KR20040063195A - 웨이퍼 주변을 보호하는 반도체 장비용 정전척 - Google Patents

웨이퍼 주변을 보호하는 반도체 장비용 정전척 Download PDF

Info

Publication number
KR20040063195A
KR20040063195A KR1020030000517A KR20030000517A KR20040063195A KR 20040063195 A KR20040063195 A KR 20040063195A KR 1020030000517 A KR1020030000517 A KR 1020030000517A KR 20030000517 A KR20030000517 A KR 20030000517A KR 20040063195 A KR20040063195 A KR 20040063195A
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
insulator
electrostatic chuck
electrode
wafer
periphery
Prior art date
Application number
KR1020030000517A
Other languages
English (en)
Other versions
KR100912003B1 (ko
Inventor
안호갑
곽준헌
Original Assignee
주식회사 코미코
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 주식회사 코미코 filed Critical 주식회사 코미코
Priority to KR1020030000517A priority Critical patent/KR100912003B1/ko
Publication of KR20040063195A publication Critical patent/KR20040063195A/ko
Application granted granted Critical
Publication of KR100912003B1 publication Critical patent/KR100912003B1/ko

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/683—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
    • H01L21/6831—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using electrostatic chucks
    • H01L21/6833—Details of electrostatic chucks
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/683—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
    • H01L21/687—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches
    • H01L21/68714—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches the wafers being placed on a susceptor, stage or support
    • H01L21/68757—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches the wafers being placed on a susceptor, stage or support characterised by a coating or a hardness or a material

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Container, Conveyance, Adherence, Positioning, Of Wafer (AREA)

Abstract

본 발명은 반도체 제조 장치 중 전공정 장비인 에쳐(etcher), 씨브이디(CVD) 장비에 사용되는 정전척에 관한 것으로, 구체적으로는 할로겐 가스를 많이 사용하는 에칭이나 CVD(Chemical vapor deposition) 공정에 의한 반응 생성물의 발생 또는 플라즈마에 의한 정전척 주변 부분의 식각 발생을 방지하도록 구성된 정전척에 관한 것이다.

