KR20040046885A - Chip electrode and probe needle alignment method for wafer prober - Google Patents
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Abstract
본 발명은 반도체 웨이퍼 검사장치의 칩 전극 및 프로브 침 얼라인먼트 방법에 관한 것으로, 반도체 칩 상에 마련된 전극 및 프로브침과의 컨택정보를 리딩하는 단계와; 그 컨택정보를 전달받은 제어부에서 각 컨택위치에 대한 거리 평균차를 산출하는 단계와; 그 산출된 값을 기준으로 구동스테이지로 위치보정신호를 출력하는 단계; 및 구동스테이지 구동에 따른 웨이퍼 전극의 위치를 자동 보정하는 단계를 포함하고, 상기 컨택정보 리딩단계에서 칩의 4모서리부근에 마련된 4개소의 전극에 대한 컨택정보를 리딩한다.The present invention relates to a chip electrode and probe needle alignment method of a semiconductor wafer inspection apparatus, comprising: reading contact information between an electrode and a probe needle provided on a semiconductor chip; Calculating a distance average difference for each contact location by the control unit receiving the contact information; Outputting a position correction signal to the drive stage based on the calculated value; And automatically correcting a position of the wafer electrode according to driving of the driving stage, and reading contact information of four electrodes provided near four corners of the chip in the contact information reading step.
상술한 바와 같이 함에 따라 칩 전극 및 프로브침과의 자동 위치정렬이 가능하여 그 접촉성을 향상시킴과 아울러 4개소의 전극에 대한 컨택정보를 리딩하여 그 평균치를 산출하는 것에 의하여 그 위치 보정값을 산출함에 따라 얼라인먼트 수행 과정을 보다 간략하게 할 수 있는 이점이 있다.As described above, the automatic position alignment between the chip electrode and the probe needle is possible to improve the contactability, and the position correction value is calculated by reading the contact information of the four electrodes and calculating the average value thereof. According to the calculation, there is an advantage of simplifying the alignment process.
Description
본 발명은 반도체 웨이퍼 검사장치에 관한 것으로서, 더욱 상세하게는 반도체 웨이퍼 검사장치용 칩 전극 및 프로브 침의 얼라인먼트 방법에 관한 것이다.The present invention relates to a semiconductor wafer inspection apparatus, and more particularly, to an alignment method of a chip electrode and a probe needle for a semiconductor wafer inspection apparatus.
일반적으로 웨이퍼 검사장치는 웨이퍼 칩에 대한 테스트와 함께 양·불양을 판정하는 장치의 하나로서, 이는 웨이퍼 칩의 전극을 직접 접촉 시켜 테스트하여 불량 칩을 조기에 제거함으로써 후속되는 패키징 및 패키징테스트 공정에 사용될 원자재 및 시간 기타의 손실을 절감하기 위한 공정 장비이다.In general, the wafer inspection device is one of the devices for determining good or bad along with the test of the wafer chip, which is performed by directly contacting the electrodes of the wafer chip to test and remove the defective chip early. Process equipment to reduce raw materials and time and other losses to be used.
상술한 웨이퍼 검사장치는 검사할 웨이퍼를 척 위에 이동 고정시키는 구동스테이지부와, 웨이퍼를 검사하기 위하여 웨이퍼와의 전기적 연결을 제공하고, 전기전 신호를 송수신하는 프로브카드와, 상기 프로브카드로부터 송·수신된 전기적 신호를 검사하여 각종 웨이퍼가 원하는 대로 제조되었는지 여부를 검사하기 위한 프로그램을 만들어 장착시킴으로써 각각의 웨이퍼에 맞는 검사를 가능하게 하는 테스터와, 프로브스테이션 등으로 구성된다.The above-described wafer inspection apparatus includes a drive stage unit for moving and fixing a wafer to be inspected on a chuck, an electrical connection with the wafer for inspecting the wafer, a probe card for transmitting and receiving electric signals, and a transmission / reception from the probe card. It is composed of a tester, probe station, and the like, which enable inspection for each wafer by making and mounting a program for inspecting whether or not various wafers are manufactured as desired by inspecting the received electrical signals.
