KR20040026992A - 압전체 진동소자 및 그 제조 방법 - Google Patents
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Abstract
Description
Claims (14)
- 진동 소자에 있어서,소자 내부의 내부 전극 패턴을 조정하여 내부 전극이 소자의 외부 전극과 연결되지 않도록 설계한 고주파 진동 소자.
- 진동 소자에 있어서,원하는 압전 특성을 가지는 복수개의 압전체 시트가 적어도 두 층이상 적층된 소체,상기의 적층된 압전체 시트 위에 형성된 내부 전극,상기의 내부 전극이 형성된 소자용 시트가 적층된 소체의 외부에 형성된 외부 전극,상기의 내부 전극은 내부 전극 패턴을 조정하여 소체의 외부 전극과 연결되지 않도록 형성하는 것을 특징으로 하는 진동 소자
- 제 2 항에 있어서, 상기의 외부 전극은 적층 소체의 상하부 및 측면에 형성된 것을 특징으로 하는 진동 소자
- 제 2 항에 있어서, 상기의 적층 소체의 상하부에 진동홈이 형성된 절연체를 더 구비하는 것을 특징으로 하는 진동 소자
- 제 2 항에 있어서, 상기의 압전체 시트가 적층된 소체를 관통하며 내부 전극과는 연결되지 않고 소체의 외부 전극과는 연결되는 도전 통로를 구비하며, 상기의 내부 전극은 내부 전극 패턴을 조정하여 적층 소체의 도전 통로 및 외부 전극과 연결되지 않도록 형성하는 것을 특징으로 하는 진동 소자
- 제 4 항에 있어서, 상기의 진동홈이 형성된 절연체를 유전체로 형성하고 유전체 표면에 3단자 전극을 구비하여 커패시터로 기능하도록 한 커패시터 일체형 진동 소자
- 제 2 항에 있어서, 상기의 압전체 적층 소체에 유전체를 결합하여 제조한 커패시터 일체형 진동 소자
- 제 7 항에 있어서, 상기의 유전체는 적층형 또는 단판형인 것을 특징으로 하는 커패시터 일체형 진동 소자
- 제 2 항에 있어서, 상기의 압전체 적층 소체의 하부에 단자 터미널이 형성된 커패시터로 기능하는 유전체 기판을 설치하고, 적층 소체의 상부에는 소자 보호용 보호캡을 설치한 것을 특징으로 하는 커패시터 일체형 진동 소자
- 제 2 항, 제 3 항, 제 5 항, 제 7 항 또는 제 8 항에 있어서, 상기의 적층 소체의 하부에는 외부 단자 터미널이 형성된 절연체 기판을 설치하고, 적층 소체 상부에는 소자 보호용 보호캡을 설치한 것을 특징으로 하는 진동 소자
- 제 4 항 또는 제 6 항에 있어서, 상기의 압전체 적층 소체 및 절연체(유전체)는 소자 보호용 에폭시로 몰딩된 것을 특징으로 하는 진동 소자
- 진동 소자의 제조 방법에 있어서,원하는 조성의 슬러리를 이용하여 압전체 성형 시트를 제조하는 단계,상기의 성형 시트 위에 외부 전극과 연결되지 않도록 설계된 내부 전극을 형성하는 단계,상기의 내부 전극이 형성된 시트를 적어도 두층 이상 적층하는 단계,상기의 적층물을 열처리하여 소성하는 단계,상기 적층물의 외부 표면에 내부 전극과 연결되지 않는 외부 전극을 형성하는 단계로 이루어짐을 특징으로 하는 진동 소자의 제조 방법.
