KR20040030551A - 인쇄 회로 기판 중의 관통 홀 충전용 조성물 - Google Patents

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KR20040030551A
KR20040030551A KR10-2003-7012549A KR20037012549A KR20040030551A KR 20040030551 A KR20040030551 A KR 20040030551A KR 20037012549 A KR20037012549 A KR 20037012549A KR 20040030551 A KR20040030551 A KR 20040030551A
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도시아끼 오기와라
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이 아이 듀폰 디 네모아 앤드 캄파니
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Abstract

본 발명은, 전기 전도성 분말 대 결합제의 비 95:5 내지 70:30으로 전기 전도성 분말 및 결합제를 포함하며, 상기 결합제가
(a) 통상적 실온에서 반고체이고 평균 관능기 수가 2 초과인 에폭시 화합물;
(b) 통상적 실온에서 실질적으로 휘발성이 없는 일관능성 반응성 희석제;
(c) 경화제; 및
(d) 경화 촉매
를 포함하는 도체 조성물에 관한 것이다. 상기 조성물은 공극이 없는 우수한 홀 충전 특성을 제공하고, 도금되거나 또는 도금되지 않을 수 있는 관통 홀을 포함하는 다층 인쇄 회로 기판 중의 우수한 층간 연결을 제공한다.

Description

인쇄 회로 기판 중의 관통 홀 충전용 조성물 {Composition for Filling Through-Holes in Printed Wiring Boards}
일본 특허 제2603053호 및 일본 특허 공개 제11-209662호에 기재된 것과 같은 선행 기술의 관통 홀 충전용 도체 후막 조성물로 반응성 희석제 및 잠재성 고체 경화제와 배합된, 통상적 실온에서의 점도가 15 Pa·s 이하인 이관능성 액체 에폭시 수지 또는 고체 에폭시 수지를 포함하는 조성물이 사용되어 왔다.
그러나, 도체 조성물을 이용한 관통 홀 충전이 시도되는 경우에는 그 안에 공극이 형성되지 않도록 조성물의 점도가 어느 정도 감소되어야 한다. 이로 인해 결합제 중의 전기 전도성 분말의 양을 감소시켜야 하거나 또는 지방족 에폭시 화합물을 다량으로 사용하여야 하기 때문에, 바람직하지 않은 결과로서 경화된 조성물의 저항이 증가하거나 또는 그의 유리 전이 온도가 감소되었다.
일본 특허 공개 제5-20918호에는 산 무수물과 배합된, 분자상에 히드록시기를 함유하지 않은 에폭시 수지를 포함하는 조성물의 사용이 기재되어 있다. 그러나, 히드록시기 무함유 에폭시 수지를 수득하기 위해서는 반복된 분자 증류가 요구된다. 또한, 생성되는 에폭시 수지는 높은 순도를 갖기 때문에, 이것은 결정화되려는 경향이 있고, 이는 작업 효율에 대한 매우 상당한 부작용을 초래한다.
따라서, 본 발명의 목적은, 조성물 중의 전기 전도성 분말의 양을 감소시키지 않으면서 관통 홀 충전에 적합한 점도를 나타내고, 유리 전이 온도 감소가 최소화되고, 저항이 낮으며, 도금된 관통 홀 및 비도금된 관통 홀내의 우수한 층간 연결을 달성할 수 있는 도체 조성물을 제공하는 것이다.
<발명의 요약>
본 발명은, 전기 전도성 분말 대 결합제의 비 95:5 내지 70:30으로 전기 전도성 분말 및 결합제를 포함하며, 상기 결합제가
(a) 통상적 실온에서 반고체이고 평균 관능기 수가 2 초과인 에폭시 화합물;
(b) 통상적 실온에서 실질적으로 휘발성이 없는 일관능성 반응성 희석제;
(c) 경화제; 및
(d) 경화 촉매
를 포함하는 도체 조성물에 관한 것이다.
본 발명은 인쇄 회로 기판 (PWB) 중의 관통 홀 (through-hole) 충전에 사용되는 도체 조성물에 관한 것이다. 관통 홀 충전으로 PWB의 회로층들 사이의 층간 연결이 달성된다.
