KR20040059079A

KR20040059079A - 내저온 칩핑성이 우수한 Ｚｎ-Ｎｉ 전기 합금도금 강판의제조방법

Info

Publication number: KR20040059079A
Application number: KR1020020085609A
Authority: KR
Inventors: 김형태
Original assignee: 주식회사 포스코
Priority date: 2002-12-27
Filing date: 2002-12-27
Publication date: 2004-07-05
Also published as: KR100494095B1

Abstract

본 발명은 자동차 차체외판 등에 이용되는 Zn－Ni 전기 합금도금 강판의 제조하는 방법에 관한 것이다.

본 발명에 의하면, 아노드, 아노드 브릿지, 전도롤 및 도금조가 각각 구비되어 있는 복수의 Zn－Ni 도금셀을 이용하여 Zn－Ni 전기 합금 도금 강판을 제조하는 방법에 있어서,

강판의 이동방향으로 볼때 입측 제1번 도금셀의 아노드로서 Ni 아노드를 사용하고; 그리고 제1번 도금셀의 총 전류량을 제2번 도금셀이후의 각 도금셀의 총 전류량보다 1~7 % 높게 하여 내저온 칩핑성이 우수한 Zn－Ni 전기 합금 도금 강판을 제조하는 방법이 제공된다.

본 발명은 도금층중의 Ni 함량의 조정이 가능하므로 도금층 중의 Ni 함량의 균일성이 우수할 뿐만 아니라 내저온 칩핑성도 우수한 Zn－Ni 전기 합금 도금 강판을 보다 경제적으로 제조할 수 있는 효과가 있는 것이다.

Description

내저온 칩핑성이 우수한 Ｚｎ-Ｎｉ전기 합금도금 강판의 제조방법{Method for Manufacturing Zinc-Nickel Alloy Plating Steel Sheet Having Superior Low Temperature Chipping Resistance}

본 발명은 자동차 차체외판 등에 이용되는 Zn－Ni 전기 합금도금 강판의 제조

방법에 관한 것으로서, 보다 상세하게는, Ni 함량 조정이 가능하고 내저온 칩핑성이 우수한 Zn－Ni 전기 합금 도금 강판의 제조 방법에 관한 것이다.

Zn－Ni 전기 합금 도금 강판은 내식성이 우수한 도금 강판으로서 자동차 차체외판 등에 널리 이용되고 있다.

상기한 Zn－Ni 전기 합금 도금 강판을 자동차 차체외판에 이용하는 경우에는 도금층의 박리에 의한 소지금속의 노출을 방지하기 위하여 그 표면을 도장하는 공정이 행해지고 있다.

그러나, Zn－Ni 전기 합금 도금 강판의 표면을 도장처리하더라도 자동차 주행시에 날아오는 모래, 쇠조각, 비석과 차체 접촉등에 의한 충격에 의해서 도장층의 박리와 동시에 도금층의 박리(이하, "칩핑현상"이라고도 칭함)가 일어나 강 소지가 노출되게 된다.

상기한 칩핑현상은 특히 저온의 상태에서 현저하며, 예를 들면, 한냉지의 동기에

잘 일어난다.

상기한 Zn－Ni 전기 합금 도금 강판의 내저온 칩핑성을 개선하기 위한 방법이 일본 특개 2002-129376호에 개시되어 있다.

즉, 상기 일본 특개 2002-129376호에는 복수의 Zn－Ni 도금조를 이용하여 강판에 여러 번 Zn－Ni 합금 전기 도금을 하는 Zn－Ni 전기 합금도금 강판의 제조 방법에 있어서, 강판 입측 제 1번 도금셀의 Zn－Ni 도금욕의 Ni 농도를, 제 2번 도금셀 이후의 Zn－Ni 도금욕의 Ni 농도보다도 크게 하여 내저온 칩핑성이 우수한 Zn－Ni 전기 합금 도금 강판을 제조하는 방법이 제시되어 있다.

그러나, 상기한 방법은 복수의 Zn-Ni 도금조에서 입측 1번 도금셀 Ni 농도와 2번 도금셀 이후의 Ni농도와 전류 밀도를 구분하여 1번 도금셀만 Ni농도와 전류 밀도를 크게 함으로써 도금강판 소재에 최초 부착되는 도금층에 Ni 함량을 크게 할 수는 있으나 1번 도금셀에서 부착된 도금층 중에서 Ni 함량을 균일하게 하는 것은 사실

상 어렵다는 문제점이 있다.

