KR20040034678A - 다중 전극을 사용하는 무선 주파수 제거 시스템 - Google Patents

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앤드류 에스. 라이트
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데이비드 엠. 마비
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Abstract

다중 전극들을 이용한 효울적인 제거는 전들에 전력을 빠르게 스위칭함으로써 얻어진다. 이런 방식으로, 냉각 스폿을 생성하는 각각의 전극 주변 필드에 의해 형성되는 차폐 효과는 피해진다. 복잡한 내부 전극 전류 흐름은 방지된다.

Description

다중 전극을 사용하는 무선 주파수 제거 시스템 {RADIO-FREQUENCY ABLATION SYSTEM USING MULTIPLE ELECTRODES}
간(간장) 종양 같은 종양의 제거는 종양 세포들을 죽이기 위하여 가열 또는 냉각을 사용한다. 냉동외과 제거시, 프로브는 개복술 동안 삽입되고 종양은 냉각된다. 무선 주파수 제거(RFA)시, 전극은 종양 내부로 삽입되고 전극으로부터 환자(통상적으로 환자 피부상에 있는 큰 영역 플레이트인 전기 리턴으로)쪽으로 전류를 통과시켜 저항 열을 통해 종양 세포들을 파괴한다.
간단한 RFA 전극은 종양내에 배치된 절연되지 않은 팁을 가진 도전 바늘이다. 상기 바늘은 대략 460 kHz의 발진 전기 신호에 의해 환자의 피부상 큰 영역 접촉 플레이트에 대해 에너지화된다. 바늘의 팁에서 방사적으로 흐르는 전류는 구형 및 타원형 가열 존(노출된 바늘 팁의 길이에 따라)을 생성하고 종양 셀들을 죽이기에 충분한 온도를 가진 존의 일부에서 궁극적으로 손상부를 유발한다. 손상부의 크기는 손상부 크기는 전극(감소된 저항 가열 유발)에서 멀어지는 방향으로 전류 밀도의 감소, 주변 조직에 대한 열의 손실 및 전극으로부터 조직으로 전달되는 에너지의 양 제한에 의해 제한된다. 전극 에너지는 전극에 인접한 조직의 태움, 소독 및 증기화, 전극 및 종양 나머지 사이의 저항을 크게 상승시키는 조건을 방지하기 위하여 제한된다. 전극 인접 조직은 전극에 인접한 고전류 밀도로 인해 우선 태워지고 따라서 에너지 전달의 병목현상을 생성한다.
몇몇 방법이 태우지 않고 조직에 전달되는 에너지를 증가시키기 위하여 개발되었다. 제 1 방법은 전극의 팁에 온도 센서들을 배치하여, 전극 근처 온도를 보다 정확하게 모니터하고 태우는 시간이 짧은 에너지에 보다 근접하게 접근하게 하는 것이다. 제 2 방법은 전극 자체에 순환되는 냉각 유체를 사용하여 전극 팁을 활발하게 냉각하는 것이다. 제 3 방법은 종양에 배치된후 3개 또는 그 이상의 전극 와이어들이 전극 샤프트의 팁으로부터 방사적으로 확장하는 우산 형식 전극을 하용하여 전극 영역을 증가시키는 것이다. 전극의 보다 큰 표면 영역은 최대 전류 밀도를 감소시킨다. 제 4 방법은 조직에 액체(일반적으로 실란)을 주입하여 도전성을 증가시키는 것이다. 모든 이들 방법은 종양에 제공되는 에너지 양을 증가시켜 손상부 크기를 증가시키고 따라서 보다 광범위한 종양들을 신뢰적으로 제거하게 힌다.
냉동외과 제거와 비교하여 RFA의 주된 장점은 절개없이 이용되고, 따라서 환자에게 보다 적은 외상을 가지게 한다. 몇몇 경우, RFA는 환자가 견디어낼 수 있는 유일한 치료법이다. 게다가, RFA는 환자가 CAT 스캔 동안 완료될수있다.
상기된 개선점에도 불구하고, RFA는 종종 모든 종양 세포들을 줄이는데 실패하고, 결과적으로 종양 재발 비율이 50% 이상인 것으로 보고되었다.
본 출원에 대한 모출원은 이극 동작 모드의 사용을 통해 효과적인 손상부 크기를 증가시키는 시스템을 기술하고 여기서 전류는 개별 전극 및 큰 영역 접촉 플레이트 사이에서보다 두개의 국부적으로 배치된 우산 전극 사이에서 흐른다. 이극 전류 흐름은 개별적으로 동작하는 유사한 수의 단극의 우산 전극에 의해 얻어진 것보다 전극들 사이에서 보다 높은 열 및 보다 높은 전류 밀도와 함께 체적의 보다 큰 손상부를 형성하는 두개의 우산 전극들 사이에서 종양 체적상에 에너지를 "집중" 시킨다. 이것과 관련하여, 이극 동작은 전극들의 한번의 배치로 보다 큰 조직을 가열함으로써 타켓 종양의 보다 효과적인 치료 및 보다 큰 종양의 처리를 허용하여, 절차의 속도 및 효율성이 개선되고 개별 전극이 여러번 이동되는 절차상에서 처리되는 체적을 결정하기 쉽게 만든다.
이극 기술은 몇가지 단점을 가진다. 첫째, 두개의 프로브의 방향에 대해 민감하다. 서로 밀접한 프로브 부분은 보다 두꺼워질것이다. 다른 단점은 두개의 프로브, 이극 시스템에 대하여, 제 1 프로브에서 출발하는 모든 전류는 양쪽 프로브 근처에서 동일한 에너지를 배치하는 제 2 프로브에 진입하여야 한다. 이것은 예를들어 부가적인 증착 에너지 또는 프로브의 독립적인 제어를 요구하는 냉각 혈관 근처에 하나의 프로브가 하나의 위치에 있을때 문제가 될 수 있다. 일반적으로, 단일 세트의 이극 프로브는 다중 분리 종양을 치료할 수 없다.
하나의 대안은 단극 구성의 다중 프로브들을 동시에 사용하는 것이다. 여기서, 이극 기술을 사용하여, 상기 프로브들은 한번에 삽입되어 절차 속도를 개선하고 프로브들을 재배치하게 되는 치료 체적의 불확실성을 제거한다. 전류는 각각의 프로브로부터 환자 피부 표면상 접촉 플레이트로 흐른다.