본 발명은 전기 전도성 분말 및 에폭시 수지 결합제를 포함하는 도체 조성물을 제공하고, 상기 에폭시 수지 결합제 기재는, 필수 구성성분으로 평균 관능기 수가 2 초과인 에폭시 화합물 및 일관능성 반응성 희석제를 포함한 것이다. 본 발명의 조성물은, 심지어 소량 존재하여도 경화 반응을 개시할 수 있는 양이온성 중합개시제로부터 선택된 경화제 또는 통상적 실온에서 액체인 경화제, 및 소량의 경화 촉매를 포함한다.
관통 홀 도체 후막 조성물은, 전기 전도성 분말 및 결합제를 전도성 분말 대 결합제의 비 95:5 내지 70:30으로 포함한다. 얻어진 조성물 중의 전기 전도성 분말은 단일 유형의 분말, 그의 혼합물, 그의 합금, 수개의 원소로 된 화합물, 또는 이들의 배합물 또는 혼합물을 포함할 수 있다. 이러한 분말의 예는, 금, 은, 구리, 니켈, 알루미늄, 백금, 팔라듐, 몰리브덴, 텅스텐, 탄탈륨, 주석, 인듐, 란타늄, 가돌리늄, 붕소, 루테늄, 코발트, 티타늄, 이트륨, 유러퓸, 갈륨, 황, 아연, 규소, 마그네슘, 바륨, 세륨, 스트론튬, 납, 안티몬, 전도성 탄소 및 그의 배합물 및 후막 조성물 업계에 통용되는 기타 분말을 포함한다.
본 발명에 사용할 수 있는, 평균 관능기 수가 2 초과인 에폭시 수지의 예는, 에피클로로히드린을, 알킬페놀의 축합 생성물 (예를 들어, 페놀 노볼락, 크레졸 노볼락)과 포름알데히드 또는 디시클로펜타디엔과 배합하여 제조된 화합물, 및 이러한 축합 생성물을 비스페놀형 에폭시 수지, 다관능성 에폭시 화합물, 예를 들어 트리히드록시트리페닐메탄 트리글리시딜 에테르, 또는 글리시딜아민형 에폭시 화합물과 배합하여 제조된 화합물을 포함한다. 바람직하게 에폭시 수지는 통상적 실온에서 반고체이다.
본 발명에 사용되는 일관능성 반응성 희석제는 고급 알콜의 글리시딜 에테르 또는 알킬페놀 (예를 들어 노닐페놀) 및 에피클로로히드린으로부터 제조된 화합물일 수 있다. 증기압이 0.5 mmHg 이하인 반응성 희석제가 바람직하다. 증기압이0.5 mmHg 초과인 반응성 희석제는 쉽게 휘발되는 경향이 있고, 이로 인해 인쇄 또는 저장 도중 조성물의 점도가 증가할 수 있다.
바람직하게는 평균 관능기 수가 2 초과인 반고체 에폭시 화합물 대 일관능성 반응성 희석제의 비가 90:10 내지 50:50이다. 에폭시 수지의 비가 90 ％를 초과하는 경우, 희석제 효과가 손실될 수 있고, 따라서 조성물의 점도가 감소할 수 있다. 반면, 반응성 희석제의 비가 50 ％를 초과하는 경우에는, 경화 도중 3차원 매트릭스 달성이 불가능해질 수 있다.
본 발명에 사용가능한 양이온성 중합 개시제의 예는, 3급 아민, 이미다졸, 루이스 산염 (BF3-아민 착물) 및 브뢴스테드 산염 (방향족 술포늄염, 방향족 디아조늄염)을 포함한다. 에폭시 수지에 용해되고 잠재성을 나타내기 때문에, 루이스 산염이 바람직하다.
본 발명에 사용되는 에폭시 수지 기재 (반응성 희석제를 포함함)와 양이온성 중합 개시제의 상대적 비는 99:1 내지 90:10의 범위로부터 선택될 수 있다. 개시제가 1 ％ 미만이면 경화 반응이 개시되기 어려운 경향이 있다. 반면, 개시제가 10 ％ 초과이면 경화 반응이 순간적으로 일어나고, 이것은 도체 조성물로 관통 홀을 충전시키고 경화시키는 경우 공극 형성과 같은 바람직하지 않은 결과를 초래할 수 있다.
