KR20040069292A - 효과적인 모세관 언더필링 방법 - Google Patents

Abstract

솔더 전기 상호접속부들에 의해 기판에 결합된 다이와 같은 콤포넌트 캐리어와 콤포넌트 사이의 간극을 봉입재로 언더필링하기 위한 방법에 관한 것이다. 하나 또는 그 이상의 통로들이 콤포넌트 캐리어에 관한 콤포넌트의 의도된 위치 아래의 위치에서 콤포넌트 캐리어 내에 제공된다. 콤포넌트는 가열되고, 봉입재의 체적(volume)이 각 통로내로 도입된다. 도입 이후, 봉입재는 콤포넌트와 콤포넌트 캐리어 사이의 갭을 충전하기 위해 유동 또는 이동한다. 필렛(fillet)은 언더필링 동작 동안 콤포넌트 온도를 조절함으로써 선택적으로 형성될 수 있다.

Description

효과적인 모세관 언더필링 방법{Method for efficient capillary underfill}

발명의 분야

본 발명은 일반적으로 반도체 패키징에 관한 것이며, 특히, 콤포넌트와 콤포넌트 캐리어 사이의 갭들의 언더필링(underfilling)에 관한 것이다.

발명의 배경

마이크로일렉트로닉스 산업에서, 다이와 같은 콤포넌트는 패키지를 형성하기 위해 일반적으로, 기판, 인쇄 회로 보드 또는 리드 프레임과 같은 콤포넌트 캐리어 상에 장착된다. 칩 스케일 패키지들(CSP), 웨이퍼 레벨 패키지들(WLP), 직접 칩 부착 패키지들(DCA), 볼 그리드 어레이 패키지들(BGA), 플립 칩 패키지들 및 쓰루-홀 패키징에서, 접합 패드들이라 알려진, 콤포넌트상의 전기-도전성 접점들은 솔더 볼들 또는 범프(bump)들이라 알려진, 콤포넌트 캐리어 상의 대응 전기-도전성 접점들과 전기적으로 결합된다. 통상적으로, 콤포넌트는 솔더 범프들을 접합 패드들과 정합하도록 콤포넌트 캐리어에 대해 위치되며, 콤포넌트와 콤포넌트 캐리어 사이의 솔더 조인트들 형태로 전기 접속들을 생성하도록 리플로우 프로세스가 적용된다. 플립 칩 장착 및 칩 스케일 패키지들은 콤포넌트와 콤포넌트 캐리어 사이에 공간 또는 갭을 포함한다. 볼-패드 전기 접점들에 의해 인쇄 회로 보드에 콤포넌트 캐리어를 장착하는 것 같은 다른 장착 배열들도 공간 또는 갭을 포함할 수 있다.

콤포넌트 및 콤포넌트 캐리어는 일반적으로 일치되지 않은 열팽창 계수들을 가지는 서로 다른 재료들로 형성된다. 가열되었을 때, 콤포넌트와 콤포넌트 캐리어는 콤포넌트와 콤포넌트 캐리어 사이의 전기 접속들에 현저한 열-유도 변형들을 생성하는 현저히 다른 치수 변화들을 겪는다. 열팽창의 불균형은 콤포넌트의 성능의 열화, 솔더 조인트들에 대한 손상 또는 패키지 고장을 초래할 수 있다. 콤포넌트의 크기가 증가할 때, 콤포넌트와 콤포넌트 캐리어 사이의 열 팽창의 불일치의 영향은 보다 두드러지게 된다.

콤포넌트-콤포넌트 캐리어 조립체들의 전기 접속들의 신뢰성을 향상시키기 위해서, 마이크로일렉트로닉스 산업에서 콤포넌트와 콤포넌트 캐리어 사이의 갭을 봉입재(encapsulant material)로 충전하는 것이 일반적이다. 언더필링 또는 봉입은 전기 접속들을 분위기 환경에 대한 노출로부터 격리시키고, 동적 및 정적 기계적 부하들에 저항하기 위하여 조립체에 기계적 강도를 부여한다. 또한, 봉입재는 열적 사이클링 동안, 또는, 콤포넌트와 콤포넌트 캐리어가 현저한 온도차를 가질 때, 전기 접속들에 의해 겪어지는 응력을 감소시킴으로써 패키지의 피로 수명을 증가시키고, 전기 접점의 신뢰성을 향상시킨다. 봉입재는 콤포넌트로부터 열을 제거하고, 콤포넌트와 콤포넌트 캐리어 사이의 소정의 온도차를 감소시키도록 동작하는 열 도전로를 추가로 제공한다. 결과적으로, 봉입재로 언더필링하는 것은 조립된 패키지의 동작 수명을 현저히 증가시킨다.

콤포넌트와 콤포넌트 캐리어 사이의 갭내로 봉입재를 도입하기 위해 다양한 종래의 언더필링 방법들이 사용된다. 한가지 종래의 방법은 측부 에지로부터 갭내로의 강한 젖음 특성들을 가지는 가열된, 저-점성 봉입재의 이동을 유도하기 위해 표면-장력 젖음 또는 모세관 작용에 의존한다. 이 방법에 따라서, 봉입재는 각각 콤포넌트의 하나, 둘 또는 세 연속적 측부 에지들에 인접하게 세장형 단선, L-형상 또는 U-형상 비드(bead)로서 분배된다. 통상적으로, 봉입재가 콤포넌트 캐리어 상으로 분배되기 전에, 약 40EC와 약 90EC 사이의 균일한, 정상-상태 온도로 콤포넌트의 부근의 콤포넌트 캐리어를 미리 가열함으로써, 봉입재의 점성이 감소되고, 유량이 증가된다. 또한, 유량은 예로서, 봉입재를 갭내로 흡입하기 위해 봉입재의 비드를 가로질러 생성된 압력차의 인가에 의해 유량이 보조될 수도 있다. 충분한 체적의 봉입재를 제공하기 위해 비드의 다중 분배들 또는 패스들(passes)이 요구될 수 있다. 선택적으로, 언더필링 동작이 필렛(fillet)을 제공하는 것으로 결론지어진 이후에, 필렛형 패스가 선택적으로 제공될 수 있다. 언더필 재료는 전기 접속들이 완전히 봉입된 이후에, 순차적으로 경화된다.

종래의 자동화된 언더필링 기술들은 몇 가지 단점들 및 결함들로 고통받는다. 한가지 중요한 단점은 필렛이 형성되는 콤포넌트 에지들로부터 외향하여 콤포넌트 캐리어를 적시는 봉입재로부터 초래하는 침지(wet out) 영역의 존재이다. 콤포넌트가 언더필링된 이후, 종종 잔류물이 이 적셔진 영역 뒤에 남겨진다. 이 잔류물은 미학적인 이유들 때문에 바람직하지 못하거나 수동(passive) 장치들 또는 관찰 기준들과 같이 다른 연관 회로 콤포넌트들을 지지하는 콤포넌트 캐리어 상의 "킵-아웃(keep-out)"을 침범할 수 있다. 댐들 또는 유동 제어 배리어들이 침지 영역의 범위를 제어하기 위해 콤포넌트의 외주 주위에 배치될 수 있다. 그러나, 이는언더필링 동작의 처리량을 감소시킬 수 있다.