이런 다중 단극 모드에 대한 단점은 단극 프로브들이 서로 전기적으로 차단될 수 있어서 프로브들 사이에 불충분한 가열을 유발하는 것이다. 프로브들이 하나의 프로브의 국부적 냉각을 수용하도록 다른 전압에서 동작되는 범위까지, 복소수 전류 흐름은 양쪽 프로브들 사이, 및 프로브들 및 접촉 콘택 사이에서 생성될 수 있어서, 프로브들의 궁극적 효과 예측을 어렵게 만든다.
본 발명자는 크고 균일한 손상부 크기들을 촉진시키는 이극 프로브 동작의 장점 및 각각의 프로브 근처에서 가열의 개별 제어를 제공하는 다중 단극 프로브 동작의 장점을 결합하는 기술을 개발했다. 상기 기술은 인터리빙된 방식으로 동작되는 다중 단극 프로브를 사용하여, 회로는 각각의 프로브들 사이에서 빠르게 스위칭하여, 순간 바이어스에서 각각의 프로브는 절연으로 동작한다. 가열을 위해, 각각의 프로브는 동시에 동작되는 것으로 고려될수있다. 전기 차폐는 치료 속다가 증가되면서 프로들 사이에서 감소되고, 치료 체적은 보다 확실하고, 프로브들의 개별 온도, 임피던스 및/또는 시간은 얻어진다.
특히, 본 발명은 환자와 접촉하여 배치될 수 있는 적어도 3개의 전극(가능하게 접지 패드 포함)을 가지는 무선 주파수 제거 시스템을 제공한다. 무선 주파수 전력 소스는 스위치 시스템을 통해 전극들의 적어도 하나의 쌍을 전력 소스에 순차적으로 접속하여 적어도 하나의 접속되지 않은 쌍 사이에 전류가 흐르는 것을 방지하면서 접속된 전극들 사이에 전류 흐름 제거를 제공하도록 전극들과 접속된다. 3개의 전극들의 경우, 하나의 전극은 넓은 영역의 "접지" 전극인 표면 접촉부일 수 있고, 다른 두개의 내부 전극들은 종양 체적내에 또는 근처에 배치된다. 스위치 시스템은 퍼쿠태니어스(percutaneous) 전극들중 하나와 전력 공급기 양단 피부 접촉 전극을 접속시키고 다른 퍼쿠태니우스 전극들과 전력 공급기 양단 피부 접촉 전극을 접속시키도록 동작할 수 있다. 스위치 시스템은 전자, 전자 기계 또는 다른 방식으로 실현될수있다.
본 출원은 발명의 명칭이 "무선 치료 동안 동시 다중 프로브를 사용할 수 있게 하는 장치"이고 2001년 8월 28일 출원된 예비 출원 번호 60/315,383; 여기에서 참조로써 통합됨, 발명의 명칭이 "무선 주파수 제거용 다극 전극 시스템"이고 2000년 6월 7일에 출원된 예비 출원 60/210,103의 특징을 주장하는 2001년 6월 4일 출원된 일부 계속 출원인 미국 출원 09/873,541의 특징을 주장한다.
본 출원은 미국 주정부 서포트가 다음 대리인: NIH HL56143에게 수여하여 이루어졌다. 미주정부는 본 발명의 일부 권리들을 가진다.
본 발명은 종양 등의 무선 주파수 제거, 특히 다중 제거 전극을 동시에 사용할 수 있는 장치에 관한 것이다.
도 1은 전극들 사이의 통과 전류에 의해 종양을 둘러싸는 손상부를 형성하기 위하여 종양의 대향 에지에서 본 발명의 동류인 실시예에 대해 사용된 제 1 및 제 2 전극 와이어를 제공하는 두개의 우산식 전극 어셈블리들의 투시도.
도 2는 전압 제어 발진기에 접속된 도 1 전극들 및 발진기 전압의 피드백 제어를 위한 전극 와이어들상 온도 센서들의 개략도.
도 3은 동심 튜브들내에 제 1 및 제 2 전극들의 와이어들을 배열하는 하나의 샤프트로부터 연장하는 도 1의 제 1 및 제 2 전극 와이어들을 제공하는 결합된 전극 어셈블리의 팁 및 튜브들의 전체 외부 표면 및 전극 와이어들의 팁의 절연부를 도시하는 부분 단면도.
도 4는 제 1 및 제 2 전극 위치들을 도시하고 단극 방식으로 동작하는 두개의 전극들로부터 얻어진 손상부 체적과 비교하여, 본 발명에 따라 동작하는 두개의 전극들로부터 얻어진 손상부 체적을 비교하는 간략화된 입단면도.
도 5는 제 1 및 제 2 전극들 각각으로부터 감지한 온도를 사용하는 많은 복잡한 제어 방법을 달성하기 위하여 도 1 또는 도 3의 전극들의 전기 접속을 도시하고 두개의 전극들 각각에 대한 독립적인 전류 제어를 제공하기 위하여 두개의 전극들 사이의 전압에 고정된 제 3 피부 접촉 플레이트의 사용을 도시하는 도 2와 유사한 도면.
도 6은 대략 100 kHz 이하의 주파수에 대한 저항 분리를 도시하는 종양 및 정상 생 조직에 대한 오움 센티미터 대 헤르쯔 주파수의 저항을 도시하는 그래프.
도 7은 독립적인 전압 또는 전류 또는 위상이 와이어 및 다른 전극들 사이 전류 흐름을 정밀하게 재단하기 위하여 각각의 와이어에 인가되도록 제 1 및 제 2 전극들 각각의 와이어들이 전기적으로 절연되는 다른 실시에를 도시하는 도 2 및 도 5와 유사한 도면.
도 8은 다중 전극 제어를 사용하여 도 7의 제어기에 의해 실행될수있는 프로그램의 흐름도.
도 9는 다중 전극들의 멀티플렉스 단극 동작을 위하여 제공하고 전극들 사이의 스위치 사이클링을 통하여 다중 단극 전극들에 무선 주파수 소스를 접속하는 제어기를 도시하는 본 발명의 제 2 실시예의 개략 블록도.
도 10은 추가 전극 제어를 위하여 동작 듀티 사이클 제어 및 두개의 전극들의 컴플리먼트리를 도시하는 도 9의 스위치 동작의 타이밍도.
도 11은 3개의 전극들의 동작 범위를 도시하는 도 9의 스위치의 다른 실시예의 부분도.
도 12는 도 11의 실시예에 따른 스위치를 사용하는 전극들에 의해 수신된 전력의 타이밍 도.
본 발명의 목적은 두개의 인접한 프로브들의 동시 동작에 의해 유발된 차폐 효과를 제거함으로써 보다 균일한 손상부 크기를 가진 종양 체적의 동시 다중 프로브 치료를 제공하는 것이다.
