JP2007024518A - Method for testing magnetic sensor module - Google Patents

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Abstract

<P>PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a method for testing magnetic sensor modules capable of reducing manufacturing costs of magnetic sensor modules. <P>SOLUTION: A plurality of magnetic sensor module each comprising a magnetic sensor and a digital signal processing part are formed on a wafer. A probe card having a coil for impressing the magnetic sensor with a magnetic field is brought into contact with any magnetic sensor module. Without separating the probe card from the magnetic sensor module, test signals are inputted to the digital signal processing part via the probe card. By acquiring response signals of the digital signal processing part to the test signals via the probe card, the digital signal processing part is tested. By acquiring response signals of the magnetic sensor module via the probe card as supplying a current to the coil, the magnetic sensor is tested. <P>COPYRIGHT: (C)2007,JPO&INPIT

Description

本発明は、磁気センサモジュールの検査方法に関し、特にディジタル信号処理部を備える磁気センサモジュールを検査する方法に関する。   The present invention relates to a method for inspecting a magnetic sensor module, and more particularly to a method for inspecting a magnetic sensor module including a digital signal processing unit.

特許文献1には、ヘルムホルツコイルを有する検査装置によりパッケージ封入後の磁気センサを検査する方法が開示されている。この検査方法では、ヘルムホルツコイルにより発生させた磁界にパッケージ封入後の磁気センサを配置して磁気センサの出力信号を測定することにより、パッケージ封入後の磁気センサを検査する。
一方、特許文献2には、コイルプローバを有する検査装置によりウェハ状態の磁気センサを検査する方法が開示されている。この検査方法では、磁気センサにコイルプローバの先端部分を近接させて磁気センサに磁界を印加しながら磁気センサの出力信号を測定することにより、ウェハ状態の磁気センサを検査する。
Patent Document 1 discloses a method for inspecting a magnetic sensor after packaging with an inspection apparatus having a Helmholtz coil. In this inspection method, the packaged magnetic sensor is tested by placing the packaged magnetic sensor in a magnetic field generated by a Helmholtz coil and measuring the output signal of the magnetic sensor.
On the other hand, Patent Document 2 discloses a method for inspecting a magnetic sensor in a wafer state by an inspection apparatus having a coil prober. In this inspection method, the magnetic sensor in the wafer state is inspected by measuring the output signal of the magnetic sensor while applying the magnetic field to the magnetic sensor by bringing the tip of the coil prober close to the magnetic sensor.

しかしながら、磁気センサとディジタル信号処理部を有する磁気センサモジュールの検査では、特許文献1に記載された検査装置や特許文献2に記載された検査装置に磁気センサモジュールを取付けて磁気センサを検査し、特許文献1及び特許文献2に記載された検査装置と異なる検査装置に磁気センサモジュールを取付けてディジタル信号処理部を検査する必要がある。このような複雑な検査工程は、磁気センサモジュールの製造コストを増大させている。
特開平9−50601号公報 特開昭62−55977号公報
However, in the inspection of the magnetic sensor module having the magnetic sensor and the digital signal processing unit, the magnetic sensor module is inspected by attaching the magnetic sensor module to the inspection device described in Patent Document 1 or the inspection device described in Patent Document 2, It is necessary to inspect the digital signal processing unit by attaching a magnetic sensor module to an inspection device different from the inspection devices described in Patent Literature 1 and Patent Literature 2. Such a complicated inspection process increases the manufacturing cost of the magnetic sensor module.
Japanese Patent Laid-Open No. 9-50601 JP-A-62-55977

本発明は、上記の問題に鑑みてなされたものであって、磁気センサモジュールの製造コストを低減できる磁気センサモジュールの検査方法を提供することを目的とする。   The present invention has been made in view of the above problems, and an object of the present invention is to provide a magnetic sensor module inspection method that can reduce the manufacturing cost of the magnetic sensor module.

(1)上記目的を達成するための電子デバイスの検査方法は、ウェハに複数形成されている、磁気センサとディジタル信号処理部とを有する磁気センサモジュールのいずれかに、前記磁気センサに磁界を印加するためのコイルを有するプローブカードを接触させ、前記プローブカードを前記磁気センサモジュールから離間させることなく、前記プローブカードを介して検査信号を前記ディジタル信号処理部に入力し前記検査信号に対する前記ディジタル信号処理部の応答信号を前記プローブカードを介して取得することにより、前記ディジタル信号処理部を検査し、前記コイルに電流を供給しながら前記プローブカードを介して前記磁気センサモジュールの応答信号を取得することにより、前記磁気センサを検査する。
磁気センサモジュールに接触させたプローブカードを磁気センサモジュールから離間させることなく、すなわちプローブカードの磁気センサモジュールへの1回の接続で、ウェハに形成されている磁気センサモジュールのディジタル信号処理部の検査と磁気センサの検査の両方を行うことができるため、磁気センサモジュールの検査工程を簡素化でき、磁気センサモジュールの製造コストを低減することができる。
(1) According to an electronic device inspection method for achieving the above object, a magnetic field is applied to any one of a plurality of magnetic sensor modules formed on a wafer having a magnetic sensor and a digital signal processing unit. The inspection signal is input to the digital signal processing unit via the probe card without contacting the probe card having a coil for making contact with the probe card and separating the probe card from the magnetic sensor module. By acquiring the response signal of the processing unit through the probe card, the digital signal processing unit is inspected, and the response signal of the magnetic sensor module is acquired through the probe card while supplying current to the coil. Thus, the magnetic sensor is inspected.
Inspection of the digital signal processing unit of the magnetic sensor module formed on the wafer without separating the probe card in contact with the magnetic sensor module from the magnetic sensor module, that is, by connecting the probe card to the magnetic sensor module once. Therefore, the inspection process of the magnetic sensor module can be simplified, and the manufacturing cost of the magnetic sensor module can be reduced.

(2)前記ウェハに形成されている基準パターンを基準にして、前記プローブカードを前記磁気センサモジュールに対して位置合わせしてもよい。
ウェハに規則的に繰り返し形成されている基準パターンを基準にしてコイルを有するプローブカードと磁気センサモジュールとを位置合わせすることにより、ダイシング後の磁気センサモジュールに付されたアライメントマークを基準にしてプローブカードとチップ状態の磁気センサモジュールとを位置合わせしたり、パッケージ封入後の磁気センサモジュールをソケットに装着してコイルと位置合わせする場合と比較して、プローブカードと磁気センサモジュールとの正確な位置合わせが可能になる。例えば基準パターンは、ウェハに形成された電子デバイスのパットや配線パターン、スクラブライン、樹脂で覆われた後に露出する端子等である。この結果、プローブカードのコイルにより正確な方向の磁界を印加しながら磁気センサを検査できるため、磁気センサの検査精度を高めることができる。尚、基準パターンは、一方向に伸びるパターンでなく、X方向とY方向の両方向に伸びるパターンであることが望ましい。また基準パターンは、長いパターンであることが望ましい。複数方向に伸びる長いパターンを基準パターンとして用いることにより、プローブカードと磁気センサモジュールとの位置合わせの精度を高めることができる。
(2) The probe card may be aligned with the magnetic sensor module with reference to a reference pattern formed on the wafer.
By aligning a probe card having a coil and a magnetic sensor module with reference to a reference pattern regularly and repeatedly formed on a wafer, the probe is made with reference to an alignment mark attached to the magnetic sensor module after dicing. Compared with the case where the card and the magnetic sensor module in the chip state are aligned, or when the magnetic sensor module after packaged is mounted in the socket and aligned with the coil, the exact position of the probe card and the magnetic sensor module Matching becomes possible. For example, the reference pattern is a pad or wiring pattern of an electronic device formed on a wafer, a scrub line, a terminal exposed after being covered with a resin, or the like. As a result, since the magnetic sensor can be inspected while applying a magnetic field in the correct direction by the coil of the probe card, the inspection accuracy of the magnetic sensor can be increased. The reference pattern is preferably not a pattern extending in one direction but a pattern extending in both the X direction and the Y direction. The reference pattern is preferably a long pattern. By using a long pattern extending in a plurality of directions as a reference pattern, it is possible to increase the accuracy of alignment between the probe card and the magnetic sensor module.