본 발명에 사용가능한 액체 산 무수물 경화제의 예는, 디카르복실산 무수물 및 그의 유도체, 예를 들어 헥사히드로프탈산 무수물, 메틸 헥사히드로프탈산 무수물 및 메틸 테트라히드로프탈산 무수물; 및 폴리카르복실산 무수물의 유도체, 예를 들어 트리멜리트산 무수물 트리글리세라이드를 포함한다. 산 무수물을 경화제로 사용하는 경우, 또한 3급 아민, 이미다졸 또는 아민 화합물과 같은 경화 촉매도 사용할 수 있다. 저장 안정성의 관점에서 아민 화합물을 사용하는 것이 바람직하다.
본 발명에 사용되는 산 무수물 경화제의 양은 에폭시 수지 기재 중 에폭시 관능기당 0.7 내지 1.3 당량의 범위로부터 선택될 수 있다. 산 무수물 경화제의 양이 이 범위를 벗어나는 경우에는 불량한 경화가 초래될 수 있다.
경화 촉매의 양은 에폭시 수지 기재 및 경화제의 혼합물 100 부당 1 내지 5 부의 범위로부터 선택될 수 있다. 경화 촉매가 1 부 미만이면 에폭시 수지 기재와 경화제가 반응하지 못할 수 있고, 반면 5 부 초과이면 조성물의 점도가 증가하여 저장 안정성이 불량해질 수 있다.
본 발명의 도체 조성물은 전형적으로 기계적 혼합 방법으로 (예를 들어 롤 밀상에서) 제조되어 조밀도 및 레올로지가 스크린 인쇄에 적합한 페이스트형 조성물을 형성하고, 바람직하게는 점도 비가, 7.5 이하의 브룩필드 점도계 (Brookfield Viscometer)로 # 14 스핀들 및 유용 컵을 사용하여 25 ℃에서 측정한 0.5 rpm에서의 점도 측정치를 10 rpm에서의 점도 측정치로 나눈 값으로 정의된다. 생성된 페이스트는 비어 (via) 충전으로 인한 본체내의 공극 형성이 없는 우수한 홀 충전 특성을 나타낸다. 생성된 페이스트로 충전된 비어는 용이하게 연마되도록 성형된 후, 충전된 비어 상부가 금속 도금되어 전기 부품이 이러한 충전된 비어의 도금된 상부에 직접 탑재된다.
하기 실시예에 나타낸 조성물의 조성 및 조성물의 시험 결과를 하기 표 1-1 및 표 1-2에 요약하였다.
<실시예 1>
하기 성분을 혼합, 블렌딩하고 3-롤 밀에 분산시켜, 25 ℃에서 브룩필드 점도계로 측정한 점도가 40 Pa·s인 도체 조성물을 수득하였다: 페놀 에폭시 노볼락 (DEN431, 다우 케미칼사 (The Dow Chemical Co.) 제조, 25 ℃에서의 점도 60 Pa·s) 10 부, 일관능성 알킬 글리시딜 에테르 (EPOSIL 759, 에어 프로덕츠 앤드 케미칼즈사 (Air Products and Chemicals, Inc.) 제조) 4.5 부, 삼불화붕소-에틸아민 착물 0.75 부, 평균 입자 크기가 7 ㎛인 구형 은 분말 42.5 부, 및 평균 입자 크기가 2.5 ㎛인 플레이크형 은 분말 42.5 부.
이 도체 조성물을 프린터로 막 두께 40 ㎛로 회로상에 인쇄한 후, 160 ℃에서 1시간 동안 경화시키고, 그 후 비저항을 측정하였다. 부피 비저항은 1.4 ×10-4Ω·cm였다. 동일한 조건하에서 경화시켜 수득한 경화된 생성물의 유리 전이점은 119 ℃였다. 경화 중 중량 손실 백분율은 0.25 ％였다.