종래의 언더필링 기술들의 다른 중요한 단점은 잔류물 또는 과도하게 큰 필렛 폭을 제공할 수 있는 콤포넌트 캐리어 상으로의 잉여 봉입재의 분배를 한정하기 위해, 그리고, 완전한 언더필 및 소정의 필요한 필렛을 제공하기 위해, 주어진 공차내에서 분배량이 정밀하게 계량되어야만 한다는 것이다. 일반적으로, 분배량은 최소 및 최대량들 사이에서 구속되어야만 하며, 이는 통계학적 프로세스 제어 하에서 산출 및 이행될 수 있다. 필렛은 소정의 잉여 봉입재를 수용하는 저장소로서 작용한다. 결과적으로, 언더필 분배기는 정확한 체적 분배가 가능하여야만 한다.

종래의 언더필링 기술들의 또 다른 중요한 단점은 갭내의 액체 봉입재의 이동의 불규칙성으로 인해 봉입재 내에 보이드들(voids)이 형성할 수 있다는 것이다. 이런 보이드들은 성능을 열화시키거나 패키지의 신뢰성에 부정적인 영향을 미치는 바람직하지 못한 열적 응력들 및 부식을 가능하게 할 수 있다.

종래의 언더필링 기술들의 또 다른 중요한 단점은 부품 위치에 대한 관찰 및 다수의 분배 프로세스 단계들에 대한 필요성이다. 자동화된 언더필 분배 시스템들은 봉입재의 분배 패턴의 정확한 정렬 및 프로그래밍을 돕기 위해 관찰 시스템을 포함한다. 이런 관찰 시스템들은 고가이며, 이미징에 대한 필요성은 언더필링 동작을 연장시킨다.

종래의 언더필링 기술들의 또 다른 현저한 단점은 콤포넌트, 특히, 콤포넌트의 측부 에지들에 관한 분배기 니들(needle)의 정밀한 3차원적 배치 정확도에 대한 필요성이다. 이 요구 조건은 매우 정확한 배치를 갖는 가동 스테이지를 필요로 한다.

종래의 언더필링 기술들의 또 다른 중요한 단점은 콤포넌트 및/또는 콤포넌트 캐리어와 분배기 니들 사이의 접촉으로부터 발생하는 산출품 이탈의 위험이다. 품질 좋은 언더필 동작들을 달성하기 위해서는 콤포넌트 캐리어 위에 분배기 니들의 배출 출구의 분배 높이를 정확하게 위치 설정하는 것이 중요하다. 분배 높이가 너무 높은 경우에, 분배된 봉입재의 일부가 의도된 비드 위치로부터 표류할 수 있다. 분배 높이가 너무 낮은 경우에, 분배기 니들이 콤포넌트 캐리어 또는 콤포넌트에 충돌할 수 있다. 분배기 니들은 너무 낮은 분배기 높이를 검출하기 위해 접촉 센서를 장비할 수 있다. 그러나, 접촉 센서들은 언더필 분배 시스템에 비용을 추가시킨다.

종래의 언더필링 기술들의 또 다른 중요한 단점은 높은 분배기 니들들을 고비용 총체적 규제하는 것에 대한 필요성이다. 분배기 니들들은 봉입재의 분배된 비드의 정확한 배치를 보증하는 것을 필요로 한다.

종래의 언더필링 기술들의 또 다른 중요한 단점은 측부-에지 비드들로부터 갭내로의 봉입재를 위한 유출 시간이 현저할 수 있다는 것이다. 봉입재는 하나 또는 그 이상의 측부 에지들로부터 갭의 폭 또는 대각선을 가로질러 유동하여야만 한다. 언더필링 동작의 처리량은 큰 유출 시간들에 의해 감소될 수 있다. 부가적으로, 봉입재의 갭내로의 유동은 비등방성 도는 비균일할 수 있으며, 이는 보이드들을 생성할 수 있다. 또한, L-형 및 U-형 비드들의 다양한 서로 다른 파면들의 수렴으로부터 정체선들이 초래할 수 있다.

종래의 언더필링 기술들의 또 다른 현저한 단점은 일반적으로 콤포넌트 캐리어를 통해 갭내로 이동하는 봉입재에 열이 전달된다는 것이다. 콤포넌트 캐리어가 열악한 열 도전체이기 때문에, 가열은 비효율적이며, 비교적 높은 와트수의 가열기를 필요로 한다.

따라서, 언더필링 프로세스의 처리량을 증가시키고, 연관된 장비 비용을 감소시키는, 다이와 같은 콤포넌트와, 기판과 같은 콤포넌트 캐리어 사이에 형성된 갭을 언더필링하는 방식을 제공하는 것이 적합하다.

본 발명은 현재까지 공지된 언더필 방법들의 상기 및 다른 단점들과 결점들을 극복한다. 본 발명이 특정 실시예들과 연계하여 설명될 것이지만, 본 발명이 이들 실시예들에 제한되지 않는다는 것을 이해할 것이다. 반대로, 본 발명은 본 발명의 개념 및 범주 내에 포함될 수 있는 바와 같은 모든 대안들, 변형들 및 등가들을 포함한다.

일반적으로, 본 발명은 사이에 형성된 복수의 전기 접속들을 봉입하기 위해 다이일 수 있는 콤포넌트와, 기판과 같은 콤포넌트 캐리어 사이의 갭을 언더필링하기 위한 방법에 관한 것이다. 본 발명의 원리는 장착된 조립체내에 갭 또는 공간 이 존재하는 콤포넌트 캐리어에 장착된 소정의 콤포넌트에 적용할 수 있다. 예로서, 본 발명의 원리는 콤포넌트와 그 콤포넌트 캐리어 사이에 갭을 포함하는 소정의 표면-장착 또는 관통구멍-장착된 조립체에 적용할 수 있다.

본 발명의 원리에 따라서, 콤포넌트와 콤포넌트 캐리어 사이의 갭을 언더필링하기 위한 방법이 제공된다. 이 방법은 콤포넌트 아래의 위치에 있는 콤포넌트 캐리어 또는 콤포넌트 그 자체 중 어느 하나를 관통하는 하나 또는 그 이상의 통로들을 형성하고, 적어도 콤포넌트를 분배 온도로 가열하고, 콤포넌트와 콤포넌트 캐리어 사이에서 연장하는 복수의 전기 접속들을 봉입하기 위해 봉입재를 각 통로내로 도입하고, 봉입재를 갭내로 이동시키는 것을 포함한다.

상술한 요약 및 하기의 상세한 설명으로부터, 본 발명이 다이와 같은 콤포넌트와 기판과 같은 콤포넌트 캐리어 사이의 갭을 언더필링하기 위한 독창적이고 효과적인 방법을 제공한다는 것을 이해할 것이다. 본 발명은 콤포넌트에 인접하게 콤포넌트 캐리어 상에 위치된 수동 장치들이 봉입재로 오염되기 쉽지 않도록 종래의 언더필링 기술들과 연관된 침지 영역을 제거 또는 적어도 감소시킨다.

또한, 본 발명은 필렛의 맞춤식 크기 설정을 제공하며, 연속적인 언더필링 동작들 사이에서 필렛의 균일성을 제공한다. 필렛의 발생 또는 비발생은 콤포넌트 온도를 규제함으로써 제어할 수 있다. 온도가 필렛을 제공하도록 의도적으로 선택되지 않는 한, 콤포넌트의 외주 에지에서의 표면 장력이 봉입재의 외향 유동을 정지시킨다.