두개의 프로브들은 적어도 공통 샤프트로부터 연장하는 전극 와이어를 가진 우산 전극일수있다.
따라서, 본 발의 다른 목적은 우산식 프로브에 의해 촉진된 보다 큰 손상부를 제공하는 것이다. 두개의 전극들은 또한 내부 냉각을 이용하여 또는 내부 냉각없는 바늘 전극일 수 있다.
전자 스위치는 임피던스, 온도, 전력, 절대 시간 또는 임피던스, 온도, 또는 하나 이상의 전극의 전력 사이의 차인 제어된 파라미터에 따라 전력 공급기에 전극쌍의 상대적 접속을 제어할 수 있다.
따라서, 본 발명의 다른 목적은 독립적인 전극들을 통해 시퀀싱하기 위해 제공하는 스위칭 수단을 사용하여 각각의 전극들에 전달되는 전력을 독립적으로 제어하는 단일 수단을 제공하는 것이다.
전극 스위치는 임피던스, 시간, 전극 전력 또는 전극 온도 파라미터에 따른 스위치를 제어하는 비례적/적분기인 다른 제어기를 포함할 수 있다.
본 발명의 다른 목적은 RF 전력 공급기 자체를 통해 간단히 제공될 수 있는 전극들의 동작에 보다 정교화된 제어를 부가하는 간단한 방법을 제공하는 것이다.
스위치 시스템은 각각의 전극에 전기 인가 동안 독립적으로 각각의 전극에 인가되는 전압, 또는 전류 또는 전력을 제어할 수 있다.
따라서, 본 발명의 목적은 임피던스, 전극 전력, 또는 전극 온도 또는 유사한 것의 파라미터에 따라 인가된 전력, 전류 또는 전압을 독립적으로 제어하는 것이다.
본 발명은 환자와 동시 접촉되는 적어도 3개의 전극에 배치될 수 있는 방법을 제공하고, 여기서 전극들은 접속되지 않은 쌍 사이의 전류 흐름을 방지하면서 전극들의 접속된 쌍 사이에 제거 전류 흐름을 제공하기 위하여 무선 주파수 전력 소스에 순차적으로 접속될 수 있다.
따라서, 본 발명의 목적은 환자의 주변에서 단일 전극을 이동시킴으로써 제공된 손상부 제어 장점을 얻으면서 치료를 증가시키기 위하여 다중 전극들을 삽입하는 단일 단계를 제공한다. 본 발명의 다른 목적은 치료전에 필요한 전극들의 동시 삽입에 의해 치료시 불확실성을 제거하는 것이다.
본 발명의 상기 및 다른 목적들 및 장점들은 다음 상세한 설명으로부터 명백할 것이다. 이 설명에서, 그 일부를 형성하고, 본 발명의 바람직한 실시예를 도시에 의해 도시하는 첨부 도면에 의해 참조가 리루어진다. 상기 실시예는 특정 목적들 및 장점들은 본 발명의 범위를 한정하지 않지만, 참조는 본 발명의 범위를 해석하기 위한 청구항에 대해 이루어져야 한다.
Ⅰ. 바이폴라 전극 동작
도 1을 참조로, 간(liver)(10)은 이하 설명되는 것처럼 약간의 변형된 2개의 우산식 전극 어셈블리(16a, 16b)를 사용하는 본 발명에 의해 부근에 손상부(lesion)(14)가 형성되는 종양(12)을 포함한다. 각각의 전극 어셈블리(16a, 16b)는 피부를 통해서 간(10) 속으로 삽입되는 크기의 얇은 튜브형 금속 샤프트(18a, 18b)를 포함한다. 샤프트(18a,18b)는 각각 와이어(32)로 형성된 3갈래로 돌출하는 전극(22a,22b)으로부터 샤프트 팁(20a,20b)에서 종결된다. 와이어(32)는 일단 샤프트(18a,18b)가 간(10)에 적절히 위치되면 신체 외부에 남아있는 플런저(24)에 의해 연장되고 연장되면, 샤프트 팁(20a,20b) 부근에 거의 동일한 각도로 분리된 연장 반경만큼 돌출된다. 와이어(32)의 노출된 단부는 이들이 샤프트(18a,18b)로부터 연장될 때, 방사 형태로 자연스럽게 바깥방향으로 벌어지도록 아치형태로 미리형성된다. 샤프트(18a,18b)가 축방향으로 평행한 것으로 도시되었지만, 이는 요구사항이 아니며 다른 배향이 사용될 수 있다.
이러한 형태의 우산형 전극 어셈블리(16a,16b)는 종래 기술에 공지되어 있으나, 본 발명의 일 실시예에서는 샤프트(18a,18b)의 모든 외부 표면에 전기적 절연체를 제공하고 노출된 와이어(32) 부분의 팁을 삽입함으로써 변형될 수 있다. 이는 종래 기술과 대조를 이루며, 샤프트 팁(20a,20b)에 남아있는 우산형 전극 어셈블리는 절연되지 않으며 와이어(32)를 절연시키지 않는다. 이러한 변형의 목적 및 효과는 이하 보다 상세히 설명된다.
본 발명에 따라, 제 1 전극(22a)은 종양(12)의 한쪽 에지에 위치되며 또다른 전극(22b)은 종양(12) 중심에 대해 제 1 전극(22a)과 마주되게 위치된다. 본 명세서에서 사용되는 "에지"라는 용어는 일반적으로 종양(12)의 주변부 부근의 위치로 간주되며 종양(12)내부 또는 외부 위치로 제한되지 않으며, 종양의 경계는 불규칙하며 공지되어 있지 않다. 본 발명에 있어서 전극(22a,22b) 사이에 종양(12) 일부가 포함된다는 것이 중요하다.
도 1 및 도 2를 참조로, 전극(22a)은 전압 진폭(또는 전류 또는 전력 출력)이 외부 신호에 의해 제어되는 교류 전력의 설정가능한 주파수를 제공하는 공지된 기술 분야 형태의 전압-제어 전력 오실레이터(28)에 부착된다. 전력 오실레이터(28)는 접지 전위로서 지정된 전극(22b)에 접속된다. 에너지화되면, 전력 오실레이터(28)는 전극(22a,22b) 사이에 전압을 유도하여 이들 사이에 전류 흐름을 야기시킨다.