또한, 1번 도금셀 농도가 2번 도금셀 이후보다 높기 때문에 용액 공급 시스템을 이원화 하여 설치 및 관리해야 하므로 비용이 많이 소요되며 특히 1번 도금셀에서 지나친 Ni용액 농도상승은 도금층의 파우더링을 발생시킬 수 있다는 문제점이 있다.

본 발명은 상기한 종래 기술의 제반 문제점을 해결하기 위하여 연구 및 실험을 행하고, 그 결과에 근거하여 본 발명을 제안하게 된 것으로서, 본 발명은 도금층중의 Ni 함량의 조정이 가능하므로 도금층 중의 Ni 함량의 균일성이 우수할 뿐만 아니라 내저온 칩핑성도 우수한 Zn－Ni 전기 합금 도금 강판을 보다 경제적으로 제조할 수 있는 Zn－Ni 합금 전기 도금 강판의 제조방법을 제공하고자 하는데, 그 목적이 있다.

도 1은 본 발명을 구현하기 위한 바람직한 Zn－Ni 전기 합금도금 설비의 일례를 나타내는 개략도

* 도면의 주요부분에 대한 부호의 설명 *

1 . . . 전도롤 2 . . . 도금강판 4 . . . 도금셀 5 . . . 아노드 6 . . . 아노드 브릿지 7 . . . 전류공급장치

이하, 본 발명에 대하여 설명한다.

본 발명은 아노드, 아노드 브릿지, 전도롤 및 도금조가 각각 구비되어 있는 복수의 Zn－Ni 도금셀을 이용하여 Zn－Ni 전기 합금 도금 강판을 제조하는 방법에 있어서,

강판의 이동방향으로 볼때 입측 제1번 도금셀의 아노드로서 Ni 아노드를 사용하고; 그리고 제1번 도금셀의 총 전류량을 제2번 도금셀이후의 각 도금셀의 총 전류량보다 1~7 % 높게 하여 내저온 칩핑성이 우수한 Zn－Ni 전기 합금 도금 강판을 제조하는 방법에 관한 것이다.

이하, 본 발명에 대하여 상세히 설명한다.

본 발명은 아노드, 아노드 브릿지, 전도롤 및 도금조가 각각 구비되어 있는 복수의 Zn－Ni 도금셀을 이용하여 Zn－Ni 전기 합금 도금 강판을 제조하는 방법에 적용된다.

본 발명을 구현하기 위한 Zn－Ni 전기 합금 도금설비의 일례가 도 1에 나타나 있다.

도 1에서 부호 1은 전도롤을, 부호 2는 굴절롤을, 부호 3은 도금강판을, 부호 4는 도금조를, 부호 5는 아노드를, 부호 6은 아노드 브릿지를, 부호 7은 전류공급장치를, 그리고 부호 8은 드립팬을 나타낸다.

본 발명에서는 도 1에 나타나 있는 도금장치(도금셀)가 복수개 배열되어 강판이 이 복수개의 도금장치를 거치면서 Zn－Ni 전기 합금 도금되는 방법에 적용되는 것이다.

여기서 사용되는 도금셀의 번호는 강판의 Zn－Ni 전기 합금 도금시 강판이 도금되는 순서에 따라 정해진 것이고, 제2번도금셀이후의 도금셀이란 제1번 도금셀을 제외한 도금셀 즉, 제2번도금셀 및 그 이후의 도금셀을 의미하는 것이다.

본 발명에 따라 내저온 칩핑성이 우수한 Zn－Ni 합금 전기 도금 강판을 제조하기 위해서는 제1번도금셀의 아노드로 Ni 아노드를 사용하여야 한다.

상기와 같이 제1번도금셀의 아노드로 Ni 아노드를 사용하는 이유는 도금욕중에

Ni을 공급하여 제1번 도금셀의 도금욕중의 Ni 농도가 제2번 도금셀이후의 도금셀의 도금욕중의 Ni 농도보다 높게 하기 위함이다.

본 발명에 따라 제1번도금셀의 아노드로 Ni 아노드를 사용하는 경우에는 제1번도금셀의 도금욕은 상대적으로 제2번 도금셀 이후의 도금욕보다 0 ~ 14.5%정도 Ni 농도가 높다.

