KR20040057670A

KR20040057670A - 실리콘웨이퍼의 표면 연삭 장치

Info

Publication number: KR20040057670A
Application number: KR1020020084447A
Authority: KR
Inventors: 공순현
Original assignee: 주식회사 실트론
Priority date: 2002-12-26
Filing date: 2002-12-26
Publication date: 2004-07-02

Abstract

본 발명은 실리콘 단결정 잉곳을 절단(Slicing) 공정에 의하여 실리콘웨이퍼의 형상으로 제조한 후, 실리콘웨이퍼 표면의 일정 두께를 연삭(Grinding)시키는 실리콘웨이퍼의 표면 연삭 장치에 관한 것이다.

이를 위한 본 발명인 실리콘웨이퍼의 표면 연삭 장치는 실리콘웨이퍼를 고정시키고 회전하는 웨이퍼 척과, 상기 웨이퍼 척에 고정된 실리콘웨이퍼의 상부 공간에서 승강 및 회전하는 연삭휠과, 상기 연삭휠의 하부면의 가장 자리 부분에 설치된 연삭 투스(Tooth)와, 상기 실리콘웨이퍼의 연삭면에 초순수를 분사하는 초순수 분사 장치를 포함하는 실리콘웨이퍼의 표면 연삭 장치에 있어서, 상기 연삭 투스(Tooth)는 그 중심선(Lc)이 상기 연삭휠 하부면의 가장 자리 부분에 상기 연삭 투스가 설치되는 연삭 투스 설치 원주(C)의 접선(Lt)과 일정한 각도(θ)를 가지도록 설치되고, 상기 각 연삭 투스는 일정한 간격을 유지하도록 설치된 것이 특징이다.

Description

실리콘웨이퍼의 표면 연삭 장치{A grinding device of a silicon wafer surface}

종래의 실리콘웨이퍼의 표면 연삭 장치는, 도 1a 및 도 1b에 도시된 바와 같이, 실리콘웨이퍼를 고정시키고 회전하는 웨이퍼 척(10)과, 웨이퍼 척(10)에 고정된 실리콘웨이퍼(W)의 상부 공간에서 승강 및 회전하는 연삭휠(20)과, 연삭휠(20)의 하부면의 가장 자리 부분에 설치된 연삭 투스(T)와, 실리콘웨이퍼(W)의 연삭면에 초순수를 분사하는 초순수 분사 장치를 포함한다.

그리고, 일반적으로 초순수 분사 장치는 연삭 장치의 측벽부에 설치되어 연삭 투스(T)의 외부면으로 초순수(DI)를 분사시키는 외부 분사 노즐(31)과, 연삭휠(20)의 하부면에서 연삭 투스(T)가 설치된 연삭 투스 설치 원주(C)의 내부에 설치되어 연삭 투스(T)의 내부면으로 초순수(DI)를 분사시키는 내부 분사 노즐(32)을 포함하여 이루어진다.

따라서, 실리콘웨이퍼(W)를 웨이퍼 척(10)의 상부에 고정시키고, 연삭휠(20)을 하강시켜 연삭 투스(T)를 실리콘웨이퍼(W)의 표면과 접하게 한 후, 웨이퍼 척(10)과 연삭휠(20)을 회전시킴으로서 연삭 투스(T)에 의하여 실리콘웨이퍼(W)의 표면이 연삭 되도록 하는 것이다. 이 때, 외부 분사 노즐(31)과 내부 분사 노즐(32)을 이용하여 실리콘웨이퍼(W)의 연삭면에 초순수(DI)를 분사함으로서, 실리콘웨이퍼(W) 표면의 연삭 중에 냉각 및 세정이 이루어지도록 한다.

그러나, 종래의 실리콘웨이퍼의 표면 연삭 장치는, 도 1b에 도시된 바와 같이, 연삭휠(20)의 하부면에 연삭 투스(T)가 설치되는 연삭 투스 설치 원주(C)의 접선(Lt)과 연삭 투스(T)의 중심선(Lc)이 일치되도록 하고, 각 연삭 투스(T)간에 초순수가 통과할 수 있도록 일정 간격 이격되도록 연삭 투스(T)를 설치하였다.

이에 따라 실리콘웨이퍼의 연마 공정 진행 시, 실리콘웨이퍼(W) 표면에서 연마되는면적이 연삭 투스(T)의 폭과 동일하게 제한 된 상태에서 연삭이 이루어지고, 연삭휠(20)의 고속 회전에 따라 연삭 투스(T) 사이의 간격으로 초순수(DI)가 통과하는데 제한이 따르므로, 연삭 공정에 장시간이 소요되며, 실리콘웨이퍼(W) 연삭면의 표면 거칠기가 악화되는 문제점이 있었던 것이다.

본 발명은 실리콘웨이퍼 표면의 연삭 능률을 향상시키고, 실리콘웨이퍼 연삭면의 표면 거칠기를 향상시키는 실리콘웨이퍼의 표면 연삭 장치를 제공하려는 것이다.