(3)複数の前記磁気センサモジュールに前記プローブカードを一度に接触させ、
前記磁気センサの検査時に、前記コイルへの電流供給により生じる磁界を複数の前記磁気センサモジュールの前記磁気センサに印加してもよい。
複数の磁気センサモジュールにプローブカードを一度に接触させ、コイルへの電流供給により生じる磁界を複数の磁気センサモジュールに印加することにより、プローブカードの磁気センサモジュールへの1回の接続で複数の磁気センサモジュールのディジタル信号処理部及び磁気センサの検査を行うことができる。この結果、磁気センサモジュールを検査するために必要な磁気センサモジュール当たりのプローブカードの磁気センサモジュールへの接続回数を削減できるため、磁気センサモジュール当たりの検査時間を短縮することができる。
(3) The probe card is brought into contact with a plurality of the magnetic sensor modules at a time,
A magnetic field generated by supplying a current to the coil may be applied to the magnetic sensors of a plurality of the magnetic sensor modules when the magnetic sensor is inspected.
A probe card is brought into contact with a plurality of magnetic sensor modules at a time, and a magnetic field generated by supplying a current to the coil is applied to the plurality of magnetic sensor modules. The digital signal processing unit and the magnetic sensor of the sensor module can be inspected. As a result, since the number of connection of the probe card per magnetic sensor module necessary for inspecting the magnetic sensor module to the magnetic sensor module can be reduced, the inspection time per magnetic sensor module can be shortened.

(4)前記磁気センサの検査結果に応じた前記磁気センサの補正値を前記プローブカードを介して前記磁気センサモジュールに入力することにより、前記磁気センサモジュールの記憶部に前記補正値を格納してもよい。
磁気センサの補正値をプローブカードを介して磁気センサモジュールに入力するため、プローブカードの磁気センサモジュールへの1回の接続で、ディジタル信号処理部の検査と磁気センサの検査に加えて、磁気センサモジュールの記憶部に磁気センサの補正値を格納することができる。
(4) By inputting the correction value of the magnetic sensor according to the inspection result of the magnetic sensor to the magnetic sensor module via the probe card, the correction value is stored in the storage unit of the magnetic sensor module. Also good.
In order to input the correction value of the magnetic sensor to the magnetic sensor module via the probe card, in addition to the inspection of the digital signal processing unit and the inspection of the magnetic sensor by one connection to the magnetic sensor module of the probe card, the magnetic sensor The correction value of the magnetic sensor can be stored in the storage unit of the module.

尚、請求項に記載された方法の各動作の順序は、技術上の阻害要因がない限り、記載順に限定されるものではなく、どのような順番で実行されてもよく、また同時に実行されてもよい。   It should be noted that the order of each operation of the method described in the claims is not limited to the order of description as long as there is no technical obstruction factor, and may be executed in any order, or may be executed simultaneously. Also good.

以下、本発明の実施の形態を複数の実施例に基づいて説明する。各実施例において同一の符号が付された構成要素は、その符号が付された他の実施例の構成要素と対応する。
(第一実施例)
図2は本発明の第一実施例による検査システムを示す模式図である。
本発明の第一実施例による検査システム1は、プローバ100、テスタ200等から構成され、ウェハ30に形成されている磁気センサモジュールの検査を行う。
Hereinafter, embodiments of the present invention will be described based on a plurality of examples. In each of the embodiments, the component having the same reference sign corresponds to the component of the other embodiment having the reference sign.
(First Example)
FIG. 2 is a schematic diagram showing an inspection system according to the first embodiment of the present invention.
An inspection system 1 according to the first embodiment of the present invention includes a prober 100, a tester 200, and the like, and inspects a magnetic sensor module formed on a wafer 30.

図3は第一実施例による検査システムの検査対象である磁気センサモジュールを説明するための模式図である。
磁気センサモジュール300は、磁気センサ302、磁気センサ304、アナログ・ディジタル変換器(以下A/D変換器という。)320、メモリ330、ディジタル信号処理部340、電源部350等から構成されている。
磁気センサ302と磁気センサ304は、外部磁界に応じたアナログ信号を出力し、それらの感度方向は互いに直交している。尚、磁気センサモジュール300は、1つの磁気センサを備えてもよいし、3つ以上の磁気センサを備えてもよい。以下、磁気センサ302と磁気センサ304の両方を示す場合は「磁気センサ」という。
FIG. 3 is a schematic diagram for explaining a magnetic sensor module which is an inspection target of the inspection system according to the first embodiment.
The magnetic sensor module 300 includes a magnetic sensor 302, a magnetic sensor 304, an analog / digital converter (hereinafter referred to as A / D converter) 320, a memory 330, a digital signal processing unit 340, a power supply unit 350, and the like.
The magnetic sensor 302 and the magnetic sensor 304 output analog signals corresponding to the external magnetic field, and their sensitivity directions are orthogonal to each other. The magnetic sensor module 300 may include one magnetic sensor, or may include three or more magnetic sensors. Hereinafter, when both the magnetic sensor 302 and the magnetic sensor 304 are shown, they are referred to as “magnetic sensors”.

A/D変換器320は、磁気センサが出力するアナログ信号をディジタル信号に変換する。尚、検査対象である磁気センサモジュール300は、磁気センサが出力するアナログ信号をディジタル信号に変換するものでもよい。
記憶部としてのメモリ330は、磁気センサの補正値、温度補償値などの各種データが格納される不揮発性のメモリである。
The A / D converter 320 converts an analog signal output from the magnetic sensor into a digital signal. The magnetic sensor module 300 to be inspected may convert an analog signal output from the magnetic sensor into a digital signal.
The memory 330 as a storage unit is a non-volatile memory in which various data such as a magnetic sensor correction value and a temperature compensation value are stored.

ディジタル信号処理部340は、端子360に入力されるクロック信号に同期して、各種の信号処理を行う。例えばディジタル信号処理部340は、磁気センサの出力、メモリ330に格納されている補正値、温度補償値等から外部磁界の方向を示す信号(以下、角度信号という。)を生成し、端子362に角度信号を出力したり、メモリ330に各種データを書き込んだり、メモリ330から各種データを読み出す。
電源部350は、端子364に印加される電圧を入力として、磁気センサモジュール300の各部に電源を供給する。以下、端子360から端子364以外の端子を含む全ての端子を示す場合は、「端子」という。
The digital signal processing unit 340 performs various signal processing in synchronization with a clock signal input to the terminal 360. For example, the digital signal processing unit 340 generates a signal indicating the direction of the external magnetic field (hereinafter referred to as an angle signal) from the output of the magnetic sensor, the correction value stored in the memory 330, the temperature compensation value, and the like, and is applied to the terminal 362. An angle signal is output, various data is written to the memory 330, and various data is read from the memory 330.
The power supply unit 350 uses the voltage applied to the terminal 364 as an input and supplies power to each unit of the magnetic sensor module 300. Hereinafter, the term “terminal” refers to all terminals including terminals other than the terminal 360 to the terminal 364.

図2に示すように、プローバ100にはウェハ30が配置される。具体的には例えば、ウェハ30は、プローバ100の図示しないテストステージに取付けられる。テスタ200は、テスタ本体210、テストステーション220等から構成されている。テストステーション220は、プローバ100のテストステージ上に設置され、テスタ本体210に接続されている。テストステーション220には、後述するプローブカードが装着される。   As shown in FIG. 2, a wafer 30 is disposed on the prober 100. Specifically, for example, the wafer 30 is attached to a test stage (not shown) of the prober 100. The tester 200 includes a tester main body 210, a test station 220, and the like. The test station 220 is installed on the test stage of the prober 100 and is connected to the tester main body 210. A probe card (to be described later) is attached to the test station 220.

図4は検査時におけるプローブカード近傍の拡大図である。図5はプローブカードの平面図である。
図4に示すように、プローバ100は、ウェハ30がプローブカード130に接近する方向とウェハ30がプローブカード130から離間する方向とにテストステーション220に対して相対移動する。以下、テストステーション220に対して、プローバ100のテストステージが上下方向(矢印Z参照)に昇降するものとして説明する。
FIG. 4 is an enlarged view of the vicinity of the probe card at the time of inspection. FIG. 5 is a plan view of the probe card.
As shown in FIG. 4, the prober 100 moves relative to the test station 220 in the direction in which the wafer 30 approaches the probe card 130 and the direction in which the wafer 30 moves away from the probe card 130. In the following description, it is assumed that the test stage of the prober 100 moves up and down with respect to the test station 220 (see arrow Z).

