KR20040040106A - 반도체 웨이퍼의 정전기 제거장치 - Google Patents
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Abstract
본 발명은 반도체 웨이퍼의 정전기 제거장치에 관한 것으로, 상기 웨이퍼의 드라이 에칭(dry etch)공정 후, 상기 웨이퍼의 필름두께를 측정하기 위한 장비에서 발생되는 정전기를 제거하여 웨이퍼의 손상 및 불량을 방지하는 것이다.
특히, 반도체 웨이퍼의 에칭공정 후, 상기 웨이퍼의 두께를 측정하는 웨이퍼 두께 측정장비에 있어서, 상기 측정장비에 이온아이저(30)를 설치하여 에칭공정 후 발생되는 웨이퍼의 정전기를 제거하는 것을 특징으로 한다.
Description
본 발명은 반도체 웨이퍼의 정전기 제거장치에 관한 것으로, 더욱 상세하게는 웨이퍼의 드라이 에칭(dry etch)공정 후, 상기 웨이퍼의 필름두께를 측정하기 위한 장비에서 발생되는 정전기를 제거하여 웨이퍼의 손상 및 불량을 방지하는 반도체 웨이퍼의 정전기 제거장치에 관한 것이다.
일반적으로 반도체 웨이퍼 측정장치는 도 1에 도시된 바와 같이 카세트 베이스(10), 암(12), 플랫 얼라이너(14) 및 측정부(16)로 구성되어 있다.
따라서, 상기 카세트 베이스(10)상에 웨이퍼 카세트를 안착시키게 되면, 암(12)이 이동하여 카세트로부터 웨이퍼를 꺼내어 측정부(16)로 로딩 시킴으로써 웨이퍼 필림 두께의 측정이 이루어지는 것이고, 측정한 웨이퍼는 암(12)에 의해 다시 카세트로 언로딩 되어진다.
그러나, 상기한 바와 같이 카세트로부터 웨이퍼를 꺼낼시 전 공정인 플라즈마 에칭공정으로 인하여 상기 웨이퍼 내에 축적된 정전기가 두께 측정을 하기 위해 웨이퍼를 이동시키는 암과 반응하여 방전되는 현상이 발생함으로서 상기 웨이퍼 측정에 타격을 주거나 측정장비의 로봇 오동작으로 웨이퍼가 깨지는 등의 손상을 초래하는 문제점이 있다.
본 발명은 상기와 같은 종래기술의 제반 문제점을 해결하기 위한 것으로 그 목적은, 두께 측정장비인 OP(Opti-Probe)장비에서 에칭 공정 후 발생되는 웨이퍼의 정전기 및 순간 방전으로 인한 웨이퍼의 손상을 방지하기 위하여 상기 측정장비에 정전기 방지용 이온아이저(Ionizer)를 설치함으로서 웨이퍼의 생산성 및 품질을 향상시키도록 하는 반도체 웨이퍼의 정전기 제거장치를 제공하는데 있다.
도 1은 일반적인 웨이퍼 필름두께 측정장치를 나타낸 사시도이고,
도 2는 본 발명의 실시예에 따른 웨이퍼 정전기 제거장치의 사용상태도이다.
<도면의 주요부분에 대한 부호의 설명>
20 : 카세트 베이스 22 : 암
24 : 플랫 얼라이너 26 : 측정부
30 : 이온아이저
상기와 같은 목적을 달성하기 위한 수단으로서 본 발명의 특징은 반도체 웨이퍼의 에칭 공정 후, 상기 웨이퍼의 두께를 측정하는 웨이퍼 두께 측정장비에 있어서, 상기 측정장비에 이온아이저를 설치하여 에칭 공정 후 발생되는 웨이퍼의 정전기를 제거하는 것을 특징으로 한다.
이하, 첨부된 도면들을 참조하여 본 발명의 바람직한 실시예를 상세히 설명한다.
도 2는 본 발명의 실시예에 따른 웨이퍼 정전기 제거장치의 사용상태도로서, 종래와 마찬가지로 웨이퍼 두께 측정장치는 카세트 베이스(20), 암(22), 플랫 얼라이너(24), 측정부(26) 및 이온아이저(30)를 포함하여 구성된다.