또한, 본 발명에서는 입측 제1도금셀의 총 전류를 제2번 도금셀이후의 도금셀의 것 보다 1~7 % 크게 하여야 한다.

상기와 같이 제1번 도금셀의 총 전류를 제한한 이유는 제1번 도금셀의 총 전류가 제2번 도금셀이후의 도금셀의 것 보다 너무 크면 과전류에 의하여 도금층의 파우더링이 발생할 우려가 있고, 입측 제1번 도금셀의 총 전류와 제2번 도금셀이후의 도금셀의 것과의 차이가 너무 작으면 Ni의 초기 부착량이 너무 적어서 우수한 내저온 칩핑성을 확보할 수 없기 때문이다.

본 발명에서는 제1번 도금셀에서의 도금층중의 평균 Ni 함량은 10.5∼14.0g/㎡가 되도록하는 것이 보다 바람직하다.

상기한 평균 Ni 함유량이 10.5 g/㎡미만인 경우에는 도금 강판의 내식성이 저하하고, 평균 Ni 함유량이 14.0g/㎡를 초과하는 경우에는 도금 강판의 가공시에 도금 파우더링 발생할 가능성이 있다.

또한, 본 발명에 따라 Ni 함량이 보다 균일한 도금층을 얻기 위해서는 도금층중의 Ni 함량에 따라 제1번 도금셀에 공급되는 전류량을 적절히 제어한다.

제1번도금셀의 총 전류량을 제2번 도금셀이후의 도금셀 각각의 총 전류량보다 1~7 % 크게한 상태에서 제1번도금셀에서의 도금층중의 Ni 함량이 10.5g/㎡이하인 경우에는 1번 도금셀 브릿지(Bridge)를 통해 Ni 아노드에 인가된 총 전류량(30KA)에 대하여 72.4~67.5 %로 설정하고, 도금층중의 Ni 함량이 10.5∼11g/㎡인 경우에는 1번 도금셀 브릿지(Bridge)를 통해 Ni 아노드에 인가된 총 전류량(30KA)에 대하여 67.4∼62.5 %로 설정하고, 도금층중의 Ni 함량이 11∼11.5g/㎡ 인 경우에는 1번 도금셀 브릿지(Bridge)를 통해 Ni 아노드에 인가된 총 전류량(30KA)에 대하여 62.4~57.5 %로 설정하고, 도금층중의 Ni 함량이 11.5∼12g/㎡인 경우에는 1번 도금셀 브릿지(Bridge)를 통해 Ni 아노드에 인가된 총 전류량(30KA)에 대하여 57.4∼52.5%로 설정하고, 도금층중의 Ni 함량이 12∼12.5g/㎡인 경우에는 1번 도금셀 브릿지(Bridge)를 통해 Ni 아노드에 인가된 총 전류량(30KA)에 대하여 52.4~47.5 %로 설정하고, 도금층중의 Ni 함량이 12.5∼13g/㎡ 인 경우에는 1번 도금셀 브릿지(Bridge)를 통해 Ni 아노드에 인가된 총 전류량(30KA)에 대하여 47.4~42.5 %로 설정하고, 도금층중에 Ni 함량이 13∼13.5g/㎡인 경우에는 1번 도금셀 브릿지(Bridge)를 통해 Ni 아노드에 인가된 총 전류량(30KA)에 대하여 42.4~37.5 %로 설정하고, 그리고 도금층중의 Ni 함량이 13.5∼14g/㎡인 경우에는 1번 도금셀 브릿지(Bridge)를 통해 Ni 아노드에 인가된 총 전류량(30KA)에 대하여 37.4~32.5 %로 설정하는 것이 바람직하며, 상기와 같이 도금층중의 Ni 함량에 따라

Ni 아노드에 인가된 전류량을 변화시킴으로써 도금층중의 Ni 함량을 균일화 시킬 수 있다.

상기한 도금층중의 Ni 함량은 코팅메타(Coating Meter)등을 사용하여 측정할 수 있다.

상기와 같이 강판 입측 제1번 도금셀의 아노드로서 Ni 아노드를 사용하고, 제1번 도금셀의 총 전류를 제2번 도금셀 이후의 도금셀 각각의 총 전류 보다 1~7 % 크게하고 도금층중의 Ni 함량에 따라 Ni 아노드(Anode)에 인가되는 전류량을 적절히 가변시킴으로써 강판 소지와 도금층과의 계면에 있어서 초기 Ni 함유율을 높여 내저온 칩핑성을 개선함과 동시에 Ni 함량 조정이 가능하여 Ni 함량이 균일한 도금층을 얻을 수 있다.