도 4를 참조로, 피부 콘택 플레이트(도시되지 않음)를 기준으로 각각의 전극(22a,22b)의 종래 기술 동작은 각각 종래 기술에 따라 손상부(14a, 14b)를 형성할 것으로 예상된다. 그러나, 도 12에 도시된 것처럼 전극들은 이들 사이에 흐르는 전류 흐름과 접속됨으로써, 상당히 큰 손상부(14c)가 형성된다. 또한, 손상부(14c)는 전극(22a, 22b) 분리 축을 따라 대칭된다. 일반적으로, 전극(22a,22b)은 전형적인 우산형 전극에 대해 2.5 내지 3cm 또는 이들 연장 반경의 4배 이하로 분리된다.
다시 도 2를 참조로, 열전지, 저항성 또는 고체-상태-형 검출기와 같은 온도 센서(30)는 세갈래 전극(22a,22b)의 노출된 와이어(32) 각각의 말단부에 위치된다. 이를 위해, 와이어(32)는 작은 도체를 보유하는 작은 튜브 및 상기 설명된 온도 센서일 수 있다. 현재 시판되는 우산형 전극 어셈블리(16a,16b)는 상기 센서 및 플런저(24)내의 커넥터(도시되지 않음)에 각각의 센서를 연결시키는 와이어를 포함한다.
제 1 실시예에서, 전극(22a)내의 온도 센서(30)는 최대값을 갖는 전극(22)의 3개 온도 센서(30)의 출력 신호를 선택하는 최대 검출 회로(34)에 접속된다. 최대 검출 회로(34)는 이산 회로로, 가장 큰 신호만을 통과시키도록 결합된 정밀한 정류기를 제공하거나, 또는 소프트웨어에서 먼저 온도 센서(30)로부터 신호를 디지털 값으로 변환시키고, 마이크로제어기 등에서 실행되는 프로그램에 의해 최대값을 결정할 수 있다.
온도 센서(30)로부터 온도의 최대값은 비교기(36)(또는 이산 회로 또는 소프트웨어에서 실행될 수 있다)를 통과하여, 분압기 등으로부터 나올 수 있는 예정된 소정의 온도 신호(38)와 최대 온도를 비교한다. 소정 온도 신호는 조직 보일링(boiling), 기화, 또는 샤링(charring)이 발생하는 포인트 바로 아래로 설정된다.
비교기(36)로부터 출력은 전력 오실레이터(28)에 진폭 입력(39)을 제공하도록 공지된 제어 기술에 따라 증폭되고 여과된다. 따라서, 전극(22a,22b) 사이의 전류는 어느 하나의 온도 센서(30)에서의 온도가 예정된 소정 온도 신호(38)에 도달하는 포인트로 제한된다는 것을 이해할 수 있을 것이다.
설명된 것처럼 전력 오실레이터(28)는 전압 진폭 제어를 제공하는 반면, 전류 진폭 제어가 대신 사용될 수 있다는 것을 알 것이다. 따라서, 이후 본 명세서에서 사용되는 전압 및 전류 제어란 용어는 상호바꿔 사용될 수 있으며, 이는 전극(22b,22a) 사이의 조직의 임피던스와 관련된다.
또다른 실시예에서, 전극(22a,22b) 사이에 흐르는 전류는, 전류 센서(29)를 통해 전력 오실레이터(28)로부터 흐름에 따라 측정되며, 상기 설명된 온도 제어로 또는 온도 제어 없이 전력 오실레이터(28)로부터 전류를 제한하는 피드백 루프 부분으로 사용될 수 있다.
도시되지 않은 또다른 실시예에서, 전극(22b)의 온도 센서(30)가 보다 완벽한 온도 모니터링을 위해 최대 검출 회로(34)에 제공될 수 있다. 다른 제어 방법론은 당업자에게 공지된 기술에 따라 그들의 성향을 기초로 온도 판독을 예상하거나 또는 온도 판독의 가중 평균을 제공하는 것을 포함할 수 있다.
도 3을 참조로, 도 1에 따른 2개의 분리 전극 어셈블리(16a,16b)의 위치결정의 어려움은 루멘 내에서 유지되는 중심 튜브형 샤프트(18c)를 갖는 단일 전극(40)의 사용으로 감소될 수 있으며, 제 1 전극(22a) 및 제 2 중심 튜브형 샤프트(42)의 와이어(32)는 샤프트(18c) 부근에 위치되고 벽과 제 2 전극(22b)의 샤프트(18c) 와이어(44) 사이에 보유된다. 와이어(44)는 상기 설명된 와이어(32)와 유사한 형상으로 조절되어 형성된다. 샤프트(18c,42)는 전형적으로 금속이며 각각 절연 코팅(45,46)으로 코팅되어, 샤프트(18c,42) 보다는 노출된 와이어(32) 사이에 전류가 흐르게 한다.
상기 설명된 것처럼, 상기 절연 코팅(46)은 도 1 전극 어셈블리(16a,16b)의 샤프트(18a,18b) 팁에 제공되어 전류가 샤프트(18a,18b) 사이의 단락 회로에 집중되는 것이 아니라 전극(22a,22b) 와이어들의 와이어(32)로부터 흐르게 한다.
단일 전극(40)에 대한 다른 유사한 샤프트 구성은 용접등에 의해 부착된 나란한 샤프트(18a,18b)를 갖는 것을 포함할 수 있다.
각각 제 1 전극(22a) 및 제 2 전극(22b) 사이에 상이한 분리부를 갖는 단일 전극(40)의 통(kit)이 상이한 종양 크기 및 상이한 조직 형태에 적합하게 제공될 수 있다.
간략하게 설명된 것처럼, 도 1 및 도 3의 실시예중에서, 와이어(32)는 와이어(32) 단부와 관련된 높은 전류 밀도를 감소시키기 위해 샤프트(18c,42)로부터 제거된 이들의 말단부상의 절연 코팅(46)을 포함할 수 있다.
바람직한 실시예에서, 제 1 및 제 2 전극(22a,22b) 와이어는 각지게 엇갈려져(도 2에 도시된 것과는 달리) 전극 어셈블리의 축방향 면에서 동일하게 공간을 둔 오버랩되지 않은 와이어(32)가 드러날 수 있다. 2개 전극 어셈블리(16a,16b)로 유지하기는 어렵지만, 이러한 구성은 도 2의 실시예에 적합하다.