Description

웨이퍼 주변을 보호하는 반도체 장비용 정전척{Electro Static Chuck for a semiconductor equipment protecting a edge of wafer}
본 발명은 반도체 제조 장치 중 전공정 장비인 에쳐(etcher), 씨브이디(CVD) 장비에 사용되는 정전척에 관한 것으로, 구체적으로는 할로겐 가스를 많이 사용하는 에칭이나 CVD(Chemical vapor deposition) 공정에 의한 반응 생성물의 발생 또는 플라즈마에 의한 정전척 주변 부분의 식각 발생을 방지하도록 구성된 정전척에 관한 것이다.
일반적인 반도체 플라즈마 장치는 도 1에 도시된 바와 같은 구성을 갖는다. 도 1을 참조하면, 웨이퍼(102)가 로드락이라는 카세트 저장 챔버로부터 반송 로보트(도시하지 않음)에 의해 프로세스 챔버(101)로 로딩된다. 프로세스 챔버(101)에는 웨이퍼(102)가 놓이는 정전척 시트(115) 및 정전척 시트(115)를 고정시켜주는 하부전극(104)을 포함하며, 이 하부전극(104)에는 고주파 전원을 공급하기 위한 고주파 전원(106)이 연결되고, 정전척 시트(115)는 정전 발생용 전극(110; 이하 단순히 '전극'이라 칭한다)을 포함하며, 상기 전극(110)에는 DC 전원(105)이 연결된다.
웨이퍼(102)의 배면을 냉각하기 위하여 정전척 시트(115)에는 냉각가스를 공급하는 냉각 가스원(107)이 연결된다. 상기 하부전극(104)은 정전척 시트(115)와 기계적으로 고정된다.
통상적으로 플라즈마 소스로는 유도성 플라즈마나 용량성 플라즈마를 이용한다. 상기 전극(110)에 직렬로 연결된 직류전원(105)은 정전척 시트(115)에 전하 분극을 일으키기 위해 배치된다. 웨이퍼(102) 아래의 절연체 표면은 냉각 가스가 원활히 흐를 수 있도록 홈을 파기도 하며 홈을 통해 유입된 냉각가스가 웨이퍼(102) 하부를 흐르면서 열전달 매개체로 작용하게 되어 웨이퍼(102) 기판의 온도를 균일하게 유지시키게 된다.
이러한 종래의 정전척 시트(115)에서, 중앙부는 웨이퍼에 의해 덮혀지므로 절연체의 특성에 따라 꾸준히 균일한 정전력이 유지되지만 정전척 주변부는 플라즈마에 어느 방법으로든 노출이 되어 일반적으로는 정전척 시트(115) 주위에 전기적으로 절연성을 띠는 퀄츠나 세라믹으로 구성된 포커스 링 등이 둘러싸이게 된다. 포커스 링을 둘러싸는 목적은 웨이퍼가 놓여진 부분으로 플라즈마를 응집시키기 위해서 이다.
계속해서, 도 2를 참조하여 종래기술에 대해 설명한다. 도 2에서 참조번호 202는 웨이퍼이며, 209는 상부 절연체, 210은 전극, 211은 하부 절연체 204는 하부전극이다. 중앙부에서는 정전척 시트(215)와 웨이퍼(202)가 정전력에 의해서 완전히 밀착되어 유지된다. 정전척 시트(215)의 주변부는 두개의 절연체(209,211) 사이에 정전 발생용 전극(210; 이하 단순히 '전극'이라 칭한다)이 형성된다. 이 구조에서, 전극(210)은 상하 절연체(209,211)의 지름 및 웨이퍼(202)의 지름 보다 작다. 따라서, 상부 절연체(209)은 전극(210)이 없는 부분에서는 굴곡지게 된다(C 참조).
즉, 상부 절연체(209), 전극(210) 및 하부 절연체(211)를 실질적으로 평행하게 제작할 수 없다는 단점이 있으며, 이로 인해, 정전척 시트(215)의 주변에 활성화된 가스 입자가 쉽게 들어오고 상부 및 하부 절연체(209,211)을 빠르게 식각시켜 공정 진행 횟수에 따라 절연체가 쉽게 파괴되는 단점이 있다.