본 발명에서는 입측 제1번 도금셀의 Zn－Ni 도금욕의 온도를, 상기 제2번 도금셀 이후의 Zn－Ni 도금욕의 온도보다도 높게 하는 것이 바람직하다.

상기 입측 제1번 도금셀의 Zn－Ni 도금욕의 온도는 65 ~ 72℃로 설정하고, 그리고 제2번 도금셀 이후의 Zn－Ni 도금욕의 온도는 58 ~ 64℃로 설정하는 것이 바람직하다.

상기와 같이 제1번 도금셀의 Zn－Ni 도금욕의 온도를 65 ~ 72℃ 범위로 설정하는 경우에는 강판 소지와 도금층과의 계면에 있어서 Ni 함유율을 높여, 내저온 칩핑성을 개선시케 된다.

상기 제1번 도금셀의 Zn－Ni 도금욕의 온도를가 65℃미만인 경우에는 강판 소지와 도금층과의 계면에 있어서 Ni 함유율을 높이는 것이 어렵고, 72℃를 초과하는 경우에는 전도롤의 경화가 쉽게 이루어 지는 경향이 있으며, 흄(Fume) 발생이 증가한다.

또한, 상기 제2번 도금셀 이후의 Zn－Ni 도금욕의 온도가 58℃미만인 경우에는 도금 박리와 흰색 줄무늬가 도금 표면에 발생되고, 도금층 중에 Ni 함량이 작아지는 경향이 있고, 또한 제2번 도금셀 이후의 Zn－Ni 도금욕의 온도가 64를 초과하는 경우에는 도금강판 에지(Edge)에 과도금 및 버닝(Burning)으로 강판의 프레스 성형시의 내 파우더 링성을 확보할 수 없다

본 발명에서는 입측 제1번 도금셀의 Zn－Ni 도금욕의 Ni 농도는 15~19.9g／l로 설정하고, 상기 제2번 도금셀이후의 Zn－Ni 도금욕의 Ni 농도는 11.5 ~ 14.5g／l로 설정하는 것이 바람직하다.

상기 제1번 도금셀의 Zn－Ni 도금욕의 Ni 농도가 15g／l 미만인 경우는 도금 강판의 초기 Ni 함량이 적어 내저온 칩핑성이 저하하고, Ni 농도가 19.9g／l를 초과하는 경우에는 도금 강판의 초기 Ni 함량이 필요 이상으로 많아지며 특히 프레스 성형시의 내 파우더 링성이 저하한다.

상기에 있어서 제1번 도금셀의 Zn－Ni 도금욕의 Ni은 NiCl₂용액투입으로 인하여 공급되는 Ni과 Ni 아노드에서 용해되어 공급되는 Ni로 포함한다.

본 발명에 있어서는, 강판 입측 제 1번 도금셀의 Zn－Ni 도금욕 및 제2번 도금셀 이후의 Zn－Ni도금욕으로는 염화 아연 및 염화 니켈을 함유하는 염화물계 도금욕을사용것이 바람직하다.

상기와 같이 도금욕으로서 염화물계 도금욕을 이용하는 것에 의해서, 저전류

밀도에서의 조업이 가능하게 되어 전력비의 삭감이 가능하게 될 뿐아니라, 본

발명에 있어서 도금 강판의 Ni 함량 조정이 가능하고 내저온 칩핑성의 향상 효과가

크기 때문이다.

본 발명을 적용하여 Zn－Ni 전기 합금 도금이 되는 면 측의 Zn－Ni 합금 전기

도금층에는 본 발명의 목적을 손상하지 않는 한, Zn와 Ni 이외에 Co 등의 다른 금속 성분을 함유하여도 좋고, 또 불가피적 불순물로서 Fe, Pb, Na, K, Ca, Sr, Al,Ti, Ir, Ta,Cd, Cu 등을 함유하고 있어도 좋다.

또한, 본 발명에 있어서는 강판에 여러 번 Zn－Ni 전기 합금도금을 하기 위한 본 발명에 있어서 복수의 Zn－Ni 도금조의 제 1번 도금셀 전 혹은 해당 제1번 도금셀에 이른바 푸리딥 처리와 강판 예비 처리를 위한 예비처리조 혹은 예비 처리부를 마련하여도 좋다.