プローブカード130は、プローブヘッド140、プリント配線板150、コイル161からコイル164(図5参照)等から構成されている。
プリント配線板150は、テストステーション220に固定され、テストステーション220を介してテスタ本体210と電気的に接続されている。
プローブヘッド140は、基部142と複数のプローブ144を有し、プリント配線板150に固定されている。プローブ144は、基部142の中央近傍に配置されており、基部142から突出している。磁気センサモジュール300の検査時、プローブ144の先端は磁気センサモジュール300の端子に接触する。尚、プローブ144は基部142の中央近傍からずれて配置されてもよい。
The probe card 130 includes a probe head 140, a printed wiring board 150, coils 161 to 164 (see FIG. 5), and the like.
The printed wiring board 150 is fixed to the test station 220 and is electrically connected to the tester main body 210 via the test station 220.
The probe head 140 has a base 142 and a plurality of probes 144, and is fixed to the printed wiring board 150. The probe 144 is disposed near the center of the base 142 and protrudes from the base 142. When the magnetic sensor module 300 is inspected, the tip of the probe 144 contacts the terminal of the magnetic sensor module 300. The probe 144 may be arranged so as to be shifted from the vicinity of the center of the base portion 142.

コイル161からコイル164はプローブヘッド140に固定されている。具体的には例えば、コイル161から164は、それぞれプリント配線板150を貫通し、底が基部142に形成されている4つの凹部142aに嵌め込まれている。図5に示すように、コイル161からコイル164は、基部142の中心を回転中心として互いに90度回転した位置に配置されている。以下、コイル161からコイル164の全てを示す場合は「コイル」という。また、コイル161からコイル162に向かう方向を「X方向」(矢印X参照)、コイル163からコイル164に向かう方向を「Y方向」(矢印Y参照)という。   The coils 161 to 164 are fixed to the probe head 140. Specifically, for example, the coils 161 to 164 are fitted into four recesses 142 a each penetrating the printed wiring board 150 and having a bottom formed on the base 142. As shown in FIG. 5, the coils 161 to 164 are arranged at positions that are rotated 90 degrees with respect to the center of the base 142. Hereinafter, when all of the coils 161 to 164 are shown, they are referred to as “coils”. The direction from the coil 161 to the coil 162 is referred to as “X direction” (see arrow X), and the direction from the coil 163 to coil 164 is referred to as “Y direction” (see arrow Y).

コイル161とコイル162はコイルの内側に互いに逆向きの磁界が発生するように電気的に接続されている。したがって、コイル161及びコイル162に電流を供給するとX方向または−X方向(X方向と逆方向)の磁界SF1が生じる。一方、コイル163と164はコイルの内側に互いに逆向きの磁界が発生するように電気的に接続されている。したがって、コイル163及び164に電流を供給するとY方向または−Y方向(Y方向と逆方向)の磁界SF2が生じる。この結果、プローブ144の先端近傍に磁界SF1と磁界SF2による合成磁界CF1が形成することができる。合成磁界CF1の大きさと方向は磁界SF1及び磁界SF2の大きさと向きにより決まる。したがって、コイル161からコイル164に供給する電流を制御することにより、プローブ144の先端近傍に任意の大きさ及び任意の方向の合成磁界CF1を発生させることができる。   The coil 161 and the coil 162 are electrically connected so that opposite magnetic fields are generated inside the coil. Therefore, when a current is supplied to the coil 161 and the coil 162, a magnetic field SF1 in the X direction or the −X direction (the direction opposite to the X direction) is generated. On the other hand, the coils 163 and 164 are electrically connected so that opposite magnetic fields are generated inside the coil. Therefore, when a current is supplied to the coils 163 and 164, a magnetic field SF2 in the Y direction or -Y direction (the direction opposite to the Y direction) is generated. As a result, a combined magnetic field CF1 by the magnetic field SF1 and the magnetic field SF2 can be formed near the tip of the probe 144. The magnitude and direction of the combined magnetic field CF1 are determined by the magnitude and direction of the magnetic field SF1 and the magnetic field SF2. Therefore, by controlling the current supplied from the coil 161 to the coil 164, a combined magnetic field CF1 having an arbitrary magnitude and an arbitrary direction can be generated near the tip of the probe 144.

図6に示すように、例えばプローブ144の先端近傍における磁界の方向がX方向と角度θをなす大きさmの合成磁界CF1(図6(A)参照)を発生させるためには、次式(1)に示す電流I1(図6(B)参照)をコイル161及び162に供給し、次式(2)に示す電流I2(図6(C)参照)をコイル163及び164とに供給すればよい。   As shown in FIG. 6, for example, in order to generate a combined magnetic field CF1 (see FIG. 6A) having a magnitude m in which the direction of the magnetic field near the tip of the probe 144 forms an angle θ with the X direction, If the current I1 shown in 1) (see FIG. 6B) is supplied to the coils 161 and 162, and the current I2 shown in the following equation (2) (see FIG. 6C) is supplied to the coils 163 and 164, Good.

I1=aCOSθ ・・・(1)
I2=aSINθ ・・・(2)
I1 = aCOSθ (1)
I2 = aSINθ (2)

ここで次式(1)及び次式(2)では、I1の絶対値とI2の絶対値とが、それぞれコイル161及びコイル162とコイル163及びコイル164とに供給する電流I1と電流I2の大きさを表す。またI1の符号とI2の符号とが、それぞれコイル161及びコイル162とコイル163及びコイル164とに供給する電流I1と電流I2の向きを表す。以下、合成磁界CF1の方向をX方向となす角度θで表す。尚、合成磁界CF1の大きさmは、電流I1及び電流I2の最大電流値aに相関し、その関係はコイル161からコイル164の巻線数等により決まる。   Here, in the following expressions (1) and (2), the absolute values of I1 and I2 are the magnitudes of the currents I1 and I2 supplied to the coils 161, 162, 163, and 164, respectively. Represents The signs I1 and I2 indicate the directions of the currents I1 and I2 supplied to the coils 161, 162, 163, and 164, respectively. Hereinafter, the direction of the synthetic magnetic field CF1 is represented by an angle θ that makes the X direction. The magnitude m of the composite magnetic field CF1 correlates with the maximum current value a of the current I1 and the current I2, and the relationship is determined by the number of windings from the coil 161 to the coil 164 and the like.

テスタ200は、磁気センサモジュール300に検査信号をプローブカード130を介して入力したり、プローブカード130のコイル161からコイル164に磁界を発生させたり、検査信号に対する磁気センサモジュール300の応答信号をプローブカード130を介して取得することにより、磁気センサモジュール300の検査を行う。   The tester 200 inputs an inspection signal to the magnetic sensor module 300 via the probe card 130, generates a magnetic field from the coil 161 to the coil 164 of the probe card 130, or probes the response signal of the magnetic sensor module 300 to the inspection signal. By acquiring through the card 130, the magnetic sensor module 300 is inspected.

図1は、検査システム1による磁気センサモジュール300のウェハ検査を説明するためのフローチャートである。このフローチャートは、ウェハ30に形成された複数の磁気センサモジュール300のうち任意の1つの磁気センサモジュール300の検査の流れを示している。   FIG. 1 is a flowchart for explaining wafer inspection of the magnetic sensor module 300 by the inspection system 1. This flowchart shows the flow of inspection of any one of the plurality of magnetic sensor modules 300 formed on the wafer 30.

まず、テスタ200はゼロ磁場調整を行う(ステップS100参照)。具体的にはテスタ200は、磁界SF1及び磁界SF2により磁気センサモジュール300に印加されているノイズ磁界を打ち消すために必要なコイルへの供給電流値(以下、ゼロ磁場補正値という。)を取得する。ここでノイズ磁界とは、地磁気や電気機器が発生させている磁界のことである。   First, the tester 200 performs zero magnetic field adjustment (see step S100). Specifically, the tester 200 acquires a supply current value (hereinafter referred to as a zero magnetic field correction value) to the coil necessary to cancel the noise magnetic field applied to the magnetic sensor module 300 by the magnetic field SF1 and the magnetic field SF2. . Here, the noise magnetic field is a magnetic field generated by geomagnetism or electrical equipment.