본 발명은 카메라와 복잡한 조명 구조를 가지는 자동화된 관찰 시스템에 대한 필요성을 제거하고, 이는 분배 헤드에 관한 통로의 정확한 정렬을 위해 이미징이 불필요하기 때문에 언더필링 동작의 처리량을 증가시키고, 또한, 장비 비용을 감소시킨다. 또한, 본 발명은 분배기 헤드, 콤포넌트 및 콤포넌트 캐리어의 3차원적(X, Y 및 Z) 위치 설정에 대한 요구 조건들을 완화시키고, 봉입재의 정확한 체적분배에 대한 필요성을 제거 또는 완화시킨다. 또한, 봉입재가 비드로서 분배될 필요가 없으며 대신 단순히 콤포넌트 캐리어나 콤포넌트 중 어느 한쪽의 하나 또는 그 이상의 통로들로 도입되기 때문에, 고가의 처리량-규제 노즐에 대한 필요성이 제거된다.

분배 니들(dispensing needle)이 콤포넌트가 그 위에 위치되어 있는 콤포넌트 캐리어 측면에 대향한 콤포넌트 캐리어 측면 상에 위치되기 때문에, 니들-콤포넌트 충돌로부터 초래하는 산출품 이탈의 위험이 감소된다. 봉입재가 갭을 충전하기 위한 통로들 중 그 통로로부터 유동하여야만 하는 거리가 감소되기 때문에, 통로콤포넌트 외주 에지로부터 갭내로 언더필 재료를 이동시키는 것에 의존한 통상적인 모세관 작용에 비해 통로 또는 통로들로부터의 유출 시간이 감소된다.

본 발명은 또한 정체선들(stagnation lines)의 발생율을 제거 또는 감소시킨다. 중앙 배치 통로 또는 대칭적인 통로들의 세트로부터의 언더필링은 봉입재의 등방성 방사상 유동을 초래한다. 또한, 일반적으로 비교적 낮은 열 도전성을 가지는 콤포넌트 캐리어를 통하지 않고 콤포넌트를 통해 열이 전달될 수 있기 때문에, 패키지 조립체의 가열은 보다 효율적이다.

본 발명은 콤포넌트 캐리어 상에 장착된 콤포넌트 사이의 갭내에 언더필 봉입재의 존재를 필요로 하는 전자 콤포넌트들의 내구성 및 신뢰성을 향상시킨다. 또한, 본 발명은 콤포넌트와 콤포넌트 캐리어 사이의 갭내에 봉입재를 효과적으로 또는 신뢰성 있게 언더필링 하는데 필요한 시간을 현저히 감소시킨다. 본 발명은 언더필링 프로세스의 전체 처리량을 개선시키고, 동시에, 가요성에 대한 필요성을 수용하며, 또한, 다수의 서로 다른 칩 크기들, 감소된 갭 치수들 및 산업에 사용되는 봉입재의 다양한 유형들을 수용한다.

본 발명의 상기 및 다른 목적들 및 장점들은 첨부 도면들 및 그 설명으로부터 명백해질 것이다.

도 1a는 본 발명의 일 실시예에 따른 가상으로 도시된 다이와 유체 통로를 가지는 기판으로 구성되는 패키지의 사시도.

도 1b는 본 발명의 원리들에 따른 언더필링 동작을 따르는 도 1a의 패키지의 단면도.

도 1c는 도 1a의 패키지의 상면도.

도 2a 내지 도 2c는 본 발명의 대안 실시예에 따른 도 1a 내지 도 1c와 유사한 도면.

도 3a 내지 도 3c는 본 발명의 대안 실시예에 따른 도 1a 내지 도 1c와 유사한 도면.

도 4a 내지 도 4c는 본 발명의 대안 실시예에 따른 도 1a 내지 도 1c와 유사한 도면.

도 5a 내지 도 5c는 본 발명의 대안 실시예에 따른 도 1a 내지 도 1c와 유사한 도면.

도 6a 내지 도 6c는 본 발명의 대안 실시예에 따른 도 1a 내지 도 1c와 유사한 도면.

도 7 내지 도 15는 본 발명의 원리들에 따라 언더필링된 패키지들의 정면도.

도 16 내지 도 24는 도 7 내지 도 15의 언더필링된 패키지들의 배면도.

본 명세서의 일부에 통합되어 그를 구성하는 첨부 도면들은 본 발명의 실시예들을 예시하며, 상술한 본 발명의 일반적 설명과 함께, 하기에 주어진 실시예들의 상세한 설명은 본 발명의 원리들을 설명하도록 기능한다.

도 1a 내지 도 1c를 참조하면, 패키지 조립체(10)는 기판(14)과 같은 콤포넌트 캐리어 상에 장착된 다이(12)와 같은 콤포넌트로 구성된다. 본 기술 분야의 숙련자들이 인지할 수 있는 바와 같이, 기판(14)은 인쇄 회로 보드, 플립 칩 멀티-칩 모듈 또는 플립 칩 캐리어와 같은 유기 또는 세라믹 기판 재료를 포함할 수 있으며, 다이(12)는 직사각형 형상에 한정되지 않는 소정의 적절한 형상을 가질 수 있다. 기판(14)은 평면형 상면(18)과 평면형 하면(20) 사이의 기판(14) 두께를 관통하는 통로(16)를 포함한다. 통로(16)는 다이(12)의 기하학적 중심에 또는 그 부근에 위치되어 있다. 통로(16)는 후술된 이유 때문에, 기판(14)에 제공된다.

다이(12)는 기판(14)의 상면(18)상의 솔더 패드들(24)의 대응 그룹과 정합 또는 정렬된 다이(12)의 하부 또는 범프 측부(23)상의 상호접속 범프들(22)의 그룹을 통해 기판(14)에 전기적 및 기계적으로 연결된다. 솔더 범프들(22) 및 솔더 패드들(24)은 솔더 조인트들의 형태로 그 사이에 기계적, 열적 및 전기적 상호접속을제공하도록 열적으로 결합된다. 액체 에폭시와 같은 봉입재(26)가 기판(14)의 상면(18)과 다이(12)의 범프측부(23) 사이에 형성된 갭(28)을 충전한다. 일반적으로, 갭(28)은 치수적으로 약 1mil 내지 약 23mil의 범위이다. 본 발명의 원리들에 따른 언더필링은 약 12mil로부터 약 23mil 범위의 갭들(28)을 충전시키는데 특히 유효하다.

도 1a 내지 도 1c를 참조하면, 패키지 조립체(10)는 반전되고, 다이(12)의 상부측부(29)가 지지부(32)와 열적 접촉하도록 배치된다. 지지부(32)는 다이(12)로의 열 에너지 전달에 적합한 분위기 온도 위의 분배 온도로 가열된다. 본 발명에서는 본 발명의 개념 및 범주로부터 벗어나지 않고, 다양한 서로 다른 접촉 또는 비접촉 가열 기술들 중 어느 하나가 사용될 수 있는 것을 고려한다. 분배 온도는 갭(28)내로의 봉입재(26)의 이동을 보조 및 촉진하도록 선택된다.