정전척 시트(215)의 상부 절연체(209)의 중앙부는 공정 진행시 반도체 기판에 의해 덮혀지기 때문에 직접적으로 할로겐 계통의 플라즈마에 노출되지 않아 활성화된 가스들에 의한 부식성 환경으로부터 보호되지만 주변부는 어느 경우에도 완벽하게 덮혀지지 않는다. 그로 인해, 공정 진행이 계속됨에 따라 활성화된 가스들에 의해 계속적으로 식각된다. 여기서 활성화된 가스란 중성 가스가 전기적 에너지에 의해 양이온이나 래디컬로 전화되어 반응성이 매우 높은 가스를 의미한다. 절연체의 재질을 달리하더라도 그 구성상, 필연적으로 플라즈마 상태의 가스에 의해 식각은 계속 진행되는 것이 일반적이다. 주변부의 일부라도 식각이 되어 절연체가 플라즈마에 노출되면 정전척으로서의 기능을 상실하게 되며 절연체 내부가 커패시터 기능을 상실하게 되어, 아아크 및 스파크 등 불안정한 방전 현상이 일어나게 된다. 이로 인해 파티클 발생 및 공정 불균일 등의 문제가 발생된다.
부식성 가스로는 일반적으로 불소를 함유한 불화탄소 가스나 염소를 함유한 염소 가스 등의 할로겐 가스를 식각 가스로 주로 사용하며 부분적으로는 산화성이 강한 산소 등도 이용된다. 이러한 가스 등은 고주파 전원에 의해 이온화 및 활성화되어 웨이퍼(202) 뿐만 아니라 노출된 절연체 및 챔버 내의 어느 부분이라도 빠르게 식각시키기 위해 반응한다.
요약하면, 상술한 종래기술은 다음과 같은 문제점을 내포하고 있다.
1. 필연적으로 정전척 시트(215) 주변부의 높이(h) 및 폭(w) 만큼의 공간이 생김으로 전기적 에너지를 가지고 있는 활성화된 이온 및 래디칼이 침투하기 쉬우며 침투된 이온 및 래디칼은 절연체들(209,211)의 측면부를 쉽게 부식시킨다.
2. 전극(210)을 감싸기 위해 상부 절연체(209)과 하부 절연체(211)을 샌드위치 방식으로 적층함에 따라 주변부에 빈 공간이 발생하고 그 부분에서의 정전력은 현저히 떨어진다.
3. 정전척 시트(215)의 주변부의 높이(h)와 폭(w)만큼의 공간은 어느 경우에라도 정전력이 작용하지 않아 웨이퍼(202) 주변부는 수율주변에서 그 만큼 유효하지 못하게 된다.
4. 상부 절연체(209)과 웨이퍼(202) 사이를 흐르는 냉각 가스는 웨이퍼 주변부로 배출이 되게 되며 폭(w) 부분에는 배출된 냉각가스가 유입된 활성화된 가스들의 2차 충돌로 인해 기생 플라즈마가 형성되어 웨이퍼(202) 주변부의 공정 특성에 영향을 미친다.
5. 4번에서 처럼 기생 플라즈마가 연속 진행되면 절연체 주변부의 식각은 보다 빠르게 진행되어 쉽게 전극(210)이 노출될 수 있다. 전극(210)이 노출되면 정전척은 커패시터로써의 기능을 완전히 잃게 되고 도체로써의 기능을 하게 됨으로써 이상 방전 등의 위험이 상시 존재하고 정전척의 기능을 상실한다.
따라서, 본 발명의 목적은 상술한 문제점들을 해결하기 위한 것이다.
본 발명의 실시예에 따르면, 하부 전극, 상기 하부 전극 상에 형성된 절연 코팅층, 하부 절연체, 상부 절연체 및 상기 상부 절연체와 상기 하부 절연체 사이에 삽입된 정전 발생용 전극을 갖는 정전척으로서, 상기 정전 발생용 전극의 지름과 상기 하부 절연체의 지름이 동일하고, 상기 정전 발생용 전극의 표면과 상기 하부 전극 상에 형성된 코팅층의 표면의 높이가 동일하며, 상기 하부 전극은 소정의 폭만큼 소정의 높이로 주변부가 돌출되는 것을 특징으로 하는 정전척을 제공하는 것을 목적으로 한다.
도 1은 일반적인 종래의 플라즈마 장치를 개략적으로 도시하는 단면도.
도 2는 종래의 정전척의 일부를 개략적으로 도시하는 단면도.
도 3은 본 발명에 따른 정전척의 일부를 개략적으로 도시하는 단면도.
* 도면의 주요부분에 대한 부호의 설명 *
102, 202, 302: 웨이퍼 110, 210, 310: 전극
104, 204, 304: 하부전극 115, 215, 315: 정전척 시트
이하, 도면을 참조하여 본 발명의 구성에 대해 상세히 설명한다.