전력 오실레이터(28)의 주파수는 종래 기술에서 사용되는 450kHz 이하의 값으로 설정하는 것이 바람직하다. 도 6을 참조로, 100kHz 이하에서 가장 명확하며 10kHz 이하 주파수에서, 정상 조직의 임피던스는 종양 조직의 임피던스보다 상당히 증가한다. 이러한 임피던스 차는 본 발명자는 특정 이론에 의해 제한되는 것을 바라지 않지만 종양 및 정상 조직 사이에 간질성 재료에서의 차이로 인한 것으로 여겨진다. 임의의 경우에 있어, 종양 조직의 낮은 임피던스는 10kHz 부근의 값으로 전력 오실레이터(28)의 주파수를 설정함으로써 조직에서 바람직한 증착 에너지로 이용될 수 있다고 여겨진다. 그럼에도 불구하고, 상기 주파수 설정이 본 발명의 모든 실시예에 있어 요구되는 것은 아니다.
중요하게, 이러한 주파수는 심장과 같은 신경 조직을 자극시킬 수 있고, 이러한 자극은 본 바이폴라 디자인으로 제한된다.
도 5를 참조로, 전극(22a,22b)의 국부적 환경은 상기 영역에서 손상부(14)의 가열을 거의 감소시키도록 하나의 전극 부근에 혈관등의 존재에 의해 상이할 수 있다. 따라서, 다른 전극(22a, 22b) 부근의 전류 밀도를 변화시키지 않고 하나의 전극(22a,22b) 부근에 전류 밀도를 증가시키는 것이 바람직하다. 이는 본 발명의 상이한 방식에 이미 이용되는 종래 기술에서 사용되는 형태의 피부 콘택 플레이트(50)를 사용함으로써 달성된다. 본 명세서에서 사용되는 것처럼, 콘택 플레이트(50)란 용어는 임의의 넓은 영역 도체로 간주되나 환자의 피부에서 넓은 영역에 걸쳐 콘택되도록 제한될 필요는 없다.
도 5의 실시예에서, 콘택 플레이트(50)는 전력 오실레이터(28)의 출력 또는 전극(22a,22b)의 온도에 따라 스위치(53)에 대한 접지로 가변 저항(52)을 통해 참조될 수 있다. 일반적으로, 스위치(53)는 온도 센서(30)가 전극(22a) 보다 전극(22b)상에서 높은 온도를 나타내는 경우 전력 오실레이터(28)의 출력과 가변 저항(52)의 자유 단부를 접속시킨다. 반대로, 스위치(53)는 온도 센서(30)가 전극(22a) 보다 전극(22b)상에서 낮은 온도를 나타내는 경우 접지되도록 가변 저항(52)의 자유 단부에 접속시킨다. 전극(22a,22b)의 온도 비교는 도 2를 참조로 상기 설명된 것과 유사하게, 최대 검출 회로(34a,34b)를 통해 수행된다. 스위치(53)는 구동된 비교기, 종래 기술에 공지된 고체상태 스위치일 수 있다.
전극(22a,22b)의 온도 센서(30)에 각각 접속되는 최대-검출 회로(34a,34b)의 출력은 가변 저항(52)의 설정을 제어하도록 사용될 수 있다. 스위치(53)가 전력 오실레이터(28)의 출력에 저항(52)을 접속시키는 경우, 최대 검출 회로(34a,34b)는 전극(22b)이 상대적으로 뜨거워짐에 따라 저항(52)의 저항력을 감소시키는 역할을 한다. 반대로, 스위치(53)가 저항(52)을 접지에 접속시키는 경우, 최대-검출 회로(34a,34b)는 전극(22a)이 상대적으로 뜨거워짐에 따라 저항(52)의 저항력을 감소시키는 역할을 한다. 따라서 스위치(53) 및 가변 저항(52)의 작용은 전극(22a,22b)의 온도를 균등화시킨다.
전극(22b)이 아닌 전극(22a)이 혈관과 같은 가열 싱크에 인접한 경우, 전극(22a)의 온도 센서(30)는 작은 값을 등록하여, 최대-검출 회로(34a)의 출력은 최대-검출 회로(34b)의 출력보다 낮아진다.
저항(52)은 최대-검출 회로(34a,34b) 출력의 비교 값이 바이어스 및 상기 설명된 균등화를 제공하는 전류가 제어된 전원 또는 스위칭 소자의 듀티 주기 변조또는 고체상태 장치의 저항을 제어하는 종래 기술에 공지된 기술에 따라 고체 상태 장치로서 충족된다.
도 7을 참조로, 이들 원리는 전극(22a,22b) 각각의 와이어(32)가 전극 어셈블리(16a,16b)내에 전기적으로 절연되고 전력 오실레이터(28) 또는 그의 리턴에 접속된 가변 저항(54)을 통해 스위치(53)에 의해 개별 공급기(feed)에 의해 구동되는 시스템에 적용될 수 있다. 이 문장에서, 전기적으로 절연된다는 전력원 또는 제어 전자장치와의 접속 이전에 조직을 통과한다는 것을 제외하고 전극(22a,22b) 사이에는 전도성 경로가 없다는 것을 의미한다. 앞서 설명된 것처럼, 전극 와이어(32) 사이에 전류 흐름 경로를 보다 제어하기 위해 스위치(53)로부터 개별 공급기 사이의 위상차가 적용될 수 있다. 이러한 위상차는 예를 들어, 임의의 스위칭 패턴을 형성하도록, 컴퓨터 프로그램에 따라 동작하는 특정화된 파형 생성기 또는 위상 시프트를 형성하는 복합 저항에 의해 형성된다. 저항(54) 값은 제어기(56) 상에서 동작하는 프로그램에 의해 설명된 것처럼 변한다. 이를 위해, 가변 저항(54)은 공지된 기술에 따라 MOSFET과 같은 고체상태 장치를 사용하여 충족된다.
마찬가지로, 제어기(56)에 의해 제어되는 유사한 가변 저항(54)은 콘택 플레이트(50)를 구동시킨다.
제어를 목적으로, 제어기(56)는 라인(58)으로서 각각의 와이어(32)의 온도 센서(30)(상기 설명됨)로부터 입력을 수신한다. 와이어(32)상의 전압의 개별적 제어는 가열 싱크 혈관 또는 임의의 와이어 부근의 것에 민감한 종양(12)에 대한 전류 흐름을 제어한다.
도 8을 참조로, 가능한 제어 알고리즘은 프로세스 블록(60)으로 도시된 것처럼 온도 센서(30)를 스캔한다. 각각의 센서(30)에 대해, 와이어(32)에서의 온도가 조직 샤링(charring) 포인트 이하의 "최고값(ceiling value)" 이상이면, 와이어에서의 전압은 감소된다. 모든 와이어의 모든 온도가 최고값 이하일 때까지 "해머링 다운(hammering down)" 프로세스가 반복된다.