상기 구동스테이지부에는 웨이퍼를 그 상면에 안착시키는 척과, 상기 척을 X,Y축 수평 이송시킴과 아울러 Z축으로 수직 이송시키고 소정의 방향으로 θ회전시키는 구동부로 구성된다.The drive stage portion includes a chuck for seating a wafer on its upper surface, and a drive portion for vertically transferring the chuck in the Z-axis and horizontally transferring the chuck in the Z-axis.
상술한 바와 같은 웨이퍼 검사장치는 상기 구동스테이지부의 척위에 테스트하고자 하는 웨이퍼를 고정시킨 후 상기 웨이퍼 상의 반도체 장치(칩)상에 형성된 전극부분을 상기 프로브카드의 프로브침과 접촉시킨 다음 상기 프로브침을 통하여 칩을 테스트하기 위하여 필요한 전기적 신호들을 전송하게 된다.In the wafer inspection apparatus as described above, after fixing the wafer to be tested on the chuck of the driving stage, the electrode portion formed on the semiconductor device (chip) on the wafer is brought into contact with the probe needle of the probe card, and then the probe needle is removed. It transmits the electrical signals needed to test the chip.
이때, 정확한 테스트를 위하여 프로브침과 전극은 아주 정확하게 접촉되어 야 한다.At this time, the probe needle and the electrode should be contacted very accurately for accurate test.
따라서, 본 발명은 상술한 문제점들을 해소시키기 위하여 안출된 것으로서, 본 발명의 목적은 프로브침과 칩 전극의 얼라인먼트 작업을 자동화로 진행함과 아울러 그 얼라인먼트 방법을 개선하여 얼라인먼트 작업성을 향상시킴과 아울러 프로브침과 칩 전극의 접촉성을 향상시키는 반도체 웨이퍼 검사장치용 칩 전극 및 프로브침 얼라인먼트 방법을 제공하는 데 있다.Accordingly, the present invention has been made to solve the above-described problems, the object of the present invention to improve the alignment workability by improving the alignment method as well as the automatic alignment of the probe needle and the chip electrode The present invention provides a chip electrode and a probe needle alignment method for a semiconductor wafer inspection device for improving the contact between the probe needle and the chip electrode.
상술한 목적을 달성하기 위하여 본 발명은 반도체 칩 상에 마련된 전극 및 프로브침과의 컨택(CONTACT)정보를 리딩(READING)하는 단계와; 그 컨택(CONTACT)정보를 전달받은 제어부에서 각 컨택(CONTACT)위치에 대한 거리 평균차를 산출하는 단계와; 그 산출된 값을 기준으로 구동스테이지로 위치보정신호를 출력하는 단계와; 구동스테이지 구동에 따른 웨이퍼 전극의 위치를 자동 보정하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 한다.In order to achieve the above object, the present invention includes the steps of: reading (CONTACT) information between the electrode and the probe needle provided on the semiconductor chip; Calculating a distance average difference with respect to each contact location in the control unit receiving the contact information; Outputting a position correction signal to the drive stage based on the calculated value; And automatically correcting the position of the wafer electrode according to the driving stage driving.
상기 컨택(CONTACT)정보 리딩(READING)단계에서 칩의 4모서리부근에 마련된 4개소의 전극에 대한 컨택(CONTACT)정보를 리딩(READING)하는 것을 특징으로 한다.The CONTACT information reading for the four electrodes provided near the four corners of the chip may be read in the reading of the CONTACT information.
도 1은 본 발명의 일실시 예에 적용되는 반도체 웨이퍼 검사장치의 구성을 개략적으로 도시한 구성도,1 is a configuration diagram schematically showing a configuration of a semiconductor wafer inspection apparatus applied to an embodiment of the present invention;
도 2는 상기 도 1의 웨이퍼 평면도,2 is a plan view of the wafer of FIG.
도 3은 상기 도 2의 A표시부를 확대해서 도시한 확대도,3 is an enlarged view of an enlarged view A of FIG. 2;
도 4a 내지 도 4d는 상기 도 2의 전극(15a,15b,15c,15d)에 프로브침이 접촉된 상태를 도시한 도면들이다.4A to 4D are diagrams illustrating a state where the probe needle is in contact with the electrodes 15a, 15b, 15c, and 15d of FIG. 2.