도 3을 참조하면, 참조번호 302는 웨이퍼를 나타내며, 309는 상부 절연체,310은 정전 발생용 전극(이하 단순히 '전극'이라 칭한다), 311은 하부절연체, 312는 절연 코팅층, 304는 하부전극, 315는 정전척 시트, 312a는 절연 코팅층의 중앙부, 312b는 절연 코팅층의 주변부, 320은 내식성 및 내산화성이 우수한 물질막을 나타낸다.
본 발명의 구성은 하부전극(304)을 포함하며, 하부전극(304)은 편평도가 유지되는 것을 사용하고 모양은 일반적으로 사용하는 웨이퍼(302)의 모양에 따르며, 그 형태는 원통형의 실린더 모양을 갖추고 있다. 하부전극(304)은 플라즈마의 전기적 특성을 고려하여 필요 시 그 표면 상에 절연 코팅층(312)을 형성시키며 절연 코팅층 형성 방법으로는 알루미늄 등의 금속을 하부전극으로 사용 시 양극산화 방법 또는 용사 코팅 방법 등이 있다. 절연 코팅층(312)의 특성은 1014Ωㆍcm이상이 바람직하며 산화물의 종류는 중요하지 않다.
계속해서 도 3을 참조하면, 본 발명에 따른 구성은, 정전척 시트(315) 내의 전극(310)을 플라즈마로부터 보호하기 위해 하부전극(304)의 주변부를 중앙부보다 소정의 높이(H)만큼 높게 형성한다. 높이(H)는 하부 절연체(311), 전극(310) 및 절연 코팅층(312)의 두께들을 감안하여 제작하되, 전극(310)의 표면과 절연 코팅층이 형성된 하부전극(304)의 주변부(312b)의 표면은 실질적으로 동일한 높이를 갖는다. 또한, 전극(310)과 하부 유전층(311)을 합한 높이는 10~100um 의 범위에 있다. 하부전극(304)의 주변부(312b)는 소정의 폭(W)을 가지며, 상기 폭(W)은 웨이퍼 가공 시 일반적으로 적용하는 3mm 엣지 노광을 감안하여 3~5mm 정도인 것이 바람직하다. 하부전극(304)의 중앙부(312a)와 주변부(312b)의 경계면(A부분)에는 제조상 균열의위험이 있으므로 가공 시 라운딩을 주어 A부분에 스트레스가 집중되거나 기공 및 크랙이 생기는 것을 방지한다.
하부전극(304) 상의 하부 절연체(311)는 정전척의 일부로써 작용하며 전극(310) 상의 상부 절연체(309) 보다 소정의 폭(W)만큼 작게 형성한다. 또한, 상기 전극(310)은 하부 절연체(311)와 동일한 크기의 지름을 가지며 하부 절연체(311) 상에 형성된다. 상기 전극(310) 상에는 상부 절연체(309)가 적층되며 그 지름은 도 3에 도시된 바와 같이 하부 절연체(311) 및 전극(310)보다는 크지만 웨이퍼의 크기 및 정전척 시트 및 하부전극의 주변 절연 상태, 즉 절연 물질층(320)에 따라 다소 변경될 수 있다.
상부 및 하부 절연체(309,311)는 판 또는 필름 형태로 제조할 수 있고, 이 제조 방법은 본 기술분야에 통상의 지식을 가진자들에게 이미 공지되어 있다. 그러나 반도체에 적용되기 위해서는 다음과 같은 조건이 만족되어야 실용적인 주변에서 사용이 가능하다.
실용적인 절연체의 절연 파괴강도는 4V/um~40V/um이며, 저항값은 1010~ 1020Ωㆍcm 범위이어야 한다. 저항값이 1010Ωㆍcm 이하이면 실제로 반도체인 웨이퍼(302)를 통해 흐르는 전류의 양이 증가하여 웨이퍼(302) 내의 전자, 정공의 움직임에 의해 디바이스 특성이 결정되는 반도체에서 결정적인 불량을 야기시키며, 역으로, 1020Ωㆍcm 을 벗어나면 쿨롱력을 이용하는 정전척에서 쿨롱력 발생이 어려워 정전척으로써의 기능을 잃게 된다.
절연체의 절연 상수는 바람직하게는 3 이상이며 온도에 대한 저항력이 매우 중요하여 양호한 전기 전도성(0.15W/mK)이상)이 웨이퍼 냉각을 위해 효과적이다. 또한 가능하다면 상부 절연체(309), 하부 절연체(311) 및 전극(310) 및 웨이퍼(302)는 유사한 열팽창 계수를 가지는 것이 온도 변화에 따른 균열, 휘어짐을 방지하기 위해 필요하다. 따라서, 상부 절연체(309)와 하부 절연체(311)는 바람직하게는 동일한 재료이다.