또한, 본 발명에서 얻어지는 Zn－Ni 전기 합금도금 강판은, 특히, 크로메이트 처리 혹은 인산염화성 처리 유기피복등의 처리를 한 다음, 도장을 행하는 도장용 강판으로서 적합하게 이용할 수 있다.

또한, 본 발명에 있어서, 본 발명을 적용하여 Zn－Ni 전기 합금 도금이 되는 면의 반대측의 면에 있어서 Zn－Ni 합금 전기 도금 등의 도금의 유무 및 도금의 규정은 용도에 따라서 적당히 정할 수 있다.

이하, 실시예를 통하여 본 발명을 보다 구체적으로 설명한다.

(실시예 1)

냉연 강대를 탈지 및 산세한 다음, 제1번 도금셀의 도금액 및 도금조건을 하기 표1과 같이 하고 제2번 도금셀에서 제8번 도금셀까지의 도금액 및 도금조건을 하기 표 2와 같이 하여 Zn－Ni 전기 합금 도금을 행하였다.

이때, 강대 입측 제 1번 도금셀~ 제 4번 도금셀의 도금조에서는 도장측의 면의 Zn－Ni 합금 전기 도금을 행하고, 제 5번 도금셀~ 제8번 도금셀의 도금조에서는 비도장측의 면의 Zn－Ni 전기 합금 도금을 행하였다.

상기와 같이 Zn－Ni 전기 합금 도금을 행한 다음, 도금층중의 Ni함유량 및 도금부착량과 칩핑지수를 조사하고, 그 결과를 하가 표 3에 나타내었다.

하기 표 3에서의 칩핑지수는 다음과 같이 얻어진 값이다.

상기와 같아 도금된 Zn－Ni 전기 합금 도금 강판의 시험편의 도장측의 강판 도금면에, 스프레이 탈지 → 인산염 화성 처리 →카치온 전착 도장 →중도 도장 →상도도장의 공정으로 3 코트 도장을 하였다.

다음에, 상기에서 얻어진 도장 강판의 시험편 (65mm W *150mm L)을 －20℃로

냉각하여, 도장면에 대해서, 공업용 다이아몬드를 숏 스피드 ：170km ／h로 투영한 다음, 도막 박리 면적을 측정하였다.

상기 시험에 있어서는, 공업용 다이아 몬드를, 시험편 도장면의 폭 방향 3 개소에 각 5 회 투영하여, 도막 박리 면적의 평균치를 구하고 이를 칩핑 지수로 하였다.

실시예 No.	제1번 도금셀
	도금용액조성(g/l)	용액PH	아노드성분	도금욕온도(℃)	Ni함유량(g/㎡)	전류량(KA)%
	ZnCl₂	용액PH	아노드성분	도금욕온도(℃)	Ni함유량(g/㎡)	전류량(KA)%	NiCl₂	KCl
발명예 1	80	15.0	270	3.2	Ni	65	10.5	(30KA)70
발명예 2	80	15.3	270	3.2	Ni	66	11.1	(30KA)64
발명예 3	80	15.8	270	3.2	Ni	68	11.9	(30KA)50
발명예 4	80	16.4	270	3.2	Ni	68	12.3	(30KA)56
발명예 5	80	17.6	270	3.2	Ni	69	12.3	(30KA)51
발명예 6	80	18.2	270	3.2	Ni	70	12.8	(30KA)46
발명예 7	80	19.3	270	3.2	Ni	71	13.1	(30KA)44
발명예 8	80	19.9	270	3.2	Ni	72	13.5	(30KA)40
종래예 1	80	12.5	270	3.2	Zn	61	10.3	(30KA)52
종래예 2	80	13.5	270	3.2	Zn	61	11.2	(30KA)52
비교예 1	80	7	270	3.2	Ni	58	9.4	(30KA)10
비교예 2	80	9	270	3.2	Ni	60	10.2	(30KA)20
비교예 3	80	24	270	3.2	Ni	75	18.8	(30KA)70