<도면의 주요 부분에 대한 부호의 설명><Explanation of symbols for the main parts of the drawings>
1 : 척10 : 웨이퍼1: Chuck 10: Wafer
11 : 반도체 칩15(15a,15b,15c,15d) : 전극11: semiconductor chip 15 (15a, 15b, 15c, 15d): electrode
21 : 구동스테이지23 : 테스트헤드21: drive stage 23: test head
25 : 포고블럭27 : 프로브카드25: pogo block 27: probe card
27a : 프로브침31,33 : 카메라27a: probe needle 31,33: camera
35 : 제어부35: control unit
이하, 첨부된 도면 도 1 내지 도 4를 참조하여 본 발명의 구성 및 작용에 대해서 좀더 자세히 설명한다.Hereinafter, with reference to the accompanying drawings Figures 1 to 4 will be described in more detail with respect to the configuration and operation of the present invention.
먼저, 도 1을 참조로 하여 반도체 웨이퍼 검사장치의 구성에 대해서 개략적으로 살펴보면, 검사를 진행할 웨이퍼(10)가 안착되는 척(1)과, 상기 척(1)을 X축,Y축 수평이동 및 Z축 수직이동이 가능함과 아울러 소정의 방향으로 θ회전이 가능하게 지지하는 구동스테이지(21)가 구성된다.First, referring to FIG. 1, the configuration of the semiconductor wafer inspection apparatus is roughly described. The chuck 1 on which the wafer 10 to be inspected is mounted and the chuck 1 are moved in the X-axis, Y-axis horizontal direction, A driving stage 21 capable of vertically moving the Z axis and supporting θ rotation in a predetermined direction is configured.
상기 척(1)의 상측에는 웨이퍼 칩 검사를 위한 전기적신호를 인가하도록 그 하부에 포고블럭(25)을 포함하는 테스트헤드(23)가 설치된다.On the upper side of the chuck 1, a test head 23 including a pogo block 25 is installed below the chuck 1 to apply an electrical signal for wafer chip inspection.
다음 부호(27)는 프로브카드를 나타내는 것으로서, 상기 프로브카드(27)는 지지부재(29)를 매개로 설치되며, 상기 프로브카드(27)는 절연기판 상에 도체배선 패턴이 배설된 링 형상의 주회로기판으로 이루어지는 것으로 그 상면에는 다수의 도체로서 포고고정부(27a)가 형성되며, 그 저면에는 웨이퍼의 칩 전극(후술함)에 접촉되어 전류를 통전시킴으로써 그 때의 전기적 특성을 측정하는 프로브침(27b)이 마련된다.The following reference numeral 27 denotes a probe card, and the probe card 27 is installed through the support member 29, and the probe card 27 has a ring shape in which a conductor wiring pattern is disposed on an insulating substrate. Probe consisting of a main circuit board, the top surface of which is formed a plurality of conductors (27a), the bottom of the probe to contact the chip electrode (described later) of the wafer to conduct a current to measure the electrical characteristics at that time A needle 27b is provided.
상기 포고블럭(25)은 상기 테스트헤드(23)와 프로브카드(27)와의 사이를 전기적으로 접속하기 위한 접속부재로서, 그 하면에 상기 포고고정부(27a)와 접촉되어 프로브카드(27)에 전압이나 신호를 부여하기 위한 다수의 포고핀(25a)이 배설되며, 상기 포고핀(25a)은 상기 포고고정부(27a)와 1대 1의 대응 관계로 배치된다.The pogo block 25 is a connecting member for electrically connecting between the test head 23 and the probe card 27. The pogo block 25 is in contact with the pogo fixing portion 27a on the lower surface thereof to contact the probe card 27. A plurality of pogo pins 25a are provided to impart a voltage or signal, and the pogo pins 25a are arranged in a one-to-one correspondence with the pogo pins 27a.
