치에 광을 부품의 출력단에 효과적으로 전달하기 위한 테이퍼 전이부가 제공되는 마이크로웨이브 발생장치.
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