다음 프로세스 블록(62)에서, 각각의 전극(22a,22b) 상의 와이어의 평균 온도가 측정되고 콘택 플레이트(50)의 전압은 이들 평균 값을 점진적으로 균등화시키도록 조절된다. 콘택 플레이트(50)의 전압은 높은 평균을 갖는 전극(22)의 전압을 향해 이동한다.
다음 프로세스 블록(64)에서, 프로세스 블록(60)의 해머링 다운 프로세스가 반복되어 와이어가 최고값 이상으로 상승하지 않게 한다.
다음 프로세스 블록(66)에서 프로세스 블록(66)은 발생 마다 차례로 하나의 와이어를 검사하여 온도가 최고값 이하의 "최저값(floor value)" 이하이나, 종양에 원하는 전력을 공급하기에 충분히 높은 경우, 와이어(32)에서 전압은 다른 전극(32)의 와이어 전압으로부터 점차적으로 제거된다. 반대로, 와이어(32)가 최저값 이상인 경우, 어떠한 작용도 일어나지 않는다.
점진적으로, 각각의 와이어(32)는 개별 전압 제어에 의해 최저 및 최고 범위내에 있도록 조절된 온도를 갖을 수 있다. 상기 프로세스는 온도의 제어 파라미터 뿐만 아니라 예를 들어 임피던스를 포함하는 다른 바람직한 제어 파라미터에 적용될 수 있다.
도 7에 도시된 것처럼, 상기 프로세스는 명확성을 위해 접속부가 도시되지 않은 제 3 전극 세트(22c)를 포함하는 임의의 수의 전극(22)으로 확대될 수 있다.
본 발명은 우산형 프로브에 관해 설명하였지만, 본 발명의 기본 원리는 표준 니들 프로브를 이용할 수 있다. 또한, 본 발명은 2개의 전극 세트로 제한되지 않으며, 전극 세트 사이에서 전류 흐름이 우세한 다수의 전극 세트를 이용할 수 있다. 마찬가지로 우산형 전극의 와이어 수는 3개로 제한되지 않으며 본 발명의 사용에 적합한 시판되는 프로브는 10개의 와이어 버전을 포함한다. 도한, 상기 실시예에서 제어를 위해 전극의 최대 온도가 사용되지만, 본 발명은 최소 또는 평균 온도 사용 또는 임피던스 측정 또는 예정된 스위치 시간 사용과 같은 방법을 제어할 수 있다.
Ⅱ. 다중 단극 전극 동작
도 9를 참조로, 다중 단극 시스템(70)은 SPDT(single pole double throw) 스위치(74) 극(pole)에 무선 주파수 신호가 접속되는 전력 출력(72)을 갖는 전력 오실레이터(28)를 제공한다. 바람직하게 스위치(74)는 종래 기술에 공지된 기술에 따라 고체 상태 스위치로서 충족되며, 20 키로헤르쯔 이상의 속도에서 스위칭된다.
스위치(74)의 제 1 쓰로우(throw)(76)는 상기 설명된 것처럼 우산형 전극인 제1 전극(22a)에 전기적으로 접속된 우산의 가지를 접속시킨다. 적어도 하나의 가지(tine)는 온도 센서(30a)를 포함한다.
스위치(74)의 제 2 쓰로우(78)는 온도 센서(30b)를 갖는 제 2 전극(22b)에 접속된다.
전극(22a,22b)은 상기 설명된 것처럼 종양의 볼륨의 측면에 위치되거나 또는 요구된다면 개별 종양내에 위치된다. 단일 종양이 처리된다면, 전극(22a,22b)은 전극(22a,22b) 가지의 연장 범위 직경의 3배 이하로 서로 인접한다. 반대로, 바이폴라 실시예의, 다중 단극 전극 동작에서는 프로브가 삽입되는 배향에 제한을 두지 않는다. 바람직한 기술은 임의의 수의 전극으로 확대된다.
일 실시예에서, 온도 센서(30a,30b)로부터의 신호는 제어기(56)에 의해 수신되며, 이는 비례/적분(PI)형 제어기(56)에 의해 수신된 온도차 신호를 발생시키기 위해 온도를 차감한다. PI 제어기는 종래 기술에 공지되어 있으며 제 1 제어 상수(K1)와 입력차 신호의 곱의 함수인 출력 신호를 산출하고, 제 2 제어 상수(K2)와 입력차 신호의 정수 곱을 더한다. 이 경우 PI 제어기는 이하 설명되는 추가적인 특성을 갖는 전기적 구형파로서 충족되는 제어 신호(80)를 형성한다.
선택적인 온도차 신호로서, PI 제어기는 임피던스, 온도, 전력, 절대 시간(전극들 간에 규칙적 스위칭을 위함)을 포함하는 다른 제어 입력의 변화, 또는 임피던스, 온도, 또는 1개 이상의 전극 전력과 다른 유사한 제어 입력 사이의 차를 허용할 수 있다.
선택적으로 PI 제어기에서, 임의의 다른 제어 메커니즘은 2개 이상의 프로브에서 전력을 분포시키도록 허용한다.
일반적으로, 도 10을 참조로, 제어 신호(80)의 구형파는 스위치(74) 극의 동작을 제어하여 전극(22a)에 대한 스위칭 패턴(82a) 및 전극(22b)에 대한 스위칭 패턴(82b)을 형성한다. 스위칭 패턴(82a,82b)은 스위치(74) 극의 위치를 나타내며 출력(72)의 무선 주파수 파형의 변조 엔벨로프(envelope)를 각각의 전극(22a,22b)에서 볼수 있다. 스위치(74) 극이 쓰로우(76)에 접속될 때, 파형(82a)은 무선 주파수 전력이 전극(22a)에 공급된다는 것을 나타내는 하이 상태에 있다. 반대로, 스위치(74) 극이 쓰로우(78)에 접속되면, 파형(82b)은 무선주파수 에너지가 전극(22b)에 공급된다는 것을 나타내는 하이에 있다.
바람직한 실시예에서 설명되는 것처럼, 신호(82a,82b)는 정확히 상보적으로 전극(22a,22b)중 하나만이 주어진 임의의 순간에 전력을 수신하고 전력 오실레이터(28)로부터의 전력을 완전히 이용한다는 것을 나타낸다. 즉, 전극(22a)이 에너지화될 때, 전극(22a)과 콘택 플레이트(50) 사이에서만 전류가 흐른다(도 9에 화살표(84a)로 도시됨). 반대로, 전극(22b)이 에너지화될 때, 전극(22b)과 콘택 플레이트(50) 사이에서만 전류가 흐른다(도 9에 화살표(84b)로 표시됨). 단지 전극(22a,22b)중 하나만이 주어진 시간에서 활성화되면, 전극(22b) 부근에서 손상 볼륨(90a) 또는 전극(22b) 부근에서 손상 볼륨(90b)을 일그러트리고 전극(22a,22b)이 동시적으로 에너지화되는 경우엔 반대인 차폐부가 없다. 그러나, 전극(22a,22b)의 "온"상태의 일부 오버랩은 비오버랩 주기에 비해 최소치인 경우 허용될 수 있다.