언더필 분배기(34)는 봉입재(26)의 체적을 통로(16)로 분배하기 위해 기판(14)에 대해 배치된다. 언더필 분배기(34)는 분배 펌프(도시되지 않음)로부터 봉입재(26)를 수용하고, 이 봉입재(26)를 분배기 니들(36)내의 배출 개구로부터 통로(16)로 분배한다. 지지부(32)로부터 발산하는 열 에너지는 전도에 의해 가열된 다이(12)로부터 전달되고 봉입재(26)가 통로(16)로부터 갭(28)내로 전진 또는 기타의 경우에 갭내로 이동하게 한다. 전달된 열은 그 온도-의존 점성을 감소시키고, 그에 의해, 전진하는 봉입재(26)의 전도 에지 또는 파면의 균일성을 증가시키도록 갭(28)내의 봉입재(26)의 온도를 상승시킨다. 봉입재(26)는 통로(16)로부터 방사상 외향으로 그리고, 갭(28)내로 유동 또는 이동한다. 다이(12)의 측부 에지에서 유체정역학적 표면 장력으로 인해 유출이 중단한 이후에, 봉입재(26)는 솔더 접합부들에 의해 제공된 전기적 상호접속들 모두를 완전히 봉입한다.

필렛(38)은 부가적으로 상세히 후술된 바와 같이, 다이(12)의 측부 에지들을 따라 형성된다. 필렛(38)은 다이(12)의 측부 에지들에서 외향 유동을 한정하는 표면 장력의 작용으로 인해 무시할 수 있는 폭을 갖는 것으로 도 1b에 도시되어 있다. 필렛(38)의 폭은 가상선으로 도시된 필렛(40)으로 표시된 바와 같이, 봉입재(26)가 다이(12)의 외주 에지에 점착되거나 또는 그것을 타고 올라가도록 다이(12)의 외주 에지 부근에서 적어도 국지적으로 다이(12)의 온도를 증가시킴으로써, 또는 전체 다이(12)의 온도를 증가시킴으로써, 증가될 수 있다. 물론, 봉입재(26)의 분배된 체적은 필렛(40)을 생성하기에 충분한 부가적인 체적을 포함하여야만 한다. 본 발명의 원리들에 따라서, 무시할 수 있는 폭의 제로 필렛(38)이 봉입재(26)의 외향 유동을 정지시키도록 다이(12)의 외주 에지에 작용하는 표면 장력으로 인해, 다이(12)의 온도를 제어함으로써 쉽게 제공된다. 제로 또는 무시할 수 있는 필렛(38)의 존재는 최소 필요 체적을 초과한 봉입재(26)의 소정의 잉여 체적이 통로(16)내로 분배되는 것에 무관하다.

언더필 분배기(34) 및 분배기 니들(36)은 액체 봉입 또는 언더필 재료를 분배하기 위해 본 기술 분야에 이미 공지된 소정의 형태를 취할 수 있다. 언더필 분배기 니들(36)에 봉입재(26)를 제공하기 위한 한가지 적합한 펌프는 Nordson Asymtek(Carlsbad, CA)로부터 상업적으로 입수할 수 있는 DP-3000 펌프이다. 언더필 분배기(34), 분배기 니들(36) 및 연관된 펌프는 Nordson Asymtek(Carlsbad, CA)로부터 상업적으로 입수할 수 있는 M-2020, X-1020, M-620 및 C-720 언더필 분배 시스템들과 같은 자동화된 언더필 분배 시스템의 콤포넌트들을 구성할 수 있다. 완화된 분배 요구 조건들 때문에, 분배된 봉입재(26)의 양 및 개구에 관한 언더필 분배기 니들(36)의 위치 설정의 정확도가 다수의 분배기 니들들(36), 분배 펌프 및 언더필 분배 시스템들의 다수의 서로 다른 유형들이 본 발명의 원리들에 따라 봉입재(26)를 분배하기 위해 사용될 수 있도록 완화되는 것으로 고려된다. 예로서, 매우 정확한 체적 분배가 가능한 총체적으로 규제되는 협폭 게이지 분배기 니들들(36) 및 분배기 펌프들이 언더필 분배 시스템으로부터 제거될 수 있다. 특히, 분배기 니들(36)의 게이지는 봉입재(26)의 균일한 비드들을 분배하여야만 하는 종래의 언더필 분배기에 비해, 봉입재(26)의 필수 체적을 통로(16)내로 분배하기 위해 소요되는 시간을 감소시키기 위해 현저히 증가될 수 있다.

통로(16)로부터 갭(28)내로의 봉입재(26)의 유출은 실질적으로 반경 방향으로 등방성이다. 결과적으로, 정체선들은 잘 발생하지 않으며, 이는 언더필링 동작의 결말 이후, 봉입재(26)의 균질성을 현저히 향상시킨다.

통로(16)는 기판(14)의 상부면(18)상의 금속화 트레이스들이 충격 받지 않도록 선택된 소정의 직경을 가질 수 있다. 통로(16)의 체적은 갭(28)내의 미충전 공간을 충전하고, 소정의 필요한 필렛(40)을 제공하기 위해 필요한 봉입재(26)의 체적과 실질적으로 같거나 그보다 크도록 선택될 수 있다. 이를 위해, 언더필링을 달성하기 위한 봉입재(26)의 최소 체적이 산출 또는 기타의 방식으로 결정될 수 있으며, 이어서, 단일 분배 동작 또는 패스로 적어도 최소 체적이 통로(16)내로 분배된다. 통상적으로, 분배된 봉입재(26)의 체적은 약 100 내지 150mm³이다. 통로(16)내로의 봉입재(26) 분배는 종래에서와 같이, 다이(12)의 측부 에지들에 근접한 하나 또는 그 이상의 패스들로 하나 또는 그 이상의 봉입재(26)의 비드들을 분배하기 위한 필요성을 제거한다. 결과적으로, 언더필 분배기(34) 및 분배기 니들(36)은 분배 동작 동안 정지상태로 남아있을 수 있으며, 분배기 니들(36)에 관한 다이(12)의 위치 설정 요구는 완화된다.

통로(16)의 체적 또는 용량은 봉입재(26)의 소요 최소 체적보다 작을 수 있으며, 이 경우, 다수의 분배 동작들 또는 패스들이 갭(28)의 언더필링 동작을 달성하기 위해 필요할 수 있다. 다이 온도가 필렛(40)을 생성하도록 고의로 상승되지 않는 한, 통로(16)로부터 갭(28)내로 유동하는 봉입재(26)의 양은 타이(12)의 측부 에지들에서의 표면 장력으로 인해 최소 체적과 같아지고, 제로 필렛(38)을 형성한다. 통로(16)로의 잉여 봉입재(26)의 추가는 다이(12)의 외주 에지에서의 표면 장력을 극복하기 위해 다이 온도가 의도적으로 상승되지 않는 한, 필렛(40)의 외관을 초래한다. 온도가 필렛(40)을 생성하도록 고의로 상승되지 않는 경우에, 소정의 잉여 봉입재(26)는 통로(16)내에 남아있으며, 통로(16)위에 크라운(crown)을 형성할 수 있다.

동일 참조 번호들이 도 1a 내지 도 1c의 동일 특징부를 지칭하는 도 2a 내지 도 2c를 참조하면, 유동 제어 배리어 또는 댐(dam)(42)이 통로(16)의 외주 주위에 배치된다. 봉입재(26)의 체적은 분배기 니들(36)로부터 언더필 분배기(34)로 분배된다. 댐(42)은 댐(42)의 내부 내에 형성된 체적 및 통로(16)내로 분배된 봉입재(26)의 현저한 소실을 방지하기에 적합하게 기판(14)의 하면(20)과의 유체 밀봉부를 가진다.