인쇄로 1 mm 두께 FR-4 기판 중의 0.3 mm 직경 관통 홀을 상기 도체 조성물로 충전시켰다. 도금된 관통 홀에서는 이 조성물에 공극이 없었고 우수한 홀 충전 특성을 나타내었다. 비도금된 관통 홀에서는 일부 공극이 나타났으나, 전반적 홀 충전 특성은 우수하였다.
<실시예 2>
하기 성분을 혼합, 블렌딩하고 3-롤 밀에 분산시켜, 25 ℃에서 브룩필드 점도계로 측정한 점도가 83 Pa·s인 도체 조성물을 수득하였다: 페놀 에폭시 노볼락 (DEN431, 다우 케미칼사 제조, 25 ℃에서의 점도 60 Pa·s) 6.25 부, 일관능성 알킬 글리시딜 에테르 (EPOSIL 759, 에어 프로덕츠 앤드 케미칼즈사 제조) 1.55 부, 산 무수물 (HN-2200, 히다치 케미칼사 (Hitachi Chemical Co., Ltd.) 제조) 6.95 부, 아민 경화 촉매 (MY-24, 아지노모또 파인-테크노사 (Ajinomoto Fine-Techno Co., Inc.) 제조) 0.25 부, 평균 입자 크기가 7 ㎛인 구형 은 분말 42.5 부, 및 평균 입자 크기가 2.5 ㎛인 플레이크형 은 분말 42.5 부.
이 도체 조성물을 프린터로 막 두께 40 ㎛로 회로상에 인쇄한 후, 160 ℃에서 1시간 동안 경화시키고, 그 후 비저항을 측정하였다. 부피 비저항은 4.5 ×10-4Ω·cm였다. 동일한 조건하에서 경화시켜 수득한 경화된 생성물의 유리 전이점은 105 ℃였다. 경화 중 중량 손실 백분율은 0.46 ％였다.
인쇄로 1 mm 두께 FR-4 기판 중의 0.3 mm 직경 관통 홀을 상기 도체 조성물로 충전시켰다. 도금된 관통 홀에서는 이 조성물에 공극이 없었고 우수한 홀 충전 특성을 나타내었다. 비도금된 관통 홀에서도 마찬가지로 조성물에 공극이 없었고 우수한 홀 충전 특성을 나타내었다.
<실시예 3>
하기 성분을 혼합, 블렌딩하고 3-롤 밀에 분산시켜, 25 ℃에서 브룩필드 점도계로 측정한 점도가 100 Pa·s인 도체 조성물을 수득하였다: 페놀 에폭시 노볼락 (DEN431, 다우 케미칼사 제조, 25 ℃에서의 점도 60 Pa·s) 6.65 부, 일관능성 알킬 글리시딜 에테르 (EPOSIL 759, 에어 프로덕츠 앤드 케미칼즈사 제조) 2.85 부, 삼불화붕소-에틸아민 착물 0.5 부, 평균 입자 크기가 7 ㎛인 구형 은 분말 45 부, 및 평균 입자 크기가 2.5 ㎛인 플레이크형 은 분말 45 부.
이 도체 조성물을 프린터로 막 두께 40 ㎛로 회로상에 인쇄한 후, 160 ℃에서 1시간 동안 경화시키고, 그 후 비저항을 측정하였다. 부피 비저항은 0.7 ×10-4Ω·cm였다. 동일한 조건하에서 경화시켜 수득한 경화된 생성물의 유리 전이점은 116 ℃였다. 경화 중 중량 손실 백분율은 0.22 ％였다.
인쇄로 1 mm 두께 FR-4 기판 중의 0.3 mm 직경 관통 홀을 상기 도체 조성물로 충전시켰다. 도금된 관통 홀에서는 이 조성물에 공극이 없었고 우수한 홀 충전 특성을 나타내었다. 비도금된 관통 홀에서는 일부 흩어져있는 공극이 나타났으나, 전반적 홀 충전 특성은 우수하였다.