상기 절연체들은 Al2O3, SiN, AlN 등의 세라믹 재질이나 전기적인 고분자 중합체인 폴리마이드 계통을 포함한다. 폴리마이드 계통은 듀퐁사의 샙튼이나 유베사의 유피렉스가 PCB 절연 및 도체용으로 뿐만 아니라 반도체 정전척용으로 널리 사용된다.
전극(310)은 판 형태로 접착시키거나 전극 분말을 이용하여 스크리 프린팅(screen printing) 또는 전기 도금법 등을 이용하여 제작할 수 있으며, 필요에 따라서는 패터닝을 한다. 폴리마이드 필름을 사용하는 경우에는 동박판이 부착된 것이 있으므로 이것을 선택적 에칭을 하여 전극으로써 사용할 수 있다.
계속해서, 본 발명의 동작에 대해 설명하면, 본 발명은 정전척 시트(315)를 사용하기 위해 일반적인 반도체 반송시스템을 통해 반도체 계통의 도체 기판(302)을 프로세스 챔버에 반송하며 정전척 시트(315) 상에 배치시킨다. 전극(310)에는 외부로부터 직류 전원(도시하지 않음)을 공급할 수 있도록 설계되어 있으며, 웨이퍼(302)가 정전척 시트(315) 상에 높이게 되면 직류 전원을 통해 직류가 전극(310)에 가해지고 가해진 전압에 의해 상부 및 하부 절연체(309,311) 내의 전하 분극이일어나며 동시에 반도체 기판(302; 예컨대, 웨이퍼)도 상부 절연체(309)과 계면을 이루고 있는 부분에서 분극이 일어나 상부 절연체(309)과 반도체 기판(302) 계면에 서로 다른 전하가 축적되어 정전기력이 발생된다. 이 정전기력은 직류 전원이 공급되고 플라즈마에 의해 전기적 연결이 되어 있는 상태에서는 계속 유지되며 플라즈마와 직류 전원이 꺼짐에 의해 서서히 제거된다.
도 3에 도시된 바와 같이, 본 발명은 하부전극(304)의 주변부(312b)가 하부전극의 중앙부(312a) 보다 높기 때문에 플라즈마가 침투하지 못하여 전극(310) 및 하부 절연체(311)는 플라즈마로부터 보호된다. 따라서, 상부 절연체(309)가 플라즈마에 노출되지 않으므로 공정이 진행됨에 따라 식각이 발생되지 않는다. 하부전극(304)의 주변부의 폭(W)을 조절함에 따라 상부 절연체(309)의 식각 정도를 조절할 수 있으며 상부 절연체(309)는 필요시 제거하고 다시 형성함으로써 정전척 시트(315) 전체를 제거하지 않고 일부만을 제거함으로써 재작업 공정을 단순화시키고 재작업을 줄이고 재생 단가를 줄일 수 있다.
정전척 시트(315)의 주변부는 필요에 따라서는 주변에 세라믹 등의 용사 코팅이나 고분자 중합체를 도포한 물질막막(320)을 형성함으로써 수명을 연장하거나 제거 후 재형성함으로써 정전척 시트의 전체 교환 없이 사용할 수 있다. 정전척 시트 주변부와 웨이퍼와의 틈새가 없어짐으로써 공정 특성의 변화를 근본적으로 없앨 수 있다.
상술한 본 발명에 따른 구성에 의하면 다음과 같은 효과를 기대할 수 있다.
1. 하부전극의 주변부를 필요한 높이(H) 만큼 높임으로써 주변부와 상부 절연체의 높이를 실질적으로 동일하게 할 수 있어 웨이퍼 주변부에서의 공정 변화를 최소화할 수 있다.
2. 정전척 시트 내부의 전극이 있는 부분 위의 웨이퍼 영역에서는 동일한 정전력을 얻을 수 있다.
3. 하부전극 주변부를 높이(H) 만큼 높혀 주변을 보호함으로써 정전척의 전극이 플라즈마에 노출될 수 있는 원인을 근본적으로 제거할 수 있다.
4. 상부 절연체와 웨이퍼 하면을 흐르는 냉각 가스의 주변으로의 배출 시에도 웨이퍼나 상부 절연체에 큰 영향을 미치지 않는다.
5. 상부 절연체의 주변이 식각 가스에 의해 식각되면 상부 절연체만 교체함으로써 전체 정전척 시트의 평탄도 손실없이 부분 교체가 용이하다.
6. 정전척 시트의 주변에 내식성이나 내마모성이 우수한 물질(예를 들면, 양극산화막)을 도포함으로써 주변보호를 추가로 할 수 있다.