댐(42)의 존재는 갭(28)을 충전하고, 존재시, 필렛(40)을 생성하기 위해 필요할 수 있는 바와 같이 단일 분배 동작 또는 패스에 분배될 수 있는 봉입재(26)의 체적을 효과적으로 증가시킨다. 댐(42)이 단일 분배 동작으로 소요 체적의 봉입재(26)가 분배될 수 있게 하며 및/또는 통로(16)의 체적이 봉입재(26)의 분배된 체적보다 작을 수 있기 때문에, 통로(16)의 치수들의 조절을 허용할 수 있다. 봉입재(26)는 통로(16)로부터 방사상 외향으로, 갭(28)내로 유동 또는 이동한다. 다이(12)의 측부 에지들에서의 유체 정역학적 표면 장력으로 인해, 유출이 중단한 이후, 봉입재(26)는 솔더 접합부들에 의해 제공된 모든 전기적 상호접속들을 완전히 봉입한다.

동일 참조 번호들이 도 1a 내지 도 1c의 동일 특징부들을 지시하고 있는 도 3a 내지 도 3c를 참조하면, 통로(44)가 다이(12)의 중심 또는 중앙점 부근에서 기판(14)에 제공된다. 통로(44)는 세 개의 인접하는 서로 다른 직경의 개별 리세스들(46, 48, 50)을 갖는 단차형 보어로 구성된다. 리세스들(46, 48, 50)의 총 체적은 통로(44)의 유체 용량 및 통로(44)내에 수용할 수 있는 대응하는 봉입재(26)의 최대 체적을 결정한다. 결과적으로, 다이(12) 아래의 개구의 직경은 단일 분배 동작 또는 패스에 봉입재(26)의 소요 체적을 수용하도록 기판(14)내의 충분한 치수의 캐비티를 제공하면서 제어될 수 있다.

동일 참조 번호들이 도 1a 내지 도 1c의 동일 특징부들을 지시하는 도 4a 내지 도 4c를 참조하면, 통로(52)는 타이(12)의 중앙점(56)으로부터 코너(53)로 연장하는 대각선(54) 및 다이(12)의 일 코너(53) 부근의 기판(14)에 형성된다. 통로(52)는 단일 분배 동작 또는 패스에 봉입재(26)의 소요 체적을 수용하도록 치수 설정 될 수 있다. 봉입재(26)는 갭(28)을 채우기 위해 통로(52)로부터 떨어져 이동하거나 흐른다. 다이(12)의 측부 에지들에서의 유체 정역학적 표면 장력으로 인해 유출이 중단한 이후, 언더필링 동작은 완료되고, 봉입재(26)는 솔더 접합부들에 의해 제공된 전기적 상호접속들 모두를 완전히 봉입한다.

동일 참조 번호들이 도 1a 내지 도 1c의 동일 특징부들을 지시하는 도 5a 내지 도 5c를 참조하면, 한 쌍의 이격-배치 통로들(58, 60)이 다이 중앙점(66)을 통해 연장하는, 다이(12)의 대향 코너들(63, 64)을 연결하는 대각선(62)상에서 기판(14)에 형성되어 있다. 통로(58, 60)는 다이(12)의 대응 사분면의 각 중심에 배치될 수 있다. 봉입재(26)는 각 통로들(58, 60)로부터 반경 방향 외향으로, 그리고, 갭(28)내로 유동 또는 이동한다. 봉입재(26)가 솔더 접합부들에 의해 제공된 전기적 상호접속들 모두를 완전히 봉입하는 시기에 다이(12)의 측부 에지들에서의 유출을 유체 정역학적 표면 장력이 중단시킨다.

동일 참조 번호들이 도 1a 내지 도 1c의 동일 특징부들을 지시하는 도 6a 내지 도 6c를 참조하면, 네 개의 통로들(68, 70, 72 및 74)이 다이(12) 아래, 그리고, 기판(14)내에 형성되어 있다. 통로들(68, 70, 72 및 74)은 사변형의 대응 사분면의 중심 부근에 위치된 각 통로(68, 70, 72 및 74)를 가지는 사변형으로 배열된다. 통로들(68 및 70)은 다이 중앙점(80)을 통해 연장하는 다이(12)의 대향 코너들(77, 78)을 연결하는 대각선(76)상에 위치된다. 통로들(72 및 74)은 다이 중앙점(80)을 통해 연장하는 다이(12)의 대향 코너들(83, 84)을 연결하는 대각선(82)상에 위치된다. 봉입재(26)는 각 통로들(68, 70, 72 및 74))로부터 반경 방향 외향으로, 그리고, 갭(28)내로 유동 또는 이동한다. 봉입재(26)가 솔더 접합부들에 의해 제공된 전기적 상호접속들 모두를 완전히 봉입하는 시기에 다이(12)의 측부 에지들에서의 유출을 유체 정역학적 표면 장력이 중단시킨다.

여기에 설명된 다양한 다른 실시예들 모두에 관하여, 통로 또는 통로들 내로 분배된 봉입재의 최소량은 다이의 크기에 의해 결정되는 갭의 유효 체적 및 상호접속 범프의 높은 공차들과, 필렛이 존재하는 경우에는 양호한 필렛 체적에 의존한다. 특히, 본 발명의 다양한 실시예들의 캐비티 또는 캐비티들에 추가된 봉입재의 최소량은 상호접속 범프들의 체적보다 작은 필렛의 체적과 다이하의 체적의 합과 같다. 본 발명의 원리들에 따라서, 봉입재의 체적은 봉입재의 최소량을 도입하는 대신, 정밀하게 규제될 필요가 없다. 다이가 임계 온도 위로 의도적으로 가열되지 않는 한, 갭의 에지들에서의 표면 장력이 다이의 에지들을 초과한 봉입재의 현저한 유출유동을 방지하기 때문에, 언더필링 동작 동안 현저한 필렛이 생성되지 않는다. 결과적으로, 캐비티 또는 캐비티들에 추가된 잉여 봉입재가 단순히 갭내로 유동하지 않으며, 기판으로부터 외향으로 캐비티 또는 캐비티들로부터 돌출하거나, 캐비티 또는 캐비티들내에 유지된다.

본 발명의 원리들에 따라서, 봉입재가 단일 분배 동작 또는 패스로 통로 또는 통로들에 추가될 수 있다. 이를 위해, 통로 또는 통로들의 총 체적은 적어도 봉입재의 최소 체적이 단일 분배로 통로 또는 통로들 내로 분배될 수 있도록 선택될 수 있다. 통로 또는 통로들의 총 체적이 최소 체적보다 작은 경우에, 하나 또는 그 이상의 통로들이 분배된 봉입재를 수용할 수 있는 체적을 증가시키는 대응 댐들에 의해 둘러싸여질 수 있다. 대안적으로, 통로 또는 통로들은 그 동안 봉입재가 다른 패키지들의 통로 또는 통로들 내로 분배될 수 있는 지속 시간으로 다수의 분배 동작들에 의해 충전될 수 있다. 프로세스 처리량은 봉입재가 다른 패키지들 내에서 유동하는 동안, 분배 프로세스가 특정 패키지들 상에 수행될 수 있기 때문에, 증가된다.