例えば、ゼロ磁場調整は以下のように行われる。はじめに、外部磁界が取り除かれた状態(以下、ゼロ磁場状態という。)の出力が既知の磁気センサモジュール300が形成されたウェハ30をプローバ100のテストステージに取付ける。テスタ200は、コイル161からコイル164への供給電流値を変化させながら、磁気センサモジュール300の応答信号がゼロ磁場状態を示したときの供給電流値をゼロ磁場補正値として読み取る。そしてテスタ200は、検査システム1の記憶装置、例えばテスタ200に搭載されている図示しないメモリ等にゼロ磁場補正値を格納する。ここでテスタ200による磁気センサモジュール300の応答信号の測定は、磁気センサモジュール300に接触させたプローブカード130を介してテスタ200が磁気センサモジュール300の出力を読み取ることにより行われる。応答信号の測定方法についての詳細は後述する。尚、ゼロ磁場調整は常に行う必要はなく、例えば所定回数の検査毎に行えばよい。またゼロ磁場調整は、プローブ144の先端近傍にガウスメータ等の磁場測定装置を配置し、磁場測定装置により外部磁界を計測することにより行ってもよい。   For example, the zero magnetic field adjustment is performed as follows. First, a wafer 30 on which a magnetic sensor module 300 having a known output in a state where an external magnetic field is removed (hereinafter referred to as a zero magnetic field state) is formed is attached to a test stage of the prober 100. The tester 200 reads the supply current value when the response signal of the magnetic sensor module 300 indicates the zero magnetic field state as the zero magnetic field correction value while changing the supply current value from the coil 161 to the coil 164. The tester 200 stores the zero magnetic field correction value in a storage device of the inspection system 1, for example, a memory (not shown) mounted on the tester 200. Here, the measurement of the response signal of the magnetic sensor module 300 by the tester 200 is performed by the tester 200 reading the output of the magnetic sensor module 300 via the probe card 130 brought into contact with the magnetic sensor module 300. Details of the response signal measurement method will be described later. The zero magnetic field adjustment need not always be performed, and may be performed, for example, every predetermined number of inspections. The zero magnetic field adjustment may be performed by arranging a magnetic field measuring device such as a gauss meter in the vicinity of the tip of the probe 144 and measuring an external magnetic field by the magnetic field measuring device.

ステップS101では、プローバ100は、プローブカード130に磁気センサモジュール300を位置合わせする。具体的には例えば、プローバ100は、テストステージを移動させることにより、プローブカード130のX方向と磁気センサ302の設計上の感度方向とが平行になり、プローブカード130のY方向と磁気センサ304の設計上の感度方向とが平行になるように、ウェハ30をプローブカード130に対して位置決めする。このとき、ウェハ30に形成されているダイシングライン32(図3参照)を基準にして、磁気センサモジュール300をプローブカード130に対して位置合わせするとよい。基準ラインとしてのダイシングラインを基準にして磁気センサモジュール300をプローブカード130に対して位置合わせすることにより、例えばダイシング後の磁気センサモジュール300に付されたアライメントマークを基準にしてプローブカード130とチップ状態の磁気センサモジュール300とを位置合わせしたり、パッケージ封入後の磁気センサモジュール300をソケットに装着して磁気センサモジュール300に磁界を印加するためのコイルと位置合わせする場合と比較して、コイルを有するプローブカード130と磁気センサモジュール300との正確な位置合わせが可能になる。この結果、プローブカード130のコイルにより正確な方向の合成磁界CF1を印加しながら磁気センサを検査することができ、磁気センサの検査精度を高めることができる。   In step S <b> 101, the prober 100 aligns the magnetic sensor module 300 with the probe card 130. Specifically, for example, when the prober 100 moves the test stage, the X direction of the probe card 130 and the design sensitivity direction of the magnetic sensor 302 become parallel, and the Y direction of the probe card 130 and the magnetic sensor 304 become parallel. The wafer 30 is positioned with respect to the probe card 130 so that the sensitivity direction in the design is parallel. At this time, the magnetic sensor module 300 may be aligned with the probe card 130 based on the dicing line 32 (see FIG. 3) formed on the wafer 30. By aligning the magnetic sensor module 300 with respect to the probe card 130 with reference to the dicing line as a reference line, for example, the probe card 130 and the chip with reference to an alignment mark attached to the magnetic sensor module 300 after dicing. Compared with the case where the magnetic sensor module 300 in a state is aligned, or the magnetic sensor module 300 after the package is mounted on the socket and aligned with the coil for applying a magnetic field to the magnetic sensor module 300, the coil The probe card 130 having the magnetic sensor module 300 can be accurately aligned. As a result, the magnetic sensor can be inspected while applying the combined magnetic field CF1 in the correct direction by the coil of the probe card 130, and the inspection accuracy of the magnetic sensor can be increased.

次に、磁気センサモジュール300にプローブカード130を接触させる(ステップS102参照)。具体的にはプローバ100は、テストステージを上昇させることにより、磁気センサモジュール300の端子にプローブカード130のプローブ144を接触させる。この結果、テスタ200は磁気センサモジュール300と導通する。   Next, the probe card 130 is brought into contact with the magnetic sensor module 300 (see step S102). Specifically, the prober 100 raises the test stage to bring the probe 144 of the probe card 130 into contact with the terminal of the magnetic sensor module 300. As a result, the tester 200 is electrically connected to the magnetic sensor module 300.

次に、磁気センサモジュール300に合成磁界CF1を印加することなく、磁気センサモジュール300の検査を行う(ステップS104参照)。
図7は、ステップS104の検査の流れを示すフローチャートである。
まず、テスタ200はオープン・ショートテストを行う(ステップS200参照)。オープン・ショートテストでは、テスタ200は、既存の検査方法により磁気センサモジュール300に開放又は短絡した配線があるか否かを検査する。既存の検査方法とは、例えば所定端子(入出力用端子以外の検査用端子を含む)に電流を供給することによりその端子間の導通を判定する方法やバンダリスキャン等の検査方法である。
Next, the magnetic sensor module 300 is inspected without applying the synthetic magnetic field CF1 to the magnetic sensor module 300 (see step S104).
FIG. 7 is a flowchart showing a flow of inspection in step S104.
First, the tester 200 performs an open / short test (see step S200). In the open / short test, the tester 200 inspects whether there is an open or short-circuited wiring in the magnetic sensor module 300 by an existing inspection method. The existing inspection method is, for example, a method for determining electrical continuity between terminals by supplying current to predetermined terminals (including inspection terminals other than input / output terminals), and an inspection method such as a boundary scan.

次に、テスタ200はリーク電流テストを行う(ステップS202参照)。リーク電流テストでは、テスタ200は、プローブカード130を介して磁気センサモジュール300の所定端子(入出力用端子以外の検査用端子を含む)に電圧を印加することによりリーク電流を測定し、この測定結果に基づいて磁気センサモジュール300の正常、異常を判定する。   Next, the tester 200 performs a leak current test (see step S202). In the leak current test, the tester 200 measures the leak current by applying a voltage to predetermined terminals (including inspection terminals other than the input / output terminals) of the magnetic sensor module 300 via the probe card 130. Whether the magnetic sensor module 300 is normal or abnormal is determined based on the result.

次に、テスタ200はファンクションテストを行う(ステップS204参照)。ファンクションテストでは、テスタ200は磁気センサモジュール300のディジタル信号処理部340が仕様どおりに作動しているか否かを検査する。
具体的には例えば、ファンクションテストは以下のように行われる。検査システム1は、複数パターンの検査信号と、正常なディジタル信号処理部340にそれらの検査信号を入力した際に出力される応答信号(以下、正常時応答信号)とを上述した記憶装置に記憶させている。テスタ200はプローブカード130を介して磁気センサモジュール300の端子364に電源電圧を印加し、端子360にクロック信号を入力し、端子362に検査信号を入力する。この結果、ディジタル信号処理部340は検査信号に応じた応答信号を端子362に出力する。テスタ200はプローブカード130を介してこの応答信号を読み取る。そしてテスタ200は、ディジタル信号処理部340が出力した応答信号と正常時応答信号とを比較することにより、ディジタル信号処理部340の正常、異常を判定する。テスタ200は、記憶装置に記憶されている複数パターンの検査信号とそれに対応する正常時応答信号とを用いて、上述した一連の処理を繰り返すことにより、ディジタル信号処理部340の複数機能を検査する。尚、ステップS104の検査工程では、テスタ200は磁気センサモジュール300に合成磁界CF1を印加することなく行うことができるディジタル信号処理部340の検査を行えばよく、例示したオープン・ショートテスト、リーク電流テスト及びファンクションテストを必ずしも行う必要はない。
Next, the tester 200 performs a function test (see step S204). In the function test, the tester 200 checks whether the digital signal processing unit 340 of the magnetic sensor module 300 is operating as specified.
Specifically, for example, the function test is performed as follows. The inspection system 1 stores a plurality of patterns of inspection signals and a response signal (hereinafter referred to as a normal response signal) output when the inspection signals are input to the normal digital signal processing unit 340 in the storage device described above. I am letting. The tester 200 applies a power supply voltage to the terminal 364 of the magnetic sensor module 300 via the probe card 130, inputs a clock signal to the terminal 360, and inputs an inspection signal to the terminal 362. As a result, the digital signal processing unit 340 outputs a response signal corresponding to the inspection signal to the terminal 362. The tester 200 reads this response signal via the probe card 130. Then, the tester 200 determines whether the digital signal processing unit 340 is normal or abnormal by comparing the response signal output from the digital signal processing unit 340 with the normal response signal. The tester 200 inspects a plurality of functions of the digital signal processing unit 340 by repeating the series of processes described above using a plurality of patterns of inspection signals stored in the storage device and the corresponding response signals at normal times. . In the inspection process of step S104, the tester 200 may inspect the digital signal processing unit 340 that can be performed without applying the composite magnetic field CF1 to the magnetic sensor module 300. The illustrated open / short test, leakage current, etc. Tests and function tests are not necessarily performed.