도 1a는 종래의 실리콘웨이퍼 표면 연삭 장치의 개략적인 정단면도.

도 1b는 종래의 연삭휠의 하면도.

도 2a는 본 발명인 실리콘웨이퍼 표면 연삭 장치의 개략적인 정단면도.

도 2b는 본 발명의 연삭휠의 하면도.

* 도면의 주요부분에 대한 부호 설명 *

10 : 웨이퍼 척 W : 실리콘웨이퍼

20 : 연삭휠 T : 연삭 투스(tooth)

C : 연삭 투스 설치 원주 Lc : 연삭 투스의 중심선

Lt : 연삭 투스 설치 원주의 접선

이하, 본 발명의 실시예에 대하여 상세히 설명한다.

본 발명은, 도 2a에 도시된 바와 같이, 실리콘웨이퍼(W)를 고정시키고 회전하는 웨이퍼 척(10)과, 웨이퍼 척(10)에 고정된 실리콘웨이퍼(W)의 상부 공간에서 승강 및 회전하는 연삭휠(20)과, 연삭휠(20)의 하부면의 가장 자리 부분에 설치된 연삭 투스(T)와, 실리콘웨이퍼(W)의 연삭면에 초순수를 분사하는 초순수 분사 장치를 포함하는 실리콘웨이퍼의 표면 연삭 장치에 있어서, 도 2b에 도시된 바와 같이, 연삭휠(10)의 하부면에 설치되는 연삭 투스(T)는 그 중심선(Lc)이 연삭휠(20) 하부면의 가장 자리 부분에 연삭 투스(T)가 설치되는 연삭 투스 설치 원주(C)의 접선(Lt)과 일정한 각도(θ)를 가지도록 설치되고, 각 연삭 투스(T)는 일정한 간격을 유지하도록 설치된다.

그리고, 상기 초순수 분사 장치는 연삭 장치의 측벽부에 설치되어 연삭 투스(T)의 외부면으로 초순수를 분사시키는 외부 분사 노즐(31)과, 연삭휠(20)의 하부면에서 연삭 투스(T)가 설치된 연삭 투스 설치 원주(C)의 내부에 설치되어 연삭 투스(T)의 내부면으로 초순수를 분사시키는 내부 분사 노즐(32)을 포함하여 이루어진다.

따라서, 연삭 투스(T)가 연삭휠(20) 하부면 가장 자리 부분의 연삭 투스 설치 원주(C)와 그 중심선(Lc)이 일정한 각도(θ)를 가지도록 설치되고, 각 연삭 투스(T)가 일정 거리 이격된 상태로 설치됨으로서, 연삭 투스(T)에 의한 실리콘웨이퍼(W) 표면의 연삭 면적의 증가로 실리콘웨이퍼(W)의 연삭 능률이 향상된다.

또, 연삭 가공 중에 연삭휠(20)이 고속으로 회전하더라도 외부 분사 노즐(31)과 내부 분사 노즐(32)에 의하여 분사되는 초순수(DI)가 각 연삭 투스(T) 사이의 일정 간격의 사이를 잘 통과하게 됨으로서, 연삭면의 냉각 및 세정이 잘 이루어져 실리콘웨이퍼(W)의 표면 거칠기가 향상된다.

이상에서 본 발명의 바람직한 실시예에 대하여 상세하게 설명하였지만 본 발명의 권리 범위는 상술한 실시예에 한정되지 않으며, 청구범위에서 정의하고 있는 본 발명의 기본 개념을 이용한 당업자의 여러 변형 및 개량 형태 또한 본 발명의 권리 범위에 속하는 것이다.

본 발명은 실리콘웨이퍼 표면의 연삭 능률을 향상시키고, 실리콘웨이퍼 연삭면의 표면 거칠기를 향상시킨 실리콘웨이퍼의 표면 연삭 장치를 제공하였다.

Claims

실리콘웨이퍼를 고정시키고 회전하는 웨이퍼 척과, 상기 웨이퍼 척에 고정된 실리콘웨이퍼의 상부 공간에서 승강 및 회전하는 연삭휠과, 상기 연삭휠의 하부면의 가장 자리 부분에 설치된 연삭 투스(Tooth)와, 상기 실리콘웨이퍼의 연삭면에 초순수를 분사하는 초순수 분사 장치를 포함하는 실리콘웨이퍼의 표면 연삭 장치에 있어서,

상기 연삭 투스(Tooth)는 그 중심선(Lc)이 상기 연삭휠 하부면의 가장 자리 부분에 상기 연삭 투스가 설치되는 연삭 투스 설치 원주(C)의 접선(Lt)과 일정한 각도(θ)를 가지도록 설치되고, 상기 각 연삭 투스는 일정한 간격을 유지하도록 설치된 것이 특징인 실리콘웨이퍼의 표면 연삭(grinding) 장치.