봉입재가 통로 또는 통로들 내로 분배된 이후에, 봉입재는 모세관 작용하에 통로 또는 통로들로부터 갭내로 이동하기 시작한다. 적어도 봉입재의 최소 체적이 단일 분배 동작에 의해 통로 또는 통로들 내로 도입된 경우에, 언더필링은 패키지가 언더필 분배기 시스템의 위치로부터 봉입재의 경화를 위한 가열된 오븐과 같은 후속 위치로 운반될 때 발생할 수 있다. 이는 종래의 언더필 동작들에 비해, 본 발명의 원리에 따른 언더필 동작의 처리량을 현저히 증가시킨다.

분배기 헤드로부터 통로 또는 통로들 내로 도입된 봉입재는 가압되지 않는다. 대신, 통로 또는 통로들 내의 봉입재의 분배된 체적은 단순히 모세관 작용하에 갭내로의 봉입재의 유출유동에 의해 배출된 유체저장소로서 작용한다.

본 발명은 봉입재가 예로서, 픽-앤-플래이스 동작(pick-and-place operation)에 의해 필렛과 같은 고체 형태로 또는 다른 고상 체적으로 통로 또는통로들에 추가될 수 있다는 것을 고려한다. 필렛은 봉입재를 액화시키기 위해 용융되고, 이는 그 후 갭내로 유동 또는 이동한다.

본 발명은 통로 또는 통로들이 다이 내로 포함될 수 있으며, 이 경우, 기판이 가열되고 봉입재가 고체 또는 액체 형태 중 어느 하나로 통로 또는 통로들 내로 도입되고, 언더필링 동작 동안 갭내로 유동되는 것을 고려한다.

본 발명은 하기의 실시예들의 견지에서 추가로 인지될 것이다.

제 1 실시예

도 7 및 도 16을 참조하면, 기판을 관통하는 통로 또는 캐비티가 다이의 기하학적 중심 부근에 위치되었다. 25mm²유리 다이는 31um 갭을 가지는 150um 피치(솔더 범프들 사이의 중심-대-중심 거리)로 22,500 구리 범프들을 가졌다. 다이 및 기판의 패키지 조립체는 반전되고 다이가 가열된 판 위에 배치되었다. 다이의 온도는 65가 되는 것으로 측정되었다. 두 개의 서로 다른 봉입재들 또는 언더필들의 체적들이 캐비티 내로 도입되었다. 패턴은 정체선들의 부재 및 유출 속도의 가시성을 나타내었다. 제로 필렛 크기가 달성되었다.

제 2 실시예

도 8 및 도 17을 참조하면, 다이의 기하학적 중심 부근에 기판을 관통하는 통로 또는 캐비티가 배치되었다. 25mm²실리콘 다이는 22,500 구리 펌프들을 31um 갭을 가지는 150um 피치로 구비한다. 다이 및 기판의 패키지 조립체는 반전되고, 타이가 가열된 판상에 배치되었다. 다이의 온도는 65EC로 측정되었다. 봉입재 또는언더필(Hysol 4545)이 캐비티 내로 도입되었다. 제로 필렛 크기가 달성되었다.

제 3 실시예

도 9 및 도 18을 참조하면, 다이의 기하학적 중심 부근에 기판을 관통하는 통로 또는 캐비티가 배치되었다. 25mm²유리 다이는 22,500 구리 펌프들을 31um 갭을 가지는 150um 피치로 가졌다. 다이 및 기판의 패키지 조립체는 반전되었고, 다이가 가열된 판상에 배치되었다. 다이의 온도는 65EC로 측정되었다. 두 개의 서로 다르게 착색된 봉입재들 또는 언더필들이 교번적으로 캐비티 내로 도입되었다. 패턴은 정체선들의 부재 및 유출 유동이 비교적 등방성이라는 것을 보여줬다. 제로 필렛 크기가 달성되었다.

제 4 실시예

도 10 및 도 19를 참조하면, 기판을 관통하는 두 개의 0.060"-직경 통로들 또는 캐비티들이 다이의 대각선상에 배치되었다. 25mm²실리콘 다이는 35um 갭을 가지는 150um 피치로 22,500 구리 범프들을 가졌다. 패키지 조립체는 반전되었고, 다이는 가열된 판상에 배치되었다. 다이의 온도는 95EC가 되는 것으로 측정되었다. 봉입재 또는 언더필(Hysol 4545)의 체적이 캐비티들 내로 도입되었다. 언더필 동작(언더필이 캐비티들 내로 도입되었을 때 개시되었으며, 언더필이 완료되었을 때 종결됨)은 신속(94초) 및 고품질로 이루어지는 것으로 관찰되었다.

제 5 실시예

도 11 및 도 20을 참조하면, 기판을 관통하는 0.177"-직경 캐비티 또는 통로가 다이의 일 코너 부근에 배치되었다. 25mm²실리콘 다이는 35um 갭을 가지는 150um 피치로 22,500 구리 범프들을 가졌다. 패키지 조립체는 반전되었고, 다이는 가열된 판상에 배치되었다. 다이의 온도는 65EC가 되는 것으로 측정되었다. 봉입재 또는 언더필(Hysol 4545)의 체적이 캐비티 내로 도입되었다. 언더필 동작은 신속(84초) 및 고품질로 이루어지는 것으로 관찰되었다.

제 6 실시예

도 12 및 도 21을 참조하면, 기판을 관통하는 0.177"-직경 캐비티들 또는 통로들이 다이의 대각선상에 배치되었다. 25mm²실리콘 다이는 35um 갭을 가지는 150um 피치로 22,500 구리 범프들을 가졌다. 패키지 조립체는 반전되었고, 다이는 가열된 판상에 배치되었다. 다이의 온도는 95EC가 되는 것으로 측정되었다. 봉입재 또는 언더필(Hysol 4545)의 체적이 캐비티들 내로 도입되었다. 언더필 동작은 신속(68초) 및 고품질로 이루어지는 것으로 관찰되었다. 비록 제 6 실시예의 통로들은 제 8 실시예의 통로들 보다 직경이 컸으며, 유출 시간은 제 8 실시예에서 관찰된 유출 시간과 유사하였다.

제 7 실시예

도 13 및 도 22를 참조하면, 기판을 관통하는 0.125"-직경 캐비티들 또는 통로들이 다이의 대각선상에 배치되었다. 25mm²실리콘 다이는 35um 갭을 가지는 150um 피치로 22,500 구리 범프들을 가졌다. 패키지 조립체는 반전되었고, 다이는 가열된 판상에 배치되었다. 다이의 온도는 65EC가 되는 것으로 측정되었다. 봉입재또는 언더필(Hysol 4545)의 체적이 캐비티들 내로 도입되었다. 언더필 동작은 신속(130초) 및 고품질로 이루어지는 것으로 관찰되었다. 언더필의 두 파면들이 만나는 미소 음영부(정체선)가 존재하였다.

제 8 실시예 및 제 1 대조예

제 7 실시예의 패키지 조립체와 각각 동일한 세 개의 패키지 조립체들이 제공되었으며, 대응 캐비티들이 봉입재 또는 언더필(Hysol 4545)로 충전되었다. 언더필링 동작 동안, 다이의 온도는 제 7 실시예에서와 같이 65EC가 아닌 95EC였다. 세 개의 패키지 조립체들을 위한 언더필 동작은 평균 약 40초에 완료되는 것으로 관찰되었으며, 가장 신속한 언더필 동작은 캐비티들 내로의 봉입재의 체적의 도입 이후 완료까지 38초를 소요하는 것으로 관찰되었다.