- 제 12 항에 있어서, 상기의 내부 전극은 압전체 시트의 끝단에서 일정거리 이격되어 시트 전면에 형성되거나 시트의 일부분에 형성되는 것을 특징으로 하는 진동 소자의 제조 방법
- 제 12항에 있어서, 상기의 내부 전극 및 외부 전극은 스크린 프린팅 등의 후막 제조법 혹은 스퍼터링법, 증발법, 기상화학증착법, 졸겔 코팅법 등 박막제조법에 의해 제조되는 것을 특징으로 하는 진동 소자의 제조 방법
Priority Applications (8)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
KR10-2002-0058673A KR100490501B1 (ko) | 2002-09-27 | 2002-09-27 | 압전체 진동소자 및 그 제조 방법 |
US10/529,033 US7429816B2 (en) | 2002-09-27 | 2003-09-26 | Piezoelectric vibrator and fabricating method thereof |
AU2003267835A AU2003267835A1 (en) | 2002-09-27 | 2003-09-26 | Piezoelectric vibrator and fabricating method thereof |
CNB038228580A CN100413111C (zh) | 2002-09-27 | 2003-09-26 | 压电振动器以及其制造方法 |
PCT/KR2003/001965 WO2004030113A1 (en) | 2002-09-27 | 2003-09-26 | Piezoelectric vibrator and fabricating method thereof |
CN2008100893720A CN101262210B (zh) | 2002-09-27 | 2003-09-26 | 压电振动器以及其制造方法 |
US12/191,989 US7786655B2 (en) | 2002-09-27 | 2008-08-14 | Piezoelectric vibrator with internal electrodes |
US12/191,986 US8186027B2 (en) | 2002-09-27 | 2008-08-14 | Method of fabricating a piezoelectric vibrator |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
KR10-2002-0058673A KR100490501B1 (ko) | 2002-09-27 | 2002-09-27 | 압전체 진동소자 및 그 제조 방법 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
KR20040026992A true KR20040026992A (ko) | 2004-04-01 |
KR100490501B1 KR100490501B1 (ko) | 2005-05-17 |
Family
ID=37329593
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
KR10-2002-0058673A KR100490501B1 (ko) | 2002-09-27 | 2002-09-27 | 압전체 진동소자 및 그 제조 방법 |
Country Status (2)
Country | Link |
---|---|
KR (1) | KR100490501B1 (ko) |
CN (1) | CN101262210B (ko) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR100914043B1 (ko) * | 2007-08-22 | 2009-08-31 | 한국세라믹기술원 | 자성체 성형장치 및 자성체 성형방법 |
Families Citing this family (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2012106208A (ja) * | 2010-11-19 | 2012-06-07 | Seiko Epson Corp | 微粒子分離装置 |
KR101432438B1 (ko) | 2013-03-29 | 2014-08-20 | 삼성전기주식회사 | 압전진동모듈 |
CN108075033A (zh) * | 2017-12-26 | 2018-05-25 | 广东奥迪威传感科技股份有限公司 | 压电振子及其制备方法 |
CN113295734A (zh) * | 2021-04-27 | 2021-08-24 | 浙江朗德电子科技有限公司 | 一种微小型传感器芯片 |
Family Cites Families (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH10117119A (ja) * | 1996-10-09 | 1998-05-06 | Taiyo Yuden Co Ltd | 圧電効果振動子 |
JP4008099B2 (ja) * | 1998-03-30 | 2007-11-14 | セイコーエプソン株式会社 | インクジェット式記録ヘッド駆動用圧電振動子ユニット、及びその製造方法 |
JP2001144581A (ja) * | 1998-07-24 | 2001-05-25 | Seiko Epson Corp | 圧電振動子およびその製造方法 |
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JP3438689B2 (ja) * | 1999-12-20 | 2003-08-18 | 株式会社村田製作所 | 圧電共振子及び圧電発振子 |
KR20020008679A (ko) * | 2000-07-25 | 2002-01-31 | 이형도 | 표면실장형 압전세라믹 부품 |
-
2002
- 2002-09-27 KR KR10-2002-0058673A patent/KR100490501B1/ko active IP Right Grant
-
2003
- 2003-09-26 CN CN2008100893720A patent/CN101262210B/zh not_active Expired - Lifetime
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR100914043B1 (ko) * | 2007-08-22 | 2009-08-31 | 한국세라믹기술원 | 자성체 성형장치 및 자성체 성형방법 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
CN101262210A (zh) | 2008-09-10 |
KR100490501B1 (ko) | 2005-05-17 |
CN101262210B (zh) | 2011-08-24 |
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