상기 도 1에서 미설명부호(31,33)는 웨이퍼(10)의 전극(후술함 부호 : 15) 위치 및 프로브침(27b)의 위치정보를 읽는 카메라를 나타내고, 부호(35)는 상기 카메라(31,33)를 통해 입력된 전극(15) 및 프로브침(27b)의 컨택(CONTACT)위치 정보를 입력받은 후 그 컨택(CONTACT)위치에 대한 거리 평균차를 산출하여 상기 구동스테이지(21)에 위치보정신호를 출력하는 제어부를 나타낸다.In FIG. 1, reference numerals 31 and 33 denote cameras for reading the position of the electrode (described below: 15) of the wafer 10 and the position information of the probe needle 27b, and reference numeral 35 denotes the camera ( After receiving the contact (CONTACT) position information of the electrode 15 and the probe needle (27b) input through the 31, 33, calculates the distance average difference with respect to the contact (CONTACT) position to the drive stage 21 The control unit outputs the position correction signal.
상기 카메라(31,33)는 전극(15) 및 프로브침(27b)의 컨택(CONTACT)위치를 리딩(READING)하기 위한 수단으로서, 그에 한정되는 것은 아니며, 다양한 형태에 의할 수 있다.The cameras 31 and 33 are means for reading the contact positions of the electrodes 15 and the probe needles 27b, but are not limited thereto, and may be of various forms.
다음, 도 2a 및 도 2b는 상기 도 1의 웨이퍼(10)의 구성을 도시한 도면으로서, 웨이퍼(10)는 도시된 바와 같이 복수의 반도체 칩(11)이 소정의 행·열로 배치 형성되고, 스크라이브 라인(scribe line : 13)에 의해 나중에 분리가 되도록 구성된다.Next, FIGS. 2A and 2B show the configuration of the wafer 10 of FIG. 1, in which a plurality of semiconductor chips 11 are arranged in predetermined rows and columns as shown in FIG. It is configured to be separated later by a scribe line 13.
상기 반도체 칩(11)의 표면에는 주변부를 따라 복수 개의 전극(15)이 배열되어 있다.On the surface of the semiconductor chip 11, a plurality of electrodes 15 are arranged along the periphery.
상기 전극(15)은 설명의 용이성을 위해 반도체 칩(11)의 모서리 부근에 형성된 것을 각각의 부호(15a, 15b, 15c, 15d)로 명기하였다.The electrodes 15 are denoted by reference numerals 15a, 15b, 15c, and 15d formed near the edges of the semiconductor chip 11 for ease of explanation.
다음은 상술한 구성에 의해 칩 전극(15) 및 프로브침(27b) 정렬 방법에 대해서 도 3을 참조로 하여 설명한다.Next, the arrangement method of the chip electrode 15 and the probe needle 27b by the above-described configuration will be described with reference to FIG. 3.
먼저, 웨이퍼(10)를 척(1)의 상면에 안착시킨 후 검사를 행할 반도체 칩(11)의 전극(15)에 대한 위치값을 카메라(33)를 통해 인식하고, 다음 상기 전극(3)과 접촉할 프로브침(27a)의 위치값을 카메라(31)를 통해 인식하여 칩 전극(3) 및 프로브침(27a)과 컨택(CONTACT)정보를 리딩(READING)(S10)한다.First, after placing the wafer 10 on the upper surface of the chuck 1, the position value of the electrode 15 of the semiconductor chip 11 to be inspected is recognized through the camera 33, and then the electrode 3 The position value of the probe needle 27a to be contacted with the camera 31 is recognized through the camera 31 to read the chip electrode 3 and the probe needle 27a and contact CONTACT information (S10).
이때, 그 리딩(READING)하는 대상을 도 2b에 도시된 칩(13)의 사방모서리부근에 형성된 전극(15a,15b,15c,15d)으로 한다.At this time, the reading targets are the electrodes 15a, 15b, 15c, and 15d formed near the four corners of the chip 13 shown in Fig. 2B.
상기와 같이 4방 모서리부근에 형성된 전극을 그 대상으로 함은 복수개의 전극(15)이 일직선상으로 형성된 것을 고려하여 그 양단측의 위치를 확인하면 전체 전극의 틀어짐 정도를 도출해 낼 수 있음에 기인한 것이다.The electrode formed near the four corners as the object is due to the fact that the plurality of electrodes 15 are formed in a straight line, and the position of both ends thereof can be checked to derive the degree of distortion of the entire electrode. It is.