비교로, 동일 봉입재 재료의 L-형 비드들의 다중 분배들 또는 패스들을 사용하여, 표준 모세관 언더필 동작이 동일 유형의 패키지 조립체 및 제 8 실시예의 온도에 대하여 수행되었다. 언더필 동작은 완료까지 118초를 필요로 하는 것으로 관찰되었다.

제 9 실시예

도 14 및 도 23을 참조하면, 기판을 관통하는 0.177"-직경 통로 또는 캐비티가 다이의 기하학적 중심으로부터 오프셋되어 코너와 중심 사이의 중앙점 부근의 대각선상에 배치되었다. 25mm²실리콘 다이는 35um 갭을 가지는 150um 피치로 22,500 구리 범프들을 가졌다. 패키지 조립체는 반전되었고, 다이는 가열된 판상에배치되었다. 다이의 온도는 95EC가 되는 것으로 측정되었다. 봉입재 또는 언더필(Hysol 4545)이 캐비티들 내로 도입되었다. 언더필 동작은 완료까지 483초를 소요하는 것으로 관찰되었다. 필렛은 홀 내에 잉여 재료를 추가하고, 다이의 측면을 따른 온도를 조절함으로써 의도적으로 생성되었다.

제 10 실시예

제 9 실시예와 동일한 패키지 조립체가 봉입재 또는 언더필(Hysol 4545)이 제공 또는 그것으로 충전되었다. 언더필링 동작 동안, 다이의 온도는 65EC가 되는 것으로 측정되었다. 언더필 동작은 483초에 완료되는 것으로 관찰되었다.

제 11 실시예

도 15 및 도 24를 참조하면, 기판을 관통하는 0.060"-직경 통로들 또는 캐비티들이 다이의 각 사분면의 중앙-사분면 부근에 배치되었다. 25mm²실리콘 다이는 35um 갭을 가지는 150um 피치로 22,500 구리 범프들을 가졌다. 패키지 조립체는 반전되었고, 다이는 가열된 판상에 배치되었다. 다이의 온도는 95EC가 되는 것으로 측정되었다. 봉입재 또는 언더필(Hysol 4545)이 캐비티들 내로 도입되었다. 비록 언더필 동작은 신속(70초)하고, 고품질로 이루어지는 것으로 관찰되었지만, 다이의 중심에 보이드가 발생하였다. 이런 보이드들은 보이드의 영역 내에 어떠한 범프들도 위치되지 않는 경우에 특히 무시할 만하다.

제 12 실시예

도 15 및 도 24를 참조하면, 기판을 관통하는 0.060"-직경 통로 또는 캐비티가 다이의 기하학적 중심 부근에 배치되었다. 댐은 캐비티와 동심으로 위치되었다. 25mm²실리콘 다이는 35um 갭을 가지는 150um 피치로 22,500 구리 범프들을 가졌다. 패키지 조립체는 반전되었고, 다이는 가열된 판상에 배치되었다. 다이의 온도는 65EC가 되는 것으로 측정되었다. 봉입재 또는 언더필(Hysol 4545)이 캐비티 내로 도입되었다. 언더필 동작은 완료까지 287초를 소요하는 것으로 관찰되었다.

본 발명이 다양한 실시예들의 설명에 의해 예시되었으며, 이들 실시예들이 현저히 상세히 설명되었지만, 첨부된 청구항들의 범주를 이런 세부 사항에 구속 또는 어떠한 방식으로든 한정하는 것은 본 출원인의 의도가 아니다. 본 기술 분야의 숙련자들에게는 부가적인 장점들 및 변형들이 쉽게 드러날 것이다. 따라서, 본 발명은 그 보다 넓은 양태에서 도시 및 설명된 특정 세부 사항들, 대표적 방법 및 예시적 실시예들에 한정되지 않는다. 따라서, 본 출원인의 포괄적 본 발명의 개념의 개념 또는 범주로부터 벗어나지 않고 이런 세부 사항들로부터의 이탈이 이루어질 수 있다.

본 발명에 의하면, 콤포넌트에 인접하게 콤포넌트 캐리어 상에 위치된 수동 장치들이 봉입재로 오염되기 쉽지 않도록 종래의 언더필링 기술들과 연관된 침지 영역을 제거 또는 적어도 감소시킬 수 있고, 필렛의 맞춤식 크기 설정을 제공하며, 연속적인 언더필링 동작들 사이에서 필렛의 균일성을 제공할 수 있으며, 카메라와 복잡한 조명 구조를 가지는 자동화된 관찰 시스템에 대한 필요성을 제거하고, 이는분배 헤드에 관한 통로의 정확한 정렬을 위해 이미징이 불필요하기 때문에 언더필링 동작의 처리량을 증가시키고, 또한, 장비 비용을 감소시킬 수 있으며, 분배기 헤드, 콤포넌트 및 콤포넌트 캐리어의 3 차원적(X, Y 및 Z) 위치 설정에 대한 요구 조건들을 완화시키고, 봉입재의 정확한 체적 분배에 대한 필요성을 제거 또는 완화시킬 수 있는 다이와 같은 콤포넌트와 기판과 같은 콤포넌트 캐리어 사이의 갭을 언더필링하기 위한 독창적이고 효과적인 방법을 제공한다.

Claims (33)

1. 콤포넌트와 콤포넌트 캐리어 사이에 연장하는 복수의 전기 접속들을 봉입하기 위해 상기 콤포넌트와 콤포넌트 캐리어 사이의 갭을 언더필링(underfilling)하는 방법에 있어서,

   상기 콤포넌트의 의도된 위치 아래에 상기 콤포넌트 캐리어를 관통하는 적어도 하나의 통로를 형성하는 단계;

   적어도 상기 콤포넌트를 분배 온도(dispensing temperature)로 가열하는 단계;

   상기 적어도 하나의 통로내로 봉입재를 도입하는 단계; 및

   상기 복수의 전기 접속들을 봉입하기 위해 상기 적어도 하나의 통로로부터 상기 갭내로 봉입재를 이동시키는 단계를 포함하는 갭 언더필링 방법.
2. 제 1 항에 있어서,

   상기 봉입재는 상기 갭내로의 현저한 이동이 발생하기 전에, 상기 적어도 하나의 통로내로 도입되는, 갭 언더필링 방법.
3. 제 1 항에 있어서,

   상기 적어도 하나의 통로는 상기 콤포넌트의 기하학적 중심에 위치되는, 갭 언더필링 방법.
4. 제 1 항에 있어서,

   상기 적어도 하나의 통로는 상기 콤포넌트의 기하학적 중심으로부터 오프셋되는, 갭 언더필링 방법.
5. 제 1 항에 있어서,

   상기 콤포넌트는 상기 봉입재가 상기 적어도 하나의 통로내로 도입되기 전에 상기 분배 온도로 가열되고,

   상기 방법은 상기 복수의 전기 접속들이 상기 봉입재에 의해 봉입될 때까지, 상기 콤포넌트를 상기 분배 온도로 유지하는 단계를 더 포함하는, 갭 언더필링 방법.
6. 제 1 항에 있어서,

   상기 열 에너지 제공 단계는 상기 도입 단계와 동시에 수행되는, 갭 언더필링 방법.
7. 제 1 항에 있어서,

   상기 콤포넌트의 외주 에지 주위에 필렛을 형성하도록 상기 분배 온도를 조절하는 단계를 더 포함하는, 갭 언더필링 방법.
8. 제 1 항에 있어서,