실시예 No.	제2번도금셀 ∼제8번 도금셀
	도금용액조성(g/l)	용액PH	아노드성분	도금욕온도(℃)	Ni함유량(g/㎡)	전류량(KA)%
	ZnCl₂	용액PH	아노드성분	도금욕온도(℃)	Ni함유량(g/㎡)	전류량(KA)%	NiCl₂	KCl
발명예 1	80	12.5	270	3.2	Zn	61	10.5	(28KA)52
발명예 2	80	12.5	270	3.2	Zn	61	11.1	(28KA)52
발명예 3	80	12.5	270	3.2	Zn	61	11.9	(28KA)52
발명예 4	80	12.5	270	3.2	Zn	61	12.3	(28KA)52
발명예 5	80	12.5	270	3.2	Zn	61	12.3	(28KA)52
발명예 6	80	12.5	270	3.2	Zn	61	12.8	(28KA)52
발명예 7	80	12.5	270	3.2	Zn	61	13.1	(28KA)52
발명예 8	80	12.5	270	3.2	Zn	61	13.5	(28KA)52
종래예 1	80	12.5	270	3.2	Zn	61	10.3	(28KA)52
종래예 2	100	13.2	270	3.2	Zn	61	11.2	(28KA)52
비교예 1	78	11.5	270	3.2	Zn	61	9.4	(28KA)52
비교예 2	80	12.5	270	3.2	Zn	61	10.2	(28KA)52
비교예 3	84	13.5	270	3.2	Zn	61	18.8	(28KA)52

실시예 No.	Zn-Ni 전기 합금도금강판	도장강판
	도금층	칩핑지수(도막박리면적)(mm²)
	Ni함유량(g/㎡)	칩핑지수(도막박리면적)(mm²)	도금 부착량(g/㎡)
발명예 1	11.9	15	2.98
발명예 2	12.0	20	2.51
발명예 3	12.3	25	2.53
발명예 4	12.5	30	2.48
발명예 5	12.5	30	2.45
발명예 6	12.4	30	2.24
발명예 7	12.9	35	2.02
발명예 8	12.6	30	1.98
종래예 1	10.3	30	3.42
종래예 2	11.2	30	2.84
비교예 1	9.4	15	5.42
비교예 2	10.2	20	4.78
비교예 3	18.8	30	2.31

상기 표 3에서 Ni 함유량은 도장측 도금층의 평균 Ni 함유량을 나타내고, 그리고 도금 부착량은 도장측 도금층의 총 도금 부착량을 나타낸다.

상기 표 3에 나타난 바와 같이, 본 발명에 부합되는 발명예(1-8)의 경우가 본 발명을 벗어나는 비교예(1-3) 및 종래예(1및2) 보다 칩핑지수가 낮게 나타남을 알 수 잇는데, 이는 본 발명에 의하면 내저온 칩핑성이 개성됨을 의미하는 것이다.

상술한 바와 같이, 본 발명은 도금층중의 Ni 함량의 조정이 가능하므로 도금층 중의 Ni 함량의 균일성이 우수할 뿐만 아니라 내저온 칩핑성도 우수한 Zn－Ni 전기 합금 도금 강판을 보다 경제적으로 제조할 수 있는 효과가 있는 것이다.

Claims

아노드, 아노드 브릿지, 전도롤 및 도금조가 각각 구비되어 있는 복수의 Zn－Ni 도금셀을 이용하여 Zn－Ni 전기 합금 도금 강판을 제조하는 방법에 있어서,