다음, 그 리딩(READING)정보가 제어부(35)로 전달되면, 제어부(35)에서는 복수개소의 컨택(CONTACT)위치에 대한 거리평균차를 산출(S20)한다.Next, when the reading information is transferred to the control unit 35, the control unit 35 calculates a distance average difference with respect to a plurality of contact positions (S20).
그 거리 평균차란 전극(11)의 중앙위치로부터 프로브침(27a)이 컨택되는 위치간의 거리에 대한 평균값을 의미하는 것으로서, 일 예로 도 4a,도 4b, 도 4c, 도 4d에 도시된 바와 같이 전극(15a,15b,15c,15d)의 중앙위치(점선 교차점)으로부터 프로브침(27a)이 접촉된 위치간의 거리를 각각 도출한 후 그것을 4로 나눈 평균값을 의미한다.The distance average difference means an average value of the distance between the positions where the probe needle 27a is contacted from the center position of the electrode 11, and as an example, as shown in FIGS. 4A, 4B, 4C, and 4D. It means the average value obtained by dividing the distance between the positions where the probe needles 27a contacted from the center positions (dashed intersection points) of (15a, 15b, 15c, 15d), respectively, and dividing them by four.
상기 도 4a 내지 도 4d에서 원형표시부위가 프로브침(27a)이 접촉되는 위치를 의미한다.In FIG. 4A to FIG. 4D, the circular display portion denotes a position where the probe needle 27a is in contact.
다음 그 산출된 값을 기준으로 구동스테이지(21)로 위치보정신호를 출력(S30)하고, 그 출력신호에 의해 구동스테이지(21)가 구동되어 전극(15)의 위치를 보정(S40)함으로써 전극(15)과 프로브침(27b)과의 정렬과정을 마치게 된다.Next, the position correction signal is output to the driving stage 21 based on the calculated value (S30), and the driving stage 21 is driven by the output signal to correct the position of the electrode 15 (S40). The alignment process of (15) and the probe needle 27b is completed.
상술한 바와 같이 본 발명은 복수개의 프로브침과 복수개의 칩 전극에 접촉되는 위치값을 인식하여 프로브침이 전극의 센터로부터 벗어나는 거리편차에 대한 정보를 획득하고 그 거리 편차에 대한 평균치를 산출한 후 그 평균치만큼 구동스테이지가 자동 이송되도록 함에 따라 전극과 프로브침과의 접촉위치를 자동으로 얼라인먼트하여 칩 전극과 프로브침과의 접촉성을 향상시키는 이점이 있다.As described above, the present invention recognizes a position value contacting a plurality of probe needles and a plurality of chip electrodes, acquires information on a distance deviation from the probe needle from the center of the electrode, and calculates an average of the distance deviations. As the driving stage is automatically transferred by the average value, there is an advantage in that the contact position between the electrode and the probe needle is automatically aligned to improve the contact between the chip electrode and the probe needle.
또한 위치 보정값을 무수히 많은 칩 전극에 대해 일일이 수행하는 것이 아니라 칩의 사방 모서리 부근에 마련된 4개소의 전극을 대상으로 하여 그 평균치를 산출하는 것에 의함에 따라 얼라인먼트 수행 과정을 보다 간략하게 할 수 있는 이점이 있다.In addition, the alignment correction process can be simplified by calculating the average value of the four electrodes provided near the four corners of the chip, rather than performing the position correction values on a large number of chip electrodes. There is an advantage.
이와 같이, 본 발명의 상세한 설명에서는 구체적인 실시 예에 관해 설명하였으나, 본 발명의 범주에서 벗어나지 않는 한도 내에서 여러 가지 변형이 가능함은 물론이다. 그러므로, 본 발명의 범위는 설명된 실시 예에 국한되어 정해져서는 안되며 후술하는 특허청구범위 뿐만 아니라 이 특허청구범위와 균등한 것들에 의해 정해져야 한다.As described above, in the detailed description of the present invention, specific embodiments have been described. However, various modifications may be made without departing from the scope of the present invention. Therefore, the scope of the present invention should not be limited to the described embodiments, but should be defined by the claims below and equivalents thereof.
Claims (2)
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