以上説明したステップS104の検査が終了すると、テスタ200は磁気センサモジュール300の磁気センサの検査を行う(図1のステップS106参照)。磁気センサの検査では、ファンクションテストに引き続き、磁気センサモジュール300に電源電圧とクロック信号を供給した状態で、磁気センサモジュール300に合成磁界CF1を印加する。   When the inspection in step S104 described above is completed, the tester 200 inspects the magnetic sensor of the magnetic sensor module 300 (see step S106 in FIG. 1). In the inspection of the magnetic sensor, the composite magnetic field CF1 is applied to the magnetic sensor module 300 in a state where the power supply voltage and the clock signal are supplied to the magnetic sensor module 300 following the function test.

図8は、磁気センサの検査の流れを示すフローチャートである。
ステップS300からステップS302では、テスタ200は感度テストを行う。具体的には例えば、テスタ200は磁気センサに感度範囲下限の大きさの外部磁界を印加する(ステップS300参照)。より具体的には、テスタ200は、ゼロ磁場補正値を加味した電流をコイル161からコイル164に供給することにより、磁気センサに感度範囲下限の大きさの外部磁界が印加されるような合成磁界CF1を発生させる。次に、テスタ200は、プローブカード130を介して磁気センサモジュール300の応答信号を読み取り、読み取った応答信号が印加中の外部磁界に応じた応答信号であるか否かを判別することにより、磁気センサの感度を検査する。そしてテスタ200は、検査システム1の記憶装置に感度テストの検査結果を格納する(ステップS302参照)。
FIG. 8 is a flowchart showing a flow of inspection of the magnetic sensor.
In step S300 to step S302, the tester 200 performs a sensitivity test. Specifically, for example, the tester 200 applies an external magnetic field having a sensitivity range lower limit to the magnetic sensor (see step S300). More specifically, the tester 200 supplies a current including a zero magnetic field correction value from the coil 161 to the coil 164 so that an external magnetic field having a lower sensitivity range is applied to the magnetic sensor. CF1 is generated. Next, the tester 200 reads the response signal of the magnetic sensor module 300 via the probe card 130, and determines whether or not the read response signal is a response signal corresponding to the external magnetic field being applied. Check the sensitivity of the sensor. Then, the tester 200 stores the inspection result of the sensitivity test in the storage device of the inspection system 1 (see step S302).

ステップS304からステップS308では、テスタ200は直交度テストを行う。具体的には例えば、テスタ200は磁気センサに0度の外部磁界を印加する(ステップS304参照)。より具体的にはテスタ200は、ゼロ磁場補正値を加味した電流をコイル161からコイル164に供給することにより、0度の外部磁界が磁気センサに印加されるような合成磁界CF1を発生させる。次に、テスタ200は、磁気センサ302の出力を示す応答信号と磁気センサ304の出力を示す応答信号とをディジタル信号処理部340に出力させて、それらの応答信号をプローブカード130を介して読み取る(ステップS306参照)。次に、テスタ200は、読み取った応答信号から磁気センサ302の出力と磁気センサ304の出力の直交度を特定する。そしてテスタ200は、検査システム1の記憶装置に磁気センサ302の出力と磁気センサ304の出力の直交度を格納する(ステップS308参照)。尚、直交度テストにおいて印加する外部磁界の方向は0度以外の方向でもよい。また、複数方向に印加した外部磁界に対する応答信号から磁気センサ302の出力と磁気センサ304の出力の直交度を判定してもよい。   In steps S304 to S308, the tester 200 performs an orthogonality test. Specifically, for example, the tester 200 applies an external magnetic field of 0 degrees to the magnetic sensor (see step S304). More specifically, the tester 200 generates a combined magnetic field CF1 in which an external magnetic field of 0 degrees is applied to the magnetic sensor by supplying a current including a zero magnetic field correction value from the coil 161 to the coil 164. Next, the tester 200 causes the digital signal processing unit 340 to output a response signal indicating the output of the magnetic sensor 302 and a response signal indicating the output of the magnetic sensor 304, and reads the response signals via the probe card 130. (See step S306). Next, the tester 200 identifies the orthogonality between the output of the magnetic sensor 302 and the output of the magnetic sensor 304 from the read response signal. The tester 200 stores the orthogonality between the output of the magnetic sensor 302 and the output of the magnetic sensor 304 in the storage device of the inspection system 1 (see step S308). The direction of the external magnetic field applied in the orthogonality test may be a direction other than 0 degrees. Further, the orthogonality between the output of the magnetic sensor 302 and the output of the magnetic sensor 304 may be determined from response signals to external magnetic fields applied in a plurality of directions.

ステップS310からステップS318では、テスタ200は、所定間隔で360度の範囲の外部磁界を磁気センサモジュール300印加し、異なる方向の外部磁界を磁気センサモジュール300に印加する度に、その外部磁界に対する応答信号としての角度信号を読み取る。このテストでは、読み取った角度信号から例えばX方向、Y方向座標面内に出力の方位円を取得する。そして方位円の中心が理想的な方位円の中心からずれていないか、方位円が閉じているか、方位円が楕円になっていないか等を確認する。以下、ステップS308からステップS318の処理を、検出角度テストという。
はじめに、テスタ200は未測定の方向の外部磁界を磁気センサモジュール300に印加する(ステップS310参照)。例えばテスタ200は、22.5度の間隔で360度の範囲の外部磁界に対する応答信号を測定する場合、0度、22.5度、45.0度、・・・、337.5度の外部磁界をこの順番で発生させる。
In steps S310 to S318, the tester 200 applies an external magnetic field in a range of 360 degrees at a predetermined interval, and each time an external magnetic field in a different direction is applied to the magnetic sensor module 300, the tester 200 responds to the external magnetic field. Read the angle signal as a signal. In this test, an output azimuth circle is obtained from the read angle signal, for example, in the X-direction and Y-direction coordinate planes. Then, it is confirmed whether the center of the azimuth circle is not deviated from the center of the ideal azimuth circle, whether the azimuth circle is closed, or whether the azimuth circle is an ellipse. Hereinafter, the processing from step S308 to step S318 is referred to as a detection angle test.
First, the tester 200 applies an external magnetic field in an unmeasured direction to the magnetic sensor module 300 (see step S310). For example, when the tester 200 measures a response signal to an external magnetic field in a range of 360 degrees at intervals of 22.5 degrees, the external of 0 degree, 22.5 degrees, 45.0 degrees, ..., 337.5 degrees Magnetic fields are generated in this order.

次に、テスタ200は、プローブカード130を介して磁気センサモジュール300の応答信号を読み取る(ステップS312参照)。
次に、テスタ200は、磁気センサモジュール300から応答信号が出力されたか否かを判定する(ステップS314参照)。磁気センサモジュール300からの出力があった場合、テスタ200はステップS316の検査工程に進む。磁気センサモジュール300からの出力がなかった場合、テスタ200は磁気センサモジュール300が故障しているとみなす。その場合、テスタ200は、未測定の方向の外部磁界があったとしても、磁気センサモジュール300の測定を中止する。尚、テスタ200は、磁気センサモジュール300からの出力がなくても、測定を継続してもよい。
Next, the tester 200 reads the response signal of the magnetic sensor module 300 via the probe card 130 (see step S312).
Next, the tester 200 determines whether or not a response signal is output from the magnetic sensor module 300 (see step S314). If there is an output from the magnetic sensor module 300, the tester 200 proceeds to the inspection process in step S316. When there is no output from the magnetic sensor module 300, the tester 200 considers that the magnetic sensor module 300 has failed. In that case, the tester 200 stops the measurement of the magnetic sensor module 300 even if there is an external magnetic field in an unmeasured direction. Note that the tester 200 may continue the measurement even if there is no output from the magnetic sensor module 300.