Claims (9)

  1. 하부 전극, 상기 하부 전극 상에 형성된 절연 코팅층, 하부 절연체, 상부 절연체 및 상기 상부 절연체와 상기 하부 절연체 사이에 삽입된 정전 발생용 전극을 갖는 정전척에 있어서,
    상기 정전 발생용 전극의 지름과 상기 하부 절연체의 지름이 동일하고, 상기 정전 발생용 전극의 표면의 높이와 상기 하부 전극의 주변부 상에 형성된 코팅층의 표면의 높이가 서로 동일하며, 상기 하부 전극은 소정의 폭만큼 소정의 높이로 주변부가 돌출되는 것을 특징으로 하는, 정전척.
  2. 제 1 항에 있어서,
    상기 소정의 높이는 10~100um 범위에 있는 것을 특징으로 하는, 정전척.
  3. 제 1 항에 있어서,
    상기 소정의 폭은 3~5mm 범위에 있는 것을 특징으로 하는, 정전척.
  4. 제 1 항에 있어서,
    상기 하부 절연체와 상기 상부 절연체는 동일하거나 유사한 재질인 것을 특징으로 하는, 정전척.
  5. 제 1 항에 있어서,
    상기 상부 절연체의 지름은 처리될 기판의 지름과 실질적으로 동일한 것을 특징으로 하는, 정전척.
  6. 제 1 항에 있어서,
    상기 상부 절연체 및 상기 하부 절연체의 비저항은 1010~1020Ωㆍcm의 범위에 있는 것을 특징으로 하는, 정전척.
  7. 제 1 항에 있어서,
    상기 상부 절연체 및 상기 하부 절연체의 절연 파괴 강도는 4~300V/um의 범위에 있는 것을 특징으로 하는, 정전척.
  8. 제 1 항 내지 제 7 항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 하부 전극과 정전척 시트의 주변에 형성된 내식성 및 내산화성이 우수한 물질막을 더 포함하는 것을 특징으로 하는, 정전척
  9. 제 8 항에 있어서,
    상기 하부 전극의 상면과 상기 내식성 및 내산화성이 우수한 물질막은 산화법 또는 용사 코팅법으로 형성되는 것을 특징으로 하는, 정전척.
KR1020030000517A 2003-01-06 2003-01-06 웨이퍼 주변을 보호하는 반도체 장비용 정전척 KR100912003B1 (ko)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020030000517A KR100912003B1 (ko) 2003-01-06 2003-01-06 웨이퍼 주변을 보호하는 반도체 장비용 정전척

