KR20040067703A - 질화갈륨 기판 제조 방법 - Google Patents
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Description
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- 성장 챔버내의 서셉터에 안착된 기판 상부에 질화갈륨 버퍼층을 형성하는 제 1 단계;상기 서셉터의 하부 방향으로 레이저 광을 조사하여 질화갈륨 버퍼층을 상기 기판으로부터 분리하는 제 2 단계;상기 기판으로부터 분리한 질화갈륨 버퍼층 상부에 질화갈륨층을 형성하는 제 3 단계로 이루어지는, 질화갈륨 기판 제조 방법.
- 제 1 항에 있어서, 상기 제 1 단계는;상기 성장 챔버내의 보트에 갈륨을 수납하고, 상기 성장 챔버 내의 서셉터에 기판을 안착시키는 제 11 단계;상기 챔버에 열을 가하여 상기 챔버의 온도를 질화갈륨 버퍼층 성장 온도로 조절하고, 상기 갈륨이 수납된 보트로 반응 가스를 주입하는 제 12 단계;상기 챔버의 내부로 N생성 가스(NH3)를 주입하고, 상기 제 12 단계의 반응 가스와 상기 갈륨의 화학 반응으로 생성된 반응물과 상기 주입한 N 생성 가스의 결합을 통해 상기 기판 상부에 질화갈륨 버퍼층을 형성하는 제 13 단계로 이루어지는 것을 특징으로 하는, 질화갈륨 기판 제조 방법.
- 제 1 항에 있어서, 상기 제 2 단계는;미러(mirror)를 통해 상기 서셉터의 하부 방향으로 레이저 광을 조사하여 질화갈륨 버퍼층을 질화갈륨의 성장온도(약 1000℃)에서, 상기 기판으로부터 분리하는 것을 특징으로 하는, 질화갈륨 기판 제조 방법.
- 제 1 항에 있어서, 상기 제 3 단계는;상기 챔버에 열을 가하여 상기 챔버의 온도를 질화갈륨층 성장 온도로 조절하고, 갈륨이 수납된 상기 성장 챔버내의 보트로 반응 가스를 주입하는 제 31 단계;상기 성장 챔버의 내부로 N 생성가스(NH3)를 주입하고, 상기 제 31 단계의 반응 가스와 상기 갈륨의 화학 반응으로 생성된 반응물과 상기 주입한 N 생성 가스의 화학 반응을 통해 상기 질화갈륨 버퍼층 상부에 질화갈륨층을 형성하는 제 32 단계로 이루어지는 것을 특징으로 하는, 질화갈륨 기판 제조 방법.
- 제 2 항 또는 제 4 항에 있어서, 상기 갈륨은;메탈 갈륨 또는 질화갈륨, 이들의 혼합된 분말 중 선택된 어느 하나인 것을 특징으로 하는, 질화갈륨 기판 제조 방법.
- 제 2 항 또는 제 4 항에 있어서, 상기 반응 가스와 N2생성 가스는;각기 염화수소(HCL) 가스와 암모니아(NH3) 가스인 것을 특징으로 하는, 질화갈륨 기판 제조 방법.
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