<실시예 4>
하기 성분을 혼합, 블렌딩하고 3-롤 밀에 분산시켜, 25 ℃에서 브룩필드 점도계로 측정한 점도가 61 Pa·s인 도체 조성물을 수득하였다: 페놀 에폭시 노볼락 (DEN431, 다우 케미칼사 제조, 25 ℃에서의 점도 60 Pa·s) 10 부, 일관능성 알킬 글리시딜 에테르 (EPOSIL 759, 에어 프로덕츠 앤드 케미칼즈사 제조) 4.25 부, 삼불화붕소-에틸아민 착물 0.75 부, 평균 입자 크기가 7 ㎛인 구형 은 분말 17 부,및 평균 입자 크기가 2.5 ㎛인 플레이크형 은 분말 68 부.
이 도체 조성물을 프린터로 막 두께 40 ㎛로 회로상에 인쇄한 후, 160 ℃에서 1시간 동안 경화시키고, 그 후 비저항을 측정하였다. 부피 비저항은 0.9 ×10-4Ω·cm였다. 동일한 조건하에서 경화시켜 수득한 경화된 생성물의 유리 전이점은 109 ℃였다. 경화 중 중량 손실 백분율은 0.33 ％였다.
인쇄로 1 mm 두께 FR-4 기판 중의 0.3 mm 직경 관통 홀을 상기 도체 조성물로 충전시켰다. 도금된 관통 홀에서는 이 조성물에 공극이 없었고 우수한 홀 충전 특성을 나타내었다. 비도금된 관통 홀에서는 일부 흩어져있는 공극이 나타났으나, 전반적 홀 충전 특성은 우수하였다.
<실시예 5>
하기 성분을 혼합, 블렌딩하고 3-롤 밀에 분산시켜, 25 ℃에서 브룩필드 점도계로 측정한 점도가 38 Pa·s인 도체 조성물을 수득하였다: 페놀 에폭시 노볼락 (DEN431, 다우 케미칼사 제조, 25 ℃에서의 점도 60 Pa·s) 6.65 부, 일관능성 알킬 글리시딜 에테르 (EPOSIL 759, 에어 프로덕츠 앤드 케미칼즈사 제조) 2.85 부, 삼불화붕소-에틸아민 착물 0.5 부, 평균 입자 크기가 7 ㎛인 구형 은 분말 72 부, 및 평균 입자 크기가 2.5 ㎛인 플레이크형 은 분말 18 부.
이 도체 조성물을 프린터로 막 두께 40 ㎛로 회로상에 인쇄한 후, 160 ℃에서 1시간 동안 경화시키로, 그 후 비저항을 측정하였다. 부피 비저항은 1.3 ×10-4Ω·cm였다. 동일한 조건하에서 경화시켜 수득한 경화된 생성물의 유리 전이점은130 ℃였다. 경화 중 중량 손실 백분율은 0.17 ％였다.
인쇄로 1 mm 두께 FR-4 기판 중의 0.3 mm 직경 관통 홀을 상기 도체 조성물로 충전시켰다. 도금된 관통 홀에서는 이 조성물에 공극이 없었고 우수한 홀 충전 특성을 나타내었다. 비도금된 관통 홀에서는 일부 흩어져있는 공극이 나타났으나, 전반적 홀 충전 특성은 우수하였다.
<비교예 1>
하기 성분을 혼합, 블렌딩하고 3-롤 밀에 분산시켜, 25 ℃에서 브룩필드 점도계로 측정한 점도가 128 Pa·s인 도체 조성물을 수득하였다: 비스페놀 A형 액체 에폭시 수지 (Epikote 828, 재팬 에폭시 레진사 (Japan Epoxy Resin) 제조, 25 ℃에서의 점도 12 Pa·s) 3 부, 이량체 산의 디글리시딜 에스테르 (YD-171, 도또 가세이 (Toto Kasei) 제조, 25 ℃에서의 점도 0.6 Pa·s) 9 부, 아민 경화제 (MY-24, 아지노모또 파인-테크노사 제조) 3 부, 평균 입자 크기가 7 ㎛인 구형 은 분말 42.5 부, 및 평균 입자 크기가 2.5 ㎛인 플레이크형 은 분말 42.5 부.