강판의 이동방향으로 볼때 입측 제1번 도금셀의 아노드로서 Ni 아노드를 사용하고; 그리고 제1번 도금셀의 총 전류량을 제2번 도금셀이후의 각 도금셀의 총 전류량보다 1~7 % 높게 하는 것을 특징으로 하는 내저온 칩핑성이 우수한 Zn－Ni 전기 합금 도금 강판의 제조방법
제1항에 있어서, 제1번 도금셀에서의 도금층중의 평균 Ni 함량이 10.5∼14.0g/㎡가 되도록 하는 것을 특징으로 하는 내저온 칩핑성이 우수한 Zn－Ni 전기 합금 도금 강판의 제조방법
제1항 또는 제2항에 있어서, 제1번도금셀에서의 도금층중의 Ni 함량이 10.5g/㎡이하인 경우에는 1 번 도금셀 브릿지(Bridge)를 통해 Ni 아노드에 인가된 총 전류량(30KA)에 대하여 72.4~67.5 %로 설정하고, 도금층중의 Ni 함량이 10.5∼11g/㎡인 경우에는 1번 도금셀 브릿지(Bridge)를 통해 Ni 아노드에 인가된 총 전류량(30KA)에 대하여 67.4∼62.5 %로 설정하고, 도금층중의 Ni 함량이 11∼11.5g/㎡ 인 경우에는 1번 도금셀 브릿지(Bridge)를 통해 Ni 아노드에 인가된 총 전류량(30KA)에 대하여 62.4~57.5 %로 설정하고, 도금층중의 Ni 함량이 11.5∼12g/㎡인 경우에는 1번 도금셀 브릿지(Bridge)를 통해 Ni 아노드에 인가된 총 전류량(30KA)에 대하여 57.4∼52.5%로 설정하고, 도금층중의 Ni 함량이 12∼12.5g/㎡인 경우에는 1번 도금셀 브릿지(Bridge)를 통해 Ni 아노드에 인가된 총 전류량(30KA)에 대하여 52.4~47.5 %로 설정하고, 도금층중의 Ni 함량이 12.5∼13g/㎡ 인 경우에는 1번 도금셀 브릿지(Bridge)를 통해 Ni 아노드에 인가된 총 전류량(30KA)에 대하여 47.4~42.5 %로 설정하고, 도금층중에 Ni 함량이 13∼13.5g/㎡인 경우에는 1번 도금셀 브릿지(Bridge)를 통해 Ni 아노드에 인가된 총 전류량(30KA)에 대하여 42.4~37.5 %로 설정하고, 그리고 도금층중의 Ni 함량이 13.5∼14g/㎡인 경우에는 1번 도금셀 브릿지(Bridge)를 통해 Ni 아노드에 인가된 총 전류량(30KA)에 대하여 37.4~32.5 %로 설정하는 것을 특징으로 하는 내저온 칩핑성이 우수한 Zn－Ni 전기 합금 도금 강판의 제조방법
제1항 또는 제2항에 있어서, 상기 입측 제1번 도금셀의 Zn－Ni 도금욕의 온도는 65 ~ 72℃로 설정하고, 그리고 제2번 도금셀 이후의 Zn－Ni 도금욕의 온도는 58 ~ 64℃로 설정하는 것을 특징으로 하는 내저온 칩핑성이 우수한 Zn－Ni 전기 합금 도금 강판의 제조방법
제3항에 있어서, 상기 입측 제1번 도금셀의 Zn－Ni 도금욕의 온도는 65 ~ 72℃로 설정하고, 그리고 제2번 도금셀 이후의 Zn－Ni 도금욕의 온도는 58 ~ 64℃로 설정하는 것을 특징으로 하는 내저온 칩핑성이 우수한 Zn－Ni 전기 합금 도금 강판의제조방법
제1항 또는 제2항에 있어서, 입측 제1번 도금셀의 Zn－Ni 도금욕의 Ni 농도는 15~19.9g／l로 설정하고, 상기 제2번 도금셀이후의 Zn－Ni 도금욕의 Ni 농도는 11.5 ~ 14.5g／l로 설정하는 것을 특징으로 하는 내저온 칩핑성이 우수한 Zn－Ni 전기 합금 도금 강판의 제조방법
제3항에 있어서, 입측 제1번 도금셀의 Zn－Ni 도금욕의 Ni 농도는 15~19.9g／l로 설정하고, 상기 제2번 도금셀이후의 Zn－Ni 도금욕의 Ni 농도는 11.5 ~ 14.5g／l로 설정하는 것을 특징으로 하는 내저온 칩핑성이 우수한 Zn－Ni 전기 합금 도금 강판의 제조방법
제4항에 있어서, 입측 제1번 도금셀의 Zn－Ni 도금욕의 Ni 농도는 15~19.9g／l로 설정하고, 상기 제2번 도금셀이후의 Zn－Ni 도금욕의 Ni 농도는 11.5 ~ 14.5g／l로 설정하는 것을 특징으로 하는 내저온 칩핑성이 우수한 Zn－Ni 전기 합금 도금 강판의 제조방법
제5항에 있어서, 입측 제1번 도금셀의 Zn－Ni 도금욕의 Ni 농도는 15~19.9g／l로 설정하고, 상기 제2번 도금셀이후의 Zn－Ni 도금욕의 Ni 농도는 11.5 ~ 14.5g／l로 설정하는 것을 특징으로 하는 내저온 칩핑성이 우수한 Zn－Ni 전기 합금 도금 강판의 제조방법