따라서, 상기 카세트 베이스(20)상에 웨이퍼 카세트가 안착되면 암(22)이 이동하여 카세트로부터 웨이퍼를 꺼내어 측정부(26)로 로딩 시킴으로써 웨이퍼 필림 두께를 측정하는 것이다.
상기 이온아이저(30)가 웨이퍼 측정장비에 추가 설치됨으로써 상기 카세트 안의 웨이퍼 정전기와 반응하여 정전기를 제거하고 암(22)에 의한 순간방전을 방지하여 웨이퍼를 이동시킬시 장비의 오동작으로 인한 웨이퍼의 깨짐 및 불량을 방지할 수 있는 것이다.
이상에서는 본 발명의 바람직한 실시예에 대하여 도시하고 또한 설명하였으나, 본 발명은 상기한 실시예에 한정되지 아니하며, 청구범위에서 청구하는 본 발명의 요지를 벗어남이 없이 당해 본 발명이 속하는 분야에서 통상의 지식을 가진 자라면 누구든지 다양한 변형 실시가 가능한 것은 물론이고, 그와 같은 변경은 기재된 청구범위 내에 있게 된다.
이상에서 설명한 바와 같이 본 발명에 의하면, 상기 웨이퍼 두께 측정장비에 정전기 방지용 이온아이저(Ionizer)를 설치함으로서 웨이퍼에 축적된 정전기를 제거하고 순간적인 방전으로 인한 장비의 오동작을 막아 상기 웨이퍼의 손상을 방지할 수 있어 생산성 및 품질을 향상시키는 효과가 있다.
Claims (1)
- 반도체 웨이퍼의 에칭 공정 후, 상기 웨이퍼의 두께를 측정하는 웨이퍼 두께 측정장비에 있어서,상기 측정장비에 이온아이저(30)를 설치하여 에칭 공정 후 발생되는 웨이퍼의 정전기를 제거하는 것을 특징으로 하는 반도체 웨이퍼의 정전기 제거장치
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1020020068437A KR20040040106A (ko) | 2002-11-06 | 2002-11-06 | 반도체 웨이퍼의 정전기 제거장치 |
Applications Claiming Priority (1)
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| KR1020020068437A KR20040040106A (ko) | 2002-11-06 | 2002-11-06 | 반도체 웨이퍼의 정전기 제거장치 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
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| KR20040040106A true KR20040040106A (ko) | 2004-05-12 |
Family
ID=37337600
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
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| KR1020020068437A KR20040040106A (ko) | 2002-11-06 | 2002-11-06 | 반도체 웨이퍼의 정전기 제거장치 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| KR (1) | KR20040040106A (ko) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR20160133965A (ko) | 2015-05-14 | 2016-11-23 | 주식회사 우진에프에이 | 전자기기 및 반도체, lcd 제조공정에서의 정전기 제거장치 및 방법 |
| KR102358914B1 (ko) | 2021-02-24 | 2022-02-08 | 박흥균 | 반도체 공정 시스템의 정전기 제거 장치 |
| KR102497755B1 (ko) | 2021-08-12 | 2023-02-08 | (주)넥스틴 | 반도체 기판의 정전기 제거 장치 |
| KR20230162490A (ko) | 2022-05-20 | 2023-11-28 | (주)넥스틴 | 반도체 공정 시스템의 정전기 조절 장치 |
-
2002
- 2002-11-06 KR KR1020020068437A patent/KR20040040106A/ko not_active Application Discontinuation
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR20160133965A (ko) | 2015-05-14 | 2016-11-23 | 주식회사 우진에프에이 | 전자기기 및 반도체, lcd 제조공정에서의 정전기 제거장치 및 방법 |
| KR102358914B1 (ko) | 2021-02-24 | 2022-02-08 | 박흥균 | 반도체 공정 시스템의 정전기 제거 장치 |
| KR102497755B1 (ko) | 2021-08-12 | 2023-02-08 | (주)넥스틴 | 반도체 기판의 정전기 제거 장치 |
| KR20230162490A (ko) | 2022-05-20 | 2023-11-28 | (주)넥스틴 | 반도체 공정 시스템의 정전기 조절 장치 |
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