이 도체 조성물을 프린터로 막 두께 40 ㎛로 회로상에 인쇄한 후, 160 ℃에서 1시간 동안 경화시켰다. 이어서, 비저항을 측정하려고 시도하였으나, 비저항을 측정할 수 없었다. 동일한 조건하에서 경화시켜 수득한 경화된 생성물의 유리 전이점은 실온 미만이었다. 경화 중 중량 손실 백분율은 0.31 ％였다.
비저항을 측정할 수 없었고 유리 전이점이 실온 미만이었기 때문에, 관통 홀의 충전 시험을 수행하지 않았다.
<비교예 2>
하기 성분을 혼합, 블렌딩하고 3-롤 밀에 분산시켜, 25 ℃에서 브룩필드 점도계로 측정한 점도가 61 Pa·s인 도체 조성물을 수득하였다: 비스페놀 A형 액체 에폭시 수지 (Epikote 827, 재팬 에폭시 레진사 제조, 25 ℃에서의 점도 10 Pa·s) 10 부, 이관능성 지방족 디글리시딜 에테르 (ED-508, 아사히 덴까 고교 K.K.사 (Asahi Denka Kogyo K.K.) 제조) 7.25 부, 디시안디아미드 0.70 부, 이미다졸 경화 촉매 (2P4MHZ, 시고꾸 케미칼즈사 (Shikoku Chemicals Corporation) 제조) 1.05 부, 평균 입자 크기가 7 ㎛인 구형 은 분말 40.5 부, 및 평균 입자 크기가 2.5 ㎛인 플레이크형 은 분말 40.5 부.
이 도체 조성물을 프린터로 막 두께 40 ㎛로 회로상에 인쇄한 후, 160 ℃에서 1시간 동안 경화시키고, 그 후 비저항을 측정하였다. 부피 비저항은 170 ×10-4Ω·cm였다. 동일한 조건하에서 경화시켜 수득한 경화된 생성물의 유리 전이점은 87 ℃였다. 경화 중 중량 손실 백분율은 0.29 ％였다.
인쇄로 1 mm 두께 FR-4 기판 중의 0.3 mm 직경 관통 홀을 상기 도체 조성물로 충전시켰다. 도금된 관통 홀을 충전시킨 경우, 많은 작은 공극이 나타났다. 또한 비도금된 관통 홀에서도 많은 공극이 나타났다.
<비교예 3>
하기 성분을 혼합, 블렌딩하고 3-롤 밀에 분산시켜, 25 ℃에서 브룩필드 점도계로 측정한 점도가 248 Pa·s인 도체 조성물을 수득하였다: 비스페놀 F형 에폭시 수지 (Epikote 807, 재팬 에폭시 레진사 제조, 25 ℃에서의 점도 3 Pa·s) 7.8부, 메틸 테트라히드로프탈산 무수물 (HN-2200, 히다치 케미칼사 제조) 6.95 부, 이미다졸 경화 촉매 (2P4MHZ, 시고꾸 케미칼즈사 제조) 0.25 부, 평균 입자 크기가 7 ㎛인 구형 은 분말 40.5 부, 및 평균 입자 크기가 2.5 ㎛인 플레이크형 은 분말 40.5 부.
이 도체 조성물을 프린터로 막 두께 40 ㎛로 회로상에 인쇄한 후, 160 ℃에서 1시간 동안 경화시키고, 그 후 비저항을 측정하였다. 부피 비저항은 11 ×10-4Ω·cm였다. 동일한 조건하에서 경화시켜 수득한 경화된 생성물의 유리 전이점은 130 ℃였다. 경화 중 중량 손실 백분율은 0.38 ％였다.
인쇄로 1 mm 두께 FR-4 기판 중의 0.3 mm 직경 관통 홀을 상기 도체 조성물로 충전시켰다. 도금된 관통 홀 및 비도금된 관통 홀 모두에서 큰 공극이 나타났다.