전극(22b)이 활성화되는 동안 시간 주기(94)를 갖는 속도를 "듀티-사이클(duty-cycle)"로 정의함으로서 전극(22a)이 활성화되는 동안 시간 주기(94a)가 표시된다. PI 제어기(56)의 출력을 형성하는 제어 신호(80)는 낮은 온도를 갖는 하나의 전극(22a,22b)에 전력이 바람직하게 조절되도록 상기 듀티-사이클을 제어한다. 이런 방식으로, 제어기(56)는 2개 전극(22a,22b)의 비교 온도가 균형되도록 작용한다. 선택적으로, 듀티-사이클은 접속된 전극 쌍 사이에서 방출되는 전력 또는 접속된 전극 쌍 사이의 임피던스를 기초로 제어된다. 온도차에 응답하여 조절되고 상기 설명된 K1및 K2의 설정에 의해 제어되며 실제 온도를 갖는 전극(22a,22b)에서 평균 온도를 반영하도록 조절된 듀티-사이클에서 속도는 전력의 스위칭과 동시적으로 편향된다.
스위치(74) 스위칭의 주파수는 조직의 냉각 시간에 비해 빠르게 선택된다(예를 들어 2Hz 이상). 10kHz 이상 및 20kHz 부근의 높은 스위칭 속도는 신경 미 조직, 특히 심장 조직을 자극하는 저주파수 성분을 없애는데 바람직하다. 스위칭은 무선 주파수 전력원에 의해 제??된 신호의 제로-크로싱에서 바람직하게 수행되어 과도 전류를 방지한다.
PI 제어기에는 임계 온도(약 95도)가 동시적으로 주기(94a,94b)를 감소시키면서 이들의 속도를 보존함으로써 도달하는 경우 전극(22a,22b)에 가해진 평균 전력을 감소시키는 리미터가 제공된다. 이 경우, 패턴(82a,82b)은 더 이상 상보적이지 않지만 여전히 비오버랩 하이 상태를 갖는다.
무선 주파수 전력원의 전력 출력은 전극(22a,22b)의 온도 또는 임피던스에 의해 추가로 제어된다. 본 실시예에서, 패턴(82a,82b)는 상보적이다. 스위치는 전극(22a,22b)의 온도가 균일해지게 제어된다. 무선 주파수 전력원의 전력 출력은전극(22a,22b)의 평균 온도가 설정 온도, 전형적으로는 샤링 및 보일링이 발생되는 온도 이하로 조절된다.
도 9에 도시된 또다른 실시예에서, 온도 센서(30a,30b)는 점선(96)으로 표시된 것처럼 단일 전극으로 경로가 정해지며, 이중 쓰로우 스위치의 극은 기준 전력 오실레이터(28) 상의 온도 입력에 전극이 접속된다. 이 경우, 전력 오실레이터(28)는 스위치(74)의 동작에 따라 교체되는 주어진 온도 프로브(30a,30b)로부터 수신된 온도에 따라 출력 전압 및 전류를 감소시키도록 직접 제어된다. 따라서, 파워 오실레이터(28)가 전극(22a)에 전력을 전달하는 시간 동안, 온도 센서(30a)로부터 온도를 수신하여 적절히 제어된다. 스위치(74)가 상태를 변화시키고 전력 오실레이터가 전극(22b)에 접속되는 경우, 전력 오실레이터는 온도(30b)로부터 온도 신호를 수신한다.
도 11을 참조로, 스위치(74)는 다중 종양(12,12')내의 니들 전극으로 개시된 임의의 수의 전극(22a,22b,33c)을 수용한다. 따라서, 본 발명은 일순간 종양 부근의 위치에 임의의 수의 전극을 위치시키고 전극을 이동시킬 필요없이 조합된 열 효과로 볼륨의 동시적 처리를 제공한다는 장점을 제공한다.
설명된 것처럼, 스위치(74)는 단극, 트리플 쓰로우 스위치로 각각의 전극(22a,22b,22c)에 접속되며 도 12에 도시된 것처럼 패턴(82a,82d,82e)을 따라 변조된 무선 주파수 에너지를 제공한다. 스위칭 패턴(82a,82d,82e)은 3개의 파형의 듀티 사이클이 가장 낮은 온도의 전극(22)에서 비례하는 이동 전력으로 82a,82d,82e를 독립적으로 제어하고, 더 이상 상보되지는 않지만 시간에 대한 비중첩된다는 것을 제외하고 상기 설명된 스위치 패턴(82a, 82b)과 유사하다. 이상적으로, 하나 이상의 전극(22)이 임계치 이하 온도를 갖는 경우, 스위칭 패턴(82a,82d,82e)중 하나는 모든 시간에 대해 온이다. 소정 제어 알고리즘에서는 전력이 임의의 프로브에 전력이 조절되지 않는 사이클이 존재한다. 이 경우, 다중 쓰로우 스위치의 극은 임의의 프로브에 접속되지 않거나, 또는 전력을 방산시키는 소정 부재에 접속된다.
본 발명은 본 명세서에 개시된 실시얘 및 상세한 설명에 제한되는 것이 아니라, 실시예의 일부를 포함하는 실시예의 변형된 형태 및 이하 청구항의 범주내에 있느 상이한 실시예의 조합을 포함한다. 예를 들어, 스위치는 적절히 이네이블 및 디스에이블인 다중 무선 주파수원을 사용하여 동작한다. 다중 전극이 동시에 에너지화되는 시스템 및 교류 하이브리드 시스템이 고려될 수 있다. 피부를 통한 전극을 설명했지만, 본 발명은 부식성 프로브 및 수술 또는 복강경으로 위치된 전극을 이용할 수 있다.

Claims (22)

  1. 환자와 접촉되어 위치할 수 있는 적어도 3개의 전극들;
    RF 전원; 및
    적어도 한 쌍의 상기 전극들을 상기 전원에 순차적으로 연결시켜서 적어도 하나의 연결되지 않은 쌍 사이에서 전류 흐름을 억제하면서 연결된 전극들 사이의 절제용 전류 흐름을 제공하기 위해 상기 전극들 및 상기 RF 전원과 통신하는 스위치 시스템을 포함하는 RF 절제 시스템.