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020030000517A KR100912003B1 (ko) 2003-01-06 2003-01-06 웨이퍼 주변을 보호하는 반도체 장비용 정전척

Publications (2)

Publication Number Publication Date
KR20040063195A true KR20040063195A (ko) 2004-07-14
KR100912003B1 KR100912003B1 (ko) 2009-08-14

Family

ID=37354135

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020030000517A KR100912003B1 (ko) 2003-01-06 2003-01-06 웨이퍼 주변을 보호하는 반도체 장비용 정전척

Country Status (1)

Country Link
KR (1) KR100912003B1 (ko)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20170056650A (ko) * 2014-09-19 2017-05-23 어플라이드 머티어리얼스, 인코포레이티드 플라즈마 다이싱을 위한 근접 접촉 커버 링

Family Cites Families (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
TW334609B (en) * 1996-09-19 1998-06-21 Hitachi Ltd Electrostatic chuck, method and device for processing sanyle use the same
JPH10125769A (ja) 1996-10-21 1998-05-15 Matsushita Electron Corp 静電チャック電極構造
KR20010091088A (ko) * 2000-03-13 2001-10-23 윤종용 정전 척
JP4753460B2 (ja) * 2000-08-16 2011-08-24 株式会社クリエイティブ テクノロジー 静電チャック及びその製造方法

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20170056650A (ko) * 2014-09-19 2017-05-23 어플라이드 머티어리얼스, 인코포레이티드 플라즈마 다이싱을 위한 근접 접촉 커버 링

Also Published As

Publication number Publication date
KR100912003B1 (ko) 2009-08-14

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR102335248B1 (ko) 플라즈마 프로세싱 챔버 내의 엘라스토머 시일의 수명을 연장시키는 크기로 형성된 에지 링
JP6173313B2 (ja) ウエハ背面のプラズマ支援デチャックを備えた静電チャック
JP4468194B2 (ja) プラズマ処理方法およびプラズマ処理装置
RU2237314C2 (ru) Камера плазменной обработки и способ обработки полупроводниковой подложки в такой камере
CN100474521C (zh) 温控热边缘环组件，包含该组件的装置及其用途
KR100294064B1 (ko) 정전척용 실드
JP5313211B2 (ja) フォーカスリング及びプラズマ処理装置
US5946184A (en) Electrostatic chuck, and method of and apparatus for processing sample
KR100398817B1 (ko) 정전척을위한장벽실링
CN107578976B (zh) 具有可拆卸式气体分配板的喷淋头
KR100803253B1 (ko) 결합 전극을 구비한 플라즈마 챔버 지지 부재
KR100307688B1 (ko) 개선된 내식성을 가지는 정전기 척
US6795292B2 (en) Apparatus for regulating temperature of a process kit in a semiconductor wafer-processing chamber
US5847918A (en) Electrostatic clamping method and apparatus for dielectric workpieces in vacuum processors
US6022418A (en) Vacuum processing method
US5528451A (en) Erosion resistant electrostatic chuck
KR100188455B1 (ko) 드라이 에칭방법
KR20210033541A (ko) 프로세싱 챔버들을 위한 코팅 재료
KR100912003B1 (ko) 웨이퍼 주변을 보호하는 반도체 장비용 정전척
JP4456218B2 (ja) プラズマ処理装置
JP3231202B2 (ja) プラズマ処理装置
KR100398818B1 (ko) 정전척을보호하기위한방법
JP2008235735A (ja) 静電チャック及びこれを備えたプラズマ処理装置
JP4602528B2 (ja) プラズマ処理装置
JP5103049B2 (ja) ウエハ載置用電極

Legal Events

Date Code Title Description
N231 Notification of change of applicant
A201 Request for examination
E902 Notification of reason for refusal
E701 Decision to grant or registration of patent right
GRNT Written decision to grant
FPAY Annual fee payment

Payment date: 20130607

Year of fee payment: 5

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20140605

Year of fee payment: 6

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20150604

Year of fee payment: 7

LAPS Lapse due to unpaid annual fee