ステップS316では、テスタ200は、検査システム1の記憶装置に読み取った応答信号を格納する。
次に、テスタ200は全方向の外部磁界に対する応答信号を測定したか否かを判断する(ステップS318参照)。未測定の方向の外部磁界があると判断した場合、テスタ200はステップS310の検査工程に戻る。全方向の外部磁界に対して測定済みであると判断した場合、テスタ200は、コイル161からコイル164への電流供給を停止することにより、合成磁界CF1を取り除く(ステップS320参照)。尚、合成磁界CF1を取り除くタイミングは、全方向の外部磁界に対する応答信号を測定した後であればいつでもよい。
In step S316, the tester 200 stores the read response signal in the storage device of the inspection system 1.
Next, the tester 200 determines whether or not a response signal for an external magnetic field in all directions has been measured (see step S318). If it is determined that there is an external magnetic field in an unmeasured direction, the tester 200 returns to the inspection process in step S310. If it is determined that the measurement has been made with respect to the omnidirectional external magnetic field, the tester 200 removes the combined magnetic field CF1 by stopping the current supply from the coil 161 to the coil 164 (see step S320). The timing for removing the composite magnetic field CF1 may be any time after the response signal to the omnidirectional external magnetic field is measured.

ステップS322では、テスタ200は、磁気センサが全方向の外部磁界に対して適正な信号を出力したか否かを判定し、その判定結果を検出角度テストの検査結果として検査システム1の記憶装置に格納する。具体的には例えば、テスタ200は、直交度テストの検査結果を加味しながら、測定した応答信号と印加した外部磁界に対する理想的な応答信号との誤差に基づいて、磁気センサの全方向の外部磁界に対する出力信号を評価する。   In step S322, the tester 200 determines whether or not the magnetic sensor has output an appropriate signal with respect to the omnidirectional external magnetic field, and the determination result is stored in the storage device of the inspection system 1 as the inspection result of the detection angle test. Store. Specifically, for example, the tester 200 considers the orthogonality test result, and based on the error between the measured response signal and the ideal response signal for the applied external magnetic field, Evaluate the output signal for the magnetic field.

以上説明した検出角度検査が終了すると、テスタ200は、図1に示すステップS108の検査工程に進む。
ステップS108では、テスタ200は、各種テストの検査結果に応じた磁気センサの補正値を磁気センサモジュール300のメモリ330に書き込む。
ステップS110では、テスタ200は電源電流を検査する。具体的には例えば、テスタ200は所定動作時の磁気センサモジュール300の消費電流を測定する。所定動作時とは、例えば磁気センサモジュール300の未作動時、角度信号読み取り時などである。テスタ200は、測定された消費電流と正常な磁気センサモジュール300の消費電流とを比較することにより、電源電流の正常、異常を判定する。
ステップS112では、プローバ100は、プローブカード130から磁気センサモジュール300を離間させる。具体的にはプローバ100は、テストステージを降下させることにより、磁気センサモジュール300の端子360から端子364からプローブカード130のプローブ144を離間させる。
When the detection angle inspection described above is completed, the tester 200 proceeds to the inspection process in step S108 shown in FIG.
In step S <b> 108, the tester 200 writes the correction value of the magnetic sensor according to the inspection results of various tests in the memory 330 of the magnetic sensor module 300.
In step S110, the tester 200 inspects the power supply current. Specifically, for example, the tester 200 measures the current consumption of the magnetic sensor module 300 during a predetermined operation. The predetermined operation time is, for example, when the magnetic sensor module 300 is not operated or when an angle signal is read. The tester 200 determines whether the power supply current is normal or abnormal by comparing the measured current consumption with the current consumption of the normal magnetic sensor module 300.
In step S <b> 112, the prober 100 separates the magnetic sensor module 300 from the probe card 130. Specifically, the prober 100 moves the test stage downward to separate the probe 144 of the probe card 130 from the terminal 360 of the magnetic sensor module 300 from the terminal 364.

以上説明したように、検査システム1による磁気センサモジュール300のウェハ検査では、プローブカード130の磁気センサモジュール300への1回の接続で、ディジタル信号処理部340の検査と磁気センサの検査と磁気センサの補正値のメモリ330への書き込みとを行うことができる。このように磁気センサモジュール300の検査工程を簡素化できるため、磁気センサモジュール300の製造コストを低減することができる。   As described above, in the wafer inspection of the magnetic sensor module 300 by the inspection system 1, the inspection of the digital signal processing unit 340, the inspection of the magnetic sensor, and the magnetic sensor can be performed by connecting the probe card 130 to the magnetic sensor module 300 once. This correction value can be written to the memory 330. Thus, since the inspection process of the magnetic sensor module 300 can be simplified, the manufacturing cost of the magnetic sensor module 300 can be reduced.

尚、第一実施例に係るウェハ検査の各テストにおける検査結果が不良を示す場合、テスタ200は、そのテスト以降の検査を行わず、未検査の磁気センサモジュール300の検査に移ってもよい。
また、テスタ200は、テスト毎に検査結果を判定しなくてもよい。
In addition, when the inspection result in each test of the wafer inspection according to the first embodiment indicates a failure, the tester 200 may move to the inspection of the uninspected magnetic sensor module 300 without performing the inspection after the test.
Further, the tester 200 may not determine the inspection result for each test.

(第二実施例)
第二実施例による検査システムの構成要素は、プローブカードを除いて第一実施例による検査システム1の対応する構成要素と実質的に同一である。
図9は、第二実施例に係るプローブカードの平面図である。図10は、検査時のプローブカード近傍の拡大図である。
第二実施例に係るプローブカード430は、プローブヘッド440、プリント配線板450、コイル461からコイル468等から構成されている。プリント配線板450は第一実施例に係るプリント配線板150と実質的に同一である。
(Second embodiment)
The components of the inspection system according to the second embodiment are substantially the same as the corresponding components of the inspection system 1 according to the first embodiment except for the probe card.
FIG. 9 is a plan view of a probe card according to the second embodiment. FIG. 10 is an enlarged view of the vicinity of the probe card at the time of inspection.
A probe card 430 according to the second embodiment includes a probe head 440, a printed wiring board 450, coils 461 to 468, and the like. The printed wiring board 450 is substantially the same as the printed wiring board 150 according to the first embodiment.

プローブヘッド440は、基部442と複数のプローブ群445を有している。複数のプローブ群445は、基部442の中心近傍に格子状に配列されており、各プローブ群445は、第一実施例に係るプローブ144と実質的に同一の複数のプローブ444から構成されている。プローブカード430は、複数のプローブ群445によりウェハ30に形成されている複数の磁気センサモジュール300に接触することができる。尚、プローブ群445の数は、例示した4つに限定されず、2つでも3つでも5つ以上でもよい。またプローブ群445の配置は、ウェハ30に形成された磁気センサモジュール300の配置に応じて決まるため、プローブ群445は基部442にどのように配列されてもよい。   The probe head 440 has a base 442 and a plurality of probe groups 445. The plurality of probe groups 445 are arranged in a lattice pattern near the center of the base portion 442, and each probe group 445 includes a plurality of probes 444 that are substantially the same as the probes 144 according to the first embodiment. . The probe card 430 can contact a plurality of magnetic sensor modules 300 formed on the wafer 30 by a plurality of probe groups 445. The number of probe groups 445 is not limited to the four illustrated, and may be two, three, or five or more. Further, since the arrangement of the probe group 445 is determined according to the arrangement of the magnetic sensor module 300 formed on the wafer 30, the probe group 445 may be arranged in any manner on the base 442.