  2. 제 1 항에 있어서, 상기 전극들 중 적어도 하나는 피부에 인가될 수 있도록 적용되는 것을 특징으로 하는 RF 절제 시스템.
  3. 제 2 항에 있어서, 상기 순차적으로 연결되는 한 쌍은 피부에 인가되도록 적용되는 상기 전극을 항상 포함하는 것을 특징으로 하는 RF 절제 시스템.
  4. 제 1 항에 있어서, 상기 전극들 및 상기 RF 전원과 통신하는 상기 스위치 시스템은 모든 다른 쌍들 사이의 전류 흐름을 억제하면서 연결된 전극들 사이의 절제용 전류 흐름을 제공하기 위해 한쌍의 상기 전극들만을 상기 전원에 순차적으로 연결시키는 것을 특징으로 하는 RF 절제 시스템.
  5. 제 1 항에 있어서, 적어도 2개의 상기 전극들은 상기 환자에 삽입되도록 적용되는 것을 특징으로 하는 RF 절제 시스템.
  6. 제 5 항에 있어서, 상기 프로브들은 공동 샤프트로부터 연장되는 적어도 2개의 전극 와이어들을 갖는 산하 전극들인 것을 특징으로 하는 RF 절제 시스템.
  7. 제 1 항에 있어서, 상기 스위치 시스템은 상기 순차적으로 연결되는 쌍들의 전극들을 변경시키는 것을 특징으로 하는 RF 절제 시스템.
  8. 제 1 항에 있어서, 상기 전자 스위치는 상기 연결된 전극 쌍들간의 임피던스, 적어도 하나의 상기 연결된 전극 쌍들의 온도, 미리 결정되는 시간 설정, 및 상기 연결된 전극 쌍들 사이에 분산되는 전력으로 이루어지는 그룹으로부터 선택되는 제어 파라미터에 따라 전력 공급기로 상기 전극 쌍들을 연결시키는 상대적 시간을 제어하는 것을 특징으로 하는 RF 절제 시스템.
  9. 제 1 항에 있어서, 상기 전자 스위치는 상기 연결된 전극 쌍들간의 임피던스, 적어도 하나의 상기 연결된 전극 쌍들의 온도, 미리 결정되는 시간 설정, 및 상기 연결된 전극 쌍들 사이에 분산되는 전력으로 이루어지는 그룹으로부터 선택되는 제어 파라미터에 따라 스위칭을 제어하는 비례/적분 제어기를 포함하는 것을 특징으로 하는 RF 절제 시스템.
  10. 제 1 항에 있어서, 상기 전극들은 폭을 갖는 상기 환자와 접촉 영역을 형성하고, 적어도 2개의 상기 전극들은 단지 3배의 서로의 폭 이내의 부분을 갖도록 위치되는 것을 특징으로 하는 RF 절제 시스템.
  11. (a) 환자와 접촉되는 적어도 3개의 전극들을 배치시키는 단계; 및
    (b) 연결되지 않은 쌍 사이의 전류 흐름을 억제하면서 연결되는 전극 쌍들 사이에 절제용 전류 흐름을 제공하기 위해 상기 전극들의 쌍들을 RF 전원에 순차적으로 연결시키는 단계를 포함하는 RF 절제 방법.
  12. 제 11 항에 있어서, 적어도 2개의 상기 전극들은 단일 종양의 서로 다른 부분들에 배치되는 것을 특징으로 하는 RF 절제 방법.
  13. 제 11 항에 있어서, 적어도 2개의 상기 전극들은 서로 다른 종양들에 배치되는 것을 특징으로 하는 RF 절제 방법.
  14. 제 11 항에 있어서, 적어도 하나의 상기 전극들은 피부에 인가되도록 적용되는 것을 특징으로 하는 RF 절제 방법.
  15. 제 14 항에 있어서, 상기 한 쌍을 순차적으로 연결시키는 단계는 피부에 인가되도록 적용되는 상기 전극을 항상 포함하는 것을 특징으로 하는 RF 절제 방법.
  16. 제 11 항에 있어서, 적어도 2개의 상기 전극들은 경피성, 수술, 및 복강경으로 이루어지는 그룹으로부터 선택되는 방법에 의해 상기 환자에 삽입되도록 적용되는 것을 특징으로 하는 RF 절제 방법.
  17. 제 16 항에 있어서, 상기 적어도 2개의 프로브들은 공동 샤프트로부터 연장되는 적어도 2개의 전극 와이어들을 갖는 산하 전극들인 것을 특징으로 하는 RF 절제 방법.
  18. 제 11 항에 있어서, 상기 순차적으로 연결되는 전극 쌍들은 거의 10㎑ 보다 더 높은 주파수에서 변경되는 것을 특징으로 하는 RF 절제 방법.
  19. 제 11 항에 있어서, 상기 전력 공급기로 상기 전극 쌍들의 순차적인 연결의 상대적 시간은 상기 연결된 전극 쌍들간의 임피던스, 상기 연결된 전극 쌍들 중 적어도 하나의 온도, 및 상기 연결된 전극 쌍들 사이에 분산되는 전력으로 이루어지는 그룹으로부터 선택되는 제어 파라미터를 따르는 것을 특징으로 하는 RF 절제 방법.
  20. 제 11 항에 있어서, 상기 순차적인 연결은 상기 연결된 전극 쌍들간의 임피던스, 상기 연결된 전극 쌍들 중 적어도 하나의 온도, 및 상기 연결된 전극 쌍들 사이에 분산되는 전력으로 이루어지는 그룹으로부터 선택되는 파라미터에 따른 비례/적분 제어기에 의해 제어되는 것을 특징으로 하는 RF 절제 방법.
  21. 제 11 항에 있어서, 상기 연결된 전극 쌍들간의 임피던스, 상기 연결된 전극 쌍들 중 적어도 하나의 온도, 및 상기 연결된 전극 쌍들 사이에 분산되는 전력으로 이루어지는 그룹으로부터 선택되는 제어 파라미터에 따른 RF 전원 출력을 조정하는 단계를 더 포함하는 RF 절제 방법.
  22. 제 11 항에 있어서, 상기 전극들은 폭을 갖는 상기 환자 영역과 접촉을 형성하고 적어도 2개의 상기 전극들은 단지 서로의 3배 폭 이내에 부분을 갖도록 위치되는 것을 특징으로 하는 RF 절제 방법.
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