<본 발명의 이점>
실시예 1 대 비교예 1:
은 조성물 및 고체 함량이 본 발명에 따른 실시예 1 및 비교예 1에서 모두 동일하여도, 실시예 1의 도체 조성물은 점도가 낮고, 저항이 낮고, 유리 전이점이 높았다. 실시예 1에서는 반응성 희석제를 사용하였음에도 불구하고, 이 실시예의 도체 조성물은 비교예 1의 조성물에 비해 경화 중 중량 손실 백분율이 더 작았다.
실시예 2 대 비교예 3:
은 조성물 및 고체 함량이 본 발명에 따른 실시예 2 및 비교예 3에서 모두동일하였다. 비교예 3의 도체 조성물에는 저점도 액체 에폭시 수지를 사용하였음에도 불구하고, 실시예 2에서 제조된 조성물에 비해 이 조성물은 점도 및 비저항이 더 높았다.
실시예 2의 조성물에는 반응성 희석제가 존재하여, 이 조성물은 비교예 3의 조성물에 비해 유리 전이점이 더 낮았다. 생성된 조성물로 관통 홀을 충전시키는 경우, 비교예 3에서 제조된 조성물의 높은 점도로 인해 공극이 형성되었다. 반면, 본 발명의 실시예 2에서 수득된 조성물은 관통 홀을 결점 없이 완벽하게 충전시켰다.
실시예 4 대 비교예 2:
비교예 2에서, 본 발명에 따른 실시예 2와 유사한 점도를 달성하기 위해서는 은 고체 함량을 81 ％로 설정하여야 했다 (실시예 4에서의 은 고체 함량은 85 ％였음).
결과적으로, 실시예 4의 조성물에 비해 비교예 2에서 제조된 조성물은 비저항이 훨씬 높았다. 또한, 비교예 2에서는 반응성 희석제를 다량으로 사용하였기 때문에 (배합된 에폭시 수지 및 희석제를 기준으로 42 ％, 반면 실시예 4에서는 30 ％), 유리 전이점이 낮았다. 실시예 4에 비해 다량의 희석제가 존재하고 저점도의 에폭시 수지를 사용하였음에도 불구하고, 비교예 2에서 수득된 도체 조성물은 점도가 높았다.
본 발명에 따른 실시예 5에서는, 심지어 은 고체 함량 90 ％에서도, 구형 은 분말 대 플레이크형 은 분말의 비를 변화시킴으로써 조성물 점도가 낮아질 수 있음이 입증되었다. 그러나, 구형 은 분말의 양이 증가하면 비저항이 증가하기 때문에, 이러한 접근법은 이미 점도 및 비저항이 모두 높은 시스템에 사용될 수 없다.
홀 충전 특성
Exc: 공극이 존재하지 않고, 우수한 홀 충전 특성 나타냄.
Good: 여러 관통 홀내에 매우 적은 수의 공극이 흩어져있으나, 전반적 홀 충전 특성은 우수함.
Fair: 전체적으로 작은 공극이 형성됨.
Poor: 전체적으로 큰 공극이 나타남. 홀 충전능이 불량함.
N/A: 적용불가능함. 관통 홀 충전 수행하지 않음.

Claims (6)

  1. 전기 전도성 분말 대 결합제의 비 95:5 내지 70:30으로 전기 전도성 분말 및 결합제를 포함하며, 상기 결합제가
    (a) 통상적 실온에서 반고체이고 평균 관능기 수가 2 초과인 에폭시 화합물;
    (b) 고급 알콜의 글리시딜 에테르인 일관능성 반응성 희석제;
    (c) 경화제; 및
    (d) 경화 촉매
    를 포함하는 도체 조성물.
  2. 제1항에 있어서, 상기 반고체 에폭시 화합물 대 상기 일관능성 반응성 희석제의 비가 90:10 내지 50:50인 도체 조성물.
  3. 제1항에 있어서, 상기 경화제가 양이온성 중합 개시제인 도체 조성물.
  4. 제2항에 있어서, 상기 경화제가 양이온성 중합 개시제인 도체 조성물.
  5. 제1항에 있어서, 상기 경화제가 통상적 실온에서 액체 산 무수물인 도체 조성물.
  6. 제2항에 있어서, 상기 경화제가 통상적 실온에서 액체 산 무수물인 도체 조성물.
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