コイル461から468は、第一実施例に係るコイル161から164と同様に、プローブヘッド440に固定されている。コイル461とコイル462は、プローブ群445を挟んで両側に配置され、第一実施例に係るコイル161とコイル162の接続と同様に接続されている。コイル461とコイル462は、電流供給によりプローブ群445の先端近傍に磁界MF1発生させる。コイル463とコイル464は、磁界MF1と同一方向の磁界MF2をプローブ群445の先端近傍に発生するように、プローブ群445を挟んで両側に配置され接続されている。   The coils 461 to 468 are fixed to the probe head 440 similarly to the coils 161 to 164 according to the first embodiment. The coils 461 and 462 are disposed on both sides of the probe group 445 and are connected in the same manner as the connection of the coils 161 and 162 according to the first embodiment. The coil 461 and the coil 462 generate a magnetic field MF1 near the tip of the probe group 445 by supplying current. The coil 463 and the coil 464 are arranged and connected on both sides of the probe group 445 so that the magnetic field MF2 in the same direction as the magnetic field MF1 is generated in the vicinity of the tip of the probe group 445.

コイル465とコイル466は、磁界MF1及び磁界MF2と直交する磁界MF3をプローブ群445の先端近傍に発生するように、プローブ群445を挟んで両側に配置され接続されている。コイル467とコイル468は、磁界MF3と同一方向の磁界MF4をプローブ群445の先端近傍に発生するように、プローブ群445を挟んで両側に配置され接続されている。以下、コイル461からコイル462に向かう方向をX2方向(矢印X2参照)、コイル465からコイル466に向かう方向をY2方向(矢印Y2参照)という。   The coil 465 and the coil 466 are arranged and connected on both sides of the probe group 445 so that the magnetic field MF3 orthogonal to the magnetic field MF1 and the magnetic field MF2 is generated in the vicinity of the tip of the probe group 445. Coil 467 and coil 468 are arranged and connected on both sides of probe group 445 so that magnetic field MF4 in the same direction as magnetic field MF3 is generated in the vicinity of the tip of probe group 445. Hereinafter, the direction from the coil 461 toward the coil 462 is referred to as the X2 direction (see arrow X2), and the direction from the coil 465 toward the coil 466 is referred to as the Y2 direction (see arrow Y2).

このようにプローブ群445を挟んで両側にコイルを2つずつ配置することにより、プローブ群445の先端近傍に磁界MF1及び磁界MF2によるX2方向の均一な磁界を印加することができ、複数のプローブ群445の先端近傍に磁界MF3及び磁界MF4によるY2方向の均一な磁界を印加することができる。尚、コイルはプローブ群445を挟んで両側に3つ以上配置してもよい。   Thus, by arranging two coils on both sides of the probe group 445, a uniform magnetic field in the X2 direction by the magnetic field MF1 and the magnetic field MF2 can be applied near the tip of the probe group 445, and a plurality of probes can be applied. A uniform magnetic field in the Y2 direction by the magnetic field MF3 and the magnetic field MF4 can be applied near the tip of the group 445. Three or more coils may be arranged on both sides of the probe group 445.

第二実施例の検査システムによる磁気センサモジュール300のウェハ検査の各ステップは、各ステップにおいて複数の磁気センサモジュール300を検査対象とする点を除いて、第一実施例の検査システム1による磁気センサモジュール300のウェハ検査と実質的に同一である。
第二実施例の磁気センサモジュール300のウェハ検査では、プローブカード430の磁気センサモジュール300への1回の接続で複数の磁気センサモジュール300のディジタル信号処理部及び磁気センサの検査を行うことにより、磁気センサモジュール300を検査するために必要な磁気センサモジュール300当たりのプローブカード430の磁気センサモジュール300への接続回数を削減することができる。この結果、磁気センサモジュール300当たりの検査時間を短縮できるため、磁気センサモジュール300の製造コストを低減することができる。
Each step of the wafer inspection of the magnetic sensor module 300 by the inspection system of the second embodiment is the same as the magnetic sensor by the inspection system 1 of the first embodiment except that a plurality of magnetic sensor modules 300 are inspected in each step. This is substantially the same as the wafer inspection of the module 300.
In the wafer inspection of the magnetic sensor module 300 of the second embodiment, the digital signal processing units and magnetic sensors of the plurality of magnetic sensor modules 300 are inspected by one connection of the probe card 430 to the magnetic sensor module 300. The number of connection of the probe card 430 to the magnetic sensor module 300 per magnetic sensor module 300 necessary for inspecting the magnetic sensor module 300 can be reduced. As a result, since the inspection time per magnetic sensor module 300 can be shortened, the manufacturing cost of the magnetic sensor module 300 can be reduced.

(第三実施例)
第一実施例に係るウェハ検査では、メモリ330に磁気センサの補正値を電気的に書き込みことにより、プローブカード130の磁気センサモジュール300への1回の接続で、ディジタル信号処理部340及び磁気センサの検査とともに、磁気センサの補正値のメモリ330への書き込みを行う。しかし、磁気センサの補正値を書き込むための電気的に書き込み可能な記憶部(例えば第一実施例に係るメモリ330)を磁気センサモジュールが備えていない場合、第一実施例に係るウェハ検査の検査方法をそのまま適用することはできない。そこで第三実施例において、磁気センサの補正値を格納するための電気的に書き込み可能な記憶部を備えていない磁気センサモジュールの製造コストを低減する検査方法について説明する。
(Third embodiment)
In the wafer inspection according to the first embodiment, the digital signal processing unit 340 and the magnetic sensor are connected to the magnetic sensor module 300 of the probe card 130 once by electrically writing the correction value of the magnetic sensor in the memory 330. At the same time, the correction value of the magnetic sensor is written into the memory 330. However, when the magnetic sensor module does not include an electrically writable storage unit (for example, the memory 330 according to the first embodiment) for writing the correction value of the magnetic sensor, the wafer inspection inspection according to the first embodiment is performed. The method cannot be applied as it is. Therefore, in the third embodiment, an inspection method for reducing the manufacturing cost of a magnetic sensor module that does not include an electrically writable storage unit for storing a correction value of the magnetic sensor will be described.

第三実施例に係る磁気センサモジュールは、第一実施例に係る磁気センサモジュール300のメモリ330に換えて、レーザ書き込み型のメモリを有している。第三実施例による検査システムは、第一実施例による検査システム1と実質的に同一の構成要素に加え、レーザ書き込み型のメモリに磁気センサの補正値等を書き込むためのレーザ照射装置を備えている。   The magnetic sensor module according to the third embodiment has a laser writing type memory instead of the memory 330 of the magnetic sensor module 300 according to the first embodiment. The inspection system according to the third embodiment includes a laser irradiation device for writing a correction value of a magnetic sensor in a laser writing type memory in addition to substantially the same components as the inspection system 1 according to the first embodiment. Yes.

図11は、第三実施例の検査システムによる磁気センサモジュールの検査の流れを示すフローチャートである。尚、図11に示すフローチャートでは、ゼロ磁場調整のステップを省略している。
まず、プローバ100は、第一実施例に係るウェハ検査のステップS101と同様にして、ウェハ30に形成された未検査の磁気センサモジュールを、プローブカード130に位置合わせする(ステップS400参照)。
ステップS402では、プローバ100は、ウェハ30に形成された未検査の磁気センサモジュールにプローブカード130を接触させる。
FIG. 11 is a flowchart showing a flow of inspection of the magnetic sensor module by the inspection system of the third embodiment. In the flowchart shown in FIG. 11, the zero magnetic field adjustment step is omitted.
First, the prober 100 aligns an uninspected magnetic sensor module formed on the wafer 30 with the probe card 130 in the same manner as in step S101 of wafer inspection according to the first embodiment (see step S400).
In step S <b> 402, the prober 100 brings the probe card 130 into contact with an uninspected magnetic sensor module formed on the wafer 30.

ステップS404では、テスタ200は、第一実施例に係るウェハ検査のステップS104からステップS110の工程(図1参照)と同様にして、磁気センサモジュールの各種検査を行う。但し、テスタ200は、第一実施例に係るウェハ検査のステップS108(図1参照)に対応する工程、すなわち磁気センサの補正値をレーザ書き込み型のメモリに書き込む工程を行わず、その補正値を検査システムの記憶装置に格納する。テスタ200は、ウェハ30に形成さている全ての磁気センサモジュールの検査が終了した後に、良品と判定した全ての磁気センサモジュールに磁気センサの記憶装置に格納された補正値を一括して書き込む。詳細は後述する。   In step S404, the tester 200 performs various inspections of the magnetic sensor module in the same manner as the wafer inspection steps S104 to S110 (see FIG. 1) according to the first embodiment. However, the tester 200 does not perform the process corresponding to step S108 (see FIG. 1) of the wafer inspection according to the first embodiment, that is, the process of writing the correction value of the magnetic sensor in the laser writing type memory, and the correction value is set. Store in the storage device of the inspection system. After all the magnetic sensor modules formed on the wafer 30 have been inspected, the tester 200 collectively writes the correction values stored in the magnetic sensor storage device into all the magnetic sensor modules determined to be non-defective. Details will be described later.