   상기 적어도 하나의 통로의 체적 용량은 상기 갭을 언더필링하기 위해 필요한 봉입재의 체적보다 작으며,

   상기 방법은 상기 갭이 상기 봉입재로 실질적으로 충전될 때까지 상기 도입 및 이동 단계들을 반복하는 단계를 더 포함하는, 갭 언더필링 방법.
9. 제 1 항에 있어서,

   상기 적어도 하나의 통로의 체적 용량은 상기 갭을 언더필링하기 위해 필요한 봉입재의 체적과 실질적으로 동일한, 갭 언더필링 방법.
10. 제 1 항에 있어서,

    상기 봉입재가 상기 적어도 하나의 통로내로 도입되기 전에, 상기 적어도 하나의 통로 주위에 유동 제어 배리어를 배치하는 단계를 더 포함하는 갭 언더필링 방법.
11. 제 10 항에 있어서,

    상기 적어도 하나의 통로의 체적 용량은 상기 갭을 언더필링하기 위해 필요한 봉입재의 체적보다 작고,

    상기 유동 제어 배리어는 상기 통로의 상기 유효 체적 용량을 증가시키도록 작용하는, 갭 언더필링 방법.
12. 제 1 항에 있어서,

    상기 봉입재의 도입 단계는 상기 적어도 하나의 통로내로 액상의 봉입재를 분배하는 단계를 더 포함하는, 갭 언더필링 방법.
13. 제 1 항에 있어서,

    상기 봉입재의 도입 단계는 상기 갭내로의 이동을 허용하도록 상기 분배 온도에서 액상으로 용융할 수 있는 봉입재의 고상 체적을 상기 적어도 하나의 통로내에 배치하는 단계를 더 포함하는, 갭 언더필링 방법.
14. 제 1 항에 있어서,

    상기 콤포넌트의 가열 단계는 열원으로부터 상기 콤포넌트에 직접적으로 열 에너지를 전달하는 단계를 더 포함하는, 갭 언더필링 방법.
15. 제 13 항에 있어서,

    복수의 통로들을 더 포함하고,

    상기 봉입재의 도입 단계는 상기 복수의 통로들 각각 내로 상기 봉입재를 도입하는 단계를 더 포함하는, 갭 언더필링 방법.
16. 제 15 항에 있어서,

    상기 복수의 통로들은 상기 콤포넌트의 기하학적 중심 주위에 대칭으로 배열되는, 갭 언더필링 방법.
17. 콤포넌트와 콤포넌트 캐리어 사이에 연장하는 복수의 전기 접속들을 봉입하기 위해 상기 콤포넌트와 콤포넌트 캐리어 사이의 갭을 언더필링하는 방법에 있어서,

    상기 콤포넌트를 관통하는 적어도 하나의 통로를 형성하는 단계;

    상기 콤포넌트를 상기 콤포넌트 캐리어에 관해 위치시키는 단계;

    적어도 상기 콤포넌트 캐리어를 분배 온도로 가열하는 단계;

    상기 적어도 하나의 통로내로 봉입재를 도입하는 단계; 및

    상기 복수의 전기 접속들을 봉입하기 위해 상기 적어도 하나의 통로로부터 상기 갭내로 봉입재를 이동시키는 단계를 포함하는 갭 언더필링 방법.
18. 제 17 항에 있어서, 상기 봉입재는 상기 갭내로의 현저한 이동이 발생하기 전에, 상기 적어도 하나의 통로내로 도입되는, 갭 언더필링 방법.
19. 제 17 항에 있어서,

    상기 적어도 하나의 통로는 상기 콤포넌트의 기하학적 중심에 위치되는, 갭 언더필링 방법.
20. 제 17 항에 있어서,

    상기 적어도 하나의 통로는 상기 콤포넌트의 기하학적 중심으로부터 오프셋되는, 갭 언더필링 방법.
21. 제 17 항에 있어서,

    상기 콤포넌트는 상기 봉입재가 상기 적어도 하나의 통로내로 도입되기 전에 상기 분배 온도로 가열되고,

    상기 방법은 상기 복수의 전기 접속들이 상기 봉입재에 의해 봉입될 때까지, 상기 콤포넌트를 상기 분배 온도로 유지하는 단계를 더 포함하는, 갭 언더필링 방법.
22. 제 17 항에 있어서,

    상기 열 에너지 제공 단계는 상기 도입 단계와 동시에 수행되는, 갭 언더필링 방법.
23. 제 17 항에 있어서,

    상기 콤포넌트의 외주 에지 주위에 필렛을 형성하도록 상기 분배 온도를 조절하는 단계를 더 포함하는, 갭 언더필링 방법.
24. 제 17 항에 있어서,

    상기 적어도 하나의 통로의 체적 용량은 상기 갭을 언더필링하기 위해 필요한 봉입재의 체적보다 작으며,

    상기 방법은 상기 갭이 상기 봉입재로 실질적으로 충전될 때까지 상기 도입 및 이동 단계들을 반복하는 단계를 더 포함하는, 갭 언더필링 방법.
25. 제 17 항에 있어서,

    상기 적어도 하나의 통로의 체적 용량은 상기 갭을 언더필링하기 위해 필요한 봉입재의 체적과 실질적으로 동일한, 갭 언더필링 방법.
26. 제 17 항에 있어서,

    상기 봉입재가 상기 적어도 하나의 통로내로 도입되기 전에, 상기 적어도 하나의 통로 주위에 유동 제어 배리어를 배치하는 단계를 더 포함하는 갭 언더필링 방법.
27. 제 26 항에 있어서,

    상기 적어도 하나의 통로의 체적 용량은 상기 갭을 언더필링하기 위해 필요한 봉입재의 체적보다 작고,

    상기 유동 제어 배리어는 상기 체적 용량을 증가시키도록 작용하는, 갭 언더필링 방법.
28. 제 17 항에 있어서,

    상기 봉입재의 도입 단계는 상기 적어도 하나의 통로내로 액상의 봉입재를 분배하는 단계를 더 포함하는, 갭 언더필링 방법.
29. 제 17 항에 있어서,

    상기 봉입재의 도입 단계는 상기 갭내로의 이동을 허용하도록 상기 분배 온도에서 액상으로 용융할 수 있는 봉입재의 고상 체적을 상기 적어도 하나의 통로내에 배치하는 단계를 더 포함하는, 갭 언더필링 방법.
30. 제 17 항에 있어서,

    상기 콤포넌트의 가열 단계는 열원으로부터 상기 콤포넌트에 직접적으로 열 에너지를 전달하는 단계를 더 포함하는, 갭 언더필링 방법.
31. 제 30 항에 있어서,

    복수의 통로들을 더 포함하고,

    상기 봉입재의 도입 단계는 상기 복수의 통로들 각각 내로 상기 봉입재를 도입하는 단계를 더 포함하는, 갭 언더필링 방법.
32. 제 15 항에 있어서,

    상기 복수의 통로들은 상기 콤포넌트의 기하학적 중심 주위에 대칭으로 배열되는, 갭 언더필링 방법.
33. 실질적으로 본 명세서에 도시 및 기술된 바와 같은 콤포넌트와 콤포넌트 캐리어 사이에서 연장하는 복수의 전기 접속들을 봉입하기 위해 콤포넌트와 콤포넌트 캐리어 사이의 갭을 언더필링하는 갭 언더필링 방법.