ステップS406では、プローバ100は、プローブカード130から磁気センサモジュールを離間させる。
ステップS408では、テスタ200は、ウェハ30に形成された全ての磁気センサモジュールを検査したか否かを判断する。未検査の磁気センサモジュールがあると判断した場合、テスタ200はステップS400の工程に戻り、未検査の磁気センサモジュールの検査を行う。全ての磁気センサモジュールの検査が終了したと判断した場合、テスタ200はステップS410の工程に進む。
In step S <b> 406, the prober 100 separates the magnetic sensor module from the probe card 130.
In step S <b> 408, the tester 200 determines whether all the magnetic sensor modules formed on the wafer 30 have been inspected. If it is determined that there is an uninspected magnetic sensor module, the tester 200 returns to the step S400 and inspects the uninspected magnetic sensor module. If it is determined that all the magnetic sensor modules have been inspected, the tester 200 proceeds to step S410.

ステップS410では、テスタ200は、ウェハ30に形成されている磁気センサモジュールのうち良品と判定された全ての磁気センサモジュールの各メモリに、検査システムの記憶装置に格納されている対応する補正値を、レーザ照射装置により書き込む。具体的にはテスタ200は、レーザ書き込み型のメモリにレーザ光をレーザ照射装置に照射させ、レーザ書き込み型のメモリ回路の一部をレーザ光で焼き切ることにより、レーザ書き込み型のメモリに磁気センサの補正値を書き込む。   In step S410, the tester 200 sets the corresponding correction value stored in the storage device of the inspection system in each memory of all the magnetic sensor modules determined to be non-defective among the magnetic sensor modules formed on the wafer 30. Write with a laser irradiation device. Specifically, the tester 200 irradiates a laser writing device with a laser beam to a laser writing type memory, and burns a part of the laser writing type memory circuit with the laser beam, so that the laser writing type memory has a magnetic sensor. Write the correction value.

以上説明した第三実施例に係るウェハ検査では、ウェハ30に形成された全ての磁気センサモジュールを検査した後に、メモリに磁気センサの補正値を一括して書き込む。したがって、プローブカード130による磁気センサモジュール300の検査と、レーザ照射装置による磁気センサの補正値のメモリへの書き込みとを交互に行う場合と比較して、磁気センサモジュールのウェハ検査の工程を簡素化できるため、磁気センサモジュールの製造コストを低減することができる。
尚、第三実施例に係るウェハ検査は、電気的に書き込み可能な記憶部を備えている磁気センサモジュールにも適用可能である。
In the wafer inspection according to the third embodiment described above, after all the magnetic sensor modules formed on the wafer 30 are inspected, the correction values of the magnetic sensors are collectively written in the memory. Accordingly, the wafer inspection process of the magnetic sensor module is simplified as compared with the case where the inspection of the magnetic sensor module 300 by the probe card 130 and the writing of the correction value of the magnetic sensor to the memory by the laser irradiation apparatus are alternately performed. Therefore, the manufacturing cost of the magnetic sensor module can be reduced.
The wafer inspection according to the third embodiment can also be applied to a magnetic sensor module including an electrically writable storage unit.

第一実施例に係るウェハ検査の流れを示すフローチャート。The flowchart which shows the flow of the wafer inspection which concerns on a 1st Example. 第一実施例による検査システムの模式図。The schematic diagram of the test | inspection system by a 1st Example. 第一実施例に係る磁気センサモジュールを説明するための模式図。The schematic diagram for demonstrating the magnetic sensor module which concerns on a 1st Example. 第一実施例による検査システムのプローブカード近傍の拡大図。The enlarged view of the probe card vicinity of the inspection system by a 1st Example. 第一実施例に係るプローブカードの平面図。The top view of the probe card which concerns on a 1st Example. 合成磁界とコイルへの供給電流との関係を説明するための模式図。The schematic diagram for demonstrating the relationship between a synthetic magnetic field and the electric current supplied to a coil. 磁界を印加することなく行う検査の流れを示すフローチャート。The flowchart which shows the flow of the test | inspection performed without applying a magnetic field. 磁界を印加しながら行う磁気センサの検査の流れを示すフローチャート。The flowchart which shows the flow of a test | inspection of the magnetic sensor performed while applying a magnetic field. 第二実施例に係るプローブカードの平面図。The top view of the probe card which concerns on a 2nd Example. 第二実施例による検査システムのプローブカード近傍の拡大図。The enlarged view of the probe card vicinity of the inspection system by a 2nd Example. 第三実施例に係るウェハ検査の流れを示すフローチャート。The flowchart which shows the flow of the wafer inspection which concerns on a 3rd Example.

符号の説明Explanation of symbols

30 ウェハ、32 ダイシングライン(基準パターン)、130、430 プローブカード、161〜164 コイル、300 磁気センサモジュール、302、304 磁気センサ、330 メモリ(記憶部)、340 ディジタル信号処理部、461〜468 コイル 30 wafers, 32 dicing lines (reference patterns), 130, 430 probe cards, 161-164 coils, 300 magnetic sensor modules, 302, 304 magnetic sensors, 330 memories (storage units), 340 digital signal processing units, 461-468 coils

Claims (4)

ウェハに複数形成されている、磁気センサとディジタル信号処理部とを有する磁気センサモジュールのいずれかに、前記磁気センサに磁界を印加するためのコイルを有するプローブカードを接触させ、
前記プローブカードを前記磁気センサモジュールから離間させることなく、
前記プローブカードを介して検査信号を前記ディジタル信号処理部に入力し前記検査信号に対する前記ディジタル信号処理部の応答信号を前記プローブカードを介して取得することにより、前記ディジタル信号処理部を検査し、前記コイルに電流を供給しながら前記プローブカードを介して前記磁気センサモジュールの応答信号を取得することにより、前記磁気センサを検査する、
磁気センサモジュールの検査方法。
A probe card having a coil for applying a magnetic field to the magnetic sensor is brought into contact with any one of the magnetic sensor modules having a magnetic sensor and a digital signal processor formed on the wafer,
Without separating the probe card from the magnetic sensor module,
By inspecting the digital signal processing unit by inputting the inspection signal to the digital signal processing unit through the probe card and obtaining the response signal of the digital signal processing unit with respect to the inspection signal through the probe card, Inspecting the magnetic sensor by obtaining a response signal of the magnetic sensor module through the probe card while supplying current to the coil.
Inspection method of magnetic sensor module.
前記ウェハに規則的に繰り返し形成されている基準パターンを基準にして、前記プローブカードを前記磁気センサモジュールに対して位置合わせする、請求項1に記載の磁気センサモジュールの検査方法。   The magnetic sensor module inspection method according to claim 1, wherein the probe card is aligned with the magnetic sensor module based on a reference pattern regularly and repeatedly formed on the wafer. 複数の前記磁気センサモジュールに前記プローブカードを一度に接触させ、
前記磁気センサの検査時に、前記コイルへの電流供給により生じる磁界を複数の前記磁気センサモジュールの前記磁気センサに印加する、請求項1又は2に記載の磁気センサモジュールの検査方法。
Bringing the probe card into contact with a plurality of the magnetic sensor modules at once;
The magnetic sensor module inspection method according to claim 1, wherein a magnetic field generated by supplying current to the coil is applied to the magnetic sensors of the plurality of magnetic sensor modules when the magnetic sensor is inspected.
前記磁気センサの検査結果に応じた前記磁気センサの補正値を前記プローブカードを介して前記磁気センサモジュールに入力することにより、前記磁気センサモジュールの記憶部に前記補正値を格納する、請求項1から3のいずれか一項に記載の磁気センサモジュールの検査方法。   2. The correction value is stored in the storage unit of the magnetic sensor module by inputting the correction value of the magnetic sensor according to the inspection result of the magnetic sensor to the magnetic sensor module via the probe card. 4. The method for inspecting a magnetic sensor module according to claim 1.
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